CHAPITRE 3
COMPOSANTS ELECTRONIQUES DE BASE
DIODE A JONCTION PN
Introduction aux semi-conducteurs :
L'utilisation des propriétés des semi-conducteurs a révolutionné nos vies, dans les
domaines d’électronique, d’informatique des télécoms….etc. En effet, les nouveaux
processeurs contiennent x millions de transistors". Or un transistor est fabriqué à
base de matériaux semi-conducteurs. Donc sans semi-conducteurs, pas de
transistors, pas de processeur, pas d'ordinateur, pas de téléphone, pas de tablettes,
pas de télévision, et ,donc,tous les circuits actifs actuels (analogiques comme
numériques) sont fabriqués à base de semi-conducteurs. Pae conséquent toute
l'électronique moderne les utilise.
Définition d’un semi-conducteur :
Les semi-conducteurs sont des matériaux qui ne sont pas des bons conducteurs ni
des isolants.
Structure atomique et niveaux énergétiques :
Un atome contient des nucléons (protons et neutrons) et des électrons. Les électrons
gravitent autour d'un noyau de nucléons.
En théorie classique de la physique, ces orbites sont elliptiques (ou circulaire), selon
le modèle de Bohr.
Dans la théorie quantique, les électrons n'occupent pas une place définie, mais ont
une certaine probabilité d'occuper une région de l'espace autour du noyau ; cette
probabilité est appelée orbitale atomique. Ces orbitales sont décrites par 3 nombres
quantiques, qui définissent - avec un quatrième nombre appelé spin - l'état quantique
de l'électron. Pour un état quantique donné, l'électron possède une énergie donnée,
et dans un atome, il ne peut y avoir qu'un seul électron par état quantique. Enfin, les
états quantiques sont remplis par les électrons par énergie croissante.
On peut donc conclure que :
- les électrons possèdent une énergie ;
- au sein d'un atome, deux électrons ne peuvent avoir la même énergie
- les orbitales atomiques sont remplies par les électrons par niveaux d'énergie
croissants.
L'énergie d'un électron
Un électron isolé, détaché de tout atome ou de tout matériau peut prendre n'importe
quelle valeur d'énergie.
Dans un atome, il ne peut prendre que des valeurs parfaitement définies, multiples
d'un niveau fondamental.
Dans un solide l'énergie des électrons peut prendre toute valeur à l'intérieur d'un
intervalle dépendant de la structure du matériau, on parle de bandes d'énergie. Il
peut exister plusieurs bandes auxquelles l'énergie des électrons peut appartenir : ce
sont les bandes permises. A l'inverse, il ne peut y avoir d'électrons dont l'énergie
appartient aux bandes interdites.
Chaque bande peut contenir un nombre précis d'électrons, qui sont remplis par des
niveaux d'énergie croissant.
Semi-conducteur
A la température T = 0 °K, la bande de valence est la dernière bande d'énergie
complètement remplie d'électrons. Par contre la bande de conduction est la bande
d'énergie supérieure ou égale à celle de la bande de valence, mais qui n'est pas
remplie. L'énergie qui sépare ces deux bandes est appelée gap, ou band gap.
Les électrons appartenant à la bande de valence permettent la cohésion locale d'un
solide ou d'un matériau : ils interagissent avec les atomes voisins pour rendre la
structure [Link] électrons de la bande de conduction sont eux dit délocalisés : ils
peuvent se déplacer au sein du matériau, d'atome en atome, pour participer à la
conduction électrique.
Donc, si la bande de conduction est partiellement remplie, quelque soit la taille du
gap, des électrons au sein du matériau participent à la conduction électrique : le
matériau est conducteur ;
Si la bande de conduction est vide et si le gap est grand (plusieurs électrons-volt,
voir ci-dessous), aucun électron du matériau ne peut participer à la conduction : la
matériau est isolant ;
si le gap est suffisamment petit (de l'ordre de l'électron-volt), le matériau est, au
repos, isolant. Mais la moindre excitation, thermique ou électrique, permet à certains
électrons de la bande de valence de franchir le gap et le matériau devient
conducteur. On parle alors de matériau semi-conducteur.
Notion de trou :
Lorsqu'un électron quitte la bande de valence pour la bande de conduction, on dit
qu'il y a création d'un trou : c'est une lacune en charge négative, assimilable à une
charge positive.
