CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS A DECOUPAGE A TRANSFORMATEUR Page 6-1

6.
Alimentations à découpage
à transformateur

6.1 CONVERTISSEUR À STOCKAGE INDUCTIF AVEC ISOLATION GALVANIQUE

6.1.1 Montage FLYBACK

6.1.1.1 Généralités
Le montage Flyback est basé sur celui du hacheur à stockage inductif (Buck-Boost converter ou step-
down/up converter), comme l’illustre la Figure 6.1
D

Q
U L C R

(a)
D

Q
U L C R

1:1

(b)
D

Q
U Lh C R

1:1

(c)

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS A DECOUPAGE A TRANSFORMATEUR Page 6-2

D
n1 : n2

C R

(d)
Figure 6.1 : Dérivation du hacheur Flyback

La fonction de base de l’inductance est inchangée et la mise en parallèle des bobinages (Figure 6.1 (b))
est équivalente à un bobinage unique. A la Figure 6.1 (c), la connexion entre les deux bobinages est
rompue. Un des bobinages est utilisé lorsque le transistor Q conduit tandis que le second est actif
lorsque la diode D est conductrice. Le courant totalisé est inchangé entre les Figure 6.1 (b) et (c),
cependant le courant est distribué de manière différente. Le courant magnétisant dans le matériau
magnétique est en tout point identique dans les deux cas. La Figure 6.1 (d) est fonctionnellement
identique à la Figure 6.1 (c). Pour des raisons de simplification pratique, le transistor Q est placé de
manière à pouvoir utiliser le retour de l’alimentation comme référence. De plus, pour facilité la
compréhension, le bobinage secondaire est retourné ainsi que la polarité de la diode. Pour l’analyse de
ce montage, on utilisera le modèle défini dans à la section précédente, illustré à la Figure 6.2.
D1
i=i1 n1 : n2 i2 iD
n2
ih n1 i2 iR
iC

u1 Lh u2 uC

U
Transformateur

Q1

Figure 6.2 : Montage Flyback avec modèle du transformateur réel

Lorsque le transistor Q1 conduit, l’énergie délivrée par la source est stockée dans l’inductance
magnétisante Lh. Lorsque la diode conduit, l’énergie stockée est transférée à la charge avec une
tension et un courant dont le niveau est défini par le rapport de transformation n1/n2.

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION A DECOUPAGE A TRANSFORMATEUR Page 6-3

6.1.2 Conduction continue

6.1.2.1 Relations générales en conduction continue

0 ≤ t < te=D⋅TP D⋅TP =te ≤ t < Tp
Q conduit, D ouvert Q ouvert, D conduit
i=i1 n1 : n2 i2 D : OFF iD i=i1 n1 : n2 i2 D : ON iD
n2 n2
ih n1 i2 iR ih n1 i2 iR
iC iC
u1 Lh u2 uC u1 Lh u2 uC

U U
Transformateur Transformateur

Q : ON Q : OFF

Hypothèse : uc=UC ⇒ Δuc=0, l’ondulation de la tension aux bornes du condensateur est nulle

Tension aux bornes de l’inductance magnétisante

Δih[t e ] n1 Δih[t d ]
[te ]
U
1 =U [te ]
Lh = U = Lh ⋅ U [t d ]
1 =U [t d ]
Lh = − U C = Lh ⋅
te n2 td

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION A DECOUPAGE A TRANSFORMATEUR Page 6-4

Courant moyen dans le condensateur

n1
I C[ te ] = − I R[ te ] = − I R I C[ td ] = I h − I R[ td ]
n2

Courant moyen fournit par l’alimentation (courant moyen dans le transistor Q)

I = Ih I =0

Courant moyen dans la diode

n1
I D[te ] = 0 I D[ td ] = Ih
n2

Valeurs moyennes pondérées

D 1-D

n1 n2 D
D ⋅ U Lh
[te ]
+ (1 − D) ⋅ U Lh
[t d ]
= D ⋅ (U ) + (1 − D) ⋅ (− UC ) = 0 ⇒ UC = ⋅U
n2 n1 1 − D
n1 n1
D ⋅ I C[ te ] + (1 − D ) ⋅ I C[td ] = D ⋅ (− I R ) + (1 − D ) ⋅ (− I R + Ih ) = 0 ⇒ IR = (1 − D) ⋅ I h
n2 n2

I = D ⋅ I [te ] + (1 − D) ⋅ I [td ] = D ⋅ I h ⇒ I = D ⋅ Ih

n1
I D = D ⋅ I D[te ] + (1 − D) ⋅ I D[td ] = (1 − D) ⋅ I L ⇒ ID = (1 − D ) ⋅ I h
n2

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION A DECOUPAGE A TRANSFORMATEUR Page 6-5

