REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE MINISTERE D9ENSEIGNEMENT SUPERIEUR

ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
UNIVERSITE A, MIRA -BEJAIA

Faculté de Technologie
Département de Génie Electrique

Mémoire de fin d’études

En vue de L’obtention du Diplôme de Master

Domaine: science et technologie

Filière : électrotechnique

Spécialité : commande électrique

Etude et Conception d’un redresseur

Triphasé à base de TCA 785

Réalisé par : Encadré par :

 Melle Benzenati Celya  Mr B. Fella
 Melle Khennoussi Kenza

Année universitaire

2020-2021
 Remerciements

Louanges à Allah avant tout, qui nous a donné la force, le courage et la patience pour

Elaborer ce travail. Sans lui, notre mémoire ne verrait pas le jour.

Nos sincères remerciements et reconnaissance à notre promoteur, MR FELLA pour sa

collaboration tout au long de notre travail et pour sa disponibilité malgré ses nombreuses
activités.

On remercie Mr Atroune pour son encouragement et son aide durant le cycle Master.

Nous remercions le président et les membres de jury pour l9honneur qu9ils nous ont fais
en acceptant de juger ce modeste travail.

Nous tenons ainsi à exprimer nos sincères remerciements et nos profonds respects à tous
ce qui est de près ou de loin, nous en apporter le soutien et d9aide.
 Dédicace

Je dédie ce travail particulièrement à mes chers parents, qui ont consacré leur existence à bâtir
la mienne. Pour leur soutien, patience et soucis de tendresse et d9affections, pour tout ce qu9ils
ont fait pour que je puisse arriver à ce stade.

A ma mère, la plus belle créature ! Qui m9a encouragé durant toutes mes années, et qui
sans elle, ma réussite n9aura pas lieu. Qu9elle trouve ici mon amour et mon affection.

A mon père, la première merveille au monde, mon meilleur. Je te confirme mon

attachement et mon profond respect.

A mes chère sSurs Chahinaz et INES ainsi mon petit prince Amnay, que j9aime
beaucoup.

A mon beau-frère : Ghiles

A ma meilleure amie et sSur que j9aime beaucoup : Nadira.

A mes chère cousins(e) : Celia, Chaima, Ryad, Amine.

A ma chère binôme et sSur : Kenza.

A mes chère sSurs que la vie m9a offerte : Melissa, Nadjat.

A mes amis(e): Lamia, Mahdi, Zahir, Hadi, Amine, Karim, Zaynas, Lynda, Sara,
Sam, Manel.

A Wafak Ouatah qui nous à apporter de l9aide merci beaucoup à vous.

A mon chat ma boule de tendresse Eva qui m9apporte la joie.

celya
 Dédicace

Je dédie ce travail particulièrement à mes chers parents, qui ont consacré leur existence à
bâtir la mienne. Pour leur soutien, patience et soucis de tendresse et d9affections, pour tout
ce qu9ils ont fait pour que je puisse arriver à ce stade.

A ma mère, la plus belle créature ! Qui m9a encouragé durant toutes mes années, et qui
sans elle, ma réussite n9aura pas lieu. Qu9elle trouve ici mon amour et mon affection.

A mon père, la première merveille au monde, mon meilleur. Je te confirme mon

attachement et mon profond respect.

A mes chère sSurs Nassima, Biba, Zouzou, Nina, halima, et mes frères Amirouche,
Ferjallah, Laala, Walid.

A l9homme de ma vie 89 Azzedine``, mon exemple éternel, mon soutien moral et source
de joie et de bonheur, celui qui s9est toujours sacrifié pour me voir réussir, que dieu te
protège.

Une dédicace spéciale a mon beau père : Chaabane et ma belle mère : Zohra.

A mon frère Oussama et ma petite sSur Asma .

A ma chère binôme et sSur : Sila

A mes chère sSurs que la vie m9a offerte : Celia, Tata.

A mes copines : Mely, Nadjet, Lynda.

kanza
 Sommaire

Sommaire

Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Introduction générale&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&.

Introduction ..................................................................................................................... 1
Généralités sur les semi-conducteurs utilisés .................................................................. 1
La diode ....................................................................................................................... 1
Principe de fonctionnement .................................................................................. 1
Caractéristiques statiques d9une diode ................................................................. 2
Diode zener .................................................................................................................. 2
Thyristor ...................................................................................................................... 3
Principe de fonctionnement .............................................................................. 3
Caractéristiques statique d9un thyristor ............................................................ 4
Thyristor GTO ............................................................................................................. 5
Principe de fonctionnement .......................................................................... 5
Caractéristique statique d9un thyristor GTO ................................................. 5
Transistor bipolaire ...................................................................................................... 6
Principe de fonctionnement ........................................................................ 7
Caractéristiques du transistor bipolaire ....................................................... 7
Le Transistor MOSFET ............................................................................................... 8
Principe de fonctionnement ..................................................................... 8
Caractéristiques du transistor MOSFET.................................................. 9
Transistor IGBT ........................................................................................................... 9
Principe de fonctionnement ............................................................... 10
Caractéristiques du transistor IGBT .................................................. 10
Les redresseurs .............................................................................................................. 11
Les redresseurs monophasés commandés ......................................................................... 11
Les redresseurs triphasés commandés______________________________________18
La protection des thyristors______________________________________________20
Les surtensions________________________________________________________20
Surtensions dues à la commutation des thyristors______________________20
Surtensions dues à la fusion d9un fusible_____________________________21
 Sommaire
Les surintensités_______________________________________________________21
Les surintensités d9origine interne___________________________________21
Les surintensités externes.................................................................................. 21
Surchauffement ............................................................................................................... 22
Conclusion ..................................................................................................................... 22

Chapitre II : Conception du circuit de commande

Introduction ................................................................................................................... 22
Circuit de commande..................................................................................................... 22
Description du circuit de commande ............................................................................. 22
Le TCA785 .................................................................................................................... 22
Description................................................................................................................. 22
Principe de fonctionnement ....................................................................................... 24
Oscillateur de fréquence ................................................................................................ 26
Circuit intégré NE555 ........................................................................................ 26
Bouclage ............................................................................................................. 26
L9isolation galvanique ................................................................................................... 28
L9opto-coupleur .............................................................................................. 29
Les caractéristiques d9un opto-coupleur ..................................................... 30
Driver ............................................................................................................................ 30
Alimentation stabilisée .................................................................................................. 31
Conclusion ..................................................................................................................... 33

Chapitre III : Simulation du projet par proteus

Introduction ................................................................................................................... 34
Circuit de puissance....................................................................................................... 34
Fonctionnement à base d9un thyristor .................................................................... 34
Présentation du logiciel Proteus Design Suite ............................................................... 35
Sous-logiciel ISIS ............................................................................................... 35
Sous-logiciel ARES............................................................................................ 36
Mise à jour des librairies locales ........................................................................ 36
Création d9un nouveau projet ............................................................................. 36
 Sommaire
Montage avec NE555 et thyristors ................................................................................ 38
Résultats et simulations ................................................................................. 39
Montage avec les drivers et IGBT ................................................................................. 41
Résultats de simulation ............................................................................... 42
Difficultés rencontrées .................................................................................................. 43
Conclusion ..................................................................................................................... 44
Conclusion générale&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&...
 Liste des figures

Liste Des Figures

Chapitre I
Figure I. 1 : Représentation symbolique d9une diode ............................................................... 1
Figure I. 2: Caractéristique réelle .............................................................................................. 2
Figure I. 3: Caractéristique idéale ............................................................................................. 2
Figure I. 4 : symbole de la diode zener ..................................................................................... 3
Figure I. 5 : caractéristique de la diode zener ........................................................................... 3
Figure I. 6 : Représentation symbolique d9un thyristor. ........................................................... 3
Figure I. 7: caractéristique d9un thyristor .................................................................................. 4
Figure I. 8 : Représentation symbolique d9un thyristor GTO ................................................... 5
Figure I. 9 : Représentation symbolique d9un transistor bipolaire ............................................ 6
Figure I. 10: Représentation symbolique d9un transistor bipolaire ........................................... 7
Figure I. 11 : Caractéristique d9un transistor bipolaire ............................................................. 8
Figure I. 12 : Représentation symbolique d9un transistor MOSFET ........................................ 8
Figure I. 13 : Caractéristique d9un thyristor. ............................................................................. 9
Figure I. 14 : Représentation symbolique d9un transistor IGBT ............................................. 10
Figure I. 15: Symbole et caractéristique d'un transistor IGBT................................................ 11
Figure I. 16 : Redresseur simple alternance commandé ......................................................... 11
Figure I. 17 : Allures de tension et de courant. ....................................................................... 12
Figure I. 18: Redresseur simple alternance totalement commandé......................................... 13
Figure I. 19: Allures de tension et de courant. ........................................................................ 14
Figure I. 20 : Redresseur double alternance commandé charge RL. ...................................... 15
Figure I. 21: Allures de tension et de courant. ........................................................................ 16
Figure I. 22 : Redresseur monophasé double alternance semi commandé ............................. 17
Figure I. 23: Allures de tension et de courant. ........................................................................ 17
Figure I. 24 : redresseur triphasé simple alternance charge RL. ............................................. 18
Figure I. 25: Allures de tension et de courant. ........................................................................ 19
Figure I. 26 : redresseur triphasé double alternance charge RL. ............................................. 19
Figure I. 27 .............................................................................................................................. 20

