Module : Technologie et fabrication des circuits intégrés
Chapitre 01 : Introduction à la microélectronique
I) Bref rappel et historique des circuits intégrés :
Depuis qu’il y’a eu l’invention du premier transistor le 23 décembre 1947 par les Américains John
Bardeen, William Shockley et Walter Brattain, chercheurs des Laboratoires Bell (Le terme transistor provient de
l’anglais transfer resistor -résistance de transfert), le monde de l’électronique a été bouleversé. Depuis il y’a eu une
série d’inventions telles que Le premier circuit intégré, constitué de deux transistors bipolaires, a été développé au
sein de la société Fairchild Semiconductor en 1958 par l'Américain Robert Noyce (dont le brevet sera déposé en
1959). La même année et de manière indépendante, un autre Américain, Jack Kilby, de Texas Instruments, réussit à
intégrer un transistor, trois résistances et une capacité sur un même substrat. Toutefois sa technique, beaucoup plus
complexe, ne sera jamais utilisée en production. Le premier circuit intégré CMOS sort simultanément des
laboratoires R.C.A. (Radio Corporation of America) et Fairchild en 1963, mais il faudra attendre 1968 pour qu'il
soit produit en masse. La technologie CMOS est aujourd'hui la plus largement utilisée pour la fabrication de
circuits intégrés.
En 1965, Gordon E. Moore, alors directeur de recherche chez Fairchild, a énoncé la loi qui porte son nom,
conjecturant que le nombre de composants électroniques dans un circuit intégré doublerait tous les ans (à cette
époque, le circuit intégré le plus complexe comportait 64 composants). Rectifiée, dix ans plus tard, la « loi de
Moore » a porté à deux ans le rythme de doublement du nombre de composants (la période est actuellement de dix-
huit mois). Cette règle exponentielle s'avère encore exacte plus de quarante ans après sa formulation. En 1966,
Robert Dennard d'I.B.M. a mis au point la cellule mémoire à transistor unique, dont le concept est encore utilisé
dans les mémoires dynamiques (DRAM ou dynamic random access memory).
- Circuit intégré « boitier DIP »- -Photo du premier transistor-
-Loi de Moore- -Salle blanche-
Les circuits intégrés se composent de deux familles : circuits intégrés analogiques et circuits intégrés numériques.
C’est cette dernière qui décrit le développement des circuits intégrés et son évolution ( comme par exemple
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l’échelle d’ intégration). L'échelle d'intégration (en anglais scale integration) définit le nombre de portes
logiques par boîtier :
Le développement ainsi que la production des circuits intégrés se fait essentiellement dans la salle blanche. On peut
définir cette dernière comme étant une pièce ou une série de pièces où la concentration particulaire est maîtrisée
afin de minimiser l'introduction, la génération, la rétention de particules à l'intérieur, généralement dans un but
spécifique industriel ou de recherche scientifique. Les paramètres tels que la température, l'humidité et la pression
relative sont également maintenus à un niveau précis. Les salles blanches sont utilisées dans les domaines sensibles
aux contaminations environnementales. La contamination peut être particulaire, microbiologique ou chimique. A ce
titre, les salles blanches doivent répondre aux normes ISO 14644 (contamination particulaire et chimique) et ISO
14698 (bio contamination). Elles sont classifiées selon la quantité et la taille des particules par volume d’air (en
m3), de la classe ISO 1 à la classe ISO 9. Une salle blanche qui se protège contre la contamination est dite salle
propre.
La technologie des circuits intégrés est une technologie très avancée, c’est pour cela qu’il y’a un nombre limité de
fabricants au monde, dont voici le classement des 15 plus grands fabricants avec quelque statistique
économiques :
Classement des 15 plus grands fabricants des semi-conducteurs et des circuits intégrés
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- Rappel sur les semi-conducteurs : métal, isolant, SC, silicium intrinsèque, Si dopé type N exemple avec
du phosphore colonne V, Si dopé type P comme Bore colonne III.)
Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel la
probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante.
En d'autres termes, la conductivité électrique d'un semi-conducteur est intermédiaire entre celle des métaux et celle
des isolants. Les métaux sont des bon conducteurs a car ils ont une très faible résistivité à température ambiante
contrairement aux isolants qui ont une grande résistivité .
Un semi-conducteur à l’état pur (Silicium, germanium,…etc.) est di un semi-conducteur intrinsèque. Mais il dot
être purifié (enlèvement des corps étrangers).
Exemple de quelques semi-conducteurs :
- Semi- conducteur intrinsèque-
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II) description schématique des étapes technologiques (cycle complet de fabrication d’un circuit intégré) :
On peut le comprendre à travers ce schéma :
