Diodes et transistors bipolaires

discrets
par Jean ENCINAS
Docteur de l’Université de Caen (mention Sciences)

1. Rappels sur les semi-conducteurs....................................................... E 2 465 - 2

1.1 Différents types............................................................................................ — 2
1.2 Courants électroniques ............................................................................... — 2
1.3 Recombinaison. Génération. Durée de vie................................................ — 3
2. Diodes ......................................................................................................... — 3
2.1 Jonction PN.................................................................................................. — 3
2.2 Caractéristique dynamique......................................................................... — 8
2.3 Structure des diodes ................................................................................... — 8
2.4 Tension de claquage.................................................................................... — 9
2.5 Familles de diodes. Applications................................................................ — 9
3. Transistors ................................................................................................. — 10
3.1 Étude élémentaire........................................................................................ — 10
3.2 Modèle idéal................................................................................................. — 11
3.3 Modèle comprenant les phénomènes secondaires.................................. — 16
3.4 Modèle de Gummel-Poon........................................................................... — 20
3.5 Effet de la température................................................................................ — 20
3.6 Bruit .............................................................................................................. — 20
3.7 Modèle SPICE............................................................................................... — 22
3.8 Dissipation thermique ................................................................................. — 22
3.9 Polarisation .................................................................................................. — 22
3.10 Montages fondamentaux............................................................................ — 24
3.11 Familles de transistors. Applications ......................................................... — 25
3.12 Applications combinées avec des circuits intégrés .................................. — 26
Notations et Symboles .................................................................................... — 28
Pour en savoir plus........................................................................................... Doc. E 2 465

ès la fin des années 50, les modèles des transistors bipolaires au germanium,
D en régime linéaire petits signaux, sont suffisamment précis pour permettre
le calcul des performances, à la température ambiante, des circuits électroniques.
En revanche, en régime forts signaux, le modèle utilisé n’est pas assez précis
car il ignore les phénomènes secondaires.
Au début des années 60, outre les transistors au germanium, les transistors
au silicium, de type planar, sont de plus en plus utilisés et il faut donc les modé-
12 - 1993

liser. Cela se traduit par une pression importante sur l’étude du fonctionnement
approfondi du transistor dont le modèle va pouvoir tenir compte des phéno-
mènes secondaires.
En 1970 deux ingénieurs américains, H.K. Gummel et H.C. Poon, développent
un modèle de transistor d’une grande précision quel que soit le régime de
fonctionnement.
E 2 465

Cependant la complexité du modèle est telle que les calculs à la main sont
extrêmement longs. Heureusement, les progrès des calculateurs vont résoudre
ce problème. Enfin, l’informatique va venir au secours des électroniciens en leur
proposant des logiciels permettant le calcul des circuits. La précision des résultats
sera d’autant plus grande que les modèles des transistors seront mieux connus.
En outre les logiciels disposent de bibliothèques où la plupart des transistors
et diodes disponibles dans le commerce sont modélisés.

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Aujourd’hui, quelle que soit l’application, la conception est faite à l’aide

d’ordinateur. En effet, ses avantages sont très grands :
— simulation dans les cas extrêmes de température et d’alimentation ;
— rapidité ;
— précision des résultats ;
— simulation du bruit ;
— simulation du rendement de fabrication ;
— etc.
Pour toutes les raisons que nous venons d’évoquer, dans cet article, une large
part est consacrée à la modélisation du transistor. Un concepteur de circuits doit
aujourd’hui être capable d’interpréter et d’analyser les nombreux résultats que
l’informatique va lui fournir et seule une bonne connaissance du transistor va
lui permettre de réaliser un circuit fiable, fonctionnant dans les limites prévues
dans l’application et fabriqué avec des bons rendements.

1. Rappels 1.1.3 Semi-conducteur de type P

sur les semi-conducteurs L’introduction d’atomes de la colonne III du tableau de Mendeleïev

confère le type P au silicium. On utilise presque exclusivement le
bore. Cet atome est dit accepteur et, comme sa bande de valence
1.1 Différents types ne possède que trois électrons pour assurer ses liaisons avec le sili-
cium, il s’ionise négativement en captant un électron qui provient
1.1.1 Semi-conducteur intrinsèque de la bande de valence du silicium. La capture de cet électron va
créer un trou positif dans la bande de valence. Tout se passe alors
Le silicium intrinsèque est, sans impuretés électriquement actives, comme si la conduction se faisait avec des charges positives. On a
un mauvais conducteur du courant électrique. Pour rendre conduc- donc une conduction par trous. Comme dans le cas du silicium intrin-
teur le silicium, il est nécessaire d’y introduire des impuretés sèque et du silicium de type N, on a :
(dopage), ce qui augmente le nombre de porteurs libres et réduit 2
sa résistivité. p p0 n p0 = n i (4)
En désignant par n i et par p i (n i = p i ) les concentrations respectives où p p0 désigne la concentration en trous majoritaires et n p0 la
des électrons et des trous à l’équilibre, on démontre que : concentration en électrons minoritaires. On a, également : p p0 ≈ Na .

 
2 EG
n i p i = n i = KT 3 exp – ---------- en cm –6 (1)
V th
1.2 Courants électroniques
où K est une constante.
À 300 K, on a : 1.2.1 Courant de conduction
2
n i = 2,1 ⋅ 10 20 cm – 6 (2) Sous l’action d’un champ électrique E , les électrons et les trous
peuvent se déplacer avec une vitesse v telle que :
1.1.2 Semi-conducteur de type N
v = µE (5)
On confère le caractère N au silicium en introduisant dans son
où µ est la mobilité de la charge.
réseau cristallin des atomes dits donneurs de la colonne V du tableau
de Mendeleïev : phosphore, arsenic ou antimoine. Cela permet de Plus précisément, on distingue :
rendre libre un des cinq électrons appartenant à la couche de valence, — la mobilité des électrons µ n ;
les quatre autres assurant les liaisons avec les quatre électrons de — la mobilité des trous µ p .
valence du silicium. À la température ambiante, la presque totalité La densité de courant totale de conduction et la résistivité, dans
des atomes donneurs cèdent un électron, ils s’ionisent donc et un matériau de type N, sont données par les relations suivantes :
prennent une charge positive égale à 1,602 · 10 –19 C. En désignant
par Nd la concentration de ces atomes et par n n0 celle des électrons
J = q ( µ n n n0 + µ p p n0 ) E (6)
libres (dits porteurs majoritaires), on a (à la température ambiante) :
n n0 ≈ Nd 1
ρ i = ----------------------------------------------------- (7)
Comme pour le silicium intrinsèque à l’équilibre, on a : q ( µ n n n0 + µ p p n0 )
2
n n0 p n0 = n i (3)

en désignant par p n0 la concentration en trous porteurs dits porteurs

minoritaires.

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Application : calcul de la résistivité intrinsèque du silicium :

2. Diodes
J = q ( µ n + µ p ) ni E (8)
2.1 Jonction PN
1
ρ i = ------------------------------------------- (9)
q ( µ n + µ p )n i 2.1.1 Description
avec n i = 2,1 ⋅ 10 , Une jonction PN est la zone d’un monocristal de silicium dans
q = 1,602 · 10–19 C, laquelle on passe d’une conductivité du type N à celle du type P.
µ n = 1 360 (cm2 · V –1 · s–1), Pour simplifier, nous supposerons dans un premier temps que les
deux zones ont un dopage uniforme et en outre que la zone N est
µ p = 495 (cm2 · V –1 · s–1). beaucoup plus dopée que la zone P (figure 1). On dit que la jonction
On obtient ρ i = 2,32 · 105 Ω · cm, ce qui montre la mauvaise conduc- est abrupte.
tivité du silicium.

2.1.2 Jonction PN non polarisée

1.2.2 Courant de diffusion
2.1.2.1 Étude qualitative
En présence d’un gradient de concentration les porteurs libres
diffusent, donnant lieu aux densités de courant suivantes : Supposons que la jonction PN soit réalisée en amenant en
contact les deux zones P et N (figure 2).
J n = – qD n grad n (10) Avant contact chaque zone est électriquement neutre, les impu-
retés ionisées compensant exactement les porteurs de charge.
Lorsque le contact est réalisé, les électrons de la région N, où ils
J p = – qD p grad p (11)
sont majoritaires, vont diffuser vers la région P où ils sont mino-
où D n , D p sont les coefficients de diffusion des électrons et des ritaires. De même, les trous de la région P vont se déplacer par
trous. diffusion vers la région N.
D et µ sont liés par la relation d’Einstein : Le départ de ces électrons et de ces trous va provoquer l’appa-
rition, de part et d’autre de la jonction, de deux zones non neutres :
D kT l’une comprenant des impuretés ionisées positivement (zone N) et
V th = ------ = -------- ≈ 25,9 mV à 300 K (12)
µ q l’autre comprenant des impuretés ionisées négativement (zone P)
(figure 3a ). La présence de ces charges positives et négatives
avec k constante de Boltzmann (= 1,38 · 10 –23 J/ K).
donne naissance à un champ électrique E 0 dont le sens est tel qu’il
s’oppose à la diffusion des porteurs.
1.2.3 Courant total
Nous verrons au cours de l’étude de la jonction PN que seuls inter-
viennent les courants des porteurs minoritaires. Les expressions des
densités de courant sont alors :

J n = q µ n n p E +qD n grad n p (13)

J p = q µ p p n E – qD p grad p n (14)

Figure 1 – Jonction PN
1.3 Recombinaison. Génération.
Durée de vie
Par rupture des liaisons de valence, des paires électron-trou
peuvent être créées, par exemple sous l’action de la lumière ou de
la chaleur.
Inversement ces électrons et ces trous peuvent se recombiner en
créant des liaisons, ce qui libère de l’énergie : le phénomène est donc
réversible.
Il y a par conséquent, création et disparition, toujours par paires
électron-trou.
Ce qu’il faut surtout retenir c’est que, si l’on s’écarte des concen-
trations relatives à l’équilibre, un mécanisme de recombinaison ou
de génération va aussitôt intervenir pour rétablir cet équilibre.