Chapitre II

Figure II. 1 : brochage du TCA785......................................................................................... 23

Figure II. 2 : Structure interne du TCA785............................................................................. 25
Figure II. 3 : les formes d9ondes théoriques fournies par le TCA 785 ................................... 26
Figure II. 4 : oscillateur de fréquence ..................................................................................... 27
Figure II. 5: Le bronchement du NE555 en astable ................................................................ 28
Figure II. 6 : Les deux manières de branchement d9un opto-coupleur ................................... 29
Figure II. 7: driver IR2112 ...................................................................................................... 30
 Liste des figures

Figure II. 8: Schéma interne du driver IR2112 ....................................................................... 31

Figure II. 9: Montage de l9alimentation proposée .................................................................. 32
Figure II. 10: montage de l9alimentation. ............................................................................... 33

Chapitre III
Figure III. 1 : photos du logiciel de simulation proteus.......................................................... 35
Figure III. 2 : schéma global avec NE555 et Thyristors......................................................... 38
Figure III. 3 : tensions de synchronisation et la rampe triangulaire ....................................... 39
Figure III. 4 : les signaux d9impulsion et tension de la charge R ........................................... 39
Figure III. 5 : l9allure de la sortie du NE555 et la tension de la charge RL............................ 40
Figure III. 6 : circuit avec les drivers et IGBT ....................................................................... 41
Figure III. 7 : tensions de synchronisation et rampe triangulaire ........................................... 42
Figure III. 8 : les signaux d9impulsion et V charge aux bornes de R ..................................... 42
Figure III. 9: Tension aux bornes de la charge RL ................................................................ 43
 Liste des tableaux

Liste Des Tableaux

Chapitre II
Tableau II. 1: significatif des différentes pâtes du TCA785 ................................................................ 24
Tableau II. 2 : Tableau significatifs des broches de NE555 ................................................................ 27
Tableau II. 3 : Tableau significatif du driver ....................................................................................... 31
 Abréviations

Uc Tension de source
A Anode
C Cathode
VAK Tension aux bornes de la diode
ID Courant traversant la diode
IZ Courant de diode Zener
Min Minimale
Max Maximale
Uak La tension au borne de thyristor
IG Le courant à la gâchette
GTO Gate Turn-Off Thyristor
NPN Negative-Positive-Negative
PNP Positive-Negative-Positive
T Transistor
MOSFET Metal Oxide Semi-conductor
R Field Effect Transistor

D Résistance

PD Diode
C Pont de diode
SCR Condensateur
DIP Selective Catalytic Reduction
LED Dual Inline package
IF Light- Emetting Diode
Viso Forward current
CTA Isolation Surge Voltage
IC Current Transfer Ratio
PID Collector current
ICBO Base Dark Current
Total Device Power Dissipation
Abréviations
 Introduction générale

Introduction générale
L9électronique de puissance est la partie du génie électrique qui traite des modifications de
la présentation de l9énergie électrique. Pour cela elle utilise des convertisseurs statiques à
semi-conducteurs. Grace aux progrès sur ses composants et sur leurs mises en Suvre,
l9électronique de puissance a pris une importance considérable dans tout le domaine du génie
électrique et de l9électricité industrielle.

Les convertisseurs statiques comportent, d'une part un certain nombre de composants semi-
conducteurs de puissance, d'autre part les circuits de commande de ces éléments. Le choix de
la technologie (transistor, mosfet ou thyristor) ainsi que la réalisation des circuits de
commande dépendent d9un certain nombre de paramètres tels que la puissance mise en jeu ou
la fréquence d9utilisation.

A l9heure actuelle, il existe différentes techniques de déclenchement des interrupteurs

commandés, parmi celles-ci, on utilise, le circuit intégré TCA 785 qui permet une commande
à control de phase, c'est-à-dire les impulsions sur les grilles des interrupteurs de puissance
sont synchronisées au passage par zéro des tensions de phase.

Notre projet a pour objet l9étude et la conception d9une carte de commande à base de
circuits TCA785 pour un redresseur triphasé. Nous l9avons subdivisé en trois chapitres :
Le premier chapitre expose des généralités sur les semi-conducteurs et sur les différents
convertisseurs AC/DC.
Le deuxième chapitre consiste à la conception des différentes parties du circuit de
commande : Déclencheur, isolation galvanique, amplification. Nous avons choisi les
différents composants (optocoupleurs, drivers, résistances&etc.) et dimensionné tout le
circuit.

Le troisième chapitre est consacré à la simulation par le logiciel Proteus v8 Design Suite
qui est constitué de deux sous-logiciels : ISIS pour la conception de schémas offrant une riche
librairie de composants et ARES pour générer en réel la carte du circuit imprimé). Des essais
ont été effectués et des résultats sont présentés.

Enfin, une conclusion résume l9ensemble du travail réalisé.

 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Introduction

La mise au point des semi-conducteur (diode, thyristors et transistors) à permis de

concevoir et de réaliser des convertisseurs statiques ainsi que leurs circuits de commande.
Dans ce premier chapitre, nous exposons un rappel théorique concernant les convertisseurs
alternatif-continu. En premier lieu, une brève description des composants de puissance les
plus utilisés dans le redressement. Puis, nous passons a présentées les montages des circuits
dédiées aux redressements commandés et leurs performances pour des charges résistive et
inductives et leurs protections. Ainsi on va donner quelques définitions des déférents
composants de la commande électrique (TCA785, l9optocoupleur.).

Généralités sur les semi-conducteurs utilisés

La diode

La diode est un élément redresseur non commandé qui comprend : deux couches de types
opposés P et N constituant une jonction. Elle ne laisse passer le courant que dans un sens et
uniquement si la tension qui lui est appliquée est positive.[1]

Figure I. 1 : Représentation symbolique d9une diode.

Principe de fonctionnement

Une diode conduit le courant dans le sens anode (A) - cathode (K)

-sens direct : la diode est parfaitement conductrice, elle présente une faible chute de tension
de 0.5 à 1.5v

-sens inverse : la diode est parfaitement bloquée, un très faible courant la traverse. [1]

1
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Caractéristiques statiques d’une diode

La diode est un dipôle à semi-conducteur (jonction P-N), qui possède deux régimes de
fonctionnement : bloqué et passant.
Ces régimes de fonctionnement ne sont pas contrôlables directement, mais dépendent de la
tension VAK aux bornes de la diode et de l'intensité du courant ID la traversant.[2]

Diode État de la diode quand VAK < Vseuil, ce qui empêche le passage du courant
bloquée dans la diode ; ID = 0.

Diode
État de la diode quand VAK g Vseuil, ce qui entraîne ID ≠ 0.
passante

Figure I. 2: Caractéristique réelle Figure I. 3: Caractéristique idéale

Diode zener

La diode zener est un dispositif électronique fournissant qui a la propriété de laisser passer
le courant à partir d'une certaine tension inverse : cette tension de seuil s'appelle la tension
zener. C'est un claquage contrôlé, où le courant se stabilise et ne prend pas des valeurs
destructrices, comme pour une diode classique.
La diode Zener est utilisée dans sa "polarisation inverse". À partir de la courbe des
caractéristiques, nous pouvons étudier que la diode Zener a une région dans ses
caractéristiques de polarisation inverse de presque une tension négative constante quelle que
soit la valeur du courant traversant la diode et reste presque constante même avec de grands
changements de courant tant que le courant des diodes zener reste entre le courant de claquage
IZ (min) et le courant nominal maximal IZ (max).[3]

2
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Figure I. 5 : caractéristique de la diode zener Figure I. 4 : symbole de la diode zener

Thyristor

Un thyristor est un interrupteur électronique semi-conducteur constitue de quatre couches,

alternativement dopé N et P, trois jonction PN et trois électrodes. Il constitue un interrupteur
unidirectionnel à fermeture commandée.[1]

Figure I. 6 : Représentation symbolique d9un thyristor.

