Université Cadi Ayyad Le 12 juin 2012

Faculté des Sciences Semlalia

Département de Physique

Fillière SMP-S4
2ème Controle, Electronique de base
Durée 1h30

Question de cours (5 points)

C
Le schéma de structure d’un transistor bipolaire PNP, de
paramètres  et  est montré par la figure 1 :

B
P N P

C B E
Figure 2
Figure 1 E

1. Ajouter des sources de tension sur le schéma de la figure 1

pour polariser le transistor en régime actif
2. Ecrire les relations entre IC et IE puis entre IC et IB
3. Quelles sont les significations de et de 
4. Déduire une relation entre  et 
5. Indiquer, sur le schéma de la figure 2, les sens positifs des courants et tensions (3
courants et 3 tensions)

Exercice I (5points)
On veut déterminer le point de fonctionnement du transistor du montage ci-dessous.
On donne :
RB = 100k, RC =1,4k, RE = 460, VCC = 15V, VBE = 0,7V et  =100.

On suppose négligeable le courant IB devant IC et IE (   1      1 )

VCC

RC
RB

RE

1
 1. Ecrire l’équation de la droite d’attaque et donner l’expression du courant IB.
2. Ecrire l’équation de la droite de charge.
3. Déterminer le point de fonctionnement du transistor.

Exercice II (10 points)

On donne le circuit à diodes alimenté par une tension sinusoïdale ve(t). Les deux
diodes sont supposées idéales. VD1 et VD2 sont les tensions aux bornes des deux diodes.
On veut déterminer la caractéristiques de transfert vs = f(ve) et la tension vs(t).

VD1 VD2
) A
ve(t) = Vmsin(t)
D1 R D2 R Vm = 20V
vs(t) E1 = 5V
ve(t) ~ E1 E2 E2 = 3E1=15V

1. 1er cas : la diode D1 est bloquée

a. Donner le schéma équivalent du circuit si la diode D2 est passante.
b. Dans ce cas donner l’expression du courant qui traverse la diode D2
c. Déduire la valeur de la tension vs(t).
d. Est-ce qu on peut avoir D1 bloquée et D2 bloquée ? Justifier.
e. A partir de quelle valeur de ve(t) la diode D1 devient passante.

2. 2ème cas : la diode D1 est passante

a. Donner le schéma équivalent du circuit si la diode D2 est passante.
b. Dans ce cas donner l’expression de vs(t).
c. Pour quelle valeur de ve(t) la diode D2 se bloque.
d. Quelle est alors la valeur de vs(t) si D2 est bloquée?
3. En regroupant les conditions sur les états des diodes, tracer la courbe vs = f(ve).
4. Tracer, sur le même graphe, la tension vs(t) et ve(t) en fonction du temps.

2
Université Cadi Ayyad Le 23 juin 2012
Faculté des Sciences Semlalia
Département de Physique
Fillière SMP/S4
Contrôle de rattrapage, Electronique de base
Durée 1h30

Exercice I
Le schéma de la figure suivante représente un filtre passif.
Z
R A
100
R 
C 3
Ve(t VAB(t) Vs(t) C = 1F
R R
)

1. Schémas équivalents
a. Donner le schéma équivalent du circuit en basses fréquences (   0 ). Quelle est la valeur de
vs(t) ?
b. Donner le schéma équivalent du circuit en hautes fréquences (    ) et exprimer vs(t) en
fonction de ve(t)
c. Déduire la nature du filtre.
2. En utilisant le diviseur de tension, exprimer la tension V s en fonction de V AB et des éléments du
circuit
3. Donner l’expression de l’impédance équivalente Z entre A et B
4. Exprimer la tension V AB en fonction de V e et les éléments du circuit

j
V 1
5. Déduire l’expression du gain G ( j)  s et la mettre sous la forme G ( j)  K
Ve 
1 j
2
6. Donner la valeur de K et les expressions de 1 ,  2 et calculer leurs valeurs
7. On veut, tracer, dans le plan de Bode le gain et l’argument de G(j)
a. Regrouper dans 2 tableaux (un pour le gain en dB et un pour la phase) les pentes des asymptotes
en basses et en hautes fréquences.
b. Tracer, sur papier semilog, les asymptotes de G(j) et les courbes du gain et de la phase
c. Quelle est la nature du filtre et quelle est sa fréquence de coupure ?