Les éléments semi-conducteurs
Dans le tableau périodique des éléments, les semi-conducteurs se situent dans la
colonne IV, où les atomes de cette colonne comportent 4 électrons sur leur dernière
couche électronique
Tous les éléments de la colonne IV ne sont pas semi-conducteurs ! Cela dépend
toujours de la largeur du gap au sein du cristal.
Le Silicium, l'élément semi-conducteur le plus courant, et qui constitue la base de la
très grande majorité des circuits électroniques actuels, de symbole Si, est le
composant de numéro atomique 14. Cela signifie qu'un atome de silicium est entouré
de 14 électrons en tout.
Les atomes semi-conducteurs peuvent s'ordonner en cristaux très compacts, et dans
ces cristaux, les 4 places occupées se situent dans des niveaux d'énergie bas, et les
places vacantes dans des niveaux plus élevés (Plus précisément, de valence et de
conduction respectivement).
Une petite excitation (d'énergie supérieure à celle du gap) et les électrons migrent
vers les niveaux plus élevés et rendent le cristal conducteur !
Remarque :
A l'heure actuelle, le semi-conducteur le plus utilisé est le silicium, pour une raison
simple : son faible coût. Il est en effet présent à près de 25% dans la croûte terrestre,
et est très facile à extraire et à traiter.
Les semi-conducteurs intrinsèques et extrinsèques
Semi-conducteurs intrinsèques
Définition : Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau semi-conducteur pur :
le matériau est parfaitement régulier et ne contient aucune impureté.
Son comportement électrique ne dépend alors que de sa structure et de l'excitation
thermique :
à 0 K, le matériau est isolant ;
plus on chauffe, plus le nombre d'électrons arraché à la bande de valence
augmente et plus le matériau est conducteur.
Ce type des semi-conducteurs ne sont pas intéressants car ils présentent une
conductivité très faible, à moins d'être portés à très haute température.
Cette propriété est fondamentale, pour l'industrie microélectronique, il n'est pas
intéressant de chercher à fabriquer de semi-conducteurs intrinsèques, aux propriétés
électroniques déplorables ; il est bien plus intéressant de contrôler le niveau
d'impuretés dans le matériau pour lui donner des caractéristiques exploitables. On
parle alors de dopage.
Dopage des semi-conducteurs intrinsèques :
Le dopage est une technique qui permet aux semi-conducteurs de conduire plus
efficacement, en introduisant des impuretés au sein du solide lors de sa fabrication.
Si les impuretés sont trop nombreuses (plus d'une impureté par atome de semi-
conducteur intrinsèque), le solide est dit dégénéré, et ses propriétés sont
difficilement utilisable.
Dans le reste de cette partie, on ne considérera que des semi-conducteurs non
dégénérés.
On ne peut pas utiliser n'importe quel atome pour doper un semi-conducteur !
Les dopants sont choisis pour les niveaux électroniques qu'ils introduisent au sein du
cristal, et aussi pour leur habilité à ne pas déstabiliser la structure cristalline du
matériau et en altérer les propriétés mécaniques. Ainsi, on ne peut pas se permettre
d'utiliser des éléments possédant plus d'un électron en plus ou en moins que le
silicium.
Il existe donc deux types de dopants, donnant au semiconducteur des propriétés
électroniques différentes :
- des dopants appartenant à la colonnes III du tableau périodique, possédant un
électron de moins que le silicium ;
- des dopants appartenant à la colonne V du tableau périodique, possédant un
électron de plus que le silicium.
Dopage de type N
Le dopage de type N consiste à introduire dans le cristal de semi-conducteur des
atomes appartenant à la colonne V, qui possèdent donc 5 électrons sur leur couche
de valence. On appelle ces éléments des dopants N.
Lorsqu'un dopant N et un semi-conducteur comme le silicium entre en contact, ils
cherchent à partager des paires d’électrons. Ils peuvent ainsi partager chacun 2
paires d'électrons, pour posséder chacun 8 électrons sur leur couche externe.
Un électron du dopant reste en plus, il ne peut être partagé, et il ne peut occuper la
bande de valence (elle est remplie). Il quitte donc l'atome et devient un électron libre,
capable de conduire le courant.
