En vue de l'obtention du

DOCTORAT DE L'UNIVERSITÉ DE TOULOUSE

Délivré par :
Institut National Polytechnique de Toulouse (INP Toulouse)
Discipline ou spécialité :
Génie Électrique

Présentée et soutenue par :

M. XAVIER BONNIN
le mercredi 10 décembre 2014
Titre :
ALIMENTATION ELECTRIQUE DES DISPOSITIFS DE DECHARGE A
BARRIERE DIELECTRIQUE

Ecole doctorale :
Génie Electrique, Electronique, Télécommunications (GEET)
Unité de recherche :
Laboratoire Plasma et conversion d'Energie (LAPLACE)
Directeur(s) de Thèse :
M. HUBERT PIQUET
M. NICOLAS NAUDÉ
Rapporteurs :
M. ERIC LABOURE, SUPELEC
M. JEAN-MARIE CORMIER, UNIVERSITE D'ORLEANS
Membre(s) du jury :
2 M. ERIC LABOURE, SUPELEC, Membre
2 M. HUBERT PIQUET, INP TOULOUSE, Membre
2 M. LAURENT PECASTAING, UNIVERSITE DE PAU ET DES PAYS DE L ADOUR, Membre
2 M. NICOLAS NAUDÉ, UNIVERSITE TOULOUSE 3, Membre
2 M. PHILIPPE CUSSAC, CIRTEM LABEGE, Membre
2
Remerciements

Ce travail n’aurait pu s’accomplir convenablement sans l’aide précieuse de personnes

que je tiens à remercier très chaleureusement.
Je tenais tout d’abord à remercier les membres de mon jury. Je remercie Mr Jean-
Marie Cormier et Mr Éric Labouré d’avoir pris le temps d’examiner mon rapport de thèse
ainsi que pour les discussions fructueuses qui ont découlé de leurs remarques. Je remercie
également Mr Philippe Cussac et Mr Laurent Pécastaing d’avoir fait partie de mon jury
de soutenance.
Mes remerciements vont également à Mr Christian Laurent et Mr Maurice Fadel pour
m’avoir accueilli au sein du laboratoire LAPLACE. À Messieurs Xavier Roboam et Patrice
Raynaud pour m’avoir accueilli respectivement au sein des équipes G-ENESYS et MPP.
Le bon déroulement de ces trois années n’aurait été possible sans l’active participation
de mes directeurs de thèse : Mr Hubert Piquet et Mr Nicolas Naudé. Je tiens à vous
remercier pour vos précieux conseils, aussi bien dans le travail quotidien que lors de l’étape
moins agréable de la rédaction du rapport. Je garde un souvenir très positif de mon passage
au laboratoire LAPLACE.
Merci également à Éric Bru, Jean-Marc Blaquière et Sébastien Vinnac sans qui la
conception, la réalisation et la mise en œuvre des prototypes réalisés au cours de ma thèse
n’aurait été possible. Un grand merci pour votre aide et vos précieux conseils !
Au cours de mon doctorat j’ai eu la chance de travailler deux mois à l’université
Javeriana de Bogotá en Colombie. Je tenais ainsi à remercier le département qui m’a
accueilli ; en particulier je remercie Mr Rafael Diez pour son accueil chaleureux et pour
ses idées qui m’ont permis d’avancer dans mon travail. Muchas gracias à toi David pour ta
générosité, pour m’avoir hébergé et fait visiter ce beau pays. J’espère que l’on se reverra !
Ma gratitude va également à mes collègues du bureau E523 avec qui j’ai passé de
belles années. Zijian, Nico, Karim, Julio, Bang, Olivier et Alvaro : j’espère que cet esprit
d’entraide et cette super ambiance perdureront. Une pensée pour les autres membres du
laboratoire : Andallah, Mickael et les autres, merci pour ces bons moments.
Un immense merci à toi Virginie pour m’avoir supporté durant ces trois ans. Ton
affection, ton enthousiasme et ton optimisme sont pour moi un réel moteur. Le meilleur
reste à venir ;). Enfin je te remercie Yann, pour ton énergie débordante et le bonheur que
tu nous apporte au quotidien.

3
4
Résumé
Mots-clés : convertisseur statique - dbd - contrôle du courant - plasma - GaN -
traitement de surface - résonance - transformateur

Les dispositifs DBD se répandent dans un grand nombre d’applications industrielles.

