UNIVERSITE MARIEN NGOUABI
Ecole Nationale Supérieure Polytechnique
(ENSP)
Exposé sur le
Transistor IGBT
Sous l’encadrement de : Etudiant-Chercheur :
Pr GOGOM Mathurin Verlan Chrice IKAMA
Transistor IGBT
Contenu :
➢ Généralités
➢ Structures de l’IGBT
➢ Mode de fonctionnement de l’IGBT
➢ Applications
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Transistor IGBT
I. Généralités
Le transistor bipolaire et le MOSFET ont des caractéristiques complémentaires. Le premier présente de faibles pertes de conduction,
spécialement pour des tenues en tension de claquage importantes, mais présente des temps de commutation élevés, spécialement à l'ouverture.
Le MOSFET peut être commuté beaucoup plus rapidement, mais les pertes de conduction de ce dernier sont plus importantes, surtout pour des
composants prévus pour supporter des tensions de claquage élevées. Ces observations ont conduit à la réalisation d'une combinaison entre ces
deux types de composants pour aboutir à l'IGBT.
Le transistor IGBT utilise une commande en tension. Le circuit entre grille et émetteur se comporte comme une capacité qu’il faut charger ou
décharger. Une tension 𝑈𝐺𝐸 négative ou nulle maintient le transistor bloqué. En donnant à 𝑈𝐺𝐸 une valeur positive suffisante, le transistor devient
passant.
Le transistor IGBT est passant si les conditions
suivantes sont satisfaites :
➢ tension principale 𝑈𝐶𝐸 > 0 ;
➢ tension de commande 𝑈𝐺𝐸 > 𝑉0 tension de
Figure 2 : Caractéristique de l’IGBT en seuil de quelques volts.
Figure 1 : Transistor IGBT mode interrupteur
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II. Structures de l’IGBT
III.1. Structure PT
Les IGBT de type PT (punch through, punch : perforation through : à travers) ou asymétrique ainsi appelés car la zone 𝑁 − est percée par le
champ électrique à l'état bloqué, possèdent une couche 𝑁 + (buffer) de faible épaisseur entre la zone 𝑁 − et le substrat 𝑃+ . Cette couche permet
de réduire l'épaisseur de la zone 𝑁 − pour une valeur donnée de la tension de claquage de la jonction 𝐽2 et sert de centre de recombinaison pour
les électrons de la zone 𝑁 − à la fin de la phase de blocage. Les IGBT de type PT perdent leurs capacités de tenue de tension inverse qui ne peut
pas dépasser quelques dizaines de volts à cause du fort dopage des deux zones situées de part et d'autre de la jonction 𝐽1 .
Figure 3 : Cellule élémentaire de type PT
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III.2. Structure NPT
Les IGBT de type NPT (non punch-through) ou symétrique présente une zone 𝑁 − qui n'est jamais complètement envahie par la zone de
déplétion à l'état bloqué. La jonction 𝐽1 est réalisée de façon à réduire l'injection de trou du substrat 𝑃+ vers la zone 𝑁 − . La fraction de courant 𝐼𝐶
due au courant d'électrons et empruntant les canaux est donc très importante (jusqu'à 90%) et la charge stockée à évacuer par recombinaison,
directement liée au courant de trous, est plus faible, entraînant une commutation au blocage plus rapide que pour l'IGBT de type PT.
Figure 4 : Cellule élémentaire de type NPT
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III.3. Comparaison entre IGBT type PT et NPT
Les IGBT de type PT ont un comportement au blocage, fortement dépendant de la température (Figure 5) et présente un courant de queue
nettement supérieure au type NPT. Une comparaison montre qu’un IGBT de type NPT dissipe moins d'énergie qu'un IGBT de type PT lors de la
commutation à l'ouverture. On voit à la Figure 6 que la commutation est non seulement plus rapide que pour un IGBT de type PT mais aussi assez
peu dépendante de la température.
Figure 5 : Commutation à l’ouverture d’un IGBT de type PT Figure 6 : Commutation à l’ouverture d’un IGBT de type NPT
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III. Mode de fonctionnement de l’IGBT
En électronique de puissance, l’IGBT est utilisé comme élément de commutation et par conséquent présente deux états distincts.
III.4. Comportement à l’état bloqué
La tension Grille – Emetteur contrôle l'état de l’IGBT. Lorsque la tension U𝐺𝐸 est inférieure à la tension de seuil 𝑉0, il n'y a pas de couche
d'inversion permettant de créer un canal N entre Emetteur et Collecteur et le composant se trouve donc à l'état bloqué. La tension appliquée entre
Collecteur et Emetteur se trouve aux bornes de la jonction 𝐽2 et seule un faible courant de fuite peut circuler.
III.5. Comportement à l’état passant
Lorsque la tension U𝐺𝐸 excède la tension de seuil 𝑉0, une zone d'inversion se crée au-dessous de la Grille de l'IGBT. Cette zone d'inversion
court-circuite la zone faiblement dopée 𝑁 − à la zone 𝑁 + en contact avec l'Emetteur. Un courant d'électron circule dans cette zone d'inversion,
lequel à son tour provoque une injection de trou de la couche 𝑃 + de Collecteur dans la zone 𝑁 − . L'injection de trous (porteurs minoritaires) dans
la zone 𝑁 − provoque une augmentation de la conductivité de cette dernière par un facteur allant de 10 à 100. Ces trous injectés dans la zone 𝑁 −
prennent une grande variété de chemins et atteignent la zone de diffusion P qui entoure les zones 𝑁 + en contact avec l'Emetteur. Aussitôt que
ces trous sont arrivés dans la zone de diffusion P, leurs charges spatiales attirent des électrons de l'Emetteur par la zone de métallisation et se
recombinent avec ces derniers.
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Figure 7 : Répartition des courants dans l’IGBT
IV. Applications
Les applications usuelles de l’IGBT sont les onduleurs, redresseurs et hacheurs pour les alimentations à découpage et la variation de vitesse,
mais aussi pour les FACTS.
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