ROYAUME DU MAROC

UNIVERSITE HASSAN II
ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE
CASABLANCA

Electronique Analogique I

Exercices

A. ABOUDOU
Physique des semi-conducteurs

1
Exercice 1 :

On se propose de comparer la résistivité des semi-conducteurs intrinsèques Silicium et

Germanium à la température de 27 °C.
1- Calculer la concentration en électrons et en trous de chacun des semi-conducteurs.
2- Déterminer leurs résistivités respectives.
On donne : K = 1.38 10-23 J/K ; q = 1.6 10-19 C ; A = 1022 SI.
Pour le Silicium : µn = 0.2 m2/V.s ; µp = 0.05 m2/V.s ; Egap = 1.14 eV.
Pour le Germanium : µn = 0.36 m2/V.s ; µp = 0.17 m2/V.s ; Egap = 0.75 eV.

Attention : La température doit être exprimée en Kelvin : 𝑇 = 27 + 273 = 300 °𝐾

Exercice 2 :

Un barreau de Silicium de type P a pour résistivité  = 30 Ω.cm à 27 °C.

1- Déterminer la concentration en trous libres du barreau.
2- Déterminer la concentration en électrons libres du barreau.
On donne :
K = 1.38 10-23 J/K ; q = 1.6 10-19 C ; A = 1022 SI ; µp = 0.05 m2/V.s ; Egap = 1.14 eV.

Exercice 3 :

Dans un semi-conducteur intrinsèque de concentration ni, on introduit des atomes

d'impuretés trivalents avec une concentration Na.
1- En tenant compte de la recombinaison d'une partie des électrons et des trous initiaux,
montrer que la concentration r des électrons et des trous initiaux non recombinés est
r 2 + rNa − ni = 0
2
fournie par l'équation suivante :
2- Déduire la concentration en électrons et en trous libres dans le semi-conducteur dopé.

Application numérique :
K = 1.38 10-23 J/K ; A = 1022 SI ; Egap = 1.14 eV ; T =300 °K ; Na = 2 1012 at/cm3.

2
Jonction PN (La diode)

3
Exercice 1 :

Pour quelle tension, le courant bloquant d'une diode atteindra-t-il 90% de sa valeur de
saturation, à température ambiante (T = 300°K) ?

Exercice 2 :

Pour une diode au Germanium (Egap = 0.72 eV), on constate que Is = 10-6A à 300°K.
Sachant que ce courant à pour expression :
E
I s = CT 3 exp( − gap )
KT
Calculer :
a- La valeur de C ;
b- La valeur de Is pour T = 310 °K.

Exercice 3 :

a- Calculer le rapport entre le courant pour une polarisation directe de 0.05 V et le

courant pour la même polarisation en sens inverse (T=300°K)
b- Même question pour une polarisation de 0.1V dans les deux sens.

Exercice 4 :

Une diode au silicium est polarisée dans le sens passant avec Idirect = 2 mA à 300 °K,
calculer la valeur de rd.

Exercice 5 :

On suppose que la température d'une diode est de 25 °C et que le courant de saturation de

celle-ci est égal à 20 10-8 A. Calculer la résistance statique RS et la résistance dynamique
rd de cette diode, lorsque la tension à ses bornes est de 0.3V.

4
Applications des diodes

5
Exercice 1 :

Calculer le courant qui traverse la résistance R dans le cas d'une diode idéale et dans le cas
d'une diode présentant une tension de seuil Vb = 0.7V.

I
R = 5 K

10V
25V

Exercice 2 :

1- Calculer le courant direct maximal qui traverse la diode (diode idéale) ;

2- Dessiner la forme de la tension vo (t) ;
3- Quelle est la tension inverse maximale aux bornes de la diode.

ve (t)

10V io(t)

10 K vo (t)

-10V

Exercice 3 :

1- Calculer le courant maximal qui traverse la diode ;

2- Dessiner la forme de la tension vo (t) ;
3- Quelle est la tension inverse maximale aux bornes de la diode.
10 K
ve (t)
io(t)
20V

10 K 10 K vo (t)

-20V

6
Exercice 4 :

Soit le circuit de redressement simple alternance ci-dessous.