Exercice II VCC
On considère le montage de la figure ci-contre, composée de
deux transistor N.P.N Q1 et Q2. Ces 2 transistors sont définis par leur
RB RC
paramètre α1=0,98 et α2=0,99. Par la suite on néglige les courants de
fuites dans les 2 transistors et on admet qu’ils opèrent ensemble en IC
régime actif. IC1
1. Donner les valeurs numériques de 1, 2, IC2, IB2, IC1, IB1 et VCE IC2
On donne : VCC = 24V, IE = 100mA, RC= 120 IB1
2. Déterminer en fonction de α1, α2 et IE ; le courant IC, le gain
I VCE
statique total en courant  T  C et donner les valeurs IB2
I B1
IE
numériques correspondantes.
Nom et prénom………………………………………………………………………...

A remettre avec la copie du contrôle

Université Cadi Ayyad Le 13 juin 2013
Faculté des Sciences Semlalia
Département de Physique

Fillière SMP/S4
ème
2 Contrôle, Electronique de base
Durée 1h30

Questions de cours
1. Définir le dopage d’un semi-conducteur. Quel est l’objectif de sa réalisation?
2. Expliquer la différence entre un semi conducteur extrinsèque type N et un semi conducteur extrinsèque
type P en précisant la nature des porteurs.
3. Donner la définition d'une jonction PN.
4. Comment polarise t-on un transistor bipolaire pour qu’il fonctionne en régime actif?
5. Quel est le rôle de la grille dans un transistor à effet de champ? Comment est polarisée la jonction
Grille-Source ?

Exercice I
Le transistor NPN de la figure ci-dessous fonctionne en régime actif et donc VBE0 = 0,6V. On
suppose  >> 1

VCC

On donne :
RB RC
VCC = 15 V
RB = 200 k
RC = 1 k
RE = 400 
 = 100

RE

1. Donner l’expression de la droite d'attaque

2. Donner l’expression de la droite de charge
3. Calculer les coordonnées du point de fonctionnement : IB0, VBE0, IC0 et VCE0
Exercice II

Les diodes D1 et D2 de la figure suivante sont identiques et possèdent la même caractéristique

idéalisée (tension seuil VΥ = 0,6 V, rd=0Ω). La tension d'entrée est sinusoïdale: ve(t) =Vm.sin(ω.t).

R1
D2 VD2
D1
VD1
ve(t) R2 vS(t)
E
E

On donne : Vm = 15V, E = 5V, R1 = 200  et R2 = 800 .

1. Redessiner le montage en remplaçant ve(t), R1 et R2 par le générateur de Thevenin (vth, Rth)

équivalent. Donner les expressions de vth et Rth.
(Ce générateur de Thevenin est chargé par les diodes et le générateur E).
2. Les diodes D1 et D2 peuvent elles conduire en même temps ? Justifier.
3. Exprimer les tensions VD1 et VD2 en fonction de E, vth, Rth et le courant i(t) qui traverse la résistance
Rth.
4. Quelle relation doit vérifier vth pour que la diode D1 soit bloquée? Déduire alors la valeur de ve(t) à
partir de laquelle D1 se bloque. ( Donner une condition sur ve en utilisant < ou >).
5. Même question que 4 pour la diode D2
6. Pour chacun des cas suivants, donner l'expression de vs(t):
a. D1 passante et D2 bloquée
b. D1 bloquée et D2 passante
c. D1 et D2 toutes les deux bloquées.
7. Tracer la caractéristique de transfert vs = f(ve).
Université Cadi Ayyad Le 12 juin 2012
Faculté des Sciences Semlalia
Département de Physique

Fillière SMP-S4
2ème Controle, Electronique de base
Durée 1h30

Question de cours (5 points)

C
Le schéma de structure d’un transistor bipolaire PNP, de
paramètres  et  est montré par la figure 1 :

B
P N P

C B E
Figure 2
Figure 1 E

1. Ajouter des sources de tension sur le schéma de la figure 1

pour polariser le transistor en régime actif
2. Ecrire les relations entre IC et IE puis entre IC et IB
3. Quelles sont les significations de et de 
4. Déduire une relation entre  et 
5. Indiquer, sur le schéma de la figure 2, les sens positifs des courants et tensions (3
courants et 3 tensions)

Exercice I (5points)
On veut déterminer le point de fonctionnement du transistor du montage ci-dessous.
On donne :
RB = 100k, RC =1,4k, RE = 460, VCC = 15V, VBE = 0,7V et  =100.

