Cours de Physique des Matériaux

SMP 5

Prof. Brahim BOUGHAZI

Année Universitaire 2020/2021

Table des matières

I Réseaux et Structures 3
I.1 Réseau direct . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

I.1.1 Réseau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

I.1.2 Maille . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

I.1.3 Motif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

I.1.4 Rangées cristallines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

I.1.5 Plans réticulaires et indices de Miller . . . . . . . . . . . . . . 10

I.2 Réseau réciproque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

I.2.1 Dénition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

I.2.2 Propriétés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13

I.2.3 Construction de réseau réciproque . . . . . . . . . . . . . . . 14

I.2.3.1 Réseau cristallin linéaire . . . . . . . . . . . . . . . 14

I.2.3.2 Réseau cristallin carré . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

I.2.3.3 Réseau cristallin simple (P) . . . . . . . . . . . . . . 15

I.2.3.4 Réseau cristallin cubique centré (I) . . . . . . . . . . 16

I.2.3.5 Réseau cristallin cubique à faces centrées (F) . . . . 18

I.3 Structures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

I.3.1 Matériau amorphe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

I.3.2 Cristal parfait . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

I.3.2.1 Structure cristalline . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

I.3.2.2 Caractérisation d'une structure cristalline . . . . . . 21

I.3.2.3 Empilement compact de sphères en contact . . . . . 21

I.3.2.4 Structures usuelles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

I.3.3 Quasi-cristaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
 I.3.4 Cristaux réels . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

I.3.4.1 Défauts de structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

I.[Link] Défauts ponctuels . . . . . . . . . . . . . . . 31

I.[Link] Défauts non ponctuels . . . . . . . . . . . . 33

I.3.5 Alliages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

I.3.5.1 Alliages de substitution . . . . . . . . . . . . . . . . 34

I.3.5.2 Alliages d'insertion . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

II Détermination des structures cristallines 37

II.1 Principe de détermination des structures . . . . . . . . . . . . . . . . 37

II.2 Faisceaux incidents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

II.2.1 Neutrons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

II.2.2 Electrons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

II.2.3 Rayons X (RX) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

II.3 Détermination de la structure cristalline par les RX . . . . . . . . . . 39

II.3.1 Rappel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

II.3.2 Caractéristiques des RX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

II.3.3 Production des RX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40

II.3.4 Mécanisme de la production des rayons X . . . . . . . . . . . 40

II.3.4.1 Spectre continu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

II.3.4.2 Spectre de raies caractéristiques . . . . . . . . . . . 43

II.3.4.3 Eet de la tension sur le spectre . . . . . . . . . . . 45

II.3.4.4 Eet de l'intensité sur le spectre . . . . . . . . . . . 45

II.3.5 Interaction des RX avec la matière . . . . . . . . . . . . . . . 46

II.3.5.1 Absorption des RX . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

II.3.5.2 Eet Compton . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

II.3.5.3 Eet photoélectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

II.3.6 Diraction des Rayons X (RX) . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

II.3.6.1 Loi de Bragg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50

II.3.6.2 Condition de Laue . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

II.3.6.3 Equivalence des formulations de Bragg et von Laue . 51

II.3.6.4 Construction d'Ewald . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

 II.3.6.5 Notion de la zone de Brillouin . . . . . . . . . . . . 53

II.3.7 Les méthodes de résolution . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

II.3.7.1 Méthode de Laue . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

II.3.7.2 Méthode du cristal tournant . . . . . . . . . . . . . 54

II.3.7.3 Méthode de poudre (ou de Debye-Scherrer) . . . . . 55

II.3.8 Facteur de structure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

Introduction

Les philosophes grecs furent probablement les premiers à émettre l'hypothèse

de l'existence à un niveau microscopique de structures responsables des propriétés des

matériaux. Pourtant on considère généralement que la science des matériaux ne date

e
que du début du XX siècle, où la régularité de la forme des matériaux a été observée

donnant ainsi la notion du cristal. En tant que la science la plus puissante pour

étudier la structure de la matière cristalline à l'échelle atomique, la cristallographie,

grâce aux informations qu'elle apporte, est indispensable à de nombreuses disciplines,

de la physique à la chimie, en passant par la biologie, et permet la conception de

matériaux aux propriétés maîtrisées. Elle est aussi une ressource précieuse pour les

industriels.

La physique des matériaux s'intéresse aux objets qui nous entourent (métaux,

polymères, semi-conducteurs, céramiques, composites, etc.), tout en se focalisant sur

l'étude des principales caractéristiques de ces matériaux, ainsi que leurs propriétés

mécaniques chimiques, électriques, thermiques, optiques et magnétiques.

Ce cours de physique des matériaux, comprenant trois chapitres, dont le premier

est consacré à l'étude des concepts fondamentaux de la cristallographie (réseaux,

les structure usuelles, défauts,. . . ). Le deuxième chapitre cite des méthodes de dé-

termination des structures cristallines, notamment la diraction des rayons x. Les

vibrations du réseau sera l'objet du troisième chapitre, où on verra quelques proprié-

tés thermiques (énergie interne, chaleur spécique,. . . ) des cristaux.

Ce cours vise à présenter, aux étudiant de la lière SMP-5, un tour d'horison

du comportement macroscopique (propriétés thermiques, optiques, électriques, ...)

des matériaux (notamment les solides cristallisés) et de l'expliquer avec modèles

microscopiques que ce soit classique (loi de Dulong et Petit) ou quantique (modèles

1
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d'Einstein et de Debye).

Ces notes de cours n'ont aucun caractère exhaustif et ne doivent surtout pas

être considérées comme un document de référence exclusif, au contraire : il est sou-

haitable que les développements qui ne sont (seront) mentionnés sur ce présent ma-

nuscrit (en amphi) suscite la curiosité d'en savoir d'avantage en allant consulter les

nombreux livres traitons les chapitres (notions) abordés. Quelques références sont

données à l'issue de ce cours : elles sont seulement des indicatives et reètent des

gouts personnels.

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Chapitre I

Réseaux et Structures

I.1 Réseau direct

I.1.1 Réseau
Il est constitué par un ensemble inni de points discrets, appelés n÷uds, obtenu par

→
− →
− →
−c
translation dans l'espace de trois vecteurs non coplanaires a, b et qui déter-

minent les directions et les distances entre les n÷uds du réseau.

Dans le cristal, chaque n÷ud présente le même environnement pour une direction

donnée. Ainsi, une propriété fondamentale des cristaux est la translation. Pour la

décrire, les diérents n÷uds sont dénis à partir d'une origine quelconque O par

l'équation :
−−→ →
−
OM = n1 → −
a + n2 b + n3 →
−c Où n ∈ Z (i = 1, 2, 3) non simultanément nuls
i
→
− →
−
a , b et →
−c sont appelés vecteurs de translation fondamentaux ou primitifs (leur
−−→
combinaisons linéaires entières forment les diérents vecteurs OM ).

Considérons le réseau cubique à faces centrées de paramètre de maillea représenté ci-

→
− →
− →
−
dessous. Les vecteurs a , b et c sont des vecteurs de translation non fondamentaux

→
− → − →
−
alors que les vecteurs a , a et a sont fondamentaux ou primitifs (Fig. 1).
1 2 3

En plus de la translation, on rencontre d'autres opérations de symétrie, telles que :

1. La rotation autour d'un axe : la rotation est dite d'ordre n si l'angle de rotation

nécessaire pour l'identité est égal à 2π /n. Les seules rotations possibles sont

d'ordre : 1 (2π ) ; 2 (π ) ; 3 (2π /3) ; 4 (2π /4) et 6 (2π /6). La rotation d'ordre 5

3
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Fig. 1  Représentation des vecteurs fondamentaux ( 1 , ~a ~a2 et ~a3 ) et non fondamen-

taux (~
a, ~b et ~c) du cubique à faces centrées

et 7 sont impossibles dans les cristaux.

Démonstration :(Fig. 2)

Fig. 2  Démonstration

a étant la longueur d'un élément des vecteurs de base.

l ne peut être un multiple entier de a que pour des valeurs de α = 2π/n,

n = 1, 2, 3, 4 ou 6. D'où le résultat.

2. La symétrie par rapport à un point, un plan.

3. La combinaison d'une rotation d'ordre n et d'une symétrie par rapport à un

point dite rotation-inversion.

Notation de Hermann-Mauguin :
1. L'axe de rotation d'ordre n est noté par le chire n.

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2. La rotation-inversion d'ordre n est notée par le symbole n.