N 1
1- Déterminer la tension continue de charge, sachant que 2 = ;
N1 2
2- Déterminer la tension inverse crête aux bornes de la diode ;
3- On dispose d'un nombre de diodes, dont les caractéristiques sont les suivantes:

Diode Inam VR max (V)

1N914 50 mA - 20 V
1N1183 35 A - 50 V
1N4002 1A - 100 V
1N3070 100 mA - 175 V

Inam : Courant moyen redressé que la diode peut supporter sans dommage.
VR max : Tension inverse maximale que la diode peut supporter.
Quelles sont, parmi ces diodes, celles que l'on peut utiliser dans le montage ?

N1 N2

120 Veff RL=500  VL(t)

Exercice 5 :

N2 1
Soit le circuit ci-dessous, où le transformateur à point milieu utilisé est tel que = .
N1 3
1- Déterminer la tension crête de charge ;
2- Déterminer la tension continue de charge ;
3- Déduire le courant continu de charge ;
4- Calculer le courant moyen redressé dans chaque diode ;
5- Donner la tension inverse maximale aux bornes de chaque diode

N1 N2

120 Veff

300 

7
Exercice 6 :

N2 1
Sachant que = , Déterminer pour le circuit ci-dessous :
N1 4
1- La tension continue de charge ;
2- Le courant continu de charge ;
3- La tension inverse maximale aux bornes de chaque diode ;
4- Le courant continu traversant chaque diode ;

N1 N2

120 Veff

400 

Exercice 7 :

Pour le montage ci-dessous, on considère une tension efficace au secondaire du

transformateur de 17.7V :
1- Calculer la tension continue de charge ;
2- Calculer l'ondulation crête à crête (Vond) et déduire les nouvelles valeurs de la tension
de charge et du courant de charge ;
3- On désire obtenir la même ondulation crête à crête avec un redresseur simple alternance.
Calculer la capacité du condensateur de filtrage à utiliser.

1000 µF 100 

8
Exercice 8 :

Sachant que la tension efficace au secondaire du transformateur est de 460V, calculer pour
les deux circuits ci-dessous :
1- La tension idéale de charge ;
2- La tension inverse maximale aux bornes de chaque diode.
Rc

C C

C
Circuit a

Rc

C C

C C
Circuit b

Exercice 9 :

Soit le circuit ci-dessous.

1- Calculer le courant Zener minimal et maximal, sachant que VZ = 10V;

2- La diode Zener présente une résistance rZ = 7 Ω. Calculer la variation de la tension de
sortie Vc, lorsque la tension de source varie entre 20V et 40V.

9
 R=820

IZ

Ve=20V à 40V VZ

Exercice 10 :

Le circuit ci-dessous présente un régulateur en tête (pré régulateur) attaquant un régulateur

de sortie. La source à une grande ondulation qui varie de 35 V à 60 V.
Sachant que (VZ1 = 20 V, rZ1 = 25Ω) et (VZ2 = 10 V, rZ2 = 7Ω) :

1- Calculer la tension de sortie ;

2- Calculer l'ondulation de sortie.

R1=750 R2=1 K

35V à 60V DZ1 DZ2 2 K Vc

Exercice 11 :

Soit le circuit ci-dessous.

1- Sachant que VZ = 10V, calculer le courant Zener pour chacune des charges suivantes :
Rc = 100 KΩ, Rc = 10 KΩ et Rc = 1 KΩ.
2- La diode Zener présente une résistance rZ = 10 Ω. Calculer la variation de la tension de
sortie Vc, lorsque l'ondulation crête à crête de la tension de source Vs est de 4V ;
3- Calculer la valeur de la charge pour laquelle le régulateur Zener cessera de fonctionner.

