TD d’électromagnétisme 2ème Année
Série N°1 : Magnétostatique dans le vide
Exercice 1
1- On considère la courbe (ABCD) parcourue par un courant d’intensité I (voir figure 1.1). Déterminer le champ
magnétostatique crée au centre O par (ABCD). On donne =/3.
2- Calculer le champ magnétostatique crée au point O par un système composé par deux demi-droites infinies et un
demi cercle de rayon a (voir figure 1.2). L’ensemble est parcouru par un courant continu I.
Indication / Réponse :
Exercice 2
1- Déterminer l’expression du champ magnétique crée en un point M
de l’axe (OZ) d’une spire circulaire de centre O et de rayon R (voir
figure 2.1), parcourue par un courant I, en fonction de I, R et α.
2- On considère un solénoïde de longueur L comportant au total N spires jointives ayant le même rayon R,
régulièrement réparties.
a- Déterminer le champ magnétique crée en un point de l’axe du solénoïde en fonction des angles α1 et α2
sous lesquels du point considéré on voit les faces terminales du solénoïde (voir figure 2.2).
b- Examiner le cas d’un solénoïde infiniment long.
3- Déterminer le champ magnétique en tout point de l’espace, crée par un solénoïde infiniment long
parcouru par un courant I. On note n le nombre de spires par unité de longueur. (Appliquer le théorème
d’ampère).
Indication / Réponse :
Exercice 3
On considère un câble coaxial infini cylindrique de rayons R1, R2, R3
(R1< R2< R3). Le courant continu I passe dans un sens dans le
conducteur intérieur (de rayon R1) et revient dans l’autre sens par le
conducteur externe (d’épaisseur R3-R2).
1-Calculer le champ magnétique en tout point de l’espace.
2- Représenter B(r), r étant la distance du point considéré à l’axe du
cylindre.
Indication / Réponse :
Exercice 4
On considère une distribution constituée par deux demi-droites dont leurs point d’intersection est O et
formant entre eux un angle égal à 2. L’ensemble est parcouru par un courant continu I (voir figure 4.1).
1- Calculer le champ, en un point M, crée par un segment [AB] parcouru par un courant stationnaire I (voir
figure 4.2).
2- Déduire le champ global crée par les deux demi-droites en M avec (b=OM).
3- Vérifier le champ crée par un fil infini.
Indication / Réponse :
Exercice 5
Déterminer et représenter le champ magnétique crée par une nappe de courant, modélisée par un plan infini
(xoy) parcouru par un courant de densité surfacique uniforme (On peut choisir Js suivant x).
Indication / Réponse :
Exercice 6
On considère un solénoïde, de forme torique (voir figure 6.1), de section
circulaire, d’axe (Oz), contenant N spires jointives, régulièrement espacées et
parcourues par un courant d’intensité I. Le plan (Oxy) est un plan médiateur du
tore. On utilise les coordonnées cylindriques d’axe (Oz).
1- Prouver que le champ en un point M de l’espace est ortho-radial.
2- Prouver que le champ en un point M de l’espace ne dépend pas de .
3- On considère comme contour d’Ampère le cercle passant par M centré sur (Oz) et contenu dans un plan
orthogonal à (Oz).
a- Exprimer, en justifiant le calcul, la circulation du champ magnétique le long du contour d’Ampère.
b- Donner l’expression du champ à l’intérieur du solénoïde.
c- Déterminer le champ en dehors du solénoïde.
Indication / Réponse :
Exercice 7
On considère un disque conducteur de rayon a, de centre O, et uniformément chargé en surface ( étant la
densité surfacique de charge). Le disque est animé d’un mouvement de rotation uniforme à la vitesse ,
autour de son axe (Oz) (axe passant par O et orthogonal au plan du disque). On se propose de calculer de
→
deux façons différentes le champ magnétique 𝐵, crée en un point M situé sur l’axe (Oz). Le point M est
repéré par l’angle ( étant l’angle formé entre (MO) et (MQ) où Q est un point quelconque situé sur le
bord du disque).
1- Justifier qualitativement l’existence de ce champ.
2- On donne :
𝑥 𝑠𝑖𝑛3 𝑢 1 → 𝜇0 𝐼 →
∫0 𝑑𝑢 = 𝑐𝑜𝑠 𝑥 + 𝑐𝑜𝑠 𝑥 − 2 pour 0<x< π/2 et 𝑏= 𝑠𝑖𝑛𝛼 3 𝑒𝑧 le champ magnétique créé sur
𝑐𝑜𝑠2 𝑢 2𝑅
l’axe
d’une spire circulaire de rayon R en un point repéré par l’angle .
2-1- Donner en fonction de , , r et dr, l’expression du courant circulant dans une tranche circulaire
du disque, de rayon r et d’épaisseur dr.