Figure 2 – Concentrations des porteurs dans une jonction PN

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À l’équilibre tout se passe comme si deux courants identiques et En idéalisant la répartition de la charge d’espace comme indiqué
opposés se superposaient, donnant un courant résultant nul : l’un
est provoqué par la diffusion et l’autre par la présence du champ sur la figure 5, il est facile de déterminer le champ E et le
électrique. potentiel électrostatique V en utilisant le théorème de Gauss.
La zone comprenant des charges non compensées est dite de Considérons la figure 6 où le champ électrostatique, de part et
transition, de charge d’espace ou désertée. d’autre de la jonction, est perpendiculaire à la surface de cette
dernière que l’on prendra égale à l’unité. Soit E n et E p les champs
2.1.2.2 Étude quantitative respectivement dans la zone N et dans la zone P à la limite de la
jonction, on a :
2.1.2.2.1 Barrière de potentiel qN d x n
E n = ------------------
- (20)
La figure 3b représente les concentrations des porteurs en ε0 εr
fonction de l’abscisse x le long du dispositif, en tenant compte des
relations fondamentales (3) et (4) et de la diffusion des porteurs. Les qN a x p
– E p = – -------------------- (21)
limites de la zone désertée sont comprises entre – x n et + x p . ε0 εr
Les densités de courant Jn et Jp qui circulent dans la zone de charge avec ε0 permittivité du vide,
d’espace lorsque l’on ne considère que la seule dimension x sont :
εr permittivité relative du silicium.
dn (x ) Pour assurer la continuité du champ électrostatique, on doit
J n (x ) = q µ n n (x ) E (x ) + qD n ------------------ (15)
dx avoir :

dp (x ) qN d x n qN a x p
J p (x ) = q µ p p (x ) E (x ) – qD p ------------------- (16) E n = E p = -------------------
- = -------------------- (22)
dx ε0 εr ε0 εr
À l’équilibre ces courants sont rendus nuls par l’apparition d’une ce qui entraîne la neutralité électrique, c’est-à-dire :
barrière de potentiel :
n n0 Nd x n = N a xp (23)
Φ 0 = V th ln ---------- (17)
n p0

Dn
dans laquelle V th = --------
-
µn

On trouve de même :
p p0
Φ 0 = V th ln ------------ (18)
p n0

On peut aussi obtenir une autre expression du potentiel de contact

en utilisant l’équation (4) :
Figure 4 – Densité de charge réelle dans la zone de transition
n n0 p p0
Φ 0 = V th ln -----------------------
2
(19)
ni

2.1.2.2.2 Répartition spatiale de la charge

La figure 4 donne l’allure réelle de la charge dans la zone de
transition.

Figure 5 – Densité de charge idéalisée dans la zone de transition

Figure 6 – Champ électrostatique de part et d’autre de la jonction

Figure 3 – Jonction PN non polarisée

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La figure 7 permet de déterminer le potentiel dans chacune des

zones N et P. On a, dans la zone N, en appliquant le théorème de
Gauss :
d Vn qNd ( x n + x )
– ------------- = ----------------------------------
-
dx ε0 εr

puis, en intégrant dans la zone contrôlée par la barrière de poten-

tiel Φ0 , on trouve une tension à la jonction :
Vj = Vn (0) = Vp (0)
2 2
q ( Nd x n + N a x p )
et Φ 0 = ------------------------------------------------- (24)
2 ε0 εr Figure 7 – Champ électrostatique dans la région N

En tenant compte de la relation (23) :

2 ε0 εr
xn + xp = ----------------
q  1
Nd Na
1
--------- + --------- Φ 0 (25)

Les figures 8a et b représentent respectivement le champ et la

tension d’une jonction abrupte.
Exemple : une jonction PN d’un cristal de silicium présente pour la
région N une concentration homogène de N d = 1019 atomes/cm3 et une
concentration homogène pour la zone P de N a = 1017 atomes/cm3. On
suppose tous les atomes constituant les impuretés ionisés. On en
déduit :
— la barrière de potentiel :

10 36
Φ 0 = 25,9 ln ------------------------------------------------------------
- ≈ 0,935 V Figure 8 – Distribution du champ (a ) et du potentiel (b )
1,45 ⋅ 10 10 ⋅ 1,45 ⋅ 10 10
le long de la jonction à l’équilibre
— la largeur de la zone de transition (25) :

10 –14 2.1.3 Jonction polarisée en direct

d ≈ 2 ⋅ 11,7 ⋅ 8,8 ⋅ ---------------------------------------------
- ⋅ 0,935
1,6 ⋅ 10 –19 ⋅ 10 17
2.1.3.1 Étude qualitative
≈ 11 ⋅ 10 –6 cm = 0,11 µm
Quand on applique une tension telle qu’elle s’oppose à la barrière
— le champ maximal : de potentiel de la zone de transition (la zone P est positive par rapport

à la zone N), comme l’indique la figure 9a, le champ E se réduit

0,935
- = 8,5 ⋅ 10 4 V/cm
E max = ------------------------- et les courants de diffusion de trous et d’électrons vont l’emporter
11 ⋅ 10 – 6 sur les courants de conduction. L’équilibre est rompu. Les concentra-
— les courants résultants. tions aux bords de la zone de transition vont s’élever au-dessus de
leur valeur à l’équilibre afin de s’opposer aux courants de conduction
Le courant de diffusion équilibrant le courant de conduction (figure 9b). Le tout est accompagné d’une diminution de l’épaisseur
dans la zone de transition, il est intéressant de connaître leur de la zone de transition.
valeur ou plutôt leur ordre de grandeur. On peut calculer facile-
ment le courant de diffusion en déterminant son gradient de façon 2.1.3.2 Étude quantitative
approximative. En effet, on peut considérer ce dernier comme le
2.1.3.2.1 Concentration des porteurs
rapport suivant :
aux limites de la zone de transition
nn0 /(xn + xp) Compte tenu des valeurs des courants de diffusion et de conduc-
d’où la densité de courant : tion, on peut négliger devant ces derniers les courants traversant
la jonction ; on peut donc admettre que :
n n0 10 17
J n = qD n -------------------- = 1,6 ⋅ 10 –19 ⋅ 0,026 ⋅ 1 360 ⋅ ------------------------
- d n p (x )
xn + xp 11 ⋅ 10 –6 µ n n p (x ) E (x ) = – D n -----------------------
dx
≈ 5 ⋅ 10 4 A/cm 2 d p n (x )
µ p p n (x ) E (x ) = D p -----------------------
dx
Ce résultat est très important. Il montre, en effet, que les
courants qui traversent la jonction lorsqu’elle est polarisée en Soit V > 0 la tension appliquée à la jonction, le plus étant relié à
direct sont de loin beaucoup plus faibles, de l’ordre de 1 A/cm2. la zone P et le moins à la zone N (figure 9a ). La barrière de potentiel
de la jonction est donc réduite et devient Φ 0 – V. Reprenons les
équations (17) et (18) et remplaçons Φ 0 par Φ0 – V. Il vient :

n n0
Φ 0 – V = V th ln -------------------- (26)
np ( xp )

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En régime stationnaire, la diminution de concentration, due à la

recombinaison, par unité de longueur, si l’on considère l’hypothèse
la plus simple, est proportionnelle à l’écart de concentration par
rapport à l’équilibre, soit :
d n p (x )
– --------------------- = λ [ n p (x ) – n p0 ] (31)
dx
λ étant homogène à l’inverse d’une longueur, on posera λ = 1/Ln
d’où :
d n p (x ) n p (x ) – n p0
– --------------------- = ---------------------------------
dx Ln

Ln étant la longueur de diffusion des électrons.

L’intégration de cette équation différentielle est immédiate. En
tenant compte des conditions aux limites suivantes :
np (– ∞) = np0 (32)

V
n p ( x p ) = n p0 exp ----------
V th  
la solution est :

   
V xp – x
n p (x ) – n p0 = n p0 exp ---------- – 1 exp ----------------- (33)
V th Ln

En considérant les trous, de la région N+, de la même façon, on

obtient :
Figure 9 – Jonction PN polarisée en direct
x n +x
V
 
p n (x ) – p n0 = p n0 exp ---------- – 1 exp ----------------
V th Lp   (34)
où np (xp ) est la nouvelle valeur de la concentration, au bord de la
zone de transition, des porteurs minoritaires qui n’est plus celle à Lp étant la longueur de diffusion des trous.
l’équilibre np0 . Son calcul donne : La figure 9 donne l’allure des courbes des concentrations des
porteurs minoritaires perpendiculairement à la jonction.
– Φ0 + V Φ0

n p ( x p ) = n n0 exp -------------------------
V th =n n0  
exp – ---------
V th   (27)
V
exp ---------
V th
Remarque : pour assurer la neutralité électrique, les
mais, à partir de la relation (17), on déduit : concentrations des porteurs majoritaires vont s’accroître exacte-
ment des mêmes valeurs que celles des porteurs minoritaires
Φ0
 
n n0 = n p0 exp ----------
V th
(28)
correspondants, comme indiqué sur la figure 9.

En remplaçant cette valeur dans (27), on trouve : 2.1.3.2.3 Densité de courant totale traversant la jonction
Les densités de courant des trous et des électrons sont données,
V
 
n p ( x p ) = n p0 exp ---------
V th
(29)
respectivement, par les expressions suivantes :
d p n (x )
J p (x ) = – qD p ---------------------
De même pour les trous : dx
d n p (x )
V
p n ( – x n ) = p n0 exp ---------
V th   (30) J n (x ) = qD n ---------------------
dx
La densité de courant totale à travers la jonction est :
2.1.3.2.2 Concentration des porteurs de charge J = J p (– x n) + Jn (x p)
dans les zones N et P
Considérons, par exemple, la zone P et intéressons-nous aux por- Soit S la surface de la jonction, d’après (33) et (34), on a l’intensité
teurs minoritaires, les électrons. Ils sont injectés de façon continue de courant :
en xp (figure 9b ) avec une concentration, en excès par rapport à
qD p p n0 qD n n p0
   
l’équilibre, de : V
I = – S ----------------------
- + ----------------------- exp ---------- – 1 (35)
Lp Ln V th
∆np (x p ) = n p0 [exp (V/V th ) – 1]
Les électrons étant plus nombreux à la limite de la zone de tran- C’est l’équation de la caractéristique idéale de la diode. Le signe
sition vont se déplacer latéralement, vers les x croissants, où leur moins est dû au fait que le courant circule de la zone P vers la zone
concentration est plus faible. En outre la recombinaison par des trous N, alors que nous avons choisi le sens inverse sur l’axe des x.
va l’emporter sur la génération et plus on s’éloignera du bord de
la zone de transition plus leur concentration sera proche de celle de
l’équilibre.

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L’expression suivante :

qD p p n0 qD n n p0

I s = S ---------------------- + ----------------------
Lp Ln  (36)

est appelée courant de saturation.

2.1.3.2.4 Répartition de la densité de courant

d’électrons et trous
Les densités de courant étant proportionnelles aux gradients de
concentration, on peut donc déterminer ces densités à partir des
courbes données sur la figure 9. Elles sont représentées sur la
figure 10. On remarque que la densité de courant d’électrons mino- Figure 10 – Densités de courant en électrons et trous
ritaires dans la région P est due à des électrons qui diffusent du bord
de la zone de charge d’espace (x = xp ) où ils sont en excès, par rap-
port à l’équilibre. Cet excès est dû à des électrons majoritaires de
la région N, qui peuvent surmonter la barrière de potentiel Φ0 – V
et se déverser dans la région P où ils deviennent minoritaires.

2.1.4 Jonction polarisée en inverse

2.1.4.1 Étude qualitative

Quand on applique une tension telle qu’elle s’ajoute à la barrière

de potentiel de la zone de transition, le champ E augmente et les
courants de conductin de trous et d’électrons vont l’emporter sur
les courants de diffusion. Les concentrations au bord de la zone de
transition ne sont plus les mêmes que celles à l’équilibre. Pour que
les courants de diffusion puissent s’opposer aux courants de
conduction, il faut que le gradient qui leur donne naissance ait l’orien-
tation indiquée sur la figure 11. Cela implique une diminution de
la concentration par rapport à l’équilibre. Le tout se traduit par un
élargissement de la zone de transition.

