Mémoire vive

mémoire dynamique à accès aléatoire, utilisée pour le traitement des informations par les processeurs, en
informatique

« Random Access Memory » redirige ici. Pour l'album du groupe Daft Punk, voir Random
Access Memories.

Pour les articles homonymes, voir RAM et Mémoire vive (homonymie).

La mémoire vive, parfois abrégée avec l'acronyme anglais RAM (random-access memory), est la
mémoire informatique dans laquelle peuvent être enregistrées les informations traitées par un
appareil informatique. On écrit mémoire vive par opposition à la mémoire mortea.

Cet article ne cite pas suffisamment ses sources (décembre 2013).

Mémoire vive

Deux barrettes de mémoire DDR de 512 Mio chacune

Caractéristiques

Se connecte via Support DIMM

Support SIMM
Classement des Ordinateur fixe
utilisations
Ordinateur portable
Fabricants Corsair Memory
courants
Kingston

OCZ Technology

G.Skill

Samsung

Micron Technology

Gigabyte

L'acronyme RAM date de 1965.

Caractéristiques générales

Les caractéristiques actuelles de cette mémoire sont :

Sa fabrication à base de circuits intégrés ;

L'accès direct à l'informationb par opposition à un accès séquentiel ;

Sa rapidité d'accès, essentielle pour fournir rapidement les données au processeur ;

Sa volatilité, qui entraîne une perte de toutes les données en mémoire dès qu'elle cesse d'être
alimentée en électricité.

Histoire

La traduction de cet article ou de cette section doit être revue (janvier 2025).

AM9016DPC

32 puces de mémoire AMD AM9016DPC,

sur le premier PC d'IBM. Chaque puce
compte 16 kilo-bits, soit environ 2 kilo-
octets. 4 puces sont également présentes
hors image pour un éventuel contrôle de
parité. La mémoire est cadencée à 250 ns1
(1981).

En 1957, Frosch et Derick manufacturent les premiers transistors (...) à Bell Labs, les premiers
transistors à drain et source sont adjacents à la surface2. Subséquement, en 1960, une équipe
démontre un MOSFET fonctionnant à Bell Labs3,4. Cela a conduit au développement de mémoire
MOS (metal–oxide–semiconductor) par John Schmidt à Fairchild Semiconductor en 19645,6. En
plus de la rapidité, la mémoire à semiconducteur MOS était meilleur marché et plus sobre
électriquement que la mémoire magnétique préexistante5. Le développement de la technologie
circuit intégérés MOS à silicon-gate (MOS IC) par Federico Faggin à Fairchild en 1968 permis la
production de puces mémoire MOS7 La mémoire MOS surpassa la mémoire magnétique comme
technologie mémoire dominante au début des années 1970s5.

La static random-access memory (SRAM) bipolaire intégrée est inventée par Robert H. Norman à
Fairchild Semiconductor en 19638. C'est suivi par le développement de SRAM MOS par John
Schmidt à Fairchild en 19645. La SRAM devient un substitut des mémoires magnétiques, mais
requerrait six transistors MOS pour chaque bit de donnée9. L'utilisation commerciale de la SRAM
commença en 1965, quand IBM introduisit la puce mémoire SP95 pour l'System/360 Model 9510.

La dynamic random-access memory (DRAM) permit le remplacement d'un circuit latch de 4 ou 6-

transistors par un unique transistor pour chaque bit de mémoire, augmentant grandement la
densité mémoire au coût de la volatilité. La données était contenues dans la capacitance
minuscule de chaque transistor et devait être périodiquement rafraichie chaque peu de
millisecondes avant que la charge ne fuie.

La calculateur électronique Toshiba's Toscal BC-1411, qui fut introduit en 196511, utilisait une
forme de DRAM "capacitor-bipolar", enregistrant 180-bit de donnée dans des cellules mémoire
discrètes, consistant en des transistors et condensateurs/capacités bipolaires en
germanium12,13. Alors qu'il offraitdes vitesses plus élevées que la mémoire magnétique, la DRAM
bipolaire restait plus chère que la mémoire magnétique14 Les condensateurs/capacités ont
aussi été utilisés pour des schémas mémoire antérieurs, tels que le "drum" du Atanasoff–Berry
Computer, le tube Williams et le tube Selectron.