2-2- Déterminer l’expression du champ crée au point M, par la tranche définie en a). On doit mettre
→
le résultat sous la forme f()d 𝑒𝑧 où est l’angle qui repère la position du M par rapport à la
tranche (0<<).
→
2-3- En déduire l’expression de 𝐵.
→
3- On veut maintenant effectuer un calcul direct de𝐵.
→
3-1- Rappeler l’expression du champ magnétique élémentaire 𝑑𝐵 crée au point M, par un élément de
→
courant 𝑗𝑠 𝑑𝑆 centré en un point P du disque.
→
3-2- Le point P étant repéré par ces coordonnées polaires r et , exprimer la composante de 𝑑𝐵
→ →
suivant 𝑒𝑧 . On doit mettre le résultat sous la forme g()dd 𝑒𝑧 où est l’angle formé entre (MO)
et (MP) (0<< et 0<<2).
→
3-3- Retrouver alors l’expression de𝐵. Conclure.
Indication / Réponse :
Exercice 8 :
1-Une sphère creuse de rayon R, portant une densité surfacique uniforme de charges électriques tourne
autour de son axe (Oz) avec une vitesse angulaire uniforme.
4
sin d = 3 ).
3
Calculer le champ magnétique au centre de la sphère (on donne :
0
2- Reprendre le calcul pour une sphère pleine uniformément chargée en volume avec une densité ρ.
Indication / Réponse :
Corrigé de l’exercice 1 :
1- Champ créé par la partie (AB) :
Le champ élémentaire créé par un élément de longueur ⃗⃗⃗
𝑑𝑙 définit en P est :
𝜇0 𝐼 ⃗⃗⃗⃗ ∧ 𝑃𝑂
𝑑𝑙 ⃗⃗⃗⃗⃗ 𝜇0 𝐼 2𝑅𝑑𝜃𝑒𝜃 ∧(−2𝑅𝑒𝑟 ) 𝜇0 𝐼 𝑑𝜃
⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵 (𝑂) = 4𝜋 = = 𝑒𝑧
𝑃𝑂 3 4𝜋 (2𝑅)3 8𝜋 𝑅
Donc le champ créé par la partie (AB) du conducteur est :
𝜋
𝜇0 𝐼 𝜇 𝐼 P
⃗ 𝐴𝐵 (𝑂) =
𝐵 0
∫ 3 𝑑𝜃 𝑒𝑧 =24𝑅 𝑒𝑧
8𝜋𝑅 0
- Champ créé par la partie (CD) :
On adopte la même démarche comme précédemment en
⃗⃗⃗ a changé de sens et en remplaçant 2R par R.
remarquant que 𝑑𝑙
𝜇 𝐼
⃗ 𝐶𝐷 (𝑂) = − 0 𝑒𝑧
On obtient alors : 𝐵 12𝑅
- Champ créé par la partie (BC) et (DA) :
Ce champ est nul car dans ce cas ⃗⃗⃗
𝑑𝑙 et ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑃𝑂 sont colinéaires.
Le champ total est alors égal à la somme des contributions précédentes, soit :
⃗ (𝑂) = − 𝜇0𝐼 𝑒𝑧
𝐵 24𝑅
2-D’après la loi de Biot et Savart, le champ élémentaire créé en O par l’élément de longueur ⃗⃗⃗
𝑑𝑙 est :
⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑙∧ ⃗⃗⃗⃗⃗
⃗ (𝑂) = 𝜇0𝐼
𝑑𝐵
𝑃𝑂
4𝜋 𝑃𝑂 3
Or sur les parties rectilignes on a ⃗⃗⃗
𝑑𝑙 et ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑃𝑂 sont colinéaires, leurs
contributions sont alors nulles.
