Électronique Analogique

Cours et TD

Section : Ingénieur Informatique

Niveau : 1ère année
Préparé par : Nizar SGHAIER
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Table des matières

La diode à jonction ............................................................................................................. 2
I. Présentation ................................................................................................................. 2
II. Grandeurs caractéristiques d’une diode ................................................................... 4
III. Limite d’utilisation d’une diode ............................................................................... 6
IV. Choix d’une diode .................................................................................................... 6
V. La diode Zéner ......................................................................................................... 6
VI. Exercices .................................................................................................................. 9
Transistor Bipolaire .......................................................................................................... 12
I. Principe de fonctionnement ....................................................................................... 12
II. Constitution et caractéristiques physiques d'un transistor ..................................... 12
III. Caractéristiques électriques.................................................................................... 13
IV. Montage émetteur commun. .................................................................................. 17
V. Exercices ................................................................................................................ 24
Amplificateur Opérationnel.............................................................................................. 26
I. Caractéristique de l'AOP idéal. .................................................................................. 26
II. Contre réaction et stabilité ..................................................................................... 28
III. Méthode d'étude ..................................................................................................... 30
IV. Quelques applications : .......................................................................................... 31
V. Le composant ......................................................................................................... 32
VI. Exercices ................................................................................................................ 33

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La diode à jonction
I. Présentation
1. Constitution

L’élément de base est une jonction PN dont la diode a toutes les propriétés. Pour permettre
son insertion dans des équipements, la jonction doit être « habillée » et se présenter sous
forme d’un composant maniable. En outre, pour faciliter les échanges thermiques avec l’air
ambiant, la diode peut être fixée sur un radiateur. Cette possibilité dépend de sa constitution.

Fig. 1. Symbole Diode PN

2. Orientations

L’orientation de la diode dans le sens passant, c’est à dire pour une tension positive et un
courant de circulation non nul, est le suivant :

Fig. 2. Orientation Diode PN

3. Caractéristique directe

Lors de cet essai, la diode est polarisée en mode passant, la borne positive de la source sur la
jonction P ou sur l’anode et la borne négative de la source sur la jonction N ou sur la cathode.
Comme nous le savons déjà, dans ce cas nous aurons circulation d’un courant.

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Fig. 3. Polarisation directe

Pour permettre aux porteurs majoritaires de traverser la zone de transition, il faudrait que l’on
crée un champ inverse au droit de la zone de jonction ce qui veut dire que nous devrions créer
un champ plus important et de sens inverse à Ed. Nous savons que le champ Ed est dirigé de
N vers P. Il nous faudrait donc créer un champ dirigé de P vers N. Pour cela, il nous suffit
d’augmenter le potentiel de la région P d’une valeur V et ainsi porter le potentiel de la zone de
transition à Vd-V. Pour porter le potentiel de la région P, il me suffit d’appliquer la borne
positive d’un générateur sur l’anode ou la zone P de la diode.

U=f(I)

12

10

6
)
A
(I

0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1

-2
U(V)

Fig. 4. U=f(I)

4. Caractéristique inverse

Lors de cet essai, la diode est polarisée en mode bloquant, la borne positive de la source sur la
jonction N ou sur la cathode et la borne négative de la source sur la jonction P ou sur l’anode.
Comme nous le savons déjà, dans ce cas nous n’aurons pas circulation d’un courant.

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Fig. 5. Polarisation Indirecte

Si nous reprenons le raisonnement appliqué dans le cas de la conduction de la diode, nous

pouvons analyser ce qui va se passer. En effet pour la conduction nous avons veillé à
augmenter le potentiel de la jonction P et pour cela nous avons appliqué la borne positive du
générateur sur l’anode (P) de la diode. Dans notre nouveau cas, nous remarquons que la borne
positive du générateur est appliquée non plus à l’anode mais à la cathode.

Cela entraîne au sein de la diode l’apparition d’un champ supplémentaire de sens P vers N
donc de même sens que le champ de la zone de transition. En effet, nous augmentons la
différence de potentiel Ud déjà existante au droit de la zone de transition créée par les ions,
cela veut donc dire que nous amplifions cette dernière plutôt que de la combattre renforçant
ainsi également le champ électrostatique renforçant le blocage de la diode. Nous pouvons
donc conclure en disant que le courant qui circule est très faible voir nul et est dû aux porteurs
minoritaires.

