Chapitre 4

Semi-conducteurs.

4.1 Introduction.
Les semi-conducteurs sont des matériaux qui ont joué un rôle très un important dans
le développement de la technologie et le bien-être de l’humanité. On utilise les semi-
conducteurs dans les télécommunications, l’électronique, la détection, .... . En conclusion,
l’utilisation des semi-conducteurs couvre un domaine très large dans notre vie quotidienne.
Les matériaux semi-conducteurs sont obtenus à partir des éléments de 4eme colonne
du tableau de Mendeleïev, les plus connus sont Si et Ge. On peut, aussi, obtenir des
semi-conducteurs en combinant les éléments de la colonne V avec ceux de la colonne III,
ou bien les éléments de la colonne II avec ceux de la colonne V I.
Dans un semi-conducteur, la bande de conduction est vide au zéro absolu, elle est
séparée par une bande interdite de la bande de valence remplie. La bande interdite est
la di¤érence d’énergie entre le point le plus bas de la bande de conduction (le bord de la
bande de conduction) et le point le plus haut de la bande de valence (le bord de la bande
de valence).
Quand la température augmente, les électrons sont excités thermiquement de la bande
de valence à la bande de conduction. Les électrons de la bande de conduction et les sites
vacants ou trous créés dans la bande de valence contribuèrent à la conduction électrique.
Semi-conducteurs. 25

Remarque : Si une liaison de valence est brisée, l’électron devient mobile ; il laisse
un excès de charge positive le trou. Cette lacune va être comblée par un électron voisin
libéré par agitation thermique et qui va à son tour laisser un trou : celui-ci semble se
déplacer dans le réseau.
A l’équilibre, les électrons sont répartis sur les niveaux d’énergie selon la statique de
Fermi-Dirac ;
1
fe (") = (" "F )
e +1
Aux températures qui nous intéressent, nous pouvons supposer que " "F >> kB T ,
la fonction de distribution de Fermi-Dirac se réduit, alors, à :

(" "F )
fe (") ' e

La densité d’états des électrons dans la bande de conduction est donnée par (voir
chapitre II):
ge (") = A(" "c )1=2

La fonction de distribution ft (") des trous est reliée à la fonction de distribution des
électrons par ft (") = 1 fe ("), car un trou est dé…ni comme l’absence d’un électron.
Donc,
1
ft (") = 1 (" "F )
e +1
1
ft (") = (" "F )
1+e
(" "F )
ft (") ' e

La densité d’états des trous est donnée par :

gt (") = A("v ")1=2

On distingue deux types de semi-conducteurs :

Les semi-conducteurs intrinsèques (purs)

Les semi-conducteurs extrinsèques (dopés)

Semi-conducteurs. 26

4.2 Semi-conducteurs intrinsèques.

Un semi-conducteur intrinsèque est semi-conducteur non pollué par des impuretés. Les
trous et les électrons constituent les porteurs libres dont le nombre est en fonction de la
température. La neutralité électrique du matériau impose que les trous et les électrons
soient en nombre identiques (N = P ).
Déterminons le niveau de Fermi pour un semi-conducteur intrinsèque :
On a, Z 1
N= ge (")fe (")d"
0
Z 1
P = gt (")ft (")d"
0

AT =0K

N = P = 0 car le semi-conducteur est un isolant.

A T 6= 0 K Z 1
N= A(" "c )1=2 e (" "F )
d"
0
Z 1
("c "F )
N = Ae (" "c )1=2 e (" "c )
d"
0

On pose x = (" "c ) ;

("c "F ) Z 1
Ae
N= 3=2
x1=2 e x dx
0

3=2
2 m e kB T ("c "F )
N =2 e
h2
De la même façon, on trouve :
3=2
2 m t kB T ("F "v )
P =2 e
h2

La neutralité électrique du matériau implique :

N =P
Semi-conducteurs. 27

3=2 3=2
2 m e kB T ("c "F ) 2 m t kB T ("F "v )
2 e =2 e
h2 h2
3=2
me (2"F "v "c )
=e
mt
Donc,
"v + "c 3 me
"F = kB T ln
2 4 mt
"v +"c
Si mt = me , "F = 2
et on a le gap Eg = "c "v donc ;

"v + Eg + "v
"F =
2

Si "v est pris comme origine, "v = 0 ;

Eg
"F =
2

Pour un semi-conducteur intrinsèque, le niveau de Fermi reste au milieu de la bande

interdite quelle que soit la température, si les deux types de porteurs ont la même masse.
Si ces deux masses sont di¤érentes, la température peut provoquer un léger déplacement
de ce niveau qui reste toujours faible pour un semi-conducteur intrinsèque. Pour déplacer
le niveau de Fermi de sa position, on fait varier la concentration de l’un des porteurs
libres, on parle, donc, d’un semi-conducteur extrinsèque. Dans ce cas le niveau de Fermi
peut se déplacer vers le haut ou vers le bas de la bande interdite selon le type de porteurs
majoritaires.

