Série d’exercices n°2 sur les diodes
Exercice 1 :
di R
Soit une diode UG4D dont le temps de commutation trr et la charge Qrr en fonction de dt et
de Tj (température de la jonction) sont illustrés dans la figure 1 :
1) Déterminer à une température de jonction de 75°C pour un courant direct de 4A et un
di/dt de 100A/μs le temps de recouvrement inverse trr et la charge Qrr.
Solution :
En considérant la figure1, on peut voir que pour une température de 75°C et pour un
courant de polarisation direct IF de 4A, la tension de seuil VF est de 0.75V. EN
considérant la figure 2 qui nous donne les temps de recouvrement inverse Q rr et les
charges Qrr en fonction de di/dt, de IF et en fonction de la température TJ, nous
pouvons voir que trr= 29ns et Qrr= 24nC
2) Déduisez le courant inverse maximal.
Solution : Qrr=trrIrm/2, d’où Irm=2Qrr/trr=2x24nC/29ns=1.66A
3) Déduisez le temps de déstockage ts.
Solution :
di/dt=Irm/ts donc ts=Irm/di/dt=1.66A/100A/µs=0.0166µs=16.6µs
4) Déduisez le Snap factor S ( trr= tS+tt =(1+S)tS)1
Solution : tt=trr-ts=12.4ns, d’où S=tt/tS=0.75
5) En déduisant le temps tt, calculez la puissance de commutation dissipée dans la diode
au moment de son blocage si la fréquence de commutation de la diode est de 100Khz.
Solution : Lors de la durée ts, la jonction se comporte comme un court-circuit, et par
conséquent, même si la diode est parcourue par un courant inverse intense, elle ne
dissipe aucune puissance. Par contre, durant le temps transitoire t t, même si la charge
stockée a été complètement évacuée, la diode se comporte comme un condensateur,
et au fur et à mesure que celle-ci se charge, le courant inverse IR diminuera tandis que
la tension aux bornes de la diode augmentera pour atteindre la tension inverse qui lui
est appliquée. On peut montrer que la puissance moyenne dissipée durant le blocage
5
1 10 ×12.2 −9
de la diode est alors : PcomOuv = I Rm V Rm t t = ×1 0 ×30×1.66=15.2 mW
4T 4
6) Pour une même variation di/dt, déduisez le temps tS, le temps tRR et enfin la puissance
dissipée dans la diode au moment du blocage pour un courant direct de 2A.
Solution : pour un courant direct de 2A, la charge stockée dans la région N - sera donc
de moitié, et par conséquent, la charge Qrr sera également de moitié et donc :
Qrr’=12nC. Or, nous savons que Qrr=Irmtrr/2 , trr=(1+S)tS et tS=Irm/(di/dt), ce qui nous
√
di
2 Q ' rr
donne : I ' rm=
dt
(1+ S)
=
√
2×12 nC×100 A / μ s
1.75
d’où t’s=I’rm/(di/dt)=11.7ns et t’rr=(1+S)t’s=20.5ns
=1.17 A
Exercice 2 :
i
di R → t S= R
1
I R= tS di R
dt
dt
Un convertisseur Boost alimenté par une tension V1 de 20V délivre une tension de sortie de
100V sous une charge de 80W. Le convertisseur est réalisé grâce à une diode U4GD, un
transistor caractérisé par un temps de montée tri de 78.4ns et un temps de descente tfi de
100ns et une résistance RON de 0.1Ω, une inductance de 1mH (on considérera que le
condensateur est tel que le taux d’ondulation de la tension est inférieur à 1%). Le transistor
est soumis à une fréquence de commutation de 100Khz.
1) Déduisez le chronogramme du courant dans la diode et dans le transistor si ceux-ci
étaient considérés comme des interrupteurs idéaux.
Solution :
V2/V1=1/(1-D)=5, d’où D=0.8.
-Calcul du courant moyen dans la bobine : IL=I2/(1-D)=5I2=5P2/V2=4A
V 20
-Calcul de l’ondulation de courant : Δ I L = 1 DT = −3 5
×0.8=80 mA
2L 2×1 0 ×10
En négligeant les ondulations de courant, celai nous donne les chronogrammes
suivants dans le transistor et dans la diode:
iT(A) iT(A)
4 4
t(µs)
0 8 10 18 t(µs) 0 8 10 18 20
2) En utilisant la figure 1, déduisez la puissance dissipée Pon dans la diode.