On suppose négligeable le courant IB devant IC et IE (   1      1 )

VCC

RC
RB

RE

1
 1. Ecrire l’équation de la droite d’attaque et donner l’expression du courant IB.
2. Ecrire l’équation de la droite de charge.
3. Déterminer le point de fonctionnement du transistor.

Exercice II (10 points)

On donne le circuit à diodes alimenté par une tension sinusoïdale ve(t). Les deux
diodes sont supposées idéales. VD1 et VD2 sont les tensions aux bornes des deux diodes.
On veut déterminer la caractéristiques de transfert vs = f(ve) et la tension vs(t).

VD1 VD2
) A
ve(t) = Vmsin(t)
D1 R D2 R Vm = 20V
vs(t) E1 = 5V
ve(t) ~ E1 E2 E2 = 3E1=15V

1. 1er cas : la diode D1 est bloquée

a. Donner le schéma équivalent du circuit si la diode D2 est passante.
b. Dans ce cas donner l’expression du courant qui traverse la diode D2
c. Déduire la valeur de la tension vs(t).
d. Est-ce qu on peut avoir D1 bloquée et D2 bloquée ? Justifier.
e. A partir de quelle valeur de ve(t) la diode D1 devient passante.

2. 2ème cas : la diode D1 est passante

a. Donner le schéma équivalent du circuit si la diode D2 est passante.
b. Dans ce cas donner l’expression de vs(t).
c. Pour quelle valeur de ve(t) la diode D2 se bloque.
d. Quelle est alors la valeur de vs(t) si D2 est bloquée?
3. En regroupant les conditions sur les états des diodes, tracer la courbe vs = f(ve).
4. Tracer, sur le même graphe, la tension vs(t) et ve(t) en fonction du temps.

2
3
4
Université Cadi Ayyad Le 17 juin 2014
Faculté des Sciences Semlalia
Département de Physique

Fillière SMP/S4
ème
2 Contrôle, Electronique de base: Durée 1h30

Questions de cours (4 pts)

1. Quel est le rôle d’une diode Zener?
2. A quoi sert la résistance RE dans un montage à transistor bipolaire monté en émetteur
commun.
3. Donner le schéma d’un transistor montée en base commune en précisant les entrées et
les sorties (le transistor est considéré comme un quadripôle). Quelles sont les
caractéristiques de ce montage (I=f(V))
4. Quelle est le rôle de la tension VGS dans un transistor à effet de champs?
5. Quel est le sens du courant à l’intérieur du canal dans un FET à canal P.
Exercice I (12 pts)
Le schéma de la figure 1 représente une diode Zener et le schéma de la figure 2
(feuille jointe) représente sa caractéristique Iz = f(Vz). Les sens de Iz et Vz sont indiqués sur
la figure 1.

1. Déterminer, à partir de la figure 2, ses caractéristiques :

VZ
a. Polarisation inverse : la tension Zener VZ0 et la résistance RZ

b. Polarisation direct : la tension seuil Vo et la résistance

B A
dynamique Rd
IZ
2. Donner le schéma du circuit équivalent de la diode, en précisant les
Figure 1
points A et B, dans les zones :

a. Vz ≤ -0.6
b. - 0,6 <Vz <8V
A
c. Vz ≥ 8V
3. Cette diode est utilisée dans le circuit
RP
ci contre qui est alimenté par une
E RC VS
tension continue E. On donne: VZ

E =18V, RP = 150 Ω et RC = 300 Ω.

1
 a. En appliquant le théorème de Thevenin, réduire le circuit à une seule maille contenant
RTH, ETH et la diode. Calculer les valeurs de RTH et de ETH.

b. Donner l’équation de la droite de charge et la tracer sur la figure 2. Déduire les

coordonnées du point de fonctionnement de la diode.

c. Cette diode stabilise la tension aux bornes de RC lorsque le courant IZ est tel que
5mA ≤ IZ ≤ 60 mA. Quelle est le domaine de variation de la résistance RC dans lequel
la stabilisation est assurée ? On néglige la résistance RZ devant RP et RC.