Utilisés depuis plus de 150 ans pour la production d’ozone afin de décontaminer l’eau à
grande échelle, ils ont depuis la fin du XXème siècle investi les domaines du traitement
de surface polymère, du dépôt de couche mince sur substrat et de l’émission lumineuse
pour la décontamination ainsi que la médecine. Ces dispositifs sont mis en œuvre avec
un générateur électrique dont les caractéristiques impactent fortement la qualité de la
décharge.
Ce travail s’inscrit en partie dans le cadre du développement d’une application de trai-
tement de surface à pression atmosphérique. Il aborde la problématique de l’augmentation
de la vitesse de dépôt de couche mince au travers des paramètres de l’alimentation élec-
trique. Plus précisément, ce travail s’intéresse aux apports d’une alimentation en courant
rectangulaire et aborde également les problématiques liées à la conception et à la fabri-
cation de ce convertisseur. En particulier, une grande attention est portée sur l’étude du
transformateur élévateur, car au travers de ses éléments parasites capacitifs, ce dernier
peut limiter le transfert de puissance entre la source électrique et le dispositif DBD.
Un deuxième aspect de cette étude consiste à entrevoir l’intérêt que revêtent deux
convertisseurs statiques dédiés à l’alimentation de dispositifs DBD. Le premier consiste en
une alimentation résonante en régime de conduction discontinue dont la particularité est
de posséder trois degrés de liberté (fréquence, tension d’entrée et largeur d’impulsion), ce
qui lui confère un intérêt exploratoire. Le second convertisseur consiste en une alimenta-
tion résonante haute tension et haute fréquence permettant l’éviction du transformateur
élévateur, et mettant en œuvre des interrupteurs au nitrure de gallium (GaN) afin d’at-
teindre une fréquence de fonctionnement supérieure au mega-Hertz avec un faible niveau
de pertes.

5
6
Table des matières

1 DBD : Description, Utilisations, Modèles 15

1.1 Dispositifs DBD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.1.1 Décharges dans un gaz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.1.1.a Zone I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.1.1.b Zone II . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.1.1.c Zone III . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.1.1.d Zone IV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.1.1.e Effet de la haute pression . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.1.2 Barrières diélectriques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.1.2.a Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.1.2.b De multiples comportements . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.1.2.c Quelques applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.1.3 Modèle électrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.1.3.a En régime homogène . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
1.1.3.b En régime filamentaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
1.2 Problématiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
1.2.1 Cas du dépôt de couches minces sur substrat . . . . . . . . . . . . . 27
1.2.1.a Performance du procédé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
1.2.1.b Comparaison élémentaire de quelques stratégies d’alimen-
tation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
1.2.2 Cas des applications en régime filamentaire . . . . . . . . . . . . . . 29

2 Alimentation Contrôlée en Courant 33

2.1 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.1.1 Chronogrammes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
2.1.2 Fonctionnement de l’inverseur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.1.3 Influence des éléments parasites du transformateur . . . . . . . . . . 36
2.1.3.a Inductance magnétisante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.1.3.b Inductance de fuite . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2.1.3.c Les effets capacitifs du transformateur . . . . . . . . . . . . 38
2.1.4 Cas réaliste . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.2 Conception, Dimensionnement et Fabrication . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
2.2.1 Cahier des charges . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
2.2.2 Le commutateur de courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

7
 2.2.2.a Choix des interrupteurs de puissance . . . . . . . . . . . . 43
2.2.2.b Commande rapprochée . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
2.2.2.c Gestion du courant magnétisant . . . . . . . . . . . . . . . 46
2.2.3 La source de courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.2.3.a Topologie, synthèse des interrupteurs . . . . . . . . . . . . 49
2.2.3.b Critères pour choisir les paramètres . . . . . . . . . . . . . 50
2.2.3.c Pertes : étude comparative . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
2.2.4 Fabrication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
2.2.4.a Choix de la tension d’entrée . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
2.2.4.b Choix des interrupteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
2.2.4.c L’inductance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
2.2.4.d Refroidissement et placement des éléments . . . . . . . . . 57
2.3 Étude expérimentale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
2.3.1 Dispositif expérimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
2.3.1.a Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
2.3.1.b Compensation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
2.3.1.c Transformateurs utilisés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
2.3.2 Relevés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
2.3.2.a Chronogrammes : influence des effets parasites . . . . . . . 62
2.3.2.b Identification expérimentale des paramètres . . . . . . . . . 64
2.3.2.c Domaines de transition homogène-filamentaire . . . . . . . 64
2.3.2.d Gains apportés au procédé de dépôt . . . . . . . . . . . . . 66

3 Conception du transformateur 69
3.1 Modélisation électrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
3.1.1 Cas général . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
3.1.1.a Transformateur multi-enroulements : modèle magnétique . 71
3.1.1.b Effets électrostatiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
3.1.1.c Admittance du système . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
3.1.2 Transformateur à deux enroulements . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
3.1.2.a Cas général . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
3.1.2.b Réduction du modèle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.1.2.c Modèle à un seul paramètre capacitif . . . . . . . . . . . . 78
3.2 Estimation des paramètres électrostatiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
3.2.1 Paramètres de construction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
3.2.1.a Bobinage simple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
3.2.1.b Bobinage avec secondaire fractionné . . . . . . . . . . . . . 80
3.2.1.c Partitionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
3.2.2 Méthode analytique approchée . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
3.2.2.a Hypothèses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
3.2.2.b Résolution . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
3.2.2.c Validation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
3.2.3 Méthode de Rayleigh-Ritz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
3.2.3.a Formulation variationnelle de l’équation de Laplace . . . . 91

