N dordre

Anne 2001

THSE
Prpare au Laboratoire dAnalyse et dArchitecture des Systmes du CNRS En vue de lobtention du Doctorat de lUniversit Paul Sabatier de Toulouse Spcialit : Micro-lectronique Par Anthony COUSTOU
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CONCEPTION ET CARACTERISATION DE CIRCUITS INTEGRES EN TECHNOLOGIE BICMOS SIGE POUR APPLICATION DE TELECOMMUNICATION EN BANDE X

Soutenue le 21 dcembre 2001, devant le jury : R. PLANA Directeur de thse

D. CROS A. FABRE J. NASSAR F. MURGADELLA J. GRAFFEUIL R. PLANA T. LAPERGUE M. REGIS A. CAZARRE E. TOURNIER

Rapporteurs

Jury

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INTRODUCTION GENERALE

INTRODUCTION GENERALE

AVANT PROPOS
Les travaux prsents dans ce mmoire ont t raliss au Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systmes (LAAS-CNRS) de TOULOUSE. Ce travail s'est inscrit dans le cadre d'une collaboration entre le groupe Composants et Intgration des Systmes Hyperfrquences pour Tlcommunication (CISHT) du LAAS-CNRS et l'industriel STMicroelectronics (Site de CROLLES).

Je remercie Monsieur Jacques Graffeuil, professeur l'Universit Paul Sabatier et directeur du groupe CISTH, de m'avoir accept dans son groupe de travail. Je

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remercie galement Monsieur Robert PLANA, professeur l'Universit Paul Sabatier, pour avoir dirig mes recherches aux cours de ces trois annes, ainsi que tout le personnel du groupe CISTH pour l'aide qu'il m'a apport. Enfin je remercie tous mes collges de travail doctorants pour le soutient qu'ils m'ont apport dans ce travail.

INTRODUCTION GENERALE

TABLE DES MATIERES

CHAPITRE 1 : RAPPELS ET PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOS SiGe
1. INTRODUCTION 11

2. RAPPELS SUR LES TECHNOLOGIES INTGRES SUR SILICIUM

11 11 14 15 18 25 28 31 32 32 34 34 35 36 36 37 37 47 48 48 50 56

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2.1 : 2.1.1 : 2.1.2 : 2.2 : 2.3 : 2.4 : 2.4.1 : 2.4.2 : 2.4.3 : 2.5 : 2.5.1 : 2.5.2 : 2.5.3 : 2.5.4 : 2.6 : 2.6.1 : 2.6.2 : 2.7 : 2.7.1 : 2.7.2 : 2.8 :

RAPPELS SUR LE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR BIPOLAIRE GAIN EN COURANT STATIQUE GAIN EN COURANT DYNAMIQUE, FRQUENCE DE TRANSITION LES LIMITES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE LES LIMITES DES COMPOSANTS PASSIFS SUR SILICIUM LES SOLUTIONS POUR AMLIORER LES COMPOSANTS BIPOLAIRES : LE TBH SIGE EFFETS SUR L'EFFICACIT DINJECTION EFFETS SUR LE TEMPS DE TRANSIT EFFET SUR LA TENSION D'EARLY SOLUTIONS POUR AMLIORER LES COMPOSANTS PASSIFS. SLOIGNER DU SUBSTRAT MODIFIER LE SUBSTRAT CHANGER LE SUBSTRAT SUPPRESSION DU SUBSTRAT LES MODLES DE COMPOSANTS SUR SILICIUM LES MODLES DE TRANSISTORS LES MODLES PASSIFS TECHNOLOGIE BICMOS6G DE STMICROELECTRONICS. LES COMPOSANTS ACTIFS LES COMPOSANTS PASSIFS CONCLUSION

INTRODUCTION GENERALE

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLE BRUIT EN BANDE X

1. INTRODUCTION 59

2. RAPPELS SUR LES PHNOMNES DE BRUIT AUX FRQUENCES MICRO-ONDES 62 2.1 : 2.2 : LE BRUIT DE GRENAILLE LE BRUIT THERMIQUE 62 63 65 67 69 70

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3. AMPLIFICATION, GAIN EN PUISSANCE ET STABILIT 3.1 : 3.2 : ADAPTATION EN PUISSANCE CONDITIONS DE STABILIT D'UN CIRCUIT AMPLIFICATEUR.

4. NON-LINARITS, GAIN DE COMPRESSION

5. INTERMODULATION

72

6. EVOLUTION DU FACTEUR DE BRUIT AVEC LA POLARISATION ET LA SURFACE D'METTEUR DU TRANSISTOR 74

7. TECHNIQUE DE RACTION UTILISE POUR ADAPTER EN BRUIT ET EN PUISSANCE UN TBH 81

8. ETUDE DES DIFFRENTES TOPOLOGIES DE CIRCUITS.

84

9. CARACTRISATION DES AMPLIFICATEURS FAIBLE BRUIT

91

INTRODUCTION GENERALE
10. CONCLUSION 99

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X A FAIBLE BRUIT DE PHASE

1. INTRODUCTION 101

2. BRUIT DE PHASE

104

3. MODLE DE LEESON

108

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4. CONDITIONS D'OSCILLATION

115

5. TOPOLOGIES DE CIRCUITS OSCILLATEURS TUDIES

116

6. TECHNIQUE DE RDUCTION DU BRUIT DE PHASE

128

7. CONCLUSION

135

INTRODUCTION GENERALE

Introduction gnrale
Le march des communications hertziennes mobiles est un enjeu commercial majeur pour les fabricants de composants lectroniques. Les besoins du march des tlcommunications imposent de rduire la taille et la consommation des circuits et d'augmenter le niveau d'intgration, pour commercialiser un terminal de

communication bon march et d'une grande autonomie.

Un terminal est constitu de deux parties : une partie numrique qui contrle et traite le signal et une interface radiofrquence (RF) qui transmet ou rceptionne le signal

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analogique haute frquence qui transporte l'information.

La diminution de l'encombrement et de la consommation de la partie numrique volue constamment et suit les progrs technologiques de l'intgration des circuits. La technologie CMOS sur Silicium ou BiCMOS rpond parfaitement aux spcifications techniques en termes d'intgration, de consommation, de cot, et de tension d'alimentation (< 3 V) imposes par les contraintes commerciales.

En ce qui concerne la partie RF (partie mission-rception), il n'y a pas actuellement de technologies dominantes car les contraintes varient normment selon la technologie de circuit qui est utilise. Ces contraintes concernent les lments actifs, en terme de frquence de coupure, de gain en puissance, de facteur de bruit et de linarit des amplificateurs mais galement le bruit basse frquence pour les mlangeurs et oscillateurs. Ces contraintes concernent galement le rendement et la puissance RF dlivre par les circuits d'mission.

Les cots de fabrication de circuits lis ces diffrentes contraintes impose des choix technologiques pour la ralisation de fonctions lectroniques complexes telles que les amplificateurs de puissance, les amplificateurs faible bruit, les mlangeurs et les synthtiseurs de frquence.

INTRODUCTION GENERALE Actuellement les circuits intgrs hyperfrquences, ddis aux applications grand public, sont gnralement mixtes. Ces circuits intgrent les technologies Arsniure de Gallium (GaAs) et Silicium (Si). Ces circuits peuvent galement tre remplacs par une solution discrte ou hybride. Gnralement, le GaAs est utilis pour les parties amplification RF (puissance et faible bruit, commutateur), tandis que le Silicium s'applique aux mlangeurs, aux oscillateurs et la partie frquence intermdiaire (FI).

L'apparition du transistor bipolaire htrojonction (TBH) base de siliciumgermanium (SiGe), compatible avec une technologie BiCMOS laisse entrevoir des potentialits prometteuses qui mneront une intgration plus pousse. Compte tenu des performances en bruit basse frquence (bruit en 1/f), les transistors

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bipolaires sont les meilleurs candidats pour la ralisation de fonctions faible bruit de phase comme les oscillateurs, les VCO et les mlangeurs.

D'autre part, les performances d'un circuit hyperfrquence dpendent galement de la qualit des lments passifs comme les rsistances, les capacits, les inductances et les lignes de transmission. La nature semi-isolante du GaAs lui confre des qualits intrinsques trs intressantes pour la ralisation de circuits MMIC par rapport au silicium (pertes, capacits parasites, etc ). Ainsi la ralisation de circuits d'adaptation faibles pertes, l'aide de capacits ou d'inductances, est l'heure actuelle difficilement ralisable avec une technologie silicium. En effet, le coefficient de qualit des inductances est insuffisant mme si des progrs ont t raliss dans ce domaine (de l'ordre de 5-6 2 GHz).

Cette hybridation de l'interface RF, laquelle il convient d'ajouter un certain nombre de filtres ondes de volume ou de surface, non intgrables sur silicium, requiert des circuits d'adaptation qui sont coteux en terme de consommation lectrique. La tendance naturelle est d'intgrer l'ensemble de ces lments dans une mme technologie.

Ainsi, les fabricants de composants lectroniques ralisent d'importants travaux de recherche afin d'intgration sur un mme circuit toutes les fonctions ncessaires la ralisation d'une interface RF. Le travail expos dans ce mmoire s'insre dans cette 8

INTRODUCTION GENERALE dmarche de recherche qui ncessite le dveloppement des fonctions de base utilises dans les interfaces RF. Nous avons ainsi dvelopp des circuits amplificateurs faible bruit (LNA) et des sources RF en bande X, destins tre utilises ultrieurement pour raliser une interface RF sur circuit MMIC SiGe.

Le premier chapitre sera consacr au travail de validation, des modles lectriques fournis par l'industriel STMicroelectronics. En effet, ce travail a t ncessaire afin de s'assurer de la fiabilit de ces modles, qui n'ont jamais t utiliss la frquence de 10 GHz, frquence laquelle nos circuits doivent fonctionner. Nous dbuterons ce chapitre par le rappel des spcifications auxquelles doit rpondre un transistor bipolaire RF et nous nous intresserons aux paramtres technologiques auxquels il convient d'agir afin d'amliorer les caractristiques d'un transistor bipolaire. Puis

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nous prsenterons la technologie BiCMOS que nous avons utilise pour raliser des circuits amplificateurs faibles bruit (LNA) et des sources radio-frquence (RF) et les contraintes imposes par les hautes frquences dans la conception des circuits.

Le deuxime chapitre sera consacr la mthode de travail suivie pour raliser des circuits LNA, fonctionnant la frquence de 10 GHz. Nous prsenterons ensuite les diffrentes topologies de circuits que nous avons conus. Nous prsenterons ensuite les conclusions des rsultats de cette tude. Enfin, nous comparerons les rsultats des caractrisations effectues sur un circuit LNA l'tat de l'art des technologies BiCMOS SiGe.

Enfin, le troisime chapitre sera consacr la conception de sources RF grande puret spectrale. Nous rappellerons tout d'abord la notion de bruit de phase et ses origines physiques. Nous prsenterons ensuite les diffrentes topologies des circuits qui ont t raliss et les rsultats que nous avons obtenus. Enfin, nous prsenterons la mise en uvre d'une technique de rduction du bruit de phase dans les sources RF, base sur le principe de dgnrescence de bruit.

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

CHAPITRE 1 :

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RAPPELS ET PRESENTATION DE LA

TECHNOLOGIE BiCMOS SiGe

10

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

1. Introduction
Le premier chapitre de notre mmoire rappel d'abord quelques notions de base sur les technologies bipolaires sur silicium ainsi que sur leurs limitations dans les applications hautes frquences. Dans un second temps, nous prsenterons une technologie alternative, la technologie BiCMOS SiGe, qui permet daugmenter de faon importante les performances frquentielles des transistors base de Silicium. Nous dcrirons galement les solutions possibles pour amliorer les performances des composants passifs sur Silicium. Nous procderons aussi quelques rappels sur les modles de composants actifs et passifs. La dernire partie de ce chapitre sera enfin consacre la technologie SiGe compatible CMOS, dveloppe par

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STMicroelectronics et que nous avons tudie et utilise. Cette technologie ayant t dans un premier temps dveloppe pour des applications 2 GHz, nous prsenterons les travaux de caractrisations et de modlisations que nous avons effectus afin de pouvoir concevoir des circuits faibles bruit 10 GHz, ce qui tait lobjectif de nos travaux.

2. Rappels sur les technologies intgres sur silicium

2.1 : Rappels sur le fonctionnement du transistor bipolaire

Le transistor bipolaire a t invent par Bardeen et Brattain en 1948 et la thorie dcrivant son fonctionnement a t labore par Shockley en 1949 [1], [2]. En 1951 le premier transistor bipolaire a t fabriqu dans les laboratoires Bell.

Un transistor bipolaire est constitu de trois rgions adjacentes, l'metteur, la base et le collecteur, dopes N/P/N ou P/N/P. On parle alors de transistor bipolaire de type NPN ou PNP. Le fait que la rgion de base soit trs fine permet de crer une intraction entre les deux jonctions, appele effet transistor, qui a pour effet de moduler le courant de collecteur par lapplication dune tension de commande sur la jonction base-metteur (Vbe).

11

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe Dans un transistor bipolaire de type NPN, lmetteur (dop N) injecte des lectrons, qui sont des porteurs de type minoritaires dans la base (dope P). La plupart de ces porteurs atteignent le collecteur pour y crer le courant Ic. Le reste des porteurs se recombinant avec les trous, qui sont les porteurs majoritaires dans la base, contribue gnrer le courant de base (IB) comme lindique la figure 1.

Emetteur
e-

Base

Collecteur
e-

Ie
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e-/e+

Ic

Ib Vbe Vbc

figure 1 : Transistor bipolaire en rgime de fonctionnement normal.

Le rapport du nombre de porteurs minoritaires qui traversent la jonction base/collecteur sur la quantit de porteurs minoritaires injects par l' metteur dans la base dfinit le facteur de transport dans la base du transistor B. Ce rapport est fonction de l' paisseur de la base (W) et de la longueur de diffusion des lectrons B dans cette dernire (LB). Son expression [1], dans le cas o W B est petit devant LB , est donne ci-dessous :
2 WB B = 1 + 2 2 LB 1

I. 1

La figure 2 indique plus prcisment les diffrents flux de porteurs et les courants qui y sont associs au travers des jonctions d' un transistor bipolaire. Dans cette figure, qui donne une vue en coupe d' un transistor bipolaire, NEB est le courant d' lectrons I inject par l' metteur dans la base, PBE le courant de trous inject par la base dans I

12

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe l'metteur, INB le courant d'lectrons se recombinant dans la base, INBC le courant d'lectrons qui atteint la zone de charge d'espace de la jonction collecteur-base.

Base

Ipbe Ie Ineb
Emetteur

Ico Inbc Incc Inb Ib

Collecteur

Ic

Vbe

Vbc

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figure 2 : Flux de porteurs au travers des jonctions dun transistor bipolaire.

En traversant cette rgion, le courant est multipli par un facteur M [1]. Ce facteur est fonction de la tension inverse applique la jonction base/collecteur (VBC) [1], [3] et devient rapidement infini au-del de la tension de claquage (VBR). L'expression de M est donne ci-dessous : M = 1 n Vbc 1- Vbr
I. 2

En quittant la zone dpeuple ct collecteur, le courant d'lectrons prend la valeur INCC. Ce courant est accompagn d'un courant de fuite (ICO) au travers de la jonction base-collecteur. La superposition de ces flux de porteurs donne les courants qui traversent un transistor (IE, IC, IB) et permet d'accder leurs expressions. Le courant d'metteur est gal :

IE = INEB + IPBE
Le courant de collecteur s'exprime par :

I. 3

IC = ICO + INEB B M
Le courant de base satisfait l'expression :

I. 4

IB = IE - IC = INEB (1- B M) +IPBE- ICO

I. 5

13

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe Le rapport du courant inject par l'metteur dans la base sur le courant total d'metteur dfinit l'efficacit d'injection () d'un transistor. L'expression de ce rapport [1], [3], dans le cas o lpaisseur de la base (W B) est petite devant la longueur de diffusion des porteurs dans la base, est donne par l'expression en I. 6.

LB DE Pb = 1 + LE DB Ne

I. 6

DE et DB sont les constantes de diffusion des lectrons dans lmetteur et la base. NE et PB les concentrations en produits dopant dans lmetteur et la base respectivement. L' expression 6 montre qu' il est ncessaire que la concentration en I. produits dopants dans l' metteur (N) soit grande devant celle de la base (PB) si l' on E veut que soit proche de l' unit. N ne pouvant excder les valeurs autorises, E

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notamment en ce qui concerne la stabilit du dopant, il n' est pas possible de doper trs fortement la base d' un transistor sans dgrader l' efficacit d' injection et cette contrainte se traduit par une rsistance de base intrinsque du transistor leve. Il est cependant important de limiter cette rsistance, qui est prjudiciable aux caractristiques en bruit et en gain [4], [5], [6] comme nous le montrerons par la suite. Nous montrerons galement que l' utilisation dune htrojonction permet de saffranchir, du moins partiellement, de cette limitation sur le dopage maximum de la base. Comme l' efficacit d' injection et le facteur de transport dans la base conditionnent les caractristiques statiques et dynamiques du transistor, ces grandeurs dterminent les performances du transistor bipolaire. Etudions quelles sont les influences de B et sur les caractristiques du transistor bipolaire. 2.1.1 : Gain en courant statique

Le gain en courant, en configuration base commune, est dfini par le rapport suivant [7] :

Ic = BM Ie

I. 7

L' expression de ce rapport nous montre que le gain en courant est trs sensible l' efficacit d' injection et au facteur de transport. Le facteur de multiplication, dans les conditions de fonctionnement normales du transistor, est gal un. L' paisseur de base tant trs petite devant la longueur de diffusion des porteurs dans la base (B proche de 1), nous pouvons constater que l' efficacit d' injection dtermine les 14

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe performances en gain du transistor bipolaire. En configuration metteur commun, le gain en courant du transistor bipolaire est dfini par le rapport suivant [7] :

I. 8

Ainsi, dans cette configuration, le gain est galement trs influenc par l'efficacit d'injection. 2.1.2 : Gain en courant dynamique, frquence de transition

En configuration metteur commun, le gain en courant dynamique est dfini par la drive partielle du courant de collecteur (IC) par rapport au courant de base (IB). Ic Ib

=
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I. 9

Ce rapport est un nombre complexe gal au coefficient H21 des paramtres hybrides du transistor en configuration metteur commun, qui est fonction de la frquence d'utilisation du transistor. Cette fonction peut se ramener un polynme du premier ordre, si son domaine de dfinition est loign de la frquence de transition [1], [2], [3]. La frquence de transition est la frquence pour laquelle le gain en courant est gal l'unit. L'volution du gain en courant avec la frquence est donne cidessous en figure 3, o le module du gain en courant est reprsent en dcibels.

20log (H21)
-20 dB/dec

Gain (dB) Frquence de transition (ft)

Frquence (GHz) figure 3 : Courbe de gain en courant, en fonction de la frquence, pour un transistor bipolaire en configuration metteur commun.

L'expression analytique du module du gain en courant est donne ci-dessous [3].

15

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

0
1 + 0 [b + re (Ce + Cc )]
2

= 1+

0 0 T
2

I. 10

De cette expression, nous dduisons la frquence de transition en extrapolant l'volution du gain en courant par cette mme fonction. fT = 1 1 1 = 2 0 [b + re (Ce + Cc )] 2 ec
I. 11

b est le temps de transit des porteurs dans la base, re la rsistance dynamique de la jonction base/metteur dans le cas dune reprsentation du schma quivalent en T, Ce et Cc sont respectivement les capacits des jonctions base-metteur et basecollecteur. Le temps de transit des porteurs dans le transistor (ec) dtermine alors la frquence de transition du transistor bipolaire [1], [2]. Le temps de transit des

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porteurs peut tre dcompos en une somme de termes lmentaires, qui caractrisent le temps de transit des porteurs, au travers de chaque rgion du transistor. On montre que le temps de transit dans lmetteur est donn par l'expression suivante [1] : K T (Ce + Cc ) q IE

e =

I. 12

e est inversement proportionnel au courant d'metteur et la figure 4 donne son volution en fonction de ce courant. Le temps de transit dans la base (b) est donn [1] par l'expression suivante, dans l'hypothse d'un dopage uniforme de la base :

b =

WB 2 DB

I. 13

WB et DB reprsentent respectivement l'paisseur de base et le coefficient de diffusion des lectrons dans cette dernire. b est d'autant plus petit que la base est fine et que la vitesse de dplacement des porteurs dans cette dernire est importante. Nous verrons par la suite comment il est possible daugmenter cette vitesse. Le temps de transit, au travers de la zone de charge d'espace de la jonction base/collecteur, est donn par la dure c, dont l'expression est donne ci-dessous [1] :

c =

WTC 2 Vs

I. 14

VS est la vitesse de saturation des porteurs et W TC l'paisseur de la charge d'espace base-collecteur. Enfin, le temps de transit dans le collecteur est donn par la 16

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe constante de temps CC, o RC est la rsistance d'accs au collecteur et CC la capacit de la jonction base/collecteur [1].

CC = RC CC

I. 15

La somme de ces termes (E, B, C, CC) donne le temps de transit des porteurs au travers du transistor (EC).
ec = e + b + c + cc
I. 16

La figure 4 regroupe l'volution de chaque temps de transit, en fonction du courant d'metteur.

Faible niveau

Niveau normal

Fort niveau ec

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Temps de transit

b c cc e Ic (mA)

figure 4 : Evolution du temps de transit dun transistor en fonction du courant de collecteur.

Nous pouvons alors remarquer que cette courbe prsente un optimum qui dpend du temps de transit dans la base du transistor. Ceci se traduit par un pic sur la courbe donnant la frquence de transition en fonction du courant de collecteur, comme lindique la figure 5. A fort niveau de polarisation, la dgradation des performances frquentielles est due une dgradation des temps de transit dans la base et dans la zone dpeuple de la jonction collecteur-base.

D'autre part, le gain en puissance d'un transistor dpend du gain en courant. Ainsi, la frquence maximale d'oscillation (fMAX), qui caractrise la frquence laquelle le gain

17

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe en puissance devient nul, est dpendante de la frquence de transition. La relation approche entre ces deux caractristiques du transistor est la suivante [1] :

fMAX

fT 8 rbb'Cc

I. 17

Cette dpendance est observable sur la figure 5 qui donne l'volution de fT et fMAX en fonction du courant de collecteur.

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figure 5 : Frquence de transition et maximale d'oscillation en fonction du courant de collecteur.

Nous allons, dans le paragraphe suivant, souligner les limites des composants bipolaires conventionnels, en ce qui concerne leurs performances frquentielles.

2.2 :

Les limites du transistor bipolaire

Le dveloppement des tlcommunications conduit augmenter la rapidit et la densit d'intgration des circuits. La rduction des dimensions gomtriques verticales et horizontales des transistors est une des consquences de cette volution. Si lon considre une rduction verticale des composants, cela va se traduire par des rductions de lpaisseur de la zone de base et de la zone dmetteur. Cette rduction va saccompagner dune dgradation de la rsistance de base, qui entranera par consquent une dgradation de la frquence maximale doscillation. Dautre part, il est ncessaire d'augmenter le dopage de la base pour

18

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe rduire la rsistance de base. Ceci entrane une plus grande sensibilit aux phnomnes de diffusion des dopants, qui se traduisent par des temps de transit supplmentaires. Les rductions latrales des composants se traduisent par des procds technologiques plus complexes en vue de minimiser les lments parasites. De mme, les phnomnes de diffusion rduisent les possibilits de rductions latrales. Cette rduction de la surface occupe par chaque transistor est responsable de l'augmentation, en valeur relative, dautres phnomnes parasites tels que les effets de bord, la forte injection, l'effet Early, l'effet Kirk, l'effet de quasisaturation, les effets de substrats et la dfocalisation. Rappelons tout d'abord l'origine de ces phnomnes afin de comprendre l'volution technologique des composants actifs et les modles lectriques utiliss par les outils de conception de circuits intgrs.