6.1.2.2 Ondulation de courant dans le domaine de la conduction continue

0 ≤ t < te=D⋅TP D⋅TP =te ≤ t < Tp
Q conduit, D ouvert Q ouvert, D conduit
i=i1 n1 : n2 i2 D : OFF iD i=i1 n1 : n2 i2 D : ON iD
n2 n2
ih n1 i 2 iR ih n1 i2 iR
iC iC
u1 Lh u2 uC u1 Lh u2 uC

i1
U U
Transformateur Transformateur

Q : ON Q : OFF

Ondulation de courant aux bornes de l’inductance

[te ] [t d ]
U U U Lh n U
Δih[t e ] = Lh
⋅ te = ⋅ t e Δih[t d ] = ⋅ td = − 1 C ⋅ td
Lh Lh Lh n2 Lh
U Lh = 0 ⇒ Δih = Δih[ te ] = −Δih[td ]

U ⋅ Tp n1 U C ⋅ T p
Δih = ih MAX − ih MIN = ⋅D = ⋅ (1 − D)
Lh n2 L

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-6

La Figure 6.3 montre les divers courants et tensions apparaissant dans le montage Flyback en
conduction continue.

u1(t)

U
t
-n1
n2 UC
ih(t)
ihMAX
ihMIN
t

iQ(t)

ihMAX
ihMIN
t

iD(t)
n1 i
n2 hMAX
n1 i
n2 hMIN
t
uQ(t)
n
U+ n1 uC
2

t
uD(t)
t
n
uC- n2 U
1

uC(t)
uCMAX
uCMIN

Figure 6.3 : Conduction continue

Pour des raisons de choix de transistor, il est également important de connaître la tension maximum
aux bornes de ce dernier. On peut dire que durant l’intervalle te ≤ t < Tp

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-7

n1 U
uQ = U + UC = 6.1
n2 1− D

6.1.3 Limite de la conduction continue

Les résultats peuvent être obtenus par similitude avec le cas du hacheur à stockage inductif. Notons
qu’il existe un fonctionnement en régime d’auto-oscillation. Dans ce mode, le transistor est ouvert
lorsque le courant magnétisant du transformateur atteint une valeur déterminée. La prochaine
fermeture du transistor aura lieu lorsque le courant dans la diode sera nul.
Ce mode présente deux avantages et deux inconvénients.
− La mise en conduction du transistor et le blocage de la diode se font à courant nul. Cela
réduit les pertes de commutation du transistor et les perturbations induites par la charge de
recouvrement de la diode.
− Les valeurs du flux et, par-là, du courant magnétisant sont réduites. L’énergie stockée dans
l’inductance de magnétisation est moins importante, ce qui permet la réduction de la taille
du transformateur.
− L’ondulation du courant magnétisant est plus forte, ce qui augmente le facteur de
dimensionnement du transformateur
− Le fonctionnement à fréquence variable rend plus difficile le filtrage

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-8

6.1.4 Fonctionnement en conduction intermittente

Dans ce cas également, il existe une similitude avec le hacheur à stockage inductif

u1(t)

U
t
-n1U
n2 C
ih(t)

ihMAX
t

iQ(t)

ihMAX
t

iD(t)

n1
n2 ihMAX
t
uQ(t)
n
U+ n1 uC
2

U
t
uD(t)
t
n
uC- n2 U
1

uC

uC(t)
uCMAX
uCMIN

Figure 6.4 : Conduction intermittente

6.1.5 Considération sur le transfert d’énergie

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-9

Le montage Flyback travaille selon deux phases distinctes. La première correspond à un stockage
d’énergie sous forme de champs magnétique dans le transformateur, le secondaire de ce dernier
étant ouvert. La seconde correspond à une restitution de cette énergie au secondaire du
transformateur.
Deux modes opératoires sont clairement identifiables.
− Transfert complet d’énergie (mode de conduction intermittent), mode dans lequel l’énergie
stockée lors de la fermeture du transistor est complètement restituée (aux pertes près) au
secondaire lors de la phase d’ouverture du transistor.
− Transfert partiel d’énergie (mode de conduction continue), mode dans lequel seule une
partie de l’énergie stockée dans le transformateur est restituée au secondaire

6.1.5.1 Phase de stockage de l’énergie

Lorsque le transistor Q est fermé, le primaire du transformateur est alimenté par la source de tension
U. La diode D placée à la sortie du secondaire est en polarisation inverse et par conséquent aucun
courant ne circule dans le bobinage secondaire. Durant cette phase de stockage, seul le bobinage
primaire est actif et le transformateur peut être traité comme une simple inductance. Le temps
d’enclenchement du transistor étant beaucoup plus petit que la constante de temps électrique du
bobinage primaire, on peut admettre une croissance linéaire duc courant dans ce dernier. Le champ
d’induction magnétique B va donc croître de Br (Induction rémanente) à Bmax (correspondant au
courant maximum dans le bobinage primaire). La Figure 6.5 illustre cette phase

ih

te t
B
Bsat
Bmax

Br

Figure 6.5 : Phase de stockage d’énergie

6.1.5.2 Phase de transfert de l’énergie

Lorsque le transistor est ouvert, le courant dans le bobinage primaire du transformateur est nul. Le
courant magnétisant circule maintenant dans secondaire du transformateur, la diode placée sur la
sortie étant conductrice. Le niveau de ce courant dépend du rapport de transformation alors que son
sens est celui défini par la loi de Lenz. Durant la phase « Flyback », le courant magnétisant va

