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Le document traite de l'analyse mathématique des inverseurs CMOS, en se concentrant sur les régimes de fonctionnement des transistors NMOS et PMOS. Il présente les équations nécessaires pour déterminer les tensions VGS et VDS en fonction des entrées et sorties. Ces équations sont essentielles pour calculer les dimensions appropriées des transistors dans les circuits logiques combinatoires.

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Leïla KHANFIR

1. Circuits logiques combinatoires


1.1. Inverseur CMOS (Suite)
b. Analyse mathématique : courbe de transfert et régimes de fonctionnement
◼ L’analyse de circuits à base de technologie MOS commence généralement par
l’identification des régimes d’opération des transistors en fonction des tensions
d’entrées et de sorties. C’est alors que les équations sont établies pour parvenir à
calculer les dimensions appropriées des transistors.
◼ Dans le cas de l’inverseur CMOS, les tensions VGS et VDS des deux transistors peuvent
être exprimés en fonction de l’entrée et de la sortie. On trouve:
- Pour M1 (NMOS)
VGSN = VIN (2.1)
VDSN = VOUT (2.2)
- Pour M2 (PMOS)
VSGP = VDD - VIN (2.3)
VSDP = VDD - VOUT (2.4)

« Inverseur CMOS »

CONCPETION DE CIRCUITS VLSI - CHAPITRE II ENIT 2020/2021 14

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