COMPTE RENDU DU TP1 :
CARACTÉRISTIQUES DE DIODES – MATÉRIAUX SEMI-CONDUCTEURS
1) Les objectifs du tp :
*Etudier les caractéristiques de plusieurs diodes : Diode 1N4001 , Diode
électroluminescentes RGB , Diode Zener .
*Comparer les caractéristiques des différentes diodes
*Extraire les paramètres des diodes à partir des caractéristiques obtenues
*Déduire le matériau semi-conducteur utilisé dans chaque diode
|) Etude de la diode 1N4001 :
Soit le montage suivant réalisé dans la séance du tp :
*On mesure le courant Id à l’aide de l’ampèremètre Agilent U3401A / HP34401A et la tension Vd à
l’aide du multimètre U2741A.
<= ici, on fixe la tension à 0V
<= On augmente très légèrement la tension
jusqu’à obtenir un courant de quelques dixièmes de
µA
*On enregistre plusieurs valeurs bien choisies pour des courants inférieurs à 1mA ,ensuite on a
rentre les données sur ce tableau EXCEL ci dessous :
*on trace la caractéristique Id (Vd) de la diode :
Zone linéaire
Zone de
coude
* Tracer un nouveau graphique Vd (Id) avec les couples de valeurs identifiées :
D’après le cours on sait que : dans la zone linéaire , la tension augmente et le courant devient fort.
La résistance interne (semiconducteur / contacts) de la diode devient prépondérante. Le
comportement est alors linéaire de la forme :
Vd = V0 + Rd. Id
D’où :
V0= 0.7237 V
Rd = 0.008 ohm
*On trace la caractéristique Id(Vd) de la diode :
Entre 0.3 ET 0.55
Dans cette zone, Is étant très faible, on peut faire l’approximation que :
𝐼𝑑 = .𝑒𝑥𝑝 ( 𝑉𝑑 /𝜂Vt )
Avec : 𝜂 :le facteur d’idéalité de la diode
On a d’après l’équation :
1/𝜂Vt =2,47 avec Vt=25mV
D’où 𝜂= 2,47*25*10^(-3)=0,06175 ( résultat logique car 𝜂 est comprise
entre 1 et 2 )
On a Is= 𝐼𝑑/𝑒( 𝑉𝑑 /𝜂Vt )
AN: D’où Is = 4,26
Remplissage de l’annexe 1 (tableau 1) :
0.7237 [Tapez 4,26 0,06175
une
3 .1045
|) Etude de la diode électroluminiscente RGB :
1) Led bleue :
On réalise le montage de nouveau et on augmente légèrement la tension jusqu’à avoir cette lumière
bleue.
*On enregistre plusieurs valeurs bien choisies pour des courants ,ensuite on rentre les données sur
ce tableau EXCEL ci dessous :
*on trace la caractéristique Id (Vd) de la diode :
* Tracer un nouveau graphique Vd (Id) avec les couples de valeurs identifiées :
D’où :
V0 = 3 .1045 V
Rd = 0.0115 ohm
2) Led ROUGE :
On réalise le montage de nouveau et on augmente légèrement la tension jusqu’à avoir cette
lumière bleue.
*On enregistre plusieurs valeurs bien choisies pour des courants ,ensuite on rentre les
données sur ce tableau EXCEL ci dessous :
*on trace la caractéristique Id (Vd) de la diode :
* Tracer un nouveau graphique Vd (Id) avec les couples de valeurs identifiées :
D’où :
V0 = 0.7699 V
Rd = 0.0007 ohm
Soit l’équation suivante : 𝐼𝑑 = .𝑒𝑥𝑝 ( 𝑉𝑑 /𝜂Vt )
D’où
D’où 𝜂= 1= ( résultat logique car 𝜂 est comprise entre 1 et 2 )
On a Is= 𝐼𝑑/𝑒( 𝑉𝑑 /𝜂Vt ) = 10^(−12)A
Interprétation des résultats :
Diode 1N4001:
La tension de seuil mesurée est 0.7237 V, ce qui est cohérent avec une diode en
silicium.
La zone linéaire correspond au régime de conduction où la résistance interne
devient prépondérante, avec Rd=0.008Ω.
LEDs (Diode électroluminescente) :
La caractéristique de la LED rouge et de la LED bleue suit également une
loi exponentielle.
La tension de seuil mesurée pour la LED rouge est 0.7699 V et pour la
LED bleue 3.1045 V.
Les valeurs de résistance dynamique sont plus élevées que pour une diode
classique, ce qui est normal pour des LEDs.
La LED bleue nécessite une tension plus élevée pour fonctionner, indiquant
un matériau à large bande interdite.
Calcul de la tension Vbi (barrière de potentiel) pour chaque diode :
L’équation de la barrière de potentiel est :
où :
*kT/q ≈25 mV à température ambiante
* NA,ND sont les concentrations des dopants
*ni est la concentration intrinsèque du matériau
Applications numériques :
Diode 1N4001 (Silicium) : Vbi ≈ 0.7 V
LED rouge (GaAs ou GaAlAs) : Vbi ≈ 1.4−1.8 V
LED bleue (GaN) : Vbi ≈ 2.5−3.0 V
Les résultats expérimentaux sont en accord avec les matériaux attendus .
Vérification de la relation longueur d’onde / Gap pour les LEDs :
On a :
où :
*Eg est la bande interdite en eV
*λ est la longueur d’onde en nm
LED E_G théorique (eV) λ mesurée (nm) Couleur attendue
Rouge 1.8 λ=690 Rouge
Bleue 3.1 λ≈400 Bleu
Les longueurs d’onde calculées sont bien en accord avec les couleurs, ce qui
confirme l’origine des matériaux.
* Le courant de saturation Is des diodes est très faible : de l’ordre de 10⁻¹² A pour une LED
et 10⁻¹⁵ A pour une diode en silicium.
* Un ampèremètre classique ne peut pas mesurer des courants aussi petits car il est limité a
quelques nA.
En ce qui concerne le facteur d’idéalité :
On sait d’après le cours que le facteur d’idéalité η reflète la qualité de la jonction PN :
1. Pour la diode 1N4001 : η ≈ 1.75 → cohérent avec une diode en silicium.
2. Pour la LED rouge : η ≈ 1.3 → cohérent avec une diode à hétérojonction.
3. Pour la LED bleue : η ≈ 2.0 → les LEDs à large bande interdite ont souvent un η
plus élevé
Conclusion :
Ce TP nous a permis d’étudier les caractéristiques de différentes diodes et
d’identifier les matériaux semi-conducteurs utilisés. Nous avons observé que la
diode 1N4001, en silicium, présente une tension de seuil d’environ 0,7V et suit
bien la loi exponentielle du courant en fonction de la tension. Les LEDs rouge et
bleue, quant à elles, ont une tension de seuil plus élevée, ce qui correspond
respectivement aux matériaux GaAs et GaN. Nous avons aussi vérifié la relation
entre la longueur d’onde de la lumière émise et la bande interdite du matériau,
ce qui confirme la cohérence des résultats obtenus. Enfin, nous avons constaté
certaines limites expérimentales, notamment l’impossibilité de mesurer
précisément le courant de saturation avec nos instruments, car il est
extrêmement faible. Globalement, ce TP nous a permis de mieux comprendre le
fonctionnement des diodes et leur utilisation en fonction de leurs propriétés
électriques.