𝜇0 𝐼 ⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑙∧ 𝑃𝑂 𝜇0 𝐼 𝑅𝑑𝜃𝑒𝜃 ∧(−𝑅𝑒𝑟 )
⃗ (𝑂) =
Sur le demi-cercle on a : 𝑑𝐵 = = P
4𝜋 𝑃𝑂 3 4𝜋 𝑅3
𝜇0 𝐼
𝑑𝜃𝑒𝑧
4𝜋𝑅
𝜇0 𝐼 𝜋
Donc : ⃗ (𝑂) =
𝐵 ∫ 𝑑𝜃 𝑒𝑧
4𝜋𝑅 0
𝜇0 𝐼
⃗ (𝑂) =
Soit : 𝐵 𝑒𝑧
4𝑅
Corrigé exercice 2 :
⃗⃗⃗⃗⃗ = 𝜇0𝐼 ⃗⃗⃗⃗
1- Champ créé par une spire :𝑑𝐵
𝑑𝑙∧𝑃𝑀⃗⃗⃗⃗⃗⃗
4𝜋 𝑃𝑀3
⃗⃗⃗ = 𝑅𝑑𝜃𝑒⃗⃗⃗⃗𝜃 et 𝑃𝑀
𝑑𝑙 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = 𝑃𝑂
⃗⃗⃗⃗⃗ + 𝑂𝑀
⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = − 𝑅𝑒⃗⃗⃗𝑟 + 𝑧𝑒⃗⃗⃗𝑧
⃗⃗⃗ ∧ 𝑃𝑀
𝑑𝑙 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = 𝑅𝑑𝜃(−𝑅𝑒⃗⃗⃗⃗𝜃 ∧ ⃗⃗⃗ 𝑒𝑧 ) = 𝑅 2 𝑑𝜃𝑒⃗⃗⃗𝑧 + 𝑧𝑒⃗⃗⃗𝑟
𝑒𝑟 + 𝑧𝑒⃗⃗⃗⃗𝜃 ∧ ⃗⃗⃗
𝑅 𝑅 3
sin 𝛼 = ⟹ (𝑃𝑀)3 = ( )
𝑃𝑀 sin 𝛼
𝜇0 𝐼 sin 𝛼 3 2 𝜇0 𝐼 sin 𝛼 3
⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵 = ( ( ) 𝑅 𝑑𝜃) ⃗⃗⃗
𝑒𝑧 + ( ( ) 𝑧) ⃗⃗⃗
𝑒𝑟
4𝜋 𝑅 4𝜋 𝑅
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗𝑧 + ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
= 𝑑𝐵 𝑑𝐵𝑟
On sait que tous les plans qui passent par (OZ) sont des plans d’antisymétrie donc le champ en un point
M∈(OZ) est porté par leur intersection = (OZ) c.à.d⃗⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) ⫽ ⃗⃗⃗
𝑒𝑧
Donc ⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = ∫ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵𝑧 (𝑐𝑎𝑟 ∫ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵𝑟 = ⃗0)
2𝜋
𝜇0 𝐼 sin3 𝛼 𝜇0 𝐼
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗𝑧 =
𝑑𝐵 𝑑𝜃𝑒⃗⃗⃗𝑧 ⟹ ⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = sin3 𝛼 ∫ 𝑑𝜃𝑒⃗⃗⃗𝑧
4𝜋𝑅 4𝜋𝑅 0
𝝁𝟎 𝑰
Donc ⃗⃗⃗𝑩(𝑴) = 𝟐𝑹 𝐬𝐢𝐧𝟑 𝜶 ⃗⃗⃗⃗
𝒆𝒛
2-a) Champ créé par un solénoïde :
𝑁
On considère un tranche de spires d’épaisseur dz. Cette tranche contient 𝐿 𝑑𝑧 = 𝑛𝑑𝑧 𝑠𝑝𝑖𝑟𝑒𝑠
𝜇 (𝑛𝑑𝑧𝐼)
D’après la question (1) le champ créé par cette tranche est : ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵 = 0 2𝑅 sin3 𝛼 ⃗⃗⃗
𝑒𝑧
𝑅 𝑅 𝑅
On a tan 𝛼 = 𝑧 ⟹ 𝑧𝑀 − 𝑧 = tan 𝛼 ⟹ 𝑧 = 𝑧𝑀 − tan 𝛼
𝑀 −𝑧
𝑅
𝑑𝑧 cos2 𝛼 𝑅
Donc =0+ = sin2 𝛼
𝑑𝛼 tan2 𝛼
𝑅
Donc dz = sin2 𝛼 d 𝛼
𝜇0 𝑛𝐼 𝑅 𝜇0 𝑛𝐼
c.à.d ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵 = 2𝑅 sin3 𝛼 𝑑𝛼⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧 = sin 𝛼 𝑑𝛼 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
sin2 𝛼 2
𝛼 𝜇0 𝑛𝐼 𝜇0 𝑛𝐼 𝛼 𝜇0 𝑛𝐼
⃗⃗⃗⃗⃗ = ∫ 2
donc ⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = ∫ 𝑑𝐵 𝛼
sin 𝛼 𝑑𝛼𝑒⃗⃗⃗𝑧 = 2
∫𝛼1 sin 𝛼 𝑑𝛼𝑒⃗⃗⃗𝑧 = [− cos 𝛼]𝛼𝛼21 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
1 2 2 2
𝝁𝟎 𝒏𝑰
donc ⃗⃗⃗𝑩(𝑴) = (𝐜𝐨𝐬 𝜶𝟏 − 𝐜𝐨𝐬 𝜶𝟐 ) ⃗⃗⃗⃗⃗
𝒆𝒛
𝟐
b) Cas d’un solénoïde infiniment long :
Dans ce cas : 𝛼1 = 0 et 𝛼2 = 𝜋
Donc ⃗⃗⃗𝑩(𝑴) = 𝝁𝟎 𝒏𝑰⃗⃗⃗⃗⃗
𝒆𝒛
3) Champ créé par un solénoïde infini en tout point de l’espace ;
Le plan perpendiculaire à l’axe (OZ) et qui contient le point M est un plan de symétrie donc ⃗⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) ⫽ ⃗⃗⃗
𝑒𝑧
Les invariances de ce système suggèrent la forme suivante : ⃗⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = 𝐵(𝑟)𝑒⃗⃗⃗𝑧 .