3. La réexion est notée par la lettre m (m = 2.).

I.1.2 Maille
→
− →
−
Le parallélépipède, construit sur trois vecteurs non coplanaires a , b et →
−c du réseau

cristallin, constitue une maille du réseau. Si tout n÷ud du réseau peut être obtenu
par combinaison linéaire entière des vecteurs de la maille, la maille est dite simple,
ou primitive, sinon, elle est dite multiple. Le volume d'une maille simple contient
un seul n÷ud du réseau. Le volume d'une maille multiple contient un nombre entier

de n÷uds du réseau. Une maille multiple contenant n n÷ud du réseau (n est un

entier) est appelée maille multiple d'ordre n.

Exemple de mailles 2D :

Fig. 3  Exemple de mailles (simple et multiple) à deux dimensions

Systèmes cristallins à deux dimensions :

Un réseau est appelé réseau de Bravais du cristal, si son orientation apparaît exacte-

ment la même lorsqu'il est vu d'un point quelconque. Il y a cinq réseaux de Bravais

à deux dimensions compatibles avec les opérations du groupe ponctuel associé aux

n÷uds du réseau.

Oblique, n'est invariant que par des rotations de 2π et de 2π /2

Les autres, peuvent être invariants par des rotations de 2π /3,2π /4 ou 2π /6 ou des

symétries par rapport à un plan.

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Fig. 4

Systèmes cristallins à trois dimensions :

Dans le cas tridimensionnel, la maille élémentaire est constituée de trois vecteurs
→
−
a,
→
− →
b et −c dont les modules forment les paramètres de la maille.

On montre que le nombre de réseaux de Bravais est égal à 14 (g. 5). Ces réseaux

sont associés aux 7 systèmes cristallins suivants :

Système Symbole de Géométrie de la maille

réseau

Triclinique P a 6= b 6= c, α 6= β 6= γ 6= 90◦
Monoclinique P, C a 6= b 6= c, α = γ = 90◦ 6= β
Orthorhombique
P, C, I, F a 6= b 6= c, α = β = γ = 90◦
Quadratique P, I a = b 6= c, α = β = γ = 90◦
RhomboédriqueP a = b = c, α = β = γ 6= 90◦
Hexagonal P a = b 6= c, α = β = 90◦ 6= γ =
120◦
Cubique P, I, F a = b = c, α = β = γ = 90◦

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Fig. 5  Systèmes cristallins et réseaux de Bravais

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I.1.3 Motif
Il peut être un atome ou un groupe d'atomes ayant une orientation et une géométrie

bien déterminées. C'est l'élément de base dont la répétition suivant le réseau engendre

le cristal. En d'autres termes, le réseau ne fait que décrire les symétries de translation

du cristal. Par contre, la nature du cristal est dénie par son motif.

Ainsi, on peut écrire :

Motif + Réseau = Cristal

I.1.4 Rangées cristallines

Toute droite passant par deux n÷uds du réseau est appelée rangée cristalline (Fig.

6).

Le réseau étant a priori supposé inni, il y a une innité de n÷uds régulièrement

espacés sur une même rangée.

Tous les autres n÷uds du réseau peuvent être décrits par des rangées parallèles à

la première rangée considérée. Le faisceau de rangées ainsi considéré est appelé une

famille de rangées cristallines.

Une famille de rangées dans un réseau cristallin contient donc tous les n÷uds du

réseau.

Il y a une innité de manières de regrouper les n÷uds en famille de rangées.

Il y a donc une innité de familles de rangées dans un réseau cristallin.

Remarque
Au sein d'une même famille de rangées, les rangées sont parallèles entre elles, la

période d'espacement des noeuds sur les rangées est la même pour toutes les rangées

de la même famille. En revanche, les rangées de la famille ne présentent pas la même

équidistance selon les diérentes directions ([13] 6= [12], Fig. 6).

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Fig. 6  Famille de rangées [uvw] d'un réseau cristallin 2D et 3D

Indices caractéristiques d'une famille de rangées :

Une des rangées de la famille considérée passe nécessairement par le n÷ud choisi

comme origine : 0, 0, 0. Sur cette rangée, on considère le premier n÷ud à partir de

l'origine. Il est repéré par la translation Tuvw et donc par ses coordonnées u, v, w.

Toutefois, cette translation Tuvw est caractéristique de toute la famille de rangées

puisqu'elle donne la direction de toutes les rangées de la famille et la période de la

répartition des n÷uds sur les rangées. Dans un réseau donné, la connaissance de u,

v, w est donc susante pour distinguer une famille de rangées de toutes les autres

familles.

Conventionnellement on désigne une famille de rangées par les trois entiers u, v,

w disposés entre crochets [u, v, w] et appelés indices de la famille de rangées. Ces

indices u, v, w sont les coordonnées du premier noeud à partir de l'origine et se

→
− →
− −
trouvant sur la rangée de la famille passant par l'origine du repère a, b, →
c. On

parle alors de la famille de rangées [u, v, w].

Quelques exemples simples de rangées cristallines sont représentés (Fig. 7) : les ran-

→
− →
− →
−c ,
gées correspondant aux directions données par les vecteurs a, b et à savoir les

rangées [100], [010] et [001], ainsi que les rangées [110] et [111].

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Fig. 7  Exemples d'indices des principales familles de rangées.

I.1.5 Plans réticulaires et indices de Miller

La position et l'orientation d'un plan réticulaire sont déterminées par trois points

quelconques de ce plan. En analyses des structures, il est plus utile de dénir le plan

par les indices déterminés par les règles suivantes (se référer à l'exemple de la Fig.

8)

→
− →
−
1. Trouver les coordonnées des intersections du plan avec les trois axes a , b et
→
−c (ces axes peuvent être primitifs ou non primitifs), soient x, y et z.
1 1 1
2. Calculer les inverses , et
x y z
3. Se ramener à trois entiers, habituellement les plus petits possibles, dans le

même rapport entre eux que ces inverses. Le résultat est placé entre paren-

thèses : (hkl ) sont les indices du plan.

Si l'une des intersections est rejetée à l'inni, l'indice correspondant est nul. Si un plan

coupe la partie négative d'un axe, l'indice correspondant est négatif, le signe moins
est placé au dessus de l'indice. Les indices (hkl ) peuvent désigner un seul plan ou
une famille de plans parallèles et équidistants. Les familles de plans équivalents par

symétrie peuvent être désignées par des accolades autour des indices : {hkl }

Remarque :
Dans le but de rendre explicite l'indexation des plans équivalents dans le système

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Fig. 8  Ce plan coupe les axes ~a, ~b et ~c en 3~a, 2~b et 2~c. Les inverses de ces nombres
1 1 1
sont , et . Les trois plus petits entiers de même rapport sont 2, 3 et 3, donc les
3 2 2
indices du plan sont (233)

Fig. 9  Exemples de plans réticulaires et leurs indices de Miller correspondants

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Fig. 10  En notation à trois indices,

la famille (100) devient la famille

(010) puis la famille (1̄10) dans les

rotations autour de l'axe 3 ou 6 ; en

notation à quatre indices, la famille

(101̄0) devient la famille (011̄0) puis

la famille (1̄100) dans les rotations

autour de l'axe 3 ou 6.

hexagonal, on introduit un quatrième indice i, combinaison linéaire des indices h

et k et tel que i = −(h + k), an que ce soient des permutations simples des indices

qui distinguent des familles de plans équivalentes dans les rotations autour de l'axe

3 ou 6. Une famille de plans se note (hkil) (indices de Miller-Bravais) et les familles

de plans équivalentes dans les rotations autour de l'axe 3 ou 6 s'obtiennent alors par

permutation des trois premiers indices h, k et i (Fig. 10).