8
 3.2.3.b Principe de la méthode de Rayleigh-Ritz . . . . . . . . . . 91
3.2.3.c Application au transformateur . . . . . . . . . . . . . . . . 92
3.3 Minimisation des effets capacitifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
3.3.1 Formulation d’un cahier des charges . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
3.3.2 Paramètres d’optimisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
3.3.2.a Paramétrage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
3.3.2.b Objectif . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
3.3.2.c Contraintes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
3.3.3 Algorithmes d’optimisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
3.3.3.a Choix de l’algorithme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
3.3.3.b Algorithme génétique avec méthode de nichage . . . . . . . 105
3.3.4 Résultats et multiplicité des solutions . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
3.3.4.a Paramétrage du problème . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
3.3.4.b Résultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108

4 Ouvertures et perspectives 115

4.1 Alimentation quasi-résonante en régime discontinu . . . . . . . . . . . . . . 115
4.1.1 Étude du convertisseur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
4.1.1.a Structure et mise en œuvre . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
4.1.1.b Étude analytique et prise en compte des effets dissipatifs . 117
4.1.2 Prise en compte des effets résistifs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 119
4.1.2.a Correction du bilan énergétique . . . . . . . . . . . . . . . 120
4.1.2.b Quelle expression choisir ? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
4.1.3 Conception, Dimensionnement, Fabrication . . . . . . . . . . . . . . 122
4.1.3.a Le commutateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
4.1.3.b L’inductance résonante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
4.1.4 Relevés expérimentaux, Discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
4.1.4.a Application à une DBD homogène . . . . . . . . . . . . . . 123
4.1.4.b Application à un dispositif de contrôle d’écoulement . . . . 125
4.2 Alimentation HT/HF sans transformateur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
4.2.1 Topologie et cahier des charges . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
4.2.1.a Topologie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
4.2.1.b Cahier des charges . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
4.2.2 Éléments de dimensionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
4.2.2.a L’inductance résonante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
4.2.2.b Le commutateur : technologies et loi de commande . . . . . 137
4.2.2.c Compensation des dérives . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
4.2.3 Relevés expérimentaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
4.2.3.a Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
4.2.3.b Relevés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144

9
A Étude analytique des alimentations 149
A.1 Alimentation en tension sinusoïdale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
A.1.1 Puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
A.1.2 Durée d’allumage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
A.1.3 Valeur du maximum de courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
A.1.4 Courant efficace délivré par l’alimentation . . . . . . . . . . . . . . . 151
A.1.5 Facteur de dimensionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
A.2 Alimentation en courant sinusoïdal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 151
A.2.1 Puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
A.2.2 Durée d’allumage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
A.2.3 Tension DBD maximale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
A.2.4 Facteur de dimensionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
A.3 Alimentation en courant rectangulaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
A.3.1 Puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152
A.3.2 Durée d’allumage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
A.3.3 Tension maximale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
A.3.4 Facteur de dimensionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153
A.3.5 Flux magnétique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 153

B Résultats de l’optimisation 157

B.1 Pour k=0 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
B.2 Pour une valeur de k optimale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157

C Alimentation résonante DCM : Calculs 167

C.1 Les relations utiles au dimensionnement : pertes négligées . . . . . . . . . . 167
C.1.1 Expression de la puissance DBD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
C.1.2 Tension maximale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
C.1.3 Durée des phases 1 et 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 168
C.1.4 Durée d’allumage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
C.2 Correction des bilans énergétiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
C.2.1 Encadrement du bilan énergétique réel . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
C.2.2 Correction des expressions : bilan surestimant . . . . . . . . . . . . . 170
C.2.2.a Puissance et tension maximale . . . . . . . . . . . . . . . . 170
C.2.3 Correction des expressions : bilan sous-estimant . . . . . . . . . . . . 171

