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Correction TD PDF

Le document présente des calculs sur la résistivité de métaux (Cu, Ag, Au) et des alliages, ainsi que des concepts liés à la conduction électrique, la mobilité des électrons et les propriétés des matériaux. Il inclut des méthodes de calcul pour déterminer la résistivité, le nombre d'électrons de conduction, et des comparaisons entre valeurs théoriques et expérimentales. Enfin, il aborde des exemples pratiques d'alliages et de dopage dans le silicium.

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Le document présente des calculs sur la résistivité de métaux (Cu, Ag, Au) et des alliages, ainsi que des concepts liés à la conduction électrique, la mobilité des électrons et les propriétés des matériaux. Il inclut des méthodes de calcul pour déterminer la résistivité, le nombre d'électrons de conduction, et des comparaisons entre valeurs théoriques et expérimentales. Enfin, il aborde des exemples pratiques d'alliages et de dopage dans le silicium.

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TD 1

On souhaite déterminer la
résistivité des trois métaux Cu, Ag
et Au

On utilise des fils, de longueur l = 1 m


et de diamètre Φ = 50 µm
Sous un courant I = 1 A, on mesure
une DDP U =
8.785 V pour Cu
8.235 V pour Ag
11.566 V pour Au

Calculer la résistivité de ces trois métaux


U π d
2
S
ρ = R =
l I 4 l

ρCu = 1.725 10-8 Ω . m

ρAg = 1.617 10-8 Ω . m

ρAu = 2.271 10-8 Ω . m


TD (2)

1) Dans le cas du cuivre, calculer le nombre


théorique d’électrons de conduction par cm3

2 A l’aide de ce résultat et connaissant la


conductivité σ, calculer la mobilité µ des
électrons.
Cu

[Ar] 3d10 4s1


d = 8,93 g/cm3
M = 63,5 [Link]-1
σ= 5,9 105 Ω-[Link] -1
aa = 6.02 1023 mol-1
e = 1.6 10-19 C
n=?

Cu : [Ar] 3d10 4s1

Idée probable : 1 électron de conduction


par atome (à vérifier)
Volume molaire :
1 mole = aa atome
1 mole = (M / d) cm3
n = aa (d / M)
= aa (8,93/63,5) n = 8,5 1022 / cm3
µ = σ /e n n = at (d / M)

µ = 5,9 105 / (1,6 10-19 . 8,5 1022)

µ = 43,4 cm2.V-1.s -1
3) La mobilité mesurée expérimentalement
est µ = 32 cm2.V-1.s -1
Calculer le nombre effectif de porteurs de
charges par cm3.
4) Comparez la valeur obtenue à celle calculée
à la question 1)
σ=enµ
n = σ /(e µ )

n = 5,9 105 / (1,6 10-19 x 32)

n = 1.15 1023 / cm3


calcul n = 8,5 1022 / cm3
Expérimentalement n = 1.15 1023 / cm3

en moyenne il y a donc plus d’un électron


de conduction par atome de cuivre

1.15 1023 / 8,5 1022 = 1,35

Cu : [Ar] 3d10 4s1 ⇒ les électrons d


participent à la conduction
Quel est l'ordre de grandeur de la
vitesse des électrons ?

TD : Calculer < Vth >

T = 300 K k = 1.38 10-23 J.K-1

me = 9.1 10-31 kg
= 3kT
2
Vth
me
−23
2 3 *1,38.10 * 300
Vth = −31
9,1.10
2
Vth = 116826,16

2 −1
Vth = 116,8 km.s
Quel est l'ordre de grandeur de τ ?


τ=
e
TD : Cas du cuivre
µ = 32 cm2.V-1.s -1
Calculer la valeur de τ
Conversion en S.I.

µ = 32 cm2.V-1.s -1

1 cm2 = 10-4 m2

µ = 32 10-4 m2.V-1.s -1

µ = 3,2 10-3 m2.V-1.s -1


Calcul de τ

mµ −31
9,1.10 * 3,2.10 −3
τ = = −19
e 1,6.10

τ = 18,3.10 −15
s
Quel est l'ordre de grandeur de l ?

2
= l
2
Vth
τ l =τ Vth

TD : Calculer la valeur de l
Calcul de l
2
l = τ Vth = 18,3.10 −15
*116,8.10 3

_9 −10
l = 2,13.10 m l = 21,3.10 m
l = 21,3 Å

Cu : rayon atomique = 1,35 Å


Cu = empilement CFC, a = 3,615 Å
l représente environ 6 mailles atomiques
TD 6
alliage 90% Au - 10% Cu (% en masse)
parfois utilisé pour des contacts électriques,
ajout de cuivre ⇒ durcit l’or, trop mou si pur.