I.2 Réseau réciproque

I.2.1 Dénition
→
− →
− →
−c
Soit a, b et les vecteurs fondamentaux de la maille du réseau direct. On dénit

→
− ∗ →
−∗ −∗
une maille, de vecteurs a , b ,→
c , du réseau réciproque par :
→
− → →
−
→
− ∗ b ∧ −c →
−∗ →
−c ∧ →
−
a →
− ∗
→
−
a ∧ b
a = 2π ; b = 2π ; c = 2π
V V V
− −b ∧ →
→
→ −c

où V = a . : volume de la maille du réseau direct. Ainsi, les vecteurs de

−∗ →
→
base du réseau réciproque a , b
−∗ →
− ∗ et les vecteurs de base du réseau direct
et c

satisfont les relations suivantes :

→
−∗ →
  

 →
−
a .→
∗ −
a =2π 
 b .−a =0 
 →
−
c .→
∗ −
a =0
  
→
− →
− →− →
−
  ∗ 
→
− ∗
a . b =0 b . b =2π →
− ∗
c . b =0
 →−∗ →
  
 →−
a .→
∗ −
b .−  →
−
c .→
∗ −

 
 

c =0 c =0 c =2π
→
− ∗ →
−∗ −∗
Le réseau réciproque de points bâtis à l'aide de cette maille ( a , b ,→
c ) dénit

l'espace réciproque qui est l'espace dual de l'espace direct. Par ailleurs, l'ensemble de

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→
−
tous les points, ou n÷uds, du réseau réciproque sont dénies par les vecteurs G hkl
donnés par la relation :
→
− →
−∗ −∗
G hkl =h→
−
a +k b +l→
∗
c

Fig. 11  Représentation d'un réseau réciproque

I.2.2 Propriétés
→
− →
−∗ −∗
G hkl = h→
−a + k b + l→
∗ Q
On considère la rangée réciproque c et le plan du réseau
x y z
direct (hkl ) d'équation : h. + k. + l. = 1 (premier plan de la famille (hkl ) qui
a b c
Q a b
ne passe pas par l'origine. coupe les axes directs en A ( , 0, 0), B (0, , 0) et C
c h k
(0, 0, ).
l −−→ −−→ Q
Les vecteurs AB et BC appartiennent à . On fait le produit scalaire du vecteur
−−→ →
− →
− −−→  → −∗ →
−∗ −∗ . →
→
 − ∗
b /k − →−

∗
AB et du vecteur G hkl : G hkl .AB = h a + k b + l c a /h = 0
→
− −−→
de même G hkl .BC = 0. La rangée réciproque [hkl ]* est normale aux plans directs
(hkl ). Soit d la distance entre deux plans de la famille (hkl ). C'est la projection du
−−→ −−→ −−→
vecteur OA (ou OB ou OC ) sur la normale aux plans.

→
− →
−∗
 
→
−  →
− ∗ →
− ∗
−−→ G hkl a ha +k b +c c  1
d = OA. →
− = . →
− = →
−
G hkl h G hkl G hkl
→
− →
→
− →
− ∗ b ∧ −c
Soit : d. G hkl =1 (sans le coecient 2π c-à-d a = )
V

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Fig. 12

A toute famille hkl de plans du réseau direct correspond, dans le réseau

réciproque, la rangée [hkl ]* qui lui est orthogonale
De même à toute famille {hkl} * de plans du réseau réciproque correspond la rangée

directe [hkl ] qui lui est orthogonale. Le réseau réciproque du réseau réciproque
est le réseau direct.
Pour les mailles simples, la maille réciproque est de même nature que la maille

[Link] contre on peut montrer en utilisant les mailles simples que la maille

réciproque d'une maille à faces centrées est une maille centrée et vice-versa.

I.2.3 Construction de réseau réciproque

I.2.3.1 Réseau cristallin linéaire

→
− 2π
Le vecteur fondamental du réseau réciproque est a∗ tel que : k→
−
a ∗k = →
−
, où a est
a

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Fig. 13  Représentation

du réseau réciproque du ré-

seau linéaire, ainsi que sa

première zone de Brillouin.

le vecteur fondamental du réseau direct.

I.2.3.2 Réseau cristallin carré

Fig. 14  Représentation des réseau direct et réciproque du réseau carré, ainsi que

sa première zone de Brillouin.

I.2.3.3 Réseau cristallin simple (P)

→
−→ − → −
Soit i, j , k base des coordonnées cartésiennes. Les vecteurs fondamentaux du

− →
→ −
réseau direct sont a , b et
→
−c (Fig. 15), tels que :

→
− →
− →
− →
− −c = a→
→ −
a =ai b =aj k

Le volume
→
− →
→
− −

V = a . b ∧ c = a3

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Fig. 15  Représentation de la maille élémentaire du mode cristallin P

De la dénition de réseau réciproque, on a :

→
− →
→
− ∗ b ∧−c 2π →
− →
− ∗ 2π →
− →
− ∗ 2π →
−
a =2π = i b = j c = k
V a a a
Le réseau réciproque du réseau mode P est aussi un réseau mode P

re 2π re
La 1 zone de Brillouin est le cube d'arête centré sur l'origine. En eet, la 1
a
zone de Brillouin est formée par l'espace compris entre les 6 plans perpendiculaires
→
−∗ →
−∗ →
−∗
a b c
aux vecteurs ∓ ,∓ et ∓ .
2 2 2

I.2.3.4 Réseau cristallin cubique centré (I)

Les vecteurs fondamentaux du réseau cubique centé (g 16) sont :

→
− a →
− →− → − →
− a → − → − → − →
− a →− → − → −
a 1= i + j −k a 2= − i + j +k a 3= i − j +k
2 2 2
→
− → − → −
où a est le côté du cube conventionnel et ( i , j , k )les vecteurs unitaires orthogonaux

parallèles aux arêtes du cube. Le volume de la maille élémentaire est

V= →
−
a 1. →
−
a2∧→
−
a 3 =a3 /2

Les vecteurs fondamentaux du réseau réciproque sont dénis par :

→
−
a2∧→
−a 3 2π →
− →
−
→
− ∗ →
− ∗ 2π →
− →− →
− ∗ 2π →
− →−
a 1 =2π = (i+j) a2 = ( j +k) a3 = ( i +k)
V a a a
Le réseau réciproque du réseau cubique centré est un réseau cubique à faces
2π
centrées de coté et de vecteurs fondamentaux
a

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Fig. 16  Vecteur fondamentaux du réseau cubique centré.

→
−
a2∧→
−a 3 2π →
− →
−
→
− ∗ →
− ∗ 2π →− → − →
− ∗ 2π → − → −
a 1 =2π = (i+j) a2 = ( j +k) a 3 = ( i + k ).
V a a a
→
− − ∗ →
→ − ∗ → − ∗
Soit hkl des entiers et un vecteur de réseau réciproque G hkl =h a 1 +k a 2 +l a 3 .

La zone de Brillouin est le plus petit volume limité par les plans médiateurs des plus
→
−
petits G hkl

Les vecteurs les plus petits sont alors les 12 vecteurs suivant :

2π  →
− → −


 ± i ± j soit 4 vecteurs



 a




2π  →
− → −

± j ±k soit 4 vecteurs


 a




 2π ±→

  − → −
i ±k soit 4 vecteurs

a

Dans ce cas, il s'agit d'une forme géométrique régulière à 12 faces : un dodécaèdre

régulier (Fig. 16).

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Fig. 17  Première zone de Brillouin du réseau cubique centré. Elle forme un dodé-

caèdre rhombique régulier.

Les vecteurs qui joignent l'origine aux centres des faces sont

π →
− → −
 

 ±i±j soit 4 vecteurs
a








  →− → −
π
± j ±k soit 4 vecteurs

 a




π →
− → −




 ± i ±k soit 4 vecteurs
a

I.2.3.5 Réseau cristallin cubique à faces centrées (F)

Les vecteurs fondamentaux de la maille élémentaire du réseau cfc représenté sur Fig.

18 sont :

→
− a →
− → − →
− a →
− → − →
− a →
− → −
a 1= ( i + j ) a 2= ( j + k ) a 3= ( i + k )
2 2 2
Le volume de la maille élémentaire est :

V= →
−
a 1. →
−
a2∧→
−
a 3 =a3 /4

Les vecteurs fondamentaux du réseau réciproque du réseau cubique faces centrées

sont :

→
− ∗ 2π − 2π →
− →− → − ∗ 2π
 →
− → − → − ∗ 2π →
− →− → −
a1 = → a 2 ∧→
−
a 3= i + j −k →
−
a2 = − i + j +k →
−
a3 = i − j +k
V a a a

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Fig. 18  Vecteur fondamentaux du réseau cubique à faces centrées.

Ce sont les vecteurs fondamentaux du réseau cc, donc le réseau réciproque du réseau

cfc est le réseau cc. Le volume de la maille élémentaire du réseau réciproque :

 3
∗ →
− ∗ →
− ∗ →
− ∗
2π
V = a 1 . a 2 ∧ a 3 =4
a

→
− 2π  →
− → − → −
Les plus petits G hkl sont les huit vecteurs : ± i ± j ±k
a
Les limites de la zone de Brillouin est déterminée par les huit plans médiateurs des

huit vecteurs ci-dessus (g. 19).

I.3 Structures

I.3.1 Matériau amorphe

Lorsqu'un liquide est refroidi brutalement, les atomes ou molécules qui le constituent

n'ont pas le temps de prendre leur position d'équilibre et le solide qui se forme est

alors désordonné. Cet état solide est dit amorphe ou vitreux.