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Les effets de bord [1] sont lis la prsence d'tats intermdiaires, situs dans la bande interdite du semi-conducteur, en priphrie des jonctions d'un transistor bipolaire. La prsence de ces tats augmente la vitesse de recombinaison des porteurs dans cette zone des jonctions, ce qui gnre des courants parasites indpendamment de l'effet transistor. Ces courants de recombinaison dgradent l'efficacit d'injection du transistor et les courants de fuite au travers de la jonction base-collecteur. La figure 6 sur la page suivante donne la localisation, sur une vue en coupe d'un transistor bipolaire grav sur substrat P, de lensemble de ces courants dans les diffrentes rgions du transistor. IRB est le courant de recombinaison des paires lectrons-trous issues de la diffusion des lectrons dans la base. IRG est le courant de recombinaison dans la zone de charge d'espace de la jonction base-metteur. ID' est le courant de diffusion des trous de la jonction basemetteur. IS est le courant de recombinaison l'interface silicium-oxyde, en priphrie de la jonction base-metteur. Enfin, le courant ICBo est le courant de fuite inverse de la jonction base-collecteur.

19

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

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figure 6 : Coupe d'un transistor bipolaire grav sur substrat silicium, prsentant les divers courants de fuite (IRB, IRG, ID', IS, ICBo).

L'effet de quasi-saturation [8] est li la chute de potentiel au travers de la couche enterre qui est utilise pour accder au collecteur du transistor. Il peut alors arriver que la jonction base-collecteur du transistor intrinsque devienne passante, mme si la tension applique aux accs de la jonction base-collecteur est ngative. Ce phnomne peut tre observ sur le rseau de caractristiques en sortie des transistors bipolaires, dans les rgions de fonctionnement o la tension VCE est faible et la densit de courant de collecteur leve. Comme l'indique la figure 7, le courant de collecteur chute alors fortement malgr l'absence du phnomne de saturation du transistor bipolaire. L'effet de quasi-saturation entrane galement une modification de la rsistivit de la couche pitaxie enterre, conduisant ainsi un comportement non-linaire de l'accs la rgion de collecteur du transistor. Ce phnomne a t tudi par G. Kull [8]. Nous verrons plus loin comment les nouveaux standards de modles compacts, destins remplacer le standard actuellement utilis par les outils de conception, prennent en compte ce phnomne li aux couches pitaxies.

20

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

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figure 7 : Phnomne de quasi-saturation dans un transistor bipolaire.

Le phnomne de dfocalisation [1], [9] des lignes de courants est l'origine du comportement non-linaire de la rsistance de base du transistor bipolaire (rbb'). L'existence de lignes de courant le long de la base gnre une chute de potentiel qui rend htrogne la distribution de la densit du courant inject par l'metteur (voir figure 8). L'tendue de la zone de charge d'espace, de la priphrie vers le centre de la jonction metteur/base, n'est donc pas constante et son profil dpend de la polarisation du transistor. La section de la zone d'accs la base intrinsque est donc module par la polarisation du transistor, ce qui engendre la dpendance de rbb' avec la polarisation de ce dernier. Une autre consquence du phnomne de dfocalisation des porteurs concerne le fait quune grande partie du courant d'metteur se propage en priphrie de la jonction metteur-base. Ceci augmente les phnomnes de recombinaison et dgrade ainsi l'efficacit d'injection et les caractristiques en bruit du transistor bipolaire.

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CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

JB VB

Emetteur Base

N+

extrinsque

intrinsque Lignes de courant

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x
figure 8 : Dfocalisation des lignes de courant au travers de la jonction metteur/base.

Enfin, lorsque le courant d'metteur est suffisamment important, la densit de porteurs minoritaires injects dans la base devient significative devant la densit d'atomes accepteurs, dans le cas d'un transistor bipolaire de type NPN. Dans ces conditions, la longueur de diffusion des porteurs minoritaires injects dans la base se rduit, modifiant ainsi le facteur de transport dans la base. L'efficacit d'injection dans la base se dgrade donc lorsqu'un transistor bipolaire est fortement polaris, c'est le phnomne de forte injection [1]. Ceci se traduit par une modification du facteur d'idalit de la jonction metteur/base, qui se traduit par un changement de pente de la caractristique courant/tension de cette jonction. Ceci explique la chute de l'efficacit d'injection et par consquent du gain en courant forte polarisation (voir courbe de droite sur la figure 9. La courbe de gauche donne le diagramme de Gummel-Poon en direct d'un transistor bipolaire d'o l'on extrait les paramtres caractristiques du transistor.

22

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

Log IC,IB

A : recombinaison (faible polarisation) B : forte injection (forte polarisation) C : zone ohmique (forte polarisation) 0 : efficacit d'injection 0 : gain en courant dynamique basse frquence
V
BE

IF=ISE.e

/N .U
E

C
NE

0
(IS/ F).e ISE
V
BE

/N .U
F

NF

A V BE

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IS

Ie

figure 9 : Trac de Gummel direct, efficacit d'injection et gain en courant en fonction de Ie.

Une densit de courant d'metteur importante entrane galement une modification de l'tendue de la zone de charge d'espace, dans la jonction base/collecteur. Ce phnomne est appel effet Kirk et se produit lorsque le courant de collecteur dpasse une valeur critique :

ICMAX = q NDC VS

I. 18

NDC tant la concentration en produit dopant dans le collecteur. Au-del de cette valeur, la charge transporte par le courant d'lectrons modifie la zone dpeuple de la jonction base/collecteur vers le collecteur. La longueur effective de la base et par consquent le facteur de transport sont affects par ce phnomne qui se traduit par une chute du gain en courant forte polarisation des transistors.

Dans les conditions normales de fonctionnement du transistor bipolaire, l'tendue de la zone de charge d'espace de la jonction base/collecteur est affecte par la tension inverse qui lui est applique. La longueur effective de la base du transistor est alors module par la tension collecteur-metteur (VCE) applique au transistor. Ceci se traduit par une augmentation du gain en courant avec la tension VCE, visible sur les

23

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe courbes caractristiques en sortie du transistor (voir ci-dessous figure 10). Cet effet de modulation de la zone de base est appel effet Early.

IC

IB4 IB3 IB2 IB1

VA
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0

VCE

figure 10 : Caractristiques en sortie d'un transistor bipolaire en prsence deffet Early

Un dernier effet parasite, dans le substrat sur lequel est grav un transistor bipolaire de type NPN (type P), est la prsence d'un transistor bipolaire parasite de type PNP, comme l'indique la vue en coupe d'un transistor prsente sur la figure 11.

figure 11 : Transistors intrinsque et parasite dans le cas d'une gravure de transistor bipolaire de type NPN sur substrat de type P.

24

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe La couche enterre pitaxie dope N+ est ncessaire car elle permet l'accs au collecteur avec une rsistance minimale. Le collecteur est ralis partir d'une couche pitaxie (N epilayer) sur laquelle est ralise la base (P base) l'aide d'une couche dope P. L'metteur est ralis en fin de process (N+ emitter). La prsence des couches P base/N/N+ epilayer/P substrate cre un transistor parasite de type PNP, dont il convient de supprimer l'effet transistor en fixant le potentiel de substrat une valeur infrieure celle du collecteur. Nous verrons par la suite comment ce phnomne est pris en compte dans les diffrents standards de modles, en cours de dveloppement actuellement.

Nous pouvons constater quil y a un certain nombre de phnomnes limitatifs ainsi que des phnomnes antagonistes et nous verrons que lutilisation dune

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htrojonction permet de lever certains degrs de libert qui taient interdits jusque l. Le paragraphe suivant sintresse aux limites prsentes par les lments passifs sur substrat de silicium.

2.3 : Les limites des composants passifs sur silicium

La propagation des ondes lectromagntiques dans un matriau dilectrique diffrent du vide se traduit par certains effets parasites qui engendrent des pertes de puissance lectromagntique. Ces pertes peuvent tre dorigine ohmique,

dilectrique ou radiative. Dans la plupart des cas, le substrat utilis dans les technologies silicium est dop. Ce qui se traduit par des pertes dorigine magntique, lies la prsence dun courant dans le substrat en plus des pertes capacitives classiques dans ce type de technologie. De plus lAluminium utilis dans les technologies intgres se caractrise par une rsistivit mdiocre et prsente donc des pertes ohmiques. Ces composants prsentent donc des pertes par effet Joule le long de la piste mtallique enroule en spire. Ils souffrent galement des pertes dans le matriau utilis comme substrat. Les courants de Foucault, qui circulent au niveau du substrat (voir figure 12), sont responsables de l'apparition d'une inductance image et de pertes par effet joule. Les boucles de courants, qui circulent dans le substrat, crent un flux magntique supplmentaire celui produit par l'inductance grave. Ce comportement inductif est l'origine d'une inductance qui se couple l'inductance 25

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe grave, c'est l'inductance image. Cette inductance image est responsable des dispersions de la valeur de l'inductance totale en haute frquence. De plus, comme ces courants se propagent dans un milieu dont la rsistivit nest pas nulle, des pertes par effet joule apparaissent dans le substrat [10], comme l'indique la figure 12.

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figure 12 : Origines des pertes dans une inductance.

Les pertes occasionnes par une inductance sont caractrises par le facteur de qualit. Celui-ci est dfini par le rapport suivant :

Q=

Wstocke Wpertes

I. 19

Il est possible de dcomposer les pertes, observes dans une inductance, selon deux termes. Le premier correspondant aux pertes par effet Joule dans la piste conductrice (Wcond), le second aux pertes induites par le substrat silicium (W subst). Le facteur de qualit d'une inductance peut alors se mettre sous la forme suivante :
1 1

Wstocke Wsubst Wcond = + Q= Wcond + Wsubst Wstocke Wstocke

1 1 = + QC QS

I. 20

Le facteur de qualit est donc fonction de deux termes :

26

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe Un facteur de qualit associ aux pertes par conduction dans la piste Un facteur de qualit associ aux pertes dilectriques dans le substrat silicium

Les volutions de QC et QS, en fonction de la frquence, sont donnes en figure 13 par la courbe (Conductor) pour QC et par la courbe (Dielectric) pour QS. Ces courbes nous montrent que le facteur de qualit prsente un optimum qui est dtermin par la somme des deux fonctions QC et QS.

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figure 13 : Facteur de qualit et pertes dans une inductance.

Ainsi, les effets de substrat reprsentent une limite contraignante pour les inductances. L'inductance image, qui est la consquence de la propagation des courants de Foucault, est l'origine d'une dispersion de la valeur nominale de l'inductance. Les courants de Foucault sont galement l'origine d'une partie des pertes dans le substrat silicium. Nous verrons par la suite qu'il est possible de rduire ces pertes en empchant la propagation des courants de Foucault. Tous ces paramtres font que les inductances ont longtemps t limites de trs faibles valeurs, des coefficients de qualit infrieurs 10 et des pertes sur les interconnexions de lordre de 8 dB/mm 10 GHz. Dans le paragraphe qui suit, nous allons aborder les solutions technologiques qui permettent d'amliorer les performances des composants actifs et passifs sur silicium.

27

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

2.4 :

Les solutions pour amliorer les composants bipolaires : le TBH SiGe

Lide de raliser des transistors dont la largeur de bande interdite dans la base est infrieure celle de l' metteur a t dveloppe en 1951 par [Link][11]. La thorie ainsi dveloppe explique quun rtrcissement de la bande interdite dans la base d' un transistor bipolaire amliore de manire sensible ses caractristiques dynamiques. Une variation abrupte de la bande interdite amliore lefficacit dinjection () et une variation graduelle, le long de la base du transistor, de bande interdite amliore le temps de transit des porteurs dans la base. Nous avons vu

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l' importance de ces deux caractristiques sur le gain en courant d' un transistor bipolaire.

Le choix des matriaux utiliss est conditionn par des aspects de stabilit chimique et de dfauts cristallins l' interface de l' htrojonction. Les travaux mens sur la croissance pitaxiale de couches en alliages silicium/germanium (SiGe) sur substrat silicium (Si) ont permis l' essor des technologies SiGe, concurrentes directes des technologies base de composs III-V. Ces technologies ont l' avantage d' tre compatibles avec un procd d' intgration en technologie BiCMOS, ce qui fait le grand intrt de cette technologie dans le domaine des circuits micro-ondes. La bande interdite des alliages SiGe tant plus troite que celle du silicium, il est possible de raliser un rtrcissement de la bande interdite dans la base du transistor. Selon la quantit de germanium introduit dans la couche de base dpose par pitaxie, il est galement possible de raliser un profil graduel de la structure de la bande interdite dans la base du transistor. Comme le montre la figure 14, deux comportements sont observs l' interface silicium/SiGe, lors du dpt de telles couches sur un substrat silicium.

28

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

figure 14: Croissance pitaxiale du germanium sur silicium.

Si la couche dpose est suffisamment fine, les atomes de la couche SiGe subissent

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une contrainte mcanique afin de s'adapter au paramtre de maille du silicium (en bas droite de la figure 14), la couche est alors entirement contrainte. Si l'paisseur de la couche est suprieure un seuil critique, il se produit des dislocations du rseau cristallin l'interface de la jonction (en haut droite de la figure 14), seules les couches infrieures sont alors contraintes. La stabilit est fonction de l'paisseur de la couche et de la concentration en germanium que l'on y a introduit, elle est galement fonction de la temprature, ce qui reprsentera une contrainte supplmentaire pour avoir des procds technologiques compatibles avec des procds CMOS. La courbe donne en figure 15 tablit la frontire entre tat stable, mtastable et instable d'une couche SiGe en fonction du pourcentage de germanium introduit dans l'alliage et de l'paisseur de la couche ainsi que du budget thermique prsent par le procd technologique [12], [13]. Dans le contexte de la ralisation de filires BiCMOS SiGe, les quantits de germanium maximales acceptables ne pourront jamais excder 15 % afin dtre sur de pouvoir garantir des couches stables. Par contre, dans le cas de procds technologiques purement bipolaires, les budgets thermiques sont beaucoup plus faibles et des quantits de Germanium jusqu 30% peuvent tre autorises.

29

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

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figure 15 : Domaine de stabilit dune couche pitaxie SiGe.

L'ingnierie de la bande interdite permettra ainsi d'utiliser tous les avantages que procure une variation des proprits lectriques de la base d'un transistor. La rduction du temps de transit des porteurs est ralise partir de la ralisation d'un profil graduel de la concentration en germanium le long de la base. La frquence de transition (ft) est amliore l'aide de ce procd [1] car, comme nous venons de l'expliquer, cette caractristique est lie au temps de transit des porteurs dans la base du transistor. L'introduction d'un profil uniforme de germanium dans la couche dpose servant de base au transistor permet de rtrcir brutalement la bande interdite sur la jonction base/metteur, l'efficacit d'injection est alors amliore par ce procd [11] qui augmente le gain en courant du transistor bipolaire. D'une manire plus gnrale, l'introduction d'un profil de forme trapzodale permet de cumuler ces deux effets et d'amliorer de manire significative le comportement dynamique du transistor. La figure 16 donne la forme gnrale des profils des bandes de valence et de conduction qui rsultent de l'introduction de germanium dans la base d'un transistor silicium.

30

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

EG= EGe- EGb1 EC(x) WEG= EGb1- EGb2

EGe

EGb1

EGb2

EV(x) X (nm) Emetteur Base Collecteur

figure 16 : Dpendance de la largeur de bande interdite dans la direction normale la jonction metteur-base.

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2.4.1 :

Effets sur l'efficacit dinjection

Le rtrcissement brutal de la bande interdite modifie la caractristique tension/courant de la jonction base/metteur. Lefficacit dinjection, pour un TBH de type NPN, est donne [11] par la relation suivante :
1

LB DE PB mne * mpe * Eg = 1 + exp K T LE DB NE mnb * mpb *

I. 21

o PB et NE sont respectivement les concentrations en produits dopants ct base et ct metteur. LB et LE sont respectivement les paisseurs de base et dmetteur, mne* et mpe* les masses effectives des lectrons et des trous dans l' metteur et m * pb et mnb* les masses effectives des lectrons et des trous dans la base. Le terme exponentiel devient alors rapidement petit devant lunit avec Eg et se rapproche trs vite de 1. Il est ainsi possible de raliser des transistors bipolaires avec une grande efficacit dinjection tout en dopant fortement la base. L' autre avantage de l' utilisation du profil abrupt de germanium est de diminuer la rsistance de base (r ) bb qui est lie la rsistivit de la base et donc la concentration en produit dopant dans cette dernire. Le bruit thermique gnr par rbb est ainsi diminu et par consquent les caractristiques en bruit sont amliores. La frquence maximale

31

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe doscillation est galement amliore du fait de sa dpendance la frquence de transition et rbb, exprime dans I. 17. 2.4.2 : Effets sur le temps de transit

En ce qui concerne un profil abrupt de Germanium dans la base, il se traduira par une influence ngligeable sur le temps de transit des porteurs dans la base. Par contre, la diffusion des porteurs dans la base sera acclre par la prsence d' un gradient de la bande interdite le long de la base d' un transistor bipolaire, rduisant ainsi le temps de transit des porteurs dans cette dernire. Quantitativement, la rduction du temps de transit dans la base se fait dans un rapport T [14], dont l' expression est donne ci-dessous :

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b SiGe b Si

WEg 1 exp KT 2 KT =T = 1 WEg WEg KT

I. 22

Un gradient de bande interdite de quelques lectrons-volts (W Eg) suffit rduire de manire significative le temps de transit dans la base. La rduction du temps de transit dans la base et l' amlioration de l' efficacit d' injection conduisent une augmentation du gain en courant en configuration metteur commun. Cette augmentation du gain en courant se fait dans un rapport K, dont l' expression est donne ci-dessous [14] :

WEg Eg KT exp KT K = WEg 1 exp KT

I. 23

avec

Nc Nv ( SiGe ) Nc Nv ( Si )

nb ( SiGe ) nb ( Si )

o est le rapport des densits d' tats entre silicium et silicium/germanium et le rapport des mobilits lectroniques dans la base entre silicium et silicium/germanium.

2.4.3 :

Effet sur la tension d'Early

La possibilit de doper davantage la base du transistor bipolaire, sans dgrader l' efficacit d' injection, permet de rduire l' tendue des zones de charges d' espace 32

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe des jonctions du transistor. La longueur effective de la base est alors beaucoup moins sensible aux tensions de commandes appliques au transistor. Ainsi, leffet Early est rduit dans les transistors bipolaires htrojonction (TBH). Cette caractristique montre lintrt dutiliser les TBH comme composants actifs dans les circuits analogiques, du fait de limportance du produit Va (gain*tension Early). La comparaison de ce produit caractristique, entre le transistor bipolaire silicium et SiGe, donne le rapport suivant [14] :

Va SiGe Eg WEg = H = exp exp Va Si KT KT

I. 24

Ce rapport devient trs vite important avec seulement quelque milli lectron volts sur les changements de largeur de bande interdite Eg ou W Eg. Le tableau 1 donne les performances des technologies BiCMOS base d' alliages SiGe, dveloppes par

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diffrents industriels.

Type

Origine

Ft (GHz)

FMAX (GHz)

Tension de Gain en claquage VCE (V)

Surface

Pourcenta

courant d' metteur ge de Ge (m) 261 180 0,5x20x2 2x0,8x8 (%) 18 28

graduel abrupt

IBM [15] Daimler Chrysler [16] 116

67 40

2,7 2,4

abrupt

TEMIC [17]

50

50

180

0,8x20

23

graduel NEC [18] graduel Siemens [19] graduel Hitachi [20] graduel Lucent [21]

51 61

50

2,7 2,5

120 220

0,2x1,6 0,27x2,5

15 12

122

163

120

0,2x2

15

52

70

120

6x0,28x1, 68

10

tableau 1: Etat de l'art des technologies BiCMOS SiGe.

33

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe La plupart des technologies actuellement dveloppes permettent d'obtenir une frquence de transition comprise entre 50 et 100 GHz et une frquence maximale d'oscillation suprieure ou gale 100 GHz. Certaines technologies sont intgrables dans un procd de fabrication de type CMOS, il est ainsi possible d'intgrer sur une mme puce des circuits numriques en technologie CMOS et des interfaces analogiques RF en technologie bipolaire SiGe. Par consquent cette technologie prsente un intrt particulier auprs des fabricants de composants, pour rpondre aux besoins de l'industrie des tlcommunications mobiles, qui devient un enjeu commercial majeur. 2.5 : Solutions pour amliorer les composants passifs.

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De nombreux travaux ont t effectus visant amliorer les performances des composants passifs sur silicium. Nous allons dresser un bilan des recherches menes dans les divers laboratoires du domaine. Sur les technologies intgres, la premire tape a consist dvelopper des technologies multi-niveaux qui permettent de diminuer les pertes ohmiques sans pour autant diminuer les pertes dilectriques. A lheure actuelle les technologies RF prsentent jusqu six niveaux de mtallisation. Plus rcemment, on a not le remplacement de lAluminium par des mtallisations cuivre qui prsentent une rsistivit deux fois plus faible [22]. Pour rsoudre le problme des pertes dans le substrat, plusieurs voies existent, consistant sloigner du substrat, modifier le substrat, changer le substrat ou encore supprimer le substrat. Nous allons voir que toutes ces solutions peuvent tre mises en uvre sur des technologies Silicium.

2.5.1 :

Sloigner du substrat

Cette technique consiste dcoupler le substrat des lignes de propagation en utilisant une couche doxyde enterre qui est appele SOI ou encore MICROX [23], [24]. Le problme de ce type de technologie est li au fait que la couche enterre reste trs fine devant la profondeur des lignes de champ quelques GHz. Une autre solution qui actuellement prsente des performances intressantes, consiste dposer des membranes polymres de type Benzo-Cyclo-Butene dpaisseurs

34

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe importantes, typiquement suprieures 10 m [25], [26]. Ce type de polymres prsente de trs bonnes proprits la fois dilectriques (faible constante dilectrique 2.5, faible tangente de perte), chimiques (bonne adhsion avec les mtaux et entre eux) et mcaniques (faible contrainte, facile usiner, rsistant aux attaques chimiques). Des polymides peuvent galement tre utilises avec des paisseurs quivalentes [27]. Ces technologies base de polymres permettent dobtenir des lignes prsentant des niveaux de pertes de lordre de 0.15 dB/mm 10 GHz et des coefficients de qualit dinductance suprieurs 20 10 GHz. Cependant, on ne connat pas trop les proprits de ces polymres, dans des environnements humides, long terme, de sorte quils sont encore ltat de composant de recherche.

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2.5.2 :

Modifier le Substrat

Ce procd consiste rendre localement le silicium poreux partir dune lectrolyse. Les couches de silicium poreux peuvent prsenter jusqu 15 m dpaisseur et des lignes coplanaires ont t ralises qui prsentent des niveaux de pertes de lordre de 2 dB/mm 10 GHz [28] ainsi que des inductances fort coefficient de qualit [29]. Cependant cette technique ne semble pas pour linstant tre facilement adaptable un procd intgr et la fiabilit des structures na pas t dmontre. Dautres travaux font tat dintroduction de niveaux profonds dans le substrat pour augmenter sa rsistivit [29] mais les matriaux introduits sont essentiellement de lor et ne sont pas compatibles avec les procds technologiques intgrs. Trs rcemment la ralisation de lignes coplanaires sur poly-silicium non dop semble conduire dexcellents rsultats [30]. Les pertes dans le substrat sont occasionnes par la propagation de courants de Foucault. Le silicium, qui constitue le substrat, prsente une conductivit finie. Par consquent, la propagation des courants de Foucault est accompagne de pertes par effet Joule. Ces pertes peuvent tre neutralises [10] en implantant dans le substrat des matriaux forte rsistivit afin de stopper la propagation des courants de Foucault, comme l' indique lafigure 17. Ces zones forte rsistivit sont disposes sous la spire, dans le substrat silicium, perpendiculairement la direction de propagation des courants de Foucault. Ainsi, une diminution des pertes dans le substrat entrane un dplacement du pic de 35

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe facteur de qualit vers la partie haute du spectre, la valeur de ce pic est galement augmente.

figure 17 : Structure des inductances "pattern-ground".