⃗ ⃗⃗⃗
On applique la théorie d’Ampère sur le contour (ABCD) : ∮(𝐴𝐵𝐶𝐷) 𝐵 𝑑𝑙 = 𝜇0 𝑖𝑒
A B
D C
⃗ ⃗⃗⃗
∮(𝐴𝐵𝐶𝐷) 𝐵 ⃗ ⃗⃗⃗
𝑑𝑙 = ∫(𝐴𝐵) 𝐵 ⃗ ⃗⃗⃗
𝑑𝑙 + ∫(𝐵𝐶) 𝐵 ⃗ ⃗⃗⃗
𝑑𝑙 + ∫(𝐶𝐷) 𝐵 ⃗ ⃗⃗⃗
𝑑𝑙 + ∫(𝐷𝐴) 𝐵 𝑑𝑙
= ∫(𝐴𝐵)– 𝐵(𝑀)𝑑𝑙 + ∫(𝐶𝐷) 𝜇0 𝑛𝐼 𝑑𝑙
= – 𝐵(𝑀)𝐴𝐵 + 𝜇0 𝑛𝐼 𝐶𝐷 = 𝐴𝐵(𝜇0 𝑛𝐼 – 𝐵(𝑀))
𝜇0 𝑖 𝑒
∮ ⃗ ⃗⃗⃗
𝐵 𝑑𝑙 = 𝜇0 𝑖𝑒 ⟹ 𝜇0 𝑛𝐼 – 𝐵(𝑀) =
(𝐴𝐵𝐶𝐷) 𝐴𝐵
𝜇0 𝑖 𝑒
𝐵(𝑀) = 𝜇0 𝑛𝐼 −
𝐴𝐵
-calcul de 𝑖𝑒 :
Si M à l’extérieur du solénoïde 𝑖𝑒 = 𝑛 𝐴𝐵 𝐼
Donc 𝐵(𝑀) = 𝜇0 𝑛𝐼 − 𝜇0 𝑛𝐼 = 0
Si M est à l’intérieur du solénoïde :𝑖𝑒 = 0
Donc 𝐵(𝑀) = 𝜇0 𝑛𝐼
⃗⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = 𝜇0 𝑛𝐼 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧 𝑠𝑖 𝑀 à 𝑙 ′ 𝑖𝑛𝑡𝑒𝑟𝑖𝑒𝑢𝑟
{
⃗⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = ⃗0 𝑠𝑖 𝑀 à 𝑙′𝑒𝑥𝑡𝑒𝑟𝑖𝑒𝑢𝑟
Corrigé de l’exercice 3 :
1/ Pour cet exercice, on va appliquer le théorème d’Ampère :
Symétrie :
Le plan passant par M et contenant l’axe Oz est un plan de
⃗ est donc
symétrie de la distribution des courants. Le champ 𝐵
orthogonal à ce plan, c’est-à-dire qu’il est orthoradial :
⃗ (𝑀) = 𝐵(𝑟, 𝜃, 𝑧)𝑒𝜃
𝐵
Invariance :
Le problème est invariant par rotation autour de Oz, B ne dépend donc de
Le problème est invariant par translation selon Oz, B ne dépend donc pas de z.
⃗ (𝑀) = 𝐵(𝑟)𝑒𝜃
Conclusion :𝐵
(C) Contour d’Ampère
Dans tous les cas, nous choisissons comme contour d’Ampère(C) un parcours circulaire centré sur l’axe Oz
et passant par M. La circulation du champ d’induction magnétique sur un tel parcours a pour expression :
⃗⃗ = 𝐵(𝑟). 2𝜋𝑟
⃗ . 𝑑𝑙
∮ 𝐵
(𝐶)
L’expression du courant enlacé dépend de la position de M et donc du r.
