CHAPITRE 6
TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP
ET UNIJONCTION.
1 INTRODUCTION
Nous examinerons ici deux types de transistors utilisant les cristaux du type p et du
type n, dans une configuration différente de celle du transistor bipolaire étudié au
Chapitre 3 :
1. Le transistor à effet de champ ou FET(Field Effet Transistor), qui, lorsqu’il
est fabriqué à l’aide d’oxyde, de métaux et des semi-conducteurs est appelé
MOSFET (métal – oxyde- semi-conducteur). Son impédance d’entrée sera très
grande.
2. Le transistor unijonction ou UJT, présente dans ses caractéristiques une
résistance négative, résistance qui sera exploitée dans la réalisation de diviseurs
de fréquence, et d’oscillateurs.
[Link] DU FET
La représentation physique d’un transistor à effet de champ est comme suit :
Nous avons ici 3 bornes, la Grille, le Drain et la Source. La grille est ici faite de
cristaux du type –p tandis que le drain et la source sont constitués par un bloc de cristal
du type –n. le transistor ci-dessus est appelé transistor FET à canal –n, le canal étant
l’espace entre les deux parties de la grille.
Entre les cristaux du type –p et du type –n nous avons, comme dans toutes les
jonctions, une zone de recombinaisons des trous et des électrons que l’on appelle zone
de déplétion. Le fonctionnement du FET dépendra de la forme et de la largeur de cette
zone de déplétion :
1. Création du pinchoff
Appliquons une tension positive VDS entre le drain et la source. Les charges
positives sur le drain attireront les électrons du N, ce qui élargira la zone de
déplétion de ce coté. Par contre les négatifs, à la source diminueront la zone de
déplétion de cet autre côté et on a la figure suivant :
Dans le canal il y a moins de charges libres pouvant participer à la conduction
et la résistance équivalente du canal augmente.
Si la tension VDS continue d’augmenter, on atteint le point où les zones de
déplétion se touchent du côté du drain et nous avons ce qu’on appelle le
pinchoff. A partir de ce point, le courant ID circulant entre le drain et la source
est presque constant.
On a alors la caractéristique suivante :
2. Application de VGS < 0
Si nous appliquons une tension négative VGS entre la grille et la source, la diode
constituée par la grille et la source (p-n) se trouve polarisée négativement et la
zone de déplétion entre les deux augmente soit,
La largeur du canal diminue. Si nous appliquons de plus une tension VDS > 0, nous
obtiendrons un courant plus petit que dans le cas où VGS était 0, dans l’étape –1 ci-
dessus. D’où la caractéristique ci-dessous
En conclusion donc, les caractéristiques d’un FET à canal –n ont l’allure
générale suivante.
Pour le FET à canal –p les tensions VGS doivent être positives pour polariser
négativement la diode n-p entre la grille et la source.
Pour le FET, il existe une tension V GS = Vp pour laquelle les deux zones de
déplétion se touchent, éliminant le canal. Dans ce cas I d =0 (voir les caractéristiques
dans la figure ci-dessus).
Le FET est représenté par le symbole suivant
où la flèche indique la direction allant du cristal p au cristal n, au niveau de la grille.
La flèche est placée plus proche de la source que du drain.
L’impédance d’entrée est très grande puisque la diode présente entre la grille et
la source est toujours polarisée négativement pour une opération dans la zone active du
FET.
Le rôle du FET est de produire un courant ID qui est fonction de la tension VGS de la
grille, comme l’indiquent les caractéristiques.
3. L’AMPLIFICATEUR FET
Pour le FET à canal –n, le point de polarisation comme l’indiquent les
caractéristiques, est fixé par une valeur de VGS négative, une valeur de VDS positive et
une valeur de ID positive. Le circuit d’un ampli polarisé est le suivant
La résistance Rg est grande (quelques méga-ohms) et a pour rôle de présenter à la
grille la tension continue qui est sur RS. Ce rôle de Rg est identique à son rôle dans les
triodes. Le courant dans Rg est presque nul puisque Rg est très grand.
Pour effectuer l’analyse, on utilise les circuits équivalents suivants :
1. En continu on a
Supposons que ID , VGS VDS et VD sont donnés. Le problème dans ce cas sera
d’obtenir les valeurs des résistances de polarisation.
Dans la maille de droite, on a.
Dans la maille de droite, on a.
soit,
Puisque on a.
2. En alternatif, on a le circuit équivalent suivant, où les capacités sont des court-
circuits à la fréquence du signal vi (t).
où gm est le gain de transconductance avec,
Alors,
et puisque Rg est beaucoup plus grand que R1, on a.
et à la sortie on a.