2.5.3 :

Changer le substrat

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Une autre alternative consiste utiliser des substrats de silicium haute rsistivit obtenus par des mthodes de tirage diffrentes. Les rsistivits auxquelles on peut accder sont suprieures 2000 .cm. Des lignes coplanaires ont t ralises prsentant 10 GHz des niveaux de pertes de lordre de 0.1 dB/mm [31]. Le problme des substrats haute rsistivit est li au fait que lon ne connat pas bien la stabilit de la rsistivit du silicium lorsque ce dernier est soumis des traitements thermiques du type de ceux utiliss dans les technologies BiCMOS. Dautres solutions ont t proposes qui consistent utiliser du silicium sur saphir [32], [33] ou encore reporter le silicium sur du verre ou du quartz [34], [35]. Ces conceptions innovantes permettent dobtenir des coefficients de qualit de lordre de 40 dans la bande des 5 GHz et des frquences de rsonances au-del de 20 GHz, mais la question de leur adquation aux contraintes industrielles reste pose.

2.5.4 :

Suppression du substrat

La dernire voie, qui peut tre utilise pour amliorer les performances des technologies silicium, consiste utiliser les proprits de micro-usinage du silicium pour supprimer le substrat et ainsi autoriser des propagations des champs lectromagntiques dans un environnement qui est quasiment celui de lair. Un autre avantage de ce type de technologie rside dans le fait quelle peut tre utilise sur 36

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe une large bande de frquences cest dire des frquences RF jusquaux frquences millimtriques. Certains travaux ont dj montr lintrt de ces technologies [36], [37], [38], [39]. Le micro-usinage peut tre ralis simplement par des attaques chimiques face avant ou face arrire suivant le procd technologique que lon utilise. Cependant les technologies de micro-usinage nont pas encore atteint un degr de maturit suffisant et elles ne sont actuellement utilises que pour des prototypes. Lors de nos travaux de thse, nous avons utilis une technologie cinq niveaux de mtallisation et en utilisant les options de blindage optimises vis vis du substrat. Nous allons maintenant nous intresser aux modles de composants actifs et passifs sur silicium. 2.6 : Les Modles de composants sur Silicium Les modles de transistors

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2.6.1 :

Le modle Spice Gummel-Poon (SGP) est couramment utilis dans le milieu industriel de la conception de circuits intgrs. La structure de ce modle est donne ci-dessous en figure 18.

figure 18 : Schma lectrique quivalent au modle de Gummel-Poon.

Le courant principal du transistor (IN) est exprim en fonction du courant observ en fonctionnement direct (IF) et inverse (IR) l' aide de l' expression suivante : [40]

37

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

Q Bo IN = QB
VBE VBC

NF UT

NR UT

IF IR = Q Bo IF = IS QB

VBE NF UT

1 IF = IS

VBC NR UT

I. 25

Dans cette expression les termes NF et NR sont les coefficients d'idalit en fonctionnement direct et inverse, QBo est la charge stocke dans la base du transistor non polaris. Enfin QB reprsente cette mme charge lorsque le transistor est polaris. Ce modle a t dvelopp en 1970 par H. K. Gummel et H. C. Poon et utilise le principe de charge contrle pour dfinir les relations entre courants et tensions dans un transistor bipolaire. La charge QB est donne par l'expression suivante [40] : QB = q A ND ( x) dx = QBo + Qte + Qtc + Qde + Qdc
0 WB

I. 26

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Les charges Qte et Qtc sont respectivement les charges accumules dans les zones dpeuples autour des jonctions metteur/base et base/collecteur. Leurs influences sont exprimes l'aide des tensions d'Early en fonctionnement direct (VAF) et inverse (VAR) et de l'expression donne ci-dessous [40] : dQte + dQtc = Vb1e1 Vb1c1 VAF VAR
I. 27

O Qde et Qdc sont respectivement les charges de diffusion accumules autour de la jonction metteur-base et base-collecteur. Ces deux charges sont lies la polarisation du transistor par l'intermdiaire du temps de transit en fonctionnement direct (F) et inverse (R) l'aide des relations suivantes [40] : Qde = F IF = QBo IF IKF Qdc = R IR = QBo IR IKR
I. 28

La charge qB normalise par rapport QBo est alors fonction de deux termes q1 et q2, qui rendent compte respectivement des effets de forte injection et de l'effet Early. La charge normalise qB peut finalement s'crire [40] : qB = q1 + q1 2 + 4 q 2 2 avec q1 = 1 + Qte Qtc Qde Qdc et q 2 = + + QBo QBo QB 0 QB 0
I. 29

D'autre part, les courants dans les jonctions metteur-base (IBEI) et base/collecteur (ICBI) sont donns par la somme des courants de recombinaison en priphrie des jonctions et des courants de recombinaison dans la base intrinsque. Les courants IBEI et ICBI sont alors donns par les expressions suivantes [40] :

38

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

IS
VB1 E 1 N F U T

I BEI

IF = + I SEB = F

F
V B1C 1 N R U T

I. 30

+ I SE

VB1 E 1 N E U T

1
I. 31

IBCI

IR = + ISEC = R

IS

+ ISC

V B1C 1 N C U T

Le modle SGP comporte trois nud internes e1, b1 et c1 comme indiqu en figure 18. Ce modle rend compte du comportement non-linaire de la rsistance rBB', l'aide de la source en courant IBB1 commande par la tension VBB1, mais pas de la rsistance d'accs au collecteur du transistor bipolaire. Les effets de substrat sont galement ngligs; seule la capacit de dpltion entre le substrat et la couche enterre de collecteur (QTS) est prise en compte. Le dfaut de ce modle concerne l'erreur faite sur l'valuation de la frquence de transition lorsque le transistor est fortement polaris. Ainsi, nous pouvons observer sur la figure 19 l'volution de la frquence de transition en fonction du courant de polarisation de collecteur, pour une tension VCE gale 0,1 et 3 Volts. Le comportement rel du TBH est donn par l'ensemble des points tracs sur le graphique. Les courbes qui interpolent ces rsultats sont le rsultat du modle SGP du TBH. La divergence entre thorie et mesure est trs nette forte polarisation du TBH. Le gain en puissance en haute frquence est alors imprcis et cause des erreurs sur le calcul de la distorsion occasionne par le transistor.
: Comportement rel du TBH ------- : Modle SGP du TBH

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Le

modle

SGP

diverge

fortement du comportement rel du composant forte

polarisation.

figure 19 : Evolution de la frquence de transition en fonction de Ic et VCE d'aprs le modle SGP, d'aprs [41].

39

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe L'erreur faite sur la frquence de transition est due aux imprcisions de calcul des effets de substrat et de la rsistance d'accs au collecteur. Le modle SGP ne dcrit pas l'effet de quasi-saturation observable sur les transistors de faibles dimensions. Nous pouvons observer sur la figure 20 le comportement de ce modle sur les caractristiques de sortie du transistor. Les courbes en pointills (..) ont t obtenues avec une rsistance de collecteur (RC) nulle. Avec une forte valeur de RC, nous obtenons les courbes en tirets(- - -) alors que le comportement rel du transistor est dcrit par les courbes en croix. L'utilisation d'une rsistance de collecteur, de valeur constante pour dcrire l'effet de quasi-saturation, est insuffisante pour dcrire avec prcision le rseau de caractristiques en sortie du transistor.
Courant de collecteur en fonction

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de VCE pour IB=const. ---- : rsistance RC de forte valeur .. : rsistance RC nulle

IB=30A

XX

: comportement rel du

transistor

IB=10A IB=2A

Le

modle

SGP

modlise

difficilement le comportement des TBH de faible dimension o l'on observe le phnomne de quasisaturation.
figure 20 : Effet de la rsistance RC sur les caractristiques de sortie d'un transistor bipolaire.

Le dernier dfaut du modle SGP est de considrer les tensions d'Early constantes avec la polarisation du transistor. Ainsi, la figure 21 qui montre l'volution de la conductance de sortie (g0) du transistor en fonction de la tension VCE, pour plusieurs valeurs du courant de base du transistor, montre que g0 est sensible VCE. La tension d'Early, qui est donne par la relation (VA=IC0/g0), montre que la tension d'Early n'est pas constante avec la tension VCE applique au transistor.

40

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

xxx : Comportement rel du TBH - - - : Modle SGP du TBH : Modle HICUM du TBH

Le modle SGP ne rend pas compte de l'effet de quasi-saturation observ sur le rseau de caractristiques en sortie des TBH.

figure 21 : Conductance de sortie (go), d'un TBH en fonction de la tension VCE, pour Ib compris entre 10 et 50 A.

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Les rcents dveloppements dans le domaine de la modlisation ont conduit l'laboration des modles VBIC, HICUM et MEXTRAM [41] pour constituer dans l'avenir le nouveau standard utiliser pour la conception des circuits intgrs. Ces modles utilisent le mme formalisme de charge contrle employ dans le modle SPG. Les structures des diffrents modles de transistor bipolaire sont regroupes sur la figure 22 de la page suivante.

Les diffrents coefficients caractristiques de chaque modle sont regroups dans le tableau suivant :

SGP NF, NR Q1 1-2

1 VB1E1 VB1C1 VAF VAR

MEXTRAM 1
1+ QTE QTC + QBo QBo

HICUM 1
1+ QTE QTC + QBo QBo
IN

VBIC 1-2
1 QTE QTC CTE VER CTC VER

Q2

IF IR + IKF IKR
q1 + q1 1 + 4 q 2 2

QDE + QDC QBo

q1 (1 + q 2 )

1 F ( I ,VCE )dI QBo 0

IF IR + IKF IKR
q1 + q1 + 4 q 2 2
2

qB

q1 + q 2

tableau 2 : Paramtres des diffrents modles.

41

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

SGP

MEXTRAM

VBIC

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figure 22 : Structures des modles SGP, HICUM, MEXTRAM et VBIC, d'aprs [41].

Le modle VBIC dcrit l'effet Early en fonction des charges accumules dans les zones de charges d'espace des jonctions du transistor. Par la suite les tensions d'Early, que l'on peut extraire de ce modle, sont maintenant fonction de la polarisation du transistor. Ainsi, la courbe de gauche, donne en figure 23, montre l'volution de cette caractristique en fonction de la tension VCE et pour diffrents courants de base d'aprs le modle VBIC.

42

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

figure 23 : Evolution de la tension d'Early en fonction de Ib et VCE d'aprs les modles VBIC (gauche) et HICUM (droite), d'aprs [41].

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Les fonctions d'interpolation utilises dans le modle VBIC sont diffrentes de celles utilises dans le modle SGP. Selon la fonction utilise, la tension d'Early extraite du modle suit une volution diffrente. Ainsi, celle du modle VBIC donne une courbe non monotone de la tension d'Early directe, ce qui conduit des discontinuits de la drive de cette fonction, qui est un non sens physique et conduit des problmes de convergence du modle aux points singuliers.

D'autres modles, tels que les modles MEXTRAM et HICUM, ont ainsi t dvelopps afin de rduire le nombre de paramtres extraire et la prsence des points singuliers, responsables des problmes de convergence. Ces modles utilisent une approche plus physique des phnomnes intrinsques au transistor bipolaire afin de supprimer les non-sens physiques des discontinuits dans les fonctions d'interpolation. Ainsi, la courbe de droite, donne en figure 23, montre l'volution de la tension d'Early en fonction de la tension VCE, obtenue avec un modle de type HICUM.

Le modle VBIC permet cependant d'obtenir de bons rsultats sur la caractristique de la frquence de coupure, en fonction du courant de collecteur du transistor. Nous pouvons ainsi observer sur la figure 24, l'volution de cette caractristique en fonction du courant de collecteur du TBH et pour diffrentes tensions VCE, d'aprs ce modle. Si l'on compare ces courbes celles donnes en figure 19 on constate que

43

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe les modles VBIC et MEXTRAM sont plus prcis pour dcrire le comportement dynamique d'un TBH fortement polaris.

Comportement d'un TBH d'aprs les modles :

VBIC (----) MEXTRAM (- - ) Medici ( )

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figure 24 : Frquence de transition calcule d'aprs les modles VBIC, HICUM et le logiciel Medici (simulateur physico-lectrique), en fonction de Ic pour VCE=0, 1 et 5 Volts, d'aprs [41].

L'amlioration de la prcision, dans le calcul de la frquence de transition, est galement observable sur les simulations de distorsion. La figure 25 donne ainsi l'volution du fondamental et des harmoniques d'ordre 2 et 3, en fonction du courant de polarisation de collecteur et pour plusieurs tension VCE. Ces rsultats sont donns d'aprs les modles VBIC (colonne de gauche), MEXTRAM (colonne de droite) et la modlisation physico-lectrique d'un TBH ralise l'aide du logiciel MEDICI comme rfrence ces deux modles.

44

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

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figure 25 : Simulation avec Mdicis et les modles VBIC et HICUM de la distorsion, d'aprs [41].

45

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe Outre la prsence de points singuliers, l'inconvnient du modle VBIC concerne sa complexit. Ainsi, il regroupe au total sept nuds internes dans sa structure, ce qui implique un nombre important de paramtres qu'il est difficile d'extraire et qui fait que ce modle est difficilement exploitable. Les modles MEXTRAM et HICUM, ont ainsi t dvelopps afin de rduire le nombre de paramtres extraire et la complexit des modles qui pnalisent les temps de calculs et d'extraction. Le tableau 3 rsume les caractristiques de chaque modle.

Forte injection Effet Early Quasisaturation Charge stocke dans la base Rbb'

SGP OUI Effet Early Non Charge contrle Q=I Modulation de conductivit/ dfocalisation Bessel du 2 ordre 1/f, thermique, grenaille Oui, sans effet Kirk Non Non

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MEXTRAM OUI Charge de dpltion Effet Kirk Qpi, Ipi Indpendante

HICUM OUI Charge de dpltion Effet Kirk Qpi, Ipi Dans Qf

VBIC95 OUI Charge de dpltion Qpi, Ipi Indpendante

Non quasistatic Bruit Avalanche PNP parasite Sensibilit de CTC la polarisation Jonction B/C extrinsque Autochauffement Nuds internes Nombre de paramtres

Modulation de conductivit/ dfocalisation Distribution de la charge dans Qf 1/f, thermique, grenaille Oui, avec effet Kirk Oui Oui

Modulation de conductivit/ dfocalisation Retard dans CDE et gm thermique, grenaille Oui Non Oui

Modulation de conductivit/ dfocalisation Bessel du 2 ordre 1/f, thermique, grenaille Oui, sans effet Kirk Oui Non

CJC distribue Non 3 35

Cellule en pi Oui, nuds internes 5 39

2 cellules RC Oui 4 36 Oui 7 70/63

tableau 3 : Caractristiques des modles.

46

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe Ainsi, le modle SGP qui est actuellement le standard le plus rpandu dans les logiciels de simulation lectrique est vou tre remplac dans l'avenir par un nouveau standard qu'il reste dfinir. Les modles actuellement dvelopps afin de le remplacer prsentent chacun des avantages et des inconvnients. Le modle VBIC est complexe et difficile extraire et conduit galement des aberrations physiques. Les modles HICUM et MEXTRAM, bass sur une approche plus physique, vitent cet inconvnient. Des simplifications ont galement t faites afin de rduire le nombre de paramtres extraire. Cependant, des expriences ont montr que le degr de maturit des modles MEXTRAM, HICUM et VBIC navait pas atteint celui des modles SGP. En particulier pour les simulations non linaires, ils prsentent encore dnormes problmes de convergence. Pour ces raisons, au cours de nos travaux de thse, nous avons utilis des transistors dcrits partir dun

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modle de Gummel-Poon.

2.6.2 :

Les modles passifs

En ce qui concerne les modles des lments passifs, dans la plupart des cas, on utilise des modles distribus (en Pi, en T) plus ou moins complexes qui sont issus de mesures. De plus en plus, les concepteurs sont obligs davoir recours aux simulations lectromagntiques quasi-statiques ou dynamiques (2D et/ou 3D) pour pouvoir dvelopper des composants passifs pouvant fonctionner sur une large bande de frquence. Parmi les logiciels disponibles nous pouvons citer ASITIC qui est simple dutilisation et donne des rsultats satisfaisants. MOMEMTUM et SONNET sont des logiciels 2,5 D qui rsolvent les quations de Maxwell par une mthode des moments. Enfin HFSS, qui est un logiciel utilisant la thorie des lments finis tridimensionnels, donne des rsultats satisfaisants au prix de temps de calculs prohibitifs.

Aprs ce rappel sur l'tat de l'art de la modlisation micro-lectronique, nous allons prsenter dans le paragraphe suivant la technologie BiCMOS SiGe que nous avons utilis au cours de nos travaux.

47

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe 2.7 : Technologie BiCMOS6g de STMicroelectronics. 2.7.1 : Les composants actifs

La technologie BiCMOS que nous avons utilis pour raliser nos circuits MMIC, ainsi que les outils de conception qui y sont associs, nous ont t fournis par STMicroelectronics. Cette technologie intgre des transistors NMOS et PMOS, dont la longueur de grille est gale 0,35 m, ainsi que des transistors bipolaires htrojonction base d'alliage silicium/germanium (TBH SiGe) en structure autoaligne. La largeur d'metteur de ces TBH est de 0,4 m, la longueur est comprise entre 0,8 et 40 m. Il est ainsi possible d'utiliser diffrentes structures de TBH. Les caractristiques des structures dont nous avons pu disposer sont regroupes dans le

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tableau ci-dessous :

Rfrence Mob7d3 Mob8d1 Mob8d3 Mob9d1 Mob9d3 NN111A8 NN111A20 NN121A100 NN342A200 NN561A200

Longueur du doigt d'metteur en m 1,6 3,2 6,4 12,8 25,6 0,8 2,0 10,0 20,0 20,0

Structure de l'accs aux zones actives : NEMET/NBASE/NCOL 111 111 111 111 111 111 111 121 342 561

tableau 4 : Dimensions gomtriques des TBH caractriss. NEMET, NBASE et NCOL sont respectivement le nombre de doigts d'metteur, de base et de collecteur

Trois types de TBH SiGe sont disponibles pour raliser les interfaces de circuits ou les fonctions analogiques. Il s'agit d'abord de TBH SiGe (low voltage) pour les fonctions analogiques ncessitant de bonnes performances en gain. Ces TBH ont une frquence de transition de 45 GHz et une tension collecteur-metteur de claquage (VCEMAX) gale 3,6 volts. Des TBH SiGe (hight voltage) sont galement disponibles pour la ralisation des fonctions analogiques de puissance. Ces TBH ont une frquence de transition de 30 GHz et une tension VCEMAX gal 5,5 volts. Enfin des TBH de type PNP, pour la ralisation les circuits de polarisation et de 48

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe compensation en temprature, sont galement disponibles. La figure 26 reprsente une vue en coupe des TBH SiGe de type NPN.

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figure 26 : Coupe d'un TBH SiGe en technologie BiCMOS6G de STMicroelectronics.

Il a t ncessaire de vrifier le comportement des modles lectriques des TBH la frquence de 10 GHz. Les courbes donnes en figure 27 prsentent en haut gauche, les coefficients de rflexion en entre et sortie du TBH NN342A200 mesur et simul dans la bande 40 MHz-30 GHz. Les coefficients de transfert S21 mesurs et simuls, dans la bande 40 MHz-35GHz, sont donns en haut droite. Les courbes du bas donnent le module en dcibels et la phase en degrs de S21. Ces courbes montrent que l'cart entre simulation et mesure reste acceptable jusqu' la frquence de 10 GHz pour le gain sur 50 ohms (S21). La courbe en haut gauche montre un cart entre les coefficients S22 mesurs et simuls. Nous verrons dans le chapitre 2, qu'au cours de la conception des circuits LNA cette erreur se retrouve sur la qualit de l'adaptation, en sortie des circuits. Les coefficients S11 mesurs et simuls sont trs proches sur toute la bande de frquence observe. Cette tude a t ralise sur tous les TBH disponibles et les conclusions que nous pouvons en tirer sont identiques celles du TBH NN342A200.

49

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

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figure 27 : Comparaison entre mesure et modle du TBH NN342A200 dans la bande 130 GHz. S11 et S33 sont les coefficients de rflexion en entre simuls et mesurs. S22 et S44 sont les coefficients de rflexion en sortie simuls et mesurs. S21 et S43 sont les paramtres de transfert mesurs et simuls.

Il a galement t ncessaire de vrifier le comportement lectrique des modles de composants passifs. Nous allons prsenter les caractristiques des composants passifs dans le paragraphe suivant ainsi que les vrifications qui ont t effectues.

2.7.2 :

Les composants passifs

En ce qui concerne la ralisation dlments passifs, cinq niveaux de mtallisation spars par une couche d' oxyde de silicium, sont disponibles pour raliser les interconnections de ces TBH avec les autres composants disposs sur un circuit intgr. Sur les recommandations de STMicroelectronics, nous avons utilis le

50

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe niveau de mtal n 5 (le plus en surface dans le silicium) pour les pistes devant guider le signal radio frquence. Les niveaux de mtaux n 4 et 3 seront utiliss pour les interconnections des polarisations DC et, si besoin est, lorsque plusieurs pistes doivent se croiser. Le niveau de mtal n 2 sera utilis comme plan de masse du circuit et le niveau de mtal n 1 pour les accs aux composants actifs. Cette technologie permet galement d'intgrer des varactors. Les caractristiques des composants passifs, disponibles dans cette technologie, sont regroupes dans le tableau 5. Rsistivit / 120 133 48 fF/m 2,37 1 Qmin/Qmax 2 17

Rsistances

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Capacits Inductances

Min/Max () 300/1e6 400/1e6 125/350e3 Min/Max (pF) 0,03 - 12 0,03 - 12 Min/Max (nH) 0,66 - 12

Type R poly P R poly N R diffu N Type C poly C mtal Wm/WM (m) 10 - 20

tableau 5 : Caractristiques des lments passifs disponibles sur la technologie de STMicroelectronics.

Pour les rsistances, plusieurs technologies sont disponibles selon la valeur de rsistance souhaite. Des rsistances graves sur des couches de polysilicium dopes P (=120/ ) ou N (=133/ ) sont disponibles pour raliser de fortes valeurs de rsistances. Des rsistances diffuses sont galement disponibles pour les faibles valeurs de rsistances (=50/ ).

Des capacits polysilicium sont disponibles pour raliser les capacits (2,37 fF/m) ainsi que des capacits mtal/mtal (1 fF /m), prsentant un meilleur facteur de qualit au dtriment d'une capacit par unit de surface plus faible.

La structure des inductances dont nous disposions au dbut de notre travail de conception est donne en figure 28.

51

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

Demi anneaux de masse

figure 28 : Vue de dessus d'une inductance en structure coplanaire.