2.1.4.2 Étude quantitative

2.1.4.2.1 Concentration des porteurs aux limites
de la zone de transition
La jonction en inverse correspond à V < 0 et toutes les formules
établies pour la tension en direct restent valables. La barrière de
potentiel de la jonction sera donc augmentée et deviendra Φ0 – V.

2.1.4.2.2 Concentration des porteurs de charge

dans les zones N et P
Figure 11 – Jonction PN polarisée en inverse
On détermine cette concentration à partir des équations (33)
et (34).
La figure 11 donne l’allure des courbes de concentration des En assimilant la zone de charge d’espace à un condensateur plan
porteurs minoritaires et majoritaires (neutralité électrique), perpen- dont les armatures sont séparées d’une distance x n + x p , sa capacité
diculairement à la jonction. est :
L’expression du courant traversant la jonction devient :
S ε 0 εr S ε 0 εr
C j = -------------------- = ---------------------------------------------------------------------------------------------------
-
    2 ε 0 ε r /q [ ( 1/N d ) + ( 1/N a ) ] ( Φ 0 – V )
qD p p n0 qD n n p0 V xn + xp
I = S ---------------------- + ------------------------ exp ---------- – 1
Lp Ln V th
q ε 0 εr Na Nd 1/2

 
1
C j = S ----------------- ----------------------- ------------------------------
- (38)
Pour calculer la capacité de transition on reprend l’équation (25), 2 Na + Nd ( Φ 0 – V ) 1/ 2
et l’on remplace Φ 0 par Φ 0 – V ; il vient :
expression que l’on peut écrire de façon plus concise en posant :
2 ε 0 εr 1
 
1
xn + xp = - ------- + ------- ( Φ 0 – V )
--------------- (37) q ε 0 εr Na Nd
 
1/2
q Nd Na C j0 = S ---------------------------------------
2 Φ0 ( Na + Nd )
C j0
ce qui donne C j = ---------------------------------------- (39)
[ 1 – ( V/ Φ 0 ) ] 1/2

La figure 12 illustre les variations de la capacité avec la tension.

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Sur la figure 13 nous avons représenté la distribution du poten- 2.2.3 Schéma équivalent d’une diode à jonction
tiel et le champ électrique d’une jonction PN polarisée en inverse.
La surface délimitée par le champ électrique est égale au poten- Un tel schéma est donné sur la figure 14. On note l’association
tiel. On a donc : en parallèle de la capacité de jonction C j avec la capacité de diffusion
1 C D et la présence d’une résistance en série rs .
----- E 0 ( x n + x p ) = Φ 0 – V (40)
2
En éliminant xn + xp entre les équations (37) et (40), on trouve
l’expression du champ maximal :
2.3 Structure des diodes
2qN a N d 2.3.1 Contacts
E0 = --------------------------------------
- Φ0 – V (41)
ε0 εr ( Na + Nd )
Les contacts ne doivent pas être redresseurs. Pour cela, là où ils
sont placés, les concentrations en porteurs minoritaires doivent
être égales à celles de l’équilibre.
2.2 Caractéristique dynamique
2.2.1 Généralités
Nous avons vu que l’application d’une tension directe entraînait
une augmentation de la concentration en porteurs minoritaires, et
de celle en porteurs majoritaires, dans les zones neutres, de part et
d’autre de la zone de transition.
En ce qui concerne la zone P, cette distribution correspond à une
charge donnée par l’expression :

Qn = q S  xp
∞
[ n p ( x ) – n p0 ] dx (42)

ce qui donne, en tenant compte de (33) et en intégrant :

 
V
Q n = qSn p0 exp ---------- – 1 L n (43)
V th
Figure 12 – Capacité en fonction de la tension pour une jonction PN
En divisant l’équation (43) par (35) membre à membre et en sup-
posant p n0 n n0 , on trouve :
2
Qn Ln
- = --------
------- - (44)
I Dn

Qn
Or I = --------
- (45)
τn
2
d’où L n = Dn τn

Cela révèle qu’en régime permanent le courant |I| fournit, à la

zone neutre P, exactement le nombre d’électrons qui disparaissent
par recombinaison.
En régime dynamique, on devra ajouter le terme dépendant du
temps, donc :
Q n dQ n Figure 13 – Distribution du champ (a) et du potentiel (b)
i ( t ) = --------
- + -------------- (46)
τn dt le long de la jonction polarisée en inverse

2.2.2 Capacité de diffusion

À partir des équations (35) et (45) et de l’expression de la capacité

C = dQ/dV, on déduit la capacité de diffusion :

τn
   
qD p p n0 qD n n p0 V
C D = --------- S ---------------------- + ---------------------- exp ----------
V th Lp Ln V th

et en négligeant 1 devant exp (V/V th ), on a :

I
C D = τ n ----------
V th

qui est l’expression de la capacité de diffusion. Figure 14 – Symbole (a) et schéma équivalent (b) de la diode

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On obtient des contacts ohmiques en augmentant la vitesse de Reprenons l’expression du champ électrique (41) :
recombinaison à l’interface silicium-contact. En effet, par suite de
la grande vitesse de recombinaison, les porteurs, en excès par 2qN a N d
E0 = --------------------------------------- Φ0 – V
rapport à l’équilibre, ne peuvent pas y séjourner. ε0 ε r ( Na + Nd )
Pratiquement on dépose le contact sur une zone fortement dopée.
On voit qu’en augmentant la tension on augmente aussi le champ
Suivant la distance W qui sépare le contact ohmique de la jonction,
électrique et cela d’autant plus que la zone P de la diode est dopée.
nous avons affaire à deux types de diodes : celles dites épaisses
En considérant de nouveau les données dans l’exemple du para-
W  L n et celles dites minces W  L n (figure 15). graphe 2.1.2.2.2 et une tension de 8 V, on trouve avec la formule
précédente un champ de 1,6 · 106 V/cm.
On admet que, lorsque l’on dépasse 106 V/cm, on brise des liaisons
2.3.2 Diodes épaisses de covalence du silicium, libérant ainsi des paires électron-trou, ce
qui se traduit par une augmentation du courant. Ce type de claquage
Ce sont celles que nous avons étudiées. Par conséquent toutes est dit Zener.
les relations établies sont valables.
Un autre mécanisme intervient lorsque le dopage de la zone P est
plus faible : en traversant la zone de transition, lorsque le champ
2.3.3 Diodes minces est suffisamment élevé, les porteurs libres acquièrent des vitesses
telles qu’ils provoquent la rupture de liaisons en créant des paires
électron-trou. Ces paires vont à leur tour en créer d’autres avec
Dans ce cas, W  L n et le courant est donné par, en supposant l’apparition d’un phénomène d’avalanche.
p n0  n p0 : Il y a multiplication M du nombre de porteurs et l’on a :

 
qSD n n p0 V 1
I D = -------------------------- exp ---------- – 1 (47) M = -----------------------------
- avec 2<n<6 (49)
W V th 1 – V/V a n

La charge stockée Q n est calculée à partir de la surface du

triangle ayant pour base W et pour hauteur q [n p (x p ) – n p0].
Qn W2
2.5 Familles de diodes. Applications
On en déduit τ T = -------
- = ------------ (48)
iF 2D n
2.5.1 Diodes pour signaux de faible puissance
On voit que dans le cas d’une diode courte le temps de stockage
est beaucoup plus faible. ■ Caractéristiques électriques :
— courant direct : 75 à 500 mA ;
— tension de claquage inverse : 10 à 300 V ;
2.3.4 Diodes obtenues par double diffusion — temps de recouvrement : 2 à 2 000 ns.
■ Applications :
Afin de combiner une tension de claquage élevée avec un courant
direct élevé, on réalise des diodes à partir d’un substrat de silicium — commutation rapide ;
faiblement dopé, soit P –, soit N –, que l’on appelle base, et l’on diffuse — détecteurs de rapport ;
de part et d’autre une couche N –, ce qui donne les deux types de — commutation des bandes en radio et télévision...
structures suivantes : N+ N – N+, N+ P – N+.
La base, peu dopée, permet d’obtenir une tension de claquage
2.5.2 Diodes de redressement (N+ N – N+, N+ P – N+)
très élevée et les zones fortement dopées assurent un fort courant
en direct.
■ Caractéristiques électriques :
— courant : 1 à 10 A ;
— tension : 1 000 à 3 000 V ;
2.4 Tension de claquage — temps de recouvrement : de l’ordre de 20 µs.

Lorsque l’on polarise une diode au silicium en inverse, le courant ■ Applications :

est pratiquement nul jusqu’à une certaine tension, dite de claquage, — balayage horizontal en télévision.
à partir de laquelle le courant augmente brutalement. Si l’on reprend
les données de l’exemple du paragraphe 2.1.2.2.2, le claquage va se
situer autour de 8 V et il sera du type Zener, c’est-à-dire très brutal. 2.5.3 Diodes de redressement et usages divers
■ Caractéristiques électriques :
— tension : 50 à 1 000 V ;
— courant : de l’ordre de 10 A.

2.5.4 Diodes pour régulation de tension (figure 16)

■ Caractéristiques électriques :
— tension de régulation : 7,5 à 270 V ;
— puissance : 2 à 3,5 W.
■ Applications :
— régulateurs de tension ;
Figure 15 – Concentration des porteurs le long de la jonction — suppression des transitoires.
et aux bords des contacts

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2.5.5 Diodes stabistor 3. Transistors

■ Caractéristiques électriques :
— tension directe à 1 mA : 0,55 à 1,75 V ;
3.1 Étude élémentaire
— courant direct : 0,2 à 2 A ;
— tension inverse : 5 à 40 V. 3.1.1 Structures
■ Applications : On obtient un transistor de type NPN en réunissant les anodes
— régulation faible tension ; de deux diodes à jonction pourvu que la zone de type P commune
— polarisation étages de sortie classe B. aux deux anodes soit très mince ( W  L n ) (figure 18a ). En inversant
les connexions des deux diodes on obtient un transistor PNP
(figure 19).
2.5.6 Diodes varicap (figure 17)
3.1.2 Effet transistor
■ Caractéristiques électriques : Polarisons le transistor suivant le schéma décrit sur la figure 20.
— tension : 12 à 32 V ; On dit alors qu’il fonctionne dans la zone normale ou linéaire : la
— courant : 10 à 200 mA ; diode base-émetteur est passante, la diode base-collecteur est
— capacité variable : 8 à 600 pF. bloquante. Associons le diagramme des concentrations des porteurs
minoritaires de chacune des jonctions (figure 21).
■ Applications :
On observe dans chaque région la présence d’un gradient de
Elles remplacent avantageusement les condensateurs à air en concentration. Celui relatif à la base crée un courant de diffusion
radio (FM, AM) et en télévision (VHF, UHF). d’électrons, fournis par l’émetteur. Si l’épaisseur de la base est suf-
fisamment faible devant la longueur de diffusion des électrons
( W B  L n ) , la majorité de ces électrons atteignent la zone de
2.5.7 Diodes de puissance transition du collecteur où la présence d’un champ électrostatique
élevé va les accélérer puis les transporter dans la zone neutre N du
■ Caractéristiques électriques : collecteur, contrairement à toute attente, puisque leur destination
— tension : 50 à 3 200 V ; semblait plutôt la base, par suite de la forte résistance présentée par
— courant : 5 à 800 A. la jonction collecteur. Seuls les trous qui se sont recombinés avec
les électrons et les trous injectés dans l’émetteur constituent le cou-
■ Applications : rant de base. Finalement le collecteur (forte résistance) absorbe la
— alimentation à découpage ; presque totalité du courant émis par l’émetteur, la base (faible résis-
— redresseurs de puissance ; tance) se contentant d’un courant de 100 à 1 000 fois plus faible :
— convertisseurs ; c’est l’effet transistor.
— régulateurs de tension.