Les solides amorphes ont des propriétés diérentes de celles des solides cristallisés :

1. Leur masse volumique est plus faible,

2. Ils ont des propriétés isotropes, identiques dans toutes les directions de l'espace,

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Fig. 19  Zones de Brillouin du réseau cubique à faces centrées. Les mailles tracées

ici appartiennent à l'espace réciproque et le réseau réciproque est cubique centré.

3. Leurs diractogrammes de poudre ne montrent pas de raies nes comme dans

les cristaux, du fait du désordre des atomes,

4. Ils ne présentent pas de fusion franche, ils se ramollissent avec l'élévation de la

température : c'est la fusion pâteuse,

5. La fracture d'une substance amorphe présente de larges surfaces lisses avec de

faibles courbes, on l'appelle fracture conchoïdale.

I.3.2 Cristal parfait

I.3.2.1 Structure cristalline

Lorsqu'on met l'accent sur la diérence entre l'ensemble des points constituant le

réseau de Bravais et un cristal physique réel incarnant ce réseau, le terme technique

de structure cristalline est utilisé. Une structure cristalline est constituée de copies

identiques de la même unité physique, appelée motif, située sur tous les points du

réseau de Bravais (ou, de manière équivalente, translatée par tous les vecteurs d'un

réseau de Bravais).

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I.3.2.2 Caractérisation d'une structure cristalline

(a) Compacité (taux ou densité de remplissage) :

On appelle compacité ou densité de remplissage C d'une structure le rapport du

volume réellement occupé, par les constituants élémentaires, au volume total

de la maille :
V olumeoccupe
C=
V olumemaille
Dans le cas où les n÷uds sont occupés par des atomes ou des ions identiques

assimilables à des sphères dures de rayon R, C est dénie par :

4
N πR3
C= 3
Vmaille

Où N est la population ou la multiplicité de la maille i.e. le nombre de motifs.

(b) Coordinence
La coordinence (ou coordinance) d'un atome est le nombre d'atomes voisins
les plus proches dans les trois directions de l'espace. Elle s'appelle aussi le

nombre de coordination ou l'indice de coordination.

(c) Masse volumique

C'est le rapport de la masse des constituants élémentaires d'une maille par son

volume.
m NMmotif
ρ= =
V maille NA Vmaille
Où NA le nombre d'Avogadro, Mmotif la masse molaire du motif et N la

multiplicité de la maille

(d) Sites interstitiels

Dans un cristal, des motifs (atomes, ions ou molécules) sont situés aux n÷uds

d'un réseau. L'espace entre ces motifs est appelé sites interstitiels.

I.3.2.3 Empilement compact de sphères en contact

Le tétraèdre de base

Les constituants élémentaires sont assimilés à des sphères de rayon r.

Disposition selon une rangée, puis en plans (dits réticulaires) :

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Une sphère du plan B peut être soit à la verticale de g1 , soit à la verticale de g2

(mais pas aux deux en même temps).

Quatre sphères en contact (3 du plan A, une du plan B) forment un tétraèdre régulier.

A, B, C, D sont les centres des sphères ; AB = 2r : côté du tétraèdre.g1 : centre de

gravité de ( A, B, C) .

G : centre de gravité de ( A, B, C, D) (C'est aussi le barycentre de (g1 ,3), (D,1) ,

−−→ −→ −→ 3 −−→
donc 3Gg1 +GD= 0 , soit GD= Dg1 ).
4

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h : hauteur de ( A, B, C) ; H = Dg1 : hauteur du tétraèdre. On a :

√ √
h2 + AI 2 = 4r2 h2 ⇔ h = 4r2 − r2 = r 3
2 2r
g1 est la barycentre de (I ,2), (C,1) . Donc Cg1 = Bg1 = Ag1 = h = √
3 3
 2
2 2 2 2r
Ag1 D est rectangle en g1 . Donc Ag1 + Dg1 = AD Soit √ +H2 = 4r2 ,
r 3
2
donc H = 2r
3
r
3 3
Ainsi, AG = BG = CG = DG = H=r = 1.255 r > r
4 2
On a donc la possibilité d'insérer une sphère en G de rayon ≤ 0, 225r . On appelle

cet endroit un site tétraédrique.

(A) Empilement ABAB et ABCABC.

On a deux cas possibles :

Le plan C se superpose sur A ; on a un emplacement AB - AB

Le plan C ne se superpose ni sur A ni sur B ; on a un emplacement ABC -

ABC .

(i) Réseau hexagonal complet

Maille : prisme droit à base losangique

3 losanges forment un hexagone.

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Motif : deux constituants élémentaires : 1 dans A, 1 dans B.

V olume = Slosange × hauteur du prisme

= h × 2r × 2H
√
r
2
= r 3 × 2r × 4r
3
√
= r3 8 2

1 1
N = 4× +4× +1×1 = 2 (les points qui forment la plus petite
12 6
diagonale sont sur 6 mailles, ceux qui forment la grande sur 12)

Coordinence= 3 + 3 + 6 = 12 (3 : ceux du plan B au dessus et en dessous ;

6 : les autres qui forment l'hexagone).

4 4
N × πr3 2 × πr3
Compacité : C= 3 = √ 3 = 0.74 = 74%
Vmaille 8 2 × r3
(ii) Réseau cubique à faces centrées L'empilement ABC-ABC donne un ré-

seau cubique faces centrées

√
On a un contact suivant la petite diagonale du cubea 2 = d = 4r ⇒ a =
√
2r 2.

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Motif : 4 atomes

Coordinence = 12
4 4
N × πr3 4 × πr3 16π π
Compacité C= 3 = 3 = √ = √ = 0.74 =
Vmaille a 3
3×8×2 2 3 2
74%

(B) Sites tétraédriques et octaédriques dans le réseau cubique faces cen-

trées

(i) Sites tétraédriques

Chaque tétraèdre de base dénit un site tétraédrique de dimension

r !
3
rsiteT = − 1 r = 0.255r
2

Les sites tétraédriques sont localisés au centre des huit cubes de coté a/2

qui forment la maille :

Ainsi, le réseau formé par les sites tétraédriques du réseau cubique faces

centrées est un réseau cubique simple de coté a/2 .

Nombre de sites tétraédriques appartenant en propre à une maille :

N = 8 = 2× (taille du motif de la maille).

(ii) Sites octaédriques

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Site octaédrique :

√ √ 
BE = 2r 2 = r + 2rsiteO + r ⇒ rsiteO = 2 − 1 r = 0.414r

Localisation : au centre du cube et sur les arêtes.

Nombre de sites octaédriques appartenant en propre à une maille :

1
1 × 1 + 12 × = 4 = 1× (taille du motif de la maille)
4
Les sites octaédriques dénissent un réseau cubique faces centrées trans-

laté par rapport au premier.

I.3.2.4 Structures usuelles

Structure du diamant
Le réseau du diamant (formé par les atomes de carbone dans un cristal de diamant)

est constitué de deux réseaux de Bravais cubiques à faces centrées qui s'interpé-

nètrent. L'un des réseaux est décalé le long de la diagonale de la maille cubique

de l'autre d'un quart de la longueur de cette diagonale. Elle peut être considérée

comme un réseau cubique à faces centrées avec le motif à deux atomes (0,0,0) et

(a/4,a/4,a/4) . Le nombre de coordination est 4 (Fig. 20). Les liaisons avec les plus

proches voisins ont été indiquées. Les quatre plus proches voisins de chaque point

forment les n÷uds d'un tétraèdre régulier.

Structure hexagonale compacte

La structure hexagonale compacte se présente de la manière suivante : au sein d'une

maille hexagonale, composée de six sous-prismes droits dont la base est un triangle

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Fig. 20  Structure cristalline du diamant montrant les liaisons tétraédriques.

équilatéral, trois atomes occupent le centre de trois sous-prismes séparés d'un sous-

prisme "vide. On peut voir aussi cette structure comme deux structures hexagonales

simples décalées d'un vecteur [1/2 1/3 1/2]. De manière rigoureuse, la structure

hexagonale compacte est une structure hexagonale primaire dont le motif est composé

de deux atomes ; c'est donc en fait une structure di-atomique (Fig. 21). Une maille

hexagonale élémentaire se décompose en deux prisme à base triangulaire, Entre deux

plans parfaitement superposés, dits plans A, on peut donc placer un plan B (cas de

l'hexagonal compact, alternance A/B/A/B...), ou bien deux plans décalés B et C

(cas du cubique centré, alternance A/B/C/A/B/C...).