U=f(I)

-600 -500 -400 -300 -200 -100 0

0

-1

-2

)
A
(I -3

-4

-5

-6
U(mV)

Fig. 6. U=f(I)

II. Grandeurs caractéristiques d’une diode

NIZAR SGHAIER 4
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Il paraît intéressant avant de tracer l’allure de la caractéristique direct U=f(I) de découvrir le

fonctionnement interne de la diode. Nous savons que notre jonction de par la présence d’un
champ électrostatique Ed empêche tout déplacement des porteurs majoritaires au sein de notre
diode. Il faudrait donc que nous parvenions à vaincre cette dernière afin de permettre la
circulation des porteurs majoritaires et ainsi augmenter le courant de diffusion qui deviendra
plus important que le courant de saturation et ainsi permettre la conduction de la diode et la
circulation d’un courant à l’extérieur de cette dernière.

U=f(I)

12

10
B

6
)
(A
I
4

2
A

0
Uo
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1

-2
U(V)

Fig.7. U=f(I)

1. Seuil de tension

Le seuil de tension d’une diode définit le seuil pratique de tension Uo et qui correspond à
l’intersection entre la partie rectiligne de la caractéristique et l’axe des tensions (valeur un rien
supérieur à 0,7V.

2. Résistance statique

Il s’agit de la résistance apparente de la diode, c’est le rapport entre une valeur de la tension
directe appliquée à la diode et la valeur correspondante du courant.

RsUd
Id

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3. Résistance dynamique

Il s’agit du rapport entre une tension et un courant (loi d’ohm). Dans notre cas, il s’agit de la
valeur de la tension directe que l’on retrouve sur la courbe comme étant la valeur de la tension
entre les points A et B et le courant entre ces deux mêmes points.

Rd  Ud
Id

III. Limite d’utilisation d’une diode

Ces limites sont fixées par le fabricant, on retrouve :

 URM = tension inverse maximum. (C’est la valeur maximum que la diode peut
supporter en inverse)
 IAV = courant moyen direct. (C’est, en fait, le courant de service que peut supporter la
diode)
 Tj = température maximum de jonction. (Il est important de connaître cette
température afin de calculer le radiateur à placer, au besoin, sur la diode)
 IR = courant inverse. (C’est la valeur instantanée maximum du courant traversant la
diode polarisée en inverse.

IV. Choix d’une diode

Pour bien choisir une diode, il faut tenir compte de la tension maximum, du courant moyen
direct et de la température maximum de jonction.

Au niveau des valeurs usuelles des diodes, on considérera la chute de tension dans le sens
passant et la valeur maximum du courant direct.

V. La diode Zéner
1. Définition

Une diode zéner est une diode à jonction qui, sous une tension inverse un peu supérieure à la
valeur de claquage, supporte sans dommage un courant inverse relativement important. Le
claquage est donc réversible. Cette propriété a été obtenue par un dopage convenable du semi-
conducteur. La diode zéner est donc un composant non linéaire, dissymétrique, à seuils de
tension. En d’autre terme, la zone P et N d’une telle diode possède un nombre plus important
de porteurs majoritaires (dû à un plus grand dopage) et donc une zone de jonction plus étroite.
Cela à pour conséquence d’avoir un champ interne intense. Cela veut aussi dire que la tension
d’avalanche sera relativement faible.

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2. Représentation

Fig. 8. Symbole diode Zéner

3. Caractéristique

Dans le sens direct ou passant, elle est identique à celle d’une diode simple. Dans le sens
inverse ou bloqué, le courant reste nul ou négligeable tant que la tension du générateur n’est
pas devenue supérieure à la tension de zéner.

U=f(I)

12
10
8
6
4
I(A)

2
0
-6 -5 -4 -3 -2 -1 -2 0 1 2
-4
-6
U(V)

Fig. 9. U=f(I)

4. Utilisation

La propriété de cette diode est utilisée dans les montages stabilisateurs de tension.

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Fig. 10. Montage avec diode Zéner

Comme on le voit, le courant i qui passera dans la diode va dépendre du courant I2 qui
passera dans la résistance R2 ; à la limite, si le courant dans R2 est nul, le courant dans la
diode sera maximum. Je peux considérer que j’ai un générateur infini et en tirer que le courant
I1 est constant.

 Dans ces hypothèses, je peux dire que si I2 est maximum, i est minimum.
 Dans la zone avant stabilisation, la tension U2 est inférieure à Uz et le courant i reste
nul.
 Dans ce cas, le circuit se ramène à deux résistances en série.

U1U2. R1 R2
R2

Dans le domaine de stabilisation, la tension U2 reste égale à Uz et le courant i n’est plus nul.

U1Uz  R1.(i  Uz )
R2

Je peux donc dire que c’est la résistance R1 qui limitera le courant dans la zéner lorsque R2
sera déconnectée et c’est également R1 qui limitera le courant dans R2 lorsque cette dernière
sera minimum.

La valeur de R1 est donc très importante, voyons comment trouver sa valeur :

U1  U 2
R1  Nous prendrons le cas le plus défavorable et nous retiendrons que I1 = IZM
I1
lorsque I2 est nul.