Figure 18 – Transistor NPN

Figure 16 – Diode Zener

Figure 19 – Transistor PNP : symbole

Figure 17 – Schéma d’application d’une diode varicap

Figure 20 – Transistor polarisé en régime normal

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Figure 21 – Diagramme des concentrations des porteurs minoritaires Figure 22 – Composantes des courants dans le transistor
en régime normal

Cela se traduit par :

3.1.3 Courants dans le transistor InrB = 0
en fonctionnement normal n p0 exp (V/Vth) < p p0

Nous avons représenté sur la figure 22 les différentes compo- I nE

et par α F = γ F = ----------------------
-
santes des courants. I nE + I pE
Nous y identifions les composantes suivantes :
Ainsi, lorsque l’on néglige la recombinaison des électrons dans
• InE courant d’électrons injecté par l’émetteur dans la base ; la base, le gain en courant et l’efficacité d’injection se confondent.
• IpE courant de trous injecté par la base dans l’émetteur ;
• I1nC courant d’électrons dans le collecteur dû à l’effet transistor ;
• I2nC courant d’électrons relatif à la diode base-collecteur ; 3.2.2 Modes de fonctionnement
• IpC courant de trous relatif à la diode base-collecteur ;
• InrB courant dû à la recombinaison de paires électron-trou
dans la base. Nous allons considérer quatre modes de fonctionnement :
1) normal : diode émetteur-base passante, diode base-collecteur
bloquante ;
3.1.4 Gain en courant (  F ) 2) saturé : diode émetteur-base passante, diode base-collecteur
passante ;
On a, d’après la figure 22 : 3) saturé direct : diode base-émetteur passante, diode base-
collecteur à un potentiel nul ;
IC = I1nC + I2nC + IpC (50) 4) saturé inverse : diode émetteur-base à un potentiel nul, diode
base-collecteur passante.
– IE = InE + IpE (51)
Le cas 2 résulte de la superposition de 3 et de 4.
I 1nC
En posant α F = ----------------------
-
I nE + I pE
3.2.3 Diagramme des concentrations
et ICB0 = I2nC + IpC
le courant dans le collecteur s’exprime par : Le cas 1 est illustré par la figure 21. Les trois autres sont repré-
sentés sur les figures 23a, b, c et correspondent aux cas 2, 3 et 4
IC = – αF IE + ICB0 (52) dans cet ordre.
Or I1nC = InE – InrB Dans le cas 2, la jonction base-émetteur est polarisée en direct
par une tension dénommée V BE > 0. La jonction collecteur-base est
I nE – I nrB polarisée en direct par une tension dénommée VBC > 0. Les deux
donc α F = ------------------------ autres cas correspondent respectivement à VBE > 0 ; V BC = 0 et
I nE + I pE
V BE = 0 ; V BC > 0.
On appelle efficacité d’injection de l’émetteur l’expression :
I nE 3.2.4 Expression des courants
γ F = ----------------------
-
I nE + I pE
Nous allons déterminer le courant émetteur relatif au cas 3.
Son expression est celui d’une diode idéale, on l’écrira donc :
3.2 Modèle idéal
 
V BE
I EF = – I ES exp ---------- – 1 (53)
3.2.1 Hypothèses V th

Elles sont les suivantes : où IES est une constante.

— pas de recombinaisons dans la base ; En ce qui concerne le cas 4, nous aurons de façon similaire :
— les concentrations dans la base, l’émetteur et le collecteur sont

 
uniformes ; V BC
— l’injection est faible. I CR = – I CS exp ----------- – 1 (54)
V th

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Figure 23 – Diagramme des concentrations

des porteurs des différents régimes

Le courant collecteur relatif au cas 2 est donc : où α R est le gain en courant inverse ou le rendement du collecteur
défini par :

   
V BE V BC I nC
I C = α F I ES exp ---------- – 1 – I CS exp ----------- – 1 (55) α R = -----------------------
- (57)
V th V th I nC + I pC

où α F est le gain en courant direct ou rendement de l’émetteur. En fonctionnement normal, c’est-à-dire pour V BC  0 , les équa-
tions précédentes deviennent :
Pour le courant émetteur :

 
V BE
    I C = α F I ES exp ---------- – 1 + I CS
V BE V BC (58)
I E = – I ES exp ---------- – 1 + α R I CS exp ----------- – 1 (56) V th
V th V th

 
V BE
I E = – I ES exp ---------- – 1 – α R I CS (59)
V th

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et quand on est à la limite de la saturation, c’est-à-dire lorsque 3.2.5 Relations fondamentales

VBC = 0, ces équations s’écrivent :
On revient au régime de fonctionnement normal avec VBE > 0 et

  V BC  0 . En multipliant (59) par α F et en l’additionnant à (58), puis

V BE
I C = α F I ES exp ---------- – 1 (60)
V th en calculant IC , il vient :
IC = – α F IE + ICS (1 – α F α R ) (75)

 
V BE
I E = – I ES exp ---------- – 1 (61) que l’on écrit habituellement sous la forme :
V th
IC = – α F IE + ICB0 (76)
Si l’on admet la relation dite de réciprocité : en posant ICB0 = ICS (1 – α F α R) (77)
α R ICS = α F IES = IS (62) Cette équation correspond au montage base commune. En émet-
En reportant cette relation dans les équations (54) et (55), on teur commun, on trouve, en éliminant I E entre les relations (69)
trouve les expressions suivantes, dites d’Ebers et Moll : et (76) :
αF I CB0
I C = ----------------- I B + ----------------
- (78)
1 – αF 1 – αF
   
V BE Is V BC
I C = I s exp ---------- – 1 – -------- exp ----------- – 1 (63)
V th αR V th
IC = β F IB + (1 + β F) ICB0 (79)
IC = β F IB + ICE0 (80)
   
Is V BE V BC
I E = – -------- exp ---------- – 1 + I s exp ----------- – 1 (64)
αF V th V th La dernière relation est obtenue en faisant :
(1 + β F)ICB0 = ICE0
Afin d’alléger les notations nous poserons :

 
V BE
I F = I s exp ---------- – 1 (65) 3.2.6 Schémas équivalents statiques forts signaux
V th
Sur la figure 24 nous avons groupé les trois schémas équivalents
que l’on peut déduire des équations (67) et (68) (Ebers et Moll) et
 
V BC
IR = I s exp ----------- – 1 (66) des équations (72), (73) et (74). Nous utiliserons dans la suite uni-
V th quement la figure 23c.
les équations d’Ebers et Moll s’écrivent alors :
IR
3.2.7 Efficacité d’injection de l’émetteur
I C = I F – -------- (67) et du collecteur
αR
Dans la figure 25a sont indiqués les courants relatifs à l’émetteur.
IF
-+I
I E = – ------ (68) À partir des diagrammes de concentration (figure 25b ) on déter-
αF R
mine les densités de courant, ce qui permet de calculer les
Calculons le courant de base IB , on a : efficacités d’injection en fonction des paramètres physiques des
jonctions :
IB + IE + IC = 0 (69)
2 B
( qn i D nB )/ ( N a W )
α F = ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
- (81)
   
1 1 2 B 2 E
I F 1 – -------- + I R 1 – -------- + I B = 0 (70) ( qn i D nB )/ ( N a W ) + ( qn i D pE )/ ( N d L pE )
αF αR
1
1 – αF 1 – αR α F = -------------------------------------------------------------------------------------- (82)
   
B E
I B = I F ---------------- + I R ------------------ (71) 1 + ( D pE /D nB ) ( W/L pE ) ( N a /N d )
αF αR
On obtient de la même façon :
En posant :
1 – αF 1
α 
----------------
1
------- = - α R = ----------------------------------------------------------------------------------------
B C
- (83)
βF F 1 + ( D pC /D nB ) ( W/L pC ) ( N a /N d )
1– α
1
------- =
βR ------------------
α R
R
-
 3.2.8 Schéma équivalent dynamique forts signaux
les équations (67), (68) et (71) s’écrivent : 3.2.8.1 Charges stockées
IR On peut associer, comme dans le cas de la diode, aux porteurs
IC = I F – I R – -------- (72)
βR en excès par rapport à l’équilibre, une charge appelée charge
stockée. On fera correspondre à cette charge un courant qui lui sera
IF proportionnel et dont le coefficient de proportionnalité est une
I E = – I F + I R – -------
- (73) constante de temps.
βF

IF IR
I B = -------
- + -------
- (74)
βF βR

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On divise la charge en deux parties : l’une relative au courant IF

[équation (65)] et l’autre au courant IR [équation (66)]. Ces deux cou-
rants correspondent, respectivement, aux conditions suivantes :
V BE > 0 ; VBC = 0
V BC > 0 ; VBE = 0
Dans toute cette section, on conserve les hypothèses données
dans le paragraphe 3.2.1.
Nous commençons par le premier cas, en représentant sur la
figure 26a les charges, dues aux porteurs minoritaires, associées au
courant IF . La totalité de cette charge, comprenant également celle
due au transit des porteurs dans les zones désertées, est :
Q DF = τ F IF (84)
où τ F est la constante de temps associée au courant IF .
Considérons le deuxième cas : une analyse similaire à la précé-
dente (figure 26b ) donne :
Q DR = τ R IR (85)

Figure 24 – Schémas équivalents statiques forts signaux

Figure 25 – Courants dans un transistor

Figure 26 – Charges stockées

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3.2.8.2 Capacités de diffusion dues aux charges stockées

Les charges Q DF et Q DR sont modélisées par deux capacités non
linéaires données par :
Q DF IF
- = τ F ----------
C DF = ----------- (86)
V BE V BE

Q DR IR
- = τ R ----------
C DR = ------------ (87)
V BC V BC

3.2.8.3 Capacités de transition dues à la charge d’espace

Elles sont données pour l’émetteur et le collecteur, à partir de
l’équation (39), respectivement par les formules suivantes :
C j0E
C TE = ------------------------------------------------
- (88)
[ 1 – ( V BE / Φ 0E ) ] mE

C j0C
C TC = -------------------------------------------------
- (89)
[ 1 – ( V BC / Φ 0C ) ] mC Figure 27 – Schéma équivalent forts signaux

3.2.8.4 Schéma équivalent forts signaux

On complète le schéma donné sur la figure 24c en ajoutant les
capacités de diffusion et de transition, comme indiqué sur la
figure 27.

