Université kasdi Merbah Ouargla 2éme Année licence électronique
Département : Electronique et de Télécommunication Module : électronique fondamentale 2
TP N° 2 : Amplificateur classe A (Émetteur commun)
Objectif
Le TP concernant le transistor bipolaire avait pour objectif l’étude de ce composant du point
de vue statique : tracé des caractéristiques statiques, polarisation en continu par résistance de
base, détermination du gain en courant. Nous nous intéressons au cours de cette manipulation
au comportement en régime dynamique du transistor bipolaire. En particulier, nous allons
étudier un amplificateur à transistor monté en émetteur commun. Après avoir polarisé le
transistor, nous allons étudier le comportement du montage lorsqu'on impose des petites
variations autour de ce point de polarisation.
I. Rappel Théorique :
1- le phénomène de l’amplification
La notion d’amplification est souvent liée à celle du gain en tension. En effet une variation de
tension sur l’entrée d’un circuit amplificateur provoque une variation plus grande sur la sortie.
Cependant le raisonnement inverse serait faux. Il n’a pas d’amplification dès que qu’il a un
gain en tension ; il faut toujours s’assurer qu’il y’a un gain en puissance. C’est à dire que la
puissance de sortie est supérieure à celle qui a été fournie pour la commande de l’élément
amplificateur. Rappelons que le gain en puissance peut être calculé en formant le produit des
gains en tension et en courant.
2- Eléments du circuit amplificateur
Pour réaliser un amplificateur à transistor, trois possibilités peuvent se présenter : le montage
base commune, émetteur commun et le montage collecteur commun. Nous allons étudier le
cas du montage émetteur commun, qui est le plus convoité.
2.1. Point de repos ou point de fonctionnement
Les propriétés du transistor dépendent fortement de son état statique donné par le courant
moyen IC et sa tension moyenne UCE. Ce courant de repos et cette tension de repos sont
mesurés sans signal d’entrée. Ceci donne un point sur la caractéristique, défini comme étant le
point de repos.
Le point de repos est établi d’après le cahier des charges pour le circuit et en fonction des
contraintes supplémentaires. Il est fixé avec des composantes externes. Il est important de
s’assurer qu’il ne change que dans des limites données si l’influence de la température fait
varier les propriétés du transistor.
Nous voyons sur la figure ci-dessous que si l’amplitude d’excitation I b augmente le point de
fonctionnement M varie entre les points M 1 et M2, pour des valeurs extrêmement grandes de
Ib, le point de repos peut atteindre les extrémités qui sont le point de blocage et le point de
saturation, la tension de sortie va être écrêtée.
1/3
Université kasdi Merbah Ouargla 2éme Année licence électronique
Département : Electronique et de Télécommunication Module : électronique fondamentale 2
La position optimale du point M est obtenue pour V ceQ = VCC/2, c'est-à-dire pour M environ
placé au milieu de la droite de charge (règle de la demi-alimentation).
M1
2.2. Le schéma équivalent
On désigne un circuit électrique comme schéma équivalent, s’il possède les mêmes
propriétés que l’original. Il est souvent composé d’éléments de base tels que les résistances,
les sources, les capacités ou les inductances. Le schéma équivalent du transistor se base sur
des paramètres quadripôles. La figure suivante montre l’exemple du schéma équivalent d’un
transistor en montage émetteur commun exprimé avec les paramètres hij (h12 = h22= 0)
Calcul des différents paramètres de l’amplificateur EC basses fréquences :
Gain en tension
Ve = h11ib, Vs = -Rcic, Ic = h21ib Vs = -h21Rcib
donc Av = -βRc/h11
Impédance d’entrée
Ze = Ve/ie = Rp//h11
Rp = R1//R2
Impédance de sortie
Z S = Rc
2/3
Université kasdi Merbah Ouargla 2éme Année licence électronique
Département : Electronique et de Télécommunication Module : électronique fondamentale 2
II. Partie expérimentale
Partie théorique :
Soit le schéma d'un étage d'amplification en tension
utilisant un transistor en : E = 10 Volts
T1 : 2N2222 ; β= 200 ; C1, C2 = 10μF
C3 = 100μF ; R1=R2=R3 = R4=1kΩ ; R5 = 100kΩ Vs
1) Calculer la droite de charge statique et dynamique
2) Donner le schéma en dynamique du montage
3) Calculer le gain en tension
4) Calculer le gain en courant
5) L’impédance d’entrée
6) L’impédance de sortie
7) Le gain composite
Partie pratique :
- Régler le générateur de fonctions pour un signal sinusoïdal de fréquence 1 kHz et
d'amplitude maximale avant déformation. Calculer le gain en tension pratique.
- Générateur de fonctions éteint, mesurer les tensions aux divers points utiles et comparer
les avec les valeurs calculées, en déduire le gain en courant beta du transistor.
- Mesurer l'impédance d'entrée et de sortie.
- Même question mais avec la capacité C3 débranchée.
III. Questions
1. Donner vos commentaires sur les résultats obtenus.
2. Conclusion
3/3