4.3 Semi-conducteurs extrinsèques.

On peut modi…er d’une façon considérable la concentration de porteurs de charges d’un
semi-conducteur intrinsèque en lui ajoutant de faibles quantités d’atomes bien choisis et
que l’on appelle impuretés dopantes. On obtient, alors, un semi-conducteur extrinsèque
ou dopé.
Semi-conducteurs. 28

4.3.1 Notion de dopage

Dans un cristal semi-conducteur, il est possible d’introduire des atomes étrangers de

valence 3 ou 5 par exemple (colonne III ou V du tableau de Mendeleïev). Si tout va
bien technologiquement, les atomes vont prendre la place des atomes du réseau, c.à.d. se
mettre en site substitutionnel.

Dopage de type N

Prenons le cas d’un atome de la colonne V , par exemple le phosphore. La couche externe
de cet atome comporte 5 électrons. Inclus dans le réseau cristallin, cet atome va se trouver
avec 9 électrons sur sa couche externe. Dès que l’énergie thermique sera su¢ sante, un
électron va quitter son obite pour circuler dans le cristal. Il rejoint, dans ce cas, la bande
de conduction du cristal. Le noyau de l’atome de phosphore ayant une charge qui n’est
plus compensée, cet atome va s’ioniser positivement. Ce dernier a, ainsi, un comportement
dopant et puisqu’il a fourni un électron, on l’appelle atome donneur.
Notons que la charge totale du cristal est nulle, le cristal étant globalement neutre.

Dopage de type P

Prenons le cas d’un atome de la colonne III, par exemple le bore. La couche externe de
cet atome comporte 3 électrons. Inclus dans le réseau cristallin, cet atome va se retrouver
avec 7 électrons sur sa couche externe. Dès que l’énergie thermique sera su¢ sante, un
électron de valence voisin va quitter son orbite pour venir créer un octet autour de l’atome
de bore. Il crée, dans ce cas, une lacune dans la bande de valence du cristal, c.à.d. il crée
un trou. Le noyau de l’atome de bore ayant une charge insu¢ sante, cet atome va s’ioniser
négativement. Ce dernier a, ainsi, un comportement dopant et puisqu’il a fourni un trou
au cristal dans sa bande de valence, on l’appelle atome accepteur, puisqu’il accepte un
électron.
Notons que la charge totale du cristal reste toujours nulle, le cristal étant globalement
neutre.
Semi-conducteurs. 29

Remarque : Dans le cas général, les deux types de dopants peuvent exister simul-
tanément dans le matériau. Le semi-conducteur sera de type N ou d type P, si à la
température considérée, la concentration en donneurs ou en accepteurs, respectivement,
est la plus grande.

4.4 Coutant de di¤usion et courant de dérive.

4.4.1 Courant de di¤usion.

Le phénomène de di¤usion dans son sens le plus général, est un phénomène thermody-
namique résultant de l’accroissement de l’entropie, ceci signi…e que la nature tend toujours
vers la désorganisation maximale. Si nous considérons des porteurs de charges, leur mou-
vement s’e¤ectuera dans une direction qui a tendance à homogénéiser leur distribution
spéciale. La loi de Fick traduit cette tendance, cette loi s’écrit sous la forme suivante :

F = D grad C (4.1)

Avec,

F : le ‡ux de l’espèce considérée

C : la concentration de l’espèce

D : coe¢ cient de proportionnalité, aussi, appelé coe¢ cient de di¤usion.

a. Cas des électrons

La densité de courant s’exprime par (‡ux=-j/q):

jn = +qDn grad n (4.2)

Où Dn est le coe¢ cient de di¤usion des électrons.

b. Cas des trous
La densité de courant s’exprime par (‡ux=-j/q):
Semi-conducteurs. 30

jp = qDp grad p (4.3)

Où Dp est le coe¢ cient de di¤usion des trous

4.4.2 Courant de dérive (d’entrainement).

L’application d’un champ électrique au semi-conducteur induit la conduction des deux

types de porteurs, simultanément. Les électrons se déplacent au niveau de la bande de
conduction, les trous au niveau de la bande de valence.
La densité de courant totale est, donc, la somme des deux densités de courant.

! ! !
jtot = jn + jp (4.4)

Avec,
! ! !
jn = nE = nq nE (4.5)

! ! !
jp = pE = pq pE (4.6)

Ces deux densités de courant sont, en fait, des courants de dérive dans le champ
électrique. Nous pouvons,donc, exprimer la densité de courant totale des électrons, la
densié de courant totale de trous et la densité de courant totale, respectivement, par :

jn = +qDn grad n + nq nE (4.7)

jp = qDp grad p + pq pE

j = jn + jp (4.8)