.
Le gain en alternatif est alors,
Exemple 1.
Utiliser les caractéristiques données dans la Section 6.2 pour :
1. Choisir un point convenable de polarisation du FET.
2. Choisir les résistances de polarisation pour VD = 10V.
3. Déterminer une valeur moyenne de gm.
Solution
1. Un point convenable sur les caractéristiques est (par inspection)
2. Les résistance de polarisation s’obtiennent directement à partir des relations
établies dans la Section 6.3. soit,
3. Par définition
Si on prend une variation ΔVGS = 4V (autour de VGS =-2), on lit ΔID =10 m A.
Alors la valeur moyenne de gm est.
4. LES MOSFET
Dans les FET que nous venons d’étudier la grille se présentait des deux côtés du
canal. Toutefois la fabrication d’un tel transistor est difficile à réaliser. Dans les
circuits intégrés à moyenne et large échelle, le procédé de fabrication le plus
économique consiste à prendre un bloc de silicium pur, puis à le doper pour réaliser un
cristal du type p (par exemple), ensuite à oxyder la surface, à tailler dans l’oxyde de
silicium, à créer par diffusion les zones n, et enfin á déposer des couches de métal pour
réaliser des contacts. Cette méthode donne des MOS (métal - oxyde – semi-
conducteurs) et elle s’apprête bien à la fabrication des transistors à effet de champ
ayant l’allure suivante.
Comme on le voit, la source et le corps sont mis à la terre. Si une tension positive
est mise entre la grille et la source, les électrons du N viendront vers la grille
comme indiqué dans la figure ci-dessous. Toutefois l’isolent empêchera ces
électrons d’arriver à la grille. Alors il se crée un canal –n entre la source et le
drain :
Une différence de potentiel positive VDS placée entre le drain et la source permettra
à un courant ID de circuler dans le canal. Toutefois, lorsque VDS est trop grand, les
électrons du canal seront vite absorbés du côté du drain et le canal se rétrécira et le
courant ID sera constant avec l’augmentation de VDS .
Si on augmente encore VGS (la tension sur la grille) ; la largeur du canal augmente
et ID augmente. En résumé on a alors les caractéristiques typiques suivantes pour le
MOSFET
On notera que VGS doit être supérieure à 1V pour que le MOSFET amplifie.
Si on compare ces caractéristiques avec celles du FET ayant le même canal, c’est à
dire n, on note que pour le MOSFET, le transistor marche avec V GS positif. Lorsque
VGS est négatif, le transistor est bloqué. Alors que pour le FET à canal –n , VGS doit
être négatif si le FET doit être dans sa zone active.
Le symbole pour le MOSFET est le suivant
où les flèches indiquent ici la direction dans laquelle le courant circule dans le
canal.
Le circuit de polarisation de base de MOSFET est le suivant
où la capacité Cc est un circuit ouvert pour le courant continu. Les circuits équivalents
sont alors les suivant.
1. En continu
Le courant circulant dans Rg et la grille est très petit, donc,
VGS = VDS
Une autre relation est obtenue dans la maille de droite, soit
-VD + ID RD VDS = 0
Si VGS , VD et Id et sont donnés, on peut obtenir RD .
2. En alternatif, on a
Ce circuit est identique à celui du FET.
Exemple 2.
Supposons qu’un MOSFET fonctionne lorsque la tension VGS dépasse la
tension de seuil de 1 volt. Examiner alors la sortie vo en fonction de vi pour le circuit
suivant de deux MOSFET complémentaires (un à canal –p, l’autre à canal –n).
Solution
T2 est à canal –n. Il est bloqué pour vi < 1volt.
T1 est à canal –p il conduit pour VGS1 < -1 volt, or, pour ce transistor nous
avons, d’après la figure,
Alors nous avons les cas suivants :
1. vi = 0. Dans ce cas T2 est bloqué et T1 conduit puisque VGSI = -5V. et VO = VD =
5V
2. vi = 5V. Dans ce cas T2 conduit et T1 est bloqué. Donc vo = 0
Le graphe de vo en fonction de vi est alors le suivant
Si la valeur de vi est soit o, soit 5v, on a dans tous les cas , un transistor est bloqué
tandis que l’autre conduit ; donc le courant ID allant de VD à la terre sera toujours très
petit. Par conséquent, les circuits logiques utilisant des MOSFETcomplémmentaires
ont une très faible consommation d’énergie électrique.