Le cristal présente donc un excès d'électrons, chargés négativement. Le semi-
conducteur est donc de type N..
Dopage de type P
Le dopage de type P consiste lui à introduire dans le cristal des atomes appartenant
à la colonne III, qui possèdent 3 électrons sur leur couche de valence.
Dans le cristal, les atomes de silicium et de dopants P présentent alors 7 électrons
sur leur couche externe. Il manque un électron sur cette couche. Cette absence
d'électrons, et donc de charge négative, est considéré comme une charge positive,
ou trou.
Cette nouvelle structure peut également conduire le courant électrique. En effet,
sous l'action d'un échauffement, d'une différence de potentiel..., un atome en
manque d'électron peut en recevoir un d'un autre atome, qui devient alors déficitaire
en électron. Il y a eu un mouvement d'électron d'un atome vers un autre (ou un
mouvement de trous dans l'autre sens), par définition, un courant électrique.
Un trou est considéré comme une charge positive, de même masse qu'un électron.
Finalement, le cristal présente donc un excès de trous, chargés positivement. Le
semi-conducteur est donc dit de type P.
La jonction PN
Définition
Une jonction PN représente la mise en contact d'une surface de cristal de semi-
conducteur dopé P avec une surface de cristal de semi-conducteur dopé N. Cette
structure permet de réaliser des composants électroniques non linéaire tq les diodes,
les ransistors …etc.
Phénomène de diffusion
Jonction PN
Nous avons donc :
à gauche, une zone P, contenant des trous.
à droite, une zone N, contenant des électrons libres.
Lorsque les deux surfaces sont mises en contact, une partie des trous et des
électrons se diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction :
Diffusion des porteurs
de charges
A la jonction, un peu à gauche et un peu à droite, les porteurs de charges ( les
électrons et les trous) se neutralisent. A l'équilibre, il existe donc une zone sans
charge mobile, appelée zone de déplétion ou (plus souvent) zone de charge
d'espace; une différence de potentiel entre la zone N et la zone P, appelée potentiel
de jonction apparaît également à l'équilibre. Pour les diodes à base de Silicium, ce
potentiel est de l'ordre de 0,6V.
Polarisation d'une jonction et application
Il est parfaitement possible de relier la borne positive du générateur à la zone P et la
borne négative à la zone N, tout comme faire l'inverse. Selon le sens du
branchement, on parlera de polarisation directe ou polarisation inverse, et le
comportement de la jonction sera complètement différent.
Polarisation inverse
On dit que la jonction est polarisée en inverse lorsque le pôle positif du générateur
est connecté à la zone N de la jonction et que le pôle négatif est connecté à la zone
P:
Polarisation inverse d'une jonction PN
Au moment où on connecte le générateur, une partie des électrons de la zone N se
détache et est attirée vers la borne + du générateur. Au même moment, des
électrons sont émis par la borne négative du générateur et se combinent avec des
trous de la zone P.
Mais le nombre de trous dans la zone P est limité et il n'existe pas de trous dans la
zone N pouvant migrer dans la zone P pour remplacer ceux qui ont disparu. Les
électrons cessent donc de migrer de la borne - du générateur vers la zone P.
De même, le nombre d'électrons dans la zone N est limité et il n'existe pas
d'électrons dans la zone P pouvant migrer vers la zone N pour remplacer ceux qui
ont disparu. Les électrons cessent donc de migrer de la zone N vers la borne + du
générateur.
Finalement, aucun courant ne circule dans le circuit lorsqu'il est polarisé en inverse.
La jonction est dite bloquée.
En réalité, il existe une infime quantité de trous dans la zone N et une infime quantité
d'électrons dans la zone P, et il existe un courant inverse. Mais celui-ci est
extrêmement faible, de l'ordre du nano-ampère, soit du milliardième d'ampère, et il
est donc souvent négligé.
Polarisation directe
On dit que la jonction est polarisée en direct lorsque le pôle positif du générateur
est connecté à la zone P de la jonction et que le pôle négatif est connecté à la zone
N:
Polarisation directe d'une jonction PN
Au moment où on connecte le générateur, les électrons de la zone N et les trous de
la zone P convergent vers la jonction sous l'effet de la force électromotrice du
générateur. A la jonction, les trous et les électrons se combinent et disparaissant.