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-10

décroître jusqu’à la qu’il atteigne zéro dans le cas du transfert complet d’énergie ou jusqu’au
moment de la fermeture du transistor dans le cas d’un transfert d’énergie partielle. La Figure 6.6
illustre cette phase

ih

td t
B
Bsat
Bmax

Br

Figure 6.6 : Phase de transfert d’énergie

6.1.5.3 Transfert complet d’énergie

Pour un mode de transfert complet d’énergie, le courant magnétisant s’annule, lors de la phase de
transfert, avant la fermeture du transistor (origine de la période de commutation suivante). Le champ
d’induction magnétique B passe de sa valeur maximum Bmax à sa valeur rémanente Br (valeur
correspondant à un courant magnétisant nul).

6.1.5.4 Transfert partiel d’énergie

En régime permanent (U = cte et UC = cte), la croissance et la décroissance du courant magnétisant
ne peuvent pas varier. Par contre, lors d’une phase transitoire correspondant par exemple à un
accroissement du courant de charge, le temps d’enclenchement du transistor Q1 augmente et par
voie de conséquence, le temps de transfert d’énergie diminue. Le courant magnétisant ne s’annule
plus à la fin d’une période de pulsation. Le mode de conduction est continu et lors du retour en
régime permanent, l’énergie transférée de l’entrée vers la sortie est augmentée.
Il est important de ne pas faire une confusion sur le terme de transfert partiel d’énergie. En mode de
conduction continue, l’énergie fournie par la source est transférée aux pertes près à la sortie. Par
contre, le courant magnétisant n’étant jamais nul on peut dire qu’une énergie magnétique subsiste
dans le transformateur. La valeur de cette énergie résiduelle est identique à chaque fin de période
de pulsation. Elle sera restituée lors du passage du mode de conduction continue au mode de
conduction intermittent, par exemple lors d’une diminution du courant de charge.

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-11

6.1.5.5 Capacité de transmission d’énergie d’un transformateur

Le courant magnétisant d’un montage Flyback est unipolaire. Le transformateur travaille donc dans
le quadrant I uniquement. On peut montrer que pour un même transformateur, il est possible
d’augmenter le transfert d’énergie. La Figure 6.7 montre qu’en ajoutant un entrefer, il est possible
pour un transformateur de transmettre plus de puissance en conduction continue (transfert partiel
d’énergie) que ce même transformateur sans entrefer le ferait en conduction discontinue (transfert
complet d’énergie).

B B

Bmax1 Bmax2

Energie transferée
Energie dissipée dans
le noyau magnétique
Bmin2
Br

H H

Figure 6.7 : Influence d’un entrefer sur le transfert d’énergie

6.1.6 Dimensionnement du transformateur d’un montage Flyback

Dans ce paragraphe, nous allons utiliser une approche itérative pratique pour le dimensionnement
du transformateur utilisé dans un montage Flyback. Les points principaux sont la sélection du noyau
magnétique (taille et matériau), dimensionnement de l’inductance de champ principal, de l’entrefer,
le nombre de spires au primaire.

6.1.6.1 Paramètre du noyau et effet de l’entrefer

La Figure 6.8 montre l’allure typique du cycle d’hystérèse B/H pour un noyau en ferrite, sans et avec
entrefer. Il faut noter que la perméabilité (pente) du cycle d’hystérèse varie avec la longueur de
l’entrefer. Par contre le niveau de saturation du champ d’induction magnétique Bsat reste le même.
Le niveau du champ magnétique H est beaucoup plus élevé et le champ d’induction magnétique
rémanent est beaucoup plus petit dans le cas d’un entrefer non nul. L’adjonction d’un entrefer est
donc largement profitable dans le cas d’un transformateur pour montage Flyback, lequel travaille
uniquement dans le premier quadrant de la caractéristique B/H.

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-12

BDC ΔΗAC

ΔBAC BDC

Cycle d'hysterese Cycle d'hysterese

du noyau magnétique du noyau magnétique
sans entrefer avec entrefer

HDC1 HDC1 H
ΔΗAC

Figure 6.8 : Caractéristiques magnétiques typiques d’un transformateur utilisé dans un montage Flyback