Principe de fonctionnement

 Pour amorcer un thyristor

Il faut :
 Que la tension UAK soit positive ;
 Que le courant IG soit suffisant et maintenu jusqu9à ce que le courant IAK est
dépassé une valeur IL appelée courant d9accrochage.
 Pour bloquer un thyristor
 Il faut annuler le courant IAK. Le désamorçage a lieu au moment où IAK
devient inférieur à une valeur IH appelée courant de maintien.[4]

3
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Caractéristiques statiques d’un thyristor

Le thyristor possède les caractéristiques principales suivantes :

 À l’état passant :
 Une chute de tension composée d9une tension de seuil et d9une résistance
interne,
 Un courant maximum permanent admissible (ordre de grandeur, jusqu9à 5 000
A RMS pour les composants les plus puissants).
 À l’état bloqué :
 Une tension inverse et directe maximale admissible, (pouvant dépasser 5 000
V crête). En général les tensions directes et inverses sont identiques.
 Un temps de recouvrement qui est le temps minimal pendant lequel une
tension anode cathode positive ne peut être appliquée au composant sous peine
de le voir se réamorcer spontanément.
 Un courant de gâchette permettant l9allumage du composant.[4]

Figure I. 7: caractéristique d9un thyristor

4
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Thyristor GTO

Le GTO est un thyristor blocable par la gâchette, c9est un interrupteur unidirectionnel.

Figure I. 8 : Représentation symbolique d9un thyristor GTO

Principe de fonctionnement

Le fonctionnement est comparable à celui d9un thyristor, sauf que, grâce à quelques
détails de construction interne, la gâchette permet d9amorcer mais aussi de bloquer le GTO.

 Pour amorcer un GTO :

 Le courant de gâchette doit être positif.
 Pour bloquer un GTO :
 On applique une tension négative entre la gâchette et la cathode.[2]

Caractéristique statique d’un thyristor GTO

Le thyristor GTO possède les caractéristiques principales suivantes :

 À l’état passant :
 Une chute de tension composée d9une tension de seuil et d9une résistance
interne,
 Un courant de maintien destiné à réduire la chute de tension directe,
 Un courant maximum permanent admissible,

5
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

 Un courant de blocage pour provoquer l9interruption du courant ;

 À l’état bloqué :
 Des tensions inverse et directe maximales admissibles, souvent dissymétriques
comme avec les thyristors rapides et pour les mêmes raisons,
 Un temps de recouvrement qui est le temps minimal pendant lequel le courant
d9extinction doit être maintenu sous peine de le voir se réamorcer
spontanément,
 Un courant de gâchette permettant l9allumage du composant.
Les GTO peuvent fonctionner à des fréquences de quelques kilohertz.[4]

Transistor bipolaire

Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base d9un semi-conducteur de la famille

des transistors il est constitué de deux jonction PN.

Il existe deux types de transistors : NPN et PNP formés de trois zones reliées à des électrodes
nommées : Emetteur, base et collecteur.[5]

Figure I. 9 : Représentation symbolique d9un transistor bipolaire.

Principe de fonctionnement

Les transistors de puissance capable de fonctionner sous des tensions industrielles sont du
type N-P-N, souvent montés en « Darlington ». Le transistor peut fonctionner en
amplificateur. La valeur du courant qui le traverse est alors fonction du courant de commande
circulant dans sa base. Mais il peut également fonctionner en tout ou rien comme interrupteur
statique : ouvert en l9absence de courant de base, fermé en saturation. C9est ce deuxième
mode de fonctionnement qui est utilisé dans les circuits de puissance des variateurs. Les

6
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

transistors bipolaires couvrent des tensions jusqu9à 1 200 V et acceptent des courants pouvant
atteindre 800 A. Ce composant est aujourd9hui remplacé dans les convertisseurs par
l9IGBT.[4]

Figure I. 10: Représentation symbolique d9un transistor bipolaire.

Caractéristiques du transistor bipolaire

Le transistor bipolaire possède les caractéristiques principales suivantes :

 L’état passant :
 Une chute de tension composée d9une tension de seuil et d9une résistance
interne,
 Un courant maximum permanent admissible,
 Un gain en courant (pour maintenir le transistor saturé, le courant injecté dans
la base doit être supérieur au courant qui circule dans le composant, divisé par
le gain),
 L’état bloqué :
 Une tension directe maximale admissible,
Les transistors de puissance utilisés en variation de vitesse peuvent fonctionner à des
fréquences de quelques kilohertz.[4]

Figure I. 11 : Caractéristique d9un transistor bipolaire.

7
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Le Transistor MOSFET

Les transistors MOSFET sont idéaux en électronique de puissance pour la commutation

rapide et le fonctionnement linéaire alors :
Par Ailleurs elle est constituée d9une résistance variable commandée par une tension, d'où
l'absence d'effet redresseur lorsqu'il conduit. Comparé au bipolaire le mosfet présente de
nombreux avantages : impédance d'entrée qui autorise une commande sans fournir ni courant,
ni puissance ; vitesse de commutation dix fois plus, il fonctionne à 250 kHz sans difficulté.
Les équipements sont moins lourds, donc moins encombrants. Au chapitre inconvénient le
mosfet présente des tensions de déchet plus fortes et il utilise plus de silicium que le transistor
bipolaire.[4]

Figure I. 12 : Représentation symbolique d9un transistor MOSFET

Principe de fonctionnement

Transistor ouvert (O) : état obtenu en annulant la tension VGS de commande, procurant
une impédance drain source très élevée, ce qui annule le courant de drain ID. La tension VDS
est fixée par le circuit extérieur. L9équivalent est un commutateur ouvert.

Transistor saturé (F) : une tension VGS positive rend RDS très faible et permet au
courant iD de croître. L9équivalent est un commutateur fermé. [4]

Caractéristiques du transistor MOSFET

Le transistor MOS possède les caractéristiques principales suivantes :

 Une tension de commande permettant la mise en conduction et le blocage du
composant.
 L’état passant :
 Une résistance interne,
 Un courant maximum permanent admissible ;

8
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

 À l’état bloqué :
 Une tension directe maximale admissible (pouvant dépasser 1000v).[4]

Figure I. 13 : Caractéristique d9un thyristor.

Transistor IGBT

Transistor IGBT : c9est le mariage du bipolaire et du MOS alors :

Le transistor IGBT est un interrupteur électronique unidirectionnel ; il est surtout utilisé en
électronique de puissance. Il est constitué d9un transistor bipolaire T2 et d9un transistor à effet
de champ (MOSFET) T1. [2]

Figure I. 14 : Représentation symbolique d9un transistor IGBT

9
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Principe de fonctionnement

La mise en conduction du transistor T1 permet au courant de base de T2 de circuler ; le

transistor T2 devient alors conducteur. Le blocage de T1 entraine le blocage de T2, le courant
I s9annule. L9ensemble se comporte comme un interrupteur électronique dont le courant de
commande est nul.
Le transistor IGBT est surtout utilisé dans les cas de commandes à moyenne et forte
puissance.[2]

Caractéristiques du transistor IGBT

Le transistor IGBT possède les caractéristiques principales suivantes :

 Une tension de commande permettant la mise en conduction et le blocage du

composant ;
 à l’état passant :

 Une chute de tension composée d9une tension de seuil et d9une résistance

interne,

 Un courant maximum permanent admissible.

 à l’état bloqué :

 Une tension directe maximale admissible.

Les transistors IGBT utilisés en variation de vitesse peuvent fonctionner à des fréquences
de quelques dizaines de kilohertz.[4]

Figure I. 15: Symbole et caractéristique d'un transistor IGBT.

10
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Les redresseurs

Les redresseurs monophasés commandés

 Redresseur monophasé simple alternance charge R :

Le retard à l'amorçage est imposé par un générateur de commande. Dès que le thyristor est
amorcé, il se comporte comme une diode. Notons �㗼 le retard à l'amorçage du thyristor.
Le thyristor est passant à partir de �㔔t = �㗼 et jusqu'à ce que le courant qui le traverse
s'annule pour t=T/2 (à partir de cet instant, le thyristor est bloqué). Pour que le thyristor ne
soit pas bloqué en permanence, il faut donc �㗼<�㔋.

