2.

Polarisation normale d’un transistor : l’effet transistor

Chapitre 3 : LE TRANSISTOR BIPOLAIRE Transistor NPN Transistor PNP

I.Etude théorique

1. Structure
Figure 2 : Circuits de polarisation normal des transistors NPN et PNP
Le transistor bipolaire est la mise en contact de trois couches dopées de semi-conducteurs
Plaçons-nous dans le cas d’un transistor NPN. Polarisons la jonction base émetteur en
Silicium ou Germanium de façon à former soit un transistor de type NPN (figure 1-a) ou PNP
directe et la jonction base collecteur en inverse.
(figure 1-b).
L’effet transistor peut se résumer en trois grands points :

 Lorsque le potentiel VBE dépasse le seuil de conduction de la jonction BE (0.7V pour le

Si) le champ interne résultant accélère les é vers la base ; d’où IE ;
 Une très faible proportion des è venant de l’émetteur se recombine avec les trous de la
base où ils sont peu nombreux (couche mince) puis s’écoulent en passant de trou en trou
vers la connexion de base, d’où un faible courant IB
 La majorité des é libres venant de l’émetteur et rentrant dans la zone de déplétion base
Figure 1: Structure d’un transistor collecteur vont être évacués vers le collecteur sous l’action du champ externe ; d’où IC.
Le transistor NPN est formé de : Le même phénomène peut se produire dans les transistors PNP, polarisé comme

 l’émetteur : couche fortement dopée, d’épaisseur moyenne, son rôle est d’émettre les précédemment

électrons vers la base ;

3. Relations fondamentales
 la base : couche faiblement dopée, très mince, son rôle est de transmettre la plupart des
On désigne par :
électrons venant de l’émetteur vers le collecteur ;
 IC : courant collecteur
 le collecteur : couche moyennement dopée et de forte épaisseur ; son rôle est de collecter  IE : courant émetteur
les électrons venant de l’émetteur via la base. Sa taille est choisie grande afin qu’il puisse  IB : courant base.
évacuer la plus grande quantité de charge. Appelons α le pourcentage des porteurs venant de l’émetteur et qui ont atteint le collecteur et
(1- α) le pourcentage des porteurs venant de l’émetteur et qui sont recombinées dans la base.
 Pour le transistor PNP : on a la même structure et le même type de dopage sauf que les
IC   I E (α varie entre 0,99 et 0,995 donc  est de l'ordre de 100) I B  1    I E
porteurs majoritaires sont les trous
La somme de deux équations montre que : I E  I c  I B
Remarques importantes : On peut assimiler les jonctions émetteur-base et collecteur-base à
La combinaison de deux équations permet aussi d’exprimer le courant de collecteur en
deux diodes sur le plan théorique. Mais il faut noter qu’on ne peut jamais réaliser un transistor
à l’aide de deux diodes ordinaires vu l’épaisseur de la base et l’homogénéité de dopage dans les IC  
fonction du courant de la base. En effet  posons    IC   I B
IB 1   1
trois couches du transistor.
P a g e 1 | 12 P a g e 2 | 12
 𝐼 = 𝛽𝐼 on a I E  I c  I B     1 I B VBE  0.6 à 0.7V  silicium 

Figure 3 : grandeurs physiques d'un transistor Figure 5 : Caractéristiques statiques de sortie du transistor

4. Réseaux des caractéristiques Les caractéristiques sont approximativement équidistantes pour des accroissements égaux de
Dans ce cours on se limite à tracer les caractéristiques du transistor à émetteur commun paramètre 𝐼 . Chacune des caractéristiques se compose de trois parties bien distinctes :
ainsi on a :  La première zone correspond à 𝑉 très faible, la caractéristique statique est sensiblement
Les grandeurs d’entrée sont : 𝑰𝑩 et 𝑽𝑩𝑬 . verticale. Le courant du collecteur (𝐼 ) est fonction linéaire de 𝑉 , le transistor est dit saturé.
Les grandeurs de sortie sont : 𝑰𝑪 et 𝑽𝑪𝑬.
𝐼 < 𝛽𝐼 𝑉 =𝑉 (𝑑𝑒 𝑙′𝑜𝑟𝑑𝑟𝑒 𝑑𝑒 0.3 à 0.4𝑉)
a. Caractéristiques statiques d’entrée
En pratique, on prendra donc 𝑉 ~0 𝑉 = 0.6 à 0.7𝑉 (𝑠𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑢𝑚)
La caractéristique statique d’entrée d’un transistor bipolaire est définie par :
𝑽𝑩𝑬 = f(𝑰𝑩 ) à 𝑽𝑪𝑬 constante
 La deuxième zone est caractérisée par des caractéristiques statiques presque horizontales,
Entre la base et l’émetteur, on retrouve la structure d’une diode à jonction polarisée en directe,
c’est la zone de fonctionnement normal,
la caractéristique 𝑉 =f(𝐼 ) est donnée par la figure suivante :
 La troisième zone correspond à la tension 𝑉 importante, le courant collecteur croit
brutalement et le réseau des caractéristiques est formé par des droites pratiquement verticales.
Cette Zone est appelée région de claquage.
 Zone de blocage :