Néanmoins, les électrons libres de la zone N qui disparaissent sont continuellement
remplacés par d'autres électrons provenant de la borne négative du générateur. De
la même façon, les trous de la zone P qui disparaissent sont remplacés par d'autres
en provenance de la borne + du générateur.
Souvenez-vous que les trous ne sont qu'un modèle. Un courant est physiquement un
flux d'électrons dans un certain sens, et peut être modélisé par un flux de trous dans
le sens inverse. Si vous préférerez ne vous représenter que des électrons, imaginez
que le générateur "aspire" des électrons dans la zone P, et laisse donc des trous.
Il existe finalement un flux continu des charges dans le circuit : un courant continu
s'établit dans un circuit polarisé en direct.
On appelle courant direct Id le courant dans le cristal et tension directe Vd la tension
du générateur à l'origine de l'apparition de Id.
Or en polarisation directe, si on applique une différence de potentiel dans l'autre
sens, et si la tension du générateur est inférieure au potentiel de jonction, que se
passera t-il ?
Tant que Vd est inférieure à 0,6V, la jonction reste bloquée, car le générateur ne
fournit pas assez d'énergie aux porteurs pour générer un courant.
Conclusion
Une jonction PN :
bloque le courant si elle est polarisée en inverse ;
permet le passage du courant pour une polarisation directe supérieure au
potentiel de jonction.
Caractéristique d'une jonction PN :
Caractéristique d'une jonction PN
simple à base de Silicium
LA DIODE
Définition, symbole et caractéristique :
La juxtaposition de deux semi-conducteurs de type P et N donne naissance à un
nouveau cristal appelé diode à jonction PN ( ou Jonction PN).
Une diode est un dipôle passif non-linéaire linéaire (relation entre le courant est la
tension est donnée par une équation non linéaire). L’intérêt principal de la diode,
comme nous l’avons vu dans les jonctions PN, est de ne laisser passer le courant
que dans un sens, et pas dans l’autre. La représentation symbolique de la diode est
donnée dans la figure ci-dessous.
Représentation symbolique de la diode à jonctionPN :
Diode réelle à jonction PN :
Remarque :
Jusqu'à présent nous n'avons vu que des composants linéaires, c'est-à-dire qui ne
modifiaient que l'amplitude ou la phase d'un signal appliqué à son entrée. Le
comportement de la diode est donc une nouveauté.
La caractéristique courant-tension (I=f(V)) de la diode est donnée par :
V
nVT
I =I s (e −1)
Avec : 𝐼𝑠 : Courant de saturation de la diode
𝑛 : Coefficient d’idéalité de la diode (1≤n≤2)
𝑉𝑇 : Tension thermique, 𝑉𝑇=𝑘𝑇 /𝑞
𝑘 : Constante de Boltzmann, 𝑘=1.38×10−23 J.K-1
𝑇 : Température
𝑞 : Charge de l’électron, 𝑞=1.60219×10−19 C
En polarisation inverse (V<0), le courant qui parcours la diode de la cathode vers
l'anode est négligeable (Is≈0).
En polarisation directe (V>0), le courant croît rapidement avec la tension comme il
est montré dans la figure.
La caractéristique d’une diode à jonction PN est donnée par la figure ci-dessous :
la résistance dynamique de la diode. Elle est donnée par: 𝑟𝑑= (𝑑𝐼 /𝑑𝑉) −1. Lorsque
Vseuil est la tension de seuil de la diode. Généralement, elle est inférieur à 1 V. rd est
𝑟𝑑=Δ𝑉/Δ𝐼
V>Vseuil >VT, la résistance dynamique peut être approximée par la formule:
L’analyse d’un circuit électrique comportant des diodes est difficile, parce que le
système d’équations décrivant le circuit est non linéaire.
Résistance dynamique d’une diode :
i- En polarisation directe :
( )
V
On a : r d = dV et I =I s e U −1
T
dI
avec U T =nV T o ùU T repr é sente la tension t h ermodynamique .