Discrete,
s = 1e-05 s
T .

Display
powergui

Pulse
Generator
+

g m

a k

In Mean
Thyristor

(P

Mean Value
+ hasor Type)
v
-
Series RLC Branch

AC Voltage Source
Voltage Measurement

Multimeter

Figure I. 16 : Redresseur simple alternance commandé

11
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Ub: Series RLC Branch

200

-200

0 0.01 0.02 0.03 0.04

Usrc: AC Voltage Source

200

-200

0 0.01 0.02 0.03 0.04

Ib: Series RLC Branch

-2

0 0.01 0.02 0.03 0.04

Figure I. 17 : Allures de tension et de courant.

 Redresseur monophasé simple alternance charge RL

Pendant l9alternance positive, on amorce le thyristor en injectant une impulsion sur sa

gâchette à �㔔Τ = �㗼, T1 conduit et l9entrée est repérée à la sortie. Quand la tension d9entrée
change de polarité, le thyristor ne se bloque pas directement, l9inductance se décharge à
travers celui-ci et le thyristor se bloque dès que le courant d9anode devient inférieur à son
courant de maintien.

12
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Discrete,
Ts = 1e-05 s.

powergui Display

Pulse
Generator

g m
a k
Thyristor In Mean

+
Mean Value
+v (Phasor Type)
Series RLC Branch -
AC Voltage Source Voltage Measurement

Multimeter

Figure I. 18: Redresseur simple alternance totalement commandé.

13
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Ub: Series RLC Branch

200

-200

0 0.01 0.02 0.03 0.04

Usrc: AC Voltage Source

200

-200

0 0.01 0.02 0.03 0.04

Ib: Series RLC Branch

-2

0 0.01 0.02 0.03 0.04

Figure I. 19: Allures de tension et de courant.

 Redresseur monophasé double alternance charge RL :

Dans ce cas, le montage ne comporte que des thyristors. Il n9y a de conduction jusqu9à
l9amorçage des thyristors. Pour qu9un courant circule, il faut amorcer les thyristors T1 et T2
simultanément ainsi T3 et T4 dans l9alternance suivante. Pour que l9amorçage soit simultané,
un même circuit amorce deux thyristors.

14
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Pendant l9alternance positive, les thyristors T1 et T2 sont amorcés à �㔔Τ = �㗼, ainsi la charge

Discre te ,
T s = 5e -05 s.

po we rgui

k
Thyristor
Thyristor2

g
a

g
a

+
+
Series RLC Branch
AC Voltage Source
k

k
Thyristor1 Thyristor3
g

g
a

a
Pulse
Generator

Multimeter

Figure I.20 : Redresseur double alternance commandé charge RL

est connectée à l9entrée, ces derniers continuent à conduire jusqu9à �㔔Τ = �㔋 + �㗼 et ils se
bloquent par l9amorçage des T3 et T4. Le courant de charge est transféré de T1 et T2 vers T3
et T4, d9où la continuité du courant.

15
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Ub: Series RLC Branch

200

-200

0 0.01 0.02 0.03 0.04

Usrc: AC Voltage Source

200

-200

0 0.01 0.02 0.03 0.04

Ib: Series RLC Branch
2

-2
0 0.01 0.02 0.03 0.04

Figure I. 21: Allures de tension et de courant.

 Redresseur monophasé double alternance semi-commandé :

Deux thyristors et deux diodes permettent de commander la tension redressée moyenne (le
circuit de principe est donné dans la Figure I.19). Le courant d9entrée passe par T1, T2 et D1,
D2 assurent le retour du courant.
Les thyristors commutent lorsqu9ils sont amorcés et les diodes commutent aux zéros de la
tension d9alimentation. [6]

16
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Discrete,
Ts = 5e-05 s.

powergui

Pulse
Generator

k
Thyristor Thyristor1

g
a

+
AC Voltage Source Series RLC Branch

k
m
k
m Diode1
2 Diode

a
a

Multimeter

Figure I. 22 : Redresseur monophasé double alternance semi commandé.

Ib: Series RLC Branch

2

-2
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1

Ub: Series RLC Branch

200

-200

0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1

Figure I. 23: Allures de tension et de courant.

17
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Les redresseurs triphasés commandés

 Redresseur triphasé simple alternance charge RL :

Les thyristors sont amorcés avec un retard d9angle α, les impulsions sont donc envoyées sur
les gâchettes des thyristors respectivement aux angles suivants [7]

3 pour T2 : ωt = (π/6+α) +2kπ

3 pour T3 : ωt = (5π/6+α) +2kα

3 pour T4 : ωt = (3π/2+α) +2kα

Pulse
Generator
Discrete,
powergui
Ts = 1e-05 s. 6
RMS
+ v
- Display
Voltage Measurement1
RMS

g
k
a 1
AC Voltage Source In Mean

Thyristor Display1

Mean Value
(Phasor Type)
g
k
a
AC Voltage Source1
Thyristor1

g
k
a
+

+
AC Voltage Source2 - v
Thyristor2
Voltage Measurement

Series RLC Branch

2

Multimeter

Figure I. 24 : redresseur triphasé simple alternance charge RL.

18
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

-13
x 10 Ub: Series RLC Branch
5

-5
0 0.01 0.02 0.03 0.04
-15
x 10 Ib: Series RLC Branch

-1

0 0.01 0.02 0.03 0.04

Figure I. 25: Allures de tension et de courant.

 Redresseur triphasé double alternance charge RL :

Le pont PD3 à 6 thyristors est alimenté par une source triphasée sinusoïdale équilibrée. Les
thyristors fonctionnent avec un retard à l9amorçage d9angle α.
Il y a en permanence un et un seul thyristor conducteur parmi T1, T2 et T3 d9une part, et un
seul parmi T4, T5 et T6 redresseur triphasé double alternance charge RL [7]

Discre te ,
Ts = 1e -05 s.
powe rgui
k
m
k
m

Thyristor2 Thyristor4
k
m

Thyristor
g

a
g

a
g

AC Voltage Source
Series RLC Branch

AC Voltage Source1
k

k
m

AC Voltage Source2
Thyristor1 Thyristor3 Thyristor5
g

g
a

Pulse
5 Generator

Multimeter

Scope

Figure I. 26 : redresseur triphasé double alternance charge RL.

19
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Usrc: AC Voltage Source Usrc: AC Voltage Source1

200 200

0 0

-200 -200

0 0.01 0.02 0.03 0.04 0 0.01 0.02 0.03 0.04

Usrc: AC Voltage Source2 Ib: Series RLC Branch
5
200

0 0

-200
-5
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0 0.01 0.02 0.03 0.04
Ub: Series RLC Branch
500

-500
0 0.01 0.02 0.03 0.04

Figure I. 27

La protection des thyristors

Les thyristors sont des composants d9une grande fiabilité possédant une durée
pratiquement illimitée. Cependant. Comme tous les semis conducteurs. Ils sont très sensibles
aux surcharges. Il faut donc les protéger efficacement contre les surtensions et les
surintensités.[3]

Les surtensions

L9apparition s des thyristors aux bornes des surtensions aux bornes des thyristores peut
avoir plusieurs origines. On distingue essentiellement :

Surtensions dues à la commutation des thyristors :

Les thyristors reprennent leurs caractéristiques de blocage après un temps dit de

recouvrement extrêmement cout qui correspond à un gradient de courant élevé dans les
thyristors. Il en résulte une surtension qui risque d9endommager ces derniers.

20
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

L9énergie assez faible provoquée par cette surtension est dérivés dans un condensateur
en série avec une résistance connectée directement aux bornes du thyristor [8]

On retient les valeurs suivantes :

R=33Ω ; C=0.1uF.

Surtensions dues à la fusion d’un fusible :

La fusion d9un fusible peut entrainer une surtension aux bornes du thyristor qu9il
protège. Cette surtension est telle que. En général elle ne dépasse pas la tension inverse
admissible par le thyristor. On ne prévoit pas donc de protection spéciale contre ce
phénomène.

Les surintensités

Les surintensités sont principalement dues à différents types de défauts dans le circuit. En
raison de surintensité i2La perte de R augmentera et une production de chaleur élevée pouvant
dépasser la limite autorisée et brûler le périphérique peut se produire.[9]
Les surintensités dans un bloc redresseur peuvent être classées en deux catégories :
Les surintensités d’origine interne :
Elle se résume essentiellement en :

. Un claquage d9un ou plusieurs thyristors.