6.1.6.2 Effet d’un entrefer sur les conditions AC

La Figure 6.9 montre clairement que l’augmentation de l’entrefer entraîne une diminution de la pente
de la caractéristique B/H mais ne change pas la valeur crête-crête du champ d’induction magnétique
ΔBAC. En effet ΔBAC est proportionnel au produit de la tension appliquée au primaire par le temps
d’enclenchement du transistor, et par conséquent ΔBAC est défini par les conditions AC extérieures,
et non pas par la taille de l’entrefer.
Par contre cette augmentation de l’entrefer provoque une augmentation de la valeur crête-crête du
champ magnétique ΔHAC. Ceci correspond à une diminution effective de la perméabilité du circuit
magnétique et par conséquent une diminution de l’inductance de champ principal..
On peut donc dire que les conditions AC appliquées agissent sur l’axe vertical des caractéristiques
B/H, provoquant une modification du champ magnétique ΔHAC. Dans ce cas H doit être considéré
comme une variable dépendante.
Une erreur classique est de croire qu’un circuit magnétique saturé, suite à un nombre de spires
primaire insuffisant ou un produit U⋅te excessif, peut être corrigé par l’adjonction d’un entrefer. Ceci
est faux car l’entrefer ne modifie pas le niveau du champ d’induction magnétique de saturation Bsat.
Par contre l’introduction d’un entrefer réduit la valeur du champ d’induction magnétique rémanent Br
et par conséquent permet d’augmenter la plage de travail de ΔBAC, ce qui peut être intéressant dans
le cas de la conduction intermittente.

6.1.6.3 Effet d’un entrefer sur les conditions DC

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-13

Un courant continu dans le bobinage (conduction continue) produit un champ magnétique HDC
proportionnel. Pour un courant de charge donné, HDC est parfaitement défini. On voit donc que pour
les conditions DC, BDC doit être considérée comme une variable dépendante.
La Figure 6.8 montre que l’adjonction d’un entrefer permet au circuit magnétique de supporter un
champ magnétique HDC beaucoup plus important sans apparition de saturation. Par conséquent, un
entrefer est très efficace pour prévenir la saturation du circuit magnétique lorsque qu’il y a une
composante de courant DC (amélioration de la plage de conduction continue).

6.1.6.4 Conclusions
Le produit de la tension appliquée au primaire par le temps d’enclenchement du transistor Q1 et la
section du circuit magnétique Ae définissent la valeur AC crête-crête du champ d’induction
magnétique ΔBAC. Le courant continu (charge), le nombre de spires et la longueur équivalente du
circuit magnétique définissent la valeur du champ magnétique HDC. Ou en d’autres mots, un nombre
de spires et une section du circuit magnétique suffisante doivent être assurés pour supporter les
conditions AC alors qu’un entrefer suffisant permet d’éviter la saturation du circuit magnétique en
accord avec les conditions DC.

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-14

6.2 CONVERTISSEUR DE TYPE SÉRIE AVEC ISOLATION GALVANIQUE

6.2.1 Montage FORWARD

Le montage Forward est dérivé du montage Buck. La continuité du courant de sortie, comme pour
tous les montages dérivés du montage Buck, fait que le convertisseur Forward est très bien adapté
aux applications demandant de fort courant de sortie.
D2
n1 : n2 : n3 iD2 L
i i

iC iR
u1 u3 uD3 uC
D3

Q D1

Figure 6.9 : Montage Forward

6.2.2 Etude du fonctionnement

La Figure 6.10 illustre le montage Forward avec le modèle équivalent du transformateur
D2
i n1 : n2 : n3
iD2 L
iL
i1
ih iR
iC
Lh
u1 u3 uD3 uC R
D3
C
U i3
i2

Q
D1

Figure 6.10 : Montage Forward avec modèle du transformateur réel

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-15

6.2.2.1 Intervalle de conduction du transistor

Durant le premier intervalle de la période de pulsation Tp, le transistor Q1 est conducteur. La diode
D2 est polarisée dans le sens passant alors que les diodes D1 et D3 sont bloquées. La tension U de
la source est appliquée aux bornes du bobinage primaire du transformateur et le courant
magnétisant ih croît linéairement pour atteindre un maximum à la fin du temps d’enclenchement

U U ⋅ Tp
ihMAX = ih (t e ) = ⋅ te = ⋅D 6.2
Lh Lh

la tension aux bornes de D3 vaut

n3
uD3 = U 6.3
n1

i n1 : n2 : n3
iD2 D2 : ON L i
i1
ih iR
iC
u1 Lh u3 uD3 uC R
D3 : OFF C
U i3
i2
D1 : OFF