La puissance dissipée par la résistance R1 pourra s’écrire : PR1  R1.I1² .

NIZAR SGHAIER 8
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Exemple numérique :

Soit à calculer la résistance de limitation du courant R1 à placer dans le cas d’une tension
d’alimentation du montage égale à U1 = 17V pour une tension de sortie U2 = 9,1V délivrée
par une diode zéner et pouvant dissiper une puissance de 1,3w ; le courant minimum devant
circuler dans la diode zéner est de 25mA.

1,3
IZM  Pz  143mA
U2 9,1

179,1
R1U1U2  55,2
IZM 143.10 3
soit 56 ohms

3
PR1R1.I1²56.143.10 1,145w

VI. Exercices

Exercice n° 1

Partie 1 diode linéarisée

On considère la courbe caractéristique I=f(UD) d’une diode à jonction figure (1) et elle est
placée dans un circuit fermé (figure 2)

Figure 1

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Figure 2

1/ en utilisant la loi des mailles, donner l’expression de la droite de charge I=f(UD)

2/Graphiquement, déterminer les valeurs de E et R ainsi que les coordonnées de point de
fonctionnement M
3/Donner le modèle électrique équivalent de la diode en mode de conduction.
4/Donner les valeurs numériques de la tension de seuil V et la résistance dynamique de la
diode.
Partie 2 : diode idéale
Maintenant, la diode est supposée parfaite et elle est placée dans un montage écrêteur comme
le montre la figure 3

Figure 3
5/ pour chaque état de la diode (état passant et état bloqué)
 Donner les valeurs de I et UD
 Tracer le schéma électrique équivalent du montage
 Donner l’encadrement sur la valeur de V1
 Donner l’expression de V2
6/ Tracer V2 en fonction de V1
Exercice n° 2

On considère le circuit électrique donné par la figure (4).

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Figure (4)

Les diodes D1 et D2 sont supposés parfaites (Vγ=0 V et r = 0 Ω).

1. Calculer U dans les deux cas suivants :

a. Ve=10V;
b. Ve=-10V;
2. Tracer U en fonction du temps si Ve(t) est sinusoïdale de valeur maximale VM =10V.
3. On remplace les deux résistances R/2 par deux diodes D 3 et D4 figure (5). La tension
Ve(t) est toujours sinusoïdale, que devient l’allure de la tension U(t)

Figure (5)

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Transistor Bipolaire
I. Principe de fonctionnement

Dans le transistor réel, on va apporter les trous en créant une jonction PN, que l'on va
polariser en direct. On rajoute pour ce faire une zone P sur la zone N du montage Fig. 1. Cette
zone P qui injecte les trous est alors l'émetteur, et la zone N, faiblement dopée est la base.
Comme dans le schéma de la Fig. 1., la jonction NP est polarisée en inverse. La deuxième
zone P est le collecteur (voir Fig. 1.).

Fig. 1. Schéma de principe d'un transistor.

En première approximation, le nombre de trous passant dans le collecteur est proportionnel au

nombre d'électrons injectés dans la base. Ce rapport de proportionnalité est un paramètre
intrinsèque au transistor et s'appelle le gain en courant.

On a les relations suivantes :

II. Constitution et caractéristiques physiques d'un transistor

Un transistor bipolaire est donc constitué de trois zones de silicium alternativement dopées N
et P, formant deux jonctions PN. C'est une des deux façons d'agencer les jonctions pour
fabriquer un transistor :

 Soit une zone P, une N et une P : le transistor est dit PNP.

 Soit une zone N, une P et une N : le transistor est dit NPN.

1. Transistor NPN

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Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont rentrants, et le

courant d'émetteur est sortant. Les tensions VBE et VCE sont ici positives.

Fig. 2. Courants et tensions sur un NPN.

2. Transistor PNP

Dans ce type de transistor, les courants de base et de collecteur sont sortants, et le courant
d'émetteur est rentrant. Les tensions VBE et VCE sont ici négatives.

Fig. 3. Courants et tensions sur un PNP.

III. Caractéristiques électriques.

Les transistors NPN sont plus répandus car ils ont de meilleures performances que les PNP (la
conductibilité du silicium N est meilleure que celle du silicium P, ainsi que la tenue en
tension).

1. Montages de base.

Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une patte commune à l'entrée et
à la sortie du montage, il y a 3 manières fondamentales de procéder :

 La patte commune est l'émetteur : on parle de montage émetteur commun. L'entrée

est la base et la sortie le collecteur.
 La patte commune est la base : on parle de montage base commune. L'entrée est
l'émetteur et la sortie le collecteur.
 La patte commune est le collecteur : on parle de montage collecteur commun.
L'entrée est la base et la sortie l'émetteur.