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L'inductance est ralise avec une piste mtallique enroule en spires, entour d'anneaux conducteurs. Ces anneaux sont destins arrter la propagation des lignes de champs autour de l'inductance. Il existe un cart important entre les rsultats du modle associ cette structure et les mesures que nous avons effectues dans la bande de frquence 1 20 GHz. Ainsi la figure 29 permet de comparer le modle et les mesures d'une inductance de valeur nominale de 1nH comportant 2,5 spires. La piste de l'inductance prsente une largeur de 10 m. Ces courbes donnent les valeurs de l'inductance simule en mode diffrentiel (LDSIM) et mesure (LDMES). L'inductance en mode commun simule (LCSIM) et mesure (LCSIM) sont galement reprsentes. Les facteurs de qualits en mode diffrentiel simuls et mesurs sont respectivement donns par les grandeurs QDSIM et QDMES. Enfin, les courbes QCSIM et QCMES donnent les facteurs de qualit en mode commun simul et mesur.

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CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

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figure 29 : Comparaison d'une inductance et de son facteur de qualit avec le modle lectrique du design-kit.

Ces courbes montrent des erreurs sur l'valuation du facteur de qualit des inductances au-del de 15 GHz. Ainsi nous avons relev une erreur maximale d'environ 70 % une frquence gale 25 GHz sur le facteur de qualit en mode diffrentiel. Ces erreurs proviennent de la structure du modle retenu. Ces modles sont bass sur une structure en pi, reprsente en figure 30.

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Csub

[Link]

Csub

Rsub

Rsub

Rsub

figure 30 : Structure des modles des premires gnrations d'inductances.

53

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe L'ensemble des caractrisations que nous avons effectues montre qu'il n'est pas possible d'utiliser ce type d'inductance dont la valeur nominale est suprieure 2 nH, la frquence de 10 GHz.

Les inductances rcemment disponibles dans les dernires volutions de la technologie BiCMOS utilisent un plan de masse prsentant des discontinuits (pattern ground shield) dispos entre le substrat et l'inductance, comme l'indique la figure 31. Les bandes disposes entre le substrat et l'inductance sont en polysilicium. Leur rle est de modifier les paramtres RSUB et CSUB. Des valeurs appropries des ces deux paramtres permettent d'optimiser l'volution frquentielle du facteur de qualit.

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figure 31 : Structure des inductances "pattern-ground".

Ces inductances ont t utilises au cours des dernires conceptions de circuits. Comme nous venons de l'expliquer, cette structure permet de rduire les pertes dans le substrat. Ainsi, les valeurs de facteurs de qualit en haute frquence sont amliores. Le nouveau modle qui a t dvelopp pour cette nouvelle structure est prsent sur la figure 32 et utilise un modle en T. La structure d'un tel modle est donne ci-dessous :

54

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

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Csub

Rsub

figure 32 : Structure des modles des dernires gnrations d'inductances.

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Les simulations effectues d'aprs les modles donns en figure 30 et figure 32 ont t compares aux donnes exprimentales obtenues par les caractrisations des inductances. La figure 33 montre l'exemple des rsultats observs pour une inductance d'une valeur nominale de 0,52 nH. Les courbes de gauche donnent la valeur de l'inductance, en fonction de la frquence, d'aprs les modles en pi et en T ainsi que la mesure effectue. Les courbes de droite donnent ces mmes caractrisations pour la rsistance srie de l'inductance. Nous pouvons constater la bonne prcision des modles du moins jusqu' 15 GHz.

figure 33 : Courbes thoriques (modle en T et en Pi) et exprimentale d'une inductance de 0,52 nH. La structure des modles de capacits est donne cidessous en figure 34.

55

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe

Ls

Rs

Co

Rs Cox

Ls

Rsub

Csub

figure 34 : Structure des modles de capacits.

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Les effets de substrat sont modliss par les capacits Csub, Cox et la rsistance Rsub. Les rsistances d'accs la capacit sont modlises par Rs et les effets de rsonance haute frquence par l'inductance Ls. Aucun problme n'a t constat avec ce modle de capacit pour des frquences infrieures ou gales 10 GHz.

2.8 : Conclusion

Les performances dynamiques des transistors bipolaires silicium sont fortement influences par l'efficacit d'injection qui diminue rapidement avec la surface d'metteur. L'impossibilit de doper fortement la base des transistors bipolaires sans dgrader les autres caractristiques a longtemps limit l'utilisation de ces transistors dans le domaine des micro-ondes. Les progrs technologiques permettent aujourd'hui de raliser des couches base d'alliages silicium/germanium chimiquement stable. La ralisation de telles couches devient ainsi compatible avec les procds de fabrication de circuits intgrs de type CMOS. L'utilisation de ces couches permet d'obtenir un rtrcissement de la bande interdite dans la base qui permet d'amliorer sensiblement l'efficacit d'injection tout en dopant fortement la base des transistors. La prcision de l'implantation de germanium permet galement de raliser des gradients de bande interdite le long de la base qui rduit le temps de transit des porteurs dans cette rgion du transistor. Ces progrs font qu'il est

56

CHAPITRE 1 : RAPPELS et PRESENTATION DE LA TECHNOLOGIE BiCMOSiGe possible d'intgrer sur un mme circuit des transistors bipolaires htrojonction silicium/germanium, bien plus rapides que les transistors bipolaires silicium, et des transistors MOS. L'utilisation de la technologie BiCMOS SiGe prsente un grand intrt auprs des constructeurs pour l'intgration sur une mme puce de terminaux de communication mobiles performants et peu coteux.

La conception d'interfaces radio frquences fonctionnant dans la bande X demande le dveloppement des fonctions ncessaires ce type de circuits tels que les amplificateurs et les oscillateurs. La technologie BiCMOS SiGe tant encore au stade du dveloppement, il a t ncessaire de vrifier les modles dont nous disposions avant de dmarrer tout travail de conception. Ces vrifications nous ont montr que les modles de transistors sont utilisables jusqu' 10 GHz mais qu' cette frquence

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les modles d'inductances sont encore imprcis. Les autres types de composants passifs ne posent pas de problme pour une utilisation 10 GHz. Aucun modle de ligne coude n'est disponible actuellement dans les outils de conception, ce qui pose des contraintes supplmentaires dans la conception des circuits. Par consquent, il faut veiller limiter la longueur et le nombre de coudes des lignes d'interconnection.

57

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

CHAPITRE 2 :
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CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLE BRUIT

EN BANDE X

58

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

1. Introduction
Une communication radio n'est possible que si la puissance recueillie par l'antenne reste suprieure un seuil appel seuil de sensibilit. Si cette condition n'est pas vrifie, la puissance des sources de bruit parasites (PN) qui se superposent au signal utile (PS) empche toute interprtation de l'information vhicule par ce dernier. La notion de rapport signal sur bruit permet de quantifier la prpondrance des sources de bruit sur un signal, l'aide de l'expression I. 32. Il existe un rapport signal sur bruit (RSB), en dessous duquel la rception d'un signal vhiculant une information devient impossible.

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RSB =

PS PN

I. 32

Comme l'indique la figure 35, les sources de bruit se divisent en deux catgories :

Les sources de bruit localises dans l'espace compris entre les antennes d'mission et de rception. Ces sources proviennent du bruit ambiant naturel ou sont lies l'activit humaine; dsignons leur puissance par PB1.

Les sources de bruits propres aux composants du rcepteur radio. La puissance de ces sources est conditionne par la qualit des composants; dsignons par PB2 la puissance de ces sources de bruit en sortie du pramplificateur d'antenne de gain A.

b1 Se Sr

Ga

Rcepteur b2
figure 35 : Sources de bruit dans une transmission radio.

59

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

Le rapport signal sur bruit, du signal capt par l'antenne est alors Sr/PB1. L'lectronique de rception doit pouvoir traiter le signal Sr et cela exige d'abord que ce signal soit amplifi en dgradant le moins possible le rapport signal bruit. L'existence de PB2 rend cependant invitable cette dgradation et le nouveau rapport signal bruit s'crit : S2 A Sr = PB 2 GA PB1 + PB 2 dfinie par le facteur de bruit : F = 1+ PB 2 GA PB1
I. 34 I. 33

o A est le gain de l'amplificateur. La dgradation relative du rapport signal bruit est

Cette relation montre que cette dgradation est minimale si F est faible donc si PB2/A

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est faible. Il faut donc un amplificateur qui gnre en son sein la puissance de bruit la plus faible possible pour un gain le plus lev possible. Il est du reste noter que l'lectronique des tages en aval du pramplificateur peut, elle aussi, contribuer la dgradation du rapport signal bruit puisque le facteur de bruit global FT est donn par (thorie de Friis) : FT = F + F '1 GA
I. 35

o F' est le facteur de bruit des tages en aval du pramplificateur. Cette relation montre que l'obtention d'un facteur de bruit F faible est une condition ncessaire mais pas suffisante : il faut aussi que A soit lev afin de masquer le bruit des tages en aval du pramplificateur.

Les travaux mens dans le domaine des technologies bipolaires base d'alliages SiGe font que cette technologie devient concurrente des technologies base de composs III-V utilises jusqu' prsent dans le domaine de l'amplification faible bruit en micro-onde. L'tat de l'art dans ce domaine d'application des technologies SiGe est rsum dans le graphique suivant :

60

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

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figure 36 : Etat de l'art des technologies bipolaires SiGe dans le domaine de l'amplification faible "bruit", d'aprs [1].

o sont regroups les diffrents rsultats publis pour des applications fonctionnant 2,5 GHz, 6 GHz et 10 GHz. STMicroelectronics souhaitant dvelopper ce type d'application pour la bande X avec sa technologie BiCMOS SiGe, le travail que nous allons exposer dans ce chapitre a consist tudier la conception de circuits amplificateurs faible bruit (LNA) fonctionnant la frquence de 10 GHz, base d'une technologie BiCMOS SiGe.

Dans une premire partie, nous ferons un rappel sur les diffrents phnomnes responsables du bruit aux frquences micro-ondes ainsi que sur les quantits optimiser pour amliorer les performances en bruit dun amplificateur. Dans un second temps, nous prsenterons les autres paramtres importants pour la conception de circuits faible bruit, qui sont le gain en puissance, la stabilit et la linarit.

Nous exposerons ensuite la technique utilise pour optimiser la fois le bruit et le gain dans le cadre dun amplificateur base de transistors bipolaires.

61

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

Dans un troisime temps, nous nous intressons diffrentes topologies de circuits et nous en dduirons celle qui doit tre privilgie pour obtenir la fois de bonnes performances en terme de bruit, de gain, de linarit et de puissance consomme. Nous terminons le chapitre par les rsultats de la caractrisation que nous avons men sur la topologie damplificateur que nous avons choisie.

2. Rappels sur les phnomnes de bruit aux frquences microondes

Le bruit dun amplificateur micro-onde est li aux sources de bruit gnres dans les composants qui le constituent. Ces sources de bruit sont irrductibles car elles sont

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lies la nature corpusculaire de l' lectricit. Par consquent le bruit qu' elles gnrent constitue le plancher de bruit des composants. Pour les composants actifs deux types de sources de bruit sont observs dans ce domaine du spectre frquentiel. Nous les prsentons de faon simplifie ci-dessous. Les sources de bruit des composants passifs tant bien plus faibles, nous n' aborderons pas ce sujet dans les paragraphes qui suivent. 2.1 : Le bruit de grenaille

Le bruit de grenaille est du la traverse des barrires de potentiel que prsentent les deux jonctions dun transistor bipolaire par les porteurs de charges. On dmontre [2] que le bruit de grenaille gnre un spectre de bruit blanc qui est proportionnel au courant qui traverse la jonction (I). La densit spectrale du bruit de grenaille S(f) est donne par l' expression suivante : S(f) = 2 q I
I. 36

La figure 37 illustre les diffrents groupes d' lectrons qui traversent les jonctions d' un transistor bipolaire NPN. Le groupe 1 est constitu des lectrons de base collects par l' metteur. Le groupe 2 ceux injects par l' metteur dans la base. Le groupe 3 reprsente la fraction d' lectrons injects par l' metteur dans la base et qui retournent dans l' metteur. Le groupe 4 se compose des lectrons injects par l' metteur travers la base. Le groupe 5 est la fraction d' lectrons gnrs dans la

62

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

base et collects par le collecteur. La mme dmarche est applicable aux flux de trous travers les jonctions du transistor bipolaire.

N
1 2 3 4

Ie

Ic

Ib
figure 37 : Groupes de porteurs traversant les jonctions dun transistor.

Le bruit de grenaille gnr la traverse des deux barrires de potentiels a t

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tudi par Van Der Ziel [2], [3]. Dans le cas d'une jonction, traverse par un courant I et de conductance G, la densit spectrale de ce bruit est :

S ( f ) = 4 KTG 2qI

I. 37

2.2 : Le bruit thermique

L'agitation thermique des lectrons libres dans un semi-conducteur et l'interaction de ces derniers avec les atomes du cristal crent des fluctuations des positions et vitesses des lectrons. En moyenne, les lectrons ne se dplacent pas, mais ces fluctuations engendrent un courant variable au cours du temps moyenne nulle. Si l'on applique au semi-conducteur un champ lectrique E, les lectrons vont subir un mouvement d'ensemble colinaire au vecteur E. Au cours de leur dplacement les lectrons interagissent toujours avec les atomes du cristal. Ainsi au cours de leur dplacement dans le cristal, les lectrons subissent individuellement des modifications alatoires de leur quantit de mouvement. La direction et le module de la vitesse instantane dun lectron vont ainsi fluctuer. Ceci engendre des fluctuations alatoires, au cours du temps, du courant qui traverse un semiconducteur, autour de sa valeur moyenne. On dmontre que le spectre du bruit thermique est constant avec la frquence et peut tre reprsent par une source de tension dispose en srie avec une rsistance gale celle que prsente la rgion

63

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

modlise. Dans ce cas, la densit spectrale en bruit s'exprime en V/Hz l'aide de l'expression I. 38.

Sv(f) = 4 K T R

I. 38

K est la constante de Boltzmann, T la temprature en degrs kelvin et R la rsistance en Ohms du cristal semi-conducteur. Ce bruit est toujours prsent mme en l'absence d'une force lectromotrice applique au semi-conducteur.

Nous avons abord en introduction de ce chapitre la notion de rapport signal sur bruit et soulign l'importance de cette caractristique pour un signal transportant une information. Nous l'avons reli au facteur de bruit du pramplificateur. On montre que cette caractristique est sensible au coefficient de rflexion de la source (S), c'est

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dire en amont du pramplificateur, et qu'elle volue de manire parabolique autour d'une valeur optimale (FMIN) qui est atteinte lorsque le coefficient de rflexion de source est gal 0. L'cart entre cet optimum et le facteur de bruit observ est donn par l'expression suivante [4] :
F FMIN

s 0 = 4 rn (1 s 2 ) 1 + 0 2
2

I. 39

Dans cette expression, FMIN reprsente le facteur de bruit minimum, rn la rsistance quivalente de bruit rduite (elle reprsente le taux de dgradation du facteur de bruit lorsquon scarte de ladaptation optimale en bruit) et enfin o reprsente le coefficient de rflexion optimum en bruit. On montre galement [4] que l'cart F-FMIN est constant si 0 dcrit un cercle, appel cercle bruit constant, sur l'abaque de Smith (voir figure 38). CFI et RFI sont respectivement le centre et le rayon de ce cercle. Les expressions de ces deux paramtres sont donnes ci-dessous :
2 2 Fi F min 0 1 ; Rfi = 1 + 0 Ni 2 + Ni 1 0 avec Ni = 4rn 1 + Ni 1 + Ni

Cfi =

I. 40

64

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

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figure 38 : Cercles bruit constant.

Cependant le facteur de bruit nest pas la seule caractristique qu' il est important de matriser pour la conception dun amplificateur faible bruit. Nous allons prsenter dans le paragraphe suivant d' autres caractristiques quil convient galement doptimiser.

3. Amplification, gain en puissance et stabilit

La figure 39 prsente un transistor bipolaire, figur par le quadriple Q, connect l' aide de lignes d' impdance caractristique gale 50 ohms, une source d' excitation d' impdanceSOURCE et une impdance de charge ZCHARGE. La source Z d' excitation est caractrise par un coefficient de rflexion SOURCE et l' impdance de charge, par un coefficient de rflexion CHARGE.

65

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

Zsource

S11 source

Quadriple

S22 charge

Zcharge

Psource Zc=50 a1 b1

Q
Zc=50 a2 b2

figure 39 : Vue d'un quadriple ferm sur ses impdances de source et de charge au travers de

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lignes 50 .

A l'autre extrmit de la ligne 50 ohms, l'entre du transistor voit une source de coefficient de rflexion S et sa sortie une charge de coefficient de rflexion L. Le gain unilatral (GU) du transistor, dont on connat les coefficients Sij des paramtres S la frquence d'intrt, se dfinit comme le rapport de la puissance dlivre la charge (Pcharge) sur la puissance disponible la source d'excitation (Psource), en supposant le quadriple unilatral (S12=0).

PCHARGE (1 s ) (1 L ) 2 GU = = S 21 PSOURCE (1 S11 s ) 2 (1 S 22 L ) 2

2 2

I. 41

Cette expression nous permet de dcomposer le gain unilatral du transistor en un produit de trois termes indpendants :

Go = S 21

: Ce terme dpend de la polarisation et de la technologie du

transistor.
G1 = 1 s / (1 S 11 s )
2

: qui dpend du transistor et de l'impdance de source. :qui dpend du transistor et de l'impdance de charge.

G 2 = 1 l

)/ (1 S

22

l )

Le gain d'un transistor est donc fonction de ses caractristiques dynamiques (paramtres S) et des impdances de source et de charge du circuit. Nous allons voir, dans le paragraphe suivant, comment volue le gain unilatral d'un transistor 66

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X avec les coefficients S et L. Nous verrons galement quelles valeurs d'impdances, de source et de charge, utiliser pour obtenir un gain le plus lev possible et ainsi raliser des circuits amplificateurs fort gain. Nous aborderons galement les conditions respecter pour assurer une stabilit inconditionnelle du transistor.

3.1 : Adaptation en puissance

La puissance disponible sur la charge du circuit unilatral est maximale si la condition suivante est vrifie [4] :

S = S 11 *
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si la condition suivante est vrifie [4] :
L = S 22 *

I. 42

De mme, la puissance dlivre par la source d'excitation est dans ce cas maximale

I. 43

Si ces deux conditions sont respectes, le gain unilatral du transistor prend la forme suivante [4] :
GUN = S 21
2

1 1 2 2 1 S 11 1 S 22

I. 44

Si ces conditions ne sont pas respectes, le gain unilatral volue avec les coefficients S et L entre GUN et 0. Les termes Go, G1 et G2 tant indpendants, nous pouvons tudier sparment l'volution du gain unilatral avec les coefficients S et L. Le terme G1 [4] devient nul lorsque s est gal 1 et prend sa valeur maximale (G1MAX) [4] lorsque s = S 11 * . G1MAX est alors gal 1/(1-S11). Pour une valeur quelconque de S, il est ncessaire de rsoudre l'quation suivante :
G 1( s ) = G1 G 1 MAX = g i = const
I. 45

On montre [4] que les solutions cette quation forment un cercle sur l'abaque de Smith. Le rayon RS de ce cercle et sa distance DS par rapport au centre de l'abaque sont donns par les expressions suivantes :
DS = g 1 S 11 2 1 S 11 (1 g1)
2 1 g 1 ( S 11 ) 1 2 1 S 11 (1 g 1)

RS =

avec

g1 =

G1 2 = G1 (1 S 11 ) G1MAX

I. 46

67

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

Ce cercle est appel cercle gain constant ct source, il est positionn sur une droite qui joint le centre de l'abaque et le point S11* (voir figure 40 ci-dessous).

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figure 40 : Cercles gain constant ct source d'aprs [4].

Le mme type de raisonnement peut tre appliqu G2 qui volue avec le coefficient L. Le rsultat est alors de la mme forme qu'en I. 46, o il faut simplement remplacer les termes S11 par S22 et G1 par G2. En pratique les impdances de source et de charge sont gales ZC et SOURCE=S=CHARGE=L=0 (a). Dans ce cas, l'expression I. 44 indique que le gain unilatral est maximum.

GU = S 21

I. 47

Ainsi, si l'on dsire raliser un amplificateur fort gain en puissance, il est ncessaire d'adapter en impdance le TBH (SOURCE=S=CHARGE=L=0). Ces conditions sont runies en utilisant des quadriples disposs en entre et en sortie du TBH. Ces quadriples sont raliss avec des composants passifs, leur effet est de modifier les impdances d'entre et de sortie du TBH.

68

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

3.2 : Conditions de stabilit d'un circuit amplificateur.

Toutefois l'ensemble ainsi obtenu prsente gnralement un paramtre S12 diffrent de zro. Ceci signifie que le gain rellement obtenu peut s'carter de celui prvu par l'expression I. 47. Cela signifie aussi qu'une partie du signal peut tre rinjecte sur l'entre. Si les conditions de phase sont vrifies, le circuit devient autonome et se met osciller, ce qui est bien videmment viter.

Pour

traiter

ce

problme,

on

distingue

les

stabilits

conditionnelles

et

inconditionnelles. On parle de stabilit conditionnelle lorsque la stabilit du quadriple est vrifie seulement pour certaines valeurs d'impdances de source et

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de charge, la frquence de fonctionnement. Si les conditions de stabilit sont vrifies quelles que soient les impdances de source et de charge, on parle alors de stabilit inconditionnelle. Il faut toujours chercher satisfaire cette condition car si S et L sont proches de zro aux frquences de fonctionnement, elles pourront prendre priori n'importe quelles valeurs aux autres frquences o le quadriple a du gain et notamment aux basses frquences. On montre que le circuit reste stable si le facteur K, appel facteur de Rollet, dont l'expression est donne ci-dessous [4], reste suprieur un toutes les frquences.
K= 1 + S 11 S 22 S 12 S 21 S 11 S 22
2 2 2

2 S 12 S 21

I. 48

o les paramtres S sont ceux du quadriple. En effet pour certains types de circuits susceptibles de prsenter des instabilits internes, des analyses bases sur le critre de Nyquist peuvent s'avrer ncessaires.

Enfin, la dernire caractristique qu'il convient de quantifier sur un circuit actif est son comportement non-linaire. Ce dernier est responsable, tout comme le bruit, de l'apparition de signaux parasites. Dans le paragraphe suivant nous rappelons les grandeurs utilises pour caractriser ce comportement des circuits amplificateurs.

69

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

4. Non-linarits, gain de compression

L'expression analytique de la rponse temporelle d'un circuit non linaire peut se dvelopper selon la srie entire suivante [5] :
V S ( t ) = a 1 V E ( t ) + a 2 V E ( t ) + a 3 V E (t ) +
2 3

I. 49

Pour un signal sinusodal, de frquence f0 et d'amplitude E, I. 49 se met sous la forme suivante :

2 3 2 3 a2E 3a 3 E a2E a3E V S (t ) = cos( 2 fo t ) + cos( 4 fo t ) + cos( 6 fo t ) + + a1 E + 2 4 2 4

I. 50

Nous pouvons identifier dans I. 50 l'apparition de termes supplmentaires, dans le spectre du signal en sortie d'un circuit non linaire, que l'on peut simplifier sous la

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forme suivante :
V S (t ) = A o + A1 cos( 2 fo t ) + A 2 cos( 4 fo t ) + A 3 cos( 6 fo t ) + + A N cos( 2 N fo t )
I. 51

I. 51 montre que le signal en sortie des circuits non linaires est compos de :

Un signal continu, dit d'autopolarisation : Ao Un signal de mme frquence que VE, dit fondamental : A1cos(2fot) De signaux dont les frquences sont des multiples entiers de fo, appels harmoniques : ANcos(n2fot), n est l'ordre de l'harmonique en question.

ei(t)

es(t)

fondamental harmoniques

2 3

figure 41 : Distorsion harmonique dans un circuit non linaire.