. Une perte du pouvoir bloquant d9un thyristor qui peut être provoquée soit par un
échauffement anormal soit par une surtension.
. Un amorçage intempestif qui consiste en un amorçage prématuré d9un thyristor.
Les surintensités externes :

Elles sont essentiellement provoquées par :

. Des débits cotés continu dépassant les conditions nominales admises lors de la
détermination du redresseur. Ces débits peuvent atteindre le court-circuit dans le cas limite.
. Le réseau d9alimentation.
. Les circuits de commande et de régulation.

21
 Chapitre I : Généralités sur les convertisseurs AC/DC

Surchauffement

Lors du fonctionnement normal. Les thyristors produisent de la chaleur. Si elle n9est pas
abaissée. Cette chaleur peut obliger les thyristors à dépasser leur température de sécurité.
Dans ce cas. La fiabilité. Les performances et la vie même des thyristors sont
dangereusement réduites.
L9objectif est donc d9évacuer cette chaleur à l9air ambiant et de maintenir la température
de jonction au-dessous de la température maximale spécifiée dans les caractéristiques des
thyristors utilisés.[11]
Mesure de protection : SCR peut être protégé contre les surintensités en utilisant Fusibles
de limitation de courant CB et à action rapide (FACLF). Les disjoncteurs sont utilisés pour la
protection du thyristor contre les surcharges continues ou les surintensités de longue durée, les
disjoncteurs ayant une longue durée de déclenchement. Mais les fusibles à action rapide sont
utilisés pour protéger le thyristor contre les courants de surtension élevés de très courte
durée.[10]

Conclusion

Ce chapitre a été consacré aux principales généralités sur les semi-conducteurs de

puissance. Une classification des principaux convertisseurs de puissance a été donnée. Enfin,
des simulations par le logiciel MATLAB ont été illustrées qui représente les montages dédiés
aux convertisseurs alternatif-continu les plus utilisés en8 électronique de puissance.
Dans le deuxième chapitre, on va détailler le circuit de commande, présenter des aspects
matériels de notre projet, des différents circuits utilisés et les fonctions respectives qu9ils
doivent remplir afin de satisfaire le cahier des charges.

22
 Chapitre II : Conception du circuit de commande

Introduction

La difficulté dans la commande du redresseur triphasé est d9éviter la conduction

simultanée de deux thyristors d9un même bras ce qui provoquerait un court-circuit. Il est
nécessaire d9appliquer des impulsions sur les gâchettes synchronisées aux passages par zéro
des tensions alternatives alimentant le redresseur.
Dans ce chapitre, on va procéder à l9étude théorique en vue de la réalisation étape par
étape du circuit de commande du convertisseur statique.

Circuit de commande

Le circuit de commande est constitué de trois étages identiques contenant chacun un

TCA785 et générant chacun deux trains d9impulsions déphasés de 180°.
Chaque étage du circuit est synchronisé sur une phase d9alimentation de redresseur. On
obtient ainsi six trains d9impulsion qui convenablement combinés sont déphasé de 60° les uns
par apport aux autres.

Description du circuit de commande

Le circuit de commande est constitué de différentes parties : des circuits intégrés

TCA785. Un oscillateur de fréquence a base du circuit intègre [Link] circuits
d9amplification et d9isolation galvanique et d9autres composants électroniques.

Le TCA785

Description

Le TCA785 est un circuit d9amorçage spécialisé, a pour but d9appliquer sur la gâchette du
thyristor une tension positive ; en redressement commandé cette tension devra être
synchronisée pour que l9amorçage s9effectue à des instants précis, sous forme d9impulsion.
[12]

Les impulsions du trigger peuvent couvrir une plage allant de 0° à 180°. Les principales
applications comprennent les circuits convertisseurs, le gradateur monophasé et les ponts

22
 Chapitre II : Conception du circuit de commande

triphasés commandés. Ce circuit intégré vient remplacer les circuits prédécesseurs, tels que le
TCA780 et le TCA 780D.

Figure II. 1 : brochage du TCA785

Broche Symbole Fonction

1 0s Masse

2 �㕸Ā Sortie 2 inversée

3 QU Sortie U

4 �㕸ÿ Sortie 1 inversée

5 Vsync Tension de synchronisation

6 I Inhibition

7 QZ Sortie Z

8 Vref Tension stabilisée

9 R9 Résistance de rampe

10 C10 Capacité de rampe

11 V11 Tension de contrôle

23
 Chapitre II : Conception du circuit de commande

12 C12 Extension d’impulsion

13 L Impulsion longue

14 Q1 Sortie 1

15 Q2 Sortie 2

16 Vs Tension d’alimentation

Tableau II. 1: significatif des différentes pâtes du TCA785

Principe de fonctionnement

On examine la structure interne du TCA785 Figure (II.2) nous aurons le fonctionnement

suivant :
La synchronisation est obtenue à partir du réseau d9alimentation de la borne 5, un détecteur
de zéro(D), évalue le passage par zéro de la tension et le transféré vers le synchro registre, ce
dernier contrôle le générateur de rampe (C10) par l9intermédiaire du comparateur (F) et le
transistor de décharge (H), la capacité C10 qui se charge par un courant constant (déterminé
parR9).
L9équation de rampe de la tension U10(t) pour t ∈[0,T/2] s9écrit :
U10(t)= It
(C10=47nF)
C10

Les signaux des bornes 10et 11sont appliqués à l9entrée du comparateur (E), celui-ci
change d9état, et le circuit logique (B) délivre les signaux de sortie V14et V15.
Donc il se produit une impulsion :
-sur la borne 15, si V(t) est positive.
-sur la borne 14,si V(t) est négative.
Les durées des signaux de sortie disponible dépendent de l9état des entrées 12 et 13 on
distingue trois cas :

 Premier cas :

Les bornes 12 et 13 mises à Vcc, les sorties 14 et 15 génèrent un signal d9une durée
d9environ 30µS.

24
 Chapitre II : Conception du circuit de commande

 Deuxième cas :

La borne 13 mise à Vcc et la borne 12a la masse par un condensateur C12, les impulsions
obtenues aux sorties 14 et 15 sont de durée Δt=k.C12 (représenté notre cas d9étude).avec k=
430.1000S/F.
Troisième cas :

La borne 13 est connectée à la masse, les créneaux de sortie ne s9achèvent que lors du
passage à zéros suivant de V5

Les sorties ý1et ý2sont les signaux inverses de Q1et Q2, décalés de α +180°qui peuvent
être utilisés pour la commande des circuits logique externes sont disponibles aux broches 3et
4.

Un signale qui correspond à NON OU (NOR) de Q1et Q2 est obtenu à partir de la sortie
Qz (broche 7).

La borne 13 peut être utilisée pour prolonger les sorties ý1et ý

2. [12]

Figure II. 2 : Structure interne du TCA785

La figure (II.3) montre les formes d9ondes théorique des tensions fournies par le circuit
intégrer TCA 785

25
 Chapitre II : Conception du circuit de commande

Le chronogramme

Figure II. 3 : les formes d9ondes théoriques fournies par le TCA 785

Oscillateur de fréquence

Pour assurer l9amorçage certain des thyristors, on doit avoir un train d9impulsions sur les
gâchettes de ces derniers. On utilise le NE555 à fréquence d9horloge élevée monté en astable.

Circuit intégré NE555

C9est un circuit présent en boitier DIL à 8 broches, il possède une grande stabilité
permettant d9obtenir des impulsions de durée précise ou on peut obtenir des signaux
rectangulaires. Ce composant est toujours utilisé de nos jours en raison de sa facilité
d9utilisation, son coût et sa stabilité.[12]

Bouclage

Le tableau [Link].2 présente les broches présentes sur la version simple dans un
boitier DIP ('Dual Inline Package' boîtier de circuit intégré). Les autres boîtiers utilisent les
mêmes noms de broches.[13]

26
 Chapitre II : Conception du circuit de commande

Figure II. 4 : oscillateur de fréquence.