Bien que n'étant pas un réseau de Bravais, la structure hexagonale compacte (hc) se

situe au même rang, dans l'ordre d'importance, que les réseaux de Bravais cubique

centré et cubique à faces centrées ; pas mal d'éléments cristallisent dans la forme

hexagonale compacte (Be, Mg, Cd, Ce, . . .).

Structure du chlorure de sodium

Le chlorure de sodium (g. 22) est constitué d'un nombre égal d'ions sodium et d'ions

chlorure placés alternativement sur les points d'un réseau cubique simple, de telle

sorte que chaque ion possède six ions de l'autre espèce pour plus proches voisins.

Cette structure peut être décrite par un réseau de Bravais cubique à faces centrées

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Fig. 21  Structure hexagonale compacte : vision habituelle (a), structures hexago-

nales primaires imbriquées (b), décomposition en réseau/motif (c).

avec un motif constitué par un ion sodium en 0,0,0 et un ion chlorure au centre de
a − →
la maille cubique conventionnelle, i.e. en ( )(→
x +−
y +→
−
z ).
2
Structure du chlorure de césium
De manière similaire, le chlorure de césium (Fig. 23) est constitué d'un nombre

égal d'ions de césium et d'ions chlorure, disposés aux points d'un réseau cubique

centré de telle sorte que chaque ion possède huit ions de l'autre espèce pour plus

proches voisins. La symétrie de translation de cette structure est celle du réseau de

Bravais cubique simple, et elle est décrite par un réseau cubique simple avec un motif

constitué par un ion de césium à l'origine O (0,0,0) et un ion chlorure au centre

a − →
du cube en ( )(→
x +−
y +→
−
z)
2
Structure de la blende
La blende (sulfure de zinc) possède un nombre égal d'ions de zinc et d'ions sulfure

distribués sur le réseau du diamant de telle sorte que chacun possède quatre ions de

l'autre type pour plus proches voisins (Fig. 24). Cette structure est un exemple de

réseau à motif qui doit être ainsi décrit, d'une part en raison de la position géomé-

trique des ions et d'autre part car deux types d'ions entrent en jeu. Les coordonnées
11 1 1 11
des atomes de Zn sont 000 ; 0 ; 0 ; 0; les coordonnées des atomes de S sont
22 2 2 22

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Fig. 22  Structure du chlorure de sodium. Les boules noires et blanches forment

des réseaux cfc qui s'interpénètrent.

Fig. 23  Structure de chlorure de Césium

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111 133 313 331

; ; ; . Le réseau est cfc avec quatre molécules de ZnS par maille
444 444 444 444
conventionnelle.

Fig. 24  Structure cristalline du sulfure de zinc cubique.

I.3.3 Quasi-cristaux
Un cristal parfait est obtenu en pavant entièrement l'espace à l'aide de parallélé-

pipèdes juxtaposés. Ces pavés constituent une gure qui se répète périodiquement,

sans vide et sans superposition comme des carrés, des triangles isocèles équilatéraux

ou des rectangles. En 1979, le mathématicien R. Penrose a montré qu'il est possible

de paver de manière apériodique une surface au moyen de deux losanges d'angles

π 2π
au sommet et . En 1984, ce résultat mathématique a trouvé une application
5 5
en physique des matériaux lorsque furent fabriqués des structures cristallines d'un

alliage de manganèse aluminium possédant un pavage à trois dimensions non pério-

dique appelées les quasi-cristaux.

I.3.4 Cristaux réels

Le cristal parfait n'existe pas réellement. Les cristaux réels comportent diérents

types de défauts qui représentent tous un surcroît d'énergie interne du cristal par

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π 2π
Fig. 25  Pavage de Penrose avec deux losanges d'angles au sommet et
5 5

rapport à un cristal parfait, du fait que les atomes du cristal ne sont jamais xes sur

leurs sites cristallins. Ils sont animés de mouvement d'oscillations dont l'amplitude

varie avec la température, et donc un écart par rapport à la stabilité maximale.

On rappelle qu'un cristal est illimité. Un monocristal est déni comme étant une

portion du cristal.

Deux types de défauts existent dans les monocristaux (de composition chimique, de

structure), on se limite ici aux défauts de structure

I.3.4.1 Défauts de structure

I.[Link] Défauts ponctuels Ces derniers ont un rôle important dans la techno-

logie des semiconducteurs par exemple. En eet, ils interviennent dans le phénomène

de diusion des atomes étrangers dans le cristal. Selon Frenkel, un atome peut quit-

ter son site (à partir d'une certaine valeur de l'énergie) sous l'eet de la température

et se loger en position interstitielle. La place vide est alors appelée lacune (Fig. 26) :

C'est un défaut de Frenkel.

Quand la température baisse, les atomes reprennent leurs places initiales. Les la-

cunes peuvent aussi apparaître suite à une migration des atomes vers la surface par

exemple : On parle alors de défauts de Schottky sans se loger en interstice (Fig. 27).

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Fig. 26  Schéma de défaut Frenkel d'un réseau carré

Fig. 27  Schéma de défauts Schottky d'un réseau carré.

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I.[Link] Défauts non ponctuels

A Joint de grains est, par dénition, la surface qui sépare deux monocristaux

d'orientations diérentes dans un agrégat polycristallin (Fig. 28). En réalité,

c'est plutot une région assez désorganisée, de largeur non negligeable (de l'ordre

de 2 a 3 distances interatomiques). Elle joue le role de barrière au mouvement

des dislocations et peut en emettre dans certaines conditions. Les joints de

grains sont des pieges a dislocation mais ce sont aussi des sources de disloca-

tions.

Fig. 28  Représentation schématique de joints de grains.

B Dislocations : ce sont des défauts linéaires qui, bien que probablement ab-

sents des cristaux idéaux à l'équilibre thermodynamique, sont presque invaria-

blement présents dans n'importe quel échantillon réel. Elles mettent en jeu des

glissements, le long de plans, à la manière des feuilles d'une rame de papier

glissant les unes sur les autres. Les premières données expérimentales sur les

dislocations furent obtenues à la n des années 50 grâce au développement de

la microscopie électronique.

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Fig. 29  Représentation schématique de dislocations coin et vis.

I.3.5 Alliages

Alliage, produit métallique obtenu par incorporation d'un ou plusieurs éléments à un

métal. Les alliages à deux composants sont dits binaires, ceux qui contiennent trois
composants sont appelés alliages ternaires. Comme les métaux purs, les alliages
ont un éclat métallique et sont des conducteurs de chaleur et d'électricité. Des

composés qui contiennent un métal et des produits non métalliques sont également

appelés alliages.

I.3.5.1 Alliages de substitution

Ils correspondent au mélange de deux métaux possédant la même structure à l'état

pur. Ils sont observés lorsque leur rayons atomiques sont proches (à moins de 15%)

et leurs électronégativités voisines. C'est le cas de l'alliage or/cuivre CuAu qui peut

exister sous deux formes, une forme désordonnée (occupation aléatoire des noeuds

par les deux atomes) dont la maille est cubique (a = 384pm), une forme ordonnée

(Fig. 30) dans laquelle la maille est quadratique (a = 398pm, c = 372pm).

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Fig. 30  Représentation schématique d'alliage (de substitution) Au-Cu : (a) hc 2D,

(b) cfc

I.3.5.2 Alliages d'insertion

Ils apparaissent lorsqu'un des atomes est nettement plus petit que l'autre. Celui-

ci peut se loger dans un site du réseau-hôte sans entraîner une déformation trop

importante. Les alliages d'insertion les plus fréquents sont issus d'un arrangement de

type cubique à faces centrées pour le réseau-hôte, les atomes d'insertion sont disposés

dans les sites octaédriques de cette structure. Par exemple le carbure de tungstène

est un alliage très résistant utilisé pour les outils de coupe mécanique.

Fig. 31  Schéma 2D d'un alliage d'insertion (l'acier : les petits atomes de carbone

(1% de l'alliage) sont insérés entre ceux du fer, plus gros (99 %)).

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Chapitre II

Détermination des structures

cristallines

II.1 Principe de détermination des structures

Pour sonder la structure microscopique d'un solide à l'aide d'une onde électroma-

gnétique, il faut que sa longueur λ d'onde soit du même ordre de grandeur que la

distance interatomique di , ce qui correspond à une énergie :

Ei = hc/di ≈ 12.3 KeV

II.2 Faisceaux incidents

II.2.1 Neutrons
Vu ses caractéristiques (charge nulle, masse, spin) le neutron possède, d'une part

des propriétés uniques (pouvoir de pénétration, interaction magnétique), et d'autre

part, des propriétés que l'on ne trouve réunies dans aucun autre rayonnement sonde

(localiser des atomes légers au milieu d'atomes lourds, mettre en évidence des cor-

rélations spéciques entre certains atomes dans un liquide ou caractériser des amas

dans un alliage).