Q : ON

Figure 6.11 : Montage Forward avec Q1 et D2 conducteurs

6.2.2.2 Extinction du courant magnétisant

Le second intervalle commence lorsque le transistor Q1 est déclenché. La Figure 6.12 illustre les
parties actives dans cet intervalle. Le courant magnétisant ih(t) est positif et doit continuer de circuler.
Puisque le transistor Q1 est ouvert, le circuit équivalent montre que le courant magnétisant ih en
conjonction avec le sens des bobinages primaire et auxiliaire entraîne la polarisation de la diode D1
dans le sens direct et par conséquent la circulation d’un courant dans le bobinage auxiliaire. Le
courant dans le bobinage auxiliaire vaut

n1
i2 (t ) = ih ( t ) 6.4
n2

La tension aux bornes du bobinage auxiliaire est égale à

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-16

u 2 ( t ) = U 2 = −U 6.5

et par conséquent, la tension aux bornes de l’inductance magnétisante, référée au primaire du

transformateur est exprimée par la relation

n1 n
u1 (t ) = ⋅ u 2 (t ) = − 1 ⋅ U 6.6
n2 n2

Cette tension négative aux bornes de l’inductance magnétisante entraîne une décroissance de
courant magnétisant dont la dérivée vaut

d n U
ih (t ) = − 1 ⋅ 6.7
dt n2 Lh

La tension aux bornes du bobinage connecté au circuit de sortie est également négative

n3 n
u 3 (t ) = ⋅ u 2 (t ) = − 3 ⋅ U 6.8
n2 n2

puisque la diode D2 est bloquée, c’est la diode D3 qui assure la continuité du courant dans
l’inductance L.

i n1 : n2 : n3
L iL
i1 D2 : OFF
ih iC iR

u1 Lh u3 D3 : ON uD3 uC R
C
U i3
n1
i2 = n ih
2

Q : OFF D1 : ON

Figure 6.12 : Montage Forward avec D1 et D3 conducteurs

6.2.2.3 Intervalle à courant magnétisant nul

Lorsque le courant magnétisant s’annule, la diode D1 se trouve en polarisation inverse. Les
semiconducteurs Q1, D1 et D2 se trouve dans l’état bloqué. Le courant magnétisant reste nul jusqu’à
la fin de la période de pulsation. En appliquant le principe que la valeur moyenne de la tension aux
bornes de l’inductance magnétisante est nulle en régime permanent, on peut affirmer que la tension
moyenne aux bornes du primaire du transformateur (c’est à dire aux bornes de l’inductance
magnétisante) est nulle

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-17

n1
U 1 = D ⋅ U + D2 ⋅ ( − ⋅ U ) + D3 ⋅ (0) = 0 6.9
n2

Avec D, rapport cyclique d’enclenchement, D1, temps d’extinction du courant rapporté à la période
de pulsation Tp et D3 temps pendant lequel le courant magnétisant est nul, rapporté à la période de
pulsation Tp.
De la relation 6.9 on en déduit le rapport cyclique d’extinction du courant D2

n2
D2 = ⋅D 6.10
n1

Le courant magnétisant doit impérativement est nul avant le prochain enclenchement du transistor.
En effet, afin d’éviter la saturation du circuit magnétique du transformateur, l’inductance de champ
principal Lh, en conjonction avec la diode D1, doit travailler dans en mode de conduction discontinu.
Par conséquent, le rapport cyclique D3 ne peut pas être négatif. Sachant que

D3 = 1 − D − D2 ≥ 0 6.11

on peut écrire

n2
D3 = 1 − D ⋅ (1 + )≥0 6.12
n1

et donc la condition sur le rapport cyclique d’enclenchement de Q1 devient

1
D≤
n 6.13
1+ 2
n1

L’inductance de sortie L relation avec la diode D3 peut fonctionner en mode continu ou discontinu.
n1 : n2 : n3
i
D2 : OFF L iL
i1
ih iR
iC
u1
Lh u3 D3 : ON uD3 uC R
C
U i3
i2

Q : OFF D1 : OFF

Figure 6.13 : Montage Forward avec Q1, D1, D2, D3 bloqués

6.2.2.4 Allures temporelles des tensions et courants

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-18

La Figure 6.14 illustre les allures des principales grandeurs électriques du montage FORWARD.
Les grandeurs de sortie, c’est-à-dire les courants dans la charge IR, dans le condensateur ic, dans
l’inductance iL ainsi que les tensions correspondantes se calculent de la même manière que pour le
montage BUCK.

u1
U

n1
n2 U
ih

n1 U
U n2 L h
Lh
t
uD3
n3
n1 U

DTp D2Tp D3Tp t

Tp

Figure 6.14 : Montage Forward : allures des grandeurs électriques principales

6.2.2.5 Rapport de transformation global

Pour obtenir la tension de sortie du montage Forward, il suffit d’appliquer le principe de la tension
moyenne nulle aux bornes de l’inductance L du filtre de sortie en régime permanent

n3
u D3 = U C = U 3 ⋅ D = ⋅ D ⋅U 6.14
n1

Cette relation est valable pour le mode de conduction continue.

6.2.2.6 Facteur dimensionnant du transistor Q1

La relation 6.14 montre que le rapport cyclique D maximum pourrait être augmenté en diminuant le
rapport du nombre de spires n2/n1. En effet dans ce cas la décroissance du courant magnétisant
durant la phase d’extinction se trouve augmentée. Malheureusement, une diminution de n1/n2
entraîne une augmentation de la tension aux bornes du transistor Q1. La tension maximum
appliquée aux bornes du transistor durant l’intervalle d’extinction du courant magnétisant est
exprimée par la relation

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-19

n1
uQ1 = U ⋅ (1 + ), 6.15
n2

ce qui corrobore l’affirmation qui précède.