En utilisant la règle de Nordheim, calculer


la valeur de la résistivité d’un tel alliage.
Données
Cu dans matrice Au : C = 450 nΩ.m
Au dans matrice Cu : C = 5500 nΩ.m
ρAu = 22,8 nΩ.m MAu = 197, MCu = 63.5
Conversion fraction massique (X)
- fraction molaire (x)

x= nCu

nCu + nAu

X
x= n = M =
X + (1− X )
Cu Cu

nCu + nAu
M Cu M Au
x= nCu
= X
nCu + nAu X + (1− X )  M Cu 
M 
 Au 

x = 0,256 = 25,6 % mol de Cu


ρi = C x (1-x)

ρi = 450 . 0,256 (1-0,256) = 85,71

ρ = ρ° + ρi = 22,8 + 85,7 = 108,5

ρ = 108,5 nΩ.m

Valeur expérimentale
ρ = 108 nΩ.m
TD 7
Un laboratoire souhaite contrôler la
composition d’un fil d’alliage or-argent,
contenant en théorie 5% d’argent en masse.
Dans ce but, il mesure la résistance
électrique sur un fil d’un mètre de longueur
et de 0.05 mm de diamètre. Il trouve une
valeur de résistance R = 28.72 Ω.
A l’aide de la règle de Nordheim, calculer le
pourcentage molaire puis le pourcentage
massique de l’alliage étudié.
La composition annoncée correspond-elle à
celle mesurée ?
Coefficient de Nordheim (Ag dans Au) :
C = 3.17 10-7 Ω.m
TD 5

En utilisant la règle de Nordheim d’une


part, la loi des mélanges d’autre part,
calculer la résistivité d’un métal poreux.
Métal : Laiton = 90% Cu - 10% Zn (% mol)
Coefficient de Nordheim : 300 nΩ.m
ρCu = 1.7 10-8 Ω.m
Porosité : 15% en volume
ρlaiton = ρCu + C x (1-x)

ρlaiton = 1,7 10-8 + 300 10-9 0,1 (0,9)

ρlaiton = 4,4 10-8 Ω.m


1 + 1 X 
 2 d
ρd > 10 ρc  
ρeff = ρc
(1 − Xd )
1 + 1 0,15
 2 
ρeff = 4,4 10  
( 1 − 0,15 )
-8

ρeff = 5,6 10-8 Ω.m


TD

En utilisant la règle de Nordheim d’une


part, la loi des mélanges d’autre part,
calculer la résistivité d’un métal poreux.
Métal : Laiton = 90 mol% Cu – 10 mol% Zn
Coefficient de Nordheim : 300 nΩ.m
ρCu = 1.7 10-8 Ω.m
Porosité : 15% en volume
ρlaiton = ρCu + C x (1-x)

ρlaiton = 1,7 10-8 + 300 .10-9 x 0,1x (0,9)

ρlaiton = 4,4 10-8 Ω.m


1 + 1 X 
 2 d
ρd > 10 ρc  
ρeff = ρc
(1 − Xd )
1 + 1 0,15
 2 
ρeff = 4,4 10  
( 1 − 0,15 )
-8

ρeff = 5,6 10-8 Ω.m


Diagrammes de bandes
et fonctions associées
f (x ) = 1
1 + e (x )

f(0) = ?

f(x) + f(-x) = ?
f (x ) = 1
1 + e (x ) x = (E - EF) / kT

f(0) = 1/2
E = EF ⇒ f(E) = 1/2

f(x) + f(-x) = 1

symétrie par rapport


au point (EF, 1/2)
f (x ) = 1
1 + e (x )

Dérivée ?

en x = 0 , tangente ?
f (x ) = 1 x = (E - EF) / kT
1 + e (x )
Dérivée ?
df = df dx
dE dx dE
df −e x

= dx = 1
( )
2
dx 1 + ex dE kT

df < 0 f(x) fonction ↓ de x


dx
Fonction simplifiée f(x)

f(0) = 1/2 f(x) + f(-x) = 1

Graphes symétriques par rapport à


x = 0 (ou EF, 1/2)

x
df = −e
dx
(1 + e )
x
2
Tangente en x = 0

y = f '(a) . (x-a) + f(a) y = f '(0) . (x-0) + f(0)

f ’(0) = - (1/4)

y’ = - (1/4) x + (1/2)
x=-2
y’ = 0 ?
x=2
x = (E - EF) / kT Courbe

1.1
1 T=0K
0.9
0.8
0.7
T≠0K
f(x)0.5
0.6

0.4
0.3
0.2
0.1
0
-10 -5 0 5 10

E = EF x
x = (E - EF) / kT Courbe

1.1 2
1 T=0K
0.9
0.8

Pente =
0.7
T≠0K
f(x)0.5
0.6

-(1/4)
0.4
0.3
0.2 ± 2 kT
0.1
0
-10 -5 0 5 10
2
E = EF x
TD 9
Exemple Si
1) Calculer le nombre ″x″ d’atomes
par unité de volume (m3)
d = 2,33 M = 28,086