3.2.8.5 Schéma équivalent petits signaux

On linéarise (figure 28) le schéma précédent en considérant, en
outre, que le transistor fonctionne en régime normal. On a, d’après
l’équation (74) :
I s [ exp ( V BE /V th ) – 1 ] I s [ exp ( V BC /V th ) – 1 ]
I B = ----------------------------------------------------------- + ------------------------------------------------------------ (90)
βF βR

dI B Is I g mF 1
- = --------------- exp ( V BE /V th )
------------- ≈ ---------------
V β
F
= ---------- = ------------ (91)
dV BE V th β F th F βF re β F

On pose : Figure 28 – Schéma équivalent petits signaux

rπ = β F re (92)
On remplace la diode en direct par la résistance suivante : D’où le schéma équivalent donné en figure 27.
26 Pour s’aligner sur les notations habituelles, on posera :
r π = β F -------- ( en ohms ) (93)
IF C DF + C TE = Cπ

I F étant exprimé en milliampères. C TC = Cµ

En ce qui concerne la diode base-collecteur, polarisée en inverse, D’après ce schéma, on a, en BF :
on ne peut pas utiliser le calcul précédent car :
βF
exp ( V BC /V th )  1 v i = i i r π = i i ------------- (96)
g mF
On retiendra, pour la résistance relative à la base-collecteur, celle
qu’elle présente en inverse, que l’on appellera r µ . iC
v i = ------------
- (97)
La capacité de diffusion relative à la connexion base-émetteur g mF
devient :
i C = g mF v i (98)
dQ DF dI F
- = τ F -------------- = τ F g mF
C DF = ---------------- (94) Cette dernière équation nous permet de compléter le schéma
dV BE dV BE
équivalent en fixant la valeur du courant du générateur.
et celle relative à la connexion base-collecteur :
C DR = τ R g mR (95) 3.2.8.6 Fréquences de coupure
■ Montage émetteur commun
Cette dernière, étant très faible, ne figurera pas sur le schéma
équivalent. La fréquence de coupure en émetteur commun c’est la fréquence
pour laquelle le gain en courant β F (ω ) décroît de 3 dB avec, en
En ce qui concerne les capacités de transition, elles sont main- dynamique, le collecteur relié à la masse (figure 28).
tenues toutes les deux.

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Pour son calcul, on ne tiendra pas compte de la résistance r µ et Pour la déterminer, on part des équations (55) et (56) puis, à
on négligera le courant traversant la capacité C µ . l’aide des relations (62) et (69), on trouve, en négligeant 1 devant
On a alors : exp(V BE /V th ) et exp(V BC /V th ) :

βF ( 0 ) ( 1/α R ) + ( I C /I B ) ( 1/ β R )
 
iC g mF r π
------ = β F (ω ) = ------------------------------------------------- = -------------------------------- (99) V CE sat = V th In --------------------------------------------------------------
1 – ( I C /I B ) ( 1/ β F )
(107)
ii 1 + rπ ( Cµ + Cπ ) j ω 1 + j (ω /ω β)

1 1 Pour IC = 0, on a :
f β = --------- --------------------------------------------------- (100)
2π β F ( 0 ) r e ( C µ + C π )

■ Montage base commune

αR
1
V CE sat = V th In ---------  =V th  1
In 1 + --------
βR  (108)

On a de façon analogue : Par exemple, pour β R = 5, on trouve :

iC g mF r e αF ( 0 ) VCE sat = 4,7 mV
- = α F (ω ) = ------------------------------------------------
------ = ------------------------------
- (101)
ie 1 + re ( Cµ + Cπ ) j ω 1 + j ( ω / ωα ) La figure 30 donne l’allure du réseau de caractéristiques au
voisinage de zéro.
1 1
f α = ------- ------------------------------- (102)
2π r e ( C µ + C π )

Pour la fréquence de transition f T on a : 3.3 Modèle comprenant les phénomènes

| β F (ω )| = 1 secondaires
On l’obtient à partir de (99), ce qui donne : 3.3.1 Effet Early
1 1 Lorsque le transistor fonctionne dans la zone normale, les
fT = ---------- -------------------------------- (103)
2π r e ( C µ + C π ) variations de la tension de la jonction base-collecteur provoquent
un élargissement ou un rétrécissement de la zone de charge
On constate qu’elle est identique à la fréquence de coupure en d’espace qui se traduit par une modulation de l’épaisseur de base
base commune. du transistor.
Il est intéressant de déterminer la constante de temps associée Cela entraîne :
à f T . On l’obtient, comme suit :
— une variation du courant de saturation Is ;
1 — une variation du gain en courant β F ;
τ T = --------- = r e ( C µ + C π ) (104) — une variation de la constante de temps τ F .
ωT
La tension VA , dite d’Early, que nous allons définir, permet de
= re (C DF + C TE + C TC ) (105) tenir compte de la modulation en question.
= τ F + re C TE + re C TC (106) Observons le réseau IC = f (VCE) donné sur la figure 31. Nous
constatons que les courbes à VBE constant convergent toutes,
Lorsque le courant I F augmente la somme r C TE + r C TC tend vers approximativement, en un point situé sur l’axe négatif des tensions,
zéro. La fréquence de transition est alors indépendante du courant alors qu’elles devraient être parallèles à ce dernier car, dans nos
et ne dépend que de τ F . La figure 29 illustre les variations de f T modèles précédents, les générateurs de courant sont parfaits, le
avec le courant I C . La partie horizontale de la courbe permet de déter- parallélisme ayant lieu à partir des points où VBC = 0. Ces courbes
miner τ F . La décroissance de f T à partir d’un certain courant est due sont représentées en tireté sur la figure 31. La tension d’Early VA
à l’effet Kirk (§ 3.3.6). est indiquée sur la figure. On supposera qu’elle est constante.

3.2.8.7 Tension de saturation

On appelle tension de saturation la tension émetteur-collecteur
lorsque V BC  0 .
On a V CE = V BE – V BC

Figure 30 – Réseau de caractéristiques au voisinage de VCE = 0

Figure 29 – Fréquence de transition en fonction du courant

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En considérant les deux triangles PQR et PTS indiqués sur la

figure, on peut écrire :

QR PQ IC ( 0 ) VA
- = --------------------------- ;
----------- = ---------- = ----------------------- ( V BC < 0, V A > 0 ) (109)
TS PT I C ( V BC ) V A – V BC

 
V BC
I C ( V BC ) = I C ( 0 ) 1 – ----------
- (110)
VA
V BE
Mais
V th  
I C ( 0 ) = I s exp ----------- – 1

V BC V
  exp  ----------
V 
BE
donc I C ( V BC ) = I s 1 – ----------
- - –1 (111)
VA th

ce qui nous permet d’écrire :

V BC
VA 
I s ( V BC ) = I s ( 0 ) 1 – ----------
-
 (112) Figure 31 – Caractéristiques IC = f (VCE ) pour VBE constant

Comme Is ∝ 1/W, on a :
W (0)
W ( V BC ) = ----------------------------------- (113)
( 1 – V BC /V A )

et comme d’autre part β F ∝ 1/W et τ F ∝ W 2, on aura :


V BC
β F ( V BC ) = β F ( 0 ) 1 – ----------
VA
-
 (114)

τB ( 0 ) V BC 2
τ F ( V BC ) = ------------------------------------------
[ 1 – ( V BC /V A ) ] 2 
- = τ B ( 0 ) 1 + ----------
VA
-
 (115)

avec – V BC  V A .
Les expressions des courants collecteur et de base s’écriront Figure 32 – Gain en fonction du courant pour VBC = 0
donc, à partir des équations (65), (66), (72) et (74) :
On y distingue :
    
V BC  

V BE V BC
I CT = I s ( 0 ) 1 – ----------
V A 
- exp ----------- – 1 – exp ----------- – 1  (116) — un courant de recombinaison en surface ;
V th V th  — un courant de recombinaison dans la zone de charge d’espace
de l’émetteur ;
Is ( 0 ) — un courant dû à des canaux de surface entre l’émetteur et la

  
 
V BE V BC
I CT = ----------------------------------  exp ----------- – 1 – exp ----------- – 1  (117) base.
1+ ( V BC /V A )  V th V th  Ces courants sont de la forme :

Is ( 0 ) Is ( 0 )
    
V BE V BC

V BE
I B = ---------------- exp ----------- – 1 + ----------------- exp ----------- – 1 (118) I B ( surface ) = I s ( surface ) exp -------------- – 1 (119)
βF ( 0 ) V th β R (0) V th 2V th

On remarque, dans l’équation (118), la disparition du terme en

[1 – (VBC /VA)]. Cela est dû au fait que I s et β F sont ∝ 1/W.
 
V BE
I B ( desEB ) = I s ( desEB ) exp -------------- – 1 (120)
2V th
3.3.2 Variation du gain avec le courant

 
Nous nous plaçons à V BC = 0. V BE
I B ( canaux ) = I s ( canaux ) exp ------------- – 1 (121)
La figure 32 illustre les variations de β F avec le courant. On y 4V th
distingue trois zones :
— la zone 1 relative aux faibles courants ; et en principe on devrait les ajouter au courant de base. En fait, on
— la zone 2 où le gain est constant ; modélise l’ensemble de ces trois courants en l’exprimant à l’aide
— la zone 3 où le gain décroît aux forts courants. d’un seul courant composite dont la formule est la suivante :

■ Zone 1 : la zone 1 est due à l’importance que prennent les

 
V BE
courants de recombinaison et les courants dus aux canaux vis-à-vis I B ( comp ) = C 2 I s ( 0 ) exp ---------------- – 1 (122)
des courants de diffusion. On ne peut plus les négliger devant ces n EV th
derniers.
avec 1  n E  4 .

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On se trouve donc en présence de deux coefficients supplé- 3.3.4.1 Résistance de collecteur r C

mentaires : C 2 et n E .
Cette résistance se manifeste dans la tension de saturation. Le
Bien que l’étude du gain en courant β F se fasse à V BC = 0, pour réseau de caractéristiques IC = f (VCE), dans la région de saturation,
compléter le modèle il faut tenir compte du fonctionnement en que l’on peut voir sur la figure 34, montre une diminution de la
inverse, donc, dans les conditions V BE = 0 et V BC > 0 on est, alors, pente due à cette résistance. Ces courbes sont représentées en trait
confronté avec trois courants similaires, d’où l’expression complète plein, celles en pointillé correspondent à l’absence de résistance.
du courant de base :
3.3.4.2 Résistance de base r B
Is ( 0 )
   
V BE V BE
I B ( comp ) = ---------------- exp ----------- – 1 + C 2 I s ( 0 ) exp --------------- – 1 C’est un paramètre très important et son effet se fait surtout
βF ( 0 ) V th n EV th
sentir dans le domaine petits signaux haute fréquence.
(123)
Is ( 0 )
   
V BC V BC
+ ----------------- exp ----------- – 1 + C 4 I s ( 0 ) exp ---------------- – 1 3.3.4.3 Résistance d’émetteur r E
β R (0) V th n C V th
Sa valeur est très faible. Son principal effet est de réduire la tension
appliquée à la jonction base-émetteur.
Deux autres coefficients viennent s’ajouter aux précédents : C 4
et n C . La figure 35 représente un modèle dynamique forts signaux qui
tient compte des effets secondaires. L’équation (126) est l’expression
■ Zone 2 : en ce qui concerne cette zone, les modèles préalab- du courant du générateur.
lement établis conviennent. Le courant collecteur et le courant de
base, à V BC = 0, sont donnés respectivement par les expressions
suivantes : 3.3.5 Tensions de claquage

 
V BE 3.3.5.1 Montage en base commune
I F = I s ( 0 ) exp ---------- – 1 (124)
V th
La tension maximale que l’on peut appliquer au transistor monté
en base commune correspond, en général, au passage en avalanche
Is ( 0 ) de la tension base-collecteur (émetteur en l’air) que l’on note V CB0 .
 