𝐼 =𝐼 =𝐼 =0𝑉 < 0.6 à 0.7𝑉 (𝑠𝑖𝑙𝑖𝑐𝑖𝑢𝑚)

En pratique, il est préférable de prendre 𝑉 <0

c. Caractéristiques statiques de transfert

Figure 4 : Caractéristiques statiques d’entrée 𝑽𝑩𝑬 = f(𝑰𝑩 ) à 𝑉 paramètre
La caractéristique de transfert en courant d’un transistor bipolaire est définit par :
b. Caractéristiques statiques de sortie
𝑰𝑪 = f(𝑰𝑩 ) à une tension 𝑽𝑪𝑬 constante
La caractéristique statique de sortie d’un transistor bipolaire est définit par :
Le réseau de caractéristiques 𝐼 = f(𝐼 ) est donné par la figure ci-dessous :
𝑰𝑪 = f(𝑽𝑪𝑬) à un courant de base 𝑰𝑩 constant
Pour plusieurs valeurs de IB on obtient le réseau de caractéristiques suivant :

P a g e 3 | 12 P a g e 4 | 12
 II.Transistor bipolaire en régime statique

1. Droite d’attaque, droite de charge et point de fonctionnement

La connaissance des réseaux de caractéristiques et notamment les réseaux d’entrée et de la
sortie, permettent de définir d’une manière rigoureuse le comportement d’un transistor en
régime statique. Ces réseaux permettent aussi de fixer le point de fonctionnement statique du
transistor. En effet, considérons le montage de polarisation par résistance de base suivant :
Figure 6 : Caractéristiques statiques de transfert du transistor
Pour 𝑽𝑪𝑬 faible, 𝐼 est pratiquement indépendant de 𝐼 .
Pour 𝑽𝑪𝑬 important, les caractéristiques sont des droites de pente β, qui se déduisent les unes
des autres par translation de la quantité (relativement faible)
Remarque : β est légèrement fonction de 𝑉 .

d. Caractéristiques de transfert inverse 𝑉 = f(𝑉 ) à 𝐼 paramètre

Du fait de la faible influence de la tension de sortie sur la tension d’entrée, les caractéristiques Figure 8 : Circuit de polarisation par résistance de base

de transfert (𝑉 = f(𝑉 ) à 𝐼 paramètre) sont presque horizontales.

Le circuit de polarisation par résistance de base est le circuit le plus simple pour un transistor
Les caractéristiques ne sont reportées que pour le fonctionnement utile. On distingue 4 quadrants :
monté en émetteur commun.
Le courant de polarisation de base 𝐼 peut être calculé facilement à partir de l’équation relative
au circuit d’entrée puisque 𝐸 = 𝑅 𝐼 + 𝑉

𝐼 = ≈ 𝑐𝑜𝑚𝑚𝑒 𝑉 ≈ 0.6𝑉 C’est la droite d’attaque statique

On déduit d’après cette relation que pour une tension d’alimentation donnée, le courant de
polarisation de base dépend du choix de la résistance 𝑅 ; ainsi on peut se positionner sur
n’importe quelle caractéristique I B =cte du réseau de sortie. D’autre part, on sait l’équation de

la droite de charge statique qui peut être représentée graphiquement sur le réseau de sortie :

𝐸 =𝑅 𝐼 +𝑉 → 𝐼 =  C’est la droite de charge statique

Supposons maintenant que le courant de polarisation de base 𝐼 est constant ; L’intersection de

cette droite avec la cette caractéristique permet de définir le point de fonctionnement du
Figure 7 : Réseau de caractéristique du transistor
transistor, comme il est représenté dans la figure suivante :

P a g e 5 | 12 P a g e 6 | 12
  Si le point de fonctionnement est en P2 alors le transistor est bloqué.
 Si le point de fonctionnement est en P1 alors le transistor est saturé.
Nous allons maintenant déterminer les éléments extérieurs qui vont permettre de faire
EC
 Point de saturation fonctionner le transistor dans l'un de ces trois modes.
RC
 Point de blocage EC  Saturation (point P1) Condition de saturation : IC   I B et VCE  VCESat  0V