Solution :
à la température de 75°C, on peut voir que la tension de seuil aux bornes de la diode
sera VF=0.75V pour un courant IF de 4A, ce qui nous donnera une puissance moyenne
Pon= VFIF(1-D)=4x0.75x0.2=0.6W.
3) Déduisez le di/dt dans la diode au moment de son blocage.
Solution :
Au moment où le transistor se ferme, le courant ne s’établit pas instantanément,
puisque la durée de montée du courant est de tri=50ns, et donc cela signifie que
durant ce temps de commutation, le transistor et la diode sont tous les 2
conducteurs, avec le courant dans le transistor étant croissant et atteignant à la fin la
valeur de IL, donc la valeur de 3.92A et avec le courant dans la diode étant
décroissant et atteignant la valeur de 0 à la fin de la durée tri. Par conséquent, nous
pouvons déduire que la vitesse de variation du courant dans la diode est
di/dt=3.92/78.4n=0.05A/ns=50A/µs
4) En utilisant la figure 2 , déterminez trr et Qrr pour une température de jonction de
75°C.
Solution :
On peut voir que pour TJ=75°C et pour un di/dtde 50A/µs, trr=33.5ns et Qrr=13nC
5) Déduisez le courant maximal inverse dans la diode.
Solution :
Qrr=Irmtrr/2, d’où Irm=2Qrr/trr=2x13/33.5=0.78A
6) Déduisez alors les chronogrammes réels des courants dans le transistor et dans la
diode.
iT(A) iD(A)
4.08
3.92 4.08 3.92
t(µs)
t(µs)
8 10 18 -0.78
10 18 20
0
7) Calculez la puissance totale dissipée dans la diode.
Solution :
Lorsque la diode est à l’état On (entre DT et T), elle est soumise à une tension de
seuil de 0.75V (voir Figure 1) et elle est parcourue par un courant moyen I F=IL=4A, ce
qui nous donne une puissance moyenne à l’état On :
T
1
POn= ∫ V F I F dt=(1−D) V F I L=0.2×0.75×4=0.6 W
T DT
Lorsque la diode est à l’état Off (entre 0 et DT), elle est conductrice durant le temps
de recouvrement inverse trr=33,5ns. Cependant, durant le temps tS=trr/(1+S)=19ns, la
diode n’est pas soumise à une barrière de potentiel, ce qui signifie que la puissance
dissipée durant tS est nulle. Par contre, durant le temps tt=14.5ns, la diode est
parcourue par un courant décroissant de valeur moyenne Irm/2 et est soumise à une
tension croissante atteignant la valeur de 100V, et donc la diode est soumise à une
tension de valeur moyenne V2/2=50V. Par conséquent, la puissance moyenne
dissipée à la commutation en ouverture de la diode est :
t
1 I rm V 2 1 I rm V 2
t
Pcomouv = ∫ dt= t =28.3 mW
T 0 4 T 4 t
Ce qui nous donne une puissance totale dissipée Ptot=POn+Pcomouv=628mW.
8) Calculez la température de jonction si la résistance thermique Rthja est de 0,25°C/W et
si la température ambiante est de 40°C.
Solution :
Lorsque la diode dissipe de la puissance, elle chauffe, et plus elle a la possibilité
d’évacuer la chaleur vers le milieu ambiant, et moins la température à l’intérieur de
la jonction est grande. Les diodes (ainsi que les transistors) sont caractérisées par une
température de jonction maximale au-delà de laquelle elles sont détruites et elles
sont également caractérisées par une résistance thermique telle que Tj-Ta=RthJaPd où
TJ est la température atteinte au niveau de la jonction, Ta : la température ambiante,
Pd : la puissance dissipée et RthJa : la résistance thermique entre la jonction et le milieu
ambiant.
RthJa=0.25°C/W, Pd=0.628W, donc TJ=Ta+RthJaPd=40°C+0.25x0.628=40,16°C
Exercice 3 : Refaire les questions de l’exercice 2 avec un convertisseur BUCK alimenté
sous une tension de 100V et délivrant une tension de sortie de 20V sous une
puissance de 80W et utilisant une inductance de 1mH, utilisant le même transistor et,
enfin, utilisant la diode UG4D.
Figure 1 Figure2
