Centre Universitaire El Wancharissi Tissemsilt
Institut des Sciences et de la Technologie
CONCOURS NATIONAL D’ACCES A LA FORMATION DE DOCTORAT(LMD)
FILIERE : PHYSIQUE OPTION : NANOPHYSIQUE
EXAMEN: Semi-conducteurs DUREE : 1H30
Exercice 1
1. Calculer le nombre d’atomes de Silicium n, contenus dans un volume de 1 cm 3, sachant que la masse molaire
atomique de silicium est A=28.1g, Masse volumique de Si est μ=2.3g/cm 3.
2. Sachant que les atomes dans 1 cm 3 sont couplés entre eux, en combien de niveaux le niveau supérieur de chaque
atome va-t-il se décomposer ? que va-t-on former ?
3. En supposant que la largeur d’une bande est de l’ordre de 1eV. Calculer l’espacement moyen entre deux
niveaux de cette bande. Conclusion.
4. Calculer l’énergie d’agitation thermique moyenne à T=25°C et comparer celle-ci à l’espacement des niveaux
précédemment trouvés .On donne pour la constante de Boltzman K B=1.38×10-23 J/K. Calculer cette constante en
eV/K
5. Supposons que l’on veille mesurer l’énergie d’un niveau du cristal et que la mesure prend prenne 1 s .Quelle
serait l’incertitude sur l’énergie ?
Exercice 2
Le silicium a la structure du diamant. Le coté du cube vaut a=5.43A°. Pour AsGa on a une structure analogue
1. Calculer le nombre d’atomes de Silicium par unité de volume.
2. Calculer le nombre d’atomes d’arsenic et de galium par unité de volume d’un cristal de AsGa pour lequel a= 5.65A°
3. Calculer le nombre d’atomes d’As par unité de surface sur le plan(001) d’un cristal d’AsGa se terminant sur un plan
d’atomes d’As.
Exercice 3
Soit un cristal de semi-conducteur à gap direct AsGa, son vaut gap Eg=1.43eV .La maille du réseau vaut a= 5.65A° et la
vitesse de propagation du son dans le cristal vaut v=5000m/s.
1. Calculer la longueur d’onde maximale d’un photon pouvant faire une transition de la bande de valence à la bande
de conduction
2. Calculer l’impulsion du photon
3. Sachant qu’un phonon se propage à la vitesse du son dans le cristal et que sa longueur d’onde est de l’ordre de la
longueur de la maille de celui –ci, calculer son énergie et son impulsion.
4. En comparant les propriétés du photon et du phonon, que peut-on dire des transitions dans le plan E-K ? que se
passe t-il lors des transitions pour un semi-conducteur à gap indirect comme le Silicium.
Exercice 4
Considérant un barreau de semi-conducteur de type n, et placerons nous dans l’hypothèse d’un gaz libre
1. Donner l’expression de la force F exercé par un champ électrique et un champ magnétique B sur un électron
de vitesse v
2. On considère que la force obtenue, qui s’applique aux électrons libres dans le vide est valable dans notre cas pour
la vitesse moyenne des électrons à la condition d’introduire une force de friction opposé de la forme , où
est le temps de relaxation entre deux collisions .Donner l’équation du mouvement des électrons que l’on obtient
3. Ecrire les équations du mouvement pour les composantes en supposant que le champ magnétique et constant et
orienté selon l’axe Z (B= (0, 0, Bz))