Hypothèse : EB  VBEsat  0.7V Hypothèse : EC  VCEsat  0V

𝐸 −𝑉 = 𝑅 .𝐼 𝐸 −𝑉 = 𝑅 .𝐼
 Figure 9 : Droite de charge, droite d'attaque statique et point de fonctionnement d'un 𝐸 −𝑉 𝐸 𝐸 −𝑉 𝐸
transistor ⇔𝐼 = ⇔𝐼 ≈ ⇔𝐼 = ⇔𝐼 ≈
𝑅 𝑅 𝑅 𝑅
2. Circuits de polarisation du transistor
EC E E
D’où : IC   I B    B  RB   RC B
Pour que le transistor fonctionne en régime normal, il faut que la jonction émetteur -base soit RC RB EC
polarisée en directe et la jonction collecteur-base soit pxolarisée en inverse. EB  EC alors la condition pour saturer le transistor devient :  RB   RC

a. Polarisation du transistor en utilisant deux sources de tension
Etat de la sortie Vs (sortie sur le collecteur) lorsque le transistor est saturé:
indépendantes
𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑬𝑺𝑨𝑻 = 𝟎 D’où Vs = Vc = 0 (car VE = 0)
Soit le montage de la figure suivante :

 Blocage (point P2) Condition de blocage : I C  I B  I E  0 et VBE  0V

𝐸 −𝑉 = 𝑅 .𝐼 = 0 ⇔ 𝐸 ≈ 𝑉 ≤ 0𝑉
Figure 10 : Circuit de polarisation du transistor en utilisant deux sources de tension
indépendante
En pratique, la condition de blocage est donc EB  0V

 Etat de la sortie Vs (sortie sur le collecteur) lorsque le transistor est bloqué :

Les courants sont nuls. Il n'y a donc pas de chute de tension aux bornes de 𝑹𝑪 , d'où:
𝑽𝑺 = 𝑬 𝑪

 Fonctionnement en régime linéaire (point Po)

Nous avons alors :

Figure 11 : Droite de charge et point de fonctionnement 𝐼 = 𝛽𝐼 , 𝐼 ≈ 𝐼 , 𝑉 = 0.7𝑉, 𝑉 >𝑉

Le point d'intersection entre la droite de charge statique et les caractéristiques du transistor nous
donne le point de fonctionnement P0, P1 ou P2 du montage ou point de polarisation. En régime linéaire, nous avons, la plupart du temps 𝐸 = 𝐸 = 𝑉 . D’où :
Ce sont les éléments extérieurs au transistor qui vont fixer ce point de fonctionnement :
 Si le point de fonctionnement est en P0 alors le transistor fonctionne dans la zone linéaire.
P a g e 7 | 12 P a g e 8 | 12
 VCE  VCC  RC I C Les éléments du montage n’étant pas changés (𝑉 = 15V, 𝑅 = 71,5 K  , 𝑅 = 500  ), on
VBE  VCC  RB I B obtient : 𝐼 = , 𝐼 est inchangé

b. Polarisation par résistance de base Mais, 𝐼 = 𝛽𝐼 = 30 mA car  = 150 et non plus 75 !

Et 𝑉 =𝑉 − 𝑅 𝐼 = 0𝑉 au lieu de 7,5V
Le point de polarisation n’est donc plus celui du cahier des charges. Avec cet autre transistor,
le montage ne fonctionne plus en linéaire mais en saturé !
Ce montage est donc à exclure lorsque l’on veut travailler dans la zone linéaire.
Ce circuit appelé "polarisation de base" est surtout utilisé dans les circuits numériques.
Le transistor travaille alors en bloqué saturé

Pour le fonctionnement linéaire, nous allons utiliser un autre montage qui permettra d'obtenir
un point de fonctionnement indépendant du  du transistor et donc indépendant de la
Figure 12 : Circuit de polarisation du transistor par résistance de base température.

Typiquement, pour un transistor au silicium,  passe de 55 à 25°C à 100 à 175°C.