1er cas : 𝒓 ≤ 𝑹𝟏
𝐼
𝐼𝑒 = 𝑗. 𝜋𝑟 2 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑗 =
𝜋𝑅12
𝐼
Le théorème d’Ampère : ∮(𝐶) ⃗𝐵. ⃗⃗𝑑𝑙 = 𝜇0 𝐼𝑒 donne 𝐵(𝑟). 2𝜋𝑟 = 𝜇0 𝑗. 𝜋𝑟 2 = 𝜇0 𝑅2 𝑟 2
1
𝜇 𝐼
0
Soit : 𝐵(𝑟) = 2𝜋𝑅 2𝑟
1
2eme cas : 𝑹𝟏 ≤ 𝒓 ≤ 𝑹𝟐
𝐼𝑒 = 𝐼
Le théorème d’Ampère : ∮(𝐶) 𝐵
⃗ . ⃗⃗𝑑𝑙 = 𝜇0 𝐼𝑒 donne 𝐵(𝑟). 2𝜋𝑟 = 𝜇0 𝐼
0𝜇 𝐼
Soit : 𝐵(𝑟) = 2𝜋𝑟
3eme cas : 𝑹𝟐 ≤ 𝒓 ≤ 𝑹𝟑
𝐼
𝐼𝑒 = 𝐼 − 𝐽. 𝑆 = 𝐼 − 𝐽. 𝜋(𝑟 2 − 𝑅22 ) et 𝐽 = 𝜋(𝑅2−𝑅2)
3 2
2
𝑟 −𝑅 2 2
𝑅 −𝑟
Le théorème d’Ampère : ∮(𝐶) ⃗𝐵. ⃗⃗𝑑𝑙 = 𝜇0 𝐼𝑒 donne 𝐵(𝑟). 2𝜋𝑟 = 𝜇0 (𝐼 − 𝐼 𝑅2−𝑅22 ) = 𝜇0 𝐼 𝑅23−𝑅2
3 2 3 2
0𝜇 𝐼 𝑅 2 −𝑟
3
Soit : 𝐵(𝑟) = 2𝜋𝑟 𝑅 2 −𝑅 23 2
4eme cas : 𝑹𝟑 ≤ 𝒓
𝐼𝑒 = 𝐼 − 𝐼 = 0
Soit : 𝐵(𝑟) = 0.
2/ Le graphe de B(r)
Corrigé d’exercice 4 :
⃗⃗⃗ définit en un point P sur le segment [AB] repéré par
1- Le champ crée par l’élément 𝐼𝑑𝑙
l’angle 𝛼 peut aisément se mettre sous la forme :
𝜇0 𝐼
⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵 = cos 𝛼 𝑑𝛼 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝜃
4𝜋𝑟
D’où :
𝜇0 𝐼 𝛼2 𝜇0 𝐼
⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = ∫ ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵 = ∫ cos 𝛼 𝑑𝛼 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝜃 = [sin 𝛼]𝛼𝛼21 ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝜃
4𝜋𝑟 𝛼1 4𝜋𝑟
𝜇0 𝐼
⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = (sin 𝛼2 − sin 𝛼1 ) ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝜃
4𝜋𝑟
2-Champ créé par les deux demi- droites
⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = ⃗⃗⃗⃗
𝐵1 + ⃗⃗⃗⃗
𝐵2
r
Vu la position de M (sur la bissectrice) et en appliquant b
La règle du tir bouchon, il est clair que : ⃗⃗⃗⃗
𝐵1 = ⃗⃗⃗⃗
𝐵2
𝜇0 𝐼 𝜋
Avec : ⃗⃗⃗⃗
𝐵1 = 4𝜋𝑟 𝑒𝑧 d’après 1) où
(sin 2 − sin(𝜃) ) ⃗⃗⃗⃗
𝜋
𝜃 = −( − 𝜑)
2
𝜇 𝐼 𝜋 𝜋
Soit : ⃗⃗⃗⃗ 0
𝐵1 = 4𝜋𝑟 (sin 2 + sin( 2 − 𝜑 ) ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
𝜇 𝐼
Ou : ⃗⃗⃗⃗ 0
𝐵1 = 4𝜋𝑟 (1 + cos 𝜑 ) ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
𝜇 𝐼
Donc :⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = 2 ⃗⃗⃗⃗ 0
𝐵1 = 2𝜋𝑟 (1 + cos 𝜑 ) ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
9
𝑜𝑟
𝜑
1 + cos 𝜑 = 2 cos2
{ 2
𝜑 𝜑
𝑟 = 𝑏 sin 𝜑 = 2𝑏 sin cos
2 2
D’où :
𝜇0 𝐼 𝜑
⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = cos 2 ⃗⃗⃗⃗
𝑒
𝜑 𝜑
𝜋(2𝑏 sin 2 cos 2 ) 2 𝑧
𝜇 𝐼 𝜑
Soit finalement : ⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = 2𝜋𝑏
0
tan−1 ( 2 ) ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
Corrigé de l’exercice 5 :
Déterminons le champ créé par une nappe de courant par application du théorème d’Ampère :