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Nous reverrons ces trois montages fondamentaux dans un chapitre spécifique.

2. Schéma de mesure des caractéristiques.

Les caractéristiques qui suivent sont données pour un montage émetteur commun. Le
schéma le plus simple est le suivant :

Fig. 4. Montage de base émetteur commun.

Dans ce schéma, la base est polarisée en direct par la résistance de base R b : le potentiel de la
base est alors de 0,7V environ, car l'émetteur est à la masse et la jonction base émetteur est
l'équivalent d'une diode passante.

Le collecteur est lui polarisé par la résistance de collecteur Rc de telle manière que la tension
du collecteur soit supérieure à la tension de la base : la jonction base collecteur est alors
polarisée en inverse.

On polarise donc convenablement le transistor avec une simple alimentation et deux

résistances. Dans ce montage, l'entrée est la base et la sortie est le collecteur.

L'entrée est caractérisée par les deux grandeurs IB et VBE, et la sortie par les grandeurs IC et
VCE, soit 4 variables.

3. Caractéristique d'entrée.

La caractéristique d'entrée du transistor est donnée par la relation IB = f (VBE) @ VCE = cte.

En fait, le circuit d'entrée est la jonction base émetteur du transistor, soit une jonction diode.

Cette caractéristique va dépendre très peu de la tension collecteur émetteur : on la donne en

général pour une seule valeur de VCE. La courbe est la suivante :

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Fig. 5. Caractéristique d'entrée du transistor.

La tension VBE est d'environ 0,7V pour une polarisation normale du transistor (courant de
base inférieur au mA). Cette valeur est donc légèrement supérieure à celle d'une jonction de
diode.

4. Caractéristique de transfert.

La caractéristique de transfert est définie par la relation IC = f (IB) @ VCE = cte.

Nous avons déjà dit que le courant d'émetteur est proportionnel au courant de base (formule
[1]).

Fig. 6. Caractéristique de transfert du transistor.

La caractéristique de transfert est donc une droite ; le transistor est un générateur de courant
commandé par un courant.

Si on considère le courant de fuite ICEO, la caractéristique ne passe pas par l'origine, car IC =
ICEO pour IB = 0.

5. Caractéristique de sortie.

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La caractéristique de sortie du transistor est définie par la relation IC = f (VCE) @ IB = cte. En

pratique, on donne un réseau de caractéristiques pour plusieurs valeurs de IB.

Fig. 7. Caractéristiques de sortie du transistor.

6. Limites d'utilisation.

Le transistor pourra fonctionner sans casser à l'intérieur d'un domaine d'utilisation bien
déterminé.

Ce domaine sera limité par trois paramètres :

 Le courant collecteur maxi ICMax.

 La tension de claquage VCEMax.
 La puissance maxi que peut supporter le transistor.

Fig. 8. Limites d'utilisation du transistor.

Toute la zone hachurée sur la caractéristique de sortie du transistor (Fig.8.) est donc interdite.

7. Paramètres essentiels des transistors.

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Le choix d'un transistor (au premier ordre) se fera en considérant les paramètres suivants :

 Le VCEMax que peut supporter le transistor.

 Le courant de collecteur maxi ICMax.
 La puissance maxi que le transistor aura à dissiper.
 Le gain en courant.

IV. Montage émetteur commun.

1. Polarisation. Point de fonctionnement.
a) Polarisation par une résistance.

Le montage le plus élémentaire tout en étant fonctionnel est le suivant :

Fig. 9. Polarisation par résistance de base.

Le fonctionnement est simple : le courant de base IBo est fixé par Rb, ce qui entraîne un
courant de collecteur ICo égal à IBo. Le courant collecteur étant fixé, la tension aux bornes de
Rc va être égale à Rc ICo. Le montage est entièrement déterminé.

Pour calculer les élément Rb et Rc, on va procéder à l'envers : on va partir de ce qu'on désire
(le courant ICo et la tension VCEo), et remonter la chaîne :

On se fixe un courant collecteur de repos ICo (c'est le courant de polarisation). Ce courant

sera choisi en fonction de l'application, et variera entre une dizaine de µA (applications très
faible bruit), et une dizaine de mA (meilleures performances en haute fréquence, soient
quelques MHz).

On se fixe une tension de collecteur VCEo, qu'on prend en général égale à E/2, pour que la
tension du collecteur puisse varier autant vers le haut que vers le bas lorsqu'on appliquera le
signal alternatif.