A partir de la relation de Louis de Broglie λ = h/p, où λ est la longueur d'onde

37
Pr. B. BOUGHAZI Cours de Physique des Matériaux - SMP5

émise par une particule de quantité de mouvement P et sachant que l'énergie En du

neutron de masse Mn est :

p2
En =
2Mn
alors
0.28
λn = p Å
En (eV )
Pour En = 0.08 eV → λn = 1Å

II.2.2 Electrons
La diraction des électrons est une technique utilisée pour l'étude de la matière, elle

consiste à bombarder d'électrons un échantillon et à observer la gure de dirac-

tion résultante. Ce phénomène se produit en raison de la dualité onde-particule, qui

fait qu'une particule matérielle (dans le cas de l'électron incident) peut être décrite

comme une onde. Dans ce cas, la longueur d'onde émise par un électron d'impulsion

P et d'énergie Ee est donnée par :

12.3
λe = p Å
Ee (eV )
Contrairement aux neutrons, les électrons sont des particules chargées qui inter-

agissent avec la matière par la force de Coulomb. Ceci signie que les électrons

incidents ressentent à la fois l'inuence des noyaux atomiques, positivement chargés,

et celle des électrons environnants. Par conséquent, on les utilise surtout pour l'étude

des surfaces et des couches nes des solides (ils pénètrent relativement peu dans le

cristal).

II.2.3 Rayons X (RX)

La diraction des rayons X est basée sur l'interaction d'un faisceau monochromatique

de rayons X avec les atomes d'un matériau solide cristallisé. Les plans cristallogra-

phiques dans lesquels sont répartis les atomes ont, dans des conditions particulières,

la capacité à `rééchir le rayonnement X (photon) d'énergie E = hc/λ, soit :

hc 12.4 12.4
λ= = 10−7 m = Å
E E (eV ) E (keV )

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Ces diérentes diractions sont complémentaires : la diraction des rayons X permet

de localiser les atomes lourds, tandis que la diraction des neutrons est utilisée pour

déterminer la position des atomes légers et pour distinguer les atomes de masse

voisine. Dans ce qui suit on se limitera à la diraction des rayons X.

II.3 Détermination de la structure cristalline par les

RX

II.3.1 Rappel
La diraction par les Rayons X (RX) présente certaines analogies avec la dirac-

tion par un réseau, phénomène vu en physique ondulatoire. C'est pour cette raison

uniquement que nous faisons ce rappel d'optique ondulatoire.

Un réseau de diraction est un dispositif optique composé d'une série de fentes

parallèles (réseau en transmission), ou de rayures rééchissantes (réseau en réexion).

Ces traits sont espacés de manière régulière, et l'espacement est appelé le  pas  du

réseau.

Supposons que les fentes du réseau sont minces et que l'écran est placé susamment

loin du réseau pour que nous puissions faire l'hypothèse que les rayons issus des

fentes et aboutissant en un point P de l'écran sont parallèles.

Considérons que les ondelettes émises des fentes sont en phases lorsqu'elles sont

émises du réseau (principe de Huygens), pour arriver au point P situé sur l'écran à

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un angle θ, chaque ondelette sera en retard (ou en avance) sur sa voisine d'un angle
d sin θ
2π . Une interférence constructive se produira sur l'écran si ce déphasage est
λ
un multiple entier de 2π , c.à.d.

d sin θ = nλ n = 0, 1, 2, 3, . . .

II.3.2 Caractéristiques des RX

16 20
Les fréquences des RX sont comprises entre 10 Hz et 10 Hz. Les longueurs d'ondes

−8 −12
sont de l'ordre de 10 à 10 m, et les énergies des photons X sont comprises entre

5 −19
40 et 4x10 eV (1 eV correspond à 1,6x10 J, c'est l'énergie d'un photon dans

l'infra-rouge). Ces énergies sont de l'ordre de grandeur des énergies de liaison des

électrons des couches internes des atomes (de l'ordre du keV).

II.3.3 Production des RX

Les rayons X (RX) sont des ondes électromagnétiques produites dans des tubes

à rayons X, également appelés tubes de Coolidge ou tubes à cathode chaude. Le

principe est le suivant : des électrons émis par une cathode (un lament, le plus

◦
souvent en tungstène, chaué à 2000 C par le passage d'un courant électrique),

eet thermoïonique, sont accélérés par une diérence de potentiel élevée (de 10 à

150 kV) en direction d'une cible constituée d'une anode métallique (Mo, Cu, Fr,. . .)

appelée, pour des raisons historiques, anticathode (Fig. 1).

Une faible portion, 1% environ de l'énergie cinétique cédée par les électrons est rayon-

née sous forme de rayons X, les 99 % restants sont convertis en énergie thermique.

II.3.4 Mécanisme de la production des rayons X

L'étude spectrale du rayonnement X émis montre qu'il est formé de la superposition

d'un spectre continu et d'un spectre de raies.

Ces deux composantes correspondent à deux mécanismes d'émission bien distincts :

◦ Interaction (freinage) des électrons accélérés avec les noyaux de la cible ( spectre
continu ou spectre de Bremsstrahlung) ;
◦ Ionisation des couches profondes des atomes de la cible ( spectre de raies)

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Fig. 1  Tube à rayons X

Fig. 2  Spectre du rayonnement X

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II.3.4.1 Spectre continu

L'électron incident arrive sur la cible, il s'approche du noyau d'un atome et se trouve

attiré par sa charge positive. L'électron est donc dévié et ralenti. La perte d'énergie

engendrée, énergie de freinage, est dégagée sous forme d'un photon X ou de chaleur

si l'énergie est faible. L'électron continue sa course sur une autre trajectoire ayant été

déviée par le freinage, jusqu'à l'atome suivant où il produira un autre photon X. Ce

processus de diusion peut continu jusqu'à ce que l'électron soit- presque immobilisé.

Chacun des photons générés par ces collisions forme une partie du spectre continu

(entre 0 et l'énergie maximum) de rayons X.

Fig. 3

On voit bien qu'il existe une longueur d'onde seuil bien dénie λ0 sous laquelle

le spectre continu n'existe pas. Cette longueur d'onde minimale correspond à une

unique collision frontale avec un atome cible, collision dans laquelle un électron

incident perd toute son énergie cinétique initiale E0 . Pratiquement toute l'énergie

de l'électron est transférée d'un photon unique, dont la longueur d'onde associé (la

plus petite longueur d'onde possible du rayon X) est déterminée par :

E0 =hv=hc/λ0 ⇒ λ0 =hc/E0

Sachant que E0 =eU (en joule) =U (eV), avec e la charge de l'électron en coulomb

et U haute-tension (HT) en volts)

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En remplaçant l'expression de E0 dans l'expression de λ0 , on obtient :

λ0 (Å) =12400/U(V)

Remarques :
 La longueur d'onde de seuil est totalement indépendante du matériau de la

cible, et ne dépend que de d.d.p d'accélération des électrons U ;

 Souvent le photon est très peu ralenti. Le photon a une énergie faible (infé-

rieure à eV) et correspond à de la chaleur : Le tube à rayon X à donc un très

faible rendement (Rendement approximatif : keV x Z x 10−6 (Z = 74 pour le

tungstène) Inférieur à 1% à 100 keV).

Fig. 4  Spectre du rayonnement de freinage par un tube alimenté sous 135 keV

II.3.4.2 Spectre de raies caractéristiques

L'électron incident expulse un électron atomique. Il se produit alors un réarrangement

électronique, un électron d'une couche supérieure, voir un électron libre, prenant sa

place. Durant ce réarrangement un photon X d'énergie caractéristique de la transition

est émis. Souvent le réarrangement se fait avec plusieurs électrons, plusieurs raies X

sont donc émises.

Les raies émises ont une appellation lettre latinelettre greque :

~ Lettre latine : couche d'arrivée de l'électron (K L M N...) ;

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Fig. 5

~ Lettre grecque : numérotation relative de la couche de provenance de l'électron

(α, β et γ la couche immédiatement supérieure, 2 et 3 couches au dessus,

respectivement).

Fig. 6

Exemple : atome de tungstène (W)

Couche K : 69 keV

Couche L : 11 kev

Couche M : 1 keV

Autres couches : énergie négligeable

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Fluorescence K :

 Energie max : Kγ = 69 keV (réarrangement électron externe à couche K) ;

 Energie min : Kα = 58 keV (réarrangement électron couche L à couche K).