70

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

Les harmoniques sont caractristiques du comportement non linaire des circuits, qui dforment ainsi le signal traiter. Ce phnomne est appel distorsion et se caractrise l'aide du taux de distorsion harmonique (TDH), qui est dfini par le rapport suivant :

TDH =

A
i 2

2 i

I. 52

A0

Cependant le TDH ne donne pas une description complte des consquences du comportement non linaire d'un circuit. Une de ces consquences est la sensibilit du terme A1 la puissance applique un transistor. En effet, les expressions I. 50 et I. 51 montrent que l'amplitude du fondamental (A1) est sensible la non linarit d'ordre 3. L'amplitude de cet harmonique dpend de la puissance qui est applique

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au circuit (PIN). Ainsi, la puissance du fondamental est affecte par PIN. Cela se traduit par une chute du gain en puissance lorsque PIN devient importante car le terme a3 est ngatif, comme l'illustre la figure 42.

Go

Pout
1 dB 1 dB

Pin

PC1dB

Pin

figure 42 : Evolution du gain en puissance, point de compression 1 dB.

On dfinit le point de compression 1 dB lorsque cette dviation du gain est gale 1 dB. La puissance applique au circuit laquelle correspond ce point est appele point de compression, ramen en entre, et s'exprime en dBm.

Lautre

consquence

du

comportement

non-linaire

d'un

circuit

concerne

lintermodulation. Des signaux parasites, trs proches du fondamental, apparaissent alors dans le spectre du signal en sortie du circuit lorsque ce dernier est soumis simultanment plusieurs signaux de frquences proches. Ce phnomne est 71

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

caractris par le point d'interception d'ordre 3, dont nous allons donner la dfinition dans le paragraphe suivant.

5. Intermodulation
La thorie de [Link] montre qu'une fonction peut tre dveloppe en une somme continue de fonctions sinusodales. Nous allons montrer que si un tel signal est appliqu un circuit non linaire, des termes supplmentaires, appels produits d'intermodulation, apparaissent dans la dcomposition spectrale du signal en sortie des circuits non linaires. Pour simplifier l'tude, considrons un signal compos de deux sinusodes de mme amplitudes et de frquences voisines, respectivement

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gales f1 et f2.

VE(t) = E cos( f 1 t) + E cos( f 2 t) 2 2

[5] :

avec

f1> f

I. 53

Si l'on reprend I. 49, le signal observ en sortie peut se mettre sous la forme suivante

VS(t) = a1 E [cos( f 1 t) + cos( f 2 t)] 2 2

2 1 1 + a2 E 1+ cos( f 1 t) + cos( f 2 t) + cos( ( f 1 + f 2))t + cos( ( f 1 f 2))t 4 4 2 2 2 2 3 9 9 1 1 + a3 E cos( f 1 t) + cos( f 2 t) + cos( f 1 t) + cos( f 2 t) 2 6 6 4 2 4 4 4 3 cos( f 1 + 2 f 2)t + 3 cos( f 1 2 f 2)t + 3 cos( f 2 + 2 f 1)t 4 4 4 3 4 4 + a3 E 4 3 4 + cos( f 2 2 f 1)t 4

I. 54

72

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

Amplitude

f=f1-f2

Rjection IM3
IM2 f2 -f1 IM3 2 f1+f2 2 f2+f1

IM2 f1+f2

f1 f2
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2 f1 2 f2 Harmoniques ordre 2

f (Hz)

figure 43 : Produits d'intermodulation dans un circuit non linaire.

Des termes, dont la frquence est une combinaison linaire de f1 et f2, apparaissent dans le spectre du signal comme indiqu dans lexpression suivante : fn = m1 f 1 + m 2 f 2 avec n = m1 + m 2 n, m1, m 2 N
I. 55

Ces termes sont appels produits dintermodulation dordre n. Nous pouvons observer sur la figure 43 que les produits d' intermodulations d' ordre 3, distants du fondamental de f, vont tre trs proches du fondamental, si f1 et f2 sont voisines. Il est impossible de filtrer ces produits d' intermodulation qui polluent les frquences adjacentes au signal amplifi. D' aprs l' quation 54, l' amplitude des produits I. d' intermodulation d' ordre 3 est donne par l' expression suivante : [5]
EIM3= 3 a3E3 4
I. 56

et l' amplitude du fondamental par : [5]

Efond =a1E

I. 57

Le trac des puissances respectivement associes au fondamental (PS1) et au produit dintermodulation dordre 3 (PS3), en fonction de la puissance applique au circuit (PIN), est donn sur la figure 44. Les courbes PS1 et PS3 prsentent respectivement des pentes gales 1 et 3. Les prolongements asymptotiques de ces courbes se croisent en un point, appel point dinterception dordre 3, comme 73

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

lindique la figure 44. Plus ce point est haut sur lchelle de PIN et moins lintermodulation dordre 3 est gnante. Au-del dune certaine puissance applique au circuit, la puissance de ces produits devient importante devant le signal transmettre et pollue le spectre adjacent au signal fondamental.
Pout (dBm)

Ps1

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Ps3 IIP3

Pin (dBm)

figure 44 : Point d'interception d'ordre 3.

Aprs ce rcapitulatif des caractristiques quil est important doptimiser pour la conception damplificateurs faibles bruit, nous allons dtailler le comportement des paramtres en bruit avec la polarisation et la gomtrie du TBH. Nous allons ainsi voir quil est possible doptimiser le facteur de bruit dun TBH en adoptant une gomtrie et une polarisation de TBH adquate.

6. Evolution du facteur de bruit avec la polarisation et la surface d'metteur du transistor

Afin de dterminer les conditions de fonctionnement optimales en bruit dun TBH, il est ncessaire de connatre l' volution des paramtres de bruit avec le courant de polarisation et la gomtrie du transistor bipolaire. On montre [6], [7] que le paramtre FMIN peut sexprimer de la manire suivante : F min n f 2 Ic ft 2 = 1+ + (re + rbb ') 1 + o ft 2 o ft UT n 2 ft 2 + o f 2
I. 58

74

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

Ic est le courant de polarisation de collecteur, fT la frquence de transition, n le facteur d'idalit et o le gain en courant du transistor. Les termes rE et rBB' sont respectivement les rsistances d'metteur et de base du transistor. Les travaux de [Link] [6] ont montrs que, si la longueur dmetteur (LE) est grande devant la largeur d'metteur (WE), le paramtre FMIN ne dpend plus que de la densit de courant du collecteur (JC). Nous verrons par la suite, que le paramtre FMIN est minimum pour une valeur particulire de JC, appele JCOPT, propre la technologie du TBH et indpendante de LE. Ses travaux ont galement montr que, dans ces conditions, la rsistance de source optimale en bruit (ROPT), dont nous donnons la dfinition ci-dessous en I. 59, [6] est

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inversement proportionnelle LE. 1+ 0 ROPT = ZC Re 1 0

I. 59

Il est donc possible, pour une technologie donne, doptimiser le facteur de bruit dun TBH en adoptant une densit de courant de collecteur et une longueur dmetteur appropries. En effet nous allons voir plus loin quun TBH, dont le paramtre ROPT est gal 50 ohms, est facilement adaptable en bruit et en impdance sur la rfrence 50 ohms. Si de plus le paramtre FMIN est faible, il est possible de raliser des circuits amplificateurs faible bruit. Nous avons donc tudi lvolution thorique des paramtres de bruit de toutes les structures de TBH dont nous disposions, en fonction de JC et de LE. Les simulations ont t effectues, en utilisant un modle non linaire de composant de type Gummel-Poon, sur une plate forme de simulation commerciale ADS de la socit Agilent. Chaque structure se distinguant par son nombre de doigts daccs aux rgions actives du TBH et sa longueur de doigt. Nous rappelons dans le tableau ci-dessous ces caractristiques ainsi que la longueur de doigt pour les TBH de STMicroelectronics.

LE (m) (A) (B) (C) (D) 2 10 20 20

N metteur 1 1 3 5

N base 1 2 4 6

N collecteur 1 1 2 1

75

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

tableau 6 : Caractristiques gomtriques des TBH tudies.

La longueur dmetteur tant galement optimiser, nous avons dispos un nombre variable de TBH en parallle, pour faire varier ce paramtre. La longueur totale est obtenue en multipliant la longueur de doigt dun TBH par le nombre de composants en parallle. La longueur LE figure en paramtre sur les diffrentes courbes traces en figure 45. Ces courbes donnent lvolution du facteur de bruit minimum (FMIN), de rsistance de source optimale en bruit (Ropt), du gain disponible (GA) et du coefficient de rflexion de source optimum en bruit (O), en fonction de la densit de courant de collecteur (Jc), pour le TBH B. La dfinition du gain disponible est rappele cidessous :
2 2 2 2 1 S 11 S 22 + S 11 S 22 S 12 S 21 k k 1 avec k = 2 S 12 S 21

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GA =

S 21 S 12

I. 60

Nous observons sur ces courbes que FMIN est minimum (2,0dB) pour JC gal 17 kA/cm.

figure 45 : Evolution de Fmin, Ropt GA SOPT en fonction de Ic, pour diffrentes longueur dmetteur, ralises laide du simulateur ADS sur le TBH B 10 GHz.

76

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

Nous observons galement que pour une longueur dmetteur de 20 m, le paramtre ROPT est trs proche de 50 ohms, pour JC=17 kA/cm. Le gain disponible suit une volution diffrente. Sa valeur maximale est observe pour JC=210 kA/cm. Dans le cas d' une utilisation dans les conditions optimales en bruit, le TBH B prsente un gain gal 17 dB. Si l' on dsire optimiser le gain ou la linarit des circuits LNA, il sera ncessaire de faire un compromis, c' est dire une densit de courant l' intrieur de l' intervalle (17 kA/cm<J C<210kA/cm) pour la polarisation des TBH. La mme tude a t ralise sur les autres structures de TBH, indiques dans le tableau 6. Ainsi, la figure 46 regroupe les volutions des paramtres FMIN, ROPT, GA et O du TBH A en fonction de JC, pour diffrentes longueurs dmetteur. Ces courbes montrent que l' utilisation de ce type de TBH nest pas intressante pour la ralisation des circuits LNA 10 GHz. En effet, il faudrait alors disposer un nombre important de TBH en parallle, seize d' aprs notre tude, pour obtenir un R gal OPT 50 ohms. Les courbes de gain disponible montrent galement que si l' on utilise le TBH A avec ses conditions de fonctionnement optimales en bruit, le gain est gal 14,8 dB et le facteur de bruit 2,1 dB.

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figure 46 : Evolution de Fmin, Gmax, Ropt, Sopt et S11 en fonction de IC, pour diffrentes longueur d'metteur, pour le TBH A, simules l'aide du logiciel ADS 10 GHz.

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CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

Enfin, ltude ralise sur le TBH C a montr quil est impossible dadapter en bruit ce type de TBH sur la rfrence 50 ohms, la frquence de 10 GHz. En effet, la figure 47, o sont donnes les volutions des paramtres en bruit et en gain du TBH de type C, montre que le paramtre ROPT reste bien infrieur 50 ohms la frquence de 10 GHz.

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figure 47 : Evolution de Fmin, Gmax, Ropt, Sopt et S11 en fonction de IC, pour diffrentes longueur d'metteur du TBH C, ralises avec le logiciel ADS 10 GHz.

Pour la mme raison, ltude des paramtres de bruit des TBH de type D na pas t ralise, du fait que ces TBH ont une surface dmetteur encore plus importante.

Le TBH B est donc le plus intressant pour raliser ltage dentre des circuits LNA. Avec une longueur totale dmetteur de 20 m, obtenue avec deux TBH en parallle, il est possible dobtenir un ROPT proche de 50 ohms. Cette proprit est intressante pour adapter facilement en bruit et en impdance un TBH sur la rfrence 50 ohms, comme nous allons lexpliquer plus loin.

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CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

Plusieurs simulations ont ensuite t effectues afin de dterminer quelle structure d'amplificateur nous allions utiliser pour raliser des circuits LNA. Notre choix s'est port sur la structure Cascode qui permet de rduire leffet Miller responsable des limitations du gain en puissance des TBH observes trs haute frquence. Les simulations, que nous avons ralis avec cette structure de circuit, ont montr que lutilisation dun TBH de type B, pour raliser ltage de sortie, offre les performances les plus intressantes. Ainsi, nous avons adopt une structure Cascode schmatise en figure 48, dont l'tage d'entre (Q0) est ralis l'aide de deux TBH B disposs en parallle. L'tage de sortie du circuit (Q1) est ralis avec un TBH B en configuration base commune. Les sources VCC et VB2 sont les sources de tension qui polarisent Q1, la source IB1 est une source de courant destine polariser Q0.

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VB2

L2 Q1

C13 RF out Vcc

RF in Q0 C0 IB1

figure 48 : Schma du circuit Cascode.

Le rsultat des simulations ralises sur cette structure, la frquence de 10 GHz, est donn sur les courbes en figure 49, o est illustre l'volution des paramtres FMIN, ROPT, GA et O, en fonction du courant de collecteur (I). Ces simulations, qui prvoient un facteur de bruit de 2,3 dB pour un gain de 38 dB, ne tiennent pas compte des pertes d'insertion des rseaux passifs qu'il sera ncessaire d'introduire pour raliser les adaptations en impdance et en bruit des circuits LNA.

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CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

Ces courbes montrent deux points de polarisations qui pourraient tre utiliser, si l'on dsire optimiser le facteur de bruit des circuits LNA ou bien leur linarit. Le premier est gal 3 mA, pour le courant de collecteur en sortie du circuit Cascode. Le paramtre ROPT est alors gal 50 ohms, FMIN est trs proche de son optimum et le gain est gal 38,5 dB. Le deuxime point de polarisation (7 mA) est intressant si l'on dsire optimiser la linarit des circuits LNA. Le paramtre FMIN (2,8 dB) n'est plus sa valeur optimale, mais un courant de polarisation plus important permet, nous le verrons par la suite, d'amliorer les points d'interception d'ordre 3 et de compression 1 dB des circuits. L'adaptation en bruit reste toujours possible, mme si elle doit tre de moins bonne qualit dans ces conditions de fonctionnement (ROPT<50ohms). Le gain disponible du circuit Cascode est aussi lgrement suprieur, d'environ 2 dB.

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figure 49 :Evolution de Fmin, Gmax, Ropt, Sopt et S11 en fonction de IC, du circuit Cascode, ralises avec le logiciel ADS 10 GHz.

La structure des circuits LNA tant maintenant dtermine, il est ncessaire de raliser les adaptations en impdance et en bruit de ltage dentre des circuits LNA 80

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

sur une mme rfrence, qui est gale au standard 50 ohms. Cela est rendu possible si lon dispose en srie sur lmetteur et la base des TBH de ltage dentre, des inductances de valeurs appropries. Nous allons dtailler dans le paragraphe suivant leffet dun tel dispositif sur le paramtre O et limpdance dentre (ZIN) d' un TBH. Nous verrons ensuite comment dterminer les valeurs appropries d' inductances laide dune optimisation ralise avec le logiciel de conception ADS.

7. Technique de raction utilise pour adapter en bruit et en puissance un TBH

Considrons le schma quivalent petit signal dun TBH (voir figure 50), dans lequel

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nous ngligeons la rsistance dynamique de la jonction base/metteur (r) devant C. Ceci est justifi par le fait que l' impdance, en parallle sur r, de la capacit de la jonction base/metteur est petite devant cette rsistance dynamique r aux frquences leves qui nous intressent ici. Nous avons relev, pour un courant de polarisation de collecteur de 3 mA, une capacit proche de 0,51 pF. Ceci donne une impdance gale 30 ohms la frquence de 10 GHz. Pour ce mme courant de polarisation, la rsistance dynamique r est gale 517 ohms.

Iin rbb' Ve

C LEM

gm.V

figure 50 : Schma lectrique quivalent du TBH avec une inductance connecte sur l'metteur.

On montre alors que l' impdance d' entre du TBH E) en prsence d' une contre (Z raction srie inductive (LEM) est donne par l' expression suivante : [6]
Ze = rbb'+ LEM gm 1 + + j LEM j C C
I. 61

81

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

Par consquent, le schma lectrique du transistor se ramne la forme donne cidessous :

Iin rbb' Ve

V Veq Zeq

gm.V LEM

figure 51 : Schma quivalent la raction inductive.

L'impdance ZEQ , dont lexpression est donne en I. 62, est due la prsence de

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l'inductance LEM.
Zeq = LEM gm + j LEM C
I. 62

Si lon connecte en srie sur l'metteur une inductance de valeur : LEM

(50 rBB ') C

gm

I. 63

alors la rsistance dentre du TBH devient gale 50 ohms et se trouve en srie avec un lment ractif de valeur jX avec : X= 1 LEM C
I. 64

Le paramtre ROPT, proche de 50 ohms pour un transistor convenablement choisi, nest pas affect par la prsence de LEM ds lors que LEM est une inductance idale non bruyante. De plus l'adaptation d'impdance s'effectue au moyen d'une inductance LB en srie sur la base, de valeur [6] : LB 1 C
2

LEM

I. 65

Ainsi, en disposant deux inductances de valeur adquates, en srie sur l'metteur (LEM) et la base (LB), il est possible de prsenter l'entre du TBH un coefficient de rflexion S pour lequel nous avons adaptation simultane en puissance et en bruit. Cette technique a t utilise pour raliser l'tage d'entre des circuits LNA.

L'inductance LEM a t dtermine partir de simulations du comportement des TBH la frquence de 10 GHz. Ainsi, la figure 52 donne l'volution du coefficient de 82

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

rflexion en entre du TBH (S11) et du coefficient de rflexion de source optimal en bruit (SOPT) en fonction de l'inductance LEM. L'inductance varie entre 0 et 0,25 nH sur ces courbes, qui ont t calcules l'aide du simulateur ADS et du modle lectrique de deux TBH de type B disposs en parallle. Le courant de polarisation de collecteur de l'ensemble est gal 3 mA, soit le courant de polarisation qui offre les caractristiques en bruit optimales. Ces courbes montrent qu'une inductance LEM de 0,15 nH permet de positionner S11 et O de telle manire ce que le conjugu de S11, (S11*) et O soient confondus sur l'abaque de Smith ce qui assure XOPT=1+jY. Dans ces conditions il suffit de prsenter au transistor un coefficient de rflexion de source gal 0 pour assurer la fois l'adaptation en puissance (gain maximum) et les conditions de facteur de bruit minimum. Ce coefficient 0 est obtenu partir de S=0 en disposant en srie sur la base du transistor une inductance LB de ractance Y la frquence d'utilisation.

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figure 52: Position de 0 et S11, de deux TBH de type B en parallle, sur l'abaque de Smith en fonction de l'inductance LEM la frquence de 10 GHz.

Maintenant que la structure de l'tage d'entre des circuits LNA est dtermine, nous allons dtailler dans le paragraphe qui suit les diffrentes topologies des circuits LNA que nous avons raliss.

83

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

8. Etude des diffrentes topologies de circuits.

Nous avons tudi diverses topologies de circuit Cascode afin dexplorer les possibilits de la technologie BiCMOS6G de STMicroelectronics, en cherchant optimiser, pour chaque circuit, une caractristique bien prcise. Cest pourquoi, nous avons conu un premier circuit LNA (circuit n 1) en recherchant optimiser le facteur de bruit et le gain en puissance. Dans le deuxime circuit que nous avons ralis (circuit n 2), nous avons optimis la linarit. Les topologies de type Cascode des circuits n 1 et 2 sont identiques, seule la polarisation des TBH diffre d' un circuit l' autre. La structure de ces circuits est donne sur la figure 53.

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VCC

figure 53 : Circuits LNA n 1 et 2 (BiCMOS STMicroelectronics MMIC 10GHz).

Les deux TBH de type B de l' tage d' entre du circuit Cascode sont reprsents par le transistor Qo. Ces TBH fonctionnent en configuration metteur commun. Les inductances L0 et L1 permettent l' adaptation en impdance et en bruit de l' tage d' entre du circuit LNA, qui est polaris l' aide d' une source active (Q2, R3, R4 et 2, R 84

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

R5). Cette source de tension permet de compenser les drives thermiques du circuit et stabilise ainsi le courant de polarisation du circuit Cascode. La capacit C0 permet de faire la liaison entre l'tage d'entre et la source d'excitation du circuit. Toutes les capacits de liaison ont t ralises l'aide des capacits mtal/isolant/mtal, en raison de la valeur du facteur de qualit, qui est suprieur celui observ sur les capacits base de polysilicium. Il est ncessaire, en particulier dans cette partie du circuit, de limiter au maximum les pertes de signal RF dans le circuit en utilisant les composants passifs ayant les pertes les plus faibles possibles.

L'tage de sortie est ralis l'aide d'un TBH du type B (Q1), polaris par le pont de rsistance R1 et R0. La capacit C4 permet de dcoupler ce pont, en rgime dynamique, de manire ce que Q1 fonctionne en configuration base commune.

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L'inductance L2 et la capacit C13 ralisent l'adaptation en impdance de l'tage de sortie.

Les rsistances de la source active (R2, R3, R4 et R5) dterminent les points de repos des TBH Q0 et Q1. Le pont diviseur (R0, R1) est calcul de telle manire ce que les TBH fonctionnent en rgime normal. Le circuit LNA n 1 est polaris avec un courant de collecteur gal 3 mA. Les simulations ralises sur cette structure de LNA ont montr un gain en puissance de 14,1 dB et un facteur de bruit de 3,1 dB la frquence de 10 GHz. Les simulations ont montr galement un point de compression 1 dB ramen l'entre (PC) de 18 dBm et un point d'interception d'ordre 3, ramen l'entre (IIP3) de -2 dBm. Nous verrons par la suite que ces deux derniers rsultats (IP3 et PC), pour les rsultats thoriques de nos circuits, sont la consquence d'un problme au niveau du comportement non-linaire du modle utilis par STMicroelectronics. Le circuit consomme au total une puissance de 20 mW. Dans le deuxime circuit que nous avons conu (circuit LNA n 2), nous avons optimis la linarit. Ce circuit Cascode est polaris avec un courant de collecteur gal 7 mA. Les simulations ont montr un gain en puissance de 14,4 dB et un facteur de bruit de 3,4 dB. Le point de compression en entre est de -16 dBm et le point d'interception d'ordre 3 en entre est gal 0 dBm. Le circuit consomme une puissance de 32 mW.

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CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

Enfin, la stabilit des circuits LNA a t vrifie dans la bande de frquence 10 kHz20 GHz. Nous avons pour cela tudi le facteur de Rollett, dont l'volution est donne sur la figure 54 pour le circuit n 1. Nous pouvons constater que le facteur de Rollett reste suprieur 100 dans cette bande de frquence. Ceci est du reste un avantage de la configuration Cascode qui amliore l'isolation entre-sortie donc la stabilit.

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figure 54 : Facteur de Rollett du circuit n 1 dans la bande 10 KHz 20 GHz.

Dans la ralisation du circuit n 3, nous avons recherch rduire la tension dalimentation du circuit pour les besoins des applications basse tension. Cette contrainte, impose aux constructeurs, rpond au besoin des tlcommunications mobiles qui demandent des sources dalimentation basse tension et une consommation rduite. Or les topologies prcdentes exigent une tension d'alimentation au moins gale au double de la tension minimale VCE d'un transistor puisque Q0 et Q1 sont en srie, du point de vue du continu. Nous avons ainsi voulu tudier l'incidence de la tension d'alimentation des circuits sur leurs caractristiques. Ainsi le circuit n 3 utilise une topologie de polarisation distribue adapte la

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CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

configuration Cascode. Le schma lectrique d'une telle topologie est donn sur la figure 55. Remarquons que les transistors Q0 (EC) et Q1 (BC) restent en srie, du point de vu alternatif, mais sont en parallle du point de vue continu. Des lments ractifs ont t rajouts dans le circuit (L5, L6 C4 et C11), afin de raliser lisolation RF/polarisation entre les deux tages amplificateurs. Les lments ractifs, connects au collecteur de l'tage de sortie (Q1), ainsi que sur les bases et metteur du premier tage (Q0), ont les mmes fonctions que celles attribues dans les circuits Cascode n 1 et 2.