Pour faciliter le raisonnement, on considère que le plan infini (Oxy) est perpendiculaire à la
feuille et on représente la nappe de courant comme suit :
A B
z X
M
𝑖𝑒 < 0
E F y
⃗𝒙
𝑱=𝒋𝒆 O
-z
D C
Le plan P = (M, ⃗⃗⃗⃗⃗ 𝑒𝑧 ) est un plan de symétrie de la distribution Donc ⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) ⊥ 𝑃 ⟹
𝑒𝑥 , ⃗⃗⃗⃗
⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = 𝐵(𝑀)⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑦
La distribution est invariante par translation suivant ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑥 𝑒𝑡 ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑦
⟹ ⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = 𝐵(𝑧)⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑦
⃗⃗⃗ = 𝜇0 𝑖𝑒
⃗ 𝑑𝑙
Théorème d’Ampère :∮ 𝐵
On choisit comme contour un rectangle (ABCD) (voir figure) sur (AB) et (CD) ⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) ⫽ ⃗⃗⃗
𝑑𝑙
et sur (AD) et (BC) ⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) ⊥ ⃗⃗⃗
𝑑𝑙
Le plan (OXY)=Nappe est un plan de symétrie de la distribution du courant, donc c’est un
plan d’antisymétrie du champ c’est-à-dire ⃗⃗⃗𝑩(𝑴′) = −𝒔𝒚𝒎⃗⃗⃗𝑩(𝑴)/(𝑶𝑿𝒀)
Donc ⃗⃗⃗𝐵 (𝑀′) = −⃗⃗⃗𝐵 (𝑀)
10
𝐵(−𝑧)⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑦 = −𝐵(𝑧)⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑦
𝐵(−𝑧) = −𝐵(𝑧) ⟹ 𝐵(𝑧) est impaire
𝐵 𝐶 𝐷 𝐴
⃗ ⃗⃗⃗
∮(𝐴𝐵𝐶𝐷) 𝐵 ⃗ ⃗⃗⃗
𝑑𝑙 = ∫𝐴 𝐵 ⃗ ⃗⃗⃗
𝑑𝑙 + ∫𝐵 𝐵 ⃗ ⃗⃗⃗
𝑑𝑙 + ∫𝐶 𝐵 𝑑𝑙 + ∫𝐷 𝐵⃗ ⃗⃗⃗
𝑑𝑙
𝐵 𝐷
=∫𝐴 𝐵(𝑧)𝑒
⃗⃗⃗⃗𝑦 𝑑𝑙 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑦 + ∫𝐶 – 𝐵(𝑧)𝑒⃗⃗⃗⃗𝑦 (− 𝑑𝑙 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑦 )
= 𝐵(𝑧) 𝐴𝐵 + 𝐶𝐷 𝐵(𝑧)= 2 AB 𝐵(𝑧)
Calcul de 𝑖𝑒 : 𝑖𝑒 = + ∫(𝐸𝐹) ⃗⃗𝑗𝑠 𝑑𝑙 𝑛⃗ = − ∫(𝐸𝐹) 𝑗𝑠 ⃗⃗⃗
𝑒𝑥 𝑑𝑙 ⃗⃗⃗
𝑒𝑥 (on choisit 𝑛⃗ = −𝑒⃗⃗⃗𝑥 pour que 𝑖𝑒 < 0)
= -𝑗𝑠 ∫(𝐸𝐹) 𝑑𝑙 = -𝑗𝑠 𝐸𝐹 =-𝑗𝑠 𝐴𝐵
B
Donc ∮(𝐴𝐵𝐶𝐷) 𝐵 ⃗⃗⃗ = 𝜇0 𝑖𝑒 ⟹ 2 𝐵(𝑧) = −𝜇0 𝑗𝑠
⃗ 𝑑𝑙 𝜇0 𝑗𝑠
𝜇0 𝑗𝑠 2
C’est-à-dire 𝐵(𝑧) = − pour z> 0
2
O z
𝜇 𝑗 𝜇0 𝑗𝑠
⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = − 0 𝑠 ⃗⃗⃗⃗⃗𝑒𝑦 𝑠𝑖 z > 0 − 2
{ 2
𝜇 𝑗
⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = 0 𝑠 ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒 𝑠𝑖 z < 0
2 𝑦
Corrigé de l’exercice 6 :
1) Le plan qui passe par M et qui contient l’axe (OZ) est un plan de symétrie de la
distribution. Donc ⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) est perpendiculaire à ce plan c-à-d ⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = 𝐵(𝑀) ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝜃
2) Montrons que ⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) ne dépend pas de 𝜃.