4. On remplace le générateur de tension continue E par un générateur de tension sinusoïdale

v(t) = 18.sin(t).

a. Donner la tension vth(t) équivalente

b. En utilisant les schémas équivalents de la question 2 et en négligeant la

résistance RZ, calculer la tension vs(t) dans les différentes zones du fonctionnement
de la diode : Vz ≤ -0.6 , - 0,6 <Vz <8V et Vz ≥ 8V

c. Tracer la fonction de transfert vs = f(vth).

Exercice II (4 pts)
On considère le montage ci-dessous, dans lequel le transistor possède un gain en
courant β = 150. On souhaite que le point de fonctionnement soit tel que : IB0 = 10µA,
VBO=0,6V et VCE0= 4V. On suppose négligeable le courant IB devant IC et IE.
a. Ecrire l'équation d'attaque.
VCC
b. Ecrire l'équation de charge.
c. Déterminer les résistances RB , RC et RE pour RC
RB
obtenir le point de fonctionnement désiré sachant
que RC = 4RE. On donne VCC = 10V

RE

2
 Nom et Prénom …………………………………………………………………………

A remettre avec la copie du contrôle

Figure 2

3
4
5
6
7
Université Cadi Ayyad Le 08 juin 2016
Faculté des Sciences Semlalia
Département de Physique

Fillière SMP/S4
Contrôle d’Electronique de base
Durée 2heures

Les trois exercices sont indépendants

Exercice I (7 points)
Les deux diodes du circuit de la figure 1 sont identiques
On donne E1=10V, E2=5V et R= 80Ω

Vd1
Id1 A

D1 Vd2
ve(t) D2 E2
R vs(t)
E1
Id2

Figure 1

1. Les diodes sont supposées réelles de caractéristiques Vo = 0,6V et Rd = 20. On prend

ve(t) = E =20V.
a. Donner, en justifiant, les états des diodes et le schéma équivalent du circuit
b. Calculer le courant qui traverse la résistance R.
2. Dans la suite de l’exercice, les diodes sont supposées idéales et la tension ve(t) est sinusoïdale telle
que ve(t) = 20.sin(t).
a. Est-ce que les deux diodes peuvent se bloquer en même temps ? justifier votre réponse
b. Est-ce que les deux diodes peuvent devenir passantes en même temps ? justifier votre réponse
c. Discuter les autres états des diodes en fonction de ve(t) :
Donner, pour chaque cas, le schéma équivalent du circuit et exprimer la tension vs(t) en
fonction de ve(t) et d’autres éléments du montage.
d. Tracer la caractéristique de transfert vs = f(ve) (-20v ≤ve(t) ≤20V)

Exercice II (6 points)
On considère le montage de la figure 2, dans lequel le transistor possède un gain en courant  = 0,99.
On souhaite que le point de fonctionnement soit tel que : IB0 = 20µA, VBEO=0,7V et VCE0= 7V. On suppose
négligeable le courant IB devant IC et IE. V CC
1. Remplacer le pont diviseur (RB1, RB2) par un
générateur de Thevenin et donner les expressions de
VTH et de RTH RB2 Rc

2. Ecrire l’équation de la droite d’attaque du transistor

3. Ecrire l'équation de la droite de charge. IE
RB1
RE
Figure 2
1
 4. Déterminer les résistances RC, RE, RB1 et RB2 pour obtenir le point de fonctionnement désiré
sachant que RC = 3RE et VTH = 20%VCC.
On donne VCC = 15V
5. Quel est le rôle de la résistance d’émetteur RE

Exercice III (7 points)

Soit le réseau électrique ci-dessous contenant une source de courant liée a une tension du circuit.
La tension ve(t) est une source de tension idéale telle que ve(t) = Vmcost.
On désire remplacer le circuit par un générateur de Thevenin entre A et B