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figure 55 : Circuits LNA n 3 (BiCMOS STMicroelectronics MMIC 10GHz).

Le circuit est polaris l'aide de deux sources actives Q2 et Q3. Les rsistances R0, R8, R9 et R10 dterminent le courant de polarisation de l'tage d'entre alors que les rsistances R1, R2, R6 et R7 dterminent la polarisation de l'tage de sortie du circuit 87

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

Cascode. Les deux tages sont polariss avec un courant de collecteur de 3 mA afin de comparer les caractristiques en gain, linarit et facteur de bruit des circuits n 1 et 3. Ceci nous permettra dobserver lvolution des caractristiques dun circuit LNA dune structure srie une structure distribue, pour des TBH ayant les mmes caractristiques.

Les caractristiques des trois circuits LNA que nous avons conus sont rsumes dans le tableau 7. Ces donnes sont le rsultat des simulations du comportement lectrique des circuits LNA, l' aide du logiciel ADS et des modles de TBH fournis par STMicroelectronics.

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Nf (dB) LNA n 1 LNA n 2 LNA n 3 3,1 3,6 4,5

G (dB) 14,1 14,4 12,0

Pc 1dB -18 -16 -20

IP3 (dBm) -2 0 -4

Ic (mA) 3 7 3

Vcc (V) 3,3 3,3 1,6

Pdc (mW) 20 35 18

tableau 7 : Rsum des caractristiques simules des circuits LNA.

Nous rappelons dans ce tableau les caractristiques en bruit (Nf), gain (G) et linarit (PC 1dB et IP3) ainsi que les courants de polarisation de collecteur des TBH des circuits Cascode (Ic). Nous avons galement prciss dans ce tableau les tensions d' alimentation de chaque circuit (Vcc) et la puissance lectrique qu' ils consomment (Pdc). Ces rsultats montrent qu' une augmentation du courant de polarisation amliore la linarit du circuit. Le point d' interception d' ordre 3, ramen en entre des circuits, passe de 2 dBm pour le circuit n 1, 0 dBm pour le circuit n 2. Le gain en puissance est galement amlior, il passe de 14,1 dB, pour le circuit LNA n 1, 14,4 dB pour le circuit LNA n 2, soit une amlioration de 0,3 dB du gain. Cette amlioration est obtenue au dtriment du facteur de bruit qui passe de 3,1 dB, pour le circuit LNA n 1, 3,6 dB pour le circuit LNA n 2.

Les caractristiques observes sur le circuit LNA n 3 montrent que le gain en puissance, le facteur de bruit ainsi que la linarit du circuit Cascode se dgradent en proportion de la rduction de la tension d' alimentation qui est ici gale 1,6 Volts. En effet, le facteur de bruit du circuit LNA n 3 s' lve 4,5 dB, soit une augmentation 88

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

de 1,4 dB par rapport au circuit LNA n 1. Le gain en puissance est gal 12 dB, soit une rduction de 2,1 dB par rapport au circuit LNA n 1. La vue du dessin des masques des circuits LNA n 1 et 2 est donne en figure 56. Les valeurs des rsistances R0, R1, R2, R3, R4 et R5 diffrent d'un circuit l'autre afin d'obtenir les points de repos adquats des TBH.

GND

1.1.1 : N D

VCC

1.1.4 : c c

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RFIN 1.1.3 :
F

MIM

RFOUT1.1.2 :
F

i
figure 56 : Dessin des masquesn concernant le Circuit LNA n 1 (surface=700x750m ). o

u t Nous pouvons observer sur la figure 56 les capacits mtal/mtal (MIM); Ce type de capacit a t utilis en raison des facteurs de qualit importants qu'il prsente. Les deux inductances spirales sont munies d'un plan de masse prsentant des discontinuits qui rduisent les pertes dans le substrat et contribue ainsi amliorer le gain et le facteur de bruit, en rduisant les pertes de signal RF. Le circuit est muni de plots de connections RF (PAD RF) et d'un plot de connection pour la polarisation 89

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

continue du circuit (VCC). Le plan de masse (bleu) est utilis pour raliser l'inductance d'metteur. En disposant la connection de l'metteur du TBH Q0 une distance adquate du plot RF d'entre, l'inductance parasite ainsi cre prsente une valeur satisfaisante pour adapter en bruit et en impdance le circuit sur la rfrence 50 ohms. Nous avons utilis ce procd car l'inductance parasite, induite par le plan de masse, est du mme ordre de grandeur que l'inductance dont nous avions besoin afin d'adapter en bruit et en impdance le circuit. Ce circuit occupe une surface de 700x720 m. De mme, nous pouvons voir la vue de dessus du dessin des masques du circuit n 3 en figure 57 qui occupe une surface de 500x1000m.

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figure 57 : Dessein des masques du circuit LNA n 3 (surface : 700x1200m ).

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9. Caractrisation des amplificateurs faibles bruit

Les circuits fabriqus par STMicroelectronics ont t caractriss en utilisant une station sous pointe de type Karl Zuss. Au niveau des caractrisations statiques, les courants de polarisation mesurs et simuls montrent une bonne concordance. Nous avons ensuite mis en place le banc de caractrisation en paramtres S afin dvaluer le gain en puissance et les coefficients dadaptation des circuits. Les mesures sont effectues laide dun analyseur de rseau Anritsu.

La courbe de gain en puissance en fonction de la frquence, donne sur la figure 58, montre le rsultat des caractrisations en paramtres S ralises sur le circuit LNA

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n 1.

figure 58 : Gain du circuit LNA n 1. figure 59 : Paramtres S11 et S22 du circuit LNA n 1 .

Cette courbe indique que ce circuit prsente un gain gal 17 dB la frquence de 11,4 GHz. Le dcalage du pic par rapport la frquence 10 GHz retenue lors de la conception s' explique par la forme du coefficient de rflexion en sortie du circuit (S ). 22 La frquence laquelle le module de ce coefficient est minimal est gale 11,5 GHz (figure 58) au lieu de 10 GHz (figure 60). La mauvaise valuation des capacits parasites en sortie du circuit est la cause de cet cart par rapport aux rsultats thoriques. A ceci, il convient d' ajouter la dispersion des composants passifs qui est de 20 %. Les courbes de la figure 60 illustrent les variations des paramtres S22, S11 et le gain disponible du circuit LNA n 1 prvues par la thorie.

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S 22

S 11

GA

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figure 60 : Courbes thoriques de S22, S11 et GA du LNA n 1.

Les modles de composants actifs prsentent galement des dispersions. En effet, si l'on regroupe, sur le mme abaque de Smith, les paramtres S11 et S22 d'un transistor de type B mesur et simul, nous obtenons le rsultat donn en figure 61. On peut observer sur cette figure, dans la bande 1 GHz - 35 GHz, S11, S33, qui sont respectivement les coefficients de rflexion en entre du TBH B mesur et simul. S22 et S44 sont respectivement les coefficients de rflexion mesur et simul en sortie du TBH. Nous pouvons constater que le paramtre S22 du TBH commence s'loigner des donnes exprimentales partir de 9,5 GHz.

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CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

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figure 61 : Paramtres S mesurs et simuls du TBH B.

Nous avons ensuite mesur le point de compression 1 dB et le point d'interception d'ordre 3 sur plusieurs puces afin d'valuer la dispersion des caractristiques non linaires du circuit. Ces mesures ont t effectues la frquence de 11,4 GHz, frquence laquelle le gain maximum a t observ. Les rsultats sont regroups dans le tableau 8.

tableau 8 : Mesures effectues 11,4 GHz sur sept puces de LNA.

Ce tableau regroupe les courants d'alimentations de chaque chantillon de circuit intgr (ICC) aliments mme tension (6 volts). Le gain et les points d'interception ramens en entre (IIP3) et en sortie (OIP3) sont galement donns, ainsi que les points de compression ramens en entre (PC) et en sortie (OPC). Des mesures ont galement t effectues pour diffrentes tensions d'alimentation du circuit LNA (4, 5 et 6 volts). Ces mesures sont regroupes dans le tableau 9 o sont donns le

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CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

courant d'alimentation consomm par le circuit LNA test, le gain disponible, les points d'interception d'ordre 3 ramens l'entr (IIP3) et en sortie (OIP3) et les points de compression ramen en entre (IPC) et en sortie (OPC).

tableau 9 : Variations des caractristiques du LNA avec la tension d'alimentation.

Les volutions du gain, du point de compression 1 dB et du point d'interception

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d'ordre 3 ramen en entre sont tracs sur les graphiques des figures 63 et 64. Le courant consomm par le circuit LNA test correspondant aux diffrentes tensions d'alimentations est donn en abscisse.

figure 62 : Gain du LNA en fonction de ICC.

figure 63 : Linarit du LNA en fonction de ICC.

Nous constatons que le gain en puissance chute rapidement en de d'un courant d'alimentation de 2,8 mA. Au-del, le gain en puissance est compris entre 16 et 18 dB. Les courbes de point d'interception d'ordre 3 et de compression ramen en entre (figure 64) montrent que les conditions optimales de linarit sont obtenues pour un courant de 2,8 mA, pour cette structure de circuit. L'tude thorique que nous avons mene prcdemment montre que la linarit pourrait tre encore amliore avec une structure de circuit ddie et un courant de collecteur de 7 mA.

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CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

Des statistiques sur les diffrentes mesures ralises sur le LNA sont indiques sur le tableau 10.

tableau 10 : Statistiques ralises sur le LNA.

On y relve notamment la bonne homognit des performances en gain. Enfin, une srie de mesures a t ralise diffrentes frquences. Nous avons ainsi pu vrifier

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que les meilleures caractristiques du LNA, en terme de gain et linarit, sont observes la frquence de 11,4 GHz. Enfin le tableau 11 rapporte les caractristiques du LNA que nous avons releves la frquence de 10 GHz, pour diffrents courants d'alimentation.

tableau 11 : Variations des caractristiques du LNA avec la tension d'alimentation.

Nous retrouvons dans ce tableau le gain en puissance proche de 10 dB, la frquence de 10 GHz, observe au cours des caractrisations en paramtres S. Le gain en puissance chute rapidement avec le courant d'alimentation.

Nous avons ensuite continu nos caractrisations l'aide d'un banc de mesure en bruit haute frquence. La structure de ce banc de mesure est donne la page suivante :

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CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

figure 64 : Banc utilis au cours des mesures de facteur de bruit des circuits LNA.

L'analyseur de spectre permet de raliser la mesure de puissance de bruit, pour chaque tat de la source de bruit. Une fois ces donnes acquises, le calculateur

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dtermine le facteur de bruit du DUT. Les caractrisations que nous avons effectues avec ce banc sur le circuit LNA, ont permis de relever un facteur de bruit compris entre 4,4 et 4,9 dB dans la bande 10 12 GHz. Le rsultat de ces mesures est donn ci-dessous en figure 65.

figure 65 : Caractrisation du facteur de bruit (NF) du LNA.

Ces valeurs sont suprieures celles attendues d'aprs les simulations ralises et s'expliquent par la mauvaise valuation de la rsistance distribue de base (rBB') des TBH. Des caractrisations de ce paramtre ont t effectues au sein du LAAS-

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CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

CNRS et de l'IRCOM dans le cadre du projet RNRT ARGOS. Les mesures statiques, dynamiques et en bruit basse frquence ainsi ralises ont montr un cart important entre les valeurs mesures et les valeurs implmentes dans les modles de STMicroelectronics. Ces mesures ont t effectues sur le TBH C et ont indiqu qu'il existait un rapport jusqu' 4 entre les valeurs mesures et celles fournies dans le modle de STMicroelectronics [1]. Rcemment nous avons eu confirmation de la part de STMicroelectronics de possibles dviations de cette rsistance d'un facteur 3 par rapport au modle en fonction du procd technologique utilis. Le paramtre FMIN est sensible la rsistance rBB', comme nous l'avons vu dans l'expression I. 58. Des rtrosimulations effectues sur le circuit ont galement confirm ce rsultat. Nous avons augment, en simulation, la rsistance de la base dans les mmes proportions et avons effectivement constat une augmentation du facteur de bruit de 1,5 dB.

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Lorsque ce problme au niveau de l'implantation du contact de base sera rsolu, la rsistance d'accs la base ( rBB') relle sera gale la valeur implmente dans le modle lectrique des TBH. Ainsi, les rsultats de simulation de facteur de bruit seront beaucoup plus proches des 3,5 dB prvu initialement par la thorie. Afin de pouvoir comparer les performances relles de la technologie BiCMOS SiGe de STMicroelectronics avec l'tat de l'art, nous avons retenu une valeur de 3,5 dB pour le facteur de bruit du circuit LNA 10 GHz. Ce rsultat est illustr par le point A sur le graphique donn en figure 66 qui regroupe l'tat de l'art des technologies SiGe dans ce domaine d'application. Le point B prsente un gain de 26 dB et un facteur de bruit de 2 dB la frquence de 10 GHz. Cependant comme aucun rsultat n'est donn dans la publication [8] en ce qui concerne la linarit, nous n'avons pu comparer les points de compression et d'interception d'ordre 3 de notre circuit LNA avec ces rsultats. Il faut prciser que la largeur des doigts des transistors est infrieure celle des TBH que nous avons utiliss (0,25 m au lieu de 0,4 m) et que la concentration en germanium est graduelle. La frquence de transition (ft) des TBH utiliss pour la publication [8] est gal 80 GHz alors que le fT des TBH que nous avons utiliss est gal 45 GHz. Les frquences maximales d'oscillations des TBH utiliss pour la publication [8] est de 95 GHz, celle des TBH de STMicroelectronics est de 60 GHz. Ces prcisions permettent de situer le contexte dans lequel les rsultats publis dans cet article ont t obtenus. Les rsultats publis dans l'article

97

CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

et qui reprsent par le circuit C du graphique de la figure 66 [9] indiquent un facteur de bruit de 3,2 dB pour un gain disponible de 15 dB 10 GHz. Les points de compression et d'interception d'ordre 3, dans cet article, sont respectivement gaux 16 dBm et 6,8 dBm. Nous avons obtenu respectivement 17 et 9 dBm sur notre circuit. La technologie utilise pour la ralisation du circuit LNA [9] prsente une concentration abrupte en germanium. La frquence de transition des TBH utiliss pour raliser ce circuit est de 50 GHz et la frquence maximale d'oscillation est galement gale 50 GHz. La largeur de doigt des TBH est gale 1,2 m et leur longueur 20 m.

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figure 66 : Etat de l'art des technologies bipolaires SiGe dans le domaine des circuits LNA, d'aprs [8].

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CHAPITRE 2 : CIRCUITS AMPLIFICATEURS A FAIBLES BRUIT EN BANDE X

10. Conclusion
Des valeurs appropries d'inductances, connectes en srie sur l'metteur et la base d'un TBH en metteur commun, permettent d'assurer la fois l'adaptation d'impdance et les conditions optimales en bruit vis vis d'un gnrateur 50 ohms. L'utilisation d'un second TBH, en configuration base commune, permet de raliser un circuit Cascode. Ce type de circuit permet de rduire l'effet Miller, ce qui augmente les performances en gain des circuits LNA. Lorsque les deux tages du circuit sont disposs en srie, nous observons les meilleures performances en terme de gain, linarit et facteur de bruit. La contre partie de ces avantages est de ncessiter une tension d'alimentation importante pour polariser les deux tages. Il est galement

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possible de disposer les deux tages du circuit Cascode en parallle : nous obtenons alors une structure distribue. Dans ce cas, la tension d'alimentation ncessaire pour polariser le circuit est environ deux fois plus faible. L'inconvnient de cette topologie est de dgrader le gain, la linarit et le facteur de bruit des circuits.

L'tude thorique, mene sur diffrentes topologies de circuits Cascode, a montr que les performances en gain et linarit des circuits sont meilleures si l'on polarise les TBH avec un courant de collecteur lev (7mA), mais le facteur de bruit se dgrade. Si l'on dsire rduire le facteur de bruit, il est ncessaire de polariser les TBH avec un courant de collecteur faible (3mA). Les rsultats exprimentaux ont montr que le modle sous estime les performances en gain (14 dB au lieu des 17 dB mesur). Par contre, les caractrisations en facteur de bruit et en distorsion ont montr que le modle lectrique sous estime la distorsion. La distance qui spare les points de compression et d'interception d'ordre 3 montre que les rsultats du modle lectrique, en terme de distorsion, sont peu fiables alors que l'erreur au niveau du facteur de bruit s'explique par les problmes au niveau de l'implantation du contact de base des TBH au cours de la fabrication.

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CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

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CHAPITRE 3 :

SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X A FAIBLE BRUIT DE PHASE

100

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

1. Introduction
Nous avons dfini, au cours du chapitre 2, le seuil de dtection d'un rcepteur radio et l'intrt de l'abaisser le plus possible. Les premiers rcepteurs radio utilisaient la technique de rception directe. De simples amplificateurs, accords sur la frquence d'une station d'mission radio, amplifiaient le signal recueilli par l'antenne de rception. Le signal tait ensuite converti en signal audible l'aide d'une dtection quadratique. Non seulement cette technique tait peu pratique si l'on dsirait recevoir beaucoup de stations, mais elle ncessitait de disposer d'amplificateurs fort gain en haute frquence et de filtres trs slectifs, difficiles raliser tant donn la faible

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valeur du facteur de qualit des filtres raliss en lments localiss. Cette technique rendait ainsi dlicate la conception de rcepteurs trs sensibles.

La technique de rception superhtrodyne, invente en 1918 par Edwin H. Armstrong, a permit de supprimer ces problmes, en utilisant le mlange en frquence. Le principe est donn sur le schma fonctionnel en figure 67, o le signal d'un oscillateur local (fosc) est utilis pour abaisser la frquence du signal RF dtect par le rcepteur (fANT), une frquence caractristique, la frquence intermdiaire (fMF). Cette frquence, de valeur plus rduite, facilite le filtrage et l'amplification du signal utile.

figure 67 : Rcepteur superhtrodyne.

101

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

Le signal intermdiaire est ensuite rendu audible par une dtection quadratique. La slection d'une station radio est alors dtermine par la frquence de l'oscillateur local (fOSC). Deux frquences sont dtectes par le rcepteur radio (fANT1 et fANT2) et les relations entre ces diffrentes frquences sont les suivantes :

1 2

La frquence fANT2, est la frquence image de fANT1, cette frquence est limine l'aide d'un circuit prslecteur comme l'indique la figure 68.

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figure 68 : Rcepteur superhtrodyne muni de son rjecteur de frquences images.

La stabilit des sources RF, utilises comme oscillateur local, est une caractristique qui est dterminante du seuil de dtection. En effet si la frquence d'oscillation fOSC de l'oscillateur local est trop instable des problmes apparaissent dans la dtection du signal RF. Pour comprendre cela considrons le spectre d'un signal dtecter et celui d'un signal parasite qui est trs voisins (voir figure 69). Enfin, considrons le spectre de l'oscillateur local, caractris par une densit spectrale centre sur la frquence fOSC et dont l'talement est fonction de son bruit de phase. Le mlange opr entre le signal issu de l'oscillateur local, le signal dtecter et le signal parasite provoque la superposition des spectres associs aux signaux dtecter et utile, autour de la frquence intermdiaire, comme le montre la figure 69.

102

 

  

I. 66

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

figure 69 : Influence du bruit de phase de l'oscillateur local.

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Par consquent, le rapport signal sur bruit du signal en sortie du mlangeur se dgrade cause de la puret spectrale limite de l'oscillateur local. Les fluctuations de la frquence d'oscillation des sources RF posent galement des problmes dans la synthse des signaux RF utiliss dans les tlcommunications. En effet, les sources RF sont utilises pour gnrer la porteuse autour de laquelle va tre transpos le spectre du signal transmettre l'aide d'un mlangeur. La largeur de bande occupe par le signal ainsi synthtis est lie la puret spectrale de la porteuse, ce qui pose des problmes d'encombrement de spectre si la source RF utilise est trop instable. Les terminaux de communication numrique sont galement trs sensibles au bruit de phase qui augmente le taux d'erreur dans la dtection des signaux digitaux. Les contraintes conomiques et commerciales des

tlcommunications mobiles haut dbit poussent les fabricants de composants lectroniques fabriquer des sources RF, dans le domaine micro-onde, grande puret spectrale.

Aprs un rappel de la notion de bruit de phase et des modles dvelopps pour expliquer ce comportement des circuits autonomes, nous exposerons le

fonctionnement et les caractristiques des diffrents circuits oscillateurs que nous avons raliss. Les caractristiques des diffrentes topologies de circuits ralises ont t compares afin de dterminer celle qui offre les meilleures caractristiques.

103

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

Enfin nous exposerons la technique de dgnrescence de bruit, qui applique un circuit Collpits, permet de rduire le bruit de phase d'un oscillateur.

2. Bruit de phase
Le signal gnr par un circuit oscillateur, de frquence f0, peut se mettre sous la forme suivante : V (t ) = A0[1 + A(t )] sin (2 f 0 t + (t ) )
I. 67

Ainsi, une source RF gnre un signal dont l'amplitude et la phase fluctuent alatoirement. L'amplitude fluctue autour d'une moyenne A0 avec une certaine variance et la phase volue suivant une tendance linaire, comme indiqu sur la

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figure 70.

figure 70 : Fluctuation de la phase autour d'une tendance linaire.

Cette figure et l'expression I. 67 montrent que le terme (t) est une variable alatoire centre caractrise par une densit spectrale S(f) exprime en rad/Hz. La frquence instantane du signal gnr par une source RF (f0(t)) est obtenue en drivant la phase par rapport au temps. Nous obtenons alors l'expression suivante : f 0(t ) = f 0 + = f 0 + f (t ) = f 0 + f (t ) 2 t
I. 68

Par consquent, la frquence instantane d'une source RF fluctue alatoirement autour d'une moyenne f0 appele frquence d'oscillation ou porteuse. La variable alatoire f(t) est appele bruit de frquence, laquelle est associ la densit

104

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

spectrale Sf(f). Le bruit de phase et de frquence d'une source RF sont alors dpendants l'un de l'autre par la relation suivante [1] : Sf ( f ) = f 2 S ( f )
I. 69

Ainsi, la puissance du signal gnr par une source RF est rpartie autour de sa frquence d'oscillation f0. Plus la puissance observe autour de la frquence f0 est faible et plus la source RF est pure. On caractrise ainsi la puret spectrale des sources RF en faisant le rapport de la puissance observe dans les bandes latrales de la porteuse sur la puissance totale du signal gnr par la source. Ce rapport (L(fm)) est dfini une distance de fm Hertz autour de la frquence f0, dans une bande d'observation large de 1 Hertz. On montre que ce rapport est exprim en dBc/Hz et prend la forme suivante [1] : S ( f m ) L( fM ) = 10 log 2

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I. 70

Par consquent, la puret spectrale d'une source RF est conditionne par son bruit de phase S. La puissance observe autour de la frquence d'oscillation, en fonction de la distance fm la frquence d'oscillation f0, des sources RF a la forme donne sur la figure 71.

L(fm)

K/f3 K/f2 0 K/f fm

figure 71 : Spectre en bruit de phase d'un oscillateur.