10
Introduction

Les Décharges à Barrières Diélectriques (DBD) sont exploitées dans l’industrie depuis
plus d’un siècle. Une telle décharge se produit entre deux électrodes métalliques, séparées
par une ou plusieurs épaisseurs de matériau diélectrique et un espace gazeux où se produit
la décharge. Cette constitution permet d’opérer une limitation capacitive locale du courant
injecté ce qui évite le régime d’arc électrique et permet l’obtention d’un plasma froid hors
équilibre thermodynamique à pression atmosphérique. La première utilisation industrielle
rapportée remonte à 1857 lorsque Siemens l’ employa dans ce qui fut le premier ozoneur
où de l’air à pression atmosphérique soumis à un champ électrique suffisamment intense
est ionisé, permettant la production de molécules d’ozone. Ces dernières, dotées d’un
très grand pouvoir oxydant, étaient ensuite dissoutes dans l’eau afin de la décontaminer
efficacement, ce qui constituait une alternative prometteuse aux traitements de l’eau par
chloration. Depuis, les recherches se sont intensifiées tant sur les applications que sur
la compréhension des mécanismes mis en jeu. Les études qui suivirent, dont la plupart
ont été menées après les années 1970, qualifièrent les décharges au sein des ozoneurs de
« silencieuse ». Celles-ci produisent un plasma froid car la température moyenne du gaz
est sensiblement égale à la température ambiante et hors équilibre car la température
électronique est très élevée (de l’ordre de 104 K) devant la température du gaz (de l’ordre
de 300 K). L’énergie fournie aux électrons par le champ électrique permet le déroulement
de réactions chimiques particulières qui ne pourraient avoir lieu à température ambiante,
ainsi que de l’émission lumineuse. Les techniques de mesures se modernisant (oscilloscopes,
caméra rapide, etc. . . ) et la connaissance des phénomènes progressant, elles permirent de
différencier plusieurs types de décharge dépendant de la nature du gaz utilisé mais aussi
d’autres paramètres tels que la densité de puissance injectée, la forme d’onde et la fréquence
imposées par les générateurs électriques.
Lorsque les décharges sont réalisées dans l’azote ou dans l’air à pression atmosphérique
et dans de grands volumes (supérieurs à quelques mL), des travaux ont montré que la
décharge s’organise presque toujours en une multitude de filaments, qui sont des tubes de
courant à faible durée de vie (10–100 ns) d’une centaine de micro-mètres de diamètre où la
densité de courant atteint des valeurs élevées ; on parle alors de régime filamentaire. C’est
ce régime qui est exploité dans un grand nombre d’applications (ozoneurs, émission UV,
etc. . . ). Depuis le début des années 2000, des études ont permis de mettre en évidence dans
l’azote l’existence d’un régime de Townsend, qui est caractérisé par le fait que le champ
électrique reste égal au champ électrique géométrique, et par le fait que les porteurs de
charge majoritaires sont les ions. Ces études dans l’azote à pression atmosphérique ont

11
12 INTRODUCTION

montré que sous certaines conditions d’excitation, la décharge peut être homogène, c’est
à dire que le courant est uniformément réparti dans la section où se produit la décharge
ce qui présente un grand intérêt dans certaines applications.
Ainsi, la compréhension des mécanismes physico-chimiques a permis d’envisager de
nouvelles applications dans lesquelles les DBD peuvent être employées. Au XIXe siècle et
durant une grande partie du XXe siècle, les applications se sont principalement cantonnées
aux ozoneurs. Durant les années 80, est apparu le procédé corona qui met en œuvre une
DBD et a permis de réaliser des traitements de surface de film polymères. Depuis les
années 1990, l’utilisation des dispositifs DBD connaît un grand essor et la technologie
se répand dans de nombreuses applications. Ils sont actuellement mis en œuvre dans
plusieurs types de dispositifs industriels de traitement de surface pour affecter l’hydrophilie
de surfaces polymères. Ils sont employés pour l’émission lumineuse dans la gamme UV pour
la décontamination de l’eau et pour le traitement de certaines affections dermatologiques
telles que le psoriasis. Ils sont également à l’étude en laboratoire pour le dépôt de couches
minces à pression atmosphérique ; on peut par exemple citer le dépôt de couches anti-reflets
sur les panneaux photovoltaïques ainsi que le dépôt de couche barrières sur des surfaces
polymères. Afin d’opérer correctement un dépôt, la décharge doit demeurer en régime
homogène ce qui soulève des défis. Le principal verrou scientifique est l’atteinte d’une
vitesse de dépôt acceptable pour que le procédé puisse être adopté par des industriels.
L’une des applications grand public innovante de la fin du XXe siècle mettant en œuvre
les dispositifs DBD à grande échelle fut l’écran plasma. Des millions d’unités ont été
commercialisées depuis son invention. Néanmoins, l’engouement pour cette technologie
s’est peu à peu tari à cause de l’émergence des technologies concurrentes. Les applications
dans lesquelles sont mises en œuvre les DBD mettent également en lumière de nouveaux
challenges quant à la conception et au dimensionnement des alimentations électriques.
Les manières de solliciter un gaz sont nombreuses ; elles couvrent une très large gamme
spectrale, s’étalant de la centaine de Hertz à la gamme micro-onde. En ce qui concerne
la gamme BF (inférieur à 10 MHz), elles ont pour point commun la nécessité d’atteindre
des tensions élevées allant jusqu’à quelques dizaines de kilo-volts. Dans le domaine des
alimentations BF, des exigences quant aux formes d’onde et au contrôle sont multiples.
Dans le domaine de l’émission UV au moyen de lampes exciplexes, des études montrent
que les formes d’onde et la fréquence impactent le rendement lumineux (pour une même
puissance électrique transmise). Pour une décharge dans l’azote à pression atmosphérique,
la forme d’onde et le contrôle du courant injecté impactent la qualité du régime obtenu
(homogène ou filamentaire). En outre, certaines conditions de fonctionnement demeurent
à ce jour inconnues, aussi bien du point de vue de la physique de la décharge que du point
de vue de l’efficacité sur une application, car elles nécessitent des contraintes drastiques
sur l’alimentation électrique.
Ainsi, au cours de ce travail nous aborderons l’étude des alimentations électriques pour
dispositifs DBD et de leurs effets sur certaines applications selon quatre axes.
• Dans le premier chapitre, on s’intéressera tout d’abord a définir ce qu’est un dispo-
sitif DBD. Ensuite, on explicitera la principale problématique liée à l’alimentation
électrique dans le cadre d’une application de dépôt à pression atmosphérique où le
régime homogène est nécessaire. À la lumière des précédentes études sur le procédé,
 13