** Nom Description

1 GND Masse.

2 TRIG Gâchette, amorce la temporisation - Détecte lorsque la tension est inférieur à 1/3 de VCC.

3 OUT Signal de sortie.

4 RESET Remise à zéro, interruption de la temporisation (Délai avant l9exécution).

5 CONT Accès à la référence interne (2/3 de VCC).

6 THRES Signale la fin de la temporisation lorsque la tension dépasse 2/3 de VCC.

7 DISCH Borne servant à décharger le condensateur de temporisation.

8 VCC Tension d'alimentation, généralement entre 5 et 15V.

Tableau II. 2 : Tableau significatifs des broches de NE555

Le schéma de la figure (II.5) nous montre le circuit de branchement du NE555 pour des
impulsions capables d9amorcer les thyristors, son fonctionnement est le suivant :
On peut constater un train d9impulsion dont la fréquence est déterminée par : Deux
résistances et un condensateur permettent de modifier la fréquence d'oscillations ainsi que le
rapport cyclique.
Dans le premier temps le condensateur C est chargé. Quand on applique un signal sur la
broche 2 .C commence à se charger à travers la résistance Ra et Rb pendant un laps de temps
t1durant lequel la sortie est en état haut et ce jusqu9à ce que la tension aux bornes C atteigne
les 2/3de la tension d9alimentation.

Par ailleurs, à partir de l9état antérieur C commence à se décharger via Rb durant un laps
de temps t2, jusqu9à ce que la tension C atteigne 1/3de la tension d9alimentation.

Durant cet intervalle, la sortie sera en état bas. C9est Alor le cycle recommence.[8]
27
 Chapitre II : Conception du circuit de commande

Alor on a :
Un temps de charge :t1=0.693.(Ra+Rb)& .......................................................................... [II.1]
Un temps de décharge :t2=0,[Link].C ................................................................................[II.2]
La période totale du cycle :T=t1+t2=0,693(Ra+Rb).C& .................................................... [II.3]

La fréquence d9oscillation est l9inverse de la période :f=1/�㕇 =/ 1,44 . �㔶 .......................... [II.4]

þÿ+þĀ

Le rapport cyclique :�㗼 = þÿ+þĀ .......................................................................................... [II.5]

þÿ+2þĀ

On en déduit que si Ra<Rb on a: α=0.5 et

...................................................................................................................................
f=(2þĀ.�㔶)
1.44 [II.6]

On peut alors régler la fréquence en agissant sur Rb sans modifier le rapport cyclique.

Pour une fréquence de 25KHz on a :

Ra=330Ω
Rb=4,7kΩ
C=0.01µF

Figure II. 5: Le bronchement du NE555 en astable.

L’isolation galvanique

C9est l9interface électronique qui offre une protection du circuit de commande

(composants à très basse tension) par rapport aux forts courants du circuit de puissance. Cette
isolation peut être réalisée avec des transformateurs d9impulsion (isolation inductive) ou par

28
 Chapitre II : Conception du circuit de commande

des optocoupleurs (isolation optoélectrique). Notre choix s9est porté sur l9optocoupleur NPN
qui offre une bonne isolation de 1500V.

L’opto-coupleur

L9opto-coupleur est un composant ou un ensemble de composants qui permet le transfert

d'informations entre deux parties électroniques isolées l'une de l'autre d'un point de vue
électrique. La première partie est un émetteur, et la seconde partie est un récepteur. Il est
formé d'une LED infrarouge et d'un phototransistor ou d'une photodiode. Il assure une liaison
entre la LED et le phototransistor tout en assurant une isolation électrique entre les deux. [19].

La figure II.7 montre les deux branchements et l9état de la sortie de l9optocoupleur.

Figure II. 6 : Les deux manières de branchement d9un opto-coupleur

29
 Chapitre II : Conception du circuit de commande

Les caractéristiques d’un opto-coupleur

Les caractéristiques spécifiques d9un opto-coupleur sont principalement :

 La tension d9isolement entrée- sortie (Isolation Surge Voltage : Viso)
 Le courant d9entrée maximum (Forward Current : IF)
 Le taux de transfert (Current Transfer Ratio : CTR)
 Le courant maximum en sortie (CollectorCurent : IC (dans le cas d9un photo-
transistor))
 Le courant résiduel d9obscurité en fonctionnement (Collector 3 Base Dark Curent :
ICBO)
 La puissance maximum qui peut dissiper le boitier (Total Device power dissipation :
PD) [19]

Driver

Il vient âpre l9opto-coupleur un circuit intégré (IR2112 d9international rectifier) prévu

pour le pilotage des thyristors monte sur le même bras d9un pont, qui permet en premier lieu
d9amplifier le signal une seconde fois avant d9être appliqué aux thyristors, en seconde lieu de
créer une masse flottante dans un bras pour faire face à une charge déséquilibrée, de plus le
fait que ce driver peut créer lui-même les temps morts pour chaque bras afin d9éviter un court-
circuit.[14]

Figure II. 7: driver IR2112

30
 Chapitre II : Conception du circuit de commande

Figure II. 8: Schéma interne du driver IR2112

Symbol Description
VDD Logic supply
HIN Logic input for high side gate driver output (HO), in phase
SD Logic input for shutdown
LIN Logic input for low side gate driver output (LO), in phase
VSS Logic ground
VB High side floating supply
HO High side gate drive output
VS High side floating supply return
VCC Low side supply
LO Low side gate drive output
COM Low side return

Tableau II. 3 : Tableau significatif du driver

Alimentation stabilisée

Une alimentation stabilisée est un générateur dont une des gradateurs de sortie. La tension
ou le courant. Peut être stabilisée à une ou à plusieurs valeurs fixes. Dans une alimentation
régulée en tension. La tension de sortie V sortie est maintenue constante et indépendante dans
les limites données de la tension d9entrée V entrée du courant de charge et de la température.
Ainsi à partir d9une tension redressée filtrée variant autour d9une valeur moyenne. Un
régulateur de tension doit fournir une tension continue constante avec une très faible
31
 Chapitre II : Conception du circuit de commande

ondulation résiduelle. Tout en fournissant un courant variable selon une certaine gamme le
régulateur de tension permet donc :

 D9obtenir une tension de sortie continue constante pour une charge variable.
 De réduire le plus possible la tension d9ondulation résiduelle encore présente après
le filtrage.
 D9éliminer les effets des variations de la tension d9entrée (tension du réseau
d9alimentation).[18]

Le transformateur fourni une tension de 5v qui est redressée par le pont a diodes et filtré
par le condensateur C1. Ensuite cette tension est régulée par un régulateur de tension intégré
est un composant à semi-conducteur dont le rôle consiste à stabiliser une tension qui présente
une ondulation et à rendre quasi continue sa valeur, ou on a utilisé un régulateur de tension de
sortie positive (7805) pour avoir +5v.

L9alimentation de la carte de commande sera ainsi prise sur la sortie +5 V.

Des condensateurs de filtrage seront ajoutés en entrer et en sortie de régulateur pour
éliminer les bruits et les parasites.

Figure II. 9: Montage de l9alimentation proposée

Et en plus une alimentation de 15V qui est présenté dans la figure II.11, pour alimenter le
driver et l9opto-coupleur.

32
 Chapitre II : Conception du circuit de commande

Figure II. 10: montage de l9alimentation.

Conclusion

Dans ce chapitre nous avons étudié les différents composants principaux du circuit de
commande.
A partir de circuit intègre TCA785 on a réalisé un circuit de commande qui nous délivre
les signaux de commande désirés pour assurer un amorçage certain des thyristors.
Le prochain chapitre est consacré à la simulation sur logiciel Proteus de la carte de
commande des montages redresseurs retenus.

33
 Chapitre III : Simulation du projet par proteus

Introduction

Dans ce chapitre nous allons présenter le circuit de puissance et les schémas conçus du
circuit de commande ainsi que son dimensionnement (choix des composants).
Nous présenterons aussi le logiciel PROTEUS qui a été utilisé dans l9édition du schéma
électrique complet et qui permet la simulation du projet.

Circuit de puissance

L9électronique de puissance utilise des semi-conducteurs fonctionnant en interrupteur,

formé par un seul ou un groupement de plusieurs thyristors ou Mosfet et IGBT, permettant de
réaliser des convertisseurs statiques commandés.

Fonctionnement à base d’un thyristor

a) Marche en redresseur

Pour qu9une paire de thyristors soit en conduction. Il faut que l9un soit toujours relié à la
tension la plus positive et l9autre à la tension la plus négative à conduction qu9ils aient reçu à
leurs gâchettes des impulsions d9amorçages.
Le retard à l9allumage est mesuré à partir de l9instant de la commutation naturelle et la
combinaison qui détermine la paire de thyristors en conduction change tous les 60.
Pour déterminer la première combinaison d9allumage. On se sert du passage par zéro
positif de la tension simple V(t) du réseau d9alimentation. Ainsi pour le fonctionnement en
redresseur. Deux séquences sont donc possibles :
Séquence 1 : 0 α 60

Séquence 2 : l9élaboration du retard équivalent à générer un retard égal à « α-60 à partir de

la même origine que pour la séquence 1.

b) Marche en onduleur

Pour des angles de retard à l9amorçage supérieur à 90 la tension redressée moyenne

s9inverse. Le courant id ne pouvant sortir que par le point de jonction des cathodes garde
forcément le même sens et la puissance fournie au côté continu devient négative.
Du coté continu il n y9a donc plus un récepteur mais un générateur et l9énergie circule vers
le coté alternatif.