V BE
I B = ----------------- exp ----------- – 1 (125) Son étude a été faite dans le paragraphe 2.4.
β F (0) V th

■ Zone 3 : elle correspond aux courants élevés. On dit, alors, que l’on
est en présence d’une injection forte, ce qui se traduit, dans la base,
par une concentration importante de porteurs minoritaires dont la
concentration peut égaler ou même dépasser celle des porteurs
majoritaires. Comme la neutralité électrique doit être maintenue
dans la base, la concentration des porteurs majoritaires augmente de
la même quantité que celle des porteurs minoritaires. L’expérience
et la théorie montrent que le courant collecteur est alors
∝ exp(V BE /2V th).
La modélisation d’un tel effet se fait en remplaçant dans le modèle
à courant moyen l’équation (124) par la relation :

Is ( 0 )
 
V BE
I F ( 0 ) = --------------------------------------------------------- exp ----------- – 1
1 + θ exp ( V BE /2V th ) V th

où θ est un nouveau paramètre.

3.3.3 Schéma équivalent

Figure 33 – Schéma équivalent statique
Le circuit équivalent est représenté sur la figure 33. Il diffère de
prenant en compte les effets secondaires
celui de la figure 24c par la présence de deux diodes non idéales
en parallèle avec les diodes à caractéristique idéale et un nouveau
générateur de courant dont l’équation est donnée ci-après ; on a
inclus dans l’équation l’effet Early :
Is ( 0 ) [ exp ( V BE /V th ) – 1 ] – [ exp ( V BC /V th ) – 1 ]
I C ( V BC ) = -------------------------------- ----------------------------------------------------------------------------------------------------- (126)
1 + ( V BC /V A ) [ 1 + θ exp ( V BE /2V th ) ]

avec V BE > 0.

3.3.4 Résistances parasites

Ces résistances ont jusqu’ici été négligées. Elles n’affectent pas

l’analyse qui précède mais les résultats expérimentaux puisque les Figure 34 – Caractéristiques IC = f (VCE) avec mise en évidence
tensions appliquées aux jonctions sont obligatoirement plus faibles. de la résistance de collecteur

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3.3.5.2 Montage en émetteur commun 3.3.6 Effet Kirk

On mesure souvent la tension de claquage en reliant la base et
l’émetteur. Une telle tension est notée V CES . Elle est identique Le courant I C en traversant la zone de charge d’espace accroît ou
à V CB0 . fait décroître la densité de charge.
La tension de claquage qui intéresse particulièrement le concep- Les électrons qui circulent dans la zone de charge d’espace de la
teur est V CE0 (base en l’air). base vont augmenter la densité électronique de cette dernière d’où,
pour une tension base-collecteur donnée, un rétrécissement de cette
En régime d’avalanche, en base commune, l’équation du courant
zone et, par conséquent, un élargissement de la base.
est de la forme :
IC = – α F IE M (127) Dans la zone de charge d’espace, du côté collecteur, la densité élec-
tronique étant positive va être en partie compensée par la densité
avec M coefficient lié au phénomène d’avalanche : négative des électrons, circulant sous forme de courant. Pour équi-
librer la charge qui lui fait face, côté base, la zone d’espace du
1 1
- = -----------------------------------------------
M = ----------------------------- - avec 2<n<6 collecteur va donc s’élargir. Ainsi, l’ensemble de la zone désertée
1 – V/V B n 1 – ( V CE0 /V CB0 ) n subit une translation vers la droite se traduisant par une augmen-
tation de la zone neutre de la base et par une diminution de la zone
Or – IE = I C + I B neutre du collecteur. La figure 37 illustre le phénomène.
d’où, à partir de (127) et de l’équation précédente, on tire : L’effet Kirk ne se manifeste qu’aux forts courants. Il se traduit par
une diminution du gain en courant et de la fréquence de coupure
Mα F lorsque le courant IC atteint une certaine limite.
I C = ---------------------- I B (128)
1 – Mα F

Ce courant augmente sensiblement lorsque α F M → 1 plutôt que

quand M → ∞, comme dans le cas du montage base commune,
d’où :
αF
α F M = ----------------------------------------------
- = 1
1 – ( V CE0 /V CB0 ) n

et V CE0 = (1 – α F )1/n V CB0 (129)

V CB0
V CE0 = ----------------------------
- avec 2<n<6 (130)
( 1 + β F) 1/n

Le réseau de caractéristiques IC = f (V CE) se présente alors comme

celui donné en figure 36.

3.3.5.3 Tension de perçage

Le phénomène de perçage se manifeste lorsque la zone de charge
d’espace, relative à la jonction base-collecteur, pénètre dans la base
si profondément qu’elle atteint l’émetteur, avant que le claquage par
avalanche ne se produise. Le claquage apparaîtra avec celui de la Figure 36 – Illustration de la tension de claquage
base-émetteur. On démontre, si l’on appelle V P la tension de
perçage :
V CB0 = VP + V EB0 (131)

Figure 37 – Effet Kirk

Figure 35 – Schéma électrique forts signaux

prenant en compte les effets secondaires

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3.4 Modèle de Gummel-Poon 3.5 Effet de la température

C’est un modèle assez mathématique et assez peu intuitif. La température modifie n i , µ, D et si la température est très basse
Il traite simultanément les trois effets suivants : le coefficient d’ionisation aussi.
— la modulation de la base (effet Early) ; Une augmentation de la température conduit aux résultats
— la haute injection ; suivants :
— la constante de temps τ F en fonction du courant I C . — augmentation des courants de fuite due au courant de
La concentration de la base est quelconque. La figure 38 illustre saturation Is ;
le diagramme des concentrations en mode saturé. — diminution de la polarisation directe des jonctions à courant
constant due à l’augmentation de Is qui l’emporte sur celle de V th ;
Le transistor est toujours considéré comme unidimensionnel. — augmentation des charges stockées ;
■ Détermination du courant de saturation — augmentation des gains.
Rappelons que dans le cas d’une base uniforme nous avons
trouvé :
qS E D nB n i
2 3.6 Bruit
I s = ------------------------------
-
Na W
L’origine du bruit est due au caractère corpusculaire du courant.
Pour une base non uniforme, on serait très tenté de généraliser
l’expression précédente, en écrivant : Le bruit a pour effet de limiter le plus petit signal que l’on peut
amplifier.
2
qS E D nB n i
I s = ---------------------------------
 B
N a (x ) dx
3.6.1 Bruit de grenaille (shot noise )

Il est associé au flux d’électrons et il est toujours présent dans

où D nB est la constante de diffusion moyenne des électrons dans les diodes et les transistors.
la base.
Il est produit par le passage des électrons dans la zone de transi-
On peut retrouver ce résultat de façon rigoureuse après de tion. La traversée de cette zone découle d’un phénomène aléatoire
nombreux calculs. lié à l’énergie et à la direction des électrons situés au voisinage de
L’expression du courant s’écrira alors : la zone de transition.
La valeur de bruit est :
2 [ exp ( V BE /V th ) – 1 ] – [ exp ( V BC /V th ) – 1 ]
I CT = qn i S E ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------
- (132)

xC i 2 = 2qI∆f (134)
p (x )
-------------------- dx
x E D nB (x )
d’où une densité spectrale :

Ce courant correspond à celui du générateur de courant du i2

-------- = 2qI exprimé en A 2 /Hz (135)
modèle de la figure 33, c’est-à-dire : ∆f

qS E DnB n i 
2 dont la valeur pour un courant de 1 mA est de 1,8 · 10– 8 A/Hz.
V BE V BC 
 
I CT = I F – I R = -------------------------------  exp --------- – 1 – exp ---------- – 1  (133)  
 V th V th La distribution de l’amplitude est gaussienne et la densité de pro-
  babilité du courant de la diode a l’allure indiquée sur la figure 39.
N a ( x ) dx
B

3.6.2 Bruit thermique

Il est dû au mouvement aléatoire des électrons dans une résis-

tance sous l’effet de la température.
Il est proportionnel à la température et indépendant du courant
qui traverse la résistance.

Figure 39 – Courant direct d’une diode

Figure 38 – Diagramme des concentrations en mode saturé

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Il produit une tension dont la valeur quadratique moyenne est : 3.6.6 Sources de bruit du transistor
v2 = 4kTR∆f (136) Dans un transistor fonctionnant en régime normal et en petits
On peut aussi l’exprimer en courant : signaux, les porteurs minoritaires se déplacent, dans la base, par
diffusion et sous l’action d’un champ électrique, ce dernier pouvant
1 être très faible. Collectés et accélérés par le champ électrique qui
i 2 = 4kT ---- ∆f (137) règne dans la zone de charge d’espace du collecteur, ils constituent
R
un courant électrique qui consiste en une série d’impulsions aléa-
À la température ambiante on a : toires. Par conséquent, le courant collecteur I C présente un bruit du
type grenaille donné par l’équation (134). Il sera représenté, sur le
4kT = 1,617 · 10–20 J
2
On trouve ce type de bruit dans toutes les résistances. schéma équivalent, par un générateur i C , comme indiqué sur la
figure 41.
Le courant I B est dû à la recombinaison (nous ne la négligeons
3.6.3 Bruit de scintillation (flicker noise ) plus) dans la base elle-même et dans la zone de transition de
l’émetteur et à l’injection de courant dans ce dernier. On a là aussi
Ce bruit a pour origine les pièges, les défauts cristallins et affaire à du shot noise qui sera représenté par un générateur de
différentes contaminations situés dans la zone de transition de 2
l’émetteur. Ils libèrent ou absorbent des charges de façon aléatoire bruit i B placé entre l’émetteur et la base.
et à basse fréquence. La résistance de base r B présente un bruit thermique ainsi que
Le courant correspondant à ce bruit est de la forme : celle du collecteur r C . Le bruit présenté par cette dernière est négli-
geable. On remarquera que les résistances fictives r π et r e n’ont pas
In
i 2 = K 1 ------ ∆f avec 0,5 < n < 2 (138) de bruit. Le bruit de la résistance de base est représenté par un géné-
f
2
La constante K1 est très dépendante de la technologie. rateur de tension v B en série avec cette dernière dont la valeur
est donnée par l’équation (136).
L’expérience a montré que le bruit flicker noise et le bruit en
3.6.4 Bruit en créneau créneau peuvent être représentés par des générateurs de courant
(popcorn noise ou burst noise ) connectés entre la base et l’émetteur. Ces bruits seront inclus dans
2
le générateur i B .
L’origine de ce bruit est très mal connue. Sa fréquence est infé-
rieure au kilohertz. Les sources de bruit sont indépendantes. Elles sont au nombre
Il se manifeste par des variations brusques du courant dont la de trois. Elles ont pour valeur moyenne quadratique :
périodicité est aléatoire. Il est de la forme :
2
v B = 4kTr B ∆f (140)
Ip
i 2 = K 2 -------------------------2- ∆f (139)
1 + ( f/f c ) 2
i C = 2qI C ∆f (141)
où K2 est une constante fortement liée à la température, I est le
n p
courant, p est compris entre 0,5 et 2 et f c est une fréquence de 2 IB IB
coupure qui dépend de la technologie. La courbe de la figure 40 i = 2qI B ∆f + K 1 -------- ∆f + K 2 --------------------------2- ∆f (142)
B f 1 + ( f /f c )
illustre le bruit en créneau.
Sur la figure 42 nous avons tracé la courbe de la densité spec-
trale de bruit en fonction de la fréquence d’un transistor bipolaire.
3.6.5 Bruit d’avalanche Elle est donnée par l’équation :