V
I +Is U I + I s dV U U
=e → V =U T ln
T
→ = T → r d= T
Is Is dI I + I s I+ Is
On remarque que la résistance dynamique rd ,en polarisation directe, est en fonction
du courant qui la traverse.
ii- En polarisation inverse :
En polarisation inverse, le courant I ≈ I s et puisque Is est très faible, donc la
résistance dynamique est très grande.
Capacité de diffusion : schéma équivalent de la diode
La diffusion de porteurs a travers la jonction crée une charge d’espace et la
conduction dans la diode est équivalente à celle qui se produirait dans le circuit
suivant :
UT θI
r D= et C D=
I 2U T
θ est une constante liée à la répartition des impuretés dans le semi-conducteur.
C D est faible de l’ordre de quelque pF.
En B.F. la diode est équivalente au circuit suivant :
En H.F. la diode est équivalente au circuit suivant :
En V.H.F. et U.H.F la diode est équivalente au circuit suivant
Capacité inverse de la jonction : influence de la tension de polarisation
Dans le cas de la polarisation inverse, le voisinage de la jonction était vide de ces
porteurs libres. La zone de transition étant alors élargie. Ce phénomène s’accentue
d’autant plus que la tension inverse croit avec la jonction, il existe une zone
pratiquement isolante dans la largeur est modulée par la tension inverse de
polarisation. La diode se comporte donc en inverse comme un condensateur plane
d’épaisseur réglable avec la tension de polarisation, cette épaisseur croit avec v (v
−n 1 1
en inverse) c-à-d C T = A V ,n= , , … selon≤Semi−conducteur
2 3
Remarque :
CT existe aussi pour une diode polarisée dans le sens directe, mais dans ce cas , elle
est négligeable devant la capacité CD. de la même façon en polarisation inverse , il
existe une capacité de diffusion (dû à la diffusion des porteurs minoritaires), mais le
courant inverse étant faible, donc CD sera négligeable devant CT.
Identification de la diode (ou Modèles électriques linéaires de la diode) :
Pour étudier les systèmes comportant des composants non linéaires ( exp. la diode).
Il est pratique d’identifier leurs caractéristiques à des courbes les plus simples
possibles. On remplace donc la diode par des modèles linéaires.
Modèle idéal (rd=0 et Vd=0) (première approximation) : Il s’agit d’un interrupteur
fermé en polarisation directe, Vd=0, et ouvert en polarisation inverse, Vd<0. La figure
ci-dessous montre ce modèle idéal.
Modèle d'une diode idéale
(première approximation)
Modèle diode parfaite (deuxième approximation) : Dans ce modèle, le courant
est nul pour des tensions inférieures à la tension de seuil Vseui (V<Vseuil). A cette
valeur, la diode conduit et la tension à ces bornes reste constante quelque soit le
courant qui la traverse : Vd = Vseuil = V0.
Modèle d’une diode parfaite
(deuxième approximation)
Modèle d’une diode réelle (troisième approximation) : Dans ce modèle, la
résistance dynamique rd est incluse. La diode est équivalente à un interrupteur
ouvert si Vd < Vseuil et elle est équivalente à un récepteur de f.c.e.m. V seuil=V0 et de
résistance rd.
Modèle d’une diode parfaite
(troisième approximation)
Remarque : dans ce cas, on considère que la résistance dynamique est constante,
ce qui n'est vrai que si la variation du signal alternatif est très petite autour du point
de polarisation en continu.
Droite de charge et point de fonctionnement d’une diode :
La droite de charge représente l’équation id = f’(vd) obtenue à partir du circuit. en ce
E −V d
qui concerne le circuit ci-dessous, elle est donnée par I d= 0 .
R
L’intersection entre cette droite est la caractéristique de la diode, dans le plan (I d,Vd),
E
défini le point de fonctionnement de la diode P(V P , 0 ).
R
Applications des diodes ou Circuits à diodes
Redressement simple et double alternance:
Le redressement est une application électronique non linéaire qui consiste à
transformer un signal de valeur moyenne nulle en un autre signal de valeur moyenne
non nulle.
L’objectif de cette application est que, la plupart des circuits électroniques ont besoin
d'une tension continue pour fonctionner. Puisque la tension de réseau électrique est
alternative (AC), on la transforme en une tension continue (DC) par un montage
appelé alimentation. Le premier étage de cette alimentation est le redresseur.
