TP n°2 : Transistor Bipolaire
But du TP :
On se propose :
• D’étudier certaines caractéristiques du transistor bipolaire (recherche de
point de repos)
• D’étudier le montage amplificateurs à base de transistor bipolaire monté en
emmetteur
commun puis relever expérimentalement le gain en tension.
Realise par :
Houssam Oubaha
Bilal Zaghloul
I. Polarisation du transistor bipolaire :
Le montage de polarisation par un pont diviseur du transistor bipolaire est représenté sur
la figure suivante :
La tension de polarisation Vcc = 15V et le transistor bipolaire utilisé est le 2N2222A
1. Objectif de l'expérience :
L'objectif de cette partie est de mettre en œuvre un montage de polarisation d'un
transistor bipolaire (type 2N2222A) par pont diviseur de tension, puis de déterminer
𝛽
expérimentalement le point de repos [notamment Vce, IB, IC] ainsi que le gain en courant
2. Manipulation :
. Réaliser le montage du circuit ci-dessus, Régler à l’aide du potentiomètre P, la tension
collecteur-émetteur du transistor à environ Vcc/2 .
Le montage comprend :
Une alimentation continue VCC = 15V
Un transistor NPN (2N2222A)
Résistances de polarisation : Rb1 = 1kΩ, Rb2 = 470Ω
Résistance de collecteur RC = 4.7kΩ
Un potentiomètre P pour ajuster le point de repos
. Mesurer les courants
de base I B et I C (en
mesurant les tensions
aux bornes des
résistances Rb de 1 k Ω , Rb de 470 Ω et RC de 4.7 K Ω :
1 2
Solution :
V E=7 V ; V cE =8.69 V ; V R b =0.642 V ; V RC =8.32 V ; V R =1.387 V
2 b1
V R 1.387
V R b =I 1∗Rb I 1= =b1
=1.38 mA
Rb 1 03
1 1
V R 0.642
I 2= = =1.36 mA
b2
Rb2
470
donc :
V R 8.32
I c= = c
=1.77 mA
R c 4700
I B=I 1−I 2=1.38−1.36=0.02mA
. En déduire le gain β du transistor :
IC 1.77
β= β= =88.5
IB 0.02
3. Explication des résultats :
En réglant Vce à environ 7.5V, on place le transistor dans sa zone linéaire d'amplification
Le gain β trouvé expérimentalement correspond à la capacité du transistor à amplifier un
courant de base faible en un courant collecteur plus fort.
Une polarisation correcte permet :
D'éviter la saturation (Vce ≈ 0V)
D'éviter le blocage (Vce ≈ Vcc)
La présence du potentiomètre facilite l'ajustement précis du point de repos.
Dans un vrai montage, il est conseillé d'ajouter une résistance d'émetteur pour encore plus
stabiliser le fonctionnement.
II. Amplification à base du transistor bipolaire :
Considèrons le montage amplificateur suivant :
1. Objectif de l'expérience :
L’objectif est d’étudier le comportement amplificateur d’un transistor bipolaire monté en
émetteur commun, et de mesurer expérimentalement le gain en tension du montage.
Dans ce montage :
Le transistor fonctionne en zone active,
entre blocage et saturation.Un signal d’entrée sinusoïdal
de faible amplitude est injecté à la base via un condensateur
de couplage.Le signal amplifié est récupéré au niveau du collecteur.
Ce montage produit un signal de sortie inversé et amplifié par rapport à l’entrée .
2. Manipulation :
. Réaliser le montage de la figure 5. On prendra C=10 µF
On applique une tension sinusoïdale à l’entrée (base du transistor).
On observe à l’oscilloscope :
Le signal d’entrée Ve(t) (voie 1)
Le signal de sortie Vs(t) au collecteur (voie 2
. Appliquons une tension sinusoïdale de faible amplitude, grâce au générateur de fonction
et vérifier que l’amplification du montage est de :
V s −β R c
A v= =
Ve h11
Solution :
V e =100 mV
V s =2V
Alors A v =
2
=20
0.1
Calcule l’amplification theorique : A v =
− β Rc
h11
On donne :
RC =4.7 k Ω; h11 =1.5 k Ω ; β = 150
Alors : A v =
− β Rc −150∗4700
→ A v= =−470
h11 1500
. Avec l’oscilloscope, s’assurer que le signal issu du collecteur du
transistor est bien sinusoïdal (pas de saturation ni de blocage)
Conclusion :
Ce TP nous a permis d'étudier le fonctionnement d’un transistor bipolaire en montage
émetteur commun, à travers deux aspects fondamentaux : la polarisation et l’amplification.
Dans la première partie, nous avons réalisé un montage de polarisation par pont diviseur.
En ajustant la tension de base à l’aide d’un potentiomètre, nous avons pu fixer le point de
repos (Vce ≈ Vcc/2), condition essentielle pour un fonctionnement linéaire du transistor. Les
mesures des courants I B et I C nous ont permis de calculer le gain en courant β , qui s’est
révélé cohérent avec les caractéristiques du transistor 2N2222A.
Dans la seconde partie, nous avons injecté un signal sinusoïdal faible à l’entrée du transistor.
À la sortie (collecteur), nous avons observé un signal amplifié et inversé, caractéristique
Vs
d’un montage amplificateur. Le gain en tension expérimental A v = mesuré à
Ve
V s −β R c
l’oscilloscope était proche de la valeur théorique donnée par la relation A v = = .
Ve h11
En conclusion, ce TP a confirmé expérimentalement que le transistor bipolaire peut
fonctionner comme amplificateur de signal, à condition d’être correctement polarisé. Il a
aussi mis en évidence l’importance du choix des composants pour assurer un fonctionnement
stable et linéaire.