2) Calculer Nc et Nv à 300 K

mn* = 1,06 m0 k = 1,38 10-23 J.K-1

mp* = 0,59 m0 m0 = me = 9,1 10-31 kg


3) En déduire la valeur de ni à 300 K

Eg = 1,12 eV k = 8,62 10-5 eV.K-1

4) Comparer ni et le nombre ″x″


d’atomes par unité de volume
Exemple Si

Nombre d’atomes / unité de volume = x


d = 2,33 M = 28,086

x = Na (d 106 / M)

x = 5 1028 atomes /m3


3/2 3/2
 2π m*n kT   2π m*p kT 
NC = 2  
 NV = 2  

h2 h2
   

k = 1,38 10-23 J.K-1


mn* = 1,06 m0 mp* = 0,59 m0

A 300 K

Nc ≈ 2,74 1025 / m3 Nv ≈ 1,14 1025 / m3

(Nc Nv)1/2 = 1,767 1025 / m3


1/2 −  Eg 
n i = (N C N V ) e  
 2kT 
 
Eg = 1,12 eV
k = 8,62 10-5 eV . K-1

ni ≈ 7 1015 /m3 = n = p

A comparer à

x = 5 1028 atomes /m3


conséquences

1 e- de conduction pour 7.1012 atomes de Si

La bande de conduction est faiblement peuplée

ni ≈ 1016 /m3

Pour les métaux : ≈ 1028 /m3


Population en e- faible / métaux

Conductivité plus faible


TD 10
Exemple Si

ajout au silicium de 0.1 ppm de dopant n

1) Pour un atome de dopant, à combien


d'atomes de silicium correspond ce taux ?

2) A T ambiante, tous les donneurs sont


ionisés. Quelle sont alors les valeur de n et p ?
Exemple : Si dopé n

5 1028 atomes /m3 ni ≈ 1016 /m3


Ajout de 0.1 ppm de dopant n

1 atome de dopant pour 107 atomes de Si

n = nd = 5 1021 /m3

p = (ni2 / nd)= 2 1010 /m3


0,1 ppm = dopage à taux très faible

nombre d’e- dans la bande de conduction

Non dopé dopé

ni ≈ 1016 /m3 nd = 5 1021 /m3


Gain ≈ 105

Nombre e- / nombre de trous ≈ 1011


Trous ultraminoritaires
TD 11
Pour un semi-conducteur, la loi de variation de la conductivité avec la
température est :
 − Eg 
 
 2kT
σ = σ 0e 

En appliquant cette loi aux données du tableau ci-dessous, déterminer la


valeur de l’énergie du gap du silicium (en eV). L’échantillon mesuré est un
parallélépipède dont les dimensions sont les suivantes : longueur L = 20mm,
largeur l = 10 mm et épaisseur e = 1mm.
T (°C) 27 130
ρ (Ω.m) 3,46.103 1,37.101
Données
k = 8.62 10-5 eV.K-1
 − Eg 
 
 2kT ⇒ ln(σ) = ln(σ0) – (Eg/2kT)
σ = σ 0e 

ln(σ1) = ln(σ0) – (Eg/2kT1)


ln(σ2) = ln(σ0) – (Eg/2kT2)
1 1 −
ln =(
2
)( − ) ⇔ ln =(
2
)( )

300.403 3,46. 10
=2 ( ) ln = 2 . 8,62. 10 .( ) ln
− 403 − 300 1,37. 10

⇒ Eg = 1,119 ≈ 1,12 eV
TD 12
#$ #. (10 )
= = ! " = 8,85. 10 . 1200.
4 4. 10

= 8,34. 10 ! & = 834 '&


t() * = ⇔ . = ,-/01 =
+,- 2 3, 4. !567 . 8. !9 .!.!

. = 19,08. 10; = 19,1 MΩ

> 8@A 8( !5A )A


= . = . = 19,08. 10;
? 4B 4. !59

= 1,498. 10; = 1,5. 10; Ω.m

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