La distribution est invariante par rotation autour de l’axe (OZ) donc 𝐵(𝑀) est indépendant
de 𝜃 d’où ⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = 𝐵(𝑟, 𝑧) ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝜃
3) (C) : Contour d’Ampère est un cercle d’axe (OZ) et qui
passe par M.
a) calculons la circulation du champ sur (C)
⃗ ⃗⃗⃗
∮ 𝐵 𝑑𝑙 = ∮ 𝐵(𝑟, 𝑧)⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝜃 𝑑𝑙⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝜃 = ∮ 𝐵(𝑟, 𝑧) 𝑑𝑙
(𝐶)
= 𝐵(𝑟, 𝑧) ∮(𝐶) 𝑑𝑙 (car r et z sont constants sur (C))
= 2𝜋𝑟 𝐵
b) champ à l’intérieur :
𝑖𝑒 = +𝑁 𝐼 (un cercle à l’intérieur du tore est n fois traversé par I)
⃗⃗⃗ =𝜇0 𝑖𝑒
⃗ 𝑑𝑙
∮𝐵
2𝜋𝑟 𝐵 = 𝜇0 𝑁 𝐼
𝜇0 𝑁 𝐼
c-à-d B = 2𝜋𝑟
11
𝝁𝟎 𝑵 𝑰
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑩𝒊𝒏𝒕 (𝑴) = ⃗⃗⃗⃗⃗
𝒆
𝟐𝝅𝒓 𝜽
c) champ à l’extérieur :
𝑖𝑒 = 0 ⟹ 2𝜋𝑟 𝐵 = 0 𝑐 à 𝑑 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
Bext (M) = ⃗0
Corrigé de l’exercice 7 :
⃗
1) Justifions l’existence du champ 𝐵
𝐷𝑖𝑠𝑞𝑢𝑒 𝑐ℎ𝑎𝑟𝑔é
+ } ⟹ Déplacement de charges ⟹création d’un courant ⟹ champ⃗⃗⃗𝐵
𝑟𝑜𝑡𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛
𝑧
XM
z
𝛼 𝛽
𝑟
𝑂
Tranche d’épaisseur dr
2) 2-1 Expression du courant qui traverse la tranche de la spire :
dI= ⃗⃗𝑗𝑠 𝑑𝑙 𝑛⃗ = 𝑗𝑠 ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝜃 𝑑𝑙⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝜃 avec dl=dr
=𝑗𝑠 𝑑𝑟 = 𝜎 𝑣 𝑑𝑟 = 𝜎 𝑟 𝜔 𝑑𝑟
2-2- champ créé par la tranche de spire d’épaisseur dr (assimilée à une spire parcourue
par dI et rayon r) est :
𝜇0 𝑑𝐼
⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵 = 2𝑟 sin3 𝛼 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
𝜇0 𝑑𝐼 𝜇0 𝜎𝜔
= sin3 𝛼 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧 = 𝑑𝑟 sin3 𝛼 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
2𝑟 2
𝑑𝑟 𝑧
Or 𝑟 = 𝑧 tan 𝛼 ⟹ = cos2 𝛼
𝑑𝛼
𝜇0 𝜎𝜔 𝑧 𝜇0 𝜎𝜔𝑧 sin3 𝛼
Donc ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵 = 𝑑𝛼 sin3 𝛼 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧 = 𝑑𝛼 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
2 cos2 𝛼 2 cos2 𝛼
2-3- Expression de ⃗⃗⃗𝐵
𝜇0 𝜎𝜔𝑧 β sin3 𝛼 𝜇0 𝜎𝜔𝑧 1
⃗⃗⃗𝐵 = ∫ 𝑑𝛼 = (cos β + − 2) ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
2 2
0 cos 𝛼 2 cos β
3-Autre méthode du calcul :
12
𝜇0 ⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑗𝑠 ∧𝑃𝑀
3-1- ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵 = ds
4𝜋𝑃𝑀3
3-2- Expression de ⃗⃗⃗𝐵
On a ⃗⃗𝑗𝑠 = 𝜎𝑣 = 𝜎𝑟𝜔⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝜃
⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = 𝑃𝑂
𝑃𝑀 ⃗⃗⃗⃗⃗ + 𝑂𝑀
⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = −𝑟⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑟 + 𝑧⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
⃗⃗𝑗𝑠 ∧ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑃𝑀 = 𝜎𝑟𝜔⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝜃 ∧ (−𝑟⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑟 + 𝑧⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧 )
= 𝜎𝑟 2 𝜔⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧 + 𝜎𝑟𝜔𝑧⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑟
𝑟
Et ds = r dr d𝜃 et PM = sin 𝛼
𝜇0 𝜎𝑟𝜔
D’où ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵 = 𝑟3
(+𝑟⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧 + 𝑧⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑟 ) r dr d𝜃
4𝜋
sin3 𝛼
Tous les plans qui passent par l’axe (OZ) sont des plans d’antisymétrie donc ⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) =
𝐵(𝑀)⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧 ⟹ On intègre alors seulement la composante suivant 𝑒𝑧 :
𝜇0 𝜎𝑟𝜔
⃗⃗⃗𝐵 (𝑀) = ∫ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵𝑧 = ∬ 𝑟⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧 r dr d𝜃 𝑒𝑧
𝑟3
4𝜋
sin3 𝛼
𝜇0 𝜎𝜔
=∬ sin3 𝛼 𝑑𝑟 d𝜃 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
4𝜋
𝑟 𝑧 𝜇0 𝜎𝜔 𝑧
(tan 𝛼 = 𝑧 ⟹ 𝑑𝑟 = cos2 𝛼 𝑑𝛼) = ∬ sin3 𝛼 cos2 𝛼 𝑑𝛼 d𝜃 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
4𝜋
𝜇0 𝜎𝜔𝑧 β sin3 𝛼 2𝜋
= ∫0 𝑑𝛼 ∫0 d𝜃 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
4𝜋 cos2 𝛼
𝜇0 𝜎𝜔𝑧 1
= ( cos β + cos β − 2)2 𝜋⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
4𝜋
𝜇0 𝜎𝜔𝑧 1
= ( cos β + cos β − 2)⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
2
On retrouve le même résultat
Corrigé de l’exercice 8 :
1) Calcul du champ au centre d’une sphère chargée en surface ;
L’idée de calcul consiste à considérer la sphère comme un empilement de tranches
d’épaisseur Rd assimilées à des spires circulaire parcourues par dI.