A résistance de collecteur Rc , en plus d'assurer une polarisation correcte de la jonction base-

collecteur, convertit le courant collecteur (et ses variations) en tension. Elle est déterminée par
la formule :

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le courant IBo est alors imposé par les caractéristiques de gain en courant du transistor (le

). On note ici qu'il est impératif de le connaître (donc de le mesurer) :

La résistance de base Rb est alors calculée à l'aide de la formule :

Pour ce faire, on prendra VBEo = 0,7V, car un calcul plus précis (il faudrait connaître la
caractéristique IB = f (VBE) pour le faire !) ne servirait à rien.

On peut résumer toute cette étape de polarisation sur un seul graphique :

Fig. 10. Polarisation du transistor.

b) Polarisation par pont de base.

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Ce schéma est un peu plus complexe que le précédent. Nous allons d'abord analyser les
différences, et ensuite, nous ne suivrons pas à pas la méthode de calcul de la polarisation.

Fig. 11. Polarisation par pont de base.

Par rapport au schéma Fig. 11, on note que la base est polarisée à l'aide d'un pont de
résistances Rb1 et Rb2. Le rôle de ces résistances sera de fixer le potentiel de base. Comme la
tension VBE est voisine de 0,7V, ceci impose de mettre une résistance entre l'émetteur et la
masse.

On fera les calculs dans l'ordre suivant :

On fixe le courant collecteur de repos ICo . A noter que le courant d'émetteur sera quasiment
le même car IC = IE - IB # IE.

On fixe le potentiel d'émetteur VEo (au maximum à E/3, et en pratique, une valeur plus
faible : 1 à 2V est une valeur assurant une assez bonne compensation thermique sans trop
diminuer la dynamique de sortie).

On calcule alors la résistance RE par la formule :

On se fixe la tension collecteur émetteur VCEo : en général, on la prendra égale à la moitié

de la tension disponible qui est égale non plus à E, mais à E - VEo. On en déduit la résistance
Rc :

NIZAR SGHAIER 19
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On fixe le courant du pont de base (on prendra une valeur moyenne pour le du transistor,
cette valeur n'étant pas critique ici) :

On calcule Rb2 (en règle générale, on prendra VBEo égal à 0,7V) :

On en déduit Rb1 :

Le point de repos du montage étant déterminé, on va passer au comportement en alternatif.

2. Schéma équivalent alternatif petits signaux du transistor. Paramètres hybrides.

En pratique, pour simplifier l'exposé, nous allons d'abord donner le schéma équivalent et les
équations qui s'y rapportent, pour ensuite justifier ces éléments à l'aide des caractéristiques
des transistors.

Nous avons les équations :

Ce sont les petites variations qui vont nous intéresser pour le schéma équivalent alternatif qui
est le suivant :

Fig. 12. Schéma équivalent du transistor NPN.

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L'appellation schéma équivalent du montage émetteur commun provient de la définition des

variables d'entrée et de sortie qui sont celle de ce type de montage.

Dans ce schéma, nous avons les relations suivantes :

L'indice e sur les paramètres hije (qu'on appelle paramètres de transfert) indique qu'il s'agit des
paramètres émetteur commun. On peut mettre le système [10] sous la forme matricielle
suivante :

Si on applique les règles définies sur la figure 11 on obtient :

Fig. 13. Schéma équivalent en alternatif.

a) Gain en tension.

Le gain en tension peut être défini de deux manières :

 Le gain à vide, c'est à dire sans charge connectée en sortie du montage.

 Le gain en charge, avec la charge connectée.

- Les deux résistances du pont de base sont en parallèle du point de vue alternatif. Nous
allons donc les remplacer par une seule résistance Rp dont la valeur sera égale à Rb1 //
Rb2.
- La résistance de sortie 1/h22e du transistor est grande. Pour une alimentation E de 12V,
un courant ICo de 2mA et une tension VCEo de 5V, on aura Rc = 2500 soit environ le
dixième de 1/h22e. On va donc négliger ce dernier terme. On notera que lorsque la
tension d'alimentation est élevée et que le courant de collecteur est faible, cette
simplification est moins justifiée.
- On supprime la charge Ru (hypothèse de calcul).

Avec ces hypothèses, le schéma devient :

NIZAR SGHAIER 21
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Fig. 14. Schéma équivalent simplifié.

On a les équations suivantes :

Si on pose h21e = (le gain dynamique est égal au gain statique), on obtient l'expression
du gain en tension :

Cette expression montre que le gain de l'étage dépend de deux paramètres du transistor : le
gain en courant  et la résistance dynamique d'entrée h11e .

b) Schéma équivalent de l'étage amplificateur.

Le schéma équivalent du montage amplificateur émetteur commun peut être représenté sous
la forme donnée figure 15 :

Fig. 15. Schéma équivalent de l'étage amplificateur.

Ce schéma va nous permettre de définir les impédances d'entrée et de sortie de notre étage.

 Impédance d'entrée.