on mettra en avant les bénéfices que peut apporter une alimentation en courant
rectangulaire.
• Le second chapitre s’intéresse au dimensionnement, à la fabrication d’une alimen-
tation en courant carré, et à l’étude de son impact sur une décharge dans l’azote à
pression atmosphérique, dans le but de développer un procédé de traitement de sur-
face. Parallèlement on met en avant les difficultés liées aux effets parasites capacitifs
du transformateur élévateur et à leur impact délétère sur l’obtention d’une décharge
homogène.
• Le troisième chapitre s’intéresse exclusivement à l’étude du transformateur élévateur
car ce dernier est un élément essentiel dans la conception d’une alimentation pour
dispositifs DBD. On propose une méthode permettant d’effectuer une conception
par minimisation des effets capacitifs parasites dans le but de réduire leur impact
sur les décharges. Pour ce faire, un modèle électrique est proposé, puis une méthode
d’estimation rapide des effets capacitifs est mise en œuvre. Le faible coût calculatoire
de la méthode est mis à profit dans un algorithme génétique de conception par
optimisation.
• Enfin le quatrième chapitre présente quelques pistes plus récemment empruntées
dont l’étude approfondie est en cours. On évoque dans un premier temps les mérites
exploratoires d’une alimentation quasi-résonante en régime de conduction disconti-
nue. En particulier, on montre son intérêt pour l’investigation sur les performances
de plusieurs applications dont le dépôt de couches minces. Dans un second temps,
on s’intéresse à une alimentation résonante sans transformateur. En plus d’évincer le
transformateur élévateur et ses effets capacitifs parasites, cette alimentation permet
d’atteindre des hautes fréquences (> 1 MHz) sous une haute tension (plusieurs kV).
Elle permet en outre de bénéficier d’une grande compacité ce qui revêt un intérêt
dans certaines applications. On met en avant les défis technologiques qui ont été
surmontés lors de la conception du convertisseur, et on montrera expérimentalement
la validité du concept.
14 INTRODUCTION
Chapitre 1

DBD : Description, Utilisations,

Modèles

Introduction
Après avoir identifié les différentes zones de fonctionnement d’un gaz soumis à un
champ électrique, nous verrons pourquoi il est généralement nécessaire d’insérer des bar-
rières diélectriques entre les électrodes lorsque le gaz est soumis à pression atmosphérique,
et nous définirons le dispositif DBD, dont l’alimentation constitue l’objet de cette étude.
Nous évoquerons parallèlement comment les différents types de décharge sont exploités
dans l’industrie ou en laboratoire, et nous fournirons quelques exemples d’application.
Une fois le dispositif DBD bien défini et son modèle électrique équivalent discuté,
nous évoquerons quelques problèmes concrètement rencontrés lors de l’alimentation de
dispositifs DBD, notamment dans l’azote à pression atmosphérique dans le cadre d’une
application de dépôt de couches minces. On comparera plusieurs stratégies d’alimentation
afin de dégager celle qui paraît la mieux adaptée pour contribuer à la résolution des
problèmes rencontrés.

1.1 Dispositifs DBD

1.1.1 Décharges dans un gaz
Les mécanismes de l’établissement d’une décharge dans un gaz sont largement traités
dans la littérature scientifique [2, 20, 68, 69] et ils ne constituent pas l’objet d’étude de ce
travail. Ici, nous énumérons les principaux phénomènes mis en jeu afin de fournir quelques
bases nécessaires pour appuyer les raisonnements qui vont suivre. Pour parvenir à cette
fin, nous basons cette description des phénomènes sur la courbe expérimentale typique
Fig. 1.1 fournissant la tension aux bornes du gaz en fonction du courant dans un système
formé d’un générateur de tension continue et de deux électrodes conductrices séparées par
un gaz maintenu à pression réduite. Cette courbe expérimentale constituera donc le fil
conducteur de la description qui suit, et un paragraphe sera consacré à la description de
chaque zone identifiée.