R i2
i1
A
u1 y.u1
e vs
ve L RC

Figure 3
B

1. Donner le schéma en remplaçant le générateur de courant de la figure 3 par le générateur de

tension équivalent
2. Déterminer l’expression de la tension à vide V th (RC = ∞) entre les points A et B et la mettre
sous la forme :
(1  j1)
V th  Ry Ve
(1  j 2 )
Exprimer 1 et 2 en fonction de R, L et y

3. Déterminer l’impédance de Thevenin équivalente Z th vue entre A et B et la mettre sous la forme:

(1  j 3)
Z th  R
(1  j 4 )
Exprimer 3 et 4 en fonction de R, L et y

N.B: Attention pour le calcul de Z th on ne doit pas annuler u1 car cela revient à mettre les
résistances R à zéro.

4. Exprimer V s en fonction de V th , Z th et RC.

2
3
4
5
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7
Université Cadi Ayyad Le 17 juin 2014
Faculté des Sciences Semlalia
Département de Physique

Fillière SMP/S4
ème
2 Contrôle, Electronique de base: Durée 1h30

Questions de cours (4 pts)

1. Quel est le rôle d’une diode Zener?
2. A quoi sert la résistance RE dans un montage à transistor bipolaire monté en émetteur
commun.
3. Donner le schéma d’un transistor montée en base commune en précisant les entrées et
les sorties (le transistor est considéré comme un quadripôle). Quelles sont les
caractéristiques de ce montage (I=f(V))
4. Quelle est le rôle de la tension VGS dans un transistor à effet de champs?
5. Quel est le sens du courant à l’intérieur du canal dans un FET à canal P.
Exercice I (12 pts)
Le schéma de la figure 1 représente une diode Zener et le schéma de la figure 2
(feuille jointe) représente sa caractéristique Iz = f(Vz). Les sens de Iz et Vz sont indiqués sur
la figure 1.

1. Déterminer, à partir de la figure 2, ses caractéristiques :

VZ
a. Polarisation inverse : la tension Zener VZ0 et la résistance RZ

b. Polarisation direct : la tension seuil Vo et la résistance

B A
dynamique Rd
IZ
2. Donner le schéma du circuit équivalent de la diode, en précisant les
Figure 1
points A et B, dans les zones :

a. Vz ≤ -0.6
b. - 0,6 <Vz <8V
A
c. Vz ≥ 8V
3. Cette diode est utilisée dans le circuit
RP
ci contre qui est alimenté par une
E RC VS
tension continue E. On donne: VZ

E =18V, RP = 150 Ω et RC = 300 Ω.

1
 a. En appliquant le théorème de Thevenin, réduire le circuit à une seule maille contenant
RTH, ETH et la diode. Calculer les valeurs de RTH et de ETH.

b. Donner l’équation de la droite de charge et la tracer sur la figure 2. Déduire les

coordonnées du point de fonctionnement de la diode.

c. Cette diode stabilise la tension aux bornes de RC lorsque le courant IZ est tel que
5mA ≤ IZ ≤ 60 mA. Quelle est le domaine de variation de la résistance RC dans lequel
la stabilisation est assurée ? On néglige la résistance RZ devant RP et RC.

4. On remplace le générateur de tension continue E par un générateur de tension sinusoïdale

v(t) = 18.sin(t).

a. Donner la tension vth(t) équivalente

b. En utilisant les schémas équivalents de la question 2 et en négligeant la

résistance RZ, calculer la tension vs(t) dans les différentes zones du fonctionnement
de la diode : Vz ≤ -0.6 , - 0,6 <Vz <8V et Vz ≥ 8V

c. Tracer la fonction de transfert vs = f(vth).

Exercice II (4 pts)
On considère le montage ci-dessous, dans lequel le transistor possède un gain en
courant β = 150. On souhaite que le point de fonctionnement soit tel que : IB0 = 10µA,
VBO=0,6V et VCE0= 4V. On suppose négligeable le courant IB devant IC et IE.
a. Ecrire l'équation d'attaque.
VCC
b. Ecrire l'équation de charge.
c. Déterminer les résistances RB , RC et RE pour RC
RB
obtenir le point de fonctionnement désiré sachant
que RC = 4RE. On donne VCC = 10V

RE

2
 Nom et Prénom …………………………………………………………………………

A remettre avec la copie du contrôle

Figure 2