NIZAR SGHAIER 22
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Par définition, et en se référant au schéma Fig. 15., l'impédance d'entrée est égale à :

Ici, le schéma est simple, le générateur d'entrée débite sur deux résistances en parallèle. On a
donc :

 Impédance de sortie.

Fig. 16. Transformation Norton / Thévenin.

Si on transforme la sortie du montage Fig. 15. en celle du schéma Fig. 16. (Transformation
Norton / Thévenin), on obtient le schéma de la figure 16. La résistance Rc qui était en
parallèle sur le générateur de courant h21e ib devient la résistance en série avec le générateur de
tension. L'impédance de sortie est donc ici très simple à identifier :

Cette valeur est assez élevée, et souvent, on ne pourra pas connecter le montage tel quel sur
une charge.

 Gain de l'étage en charge.

. Le gain devient :

 Bilan. Utilisation du montage.

Au final, le montage émetteur commun est un montage ayant :

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 Une bonne amplification en tension (de l'ordre de plusieurs centaines).

 Une impédance d'entrée relativement faible (égale à h11e, soit de l'ordre de plusieurs
k), variable en fonction de la polarisation (plus ICo est faible, plus l'impédance
d'entrée est élevée).
 Une impédance de sortie assez élevée Rc qui va aussi dépendre du courant de
polarisation ICo.

Ce montage est l'amplificateur de base à transistor et sera donc utilisé comme sous-fonction
dans des circuits plus complexes (discrets, ou intégrés comme dans l'amplificateur
opérationnel). Par contre, il sera souvent inexploitable seul, et il faudra lui adjoindre des
étages adaptateurs d'impédance.

V. Exercices

Exercice 1 :

Le transistor bipolaire est caractérisé par un gain statique en courant , une tension
.
On désire obtenir pour le point de polarisation

1- Calculer les valeurs des résistances R2, RC et RE.

2- On remplace la transistor T par un transistor T’ de ma même famille mais dont le gain
statique en courant .
Calculer le nouveau point de polarisation du transistor en conservant les valeurs des
résistances.

Exercice 2

On utilise un transistor bipolaire (NPN) au silicium pour amplifier des signaux de basses
fréquences et de faibles amplitudes.
On donne E=10 v, IB0=10µA, VB0=0.6v, VC0=5v, IC0=1mA
1- Calculer les valeurs des résistances R1, R2, RE et RC du schéma donné à la figure.

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2- Le schéma de la figure.1 peut être représenté par un schéma équivalent représenté à la

figure 2, calculer les éléments EB et RB.

Exercice n°3 :

On considère un amplificateur à transistor bipolaire (NPN), attaqué par un générateur

d’impédance interne rg=50Ω et chargé par une résistance RL=600Ω. L’alimentation continue
est E=12 v, tel que β=200, VBE=0,6v.
A-Etude statique :
1-On donne le point de polarisation IC=5,7 mA, VCE=5 v et VS=6,25 v, calculer les valeurs des
résistances.
2-Tracer la droite de charge statique et placer le point de polarisation M.
B-Etude dynamique :
1-Dessiner le schéma équivalent petit signaux dans la bonde passante.
2-Déterminer l’expression de l’amplification en tension à vide
3-Déterminer les expressions des impédances d’entrée et de sortie

NIZAR SGHAIER 25
 ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE

Amplificateur Opérationnel
I. Caractéristique de l'AOP idéal.

On se limitera à l'étude de l'amplificateur opérationnel idéal, c'est à dire sans défaut ni

limitation. La raison en est que dans les conditions où l'on utilisera l'AOP, ces défauts et
limitations seront négligeables.

1. Symbole :

Le symbole normalisé est représenté à la figure 1:

+VCC

E- _
 S
E+ +
-VCC

Fig. 1. AOP idéal

Il comporte 5 connexions :
- E + et E - sont respectivement les entrées non inverseuse et inverseuse. La différence de
potentielle entre ces deux entrées est appelée tension différentielle d'entrée Vd :
Vd  V E   V E  (II-1)
- S est la sortie,
- +VCC et –VCC correspondent aux tensions d'alimentation de l'AOP. Le plus souvent elles
sont de valeur identique (on alimente l'AOP par une alimentation symétrique) mais cela
n'est pas une obligation. Enfin, elles ne sont en général pas représentées dans les montages
électroniques, mais elles doivent être prises en compte si l'on veut appliquer la loi des
intensités (cf. chapitre 1 § I) à l'AOP.
Le symbole anglo-saxon (figure 2) est utilisé dans certains ouvrages :
E- _
S
E+ +

Fig. 2. Symbole AOP

2. Caractéristique.
a) Caractéristique d'entrée.
L'impédance d'entrée est infinie. La conséquence en est qu'aucun courant n'entre ou ne sort
des bornes E+ et E-.