15
16 CHAPITRE 1. DBD : DESCRIPTION, UTILISATIONS, MODÈLES

Vth

Tension (unités arbitraires) Zone I Zone II Zone III Zone IV

(ionisation (Townsend) (luminescente) (arc)
de fond
et
saturation)
b

Courant (unités arbitraires)

Figure 1.1 – Allure de la caractéristique tension/courant d’un gaz en régime DC à pression réduite.

1.1.1.a Zone I
Initialement, la tension imposée par le générateur est nulle. Lorsque l’on l’augmente
progressivement, naît un champ électrique. Tant que celui-ci reste « faible », le compor-
tement du mélange gazeux se rapproche fortement de celui d’un isolant parfait car aucun
courant électrique ne peut y exister. Seuls les rares électrons et ions générés par le rayon-
nement cosmique (ou une autre source) permettent l’existence d’un courant électrique.
– Dans la zone repérée « a », l’application d’un champ électrique permet de collecter
toutes les charges créées par la source extérieure.
– Dans la zone repérée « b », on observe la saturation du courant, liée au fait que
toutes les charges sont collectées mais que le champ électrique est trop faible pour
que les électrons gagnent suffisamment d’énergie pour ioniser le gaz.
– Dans la zone repérée « c », sous l’effet du champ électrique, les électrons sont accélérés
et entraînent l’ionisation des atomes (ou molécules) par collisions inélastiques.
Au sein de cette zone, la valeur du courant reste très faible et la décharge est non-
entretenue : si la source extérieure est stoppée, la décharge s’interrompt.

1.1.1.b Zone II
Lorsque le champ électrique augmente, certains ions possèdent suffisamment d’énergie
pour permettre l’émission d’électrons secondaires à la cathode (Fig. 1.2). Grâce à cela, la
décharge devient auto-entretenue ; les électrons secondaires jouant le rôle de la « source
extérieure ». Le gaz perd alors ses propriétés isolantes. Le régime de décharge obtenu lors
de cette phase est nommé régime de Townsend. Dans ce régime, l’impact sur le champ
électrique des processus d’ionisation demeure encore négligeable car les ions sont peu nom-
breux et le champ électrique reste donc quasiment égal au champ électrique géométrique.
Ce qui caractérise le régime de Townsend, c’est la quasi-constance de la tension aux bornes
du gaz, indépendamment de la valeur du courant. Cette tension correspond à la tension de
claquage donnée par la courbe de Paschen (voir Fig. 1.3) qui donne la tension de claquage
d’un gaz en fonction du produit « pression × distance ».
1.1. DISPOSITIFS DBD 17

Cathode Anode

γ
- + - +
+
-
- + + +
Electron
- - -
germe

Figure 1.2 – Un électron germe engendre M paires d’électron/ion par collisions. À la cathode, un ion
donne naissance à γ électrons par emission secondaire cathodique (γ est en général inférieur à 1).

100

10
V (kV)

N2
Air
He
0.1
1 10 100 1000
pd (torr.cm)

Figure 1.3 – Courbe de Paschen pour différents gaz (d’après les valeurs numériques fournies en [46]).
18 CHAPITRE 1. DBD : DESCRIPTION, UTILISATIONS, MODÈLES

1.1.1.c Zone III

Lorsque le courant augmente, le phénomène d’ionisation s’intensifie encore et, à cause
de leur faible mobilité comparée à celle des électrons, les ions crées s’accumulant dans
le volume génèrent à la cathode un champ électrique de charge d’espace qui s’oppose
au champ géométrique, modifiant ainsi fortement la topographie du champ électrique
dans le gaz. Le champ électrique devient alors intense au voisinage de la cathode, là où
sont accumulés les ions, et faible entre la zone de charge d’espace et l’anode. Cette zone
correspond à la décharge luminescente.

1.1.1.d Zone IV
L’augmentation du courant entraîne une augmentation de l’ionisation et du bombar-
dement des électrodes. Cette augmentation entraîne la thermo-émission d’électrons à la
cathode. Ainsi, la décharge transite en régime d’arc électrique.

1.1.1.e Effet de la haute pression

La caractéristique V (I) d’une décharge électrique précédemment évoquée est obtenue
pour de faibles valeurs du produit « pression × distance ». Lorsque ce produit augmente et
atteint une valeur importante – par exemple, à pression atmosphérique avec une distance
inter-électrode millimétrique – les mécanismes de claquage changent. En effet, on observe
un amorçage de la décharge plus localisé, qui conduit directement à une transition en
régime d’arc électrique.
Des phénomènes naturels permettent d’illustrer cet effet. Les aurores boréales se pro-
duisent dans la très haute atmosphère, là où la pression est faible, ce qui conduit à la
création d’un plasma diffus et peu énergétique. À l’opposé, la foudre qui se déroule à
pression plus élevée, produit un plasma très énergétique et très localisé.
Dans le cadre du développement d’un procédé de traitement de surface thermosensible
à pression atmosphérique, il convient évidemment d’empêcher cette transition à l’arc.
Pour cela, plusieurs techniques existent : localisation du champ électrique (effet couronne),
emploi d’alimentations pulsées, ballasts etc . . . Une solution simple et robuste consiste à
rajouter un diélectrique solide dans le passage du courant ; on parle alors de Décharge à
Barrières Diélectriques (DBD).