34
 Chapitre III : Simulation du projet par proteus

Cependant il faut prendre la précaution de limité l9angle de retard à l9amorçage lors du

fonctionnement en onduleur. Pour les grands angles de retard à l9amorçage. La tension aux
bornes des thyristors n9est négative que pendant une courte durée correspondant à un angle ƍ
appelé : angle d9extinction.
Le temps tƍ correspondant à cet angle doit être supérieur au temps de désamorçage du
thyristor. En général on limite l9angle de retard du fonctionnement en onduleur à une valeur
typique α=150.

Présentation du logiciel Proteus Design Suite

Proteus Design suite est un logiciel développé par Labcenter Electronics, regroupant des
modules : ISIS, ARES, PROSPICE et VSM destinés à l9électronique. Grace à ce logiciel,
nous pouvons réaliser des schémas structurels et les simuler, c9est la COA (Conception
Assisté par Ordinateur). Ce logiciel est bien connu et utilisé dans de nombreuses entreprises et
organismes de formation.[21]

Figure III. 1 : photos du logiciel de simulation proteus

Sous-logiciel ISIS

ISIS (intelligent schematic input system) est principalement conçue pour édite des schémas
électriques avec une riche librairie de composants électroniques. Il permet bien sûr de simuler
les schémas réalisés et corriger les erreurs et visualiser les signaux de résultats. Grace à lui,
nous pouvons également contrôler la majorité de l9aspect graphique du circuit. [21]

35
 Chapitre III : Simulation du projet par proteus

Sous-logiciel ARES

ARES est un outil d'édition et de routage qui complète parfaitement ISIS. Un schéma
électrique réalisé avec ISIS peut alors être importé facilement sur ARES pour réaliser
le PCB de la carte électronique. Bien que l'édition d'un circuit imprimé soit plus efficiente
lorsqu'elle est réalisée manuellement, ce logiciel permet de placer automatiquement les
composants et de réaliser le routage automatiquement. [21]

Mise à jour des librairies locales

Avant de commencer à travailler sur un projet il est nécessaire et même obligatoire

d'effectuer une mise à jour des librairies. Ceci est important car lorsqu'on crée un composant
et que l'on veut le sauvegarder il faut qu'on soit sur la dernière version des librairies.
Sinon on peut se retrouver face à un conflit.

Création d’un nouveau projet

-Lancer Proteus.
-Dans la partie lancement, cliquer sur l'onglet "nouveau projet"
Choisissez votre nom de projet, le chemin et cochez "Nouveau projet" puis cliquez sur l'onglet
"Suivant".

36
 Chapitre III : Simulation du projet par proteus

-Dans la figure qui suit, cochez "Créer un schéma à partir du gabarit choisi".
-Dans la partie "Design Template", vous pouvez choisir entre :
Default : Page vierge sans gabarit
-landscape : Page en mode paysage avec gabarit
-Portrait : page en mode portrait avec gabarit
-Cliquez sur l'onglet "Suivant".

37
 C1

10UF

4
U4

2
5
R10
10K
VSYNC ET GACHETTE

TR
CV
A
1 8
GND VCC
B
V SYNCRON VCC

TH
DC
Q
VALUE=12
A C
R13

6
7
3
10k NE555
B D D1
C +88.8
Volts
DIODE
D

VCC1
VALUE=12
C8 VSOURCE
100nF
R15
GND A R21
270 R20 R22
U13 33
B 33
B 6 33
GND
1 A C 5
(écart entre les pistes, ...).[22]

R14 C U8
U7 U9
TR1 R4 470 D
16 U1 GND 2 4
R1 K E C14 R30
v1 1 C9
5 4N26 100
VSYNC VS Q1 14 0.1UF C13
220K 11 4 0.1UF THY RISTOR
V11 Q1 THY RISTOR 0.1UF
15 R19 THY RISTOR
R3 Q2
6 2
13
INHIBIT Q2
3
27 U14 270
10k L QU C15
7
-Dans la partie "Layout Templates" :

12 B 6
C2 RV1 C12 QZ 470
10 1 A C 5 VSOURCE 100uf
47NF C10
9 8
PN R9 GND VREF

2 4

47 %
TRA N-2P2S
C3 PN
1 TCA785 K E
R5 R16
0.01UF 4N26 V3PHASE
100k R26
10k 470

v1
v2
v3
U15
270
B 6 R25
GND 1 A C 5
33
R24
-Cochez "créer un circuit à partir du gabarit".

33
U12
R17 R23
2 4 33
470 K E U11
4N26 U10

38
GND C12
R27 THY RISTOR 0.1UF
III.4 Montage avec NE555 et thyristors

U16 C11
B 6 270 C10
THYRISTOR 0.1UF
1 A C 5 0.1UF
U2 R18 THYRISTOR
16
-Default : aucune restriction pour la création du PCB

470
TR2 5 14 2 4
R6 11
VSYNC VS Q1
4 K E
v2 V11 Q1
15 4N26
220K Q2
6 2
R7 13
INHIBIT Q2
3
R28
L QU
12 7 R18 U17
C12 QZ 270
+88.8 10K 10 B 6
C5 C4 C10
R8 9 8 470 1 A C 5
AC Volts R9 GND VREF
0.01UF 47nf
1
PN
1 TCA785 2 4
TRA N-2P2S K E
4N26
R29
R9
100K 270
U18
B 6
1 A C 5

2 4
K E
GND
GND 4N26

TR3 16 U3
R2

Figure III. 2 : schéma global avec NE555 et Thyristors.

v3 5
VSYNC VS Q1 14
220K 11 4
V11 Q1
Q2 15
6 2
INHIBIT Q2
Chapitre III : Simulation du projet par proteus

10K 13 3
L QU
12 7
C12 QZ
10k 10
C10
9 8
R9 GND VREF
PN R11
TRA N-2P2S C7 C6
1 1 TCA785
47nf 0.01UF

R12
100K

GND
-Les autres "Templates" : ces Templates imposent des restrictions issues des constructeurs
 Chapitre III : Simulation du projet par proteus

III.4.1 Résultats de simulations

Figure III. 3: tensions de synchronisation et la rampe triangulaire

Figure III.4 : les signaux d9impulsion et tension de la charge R.

39
 Chapitre III : Simulation du projet par proteus

Figure III. 5 : l9allure de la sortie du NE555 et la tension de la charge RL

Remarque :

Dans la pratique, les thyristors sont des interrupteurs difficilement commandables

pouvant nécessiter de secondes impulsions de rappel sur leurs gâchettes (chaque 60ms) et
donc un montage à deux signaux sur les grilles plus compliqué à réaliser. Notons aussi que les
écarts des résultats par rapport aux théoriques sont dû au manque de précision des valeurs des
composants (résistances, inductances...) du montage.

40
 VCHARGE ET IMPULSIONS
A
Chapitre III : Simulation du projet par proteus

V SYNCRON ET TRIANG VCC B

VALUE=15
A C
B D
C +88.8
VALUE=5

Volts
D D5
VCC

Figure III. 6 : circuit avec les drivers et IGBT

R15 1N4007
GND
U13 470
B 6
R14 1 A C 5
P1
TR1 R4 U1 470
16 2 4
R1 K E

TH3
v1 47k
5 14 4N26

TH5
VSYNC VS Q1
15k 11 4

TH1
V11 Q1
R3 Q2 15 R19 Q8
6
INHIBIT Q2
2
27 Q7 2N6796 Q11
10k 13 L QU
3 U14 470 2N6796 2N6796
7
C2 RV1 12
10
C12 QZ 470
1 A
B 6
C 5

VS1

VS2

VS3
47NF C10 P2
9 8
PN R9 GND VREF
4 6%

TRAN-2P2S 2 4 C21
C3 R5 1 TCA785 K E VSOURCE
0.01UF
R16 10UF
4N26
120k
470
R26
10k
U15 470
PN
B 6
V3PHASE
GND 1 A C 5
III.5 Montage avec les drivers et IGBT