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 ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE

E+ E-

0 0
Vd
b) Caractéristique de sortie
La sortie S doit être considérée comme un pôle d'une source de tension placée entre la masse
et S. C'est une source de tension liée à la tension différentielle d'entrée. La source étant idéale,
l'impédance série est nulle.

c) Caractéristique de transfert.
C'est la courbe (figure 3) représentant la valeur de la tension de sortie en fonction de la
tension d'entrée différentielle.
VS
+VCC

Vd

-VCC

Fig. 3. Caractéristique de transfert

Elle comporte deux domaines distincts :

- Le domaine linéaire pour lequel on à :
VS   Vd
Les domaines de saturation dans lesquels VS ne peut prendre que deux valeurs : + VCC ou –
VCC

De cette caractéristique on peut en déduire :

- Si VS est différente de + VCC ou de – VCC, alors la relation (II-2) impose Vd = 0.

- Si Vd ≠0, alors VS = + VCC ou - VCC

Notations : Dans la suite de ce cours :

- la tension Vd sera notée ꜫ
- la tension VE+ notée V+
- la tension VE- notée V-

d) Modèle équivalent.
On peut donc remplacer l'AOP par le schéma équivalent représenté figure 4 :

NIZAR SGHAIER 27
 ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE

E-

 S

V- E+ VS =   
V+

Fig. 4. Symbole AOP

II. Contre réaction et stabilité

1. Contre réaction.

Afin de contrôler la valeur de la tension de sortie, il est nécessaire de réaliser des montages
pour lesquels le coefficient l'amplification n'est pas infinie mais limitée à une valeur
déterminée par le concepteur.
On réalise donc des montages qui mettent en œuvre des contre réactions négatives : on
réinjecte une partie de la tension de sortie sur l'entrée inverseuse.

2. Stabilité

L'étude de la stabilité n'est pas au programme de la première année, et ne fera l'objet

d'aucune question à l'examen. Ce qui suit est donné à titre d'information.

Nous considérerons, pour réaliser les calculs dans ce paragraphe, que la tension de sortie de
l'AOP vaut :
VS  A   , avec A  

3. Contre réaction négative

Considérons le montage représenté à la figure 5 :

R2

R1
_

+ VS
Ve

Fig. 5. Symbole AOP

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On constate que :
R1
V  Ve et que :V  V S 
R1  R2
R1 V
   Ve  V S   S
R1  R2 A
 R1 1
 V S      Ve
 R1  R 2 A 
Comme A tend vers l’infini, on obtient :
R1  R2
VS   Ve
R1
Stabilité :
R1
Posons : k  d'où   Ve  k VS
R1  R2

Une petite perturbation est susceptible de modifier très légèrement la valeur de VS, entraînant
une modification de ᵡ:
- Si VS croît, ᵡ diminue donc VS décroît.
- Si VS décroît, ᵡ augmente donc VS croît.
Ce montage est donc stable.

4. Contre réaction positive

Si l'on inverse les bornes + et - (figure 6) les expressions deviennent :

R2

R1
+ 
_
VS
Ve

Fig. 6. AOP en contre réaction positive

R1
V  Ve et V   V S 
R1  R2
R1 V
   VS   Ve  S
R1  R2 A
 R1 1
 V S      Ve
 R1  R 2 A 
1/A tend vers 0, La valeur de la tension de sortie VS devrait être la même. Mais en pratique, on
n'obtient en sortie que deux valeurs : + ou - VCC. Ce montage est en effet instable :

NIZAR SGHAIER 29
 ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE

R1
Posons : k  d'où   k VS  Ve
R1  R2

Une petite perturbation est susceptible de modifier très légèrement la valeur de VS, entraînant
une modification de ᵡ :
- Si VS croît, ᵡ augmente donc VS continue de croître et "diverge" vers + VCC
- Si VS décroît, ᵡ diminue donc VS continue de décroître et "diverge" vers - VCC

5. Cas des montages à réaction positive et négative.

Ces montages (rarement utilisés) correspondent à la structure représentée figure 7.

R2-

R1-
_

+ VS
R1+

R2+

Fig. 7. AOP en contre réaction positive

On définit par k- le coefficient de contre réaction négative et par k+ le coefficient de contre

réaction positive :
R1 R1
k  et k  
R1  R2 R1  R2

Le montage est stable lorsque k- est supérieur à k+.

III. Méthode d'étude

On ne s'intéressera qu'à des montages sans contre réaction positive.