1.1.2 Barrières diélectriques

1.1.2.a Description
Différents types de géométrie sont couramment utilisés. On rencontre entre autres des
géométries de type plan/plan, cylindre/cylindre, ainsi que d’autres plus « exotiques », en
particulier dans les dispositifs de contrôle d’écoulement [59]. Les géométries « plan/plan »
et « cylindres concentriques » sont schématisées Fig. 1.4.
L’insertion d’un matériau diélectrique entre les électrodes limite lors d’une décharge
locale la quantité de charge pouvant être transmise dans le gaz : on parle de limitation
capacitive du courant de décharge. Si le courant électrique se focalise dans un tube de
1.1. DISPOSITIFS DBD 19

Barrières diélectriques Électrodes conductrices

Figure 1.4 – Différentes géométries de dispositifs DBD

Figure 1.5 – Photo d’une décharge filamentaire prise au travers d’une électrode transparente. Extraite
de [41].

faible diamètre, la densité de courant devient localement importante sur la trajectoire

des charges. La charge accumulée localement sur la surface diélectrique au niveau du
passage du courant augmente alors, générant au voisinage du point d’impact, un champ
électrostatique s’opposant au passage du courant, ce qui tend à empêcher le passage de
charges dans ce tube de courant. Ainsi, le plus souvent, la décharge adopte un régime
filamentaire. Ce régime est caractérisé par le fait que la décharge est décrite par une
multitude de tubes de courant dont la durée de vie est faible (une centaine de ns) à cause
de la limitation capacitive locale du courant (voir Fig. 1.5).
Notons que, puisque la quantité de charges traversant le gaz est limitée par la pré-
sence de la barrière diélectrique, le générateur électrique doit fournir un courant de valeur
moyenne nulle au dispositif DBD. Ainsi un dispositif DBD est toujours alimenté en alter-
natif.

1.1.2.b De multiples comportements

En pratique, les applications des dispositifs DBD ne mettent pas en œuvre les mêmes
mécanismes de décharge dans le gaz. Des travaux montrent en effet qu’une DBD peut
adopter deux régimes de fonctionnement [55, 61]. Bien qu’à pression atmosphérique, la
décharge soit en général filamentaire, il est possible d’obtenir une décharge homogène
si certaines conditions sont respectées. Contrairement au régime filamentaire, le régime
20 CHAPITRE 1. DBD : DESCRIPTION, UTILISATIONS, MODÈLES

10 10
DBD Current (x 10 mA) DBD Current (x 10 mA)
DBD Voltage (kV) DBD Voltage (kV)

5 5

0 0

-5 -5

-10 -10
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09
Time (ms) Time (ms)

(a) (b)

(c) Photo extraite de [11] (d) Photo extraite de [11]

Figure 1.6 – Manifestations des régimes homogène (à gauche) et filamentaire (à droite) et impact sur les
chronogrammes (tension et courant DBD). Conditions : DBD de 9 cm2 dans l’azote à pression atmosphé-
rique, F =11 kHz.

homogène obtenu dans l’azote est caractérisé par une occupation uniforme de la section
dans laquelle s’opère la décharge et les conditions sont telles que le gaz est sollicité dans
sa zone de Townsend (voir Fig. 1.1) malgré la pression élevée.
Afin d’illustrer la nuance existant entre ces deux régimes, des images ainsi que des
formes d’onde électriques sont données Fig. 1.6 lorsque le dispositif DBD est alimenté par
une source de tension sinusoïdale dans l’azote à pression atmosphérique. En régime homo-
gène, la puissance se répartit uniformément sur la surface comme l’atteste la photo rapide
(temps de pause : 10 ns), et le courant ne présente qu’un seul pic par alternance de la
tension. En régime filamentaire, la puissance tend à se focaliser dans des tubes de courant
(Fig. 1.6d) où la densité de courant peut atteindre une valeur élevée et le chronogramme de
courant est composé d’une multitude de pics (Fig. 1.6b). La nature du gaz employé et les
paramètres physico-chimiques tels que la pression, la température et le taux d’impuretés
fixent en grande partie la nature de la décharge. Et comme le suggère l’allure de la caracté-
ristique tension/courant d’un gaz à basse pression Fig. 1.1, les paramètres d’alimentation
jouent également un rôle déterminant à cet égard. En effet, plusieurs travaux font état de
l’influence du générateur sur le comportement et les performances des décharges obtenues.
En [11], l’auteur met en avant l’importance de l’effet mémoire d’une décharge à la suivante
1.1. DISPOSITIFS DBD 21