Redresseur simple alternance :
Il admet l’alternance positive et annule l’alternance négative. Une simple diode en
série avec la charge suffit à réaliser cette fonction.
Soit le montage suivant :
diode en régime variable
polarisation directe
Le signal appliqué aux bornes de la diode est sinusoïdal (il pourrait être carré,
triangulaire ou quelconque) :
Le signal à appliquer au montage
La tension de sortie aux bornes de la résistance est donnée par l’allure suivante :
Le signal appliqué à la diode est avec alternance négative et celui sans alternance
négative est aux bornes de la résistance.
Démonstration :
On suppose que la diode est idéale (1ère approximation : Vseuil =0) :
Si la diode est passante (v¿ ¿ e> 0)¿, elle est équivalente à un interrupteur fermé,
donc
v s (t)=v e (t)
Et Si la diode est bloquée (v¿ ¿ e< 0)¿, elle est équivalente à un interrupteur ouvert,
donc
v s (t )=R i d =0 v
De la même manière si on branche la diode dans l'autre sens, on trouve les résultats
suivants :
La diode en régime variable
polarisation inverse
Pour ce type de polarisation, il se passer exactement la même chose que
précédemment, mais le signal n’aura pas ses alternances positives au bornes de la
résistance : il ne lui reste que les alternances négatives :
Le signal appliqué à la diode est avec alternance positive et celui sans alternance
positive est aux bornes de la résistance.
Redressement double alternance (avec 2 diodes) :
Pour procéder au redressement des deux alternances, il faut utiliser un transformateur ayant
deux enroulements secondaires identiques reliés en série et qui délivre deux tensions
opposées: V1 = [Link]t et V2 = – V1. Le point commun aux deux enroulements sert de
référence de potentiel.
Soit le montage suivant :
D1 et D2 deux diodes idéales (1ère approximation )
Si V1 > 0 alors V2 < 0 : la diode D1 conduit et la diode D2 est bloquée. Lors de la demi-
alternance suivante, la situation est inversée. Le courant dans la charge Ru est unidirectionnel.
Dans ce montage, la tension inverse maximum supportée par chaque diode est 2V.
Démonstration :
Si V1>0 Vd1 = 0v et id2 = 0A Vs = Vr = V1
Si V1<0 Vd2 = 0v et id1 = 0A Vs = Vr = V2= - V1
La tension Vs(t) est toujours positive est égale à |V 1| (voir fig. ci-dessous)
Redressement double-alternance
Remarque :
On peut, aussi, avoir le redressement double alternance avec quatre diodes, en
utilisant le circuit suivant (Avec pont de Grætz) :
Redressement avec pont de diodes.
Il existe une autre manière de faire du redressement double alternance, ne
nécessitant pas un transformateur à double enroulement : on utilise 4 diodes
montées en pont. Des ponts tous faits sont disponibles dans le commerce,
permettant de réduire le nombre de composants du montage.
Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, D1 et D4 conduisent,
et quand elle est négative, D2 et D3 conduisent.
Filtrage de la tension redressée
Les montages précédents délivrent des tensions redressées mais non continues. En
effet, la tension obtenue après redressement est unidirectionnelle mais elle n’est pas
continue. Le signal obtenu est périodique ; il contient une composante continue (la
valeur moyenne du signal) et des harmoniques que l’on désire annuler : on fait suivre
la cellule de redressement par un filtre qui supprime les hautes fréquences.
Le filtrage le plus simple fait appel à un seul condensateur placé en parallèle sur la
charge et qui se comporte comme un réservoir d’énergie (voir fig. ci-dessous).
Dès que Vd >0 la diode est passante : le condensateur se charge rapidement car la
résistance de la diode est très inférieure à celle de la charge. On peut définir la
constante de temps de charge tc = [Link]. La tension crête atteinte aux bornes du
condensateur est égale à V– Vd : on admet que la résistance de la charge est assez
grande pour pouvoir négliger le courant de décharge dans RU devant le courant de
charge. Dès que Vd <0 , le générateur est isolé de la charge par la diode qui est
bloquée. Le condensateur se décharge dans RU avec une constante de temps
RU.C. La qualité du filtrage est d’autant meilleure que le courant de décharge est
faible : il faut utiliser des condensateurs de capacité élevée pour obtenir une
constante de temps de décharge aussi élevée que possible.