CMOS 1-megabit (Mbit) DRAM chip,

one of the last models developed by
VEB Carl Zeiss Jena, in 1989.

En 1966, Robert Dennard inventa l'architecture DRAM moderne pour laquelle un seul transistor
MOS par condensateur/capacitor suffit9. En examinant les caractéristiques de la technologie
MOS, il fut capable de construite des capacitors/condensateurs, et la présence ou l'absence de
charge sur le condensateur/capacitor MOS pouvait représenter les états 1 et 0 d'un bit, quand le
transistor MOS pouvait contrôler l'écriture de la charge dans le condensateur/capacitor. Cela
mena au développement d'une cellule mémoire DRAM à transistor unique9. En 1967, Dennard
documente un brevet (patent) pour IBM pour une cellule mémoire DRAM à transistor unique,
basé sur la technologie MOS technology15. La première puce commerciale DRAM IC était l'Intel
1103, qui était produite avec un procédé MOS 8 μm avec une quantité de 1 kbit, et releasé en
19705.

En 1981, la RAM est déjà présente sur le PC introduit par IBM.

Les premières DRAM étaient souvent synchronisées avec l'horloge CPU et furent utilisées avec
les premiers microprocessors. Au milieu des années 1970s, la conception (design) des DRAMs
devint asynchrone, mais dans les années 1990s redevint synchrone16,17. En 1992 Samsung
releasa la KM48SL2000, mémorisant 16 Mbit18,19 et produit en masse en 199318. La première
puce mémoire DDR SDRAM commerciale (double data rate SDRAM) était la puce SDRAM DDR de
Samsung de 64 Mbit, releasée en juin 199820. Les DDR graphiques (GDDR) sont une forme des
RAM graphiques synchrones (SGRAM), qui furent initialement releasée par Samsung en puce
mémoire de 16 Mbit de en 199821.

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Comment faire ?

Désignations

Il y a deux types principaux de mémoire vive. La mémoire vive dynamique (DRAM) doit être
réactualisée périodiquement pour éviter la perte d'information, même sous alimentation
électrique normale. La mémoire vive statique (SRAM) n'a pas besoin d'un tel processus sous
alimentation électrique normale.

Cellule SRAM (6 transistors)

Cellule DRAM (1 transistor et un
condensateur).

Technique

Une carte mémoire RAM de 4 Mio

pour ordinateur VAX 8600 (c. 1986).

circuit intégré
DIP

barrette
 SIP

SIMM
30 broche
SIMM
72 broche

DIMM

RIMM

Différentes présentations de mémoire vive, de haut en

bas :
circuit intégré DIP

barrette SIP

barrette SIMM 30 broches

barrette SIMM 72 broches

barrette DIMM

barrette RIMM

La mémoire informatique est un composant d'abord réalisé par des tores magnétiques, puis par
l'électronique dans les années 197022, qui permet de stocker et relire rapidement des
informations binaires. Son rôle est notamment de stocker les données qui vont être traitées par
l'unité centrale de traitement (UCT), soit un microprocesseur dans la plupart des appareils
modernes.

On peut accéder à la mémoire vive alternativement en lecture ou en écriture.

Il existe également des mémoires associatives, largement utilisées dans les techniques de
mémoire virtuelle pour éviter des recherches séquentielles de pages et accélérer ainsi les accès.

Organisation

Les informations peuvent être organisées en mots de 8, 16, 32 ou 64 bits.

Certaines machines anciennes avaient des mots de taille plus exotique. Par exemple,

60 bits pour le Control Data 6600 ;

36 bits pour l'IBM 7030 « Stretch » ou le DEC PDP-10 ;

 12 bits pour la plupart des premiers mini-ordinateurs de DEC, les appareils d'instrumentation
travaillant au mieux sur 12 bits à l'époque.