Fluorescence L :

 Energie max : Lγ = 11 keV (réarrangement électron externe à couche L) ;

 Energie min : Lα = 10 keV (réarrangement électron couche M à couche L)

Fig. 7  Le spectre total du tungstène (spectre continu + raies caractéristiques)

II.3.4.3 Eet de la tension sur le spectre

La haute tension détermine l'énergie de chaque photon. Une diminution de la tension

déplace le spectre vers les basses énergies, c'est à dire vers la gauche pour un spectre

en énergie ou fréquence et vers la droite pour un spectre en longueur d'onde (Fig.

8). La tension a donc un eet qualitatif sur le faisceau des RXs.

II.3.4.4 Eet de l'intensité sur le spectre

L'intensité électrique qui traverse le tube détermine l'amplitude du spectre. Une

diminution de l'intensité aplatit le spectre, une augmentation surélève le spectre.

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Fig. 8  Eet de la tension sur le spectre du W.

L'intensité qui traverse le tube modie l'intensité du faisceau X sans modier sa

qualité. L'intensité a donc un eet quantitatif sur le faisceau des RXs.

Fig. 9  Eet de l'intensité sur le spectre (l'intensité en rouge et le double de celle

en bleu).

II.3.5 Interaction des RX avec la matière

En fonction de l'énergie du photon incident on peut distinguer plusieurs types d'in-

teractions des rayons X avec la matière.

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II.3.5.1 Absorption des RX

Lorsqu'un faisceau de rayons X d'intensité I0 traverse une très ne couche d'épaisseur
x l'intensité du faisceau résultant diminue, l'intensité résultante est donnée par :

I=I0 exp (−µx) (Relation d0 absorption ou d0 attnuation)

Où :

◦ x représente l'épaisseur du matériau traversé en (cm) ;

−3
◦ µ représente le coecient d'absorption massique du matériau ([Link] ) ;

◦ I0 représente l'intensité du faisceau incident.

Le coecient d'absorption augmente avec la longueur d'onde. Ainsi, les radiations

ayant des courtes longueurs d'onde sont dicilement absorbées et elles s'appellent

radiations dures ou pénétrantes.

La croissance de µ avec λ n'est pas continue, mais elle présente des discontinuités

qui apparaissent pour certaines longueurs d'onde (g. 10). An d'avoir un rayonne-

ment presque monochromatique, on isole la raie Kα et la raie Kβ , en utilisant des

ltres fabriqués à partir d'un matériau dont la discontinuité d'absorption se situe

précisément entre la raie Kα et la raie Kβ de l'anticathode.

Fig. 10  Représentation schématique de l'évolution du coecient d'absorption avec

la longueur d'onde et principe de production d'un rayonnement monochromatique.

L'absorption (atténuation) des rayons X dépend de :

◦ L'eet Compton prédominant aux fortes énergies (> 110 keV) ;

◦ L'eet photoélectrique prédominant aux faibles énergies (< 50 keV).

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II.3.5.2 Eet Compton

Ce phénomène est observé lorsqu'un photon incident, qui se comporte comme une

particule possédant une quantité de mouvement, entre en collision avec un électron

libre (ou, de manière plus correcte, avec un électron faiblement lié) d'un atome. Au

cours de ce processus, l'électron est éjecté de l'atome, qui est donc ionisé tandis qu'un

photon est diusé.

Fig. 11

Coecient d'absorption Compton µC

µC est donné par :
kρ
µC =
E3
Où :

◦ k constante ;

◦ ρ densité de matière ;

◦ E énergie du photon.

Le coecient du à eet compton µC dépend essentiellement de la densité de la ma-

tière et de l'énergie des photons, et pratiquement indépendant du numéro atomique

Z.

II.3.5.3 Eet photoélectrique

L'eet photoélectrique est l'émission d'électrons par un métal soumis à l'action d'un

rayonnement électromagnétique. Les photons X peuvent agir sur les couches électro-

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niques profondes des atomes en les faisant passer de l'état fondamental a un état

excité par éjection d'un électron qui s'appelle photoélectron. L'énergie du photon

incident est transférée à l'électron qui est éjecté de sa couche ; une partie de cette

énergie est utilisée pour extraire l'électron interne (énergie d'extraction W) et l'autre

quantité est communiquée à l'électron sous forme d'énergie cinétique de l'électron

éjecté.

Notons que l'eet photoélectrique ne peut avoir lieu que si l'énergie du photon in-

cident est supérieure à l'énergie d'extraction de l'électron. L'énergie cinétique du

photoélectron est nalement transférée au milieu lors d'ionisations ultérieures. Le

retour de l'atome à l'état fondamental s'accompagne d'une émission d'énergie sous

forme d'un photon de uorescence ou d'un électron Auger

Fig. 12  Emission de photon de uorescence ou électron Auger suite à un eet

photoélectrique.

Coecient d'absorption photoélectrique µp :

µp est donné par :
kρZ 3
µp =
E3
Où :

• k constante ;

• ρ densité de matière ;

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• Z numéro atomique ;

• E énergie du photon.

Le coecient d'absorption photoélectrique µp augmente en fonction de la densité et

la puissance 3 du numéro atomique Z, et diminue en fonction de la puissance 3 de

l'énergie E du photon => De faible variation de Z modie beaucoup le coecient

d'atténuation surtout à basse énergie.

II.3.6 Diraction des Rayons X (RX)

Le phénomène de diraction RX trouve son origine dans le fait que lorsqu'un RX

rencontre les électrons d'un atome, ils entrent en oscillations (on en parlera en détails

dans le chapitre suivant), et l'atome peut être considéré comme le centre d'une

onde sphérique dont l'intensité est proportionnelle au nombre d'électrons de l'atome.

Dans le cas d'un matériau, chaque atome émis sa propre onde sphérique, ces ondes

sphériques vont interférer entre elles de manière constructive ou destructive

II.3.6.1 Loi de Bragg

Lors de la diraction RX, il ya absorption d'une partie de l'énergie et excitation

des atomes avec émissions de radiations dans les toutes les directions. Si l'on calcule

les directions dans lesquelles on a du signal, les ondes rééchies (RX diusés élasti-

quement) soient en phase au moment où elles atteignent le détecteur, on s'aperçoit

que l'on obtient une loi très simple : si l'on trace des plans imaginaires parallèles

passant par les atomes, et si l'on appelle d la distance entre ces plans (distance inter-

réticulaire), alors les interférences entre les rayons 1 et 2 sont constructrices si leur

diérence de marche, 2d sinθ , est égal à un nombre entier fois la longueur d'onde λ
du RX, soit :

2 d sinθ=n λ avecn = 1, 2, 3, . . . Loi de Bragg

Remarque : Les RX ne sont pas réfractés : nous n'avons pas introduit d'indice de

réfraction.

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Fig. 13

II.3.6.2 Condition de Laue

La condition de Laue ou condition de von Laue est, en physique du solide, et

plus précisément en théorie de la diraction sur un cristal, une équation donnant

une condition nécessaire et susante pour qu'une onde incidente soit diractée par

un réseau cristallin.
→
− →
−
En notant ki et kd les vecteurs d'onde des faisceaux incident et diusé respective-

ment, la condition de Laue peut être exprimée simplement de la façon suivante :

→
− →
− →
−
K = kd− ki

→
−
Pour K , un vecteur reliant deux n÷uds du réseau réciproque. Autrement dit, il
→
− →
− →
−∗
K soit un vecteur du réseau réciproque : K = h→ −a + k b + l→−c ∗
∗
faut que

C'est ce qu'expriment les conditions de diraction de Laue :

→
− → − →
→ − →
− →
K .−
a =h K. b = k K .−c = l

II.3.6.3 Equivalence des formulations de Bragg et von Laue

L'équivalence de deux critères d'obtention d'une interférence constructive de rayons

X par un cristal découle de la relation entre les vecteurs du réseau réciproque et les

familles des plans du réseau direct.

→
− →
−
Supposons que les vecteurs d'onde incident et diusé, k i et k d , satisfont à la condi-

tion de Laue :

→
− →
− →
−
. K (hkl) = k d − k i

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→
−
. K (hkl) est perpendiculaire au plan (hkl )
→
− →
−
. k d = k i = 2π/λ
→
− →
−
. les vecteurs d'onde k d et k i font le même angle θ avec le plan (hkl ).