Redressement simple alternance
et filtrage.
La diode Zener
Si l’épaisseur de la jonction est faible et si le taux de dopage est important, on obtient
des diodes qui présentent un courant inverse intense au-delà d’une valeur V Z de la
tension inverse qui est la tension de coude ou de Zener. En effet, La diode Zener est
une diode que le constructeur a optimisée pour opérer dans la zone de claquage. La
diode Zener au claquage présente un coude de tension inverse très net, suivi d’une
croissance verticale du courant. La tension est presque constante, c’est la tension
Zener VZ.
Symbole :
Il n'existe pas de norme américaine ou européenne pour la diode Zener. Elle a
plusieurs symboles :
Caractéristique
Caractéristique d'une
diode zéner.
L'effet zéner concerne la caractéristique inverse de la diode. En direct, une diode
zéner se comporte comme une mauvaise diode normale.
La caractéristique inverse présente alors l'allure d'un récepteur à faible résistance
interne.
En général, les constructeurs spécifient :
- la tension d'avalanche Vzt pour un courant déterminé Izt. (les valeurs de
tension sont normalisées).
- à ce point de fonctionnement Vzt / Izt, on donne la résistance dynamique de la
diode rzt.
- le courant Izm pour lequel la puissance dissipée dans le composant sera le
maximum admissible.
Schéma équivalent. :
Pour simplifier les calculs, on définira un schéma équivalent approchant la réalité de
la diode zener en inverse.
Si on utilise le composant suffisamment loin du coude, le schéma suivant modélise
bien le comportement d'une diode zéner :
Schéma équivalent de la diode zéner
On définit une tension de coude Vzo, et une résistance interne constante Rz. Ce
schéma sera à utiliser avec beaucoup de prudence sur des zéners de faible tension
(< 5V) : leur coude est très arrondi, et la résistance dynamique varie beaucoup avec
le courant. Pour des tensions supérieures à 5V, il n'y aura en général pas de
problèmes.
Stabilisation ou régulation de tension
Il est possible de réaliser un stabilisateur de tension en utilisant une diode Zener. On
suppose que le courant inverse IZ dans la diode est tel que le point de
fonctionnement est situé dans la partie linéaire de la caractéristique. Il est alors
possible de modéliser la diode par l’association d’une source de tension V Z en série
avec une résistance RZ (résistance dynamique inverse de la diode).
Remplaçons le générateur (tension VE et résistance R) et la résistance de charge par
R R . R1
leur équivalent Thévenin : Et h= V E ; R t h=
R + R1 R+ R1
Le point de fonctionnement de la diode est obtenu en cherchant l’intersection de sa
caractéristique Vs = VZ + [Link] avec la droite de charge d’équation Vs = Eth – [Link].
On retrouve graphiquement le fait que le système ne fonctionne que si Eth > VZ.
Rz = 0. Si la charge varie, (stabilisation amont) les courants dans la charge et dans
la diode varient
mais Vs reste constant car la pente de la droite de charge varie. De même si la
tension du générateur
varie (stabilisation aval) Vs reste également constant car la droite de charge se
déplace parallèlement à elle-même.
R z ≠ 0 ; Vs varie avec les paramètres extérieurs. Pour la stabilisation aval (variation
Ve = e de Ve), on peut déterminer vs=Vs en recherchant les intersections de la
caractéristique avec les droites de charge qui correspondent aux valeurs extrêmes
de Ve. Il est plus efficace d’étudier le schéma équivalent au montage en régime de
petits signaux. Le générateur est remplacé par un générateur de f.e.m. Ve = e, la
diode par sa résistance RZ puisque VZ est constant.
rz.R
vs= Vs = r.i avec r = Comme rZ est petit, r ≈ r z . On en déduit que :
r z+ R
rz
v s= e
r z+ R 1
La stabilisation est d’autant meilleure que RZ est petite.
Remarque :
La puissance (PZ = [Link]) dissipée dans la diode doit toujours rester inférieure à la
puissance maximale autorisée. VZ varie avec la température et pour certaines
applications, il est nécessaire d’en tenir compte.
Il est possible d’obtenir une stabilisation beaucoup plus efficace en utilisant des
montages à transistors.