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-20

6.3 CONVERTISSEUR DE TYPE SYMÉTRIQUE AVEC ISOLATION GALVANIQUE

6.3.1 Montage PUSH-PULL (pont complet)

Comme pour le montage Forward, le montage Push-Pull est dérivé du montage Buck. Ce type de
convertisseur est particulièrement bien adapté pour les basses tensions de sortie avec forts
courants.
Le bobinage secondaire avec point milieu peut être vu comme deux bobinages séparés et donc être
traité comme un transformateur à trois bobinages dont le rapport du nombre de spires est défini
comme n1:n2:n2.

Q1 D1 Q3 D3 D5
i n1:n2:n2 iD5 L iL

iC iR
u2 us
U u1 uC
u2 iD6

Q2 D2 Q4 D4 D6

Figure 6.15 : Montage Push-Pull

6.3.2 Etude de fonctionnement

Lorsque le transformateur est remplacé par son modèle équivalent réel, on obtient le schéma illustré
à la Figure 6.16.

Q1 D1 Q3 D3 D5 L
i i1 n1:n2:n'2 i2 iD5 iL

ih us iC iR
u2
u1 uC
U
Lh u'2 iD6

Idéal i'2
Q2 D2 Q4 D4 Transformateur D6

Figure 6.16 : Montage Push-Pull avec modèle du transformateur réel

L’allure des grandeurs électriques principales sont montrées à la Figure 6.17.

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-21

ih(t)

u1(t)

iL(t)
ΔiL

us(t)

n2
n1 U

iD5(t)

i(t)
0.5 i(t)
t

iD6(t)

i(t)
0.5 i(t)
t
DTP
TP

Q1 D5 Q2 D5
Q4 D6 Q3 D6
D5 D6

Figure 6.17 : Montage Push-Pull : allures des grandeurs électriques principales

La sortie du convertisseur est similaire à un montage Buck si l’on compare la tension us(t) et i(t) à
uD(t) et iL(t).

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-22

Durant le premier intervalle 0 ≤ t < DTp, Q1 et Q4 sont conducteurs et la tension U se trouve aux
bornes du primaire du transformateur, soit

u1 (t ) = U 6.16

Le courant magnétisant ih va donc croître selon la relation

U
ih ( t ) = ⋅t 6.17
Lh

La tension apparaissant au secondaire entre le point milieu et chaque sortie vaut

n2 n
u 2 (t ) = ⋅ u1 (t ) = 2 ⋅ U 6.18
n1 n1

ceci avec le signe défini par les points de polarité. La diode D5 est donc conductrice, alors que D6,
polarisée dans le sens inverse, est bloquée. La tension de sortie vaut donc

n2
uC ( t ) = u 2 ( t ) = ⋅U . 6.19
n1

Le courant i circulant dans l’inductance du filtre de sortie passe par D5.

Plusieurs scénarios sont possibles pour le second intervalle DTp ≤ t < Tp. Dans la plupart des cas,
les quatre transistors sont ouverts fixant la tension aux bornes de l’inductance magnétisante Lh à

u1 ( t ) = 0 . 6.20

Durant ce second intervalle, le courant dans les diodes D5 et D6 est fonction du courant circulant
dans l’inductance L du filtre de sortie et su courant magnétisant ih. Dans le cas idéal (sans courant
magnétisant), les courants iD5 et iD6 sont égaux (i1(t)=0). Ils assurent la continuité du courant dans
l’inductance L

iD 5 (t ) + iD 6 (t ) = iL (t ) 6.21

En pratique, les courants circulant dans les diodes D5 et D6 sont légèrement différents si l’on tient
compte du courant magnétisant. La partie idéale du transformateur obéit à la loi

n1 ⋅ i1 (t ) − n2 ⋅ iD 5 (t ) + n2 ⋅ iD 6 (t ) = 0 6.22

La somme des courants au nœud d’entrée du transformateur vaut

i(t ) = ih (t ) + i1 (t ) 6.23

En éliminant i1(t) des deux équations précédentes, on obtient

n1 ⋅ i (t ) − n2 ⋅ iD 5 (t ) + n2 ⋅ iD 6 (t ) = n1 ⋅ ih (t ) 6.24

Cette relation décrit, dans le cas général, la liaison entre les courants circulant de part et d’autre du
transformateur durant le second intervalle. La répartition du courant magnétisant dans les trois

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-23

bobinages du transformateur dépend des caractéristiques i,v des transistors conducteurs et des
diodes. Dans le cas ou i(t)=0, on peut écrire en admettant que les caractéristiques des diodes D5 et
D6 sont identiques

1 1 n
iD 5 (t ) = ⋅ iL (t ) − ⋅ 1 ⋅ ih (t )
2 2 n2
6.25
1 1 n
iD 6 (t ) = ⋅ iL (t ) + ⋅ 1 ⋅ ih (t )
2 2 n2