D'où la construction

Fig. 14

De plus
2πn
K (hkl) = (condition de Laue) (∗)
d

2π
K (hkl) = [Link]θ = 2. .sinθ (∗∗)
λ
(*) et (**) → 2 d sinθ=n λ qui est la condition de Bragg

II.3.6.4 Construction d'Ewald

La construction d'Ewald permet de déterminer graphiquement les conditions de

diraction des familles de plans réticulaires d'un monocristal à partir des n÷uds du

réseau réciproque. Pour ce faire, plaçons un monocristal dans un faisceau RX de

longueur d'onde λ, dessinons ensuite le réseau réciproque centré sur le cristal avec

→
− ∗ →
−∗ −∗
ses vecteurs de base a , b et →
c . Construisons maintenant une sphère centrée sur

le cristal de rayon 1/λ, cette sphère est appelée sphère d'Ewald. Translatons donc

le réseau réciproque le long du faisceau X, jusqu'à placer son origine à la surface de

la sphère. Enn, plaçons deux écrans sensibles aux RXs, l'un dans l'axe du faisceau

incident avec une ouverture qui laisse passer le faisceau direct, et l'autre sur le coté.

Lorsqu'on fait tourner le cristal, le réseau réciproque tourne à son tour : le cristal

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diracte lorsque et uniquement lorsque les n÷uds du réseau réciproque

sont à la surface de la sphère d'Ewald

Fig. 15

II.3.6.5 Notion de la zone de Brillouin

→
− →
− →
− →
−∗ →
− →
− →
−∗
Reprenons la condition de diraction 4 k = k d − k i = R <=> k d = k i + R
en enlevant la relation au carré, on obtient :

→
− ∗2 →
− → −∗ →
− ∗2 →
− → −∗
kd2 = ki2 + R + 2 k i . R <=> R = 2 k i. R
→
−∗
où kd = ki = 2π/λ et −R est 1 Vecteur du réseau réciproque

En divisant sur 4 on obtient

→
− ∗ !2 →
−∗
R →
− R
= k i.
2 2

D'où le vecteur d'onde incident doit avoir une extrémité qui s'appuie sur un des plans

médiateurs construits entre l'origine et les diérents n÷uds du réseau réciproque. La

famille des plans médiateurs des diérents vecteurs du réseau réciproque présente une

importance particulière dans la théorie de propagation des ondes dans les cristaux,

car une onde dont le vecteur d'onde tracé à partir de l'origine a son extrémité sur

l'un de ces plans, satisfait aux conditions de diraction.

Le plus petit volume ainsi déni entourant l'origine est appelé première zone de

Brillouin. Une zone de Brillouin est l'équivalente de la maille élémentaire du réseau

réciproque.

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II.3.7 Les méthodes de résolution

II.3.7.1 Méthode de Laue

Un procédé de radiocristallographie qui consiste à recueillir le cliché de dirac-

tion d'un faisceau polychromatique de rayons X ou de neutrons par un mono-

cristal xe. Le cristal diracte seulement les ondes pour lesquelles la loi de Bragg est
vériée. Cette méthode, la plus ancienne des méthodes de diraction, est probable-

ment la mieux adaptée pour déterminer l'orientation d'un spécimen monocristallin

dont la structure est connue.

Fig. 16

II.3.7.2 Méthode du cristal tournant

On introduit un monocristal de petite taille (environ 1cm de longueur) au centre

d'une chambre photographique cylindrique. On place ce cristal le long d'une mire de

telle sorte qu'une arête du cristal soit parallèle à cette mire et on le fait tourner sur

lui même autour de cet axe avec une vitesse de l'ordre d'un tour par minute.

Un faisceau monochromatique étroit de rayons X parallèles, de longueur d'onde λ

connue, irradie le cristal perpendiculairement à l'axe de rotation et donc à l'arête. Ce

faisceau sera diracté par le cristal chaque fois qu'une famille de plans réticulaires,

d'équidistance d, se présentera sous l'incidence de Bragg.

Les rayons diractés sont enregistrés sur un lm photographique disposé sur les pa-

rois intérieures de la chambre photographique cylindrique. Avec un cristal immobile,

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l'apparition d'un faisceau diracté serait fortuite. En faisant tourner le cristal, on

explore successivement toutes les orientations favorables à une diraction.

Fig. 17

II.3.7.3 Méthode de poudre (ou de Debye-Scherrer)

On xe une poudre, tout petits cristaux de l'entité chimique dits cristallites, sur

une lame de microscope, et on opère la diraction en introduisant cette lame dans

la chambre d'un générateur de rayons X. La poudre, étalée sur une lame de verre

qui tourne d'un mouvement uniforme autour d'un axe situé dans son plan, permet-

tant ainsi d'augmenter le nombre d'orientations possibles des plans réticulaires, est

bombardée par un faisceau de rayons X monochromatiques et parallèles de longueur

d'onde connue. Les particules étant orientées au hasard, il y aura toujours une famille

de plans donnant lieu à la diraction, de telle sorte que l'on obtiendra simultané-

ment tous les faisceaux susceptibles de diracter : ces faisceaux forment des cônes

de diraction, de demi-angle au sommet 2θ , avec un lm plan déposé circulairement

aux alentours de l'échantillon créera des anneaux circulaires centrés sur les orices

d'entrée et de sortie du faisceau incident. Chaque anneau représente une distance

réticulaire à laquelle est associé un pic sur le diaractogramme.

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Fig. 18  Représentation de l'intérieur de la chambre de Debye-Scherrer

Les méthodes citées dessus permettent de calculer les distances réticulaires. L'iden-

tication des échantillons se fait manuellement en indexant les pics ou automatique-

ment en utilisant des logiciels d'identication et des banques de données de références

( ICSD : Inorganic Crystal Structure Database, FIZ : Fach Informations Zentrum

, NIST : National Institute of Standards and Technology ou ASTM : American
Society for Testing Materials). Les diérentes distances réticulaires des milliers de

minéraux naturels ou articiels sont disponibles sous forme de ches, de recueils de

ches ou sur CD-Rom.

II.3.8 Facteur de structure

Le facteur de structure Fhkl , appelé facteur de structure de la base ou motif, est

déni par :
j=n
X
Fhkl = fj exp [−2iπ (hxj + kyj + lzj )]
j=1

n : nombre d'atomes de la base/motif ;

fj : appelé facteur de forme atomique qui dépend de la structure électronique de

l'atome considéré et dont les valeurs se trouvent dans les tables internationales de

diraction des rayons X ;

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xj , y j et zj : les coordonnées de l'atome j dans la maille ;

h, k, l : les indices de Miller du plan considéré ;

Notons que Fhkl est un nombre complexe, l'amplitude qui est réelle dépend du module
de Fhkl .
On appelle extinctions systématiques les valeurs hkl qui annulent le facteur de struc-
ture Fhkl . Elles renseignent sur le mode d'un réseau P, I, C ou F.

B Réseau cubique centré (cc) : La maille cubique comprend 2 n÷uds, le

sommet et le centre du cube : 0,0,0 et 1/2,1/2,1/2. Ce réseau est aussi un

réseau simple où tous les atomes jouent le même rôle car ils ont un entourage

identique. Le facteur de structure est donné par :

Fhkl = f + f [−iπ (h + k + l)]

On en tire Fhkl = 2f quand h + k + l est pair, alors que Fhkl = 0 quand h + k + l

est impair.

Exemple : Le sodium a une structure cc. Son diagramme de diraction des

rayons X contient des raies comme (200)ou (110) . . .mais pas de raies (100) ou

(221).

B Réseau cubique à faces centrées (cfc) :

La maille cubique d'arête a comprend 4 n÷uds, le sommet et les centres de

chaque face du cube : 0,0,0 et 0,1/2,1/2 ; 1/2,0,1/2 ; 1/2, 1/2,0 :

Fhkl = f {1 + exp [−iπ (k + l)] + exp [−iπ (h + l)] + exp [−iπ (h + k)]}

Si tous les indices sont des entiers pairs Fhkl = 4f ; il en est de même si tous

les indices sont des entiers impairs. Mais si l'un seulement des entiers est pair,

deux des exposants seront des multiples impairs de −iπ et Fhkl va s'annuler.

De même si un seul des indices est impair, le même raisonnement permet de

dire que Fhkl s'annulera également. Donc dans un réseau cfc aucune réexion

ne peut provenir de plans dont les indices sont en partie pairs et en partie

impairs. C'est le cas de KCl et KBr qui ont tous deux un réseau cfc. Leurs

spectres de rayons X ne contiennent que des raies provenant de plans ayant

tous les indices de Miller, soit pairs, soit impairs

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