Son origine est due au caractère aléatoire de la création de 2

ii K1 I B
n
IC
paires électron-trou sous l’effet du champ électrique et de l’énergie - = 2q I B + --------- ------- + -----------------------
-------- (143)
des porteurs. Il se manifeste surtout lorsque l’on utilise des diodes ∆f 2q f β (jω ) 2
Zener.

Figure 40 – Bruit en créneau

Figure 41 – Schéma équivalent petits signaux

comprenant les sources de bruit

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3.7 Modèle SPICE Par analogie avec la loi d’Ohm, on écrit une équation linéaire
reliant l’écart de température (différence de potentiel) à la puis-
sance dissipée (courant), de la forme :
SPICE est le logiciel de simulation le plus répandu. Il a été déve- T j – T a = R thja · P d (144)
loppé par l’université de Berkeley et a été repris par de nombreuses
universités et sociétés qui l’ont adapté à leurs besoins. Parmi ces avec Tj température de la jonction,
modifications figurent, en bonne place, celles des modèles des Ta température ambiante,
composants.
R thja résistance thermique jonction-ambiante,
■ Phénomènes pris en compte : Pdpuissance dissipée.
— transistor idéal (gain normal, gain inverse, charges stockées,
On décompose, généralement, la résistance thermique en trois
capacités de transition) ;
termes :
— effet Early émetteur et collecteur ;
R thja = R thjc + R thcs + R thsa (145)
— courant de base à bas niveau non idéal ;
— haut niveau d’injection (normal et inverse, influence sur le gain avec R thjc résistance thermique jonction-boîtier,
et les charges stockées) ;
— résistance de base (défocalisation et modulation de la R thcs résistance thermique boîtier-dissipateur,
résistivité) ; R thsa résistance thermique dissipateur-ambiante.
— résistances collecteur et émetteur fixes ;
Exemple
— capacité collecteur subdivisée aux deux extrémités de la résis-
tance de base ; Ordre de grandeur :
— déphasage dû au temps de transit ; • Rthjc = 0,5 à 3 oC/ W pour un transistor de puissance ;
— capacité collecteur-substrat ; • Rthjc = 100 à 500 oC/ W pour un transistor de faible puissance ;
— influence de la température sur de nombreux paramètres ; • Rthcs = 0,1 à 0,5 oC/ W ;
— bruit (shot noise, thermique, flicker noise ). • Rthsa = 0,5 à 0 oC/ W.
■ Phénomènes ignorés :
— tensions de claquage ;
— gain du PNP substrat. 3.9 Polarisation

Les paramètres du schéma équivalent petits signaux (figure 28)

3.8 Dissipation thermique ne sont constants que si le transistor reste dans un état électrique
déterminé, en particulier le courant émetteur ou collecteur devra
être fixé ainsi que la tension émetteur-collecteur.
La circulation d’un courant dans le semi-conducteur provoque un En général, on choisit, suivant l’application, un courant corres-
échauffement par effet Joule. À l’équilibre, la quantité de chaleur pondant au gain maximal ou au bruit minimal.
reçue est égale à celle dissipée à travers le boîtier dans l’air ambiant
et le semi-conducteur atteint alors une température d’équilibre. Cette Lorsqu’il s’agit de forts signaux, les états limites (bloqué ou saturé)
température ne devra pas dépasser une valeur limite T j max , sous sont aussi déterminés par le courant et la tension de polarisation.
peine de perturber les performances du dispositif, de réduire sa
fiabilité ou plus grave encore de le détruire. Cette température ne
3.9.1 Polarisation par courant de base
devra pas excéder 175 oC. En général, on la spécifie à 150 oC et par-
fois même à 125 oC. Plus elle est basse, meilleure est la fiabilité du Le schéma le plus simple est représenté par la figure 43.
dispositif en fonctionnement.
Les courants de base et de collecteur sont, respectivement,
donnés par les équations suivantes :
V CC – V BE
I B = --------------------------- (146)
RB

V CC – V BE
I C = β F -------------------------- (147)
RB

Figure 42 – Densité spectrale de bruit ramenée à l’entrée

en fonction de la fréquence

Figure 43 – Polarisation par courant de base

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La tension émetteur-collecteur a pour expression : 3.9.3 Polarisation par imposition

du courant émetteur
 
RC RC
V CE = V CC 1 – β F -------- + β F -------- V BE (148)
RB RB Le schéma de ce type de polarisation est donné en figure 45.
Le principal défaut d’une telle polarisation est sa dépendance En transformant ce schéma à l’aide du théorème de Thévenin,
avec le gain β F dont la dispersion et la dérive thermique sont très on obtient le circuit de la figure 46, à partir duquel on calcule
importantes. facilement le courant émetteur :
L’utilisation d’une telle polarisation est donc très limitée. Elle R2
présente l’avantage d’être très économique. V CC ------------------- – V BE
R1 + R2
I E = ------------------------------------------------------------------------------------ (151)
1 R2 R1 1
R E 1 + ----------------- -------------- ---------------------
3.9.2 Polarisation par courant de base βF + 1 RE R1 + R2
avec contre-réaction
En choisissant les résistances du pont de polarisation de la base
La figure 44 représente une telle polarisation. telles que :
Le calcul du courant collecteur donne : R1 R2
-  βF + 1
----------------------------------
RE ( R1 + R2 )
V CC – V BE 1
I C = --------------------------- ------------------------------ (149) on rend le courant émetteur indépendant du gain.
RC RB 1
1 + -------- ---------
RC βF Pour ne pas réduire le gain en tension, la résistance R E est
découplée par un condensateur chimique.
et celui de la tension émetteur-collecteur : Cette polarisation est la plus efficace des trois que nous avons
vues, mais elle est aussi la moins économique. C’est celle qui est
V CC V BE
V CE = -------------------------
- + ---------------------------
- (150) la plus employée.
RC 1 RB
1 + β F -------- 1 + ------- ---------
RB βF RC

Par rapport à la polarisation sans contre-réaction on observe une

moindre influence du gain β F .
Un très bon compromis est obtenu lorsque :
RC
β F -------- ≈1
RB

auquel cas :
V CC – V BE
I C = --------------------------
2 RC
V CC + V BE
et V CE = --------------------------
-
2

Figure 45 – Polarisation par imposition du courant émetteur

Figure 44 – Polarisation par courant de base avec contre-réaction

Figure 46 – Transformation du schéma de la figure 45

à l’aide du théorème de Thévenin

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3.10 Montages fondamentaux 3.10.2 Montage collecteur commun

(émetteur suiveur)
3.10.1 Montage émetteur commun
Le circuit et le schéma équivalent sont donnés sur la figure 50.
3.10.1.1 Schéma équivalent petits signaux BF On trouve, pour la résistance d’entrée, le gain en tension et la résis-
tance de sortie, successivement :
Le transistor fonctionne dans sa zone active avec V BE > 0,6 V et
VBC = 0. Le modèle d’Ebers-Moll (figure 24c ) se réduit alors à celui r i = R1 //R 2 // [ β F r e + ( β + 1) R E //R L] R (155)
représenté sur la figure 47. Sa linéarisation s’effectue en rempla-
R E //R L
çant la diode par une résistance donnée par l’équation (91) : A v = -------------------------------
r e + R E //R L
≈1 (156)
dI B IC
---------------
dV BE
- ≈ --------------
βF re R 1 //R 2
r o = α F r e + -----------------
- (157)
dV BE 1+β
---------------
dI B
- ≈ βF re
Ce type de montage est très utilisé comme étage tampon
(buffer ).
ce qui conduit au schéma équivalent donné en figure 48.
Une remarque s’impose : le modèle d’Ebers et Moll ne tient pas
compte de l’effet Early. Il est possible d’en tenir compte, tout
simplement, en mettant en parallèle avec le générateur de courant
une résistance telle que :
VA
r o = -------
-
IC

3.10.1.2 Montage classique

Il est représenté ainsi que son schéma équivalent sur la
figure 49.
Pour étudier ses performances, il faut commencer par calculer le
courant IC ≈ IE à l’aide de l’équation (151), ce qui permet de déter- Figure 47 – Schéma équivalent d’Ebers et Moll dans la zone active
miner r e = Vth /IC .
À partir du schéma équivalent, on trouve sans difficulté, succes-
sivement : la résistance d’entrée, le gain en tension et la résistance
de sortie :
r i = R1 //R2 // β F re (152)

R C // R L
A v = – --------------------- (153)
re

ro = RC //R L (154)
Figure 48 – Schéma équivalent petits signaux

Figure 49 – Étage d’amplificateur émetteur commun

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3.10.3 Montage base commune ■ Applications :

— préamplification basse fréquence (radio, télévision, haute
La figure 51 représente le circuit et le schéma équivalent. D’où fidélité) ;
l’on tire la résistance d’entrée, le gain en tension et la résistance de — amplification fréquence intermédiaire (radio, télévision) ;
sortie : — commutation ;
r i = R E // re (158) — balayage (télévision).
R C //R L
A v = α F ------------------- (159)
re 3.11.2 Puissance
r o = R C // R L (160) ■ Caractéristiques électriques :
— puissance : 5 à 125 W ;
— courant : 1 à 30 A ;
3.11 Familles de transistors. Applications — tension de claquage : 40 à 120 V ;
— fréquence de transition : 3 à 60 Mhz.
On peut classer les transistors en trois grandes familles : ■ Applications :
— petits signaux ; — étages de commande et de sortie (radio, télévision, haute
— puissance ; fidélité) ;
— hyperfréquences. — convertisseurs ;
— régulateurs ;
— commutation de puissance.
3.11.1 Petits signaux
■ Caractéristiques électriques : 3.11.3 Hyperfréquences
— puissance : 0,3 à 5 W ;
— courant : 0,1 à 1 A ; ■ Caractéristiques électriques :
— tension de claquage émetteur-collecteur : 20 à 400 V ; — puissance : 0,15 à 5 W ;
— fréquence de transition : 15 à 500 MHz. — courant : 6 à 500 mA ;
— tension de claquage émetteur-collecteur : 5 à 100 V ;
— fréquence de transition : 1 à 12 GH.