P3

41
v1

v3
v2
R17
2 4
470 K E
4N26 R10

TH2
GND R27 1K

TH6
U16 Q12

TH4
B 6 470 2N6796
R18 1 A C 5 Q9 Q10
16 U2 P4
2N6796 2N6796
TR2 470
R6 5 14 2 4
VSYNC VS Q1
11 4 K E
v2 V11 Q1
15 4N26
15k Q2
6 2 R28
R7 INHIBIT Q2
13 L 3
12 QU
7 R18 U17 470
C12 QZ
+88.8 10K 10 B 6
C5 C4 R8 9
C10
8 470 1 A C 5
AC Volts
0.01UF 47nf R9 GND VREF P5
47k
PN
1 TCA785 2 4
GND
TRAN-2P2S K E
VCC1 D2
4N26 R29
R9 VALUE=5
120k 470 D3 D4
U18 10A01
B 6 P6 U5 C16 C1
1 A C 5 C20 3 100nf
100nf 47uf 10A01 10A01 C19
10 6 100nf
P1 HIN VC VB
3 U6 C17 C8 3 U19 C18
2 4 R31 47uf 47uf
11 SD 7 100nf
K E HO TH1
GND 5 10 6 10 6
GND 4N26 12 VS1 2.2 P3 HIN VC VB P5 HIN VC VB
P4 LIN COM LO R32 R33 R35
TH4 11 SD 7 TH3 11 SD 7 TH5
HO HO
2.2 5 180 5 180
12 VS1 12 VS1
TR3 16 U3 2 IR2112
P6 LIN COM LO R34 P2 LIN COM LO R36
R2 VS1 TH6 TH2
v3 5 14 180 180
VSYNC VS Q1 2 IR2112 2 IR2112
15k 11 4
V11 Q1
Q2 15 VS2 VS3
6 2
10K INHIBIT Q2
13 L 3 GND
12 QU
7
10k C12 QZ
10
C10 8
9
R9 GND VREF
PN R11
TRAN-2P2S C7 C6 47k
47nf 0.01UF 1 TCA785
R12
120k
GND
 Chapitre III : Simulation du projet par proteus

III.5.1 Résultats de simulation

Figure III. 7 : tensions de synchronisation et rampe triangulaire

Figure III. 8 : les signaux d9impulsion et V charge aux bornes de R.

42
 Chapitre III : Simulation du projet par proteus

Figure III. 9: Tension aux bornes de la charge RL

Remarque :

On n9a pas pu avoir des résultats conformes à la théorie, ceci est dû à la difficulté de
dimensionner de manière précise le circuit de commande : trouver les valeurs des composants
(en particulier les résistances) pour avoir des tensions valides pour chaque composant du
circuit.

Difficultés rencontrées

Pendant la réalisation de la simulation de notre projet, nous avons rencontré plusieurs

problèmes, dont les principaux sont :
Des difficultés pour trouver la documentation sur internet pour l9utilisation du circuit
TCA785 dans le cas du redresseur triphasé, à l9inverse du cas du redresseur monophasé pour
lequel des travaux sont couramment réalisés.
Le choix des valeurs des composants a été onéreux pour dimensionner le circuit de
commande et a nécessité beaucoup de temps et de recherches.

43
 Chapitre III : Simulation du projet par proteus

Conclusion

Dans ce chapitre nous avons présenté deux schémas différents pour le redresseur triphasé
commandé et proposé deux circuits de commande, l9un utilisant un générateur haute
fréquence de signaux carrés et l9autre des drivers pour piloter le circuit de puissance.
Des résultats de simulation ont été présentés montrant les difficultés à concevoir
pratiquement un circuit de commande en particulier dans le cas du redresseur triphasé.

44
 Conclusion générale

Conclusion générale

Notre travail a consisté à l9étude et la conception d9un circuit électrique de commande à

base du TCA785 pour un redresseur triphasé. Après avoir donné des généralités sur les
convertisseurs statiques et les composants semi-conducteurs, des simulations par le logiciel
MATLAB ont été illustrées pour les montages dédiés aux convertisseurs alternatif-continu les
plus utilisés.

Ensuite nous sommes passés à la partie conception et dimensionnement du circuit de

commande. Nous avons utilisé le logiciel Proteus qui contient une librairie riche en
composants électroniques pour réaliser et simuler notre projet.

Nous avons opté pour une solution à control de phase avec trois TCA785, chacun
pilotant deux interrupteurs commandés (thyristors ou IGBT) du circuit de puissance. Afin de
garantir l9amorçage des différents interrupteurs à l9instant adéquat, nous avons inséré, dans un
premier montage (avec thyristors), un générateur de signaux carrés à haute fréquence qui est
le NE555 en adition avec les impulsions fournies par les TCA 785. Dans un deuxième
montage (avec IGBT), nous avons montré la possibilité d9utiliser des drivers ir2112 pour
piloter les IGBT. Nous avons aussi tenu compte de l9isolation galvanique par optocoupleur
pour protéger les composants de commande des forts courants du circuit de puissance.

La simulation du fonctionnement des montages réalisés sur des charges R et RL par

proteus nous a fourni des résultats satisfaisants compte tenu de la difficulté qui réside dans la
commande du redresseur triphasé. En effet pour éviter la conduction simultanée de deux
thyristors d9un même bras (court-circuit), il est envisagé d9appliquer des impulsions
supplémentaires de rappel sur les gâchettes des thyristors, ce qui ferait une bonne étude en
perspective. Notons aussi que les écarts des résultats par rapport aux théoriques sont dû aux
erreurs de dimensionnement des valeurs des composants (résistances,) du montage.

Enfin, ce projet nous a permis de nous enrichir dans les domaines de l9électronique et
circuits de commande des semi-conducteurs, sans oublier que nous avons appris et maitrisé un
nouveau logiciel qui est PROTEUS Design Suite (ISIS ARES).
 Bibliographie

[1] Guy S2GUIER. Les convertisseurs de l9électronique de puissance, Tec & Doc, 1993.

[2] pierre. Agati. Electricité, électronique de commande de puissance, électrotechnique,

Dunod, paris, 1997

[3] A. CHAMPENOIS Electronique industrielle, alimentations et thyristors Edition du

renouveau pédagogique INC, Montréal, Québec 1984.

[4] D. Clenet. Démarreurs et variateurs cahier technique Schneider électrique n°208, édition
novoombre 2003

[5] [Link], N. MOREL. Electronique et normalisation,2001

[6] CHAKI Azzedine, GHOUZROUM Anouar. Conception et réalisation des redresseurs

AC/DC à Base du microcontrôleur PIC16F877A, université du M9SILA 2018

[7] Goumat BAYA. Etude harmonique des convertisseurs de puissance,1995.

[8] A. BENMOUFOK, F. BEDREDINE Etude et réalisation d9un pont mixte asymétrique

pour la commande d9un moteur à courant continu. Projet de fin d9études (D.E.U.A),
Université de Bejaia, 2002.

[9] R. CHAUPRADE Les montages redresseurs. Edition Dunod, paris, 1970.

[10] [Link]

[11] Revue d9électronique de puissance, avril 1985.

[12] [Link]/définitions/sciences/[Link]

[13] [Link]

[14] Debbou Mustapha, Ouatmani Riad. Etude et réalisation d9un onduleur de tension
triphasé, université Abderrahmane mira bejaia,2008.

[17] : [Link]

[18] : CASSAGNE Antoine, COCAUD Jérémy. Conception d9un hacheur Buck 200W
24V-12V, Polytech9Tours, Du 12 Octobre 2011 au 24 Février 2012.

[19] [Link]

[20] [Link]

[21] [Link]
 Annexes

Annexes
1- Circuit intégré TCA785 :

R5=220k Ω

R6=10k Ω

R9=120k Ω

R13=47k Ω

C10=47nF

C12=0.01uF

P= (0-10) k Ω

2- Oscillateur de fréquence :

Circuit intégré

R1=333 Ω

R2=4.7k Ω

C=0.01Uf

3- Circuit d’amplificateur et d’isolation galvanique :

Opto-coupleur

Rb=470 Ω

R=470 Ω

Drivers

4- Alimentation stabilisée :

Transformateur unitaire

Régulateur de tension 7805

C1=C2=220uF

C3=C4=1000uF

Pont de diodes
 Annexes

II- les valeurs des composants du circuit de puissance :

Thyristors, IGBT

R=1k

L=100mh

Diode
Annexes
Annexes
Annexes
Annexes
Annexes
Annexes
Annexes
Annexes
Annexes
Annexes
Annexes
Annexes
Annexes