Dans un cas de charge nominal, le courant dans la charge et par conséquent dans l’inductance L du
filtre de sortie est beaucoup plus grand que le courant magnétisant.
La prochaine période de pulsation Tp est similaire à la précédente, exception faite que la tension
appliquée au primaire du transformateur est de polarité opposée.
En effet durant l’intervalle Tp ≤ t < (Tp+D⋅Tp), ce sont les transistors Q2 et Q3 et la diode D6 qui sont
conducteurs. La tension appliquée au primaire vaut u1(t) = -U, laquelle provoque une décroissance
du courant magnétisant ih selon la pente –U/Lh. Les diodes D5 et D6 redeviennent les deux
conductrices durant l’intervalle (Tp+D⋅Tp) ≤ t < 2Tp.
La fréquence de l’ondulation de courant dans l’inductance est égale à fp alors que celle du courant
magnétisant est de ½ fp, réduisant du même coup les pertes fer du transformateur.
En appliquant le principe de la tension moyenne nulle aux bornes de l’inductance magnétisante du
transformateur en régime permanent, on peut écrire

(U − {ΔU Q1 + ΔU Q4 })⋅ (D ⋅ T p ) − (U − {ΔU Q2 + ΔU Q3 })⋅ (D ⋅ T p ) = 0 . 6.26

En pratique, les asymétries du pont (dispersion des caractéristiques des composants) font qu’il est
difficile voir impossible d’assurer une tension moyenne nulle aux bornes du transformateur. Il y a
donc risque de voir le courant magnétisant moyen augmenter et donc provoquer la saturation du
noyau magnétique du transformateur. Un moyen d’éviter ce phénomène est d’ajouter un
condensateur en série avec le primaire du transformateur. Puisqu’en régime permanent, le courant
moyen aux bornes du condensateur est nul, nous avons la certitude que dernier aura à ces bornes
la tension résultante des asymétries du pont.. Il existe une topologie de demi-pont où une branche
du pont du montage push-pull est remplacée par deux condensateurs.
Le montage Push-Pull est en principe utilisé pour des puissances supérieures à 750W. Pour des
puissances inférieures on lui préfère des montages moins gourmands en composants.

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-24

6.4 ÉVALUATION ET DIMENSIONNEMENT DES CONVERTISSEURS DC-DC

6.4.1 Généralités
Il n’existe pas de choix définitif et absolu de topologie de convertisseurs DC-DC qui conviennent à
toutes les applications. Pour chaque application et ses spécifications propres, une étude
comparative devrait être effectuée avant le choix d’une topologie. Plusieurs solutions dont le résultat
est conforme aux spécifications doivent être considérées, pour chaque approche, il est important de
définir des critères tels que la tension maximum apparaissant aux bornes du transistor, le courant
efficace, la taille du transformateur, etc … Ce type de comparaison quantitatif peut conduire à la
sélection de la meilleure topologie en évitant l’avis subjectif du concepteur.

6.4.2 Stress et taux d’utilisation des semiconducteurs (transistor)

Ce sont souvent les semiconducteurs qui représentent le coût le plus élevé des convertisseurs DC-
DC. De plus, les pertes associées à la conduction et à la commutation des semiconducteurs sont
dominantes. Ces affirmations suggèrent donc une évaluation du niveau de stress imposé aux
semiconducteurs. La minimisation du stress de ces derniers conduit à une réduction de la surface
totale de silicium lors de la réalisation. Il est d’usage de comparer la somme totale du stress imposé
à chaque semiconducteur. Dans un bon design, les tensions et courants dédicacés à chaque
semicondcteur doivent être minimisés, alors que la puissance est maximisée. Si un convertisseur
DC-DC contient k semiconducteurs, le stress global S peut être défini par
k
S = ∑U j ( peak ) ⋅ I j ( rms ) 6.27
j =1

où Uj(peak) est la pointe de tension appliquée aux bornes du semiconducteur et Ij(rms) le courant
efficace qui le traverse. Si la puissance consommée par la charge est vaut Pcharge, le taux
d’utilisation du composant est défini comme

Pch arg e
TC = 6.28
S

Le taux d’utilisation TC est plus petit que 1 dans les convertisseurs DC-DC et sa valeur doit être
maximisée.

6.4.2.1 Pointe de tension sur les transistors pour les montages étudiés
Les pointes de tension rencontrées pour chaque montage avec isolation galvanique sont rappelées
ci-dessous.

