BTS Al Khaouarizmy Travaux dirigés sur le transistor bipolaire en régime FILIERE EII
Casablanca d’amplification Physique Spécialisée
Exercice.1: Etude statique
Le transistor T est caractérisé par un gain statique en courant
et une tension courant On désire obtenir
pour le point de polarisation et
.
Polarisation par résistance de base
1. Calculer les valeurs des résistances .
2. On remplace le transistor T par un transistor de même
famille mais dont le gain statique en courant .
Calculer le nouveau point de polarisation du transistor en
conservant la valeur des résistances calculées
précédemment. Conclure.
Polarisation par pont diviseur
Pour fixer le potentiel de base ( ), on choisira
telles que .
Calculer les valeurs des résistances
Exercice.2: Etude dynamique
Soit le montage de la figure suivante.
On suppose que le condensateur C a une impédance nulle aux fréquences de travail.
1. Donner le schéma équivalent du montage en régime dynamique moyenne fréquence petits signaux.
2. Calculer les résistances d’entrée Re et sortie Rs.
3. Calculer l’amplification en tension
4. Conclure
5. On peut augmenter la résistance d’entrée, en plaçant une résistance d’émetteur RE=800 , reprendre les
mêmes questions que précédemment.
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Exercice.3: Caractérisation externe d’un quadripôle
On cherche à modéliser un amplificateur par le schéma équivalent représenté ci-dessous :
Pour cela, on réalise le montage expérimental suivant, dans lequel le générateur de signaux (GBF) est assimilable
à un générateur de tension parfait. Ce GBF délivre une tension sinusoïdale, de fréquence constante 5 kHz et
d’amplitude constante 28 mV. Le multimètre est RMS, utilisé en voltmètre, position AC.
Si K1 est fermé et K2 ouvert, le voltmètre affiche 5,000 V
Si K1 et K2 sont ouverts, le voltmètre affiche 0,300 V
Si K1 et K2 sont fermés, le voltmètre affiche 0,200 V
Exploiter ces observations pour déterminer les valeurs de , et
Exercice.4: Stabilisation par transistor
L’étude porte sur le circuit à diode zener et le transistor bipolaire suivant. La tension vE(t) = VEo + ve(t) , ve(t) étant
l’ondulation résiduelle issue du filtrage, est appliquée à l’entrée du circuit. Une tension vS(t) = VSo + vs(t) est
recueillie sur la charge.
Dans ce problème, les variations dues à la température et au vieillissement des composants ne seront pas prises en
compte. Le dispositif de stabilisation en tension est représenté sous la forme du quadripôle suivant :
La tension de sortie VS dépend donc des variations de la tension VE et du courant continu soutiré IS, soit VS = f
(VE, IS) et pour de faibles variations autour du point de fonctionnement, on peut écrire
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avec vs(t) = dVS, ve(t) = dVE, is(t) = dIS les variations dans le régime
dynamique aux faibles signaux respectivement aux points de
fonctionnement VS0, VE0 et IS0.
Du régime dynamique vs (t ) = SVve(t) − R0is(t) , on définit les
performances facteur de régulation (stabilité en amont), . Résistance de sortie
(stabilité en aval), à partir du schéma suivant.
Etude du régime continu
1. Dessinez le schéma.
2. Le point de fonctionnement de la diode et , déterminez les valeurs de la tension VS et du
courant IS en sortie.
3. Donnez l’expression de la résistance R et évaluez cette dernière pour VE = 20V.
Etude du régime dynamique aux faibles signaux
4. Dessinez le schéma.
5. Evaluez le paramètre rbe du modèle du transistor.
6. Ecrivez l’expression de la tension aux bornes de la résistance Rch en fonction du courant qui la traverse et de la
tension d’entrée ve .
7. Déduisez les expressions des coefficients SV et R0, puis évaluez ces derniers.
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