3

SpéEF - TD3 : Effet Hall et magnétorésistance

z
y

ℓ
SpéEF - TD3 : Eet Hall et magnétorésistance a/2

O L x
−a/2

Données :
— Dans un champ électromagnétique, une particule de charge q et de vitesse →
−
v est sou- F IGURE 3.1
→
− →
− → − →−
mise à la force F = q( E + v ∧ B ) ;
— La densité volumique de courants pour des porteurs de charge de densité volumique et donner l’expression de la conductivité γ en fonction de e, m, τ et n (la densité volu-
→
−
n, de charge q et de vitesse →
−
v , est j = nq →
−
v; mique des électrons de conduction).

— Pour l’électron : q = −e = −1,6.10−19 C et m e = 9,1.10−31 kg ; 3. Pour un semi-conducteur en arséniure de gallium GaAs dopé au silicium, la conduc-
1 tion est assurée par des électrons de masse effective m = 0, 06 m e et de densité n =
— Dans le vide, c = 3.108 m.s−1 , µ0 ≃ 4π.10−7 T.m−1 , ϵ0 ≃ 10−9 F.m−1 ; 1024 m−3 . Sachant qu’à très basse température, la conductivité est γ = 100 S.m−1 , dé-
36π
— Constante de Planck : h = 6,63.10−34 J.s−1 . terminer τ et commenter sa valeur.

Réponses
1 Modèle de Drude et loi d’Ohm Voir cours.

On considère un milieu semi-conducteur, électriquement neutre, et constitué d’un en-

semble d’électrons (de charge q = −e) évoluant au sein d’un réseau de charges positives fixes 2 Champ magnétique propre
(les noyaux atomiques). Les interactions d’un de ces électrons de conduction avec le maté-
riau (les charges positives et les autres électrons) sont prises en compte en considérant que
On fait circuler dans le matériau semi-conducteur un courant uniforme stationnaire de
l’électron possède une masse effective m (différente de la masse m e qu’aurait l’électron dans →
−
→
− densité volumique j = j x − e→x . On se place dans le cas a ≪ ℓ et a ≪ L, si bien que l’on peut
le vide) et qu’il est soumis à une force de frottement f = −Γ→ −
v , où Γ > 0 est un coefficient
→
− considérer que l’échantillon constitue une nappe de courant volumique uniforme d’épais-
caractéristique du milieu, et v est la vitesse de dérive de l’électron dans le référentiel du
seur a, et infinie selon les directions x et y.
matériau.

Dans cette partie, on considère l’échantillon parallélépipédique de la Fig. 3.1, délimité 1. Faire l’étude des invariances et symétries de cette distribution de courants afin de dé-
−→
par terminer la direction du champ magnétique propre B pr qu’elle crée. Justifier en parti-
−a a −→ →
−
0 ≤ x ≤ L, 0 ≤ y ≤ ℓ, ≤z≤ culier que B pr (z = 0) = 0 .
2 2 −→
2. En utilisant l’équation de Maxwell-Ampère, déterminer l’expression de B pr (M ) en tout
point.
→
−
1. On applique dans le matériau un champ électrostatique uniforme E . Écrire l’équation 3. Quelle est la valeur maximale de ce champ pour a = 10 µm et j x = 106 A.m−2 ? Com-
différentielle satisfaite par la vitesse →
−
v d’un électron, et faire apparaître une constante menter, sachant que l’intensité du champ magnétique terrestre à Paris est d’environ
de temps τ dont on précisera l’expression littérale. 2.10−5 T.
→
−
2. En régime stationnaire, montrer que le courant volumique j vérifie la loi d’Ohm locale
→
− →
−
j = γE Réponses

1 2 Électromagnétisme
 SpéEF - TD3 : Effet Hall et magnétorésistance

U
 µ0 j x a e−

→ −a y
si z ≤

y
I



 2 2
−→ 
−
→ −a a
B pr (M ) = − µ0 j x z e y si ≤z≤ ℓ

 2 2 →
−
−µ j a → a B

 0 x −

 y
 e y si ≤ z
2 2
→
− ℓ
B

3 Loi d’Ohm en présence d’un champ magnétique extérieur

O L x
O L x
→
−
L’échantillon est plongé dans un champ électrostatique uniforme horizontal E (M ) =
−
→ −
→ →
− →
− (a) (b)
E x e x + E y e y et un champ magnétostatique uniforme vertical B = B z e z (compte-tenu de
l’étude précédente, on néglige le champ propre induit par les courants circulant dans le ma- F IGURE 3.2
tériau).
→
− (a) En l’absence de champ magnétique, établir l’expression de la résistance R 0 de cet
Montrer que la densité volumique de courants j en régime stationnaire obéit à l’équa-
tion échantillon.
− 1→ − 1 →
− → →
−
→
E = j +
−
j ∧B (3.1) (b) En présence d’un champ magnétique extérieur B = B → −
e , la résistance R est mo-
0 z
γ ne ∆R
difiée (“effet de magnétorésistance”). Quelle est la modification relative =
et écrire cette équation sous la forme matricielle R0
R − R0
de la résistance de l’échantillon ?
R0
à ! à !à !
Ex ρ xx ρx y jx
Ey
=
ρyx ρyy jy (c) Calculer cette modification relative pour B 0 = 1 T, γ = 100 S.m−1 et n = 1024 m−3 .
2. L’échantillon est maintenant allongé selon − e→x comme sur la Fig. 3.2 (b) : a ≪ ℓ ≪ L. On
→
−
où l’on précisera l’expression des coefficients de la matrice résistivité ρ̄. y fait cette fois circuler un courant stationnaire volumique uniforme j = j x − e→x , tout en
→
−
le plongeant dans le champ magnétique B = B → −
e .
0 z

Réponses (a) Montrer que le champ électrique possède alors une composante E y non nulle.
(b) Donner l’expression de la différence de potentiel V H = V (y = ℓ) − V (y = 0), appe-
1 Bz à !
 