z
𝜃
R
𝑂
Tranche circulaire
d’épaisseur 𝑅𝑑𝜃
13
On a dI = ⃗⃗𝑗𝑠 𝑑𝑙 𝑛⃗
=𝑗𝑠 ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝜑 𝑑𝑙⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝜑
= 𝜎𝑅 sin 𝜃 𝜔 dl
= 𝜎𝑅 sin 𝜃 𝜔 𝑅 d𝜃
dI = 𝜎𝑅 2 𝜔 sin 𝜃 d𝜃
Le champ élémentaire crée en O par la tranche de rayon 𝑟 = 𝑅 sin 𝜃 est :
𝜇0 𝑑𝐼 𝜇 𝜎𝑅 𝜔 sin 𝜃 2 d𝜃
⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵 = 2𝑟 sin3 𝜃 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧 = 0 2𝑅 sin 𝜃 sin3 𝜃 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
𝜇0 𝜎𝑅
= 𝜔 sin3 𝜃 d𝜃 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
2
Donc le champ total est :
𝜋 𝜇0 𝜎𝑅
⃗⃗⃗𝐵 (𝑂) = ∫ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵 =∫0 𝜔 sin3 𝜃 d𝜃 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
2
𝜇0 𝜎𝑅 4
= 𝜔3
2
⃗⃗⃗𝑩 = 𝟐 𝝁𝟎 𝝈𝑹 𝝎⃗⃗⃗⃗⃗
𝒆𝒛
𝟑
2) Calcul du champ créé par une sphère chargée en volume :
L’idée de calcul consiste à considérer la sphère pleine comme un empilement de sphères
chargées en surfaces (densité ) d’épaisseur dr .
Tranche
.O
On détermine d’abord la relation entre et : On exprime la charge de la tranche
d’épaisseur dr : On a
𝑑𝑄 = 𝜎𝑆 = 𝜎4𝜋𝑟 2 = 𝜌4𝜋𝑟 2 𝑑𝑟
Et 𝑑𝑄 = 𝜌𝑑𝑉
Avec ;
dV = V(r + dr) - V(r) =dV
4
=d (3 𝜋𝑟 3 ) = 4𝜋𝑟 2 𝑑𝑟
𝐷′ 𝑜ù 𝑑𝑄 = 𝜌4𝜋𝑟 2 𝑑𝑟 = 𝜎4𝜋𝑟 2
14
Donc 𝜎 = 𝜌𝑑𝑟
D’après la question précédente le champ élémentaire crée par la tranche d’épaisseur dr est :
2 2 2
⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐵 = 𝑒𝑧 = 𝜇0 (𝜌𝑑𝑟)𝑟𝜔⃗⃗⃗⃗
𝜇0 𝜎𝑟𝜔⃗⃗⃗⃗ 𝑒𝑧 = 𝜇0 𝜌𝜔 𝑟 𝑑𝑟⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧
3 3 3
Le champ total est alors :
𝑅
2 2 𝑅2
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐵(𝑂) = 𝜇 𝜌𝜔 ∫ r 𝑑𝑟 ⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑧 = 𝜇0 𝜌𝜔 ⃗⃗⃗⃗
𝑒
3 0 0 3 2 𝑧
𝟏
⃗⃗⃗𝑩(𝑶) = 𝝁 𝝆𝝎 𝑹𝟐 ⃗⃗⃗⃗⃗
𝒆𝒛
𝟑 𝟎
15