Figure 50 – Montage émetteur suiveur

Figure 51 – Étage amplificateur base commune

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■ Applications : 3.12.2 Alimentation stabilisée

— oscillateurs VHF/UHF ;
— amplificateurs large bande jusqu’à 12 GHz ; Le schéma de principe est représenté sur la figure 53. On
— amplificateurs d’antenne de 40 à 860 MHz ; remarque la présence d’un transistor et d’un diode Zener associés
— commande de moniteurs de haute résolution ; à un amplificateur opérationnel.
— oscilloscopes.

3.12.3 Alimentation à découpage

3.12 Applications combinées Le schéma bloc de principe est donné sur la figure 54. La présence
avec des circuits intégrés du transformateur est nécessaire pour isoler la sortie de l’entrée. Si
l’on supprime l’étage redresseur, le circuit peut être commandé par
De plus en plus rares sont les applications réalisées uniquement une batterie.
avec des diodes et des transistors discrets. Ces derniers sont en
général associés à des circuits intégrés.
On peut distinguer les applications où les circuits intégrés ne
peuvent pas assurer toutes les performances demandées et, par
conséquent, les composants discrets se révèlent indispensables. Il
s’agit la plupart du temps de fonctions de commande qui demandent
des puissances ou des tensions élevées.
Dans d’autres cas, les transistors et les diodes discrets servent à
étendre les possibilités du circuit intégré à une fonction pour laquelle
il n’avait pas forcément été conçu. Si les quantités sont importantes,
on pourra refaire le circuit intégré pour supprimer les composants
discrets. Si les quantités sont faibles, la production sera faite avec
ces derniers.
Enfin, lorsque l’on réalise des prototypes, on utilise toutes les
fonctions intégrées disponibles associées à des transistors discrets
et à des diodes.
On se limitera à donner un certain nombre d’exemples corres-
pondant aux différents domaines que nous venons d’évoquer. Figure 52 – Amplificateur basse fréquence

3.12.1 Amplificateur basse fréquence

Lorsque l’on veut obtenir des puissances dépassant les cinq watts
on utilise, généralement, en sortie, un étage push-pull. Un exemple
typique est donné en figure 52.
La partie préamplificatrice est obtenue avec un amplificateur opé-
rationnel. Les transistors, de sortie, complémentaires fonctionnent
sur une seule alternance avec un courant de polarisation très faible.
Pour assurer un bon recoupement des deux demi-alternances, il est
nécessaire de prépolariser les deux transistors en établissant une
différence de potentiel entre les bases des transistors à l’aide de deux
diodes au silicium.
Remarquons qu’il est possible, suivant la puissance demandée,
d’intégrer l’étage push-pull.

Figure 53 – Alimentation stabilisée

Figure 54 – Alimentation à découpage

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Le convertisseur continu peut être de trois types. Nous ne 3.12.4 Régulateur de tension automobile
décrirons que le type représenté sur la figure 55.
Dans ce type d’application, il est nécessaire d’utiliser un transistor Dans une telle application (figure 56), il est nécessaire d’utiliser
et une diode discrets. En effet, la présence du transformateur deux transistors de puissance associés en montage Darlington
demande au transistor une forte tension de claquage et, en outre, (figure 57). Ces transistors sont montés dans un boîtier unique
le transistor doit dissiper une puissance élevée. L’intégration comprenant trois connexions, on peut donc les considérer comme
complète d’un tel dispositif serait extrêmement coûteuse. Il faudrait un transistor unique discret. Comme dans l’exemple précédent, une
une technologie très spécifique, pour une production relativement telle fonction n’est pas totalement intégrable avec des semi-
réduite et, en plus, un boîtier de puissance comprenant de nom- conducteurs.
breuses connexions, non standard.

3.12.5 Conclusions

Nous avons pu voir, bien que de façon très limitée, le rôle que
jouent les diodes et transistors discrets autour des circuits intégrés.
Pendant encore bien longtemps ce rôle leur sera dévolu. Cependant,
pour des raisons économiques et de fiabilité, la tendance générale
est de pousser l’intégration au maximum, par conséquent, inexo-
rablement, la part de marché diodes et transistors ne peut que dimi-
nuer, dans les systèmes électroniques, par rapport à celle des circuits
intégrés.

Figure 55 – Convertisseur continu

Figure 56 – Régulateur de tension automobile

Figure 57 – Transistor Darlington

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Notations et Symboles Notations et Symboles

Symbole Définition Symbole Définition

Av Amplification en tension mE Coefficient lié à la capacité émetteur-base

CD Capacité de diffusion d’une jonction PN mC Coefficient lié à la capacité collecteur-base
C DF Capacité de diffusion directe de l’émetteur Na Concentration des atomes accepteurs
C DR Capacité de diffusion inverse de l’émetteur Nd Concentration des atomes donneurs
C EC Capacité de transition émetteur-collecteur n Coefficient relatif à la tension d’avalanche collecteur-
Cj Capacité de transition d’une jonction PN émetteur
C j0 nC Coefficient d’émission relatif au collecteur
Capacité de transition d’une jonction PN
non polarisée nE Coefficient d’émission relatif à l’émetteur
C TC Capacité de transition du collecteur ni Coefficient en électrons intrinsèque
C TE Capacité de transition de l’émetteur nn Concentration en électrons majoritaires
hors équilibre
Dn Coefficient de diffusion des électrons
n n0 Concentration en électrons majoritaires à l’équilibre
Dp Coefficient de diffusion des trous
np Concentration en électrons minoritaires
E Champ électrique hors équilibre
EG Largeur de bande interdite n p0 Concentration en électrons minoritaires à l’équilibre
fα Fréquence de coupure du gain en courant en base
commune Pd Puissance dissipée sur le transistor
fβ Fréquence de coupure du gain en courant pi Concentration en trous intrinsèque
en émetteur commun pn Concentration en trous minoritaires hors équilibre
fT Fréquence de transition
gm p n0 Concentration en trous minoritaires à l’équilibre
Transconductance
pp Concentration en trous majoritaires hors équilibre
IC Courant continu de collecteur p p0 Concentration en trous majoritaires à l’équilibre
ICB0 Courant de fuite collecteur-base
QD Charge stockée associée au courant traversant
ICE0 Courant de fuite collecteur-émetteur une jonction PN
ICR Constante liée au courant de saturation inverse Q DF Charge stockée associée au courant direct
IC Constante liée au courant de saturation directe base-émetteur
ID Courant direct d’une jonction PN QDR Charge stockée associée au courant inverse
IF Courant direct de l’émetteur (lorsque VBC = 0) base-collecteur
IR Courant direct du collecteur (lorsque VBE = 0) q Charge de l’électron (1,602 · 10 –19 C)
Is Courant de saturation RB Résistance du circuit de base
iB Courant de base RC Résistance du circuit collecteur
iC Courant de collecteur RE Résistance du circuit émetteur
iE Courant de l’émetteur RL Résistance de charge
ii Courant d’entrée R thcs Résistance thermique boîtier-dissipateur
io Courant de sortie R thja Résistance thermique jonction-ambiante
Jn Densité de courant due aux électrons R thjc Résistance thermique jonction-boîtier
Jp Densité de courant due aux trous R thsa Résistance thermique dissipateur-ambiante
K Constante rB Résistance de base
k Constante de Boltzmann (1,38 · 10 –23 J/K) rC Résistance collecteur
Ln Longueur de diffusion des électrons rE Résistance émetteur
Lp Longueur de diffusion des trous re Résistance de la diode base-émetteur
M ri Résistance d’entrée
Coefficient lié au phénomène d’avalanche
ro Résistance de sortie
m Coefficient lié à la capacité d’une jonction PN
rs Résistance série d’une jonction PN

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Notations et Symboles

Symbole Définition

S Surface de la jonction PN
SC Surface du collecteur
SE Surface de l’émetteur
Ta Température ambiante
Tj Température de la jonction
V Potentiel électrostatique
Va Tension d’avalanche
V BB , 
 Tensions d’alimentation
V CC ,V EE 
V BC Tension base-collecteur
V BE Tension base-émetteur
V CE Tension collecteur-émetteur
VD Tension directe d’une diode
Vs Tension de saturation
V th Tension thermique (25,9 mV à 27 oC)
v Vitesse des électrons
vi Tension d’entrée
vo Tension de sortie
W Épaisseur de la jonction PN
WB Épaisseur de la base du transistor
xn Épaisseur de la zone de charge d’espace de la région N
xp Épaisseur de la zone de charge d’espace de la région P
αF Gain en courant en base commune direct
αR Gain en courant en base commune inverse
βF Gain en courant en émetteur commun direct
βR Gain en courant en émetteur commun inverse
ε0 Permittivité du vide (8,8 · 10–12 F/m)
εr Permittivité relative du silicium (11,7)
µn Mobilité des électrons
µp Mobilité des trous
τn , τp Durée de vie des porteurs mobiles
τF Constante de temps relative à la charge stockée
en direct

τR Constante de temps relative à la charge stockée

en inverse
τT Constante de temps relative à la charge stockée
totale
Φ0 Barrière de potentiel aux bornes de la jonction
ωT Pulsation de transition

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 P
O
U
Diodes et transistors bipolaires R
discrets
E
N
par Jean ENCINAS
Docteur de l’Université de Caen (mention Sciences)
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for Integrated Circuits. John Wiley (1977).

P
Fabricants. Constructeurs. Distributeurs
Motorola semi-conducteurs Texas Instruments France
L
Philips composants
SGS Thomson Microelectronics
Thomson Composants Militaires et Spatiaux (TMS)
Thomson Composants Microondes (TCM) U
(0) (0)
S
SGS Thomson

SGS Thomson
Instruments

Instruments
Motorola

Motorola
Philips

Philips
Texas

Texas
TCM

TMS

TCM

Diodes silicium à jonction Transistors bipolaires silicium

Diodes petits signaux x x x Transistors amplificateurs et oscillateurs x x x

Diodes de redressement Transistors de commutation x x x
I0 < 5 A x x x Transistors haute tension x x x
12 - 1993

5 A < I 0 < 50 A x x x x Transistors de puissance

50 A < I 0 < 100 A x x I C < 30 A x x x x x
I 0 > 100 A x x I C > 30 A x x x x
Diodes de redressement rapides x x x x Transistors hyperfréquences x x x x
Diodes de redressement haute tension x x x Transistors doubles x x x
Doc. E 2 465

Diodes régulatrices de tension Transistors Darlington x x x x

P < 1,5 W x x x Microtransistors pour circuits hybrides x x x x
P > 1,5 W x x x
Diodes de tension de référence x x x
Diodes régulatrices de courant x x x
Diodes varicap x

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