Détection et correction d'erreurs

Afin d'assurer la fiabilité de l'information enregistrée en mémoire, on ajoute des bits

supplémentaires à chaque mot de mémoire. Par exemple,

Dans les mémoires à parité, il y a un bit supplémentaire (dit de contrôle de parité), transparent
à l'utilisateur (traitement matériel) ;

Dans les mémoires à correction automatique d'erreur sur 1 bit et détection sur plus d'un bit
(ECC), ces bits invisibles sont parfois au nombre de six ou plus ;

Chaque mot des mémoires des serveurs modernes dits non-stop ou 24×365 dispose, en plus
des bits de correction, de bits de remplacement qui prennent la relève des bits défaillants à
mesure du vieillissement de la mémoire (une défaillance de 10-11 chaque année se traduit par
10,0 bits défaillants par an sur une mémoire de 128 Gio).

Les fabricants recommandent d'utiliser de barrettes de mémoire avec l'ECC pour celles ayant
une capacité d'1 Gio ou plus, en particulier celles utilisées dans les serveurs, permettant de
détecter les erreurs et de les corriger à la volée. Dans la pratique, les ordinateurs personnels les
utilisent très rarement.

Temps d'accès

Le temps d'accès à un mot de la mémoire vive est de quelques dizaines ou centaines de

nanosecondes tandis que celui d'une mémoire à disque dur est de quelques millisecondes (c'est-
à-dire dix mille à cent mille fois plus lent) et celui d'une mémoire à semi-conducteur est
intermédiaire. En revanche, il n'est possible avec ces derniers, de lire et écrire que par blocs de
mots.

Adressage de la mémoire

Cette section ne cite pas suffisamment ses sources (juillet 2018). [Développer]

Un circuit intégré de mémoire ne comporte que le nombre de bits d'adressage mémoire

nécessaire pour accéder aux mots de mémoire qu'il contient. L'unité centrale de traitement
comporte beaucoup plus de bits d'adresse mémoire qu'un simple circuit intégré de mémoire afin
d'adresser davantage de mémoire. Ces bits supplémentaires sont décodés par un circuit
spécialisé, nommé décodeur d'adresse ou sélecteur, pour sélectionner le circuit intégré de
mémoire approprié grâce à une broche de celui-ci nommé chip select.
Il est très facile de munir un microprocesseur d'une mémoire non contiguë (par exemple de 0 à
4 095, puis un trou, puis de la mémoire entre 16 384 et 32 767), ce qui facilite beaucoup la
détection d'erreurs d'adressage éventuelles [réf. nécessaire].

Divers types de mémoire vive

Mémoire vive statique

Une mémoire vive statique est une mémoire vive qui n'a pas besoin de rafraîchissement.

Static Random Access Memory (SRAM)

Article détaillé : Mémoire vive statique.

Cette mémoire utilise le principe des bascules électroniques pour enregistrer l'information. Elle
est très rapide, mais est cependant chère et volumineuse. Elle consomme moins d'électricité que
la mémoire dynamique. Elle est utilisée pour les caches mémoire, par exemple les caches
mémoire L1, L2 et L3 des microprocesseurs.

Dual Ported Random Access Memory (DPRAM)

Article détaillé : DPRAM.

Cette mémoire est une variante de la Static Random Access Memory (SRAM) où on utilise un port
double qui permet des accès multiples quasi simultanés, en entrée et en sortie.

Magnetic Random Access Memory (MRAM)

Article détaillé : Magnetic Random Access Memory.

Cette mémoire utilise la charge magnétique de l'électron pour enregistrer l'information. Elle
possède un débit de l'ordre du gigabit par seconde, un temps d'accès comparable à de la
mémoire DRAM (~10 ns) et elle est non-volatile. Étudiée par tous les grands acteurs de
l'électronique, elle a commencé à être commercialisée en 2006, mais reste en 2020 confinée à
un marché de niche.

Phase-Change Random Access Memory (PRAM)

Article détaillé : Mémoire à changement de phase.

Cette mémoire utilise le changement de phase du verre pour enregistrer l'information. Elle est
non-volatile. Elle a commencé à être commercialisée en 2012.
Mémoire vive dynamique

Articles détaillés : Mémoire vive dynamique et DDR SDRAM.