Considérons l’exemple représenté à la figure 8 :
R

R
_

+ VS
V1 R
R
V2

Fig. 8. Exemple AOP

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 ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE

Etape 1 :
Réaliser un schéma équivalent sans l’[Link]. : supprimer l’[Link]., placer une source de tension
VS entre S et la masse (figure 9).
Tous les dipôles en parallèle avec Vs peuvent être alors éliminés le temps du calcul :
R

R
V-
VS
V1 V+
R
R
V2

Fig. 9. Schéma équivalent AOP

Etape 2 :
A l’aide du théorème de Millman (ou du diviseur de tension) trouver les expressions des
potentiels V- et V+ sans les simplifier. Pour le cas de notre exemple, on obtient :
V1 VS V2

V  R R et V  R
11 11
R R R R
Etape 3 :
- Pour les montages avec contre réaction, Poser V- = V+, puis simplifier pour en déduire VS.
Pour notre exemple : VS V2 V1 , c’est un montage « soustracteur ».
- Pour les montages sans contre réaction négative :
- Si V+ > V- alors VS = + VCC
- Si V- > V+ alors VS = - VCC

IV. Quelques applications :

1. Montage suiveur.

Pour ce montage (figure 10) on a V+ = Ve et V- = VS donc VS = Ve. Mais l’impédance de la

source de tension ainsi réalisée est très faible.

_

+ VS
Ve

Fig. 10. Montage suiveur

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 ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE

2. Amplificateur non-inverseur

L’étude du montage représenté à la figure 5 conduit à :

V+ = Ve et V  R1VS ; d’où : VS 1 2 Ve
R
R1  R2 R  1 

3. Amplificateur inverseur.

R2
R1
_

Ve + VS

Fig. 11. Montage inverseur

L’étude du montage représenté à la figure 11 conduit à :

Ve VS

R1 R2
V+ = 0 et V  ; d’où : VS   R2  Ve
11 R1
R1 R2

V. Le composant

1 +VCC 8

2 E- _ 7

S
3 + 6
E+

4 -VCC 5

Fig. 12. AOP réel

Composant à 8 broches :
- Les broches 4 et 7 servent à l'alimentation,
- Les broches 2 et 3 sont les entrées
- La broche 6 correspond à la sortie.
- Les broches 1 et 5 sont parfois utilisables pour la correction d'offset
La broche 8 est non utilisée.
La distance entre les broches d’un même coté vaut 1/10 de pouce, celle entre les broches de
chaque coté vaut 3/10 de pouces (1 pouce = 25,4 mm).

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 ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE

VI. Exercices

Exercice n°1 :
Soit le circuit suivant :

Sachant que : Tous les AO sont parfaits et ils fonctionnement en régime linéaire

1. Exprimer Vs1 en fonction de V2,

2. En déduire V3 en fonction de V2, R1 et R2.
3. Exprimer VS2 en fonction de V1, V2, R1 et R2.
4. Exprimer VS en fonction de VS2, R3 et R4.
5. En déduire VS en fonction de V1, V2, R1, R2, R3 et R4.
Exercice n°2 :
La figure ci-dessous montre un montage amplificateur qui utilise un [Link]. idéal. Ce montage
peut réaliser l’une des trois fonctions suivantes : amplification de tension sans inversion,
amplification de tension avec inversion ou amplification de courant. On donne R0=180kΩ,
R=1kΩ, R1=R2=1.5kΩ.

1. Réalisation d’un amplificateur de tension non inverseur :

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 ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE

Pour réaliser un tel amplificateur, on relie la borne E2 à la masse et on applique une

tension d’entrée V1 entre la borne E1 et la masse. Déterminer l’expression du gain
Gv1=Vs/V1 du montage en fonction des résistances, simplifier le résultat lorsque R0 est
très supérieure aux résistances R, R1 et R2. Calculer sa valeur. Justifier le nom du
montage.
2. Réalisation d’un amplificateur inverseur
Pour réaliser cette fonction, on relie la borne E1 à la masse et on applique une tension
d’entrée V2 entre la borne E2 et la masse. Déterminer l’expression du gain Gv2=Vs/V2
du montage en fonction des résistances, simplifier le résultat obtenu lorsque R0 est très
supérieure à R, R1 et R2. Calculer la valeur de ce gain et justifier le nom du montage.
3. Réalisation d’un amplificateur de caurant
La borne E1 est maintenue à la masse. Un générateur de courant appliqué entre la borne
E2 et la masse envoie un courant Ie dans R. Déterminer l’expression du gain en courant
Gi=Is/Ie où Is est le courant qui monte dans la résistance R1. Calculer sa valeur et justifier
le nom du montage dans ce cas.

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 ÉLECTRONIQUE ANALOGIQUE

Références :

[1] Cours : Electronique générale

Auteur: Moncef BOUZIDI
ENSET, Tunisie, 1995
[2] Cours : Electronique générale
Auteurs: LAHIANI Mongi
ENIS, Tunisie, 2003

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