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Transistors à Effet de Champ (FET)

Les transistors à effet de champ se divisent en deux types principaux : JFET et MOSFET, chacun ayant des variantes à enrichissement et à appauvrissement. Leur fonctionnement repose sur la modulation d'un canal conducteur entre les électrodes source et drain par la tension grille-source (VGS). Le choix d'un FET dépend de plusieurs critères tels que la tension maximale drain-source, la tension de pincement, la fréquence de coupure et la résistance drain-source.

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Transistors à Effet de Champ (FET)

Les transistors à effet de champ se divisent en deux types principaux : JFET et MOSFET, chacun ayant des variantes à enrichissement et à appauvrissement. Leur fonctionnement repose sur la modulation d'un canal conducteur entre les électrodes source et drain par la tension grille-source (VGS). Le choix d'un FET dépend de plusieurs critères tels que la tension maximale drain-source, la tension de pincement, la fréquence de coupure et la résistance drain-source.

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TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

STI JFET ET MOSFET


GE

1. DEFINITIONS
Les transistors à effet de champ sont à rangés dans deux familles :
- les transistors à effet de champ à jonction , ou JFET (Junction Field Effect Transistor) ;
- les transistors à effet de champ MOS (Metal Oxide Semiconductor).

D D D D D D

G G G G G G

S S S S S S
CANAL N CANAL P CANAL N CANAL P CANAL N CANAL P

JFET MOSFET MOSFET


à appauvrissement à enrichissement

G : Grille (gate)
D : Drain
S : Source

Principe de fonctionnement : entre 2 électrodes, notées source et drain, les électrons empruntent le chemin
conducteur appelé canal. Ce canal est comparable à un conducteur dont la section augmente ou diminue
(selon le type de FET) quand on augmente la tension VGS (tension grille - source).

Le FET peut être représenté par une résistance drain - source (RDS) dont la
valeur varie en fonction de la tension grille source (VGS).

remarque : les dispositifs MOS (transistors ou circuits intégrés) sont très sensibles aux charges électrostatiques
qui peuvent les détériorer. Ils ne doivent être manipulés qu’avec un dispositif antistatique.

2. RESEAUX DE CARACTERISTIQUES

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP {\fiche\Fet.doc} - page 1/2


- MOSFET à enrichissement : pour VGS = 0, le transistor est ........................................... .

- MOSFET à appauvrissement : pour VGS = 0, le transistor est ........................................... .

3. CHOIX DES FET


Il se fera en fonction :
- de sa tension maximale drain - source (VDSmax) ;
- de sa tension de pincement Vp = VGSoff (tension VGS pour laquelle le courant ID s’annule) ;
- de sa fréquence de coupure FT ;
- de la résistance drain - source (RDS).

4. APPLICATION
L’élément de base de la logique CMOS (Complementary MOS): l’inverseur
VDD

T2 T1 : transistor ...

T2 : transistor ...

E = VDD ? VGST1 = ? T1 ...


VGST2 = ? T2 ...
alors S =
E S
T1 E = 0v ? VGST1 = ? T1 ...
VGST2 = ? T2 ...
alors S =
0v

TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP {\fiche\Fet.doc} - page 2/2

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