UPB Année académique 2024– 2025

T.D D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE LINEAIRE Série 1

Diodes à jonction et diodes Zener

EXERCICE 1 : Redressement A
On réalise le pont de diodes ci-contre. Les diodes sont supposées idéales.
1) Indiquer le sens des courants quand on applique une tension R
u1 = VA – VB positive. u1 D
C
2) Même question pour une tension u1 = VA – VB négative.
3) Que peut-on dire de la tension u2 = VC – VD dans chaque cas ?
B

4) La tension d’entrée, exprimée en volts, est u1 = VA – VB = 10.t - 10. Elle est appliquée à
l’instant t = 0 et supprimée à l’instant t = 2s. La résistance entre C et D est R = 100.
Exprimer l’intensité i(t) qui circule entre C et D.
5) Représenter les fonctions u1(t) et i(t).
6) A présent, u1(t) est un signal sinusoïdal. En vous inspirant des résultats des questions 1) à 3)
tracer sur un même graphique les courbes u1(t) et u2(t).
7) Quel type de signaux périodiques faudrait-il choisir pour u1(t) si l’on désirait obtenir une
tension u2(t) constante ?

EXERCICE 2 : Limiteurs de tension

Pour simplifier on admettra que les diodes sont idéales. Tracer, après analyse, pour chacun des
montages suivants :
- le graphe de Us(t) lorsque Ue(t) = Um.sinωt, avec Um = 15V et E = 5V.
- la caractéristique de transfert Us= f(Ue)

R E D R

D D1 D2
Ue Us Ue R Us Ue R Us
E E
E

EXERCICE 3 : Limiteur de tension par diodes Zener

On considère le montage suivant :
10
R1

D1
Ve 1K R Vs
D2

Ve est une tension sinusoïdale d’amplitude VM = 10V. Les diodes (de résistance interne nulle) sont
identiques et ont les caractéristiques suivantes :
- tension de seuil : V0 = 0,7V ;
- tension Zéner : VZ = 3,6V.
Tracer les caractéristiques Vs = f(t) et Vs = f(Ve).
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T.D D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE LINEAIRE Série 2

Polarisation du transistor bipolaire

EXERCICE 1 : Etude de la polarisation des transistors bipolaires.

I - Soit le montage de la figure 1, avec :
Uo = 9V; Rc = 2,7 K ; RB = 470 K;  = 100 IC
Transistor au silicium (VBE = 0,6V) RB Rc
* Calculer IB, IC et VCE. IB Uo

II - Soit le montage de la figure 1 avec Uo = 6V ; IC = 1mA ; VCE

VCE = 2,5V et  = 50 ; (VBE = 0,6V).
Figure 1
* Calculer RC et RB.

IV - Soit le montage de la figure 3, avec :

R1 RC
RC = 3,9 K ; RE = 1 K ; R1 = 82 K ; R2 = 18 K ;
Uo = 12V et  = 49. (VBE = 0,6V) IC
I1
C Uo
1. Calculer IB et IC
2. Calculer VEM , VCM , VCE B VCE
IB
3. Calculer I2 et I1. E
R2
RE
I2

M
Figure 3

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T.D D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE LINEAIRE Série 3

Amplificateurs à transistor bipolaire

EXERCICE 1 : Montage amplificateur à transistor bipolaire 1

On considère le montage amplificateur ci-dessous.
A- Etude statique :
On donne VCE0 = 3V ; VCC = 6V ; IB0 = 25A ;  = 80 ; VBE0 = 0,6V ; Ip = 9.IB0.
1) De quel type de polarisation s’agit-il ?
2) Exprimer et calculer les résistances R1, R2 et Rc nécessaires à la polarisation. (On ne
négligera aucune valeur).
B- Etude dynamique :
Pour l’application numérique, on prendra les valeurs suivantes : R1 = 10 K ; R2 = 2,7 K ;
Rc = 1,5 K; Ru = 1 K ; RG = 600  h11 = 1,25 K ; h12 = 0 ; h21 = 80 ; h22 = 1,25.10-4 -1.
1) Faire le schéma équivalent du montage en considérant tous les condensateurs comme
des courts-circuits. +VCC = 6V
2) Exprimer, puis calculer, dans l’ordre :
a) l’amplification en tension Av = v2 / v1 ;
b) l’impédance d’entrée Ze = v1 / i1 ; RC
c) l’amplification en courant Ai = i2 / i1 ; R1
d) l’impédance de sortie Zs . i2

RG C1 C2

Ip Ru
i1 v2

eG v1 R2

EXERCICE 2 : Montage amplificateur à transistor bipolaire 2

On désire réaliser une adaptation d’impédance, pour cela on considère le montage
suivant:
 +VCC = 8V
IC
R1
IB
T On donne : = 120 ; IC0 = 10mA ; Ip = 12 IB ;
Ip
VCE0 = 4V ; VBE0 = 0,7V.
R2
RE

M
1) Calculer les éléments de polarisation (R1, R2, RE).
3
 2) Remplacer le pont de base par un générateur de Thévenin équivalent dont on déterminera la
f.é.m à vide ETh et la résistance interne RTh.

3) Le montage en régime dynamique est le suivant :

+VCC = 8V

Rg C1 R1
ie ib
T CE
is

eg ~ R2 RU Vs
Ve RE

On donne les paramètres hybrides émetteur commun du transistor :

h11e = 1000Ω ; h12e = 0 ; h21e = 120 ; 1/h22e =  = 25KΩ.
On donne aussi: Ru = RE et Rg = 50Ω.
a) Faire le schéma équivalent du montage en petits signaux BF.
b) Exprimer littéralement et numériquement l’amplification en tension Av = Vs /Ve .
c) Exprimer littéralement et numériquement l’amplification en courant Ai = is /ie .
d) Exprimer littéralement et numériquement l’impédance d’entrée Ze = Ve /ie .
e) Exprimer littéralement et numériquement l’impédance de sortie Zs.

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T.D D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE LINEAIRE Série 4

Amplificateur opérationnel
EXERCICE 1 : On considère le montage suivant à AOP idéal :
I D
La diode est caractérisée par la relation :
I = Is.exp(Vd / UT), pour Vd positive ;
Vd Is = courant de saturation ;
R
UT = tension thermique.
-
Ve + Vs

a) Donner l’expression de Vs en fonction de Ve et des données du texte; quelle fonction a-t-on réalisé?
b) Reprendre la même question, lorsqu’on permute les positions de R et D.

EXERCICE 2 :
En utilisant les propriétés de l’amplificateur opérationnel idéal, exprimer la tension V 0 et le
courant I0 du montage (figures 1) ci-dessous en fonction des courants i1 et i2.
i1 Rr
D + V
R1 -
- I0 R1 R3
R2
+ Vi
V0
i2 V0 R4
R2 RL
D D
Figure 2
Figure 1 :

EXERCICE 3 :
Soit le montage amplificateur de tension inverseur ci-dessus (figure 2). Exprimer le gain en
tension Av = V0 / Vi en fonction des résistances. En déduire Av pour R4 =  , puis pour R3 = 0.

EXERCICE 4 :
Soit le montage à A.O.P idéal ci-contre ; Y3 Y5
en appliquant le théorème de Millmann aux nœuds A et Y1 A Y4 B
B, calculer le rapport V2 / V1 en fonction des admittances + +
Yi.
V1 Y2
V2