c. Polarisation par résistance d'émetteur, première approche
La tension VBE diminue d'environ 2,2 mV par °C.
Si  augmente, alors 𝐼 augmente. Ceci provoque l'augmentation du potentiel d'émetteur
Ainsi, la température peut jouer sur la stabilité du montage à transistor.
Dans notre cas, on voit que si  varie (changement de transistor ou variation due à la
𝑉 = 𝑅 𝐼 . Or 𝑉 − 𝑉 −𝑉 =𝑅 𝐼
On a alors la tension 𝑅 . 𝐼 qui diminue et donc 𝐼 diminue, ce qui provoque la diminution de
température), alors le courant IC varie fortement (IC =  .IB), ce qui déplace le point de
𝐼 : 𝑅 permet alors de contrebalancer partiellement l'augmentation de  .
fonctionnement. Ce montage n'est donc pas très stable : il dépend énormément de la
 Condition sur 𝑅 pour réaliser cette condition
température de fonctionnement !
 Etude d’un exemple : Conséquence d’un changement de transistor
𝐼 𝑉 −𝑉
𝑉 −𝑉 =𝑅 . +𝑅 𝐼 ⇔𝐼 =
𝛽 𝑅
-  peut varier de 50 à 150. +𝑅
𝛽
Cahiers des charges : 𝑉 = 15𝑉, 𝐼 = 15𝑚𝐴, 𝑉 = 7.5𝑉
RB 𝑽𝑪𝑪 𝑽𝑩𝑬
Le transistor utilisé a un  de 75. Si est très petit devant RE alors I 𝑰𝑪 ≈ qui est indépendant de  .
 𝑹𝑬

Les équations nous donnent :

Il faut donc choisir :  RE  RB , condition qui permet d'obtenir un courant Ic indépendant
𝑉 =𝑉 − 𝑅 𝐼 d’où 𝑅 = 𝑅 = 500Ω
VCC  VBE
de  : I C  et donc de la température. Cela entraîne l’indépendance de VCE vis-
RE
𝑉 =𝑉 − 𝑅 𝐼 d’où 𝑅 = 𝑅 = 71.5𝐾Ω
à-vis de la température. Le point de fonctionnement est donc stable.
Supposons que lors d’un dépannage le transistor soit remplacé par un transistor de la
 Etude de la polarisation
même série mais pour lequel  = 150.
Le point de polarisation Mo (𝑉 , 𝐼 ) est défini par:

P a g e 9 | 12 P a g e 10 | 12
 𝑽𝒕𝒉 𝑽𝑩𝑬 ℎ
𝑉 =𝑉 − (𝑅 + 𝑅 )𝐼 et 𝑉 −𝑉 = +𝑅 𝐼 avec 𝑅 >> Nous avons 𝑰𝑪 ≈ puisque 𝑅 >>
𝑹𝑬
Problème 𝑅1
D’où 𝐸𝑡ℎ = 𝑅𝐸 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 = 2.2𝑉 = 𝑉 (1)
𝑅1 +𝑅2 𝐶𝐶
Il est impossible de réaliser ces trois conditions simultanément avec ce montage. On va donc
𝑅 >> ℎ
c'est-à-dire 7.5𝐾𝛺 >> 𝑅 ℎ , 𝑅 ℎ = 𝑅 //𝑅 (2)
modifier celui-ci en câblant un pont de résistances sur la base.
On choisit par exemple 𝑅 ℎ = 1𝐾𝛺
Le montage utilisé classiquement pour polariser le transistor dans sa zone linéaire est
Les équations (1) et (2) nous donnent : 𝑅 = 6.8𝐾𝛺 et 𝑅 = 1.17𝐾𝛺
le montage à pont de base étudié ci-après.
Récapitulatif : on obtient alors
𝐸ℎ−𝑉
d. Polarisation par pont de résistances sur la base 𝐸 ℎ = 2.2𝑉, 𝐼 = = 13.25𝑚𝐴, 𝑉 = 8.37𝑉
𝑅
𝑅 − ℎ
Thévenin vu de la base: 𝛽

Si maintenant on change le transistor (dépannage du montage) et que l’on utilise un transistor

dont le gain statique en courant b est de 150, on obtient :
𝐼 = 14,06 mA et 𝑉 = 8V
Le point de polarisation varie donc très peu.

𝑅
𝐸ℎ= 𝑉 , 𝑅 ℎ = 𝑅 //𝑅
𝑅 +𝑅

 Stabilité du montage
𝑉 =𝑉 − (𝑅 + 𝑅 )𝐼

Et 𝐸 ℎ − 𝑉 = ℎ
+𝑅 𝐼

ℎ ℎ 𝑽𝒕𝒉 𝑽𝑩𝑬
D’où 𝐼 = ℎ
Si 𝑅 >> alors 𝑰𝑪 ≈ qui est indépendant de 
𝑹𝑬

 Etude de la polarisation : stabilité du point de fonctionnement

Cahier des charges 𝑉 = 15𝑉, 𝐼 = 15𝑚𝐴, 𝑉 = 7.5𝑉
Le transistor utilisé a un  de 75.

Nous avons𝑉 =𝑉 − (𝑅 + 𝑅 )𝐼 D’où 𝑅 + 𝑅 = 500𝛺

On choisit par exemple 𝑅 = 400𝛺 et 𝑅 = 100𝛺
P a g e 11 | 12 P a g e 12 | 12