Prs de la porteuse, le rapport L(fm) dcrot avec une pente de 30 dcibels par dcade. Loin de la porteuse, le rapport L(fm) dcrot avec une pente de 20 ou 10 105

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

dcibels par dcade, selon la valeur du facteur de qualit en charge du circuit d'accord en frquence. Trs loin de la porteuse, le plancher de bruit est atteint et le rapport L(fm) est constant. Etudions quantitativement de quelle manire est influence la frquence d'oscillation d'une source RF. Considrons le schma de la figure 72 o des lments ractifs sont connects autour d'un transistor, qui prsente alors une impdance dynamique Zea entre son metteur et son collecteur. Le collecteur du transistor est charg par une impdance Zch. Les sources de bruit en tension gnres par le transistor sont reprsentes par la source VB.

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figure 72 : Schma lectrique d'une source RF rsistance ngative.

On dmontre alors [2] que les variances des fluctuations de frquence (f) et d'amplitude (A) du signal issu d'un tel circuit sont donnes par les expressions suivantes :

A =
2

VB 2 (Zea + Zch ) (Zea + Zch ) o 2 + A 2 sin 2 ( ) A

2 2

= H VB 2

I. 71

106

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

= 4 2

VB 2 (Zea + Zch ) A 2 sin 2 ( )

2

= K VB 2

I. 72

Avec : (Zea + Zch ) = phase (Zea + Zch ) = phase A

I. 73

Ces expressions montrent que le bruit d'amplitude est bien plus faible que le bruit de phase, par la prsence du terme en 0 au dnominateur de I. 71. C'est pourquoi le bruit d'amplitude est souvent ignor dans la caractrisation de la puret spectrale des sources RF. L'expression I. 72 montre que la dispersion du spectre en puissance des sources RF dpend du niveau des sources de bruit en tension sur les commandes du transistor et d'un facteur K, appel facteur de pushing. Le facteur de

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pushing est sensible aux impdances disposes autour du transistor. C'est pourquoi il convient d'optimiser la topologie du circuit afin de rduire ce facteur.

L'autre caractristique importante d'un circuit oscillateur est le facteur de pulling. La frquence d'oscillation d'une source RF est sensible l'impdance de charge qui est connecte sa sortie. La frquence d'oscillation d'une source RF varie avec le taux d'onde stationnaire () occasionn par une variation de l'impdance de charge. La relation entre ces deux grandeurs [2] est la suivante : f 0 1 f 0 = 2 Qext
2

I. 74

Le terme Qext, exprim en fonction des caractristiques du circuit oscillateur, est donn ci-dessous [2] : Qext = fo Xo 1 2 Rch
I. 75

O Xo est ici la somme des ractances Xea et Xch. Qext fait la relation entre le facteur de qualit vide et en charge l'aide de l'expression donne ci-dessous [3] : 1 1 QL = + Qo Qext
1

I. 76

La mesure de QL, comme nous le verrons plus loin, est donne par le spectre en bruit de phase de la source RF.

107

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

Le mcanisme de conversion entre la source de bruit VB et le bruit de phase observ sur les circuits autonomes a t tudi par Leeson. Leeson a propos un modle qui montre que le bruit de phase dpend du facteur de qualit en charge du circuit d'accord en frquence et de la source VB. Nous allons dtailler le principe dans le paragraphe suivant.

3. Modle de Leeson
Ce modle [1] se base sur l'analyse linaire d'un quadriple mis en contre raction comme indiqu sur la figure 73. Les sources de bruit en tension sont ramenes une source VB sur la consigne d'entre du circuit X(t).

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X(t)= VB + F(j) Y(t)

figure 73 : Modle de Leeson.

Y(t) est le signal observ en sortie du circuit. Le quadriple est un filtre passe bande, de fonction de transfert F(j), utilis pour accorder la frquence d'oscillation du dispositif. Le diagramme de Bode de F(j) est donn ci-dessous :

108

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

|F(j)| 0 dB

Diagramme de Bode de la fonction de transfert en boucle ouverte du quadriple F. En haut est trac le module en fonction de la frquence, exprim ici en dcibels. En bas est

-3 dB

trac la phase en degrs.

(j)

f1 fo

f2

f(Hz)

Le quadriple est un filtre passe bande dont le rle est de raliser laccord en frquence. Le circuit se met alors osciller la frquence fo.

Le filtre est caractris galement par sa bande passante, qui est lie au facteur de

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qualit du filtre. Plus ce dernier est lev et

f1 fo f2 f(Hz)

plus la bande passante est troite.

figure 74 : Fonction de transfert F(j).

Les caractristiques d'un filtre passe bande sont sa frquence de rsonance f0 et son facteur de qualit Q, qui conditionne la bande passante du filtre d'aprs la relation suivante : B = f 2 f1= 2 f0 Q
I. 77

La source de bruit VB module les caractristiques du quadriple, ce qui se traduit par des fluctuations de phase du signal qui le traverse. Ce bruit de phase est appel bruit de phase rsiduel et se caractrise par une densit spectrale Sx(f). Les fluctuations de phase ainsi produites dans la boucle de raction perturbent les oscillations du circuit en gnrant des fluctuations alatoires de la frquence d'oscillation (f0). Par consquent la densit spectrale en puissance du signal disponible en sortie du circuit subit une dispersion autour de f0. Leeson a montr que prs de f0, c'est dire dans la bande passante du filtre, le bruit de phase rsiduel du quadriple module en frquence l'oscillation du circuit. La densit spectrale du bruit de phase du signal dlivr en sortie du circuit (S(fm)) est alors corrle au bruit de phase rsiduel du quadriple par la relation suivante [1] :

109

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

f0 S ( fm ) = Sx ( fm ) 2 Q fm

I. 78

D'autre part, comme le bruit de phase rsiduel est corrl au spectre en bruit de la source VB (SVB(fm)) par le facteur de pushing K, le bruit de phase du circuit peut se mettre sous la forme suivante [1] : f0 S ( fm ) = SVB ( fm) K 2 Q fm
2

I. 79

En dehors de la bande passante du filtre, c'est dire loin de f0, le bruit de phase rsiduel module en phase l'oscillation du circuit. Leeson a montr que dans ce cas, la relation entre S(fm) et S(fm) est la suivante [1] : S ( f m ) = S x ( f m )
I. 80

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Soit, en fonction du spectre en puissance de la source de bruit en tension VB : S ( fm ) = SVB ( fm ) K

I. 81

Ainsi, dans l'hypothse o cette source gnre un bruit blanc autour de la frquence d'oscillation du circuit, le modle de Leeson explique que la forme du spectre en bruit de phase, observ sur le signal dlivr par un oscillateur, dcrot avec une pente de 20 dB par dcade prs de f0 pour devenir ensuite constant, comme l'indique la figure 75.

L(fm)
Modulation de frquence Modulation de phase

1/fm2 const

fo/2Q fm (Hz)
figure 75 : Spectre en bruit de phase d'un oscillateur d'aprs le modle de Leeson.

110

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

Entre ces deux comportements du spectre en bruit de phase de l'oscillateur, une transition s'opre une distance de f0 gale fR=f0/2Q Hertz, o Q est le facteur de qualit en charge du circuit d'accord en frquence. La distance fR, qui va dterminer la puret spectrale d'une source RF, est inversement proportionnelle Q. Il convient donc d'utiliser des circuits d'accord coefficients de qualit en charge levs.

Le modle propos par Leeson est cependant incomplet car il n'explique pas les pentes de 30 dcibels par dcade observes trs prs de la porteuse. Ce type de bruit de phase ne peut se justifier que par la prsence de bruit de scintillation, autour de f0, dans le spectre de la source de bruit VB. Le comportement non-linaire des transistors utiliss dans la conception de sources RF est l'origine de ce phnomne. En effet, le spectre en bruit basse frquence des transistors bipolaires

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est fonction de leur courant de polarisation [13], [14], [15]. Par consquent, les sources de bruit en tension sont modules en amplitude par le signal RF gnr par le circuit. Ainsi, le spectre en bruit basse frquence des transistors (SVN(f)) est transpos autour de f0, comme indiqu sur la figure 76.

SVN(f)
conversion haute"

fo

figure 76 : Transposition du spectre en bruit basse frquence des transistors autour de leur frquence d'oscillation.

Dautre part, ce phnomne se produit galement autour des harmoniques du signal dlivr par un oscillateur [16]. Les parties suprieures du spectre de ce signal sont donc transposes autour de f0 par intermodulation [16], [17], comme lindique la figure 77.

111

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

SVN(f)
"upconversion" "downconversion"

fo

[Link]

figure 77 : Mlange par intermodulation du spectre des sources de bruit autour de fo.

Par consquent, les caractristiques en bruit basse frquence ainsi que la distorsion

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des transistors, sont des critres dterminant la puret spectrale d'un circuit oscillateur.

Pour traiter le problme des sources de bruit basses frquences, le bruit est ramen une source quivalente dispose l'entre des transistors bipolaires, qui se caractrise par une densit spectrale SVN(fm) dont la forme est la suivante : fC SVN ( fm ) = K 1 + fm
I. 82

La constante K, exprime en V/Hz, ainsi que la frquence de coude fC qui dlimite la transition entre le bruit de scintillation et le plancher de bruit, sont des caractristiques du transistor. Transpose autour de la frquence d'oscillation, la densit spectrale de bruit en tension SVB(f) a une forme similaire celle de SVN(f). En toute rigueur la frquence de coude, caractristique SVB(f), est diffrente de fC [16]. Cependant la faible diffrence constate fait que ces deux caractristiques sont considres comme identiques. Le spectre en bruit de phase est alors obtenu en remplaant SVB(f) dans les expressions I. 79 et I. 81 par l'expression I. 82, multiplie par la constante de conversion (K0) entre le spectre SVN(f) et SVB(f). Selon les positions respectives de fR et fC, autour de la frquence f0, le spectre en bruit de phase d'une source RF est donn par les expressions suivantes :

112

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

Lorsque

fo = f R < f C , le facteur de qualit du filtre est important, le signal gnr 2 QL

par les oscillations du transistor est alors modul en frquence, dans une bande de frquence comprise entre f0 et f0+fC. Le bruit de phase est alors donn par lexpression suivante, o A est lamplitude des oscillations : K0 K L ( fM ) = A2 Lorsque
2 f0 fC f 0 2 1 + + 2 QL fM 4 QL2 fM 3

I. 83

fo = fR > fC , le facteur de qualit du filtre est faible et le bruit de 2 QL

scintillation disparat avant que l' oscillation du transistor ne soit module en phase. Le bruit de phase est alors donn par lexpression suivante :
K0K fC fC f 0 2 1 + + fM 4 Q L2 fM A2

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L ( fM ) =

I. 84

La figure 78 rsume les diffrentes formes de spectre en bruit de phase que l' on peut alors observer, en sortie d' un circuit oscillateur, selon les valeurs deC et fR. f

L(fm)dBc/Hz (b)

L(fm)dBc/Hz (a) 1/f3

1/f3

1/f

1/f2

f0/2Q SVN(fm)V/Hz

fC

f(HZ) SVN(fm)V/Hz

fC

f0/2Q f(HZ)

1/f

1/f

f0/2Q

fC

f(HZ)

fC

f0/2Q f(HZ)

figure 78 : Spectres en bruit de phase observs dans les oscillateurs a) Q faible , b) Q lev.

113

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

Ces figures montrent que le facteur de qualit en charge du circuit est dterminant dans la puret spectrale des sources RF. La dfinition du facteur de qualit, donne par l'quation I. 77, montre qu'il est difficile de raliser des sources RF de grande puret spectrale dans le domaine des micro-ondes. Le second facteur influenant la puret spectrale des sources RF est dtermin par les caractristiques en bruit basse frquence des transistors utiliss. Enfin, le dernier facteur influent la puret spectrale d'un oscillateur est donn par le facteur de conversion entre les sources de bruit des transistors et le bruit de phase de l'oscillateur. Il convient de rduire ce facteur en optimisant la topologie des circuits.

Le premier moyen d'action, pour optimiser le bruit basse frquence des transistors, est de rduire la polarisation des transistors et d'utiliser ces derniers dans leurs

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conditions de fonctionnement optimales en bruit. Les conditions de fermeture, en basse frquence, ont donc une grande influence sur le bruit de phase. Il faut cependant veiller ce que les caractristiques dynamiques des transistors soient compatibles avec une faible polarisation, afin de pouvoir entretenir des oscillations dans le circuit. Si le gain des transistors est infrieur un, cela est impossible.

Dautre part, on montre que la stabilit en frquence d'un circuit oscillateur est grande [2], si la relation suivante est vrifie : Rea Xea Xch + >> 0 A
I. 85

O Xea et Xch sont respectivement les ractances des impdances Zea et Zch. Rea est la partie relle de limpdance Zea. Nous avons vu prcdemment que le facteur de pulling est proportionnel la drive de Xea et Xch. Par consquent, la puret spectrale d'une source RF est galement influence par le facteur de pulling. Il convient de rduire ce facteur en optimisant la topologie des oscillateurs afin d'obtenir des drives des ractances Xea et Xch importantes. Enfin le dernier moyen d'action pour rduire le bruit de phase est d'optimiser la puissance des oscillations (A). Les expressions I. 83 et I. 84 montrent que le spectre en bruit de phase est inversement proportionnel A. Cependant, comme nous venons de l'expliquer, certaines composantes de SVN(f) (le bruit de scintillation) sont

114

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

transposes par mlange frquentiel autour de f0. Pour ce type de composantes en bruit, leur niveau de puissance est proportionnel A [3]. Ce qui rend le bruit de phase, issu de ce mcanisme, indpendant de la puissance des oscillations. Ce type de bruit de phase est appel multiplicatif. Pour les autres composantes de bruit, comme le bruit thermique qui sont indpendantes des phnomnes non-linaires, le bruit de phase diminue avec la puissance des oscillations. Ce type de bruit de phase est dit additif. Il faut donc rechercher le compromis idal qui permette de rduire au mieux le bruit de phase.

4. Conditions d'oscillation
Afin de pourvoir osciller, un circuit doit remplir certaines conditions que lon dfinit sur un plan de rfrence, dispos de manire arbitraire dans le circuit oscillateur. Reprenons le circuit de la figure 72 et soit A/A le plan de rfrence. Disposons le entre les impdances Zea et ZCH. Le circuit se ramne alors au schma donn en figure 79, o deux impdances (Zea et Zch) sont relies par les points A et B.
A 2 Zea 1 B A'
figure 79 : Oscillateur rsistance ngative.

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A Zch

Le circuit entre en oscillation si les conditions suivantes sont vrifies : chea 1 et phase(chea )=0
I. 86

O ch et ea sont respectivement les coefficients de rflexion que prsentent les impdances Zch et Zea 10 GHz. La premire expression (module) est ncessaire afin que le transistor entretienne des oscillations, en compensant toutes les pertes occasionnes dans le circuit et la charge 50 ohms. La deuxime expression (phase) dtermine la frquence laquelle le circuit va osciller. Ainsi l' analyse du produit 115

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X chea permet de dterminer les impdances connecter autour d'un TBH pour que ce dernier oscille la frquence de 10 GHz. Cette tude a t ralise avec le logiciel ADS afin de dterminer les bandes de frquence o il est possible de faire osciller le TBH.

Aprs ce rappel sur la notion de bruit de phase, des mcanismes qui en sont l'origine, des diffrents moyens d'action pour rduire le bruit de phase et des conditions respecter pour quune oscillation se produise, nous allons dtailler le travail de conception et doptimisation qui a t ralis sur diffrentes topologies de circuits oscillateur. Ce travail a pour but d'valuer les potentialits de la technologie BiCMOS SiGe dans le domaine des sources RF micro-ondes haute puret

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spectrale en bande X intgres sur circuit MMIC. Nous avons ainsi tudi diffrentes topologies de circuits afin den valuer le bruit de phase, les facteurs de pushing et de pulling. Les rsultats observs ont t compars afin de dterminer la topologie de circuit qui offre le plus faible bruit de phase.

5. Topologies de circuits oscillateurs tudies

Nous avons conu quatre circuits oscillateurs en utilisant des lments localiss pour les impdances connecter autour du TBH. Deux circuits ont t raliss en connectant des impdances sur la base et l'metteur d'un TBH. Le premier circuit utilise une inductance et une capacit disposes respectivement sur la base et l'metteur. Le second circuit utilise une inductance en srie avec une capacit comme impdance de base, l'impdance d'metteur est une capacit. Un troisime circuit a t ralis en utilisant une raction de type parallle l'aide d'un quadriple passif en pi. Enfin, un quatrime circuit mettant en uvre un dispositif destin rduire le bruit de phase a t tudi en vue dune intgration autour d'un oscillateur de type Colpitts.

La premire topologie de circuit que nous ayons tudi (circuit oscillateur n 1) est donne ci-dessous :

116

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

CR

LB

ZCH

A'

figure 80 : Oscillateur contre raction srie inductive.

Lmetteur du TBH est ferm sur une capacit CR et sa base sur une inductance (LB).

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Le collecteur est charg par une impdance ZCH gale 50 ohms la frquence de 10 GHz. L'tude des paramtres S du TBH ferm sur ces impdances nous a permis de dterminer les valeurs de CR et LB pour lesquelles le TBH entre en oscillation. Ainsi, la figure 81 donne le module en dcibels du produit chea en fonction de la frquence, pour diffrents courants de polarisation sur la base du TBH C (voir tableau 1 chapitre 2), indiqus en paramtre sur chaque courbe. Limpdance de rfrence partir de laquelle ce produit t calcul est gale 50 ohms. Ces courbes ont t calcules pour une inductance LB et une capacit CR respectivement gales 0,85 nH et 0,3 pF.

figure 81 : Produit EACH en fonction de la frquence du TBH C.

117

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

Le rsultat de ce travail nous a conduit utiliser le TBH C dans les conditions suivantes :

Un courant de polarisation de collecteur gal 2,3 mA, soit un courant de base de 40 A.

Une inductance de 0,85 nH connecte sur la base du TBH.

Une capacit gale 0,3 pF connecte sur lmetteur du TBH.

Le schma lectrique complet du circuit ainsi ralis est donn en figure 82.

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figure 82 : Circuit oscillateur n 1, contre raction srie sur base l'aide d'une inductance.

Le courant de collecteur est faible afin d' obtenir un bon bruit de phase. Le collecteur du TBH est charg, par l' intermdiaire d' un attnuateur, par un circuit buffer. Le buffer permet, en isolant le circuit oscillateur de sa charge, de rduire le facteur de pulling, qui nous lavons vu, a une influence sur le bruit de phase du circuit. L' attnuateur est constitu d' un pont de rsistances en T (rndiff3, rndiff2 et rpolso3), 118

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

calcules de telle manire ce que lorsque son impdance de charge, ici limpdance dentre du circuit buffer, soit 50 ohms 10 GHz, limpdance d' entre de lattnuateur soit gale 50 ohms.

Le TBH est entour de T de polarisation (ind_param2 : 1,2 nH, ind_param3 : 0,8 nH, capal3 : 5 pF et capal2 : 5 pF) ainsi que d' une rsistance d' metteur (rndiff1 : 70 ) qui dtermine le courant de polarisation du TBH. L' inductance ind_param1 (0,7 nH) et la capacit capal1 (0,3 pF) font entrer le TBH en oscillation. Le circuit est aliment par les sources de tensions src2 et src3, qui fixent respectivement les potentiels continu du collecteur 2,5 Volts et de base 1,1 Volts. Ainsi, la consommation du circuit slve 11 mW et le spectre des oscillations, donn sur la figure 83 en dBm,

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indique qu' un signal dune puissance gale 12 dBm est disponible en sortie du circuit.

figure 83 : Spectre du signal en sortie de l'oscillateur n 1 en dBm.

Nous avons relev sur ce circuit un facteur de pushing, sur la tension de commande VBE du TBH, de 665MHz/ Volt. Les simulations de bruit de phase ralises, donnes sur la figure 84, ont montr un bruit de phase gal 89 dBc/Hz une distance de 100 kHz la porteuse. 119

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

Ci-contre en figure 84, sont donnes les spectres en bruit de phase du circuit n 1, calcul daprs la sensibilit du circuit une perturbation lectrique (A), daprs la matrice de conversion (B). La courbe C donne le bruit damplitude en V/Hz.

figure 84 : Spectre en bruit de phase du circuit oscillateur n 1 en dBc/Hz.

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Nous avons relev un facteur de qualit en charge du circuit d'accord de 7,1. Pour une distance la porteuse comprise entre 200 Hz et 80 MHz, l'oscillation du circuit est perturbe par du bruit blanc puisque le spectre en bruit de phase dcrot avec une pente de 20 dB par dcade. Pour une distance la porteuse infrieure 200 Hz l'oscillation du circuit est perturbe par du bruit de scintillation car le spectre en bruit de phase se rapproche d'une pente de 30 dcibels par dcade.

Le circuit oscillateur n 2 a t conu dans le but dobtenir une valeur plus importante du facteur de qualit en charge. Pour cela l'impdance de fermeture, sur la base du TBH, est ralise avec une capacit en srie avec une inductance. Les simulations ralises avec le logiciel ADS, nous ont conduit utiliser le TBH C dans les conditions suivantes pour raliser le circuit oscillateur n 2 :

un courant de polarisation de collecteur gal 4,2 mA, soit un courant de base de 65 A.

L'impdance de fermeture sur la base du TBH ralise avec une inductance de 0,71 nH en srie avec une capacit de 2,5 pF.

Une capacit CR gale 0,4 pF connecte sur lmetteur du TBH.

120

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

Le schma lectrique du circuit n 2 est donn sur la figure 85. Le courant de collecteur, de valeur suprieure au circuit n 1, se justifie par le fait que les caractristiques dynamiques du TBH doivent permettrent de compenser toutes les pertes occasionnes dans le circuit oscillateur. Limpdance de fermeture sur la base du TBH est ralise par l' inductance ind_parameter4 ( 0,7 nH) associe en srie avec la capacit capal ( 3,3 pF). Limpdance de fermeture sur lmetteur du TBH est ralise avec la capacit capal1 ( 0,37 pF). La rsistance dmetteur, qui dtermine le courant de polarisation du TBH, est gale 70 ohms. Les tensions continues appliques sur la base et le collecteur du TBH sont respectivement gales 1 et 2,2 Volts. Enfin, les autres lments du circuit sont identiques (T de polarisation, attnuateur, buffer) au circuit n 1.

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figure 85 : Circuit oscillateur n 2.

Le rsultat des simulations de bruit de phase est donn en figure 86 o nous pouvons observer un bruit de phase gal 87 dBc/Hz une distance de 100 kHz de la porteuse. Le spectre en bruit de phase de ce circuit dcrot de 30 dcibels par dcade dans la bande de frquence 10 Hz - 800 Hz. Nous pouvons en dduire que du bruit de scintillation, prsent dans cette bande de frquence du spectre de bruit 121

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

basse frquence du TBH, perturbe l'oscillation du circuit. Au-del, le bruit de phase est gnr par du bruit blanc, car son spectre dcrot de 20 dcibels par dcade.

Ci-contre en figure 86, sont donnes les spectres en bruit de phase du circuit n 2, calcul daprs la sensibilit du circuit une perturbation lectrique (A), daprs la matrice de conversion (B). La courbe C donne le bruit damplitude en V/Hz.

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figure 86 : Spectre bruit de phase oscillateur n 2.