Une mémoire vive dynamique est une mémoire vive qui a besoin de rafraîchissement.

La simplicité structurelle d'une mémoire vive dynamique (DRAM) (un condensateur et un

transistor pour un bit) permet d'obtenir une mémoire dense à faible coût. Son inconvénient réside
dans les courants de fuite des condensateurs : l'information disparaît à moins que la charge des
condensateurs ne soit rafraîchie avec une période de quelques millisecondes, d'où le terme de
dynamique. A contrario, les mémoires vives statiques (SRAM) n'ont pas besoin de
rafraîchissement, mais utilisent plus d'espace et sont plus coûteuses.

Fabricants de mémoire

A-DATA

Corsair Components

Crucial

Dane-Elec

G. Skill

Infineon

Kingston

OCZ Technologies

PNY Technologies

RAMBUS

Thermaltake

Transcend

Puces mémoire

Cypress

Elpida

Hynix

Integrated Device Technology

Qimondac
 Micron

Nanya

Powerchip Semiconductor Corporation (PSC)

Samsung

Winbond

Take MS

Barrettes de mémoire

A-Data

Avexir

Buffalo

Corsair

Crucial

DaneElec

G.Skill

Geil

Kingston

OCZ

Patriot

PNY Technologies

Proflash Technologies

ProMos

Samsung

Shikatronics

TEAM group

Transcend

Twinmos

HyperX
Notes et références

(en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé
« Random-access memory (https://en.wikipedia.org/wiki/Random-access_memory?oldid=126
7729757) » (voir la liste des auteurs (https://en.wikipedia.org/wiki/Random-access_memory?action=history)).

Notes

a. La mémoire morte doit son nom au fait qu'elle est en lecture seule : ROM de l'anglais Read
Only Memory.

b. L'expression « accès direct » s'oppose ici à « accès séquentiel » d'une bande magnétique,
par exemple. Le mot anglais « random » ne peut être traduit par « aléatoire » comme c'est
très souvent le cas, mais implique que l'on peut accéder à n'importe quelle donnée
directement sans avoir besoin de lire toutes les données qui précèdent.

c. Ancienne division mémoire d'Infineon Technologies.

Références

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e.org/web/20170729145228/http://collection.sciencemuseum.org.uk/objects/co8406093/
toscal-bc-1411-calculator-with-electronic-calculator) »(Archive.org (https://web.archive.org/web/*/htt
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calculator-with-electronic-calculator) • Wikiwix (https://archive.wikiwix.com/cache/?url=https://web.archive.org/web/2017

0729145228/http://collection.sciencemuseum.org.uk/objects/co8406093/toscal-bc-1411-calculator-with-electronic-calcul

ator) • Archive.is (https://archive.is/https://web.archive.org/web/20170729145228/http://collection.sciencemuseum.org.u

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t.com/search?hl=fr&q=cache:https://web.archive.org/web/20170729145228/http://collection.sciencemuseum.org.uk/obj

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shbc1411.html (https://web.archive.org/web/20070520202433/http://www.oldcalculatorm
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070520202433/http://www.oldcalculatormuseum.com/toshbc1411.html) • Wikiwix (https://archive.wikiwix.com/cache/?u

rl=https://web.archive.org/web/20070520202433/http://www.oldcalculatormuseum.com/toshbc1411.html) • Archive.is (h

ttps://archive.is/https://web.archive.org/web/20070520202433/http://www.oldcalculatormuseum.com/toshbc1411.html)

• Google (https://webcache.googleusercontent.com/search?hl=fr&q=cache:https://web.archive.org/web/2007052020243

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KM48SL2000, employs a single-bank architecture that lets system
designers easily transition from asynchronous to synchronous
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Computer History Museum, 24 août 2015 (consulté le 22 septembre 2023)

Voir aussi

Articles connexes

RAM computationnelle

Mémoire morte

Mémoire non volatile

 SSD

Mémoire à tores magnétiques

Mémoire vive à registres

Testeur de mémoire

Mémoire tampon

Liens externes

Notices dans des dictionnaires ou encyclopédies généralistes : Britannica (https://www.brita

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