R = 1.5 KΩ
Ic

IZ

Ve=40 V VZ Rc

10
Transistor bipolaire

11
Exercice 1 :

On désire déterminer les éléments de polarisation du transistor du montage émetteur

commun ci-dessous.
1- Déterminer, par application du théorème de Thevenin, la f.é.m EB et la résistance RB
du générateur de Thevenin qui alimente la base.
2- La tension d'alimentation étant imposée, Vcc = 38 V, on a choisi : RC = 4.7 KΩ et RB
= 18 KΩ, calculer RE, R1 et R2 pour le point de repos suivant : VBE = 0.6V ; VCE =
11V ; IC = 4mA ; IB = 80µA.
+Vcc

R1 RC

R2 RE

Exercice 2 :

Le transistor du montage ci-après est caractérisé par le réseau de caractéristiques

statiques suivant :

12
 IC (mA)

IB = 35µA
S
IB = 30µA

IB = 25µA
S0 IB = 20µA

IB = 15µA
IB = 10µA
IB = 5µA
30 1

IB (µA) 1 VCE (V)

0.6 V

VBE (V)

Vcc=10V

RB = 470 KΩ RC = 1KΩ

1- Déterminer le point de repos du montage ;

2- Que devient ce point de repos si RB = 200 KΩ.

13
Exercice 3 :

Le transistor du montage ci-dessous est caractérisé par le réseau de sortie suivant :

IC (mA)

IB = 60µA

IB = 50µA

IB = 40µA

IB = 30µA

IB = 20µA

IB = 10µA
1

1 VCE (V)

Vcc=11V

RC = 1KΩ

RB = 180 KΩ

Déterminer le point de repos du montage.

On admettra que IC = β.IB avec β =170 et VBE = 0.6V.

14
Exercice 4 :

Le montage ci-dessous est caractérisé par le même réseau de sortie que précédemment :
On désire le point de repos suivant : VCE = 6V ; VBE = 0.6V et IB = 0.03mA.
1- Sachant que RC = 1 KΩ et Rb = 100 KΩ, déterminer les valeurs de RE et Ra.
2- Pour quelle valeur limite de Ra aura-t-on blocage du transistor?

Vcc=15V

Rb RC

Ib IB

Ib-IB

Ra RE

Exercice 5 :

Soit le montage ci-dessous :

Vcc=13V

RB RC

RE

On désire le point de repos suivant : VCE = 6V ; VBE = 0.6V et IB = 0.02mA.

1- Sachant que RB = 470 KΩ, calculer RE et RC.

2- Pour quelle valeur de RB (RE et RC gardant les valeurs trouvées) aura-t-on saturation du
transistor?
On donne β =170 et VCEsat = 0.2V.

Exercice 6 :

Calculer le gain en courant, le gain en tension, l’impédance d'entrée et l’impédance de sortie

de chacun des amplificateurs ci-dessous.
On donne les paramètres hybrides en montage Emetteur commun :
h11E = 3.5 KΩ ; h21E = 120 ; h22E = 3.5 µS ; h12E = 0.

15
 Vcc=10V

Rb=10K RC=3.6K C2
is
C1
ie

vs Ru=1.5K
ve
Ra=2.2K RE=1.1K CE

Amplificateur a

Vcc=10V

Rb=10K

ie C1
C2 is

ve
Ra=10K RE=4.3K vs Ru=620Ω

Amplificateur b

Exercice 7 :

1- Calculer le gain en courant et le gain en tension du premier étage de l'amplificateur

suivant (on prendra pour les transistors les mêmes paramètres hybrides que
précédemment) :
2- Calculer le gain en tension du deuxième étage
3- En déduire le gain en tension total de l'amplificateur

Vcc=15V

Rb1=22K RC1=8.2K Rb2=22K RC2=8.2K

is
ie
T1 C2 T2 C3
C1
vs Ru=51K
ve Ra1=3.9K Ra2=3.9K
C4 C5
RE1=2K RE2=2K

16
Transistor a Effet de Champ

17
Exercice 1 :

1- Soit le circuit a ci-dessous.

Les paramètres du TEC utilisé sont : IDSS = 13 mA et VGS(blocage) = -4.5 V. Calculer les
résistances de polarisation RS et RD pour VGS = -2V et VDS = 10V.
2- Même question pour le circuit b.

20 V 20 V

RD R1 = 2.2MΩ RD

RG = 2.2MΩ
RS R2 = 560KΩ RS

Circuit a Circuit b

Exercice 2 :

Soient deux Transistors à Effet de Champ, notés respectivement TEC1 et TEC2.