à ! lée “tension Hall”, qui apparaît entre les faces y = 0 et y = ℓ.
Ex  γ
=  jx
ne 
Ey  −B z 1  j (c) Calculer cette tension Hall pour I = 1 mA, a = 10 µm, n = 1024 m−3 et B 0 = 1 T.
y
ne γ 3. Commenter ces résultats dans l’optique d’effectuer une mesure de champ magné-
tique.
4. Des mesures à très basse température (quelques kelvins) sur un échantillon de GaAs
4 Influence de la géométrie : magnétorésistance et effet Hall d’épaisseur très faible (a = 10 nm) dans un champ magnétique intense (quelques tes-
las) montrent que la composante ρ x y varie en fonction de B par paliers et non de façon
1. Dans un premier temps, l’échantillon est un ruban allongé selon − e→y comme sur la continue. Cette effet, découvert en 1980 par Von Klitzing, porte le nom d’ “effet Hall
Fig. 3.2 (a) : a ≪ L ≪ ℓ. On applique une différence de potentiel U = V (x = 0)−V (x = L) quantique” : la répartition des électrons sur des niveaux d’énergie quantifiés conduit
eB
entre les faces x = 0 et x = L, et on suppose que le champ électrostatique créé est uni- à écrire la densité volumique des électrons sous la forme n = k avec k ∈ Z∗ et h la
→
− ah
forme : E (M ) = E x −
e→x . constante de Planck.

Électromagnétisme 3 4 Électromagnétisme
 SpéEF - TD3 : Effet Hall et magnétorésistance

VH l’intensité du courant qui traverse la surface latérale d’un cylindre de rayon r ∈]R 1 ; R 2 [.
(a) Montrer que dans ce cas, la résistance transverse de l’échantillon R t = se met →−
I Déterminer l’expression du champ E en fonction de U , R 1 , R 2 et r .
RK
sous la forme R t = où l’on donnera l’expression de la constante R K .
k 2. En déduire l’expression de la résistance R 0 de l’échantillon.
(b) Pourquoi la résistance R K (appelée “constante de Klitzing”) est-elle désormais →
−
3. On impose de plus un champ magnétique uniforme et stationnaire B = B 0→ −
e z , et on
utilisée comme étalon ? suppose que le champ électrique dans le matériau reste radial.
→
−
(a) En utilisant (3.1), montrer que la densité de courant j reste contenue dans le
Réponses plan horizontal.
→
−
(b) Illustrer graphiquement la relation (3.1), et montrer que le vecteur j fait un angle
∆R ³ γB ´2 →
−
1. =
0 α constant avec le champ E . Donner l’expression de tan α.
R0 ne
(c) Déterminer, en coordonnées polaires, l’équation des lignes de courant passant
B0 I
2. V H = par un point M 0 (r 0 , θ0 ).
nea −−→
Indication : en notant dM un petit déplacement le long d’une ligne de courant,
−−→ →
− −−→ →
− → −
dM est par définition colinéaire à j et on a donc dM ∧ j = 0 .
5 Disque de Corbino (d) Donner l’expression de la composante radiale j r du vecteur densité de courant
→
−
j en fonction de j 0 (la densité de courant en l’absence de champ magnétique),
Le conducteur a désormais la forme d’un anneau d’axe (Oz), de hauteur a, de rayon inté- γ, n, e et B 0 .
rieur R 1 et de rayon extérieur R 2 comme sur la Fig. 3.3. On maintient entre sa face intérieure (e) En déduire l’expression de la résistance R du disque de Corbino, en fonction de
∆R R − R 0
et sa face extérieure une différence de potentiel constante U = V1 −V2 = V (r = R 1 )−V (r = R 2 ), R 0 , γ, n, e et B 0 . Quelle est la variation relative = de la résistance, pour
→
− R0 R0
ce qui impose un champ électrique purement radial E = E 0 (r )→ −
e r (on suppose donc qu’il y a
le semi-conducteur étudié précédemment sous un champ B 0 = 1 T ?
invariance selon θ et z).
(f ) Proposer une explication qualitative à l’augmentation de la résistance lorsque
l’on applique un champ magnétique.
z

Réponses

U 1 ³R ´
2
2. R = ln
2πγa R1
h ³ γB ´2 i
0
3. R = R 0 1 +
ne

R2 R1

F IGURE 3.3

→
− →
−
1. Le champ E induit un courant radial de densité volumique j = j 0 (r )→
−
e r , et on note I

Électromagnétisme 5 6 Électromagnétisme