Nous pouvons galement observer un facteur de pushing dune valeur gale 767 MHz/ Volts, ce qui est lgrement suprieur la valeur releve sur le circuit oscillateur n 1. Dautre part les simulations du circuit oscillateur n 2 nous montre qu'un signal RF d'une puissance de 6 dBm est disponible en sortie du circuit. Nous avons relev sur ce circuit un facteur de qualit en charge gal 6. Cette valeur est infrieure celle observe sur le circuit oscillateur n 1. Le courant de polarisation du TBH, qui est ici gal 4,2 mA, est galement responsable de l'augmentation du bruit de phase par rapport au circuit n 1.

Le troisime circuit a t ralis afin d'utiliser une inductance en mode diffrentiel comme impdance de raction circuit. Ceci nous permet d'obtenir un facteur de qualit vide plus important. La contre raction ralise est de type parallle, entre le collecteur et la base du TBH. La structure du quadriple de raction que nous avons utilis est donne ci-dessous en figure 87.

122

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

Ind_parameter1 V1 V2

Capal2

Capal4

figure 87 : Rsonateur en lments localis, structure en pi.

L'inductance que nous avons utilise 10 GHz, d'une valeur de 0,7 nH, prsente un facteur de qualit vide en mode commun et diffrentiel respectivement gal 12,5 et 15. Ce quadriple est utilis, comme l'indique la figure 88, pour faire osciller un TBH de type C. Les optimisations ralises sur ce circuit nous ont conduit polariser

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le TBH avec un courant de collecteur de 2 mA. Les pertes dans ce circuit tant moins importantes que dans le circuit n 2, nous avons pu rduire la polarisation du TBH 2 mA sans compromettre les conditions d'oscillations du circuit.

Capal3

Ind_parameter1

Capal1

Capal2

Capal4

figure 88 : Circuit oscillateur n 3, contre raction parallle.

La structure complte du circuit est donne sur la figure 89. Le TBH (T) est mont en amplificateur, la contre raction est ralise l'aide du filtre (Ind_parameter1 : 0,7 nH, Capal2 et Capal4 : 0,22 pF). Les capacits de liaison (Capal3, Capal1 : 2 pF) vitent toute fuite de courant continu au travers du filtre. Le circuit est charg par l'intermdiaire d'un attnuateur une charge 50 ohms. Le pont de rsistance (rndiff2, rndiff3, rpolo6) permet de rduire le facteur de pulling du circuit en isolant le circuit de sa charge. Le TBH est entour de T de polarisation (ind_parameter1, capal7, ind_parameter7, capal6). La capacit capal5 dcouple la rsistance de polarisation sur lmetteur du TBH rndiff3, qui dtermine le point de repos du TBH. La valeur de 123

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

cette rsistance est ici de 75 ohms. Les sources de tensions src4 et src2 fixent respectivement les potentiels de base et de collecteur 1,0 Volts et 2,5 Volts.

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figure 89 : Schma lectrique du circuit oscillateur n 3.

Le circuit consomme 5 mW et les courbes de la figure 90 donne les rsultats des simulations ralises sur ce circuit. Nous pouvons observer sur ces courbes une dcroissance de 30 dcibels par dcade du spectre en bruit de phase pour une distance la porteuse comprise entre 10 Hz et 200 Hz. Le bruit de phase que nous avons relev une distance de 100 kHz de la porteuse est de 84 dBc/Hz. Le bruit de phase sur le circuit n 3 est ainsi plus lev que celui observ sur les circuits n 1 et 2. La dgradation de la puret spectrale de la source RF est galement observable sur le facteur de pushing. Nous obtenons une valeur de 890 MHz/ Volts sur le circuit oscillateur n 3, ce qui est nettement suprieur aux valeurs observes sur les circuits n 1 et 2. Nous avons relev un facteur de qualit en charge du circuit gal 5, d'aprs l'allure du spectre en bruit de phase. Cette valeur, qui est infrieure celles releves sur les circuits n 2 et n 1, explique l'augmentation du bruit de phase

124

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

par le fait que les impdances utilises dans le circuit oscillateur n 3 ne permettent pas d'obtenir un facteur de qualit en charge suprieur celui observ sur les circuits n 1 et 2, malgr la valeur plus leve du facteur de qualit vide du quadriple dcrit en figure 87. La figure 90 donne le spectre de bruit de phase relev sur le circuit n 3, qui s'lve 84 dBc/Hz une distance de 100 kHz de la porteuse.

Ci-contre en figure 91, sont donnes les spectres en bruit de phase du circuit n 2, calcul daprs la

sensibilit du circuit une perturbation lectrique (A), daprs la matrice de conversion (B). La courbe C donne le

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bruit damplitude en V/Hz.

figure 90 : Spectre en bruit de phase du circuit oscillateur n 3.

La simulation de ce circuit montre qu'un signal RF d'une puissance de -5 dBm est disponible en sortie du circuit. Les caractristiques des trois circuits oscillateurs sont rsumes dans le tableau suivant :

L(fm) Pushing (dBc/Hz) (MHz/Volts) 100 KHz Circuit n 1 -89 665 Circuit n 2 -87 765 Circuit n 3 -84 890

Pulling (MHz) SWR=3 0,2 6 130

PDC (mW) 11 10 5

QL

Ic (mA) 2,3 4,2 2

PRF (dBm) -12 -6 -5

8,3 12,5 5,3

tableau 12 : Caractristiques des circuits oscillateurs.

L'expression du bruit de phase, qui est rappele en I. 88, permet d'isoler les contributions respectives du facteur de qualit en charge, du facteur de pushing et des sources de bruit du TBH.

125

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X N 9 = 20 ORJ I 24

I. 87

Le tableau 13 regroupe les variations en dcibels du bruit de phase (), du facteur de qualit (QL), du facteur de pushing (k) et des sources de bruit du TBH (VBE) entre chaque circuit oscillateur. Circuits 1/2 Circuits 1/3 Circuits 2/3 2 6 3 QL -3,56 3,9 7,45 k 1,22 2,6 1,37 VBE 4,34 -0,5 -5,82

tableau 13 : Variations en dB du bruit de phase, du facteur de qualit en charge, du facteur de

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pushing et des sources de bruit des TBH des trois circuits oscillateurs.

Par consquent, la somme des trois contributions QL, k et VBE est gale . Ce tableau montre alors que le niveau des sources de bruit a bien augment sur le circuit n 2 par rapport au circuit n 1. Le facteur de qualit en charge du circuit n 2 a galement augment du fait de la prsence d'un lment ractif supplmentaire pour l'impdance de base du TBH. Le facteur de pushing se dgrade dans le circuit n 2. Le circuit n 3, mme s'il prsente des sources de bruit moins importantes sur la commande du TBH, prsente des facteurs de pushing plus important est un facteur de qualit en charge plus faible. Par consquent le bruit de phase est plus important. Ainsi, le tableau 12 et le tableau 13 montrent que la topologie du circuit oscillateur n 1 offre la meilleure puret spectrale. Le spectre relev au cours de la caractrisation du circuit MMIC, ralis selon la topologie du circuit oscillateur n 1, est donn en figure 91. La mesure a t ralise l'aide d'un analyseur de spectre de type HP.

126

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

figure 91 : Spectre du signal RF observ en sortie du circuit oscillateur n 1.

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Une mesure plus fine nous a permis de relever un bruit de phase de 86 dBc/Hz une distance de 100 kHz de la porteuse. Ce rsultat est proche de la valeur thorique obtenue d'aprs les modles fournis par STMicroelectronics, qui est de 89 dBc/Hz. A une distance de 10 kHz de la porteuse, le bruit de phase est gal 66 dBc/Hz. Ce rsultat est situ sur le carr rouge du graphique de la figure 92, qui regroupe les diffrents rsultats publis, afin de donner un tat de l'art sur les circuits oscillateurs.
Etat de l'art des technologies BiCMOS SiGe appliques aux oscillateurs MMIC / (Bruit de phase 100 KHz de la porteuse)
-50 -60

[11]
-70

[6]
-80

[5]
-90

[10 ] [7] [9] [8]

10 frquence (GHz) 100

-100

[4]
-110 1

figure 92 : Etat de l'art des circuits oscillateurs en fonction de la frquence d'oscillation.

127

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

Le travail que nous avons ralis sur le thme de l'optimisation du bruit de phase des sources RF s'est poursuivit par l'tude d'une technique destine rduire le bruit basse frquence des TBH, l'origine du bruit de phase observ dans les sources RF. Dans le paragraphe qui suit nous allons dcrire la mise en uvre d'un asservissement de la commande (VBE) d'un TBH, qui sera ensuite utilis dans un circuit oscillateur de type Colpitts. L'effet du dispositif, sur le bruit observ sur les tensions de commande du TBH et le bruit de phase, sera ensuite abord. Enfin, nous conclurons sur l'ensemble du travail expos dans ce chapitre.

6. Technique de rduction du bruit de phase

La technique que nous avons utilise t dveloppe par U. L. Rhodes [19] avec des composants discrets. Notre travail a consist tudier l'intgration d'un tel systme sur circuit MMIC. Le principe de cette technique consiste rduire le spectre en bruit basse frquence du TBH l'origine des perturbations des oscillations, l'aide d'une contre raction sur la commande VBE. Les fluctuations de cette dernire seront ainsi rduites, par consquent la puret spectrale de la source RF, ralise autour de ce dispositif, est amliore.

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Cette technique est base sur le principe de dgnrescence du bruit [20], [21]. Une image du spectre en bruit basse frquence de la commande VBE du TBH T1 est prleve l'aide d'une rsistance d'metteur (RE). La tension ainsi prleve est amplifie l'aide d'un second TBH, fonctionnant en metteur commun (T2, RB). La tension ainsi amplifie est ensuite injecte en opposition de phase sur la base du TBH T1. Le schma lectrique d'un tel circuit est donn ci-dessous en figure 93. Les rsistances RB et RE polarisent les TBH T1 et T2. T2, avec la rsistance RB ralise l'amplification et l'inversion de la perturbation prsente sur la commande VBE du TBH T1. LC et CC polarisent le collecteur du TBH T1 qui est charg par une charge RL.

128

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

VCC RB

LC

CC T1 RL

T2 RE

figure 93 : Systme rducteur de bruit de phase.

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Etudions l'incidence d'une perturbation (e) sur la commande VBE du transistor T1. Le schma quivalent petit signal du circuit de la figure 93, dans le domaine des basses frquences, est le suivant :
RB e iB1 VBE r1 1iB1

iB2 2iB2 r2 RE RL

figure 94 : Schma lectrique quivalent du circuit donn en figure 93.

Faisons l'hypothse suivante : r2>>RE, ce qui est justifi tant donn la valeur du courant de base trs faible du TBH T2 (r=UT/IB). Nous pouvons alors exprimer la relation entre la perturbation e et la tension de commande VBE du transistor T1 l'aide de la relation suivante : RB VBE 1 = avec K = + RE gm1 + RB RE gm 2 gm1 e 1+ K r 1 129
I. 88

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

O gm1 et gm2 sont respectivement les transconductances des TBH T1 et T2. Ainsi, une valeur de K, grande devant l'unit, permet de rduire fortement la sensibilit de la commande VBE du transistor T1 aux perturbations lectriques. Il existe cependant une limite la valeur du facteur K, car la contre-raction a galement une incidence sur la polarisation du TBH T1. L'expression I. 88 montre qu'en utilisant une valeur importante pour les rsistances RE et RB, le facteur K est important. Cependant les simulations ralises avec le logiciel ADS ont montr que des valeurs trop importantes de ces rsistances rduisent considrablement la polarisation des transistors T1 et T2. Il faut veiller ce que la polarisation du TBH T1 permette d'obtenir des caractristiques dynamiques qui puissent compenser les pertes occasionnes dans le circuit. Il faut en effet qu' la frquence de 10 GHz, le gain du TBH T1, qui est fonction de la polarisation, permette l'entretien d'oscillations. Il

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convient donc de veiller ne pas trop la rduire. La figure 95 reprsente le spectre de bruit en tension de la commande VBE du TBH C, en Volts/Hz, pour diffrentes valeurs de RB dans la bande 1 HZ-10MHz. Le TBH utilis pour raliser la fonction du transistor T2 est le TBH B. Ce type de TBH offre de bonnes performances en gain faible courant de polarisation et gnre peu de bruit. Nous avons vrifi que la prsence de T2 n'affecte pas le calcul du spectre en bruit de la commande VBE de T1, en introduisant du bruit dans la boucle de retour. Le courant de polarisation de collecteur du TBH T1, correspondant la valeur de RB utilis, est donn en paramtre.

Nous avons ensuite ralis des simulations du bruit en tension de la commande VBE du TBH 1. Nous avons tudi cette grandeur du fait que le bruit de phase est corrl au bruit de VBE par le facteur de pushing. Les simulations ralises, sans dispositif de raction, ont montr que pour une frquence gale 100 Hz le bruit en tension est gal 210-7V/Hz. Il passe 0,810-9 V/Hz avec une rsistance RB de 15 k. Ce qui reprsente une rduction de 25 dB du bruit en tension. Quant au plancher de bruit, il passe de 1,210-9 0,310-9, soit une rduction de 6 dB environ.

130

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

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figure 95 : Spectre en bruit de la commande VBE du TBH T1 en V/Hz .

La structure du dispositif complet (Colpitts+raction) est donne ci-dessous sur la figure 96.

VCC RB1

LC CC T1 C1 RL

Lo

Co T2

LE RE C2

figure 96 : Circuit oscillateur Colpitts avec dispositif rducteur de bruit de phase.

131

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

Nous avons utilis la topologie de circuit tudie au cours des travaux de U. L. Rhodes [19] afin d'tudier son intgration sur un circuit MMIC SiGe. Le transistor T1, muni du pont capacitif de raction (C1, C2), se comporte comme un diple dont l'impdance est donne par l'expression suivante : Z = gm1 C1 C 2 + j 2 C1 + C 2 C1 C 2
I. 89

La partie relle de cette impdance est ngative et permet ainsi de compenser les pertes du circuit. Les valeurs des capacits C1 et C2 permettent ainsi d'ajuster la compensation des pertes d'nergie dans le circuit. Afin que les conditions d'oscillations soient vrifies, il est ncessaire d'annuler la ractance de l'impdance Z la frquence de 10 GHz. Ceci est fait l'aide de l'inductance Lo. La capacit Co vite le court-circuit qu'occasionnerait l'inductance Lo sur l'alimentation. L'inductance

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LE neutralise la raction dans le domaine des hautes frquences, afin d'viter tout problme dans la stabilit des oscillations du circuit. Les simulations de bruit de phase de ce circuit, calcules d'aprs la sensibilit du circuit une perturbation lectrique, sont donnes sur la figure 97 et montrent que la raction rduit d'environ 20 dB le bruit de phase une distance de la porteuse de 100 Hz. Loin de la porteuse, o les simulations du spectre en bruit basse frquence ont montr une moindre amlioration, la rduction n'est plus que de 6 dB une distance de la porteuse de 1 MHz.

Sans rduction

Avec rduction

figure 97 : Spectre en bruit de phase en dBc/Hz avec et sans dispositif rducteur de bruit.

132

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

Cette mesure montre qu'il est difficile, loin de la porteuse, de rduire les sources de bruit du TBH. En effet, la qualit de la compensation est lie au dphasage introduit par la chane de retour de l'asservissement en tension de la commande du TBH. Ce dphasage est conditionn par la bande passante de l'asservissement. Ainsi, pour des frquences proches de la frquence de coupure, le dphasage du signal inject dans la base du TBH T1 devient lgrement infrieur 180 .

Le facteur de pushing que nous avons relev sur ce circuit est gal 1,8 MHz/ Volts. Cette valeur est nettement infrieure aux rsultats obtenus sur les circuits oscillateur n 1, 2 et 3 ( tableau 12). Nous avons galement relev un facteur de pulling de 590 MHz. La puissance du signal disponible en sortie du circuit s'lve 8 dBm et la puissance consomme par le circuit 42 mW. Les caractrisations que nous avons

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effectues sur le circuit ainsi ralis ont t effectues sur une station sous pointe de type "Karl Zuss". La figure 98 donne la vue de dessin de masque du circuit ralis. Les deux plots VB et VC sont destins lalimentation du circuit. Les deux sources indpendantes, associes aux plots VB et VC, polarisent respectivement la base et le collecteur du TBH en oscillation. Le collecteur du TBH ainsi polaris, qui dlivre le signal RF, est charg par un analyseur de spectre de type HP par lintermdiaire des pointes de contact disposes sur le plot RF. Les mesures que nous avons effectues ont montr que le circuit dlivre un signal RF qui prsente un bruit de phase de 88 dBc/Hz une distance de 100 KHz de la porteuse. Le graphique donn en figure 99 donne lallure du spectre ainsi mesur.

133

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

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figure 98 : Vue de dessin de masque du circuit oscillateur (surface : 700x700m ).

134

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

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figure 99 : Spectre en bruit de phase du circuit oscillateur.

7. Conclusion
Parmi les diffrentes topologies de circuits oscillateurs 10 GHz que nous avons ralis, le circuit n 1 a donn les meilleurs rsultats en terme de puret spectrale. Nous avons relev sur ce circuit un bruit de phase de 86 dBc/Hz une distance de 100 kHz de la porteuse alors que la thorie prvoyait un bruit de phase de 89 dBc/Hz cette mme distance. Les rsultats thoriques ont montr que les circuits n 2 et 3 prsentaient des niveaux de bruit de phase plus importants en raison des facteurs de qualit en charge, observs sur ces deux circuits, infrieurs celui relev dans le cas du circuit n 1. D'autres facteurs, comme le niveau des sources de bruit, ont galement influenc ces rsultats. Notamment dans le circuit n 2, o il a t ncessaire de polariser le TBH avec un courant de collecteur plus important, afin de pouvoir entretenir des oscillations dans le circuit.

Enfin, nous avons tudi l'intgration sur un circuit MMIC d'un dispositif permettant de rduire les perturbations prsentes sur la commande VBE des TBH. L'tude thorique de ce dispositif, coupl un circuit oscillateur de type Colpitts, a montr

135

CHAPITRE 3 : SOURCES RADIOFREQUENCE EN BANDE X

que le bruit de phase est rduit d'environ 6 dB une distance de 100 kHz de la porteuse. Cette rduction du bruit de phase est plus importante prs de la porteuse, nous avons ainsi relev une rduction de 20 dB pour une distance la porteuse de 100 Hz. Les caractrisations du circuit qui a t ralis ont montr cependant que le niveau de bruit de phase est suprieur de 12 dB ce qui t prvu par la thorie.

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RESUME

CONCLUSION GENERALE
Notre mmoire apporte une contribution l'tude de fonction faibles bruit avances en technologie SiGe pour les futurs quipements de tlcommunications qui devront tre faible cot, multi-standards et qui devront prsenter des seuils de sensibilit importants. Pour tenter de rsoudre cette problmatique, nous avons dcid d'valuer les potentialits des technologies pour les applications en bande X.

Dans la premire partie de ce mmoire, nous avons rappel les limites de la technologie bipolaire silicium, au niveau des composants actifs et passifs, ainsi que les diffrentes solutions qui ont t apportes. Les rductions gomtriques des

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composants imposant une modlisation des circuits de plus en plus prcise, nous avons galement rappel l'tat de l'art de cette discipline ainsi que l'actuelle comptition qui est mene afin de dfinir le nouveau standard qui sera utilis dans l'avenir. Enfin nous prsentons la technologie que nous avons utilis pour dvelopper nos circuits.

La seconde partie est consacre au dveloppement de circuits amplificateurs faible bruit en bande X en technologie BiCMOS SiGe. Aprs un rappel des qualits auxquelles doit rpondre un amplificateur, nous dtaillons la recherche de transistors adaptables la fois en impdance et en bruit ainsi que la technique utilise pour y parvenir. Nous prsentons ensuite l'tude thorique qui a t mene pour dterminer la topologie de circuit qui offre les meilleures qualits en terme de gain, bruit, linarit et consommation. Les rsultats exprimentaux exposs en fin de ce chapitre sont compars l'tat de l'art.

La dernire partie de ce mmoire est consacre au dveloppement de circuits oscillateurs faible bruit de phase en bande X en technologie BiCMOS. Nous rappelons tout d'abord la notion de bruit de phase et les origines de ce phnomne. Nous prsentons ensuite l'tude thorique qui nous a permit de concevoir une topologie de circuit prsentant un faible bruit de phase. Les rsultats exprimentaux sont ensuite prsents et compars l'tat de l'art.

144

RESUME Enfin l'tude thorique d'un dispositif, intgr dans un circuit MMIC, qui utilise la technique de dgnrescence de bruit pour rduire le bruit de phase d'un oscillateur est prsente. Ces rsultats restent tre confirms par les caractrisations du circuit, qui est l'heure actuelle, toujours en cours de fabrication.

En conclusion gnrale, nous pouvons constater que les rsultats obtenus prouvent les potentialits de la technologie SiGe BiCMOS et nous sommes convaincus que ces potentialits seront encore renforces dans un futur proche avec l'arrive des technologies BiCMOS SiGe de deuxime gnration qui se caractrisent par des lments actifs et passifs prsentant des performances amliores.

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RESUME

Rsum
Les progrs de la technologie silicium germanium (SiGe) suscitent sa possible utilisation dans les applications haute frquence. Les travaux dcrit dans ce mmoire visent tudier les potentialits de cette technologie pour la ralisation de circuits intgrs monolithiques (MMIC) faibles bruit dans la bande de 10 GHz. Ce mmoire est articul autour de trois chapitres. Le premier rappelle les contraintes auxquelles doit rpondre un transistor bipolaire afin d'tre utilisable dans les circuits RF millimtriques. La technologie qu' dvelopp STMicroelectronics pour ce domaine d'application est ensuite prsente. Enfin, le travail de caractrisation qui a t ralis afin de valider le comportement des modles que nous allons utiliser pour

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concevoir des circuits RF est prsent. Le second chapitre est consacr la conception de circuits amplificateurs faible bruit. La mthode de travail ainsi que les topologies de circuits sont prsentes. Le rsultat des caractrisations effectues est ensuite prsent. Nous terminons en concluant au sujet des performances en terme de consommation, linarit, gain et facteur de bruit des diffrents circuits. Le troisime chapitre aborde la conception de sources radiofrquence faible bruit de phase. Les diffrentes topologies de circuits que nous avons tudis sont prsentes, ce qui nous a permis de mettre en vidence les topologies offrant les meilleures performances. Enfin, une technique base sur le principe de dgnrescence de bruit, est galement prsente. Ce travail nous a permis d'intgrer sur un circuit MMIC, autour d'un circuit oscillateur de type Colpitts, un dispositif rducteur de bruit. Les rsultats thoriques de cette tude ont montr l'efficacit de cette mthode.

Abstract
This memory addresses the investigation of the potentialities of the BiCMOS silicon germanium technology for the realization of low noise circuits in the X band range. The report is organized in three parts. Part I deals with a description of the general properties of a bipolar device. A description of a BiCMOS SiGe technology is presented. We end this part by the validation of the model provided by the foundery through electrical characterization up to 40 GHz. The second part of the report 146

RESUME focuses on the design and the characterization of low noise amplifier in the X band range. A theoretical study has been done in order to determine the most appropriate bias and device. Two low noise amplifier topologies have been investigated based on conventional and folded cascode. From simulations, it has been demonstrated that the conventional cascode topology represents the best trade off with respect to the noise figure, gain, power consumption and linearity. We end the chapter by the characterization of the low noise amplifier. In the last part, we focus on the design of low phase noise oscillators at X band range based on SiGe technology. We have worked on the design of three topologies of microwave oscillator using integrated LC resonator. From theoretical investigations, a 10 GHz oscillator has been realized and measured. In the last part of this chapter, we have worked on the design of an original topology of low phase noise oscillator based on the degenerescence

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concept. As conclusion, this memory represents a contribution to the design and the characterization of low noise circuits at X band using BiCMOS SiGe technology.

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