La fiche signalétique de chacun d'eux, indique les limites suivantes :
- TEC1 : IDSS = 1.6 mA ; VGS(blocage) = -2 V.
- TEC2 : IDSS = 7.05 mA ; VGS(blocage) = -5 V.
La figure ci-après montre leurs caractéristiques de transfert ID = f (VGS), ainsi que deux
droites de polarisation notées respectivement 1 et 2.
1- Déterminer dans les deux cas de polarisation, le courant drain de chaque transistor ainsi
que les valeurs de RS et EG.
2- Préciser le type de polarisation de chaque droite.
3- Quelle droite de polarisation doit-on utiliser, si les limites extrêmes du courant drain
sont : 0.8 mA< ID <1.2 mA ?

18
 ID (mA)

TEC2
TEC1

1.2
2

0.8

1

0.4

VGS (V)
-4 -3 -2 -1 0

Exercice 3 :

1- La résistance de la région ohmique du TEC à jonction du circuit a ci-dessous est de

120 Ω. La tension d'entrée VE = 20mV. Calculer VS lorsque la tension Vcommande est
nulle, et lorsque Vcommande est plus négative que VGS(blocage).
2- Même question pour le circuit b.
2.2K

VE VS VE 1.8K VS
Vcommande Vcommande

Circuit a Circuit b

Exercice 4 :

On peut utiliser un TEC comme limiteur de courant pour protéger une charge contre un
courant excessif. Le TEC du circuit ci-après à un courant IDSS = 16 mA et une résistance de sa
région ohmique de 200 Ω.
1- En supposant que la résistance de charge est de 10 KΩ, calculer le courant et la tension
de charge.

19
 2- En supposant maintenant que la charge est accidentellement court-circuitée, calculer le
courant et la tension de charge. Déduire VDS.

30 V

Rc Charge

Exercice 5 :

Le montage ci-dessous représente un amplificateur polarisé automatiquement. La

courbe représente sa caractéristique de transfert.
1- Déterminer ID et VGS de repos.
2- Calculer la tension continue entre le Drain et la masse.
3- Calculer gm lorsque VGS = 0 V et VGS = -2 V.
4- Calculer la tension alternative entre les bornes de la résistance de charge.

15V

RD=1.8K C2

rg=100K C1 vs

2mV Ru=10K
RG=10M RS=270Ω C3

20
 ID (mA)

12

10

VGS (V)
-4 -3 -2 -1 0

Exercice 6 :

Soit l'amplificateur ci-dessous.

1- En posant VGS = -1 V, calculer ID, VGM, VSM et VDM.
2- Calculer la tension alternative entre les bornes de la résistance de charge (On prendra
gm = 2.1 mS).

15V

R1=10M RD=1.8K C2

Rg=100K C1 vs

Ru=12K
5mV
R2=10M RS=4.3K C3

21
Amplificateurs differentiels

22
Exercice 1 :
Soit l’étage différentiel ci-dessous où les transistors sont supposés identiques.
On donne : E = 20V, RE = 5KΩ, RC = 1KΩ, Rg = 100Ω, VBE = 0.6V
25mV
h11 = , h21 = 50, h12 = 0 et h22 = 0
IB
1- Déterminer le point de repos
2- Donner le schéma dynamique équivalent
3- Dans le cas d’un montage asymétrique (VS = VS2), calculer VS =f (Ad, AMC) et déduire
le gain différentiel Ad, le gain en mode commun AMC et le taux de réjection en mode
commun TRMC
4- Dans le cas du montage symétrique (VS=VS1S2), calculer le gain différentiel.
5- Déterminer l’impédance d’entrée en mode commun
6- Calculer l’impédance d’entrée différentielle
E

RC RC

S1 S2

T1 T2

Rg Rg

RE
e1 e2
E

Exercice 2 :
Les deux transistors ont des paramètres légèrement différents :
T1 : h11= r1=1.5 KΩ, h21=β1= 100, h12 = 0 et h22 = 0
T2 : h11 =r2= 1.45KΩ, h21 =β2= 105, h12 = 0 et h22 = 0
Rc = 5 KΩ et R est infinie
1- Donner le schéma dynamique équivalent
2- Calculer le gain différentiel Ad à sorties flottantes
3- Calculer l’impédance d’entrée différentielle.
E

RC RC

S1 S2

T1 T2

ve-
ve+
I R

23
24