6.4.2.1.1 Montage Flyback

n1 D U
uQ1( peak ) = U + UC = U +U ⋅ = 6.29
n2 1− D 1− D

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-25

6.4.2.1.2 Montage Forward

n1
uQ1( peak ) = U ⋅ (1 + ) 6.30
n2

6.4.2.1.3 Montage Push-Pull

uQ1,2,3,4 ( peak ) = U 6.31

6.4.2.2 Courant efficace sur les transistors pour les montages étudiés
Pour la détermination des courants efficaces on peut négliger l’ondulation de courant dans les
inductances. En effet on peut montrer que
− pour un courant continu avec ondulation superposée à croissance et décroissance linéaire

i(t)
Δi

t
DTp
Tp

Figure 6.18 : Courant continu avec ondulation superposée

2
1 ⎛ Δi ⎞
I ( rms ) = I ⋅ 1+ ⋅⎜ ⎟ 6.32
12 ⎝ I ⎠

− pour un courant pulsé avec croissance linéaire du courant

i(t)
Δi

t
DTp
Tp

Figure 6.19 : Courant pulsé avec ondulation superposée

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-26

2
1 ⎛ Δi ⎞
I ( rms ) = I ⋅ D ⋅ 1+ ⋅⎜ ⎟ 6.33
12 ⎝ I ⎠

Le tableau comparatif ci-dessous permet d’estimer l’erreur faite lorsque l’on s’affranchit de
l’ondulation superposée
Ondulation de courant
Courant continu avec ondulation Courant pulsé
rapportée au courant I
Δi = 0 ⋅ I I D ⋅I
Δi = 0.2 ⋅ I 1.00167 ⋅ I 1.00167 ⋅ D ⋅ I
Δi = 0.5 ⋅ I 1.01036 ⋅ I 1.01036 ⋅ D ⋅ I
Δi = 1 ⋅ I 1.04083⋅ I 1.04083 ⋅ D ⋅ I
Δi = 2 ⋅ I 1.15470 ⋅ I 1.15470 ⋅ D ⋅ I

6.4.2.2.1 Montage Flyback

Tp D⋅T p

∫ (iQ (t ))
1 1
I Q ( rms ) = ⋅ ∫ iQ 2 ⋅ dt = ⋅ 2
⋅ dt
Tp 0 Tp 0
D⋅T p 2
1 ⎛ n2 1 ⎞ 6.34
≅
Tp
⋅ ∫ ⎜⎜ ⋅
⎝ n1 1 − D
⋅ I R ⎟⎟ ⋅ dt
⎠
0

n2 D
= ⋅ ⋅ IR
n1 1 − D

6.4.2.2.2 Montage Forward

Tp D⋅T p

∫ (iQ (t ))
1 1
I Q ( rms ) = ⋅ ∫ iQ 2 ⋅ dt = ⋅ 2
⋅ dt
Tp 0 Tp 0
D⋅T p 2
1 ⎛ n3 ⎞ 6.35
≅
Tp
⋅ ∫ ⎜⎜ ⋅ I R ⎟⎟ ⋅ dt
⎝ n1 ⎠
0

n3
= ⋅ D ⋅ IR
n1

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-27

6.4.2.2.3 Montage Push-Pull

2⋅T p D⋅T p

∫ (iQ (t ) )
1 1
= ⋅ ∫ iQ ⋅ dt = ⋅ ⋅ dt
2 2
I Q1,2,3,4 ( rms )
2 ⋅Tp 0
2 ⋅Tp 0
D⋅T p 2
1 ⎛ n2 ⎞ 6.36
≅
2 ⋅Tp
⋅ ∫ ⎜⎜ ⋅ I R ⎟⎟ ⋅ dt
⎝ n1 ⎠
0

n2 D
= ⋅ ⋅ IR
n1 2

6.4.2.3 Taux d’utilisation des transistors pour les montages étudiés

6.4.2.3.1 Montage Flyback

Le stress global s’exprime par la relation

U n2 D U D PLOAD
S= ⋅ ⋅ ⋅ IR = C ⋅ ⋅ IR = 6.37
1 − D n1 1 − D D 1− D D ⋅ (1 − D )

et par conséquent le taux d’utilisation peut être défini comme

PLOAD
TC = = D ⋅ (1 − D ) 6.38
S

6.4.2.3.2 Montage Forward

Le stress global s’exprime par la relation

n 2 n3 U n
S = U ⋅ (1 + ) ⋅ ⋅ D ⋅ I R = C ⋅ (1 + 2 ) ⋅ D ⋅ I R
n1 n1 D n3
6.39
1 n
= ⋅ (1 + 2 ) ⋅ PLOAD
D n1

et par conséquent le taux d’utilisation peut être défini comme

PLOAD 1
TC = = ⋅ D
S n2 6.40
1+
n1

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATION À DÉCOUPAGE À TRANSFORMATEUR Page 6-28

6.4.2.3.3 Montage Push-Pull

Le stress global s’exprime par la relation

n2 D U D P
S =U ⋅ ⋅ ⋅ IR = C ⋅ ⋅ I R = LOAD 6.41
n1 2 D 2 2⋅ D

et par conséquent le taux d’utilisation peut être défini comme

PLOAD
TC = = 2⋅D 6.42
S

SYSTÈMES ÉLECTRONIQUES I , 1ÈRE PARTIE