Scribd
Importer
219 vues3 pages

Exercices sur Transistors Bipolaires

Le document présente une série d'exercices sur les transistors bipolaires NPN, abordant des calculs de polarisation, de saturation et de fonctionnement en commutation. Chaque exercice fournit des paramètres spécifiques pour déterminer les résistances, les courants et les tensions nécessaires dans divers montages. Les exercices incluent également des applications pratiques comme le contrôle d'une LED et le fonctionnement d'un relais.

Transféré par

Ala Eddine Madiouni
Copyright
© © All Rights Reserved
Nous prenons très au sérieux les droits relatifs au contenu. Si vous pensez qu’il s’agit de votre contenu, signalez une atteinte au droit d’auteur ici.
Formats disponibles
Téléchargez aux formats PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd
219 vues3 pages

Exercices sur Transistors Bipolaires

Le document présente une série d'exercices sur les transistors bipolaires NPN, abordant des calculs de polarisation, de saturation et de fonctionnement en commutation. Chaque exercice fournit des paramètres spécifiques pour déterminer les résistances, les courants et les tensions nécessaires dans divers montages. Les exercices incluent également des applications pratiques comme le contrôle d'une LED et le fonctionnement d'un relais.

Transféré par

Ala Eddine Madiouni
Copyright
© © All Rights Reserved
Nous prenons très au sérieux les droits relatifs au contenu. Si vous pensez qu’il s’agit de votre contenu, signalez une atteinte au droit d’auteur ici.
Formats disponibles
Téléchargez aux formats PDF, TXT ou lisez en ligne sur Scribd

Electronique Analogique

TD : Transistors bipolaires
Exercice 1

Calculer les résistances nécessaires à la polarisation d’un transistor NPN au silicium dans
chacun des trois montages suivants. On donne β=100, Vcc = 10V et on désire que le point de
repos soit fixé à VCE0 = 5V, IC0 = 1mA et VBE0 = 0.7V.

Ic Rc = 4RE
Ip = 10 IB
Ip

Exercice 2

Le transistor dans le montage ci-contre travaille en régime de commutation.


1- Déterminer le courant de saturation ICsat .
2- Quelle est la valeur de IBsat nécessaire pour produire la saturation.
3- Quelle est la valeur minimale de Ve nécessaire pour produire la saturation.
On donne β = 150 , Vcc = 5V , RB = 1MΩ , RC = 10kΩ et VBE0 = 0.7V .

Exercice 3

Un transistor NPN au silicium est utilisé dans le montage Ic


suivant.
On donne β =120 , EC= 12V , VBE = 0.7V , RB =50kΩ , RC=
1kΩ . La FEM EB croit lentement de -5V à +15V.
1- Déterminer la valeur de EB lorsque :
a- le transistor cesse d’être bloqué
b- le transistor commence à être saturé.
2- Construire les graphes IB =f (EB)

HANENE CHALANDI 1
Electronique Analogique

Exercice 4

Le transistor du montage ci-dessus fonctionne en commutation. Dans son circuit de collecteur


est placée la bobine d'un relais NO.
EB = 5V , EC = 24V
Transistor : β =100 , VCEsat = 0.1V
Bobine : VN = 24V , Rbo = 100Ω.

1- Calculer le courant circulant dans la bobine du relais.


2- Déterminer le courant IB nécessaire pour saturer le transistor.
3- En déduire la valeur de la résistance de base RB .

Ic

Exercice 5

On donne RB = 430 K Ω, RC = RE = 2 K Ω
β = 100, VBE = 0,7 V. Vcc = 15 V , IC = IE

1- Calculer Les coordonnées du point de fonctionnement IC0, VCE0,


2- Tracer la droite de charge statique et le point de fonctionnement, en respectant
l'échelle.

HANENE CHALANDI 2
Electronique Analogique

Exercice 6

Le montage ci-contre sert à visualiser la sortie d'un opérateur logique a l'état haut par
l'intermédiaire d'une LED :
LED : VD = 1.6V , ID = 20mA .
Transistor : β = 100 , VBE = 0.7V , VCEsat = 0.2V
Opérateur logique TTL : VOHmin = 2.4 V , IOHmax =0.4mA

1- Pourquoi on ajoute le transistor ?


2- Dimensionner les éléments résistifs si Vcc = 5V

Exercice 7

Le transistor dans le montage ci-contre travaille en régime de commutation. Complétez le


tableau et déduire la fonction du montage.

Ve1 Ve2 Diode D1 Diode D2 Transistor VS

HANENE CHALANDI 3

Vous aimerez peut-être aussi