Figure 1.7 – Générateur de plasma élémentaire utilisé par la société APIT (gauche) et résultat du
traitement sur une feuille d’aluminium (droite). D’après APIT

pour obtenir une décharge homogène. Il montre que cet effet est lié à la présence d’espèces
énergétiques non chargées à longue durée de vie. Suivant les conditions d’excitation, l’effet
mémoire peut être favorisé ou non. Ainsi, le générateur électrique, au travers de ses para-
mètres (puissance, fréquence, formes d’onde), possède une influence non négligeable sur le
comportement de la décharge. Bien que nécessitant des précautions pour être obtenu, le
régime homogène est souvent recherché dans les applications de dépôt de couches minces
car il permet d’opérer un traitement uniforme.

1.1.2.c Quelques applications

Historiquement, les DBD ont été utilisées bien avant que les mécanismes physiques mis
en jeu dans les plasmas ne soient compris. Elles ont été industrialisées pour la première fois
en 1857 par W.Siemens pour la génération d’ozone afin de traîter l’eau [82]. Les ozoneurs
sont depuis utilisés à grande échelle dans des dispositifs de traitement de l’eau des villes.
Depuis, les dispositifs DBD ont fait l’objet de grandes investigations [67], et leur utilisation
s’est répandue dans de nombreux domaines [42].
Elles sont utilisées en tant qu’alternative aux traitements chimiques dans certaines
applications de traitement de surface : la société APIT, spécialisée dans la conception
d’appareils pour le traitement de surface par plasma à pression atmosphérique les com-
mercialise pour éliminer les graisses de laminage de feuilles métalliques sortant de fabri-
cation (Fig. 1.7). Ce type de traitement peut se réaliser en continu et à grande vitesse
lorsque la géométrie des éléments traités s’y prête, comme c’est le cas pour des films. La
société APIT affiche des vitesses de traitement pouvant aller jusqu’à 10 m/s. Un deuxième
avantage de ce procédé est que, contrairement aux traitements thermiques, les propriétés
mécaniques de la feuille sont conservées.
Ils sont également employés pour l’émission lumineuse dans la gamme UV au moyen
de gaz exciplexes [47] tels que le mélange xénon-chlore (XeCl) dont la relaxation des es-
pèces excitées est suivie de l’émission de rayonnements ultra-violets de longueur d’onde
spécifique (Fig. 1.8). Les lampes excimères (dites excilampes) peuvent être employées en
remplacement de traitements au chlore ou à l’eau de javel dans des unités de traitement
des eaux en raison de leur très grand pouvoir destructif des micro-organismes [44], de leur
caractère non-invasif, et de leur relativement faible impact environnemental. Elles consti-
tuent une alternative prometteuse aux lampes à mercure dans les procédés où l’émission
22 CHAPITRE 1. DBD : DESCRIPTION, UTILISATIONS, MODÈLES

Figure 1.8 – Prototype de lampe excimère (100 Watts) utilisée pour la production d’UV (Laboratoire
LAPLACE, équipes LM et G-ENESYS).

(a) (b)

Figure 1.9 – (a) Résultat du dépôt de couche hydrophobe sur du bois. (b) Photo de dépôt de SiO2 sur
un wafer de silicium en régime filamentaire (gauche) et homogène (droite). Laboratoire LAPLACE, équipe
MPP.

UV est nécessaire [34]. Leurs propriétés sont également utilisées à des fins médicales en
dermatologie pour le traitement de certaines affections telles que le psoriasis [83].
Les dispositifs DBD sont également étudiés pour le contrôle d’écoulement d’air dont
la principale application se situe dans le domaine de l’aéronautique [59]. La décharge
s’effectue parallèlement à l’écoulement fluide. Le vent électrique généré par la décharge
permet de modifier les propriétés de l’écoulement afin de le faire passer du régime turbulent
au régime laminaire. Ceci permettrait de réduire les pertes aérodynamiques au niveau des
ailes d’avion.
Les dispositifs DBD s’emploient efficacement dans le domaine du dépôt de couches
minces sur substrat [56]. Il existe de nombreuses applications nécessitant la réalisation
d’une couche de faible épaisseur (micro-électronique, photovoltaïque, alimentaire, . . . ).
L’utilisation d’un plasma à pression atmosphérique ne permet pas de remplacer tous les
procédés basse pression existants, mais cela peut être une alternative prometteuse pour des
applications à faible valeur ajoutée nécessitant le traitement de grandes surfaces. Parmi
les applications visées, on peut citer par exemple :
– le dépôt de couches hydrophobes sur bois (Fig. 1.9a),
– le dépôt de couches barrières au gaz et à l’humidité sur polymères,
– le dépôt de couches anti-reflet sur des cellules photovoltaïques (Fig. 1.9b).
Dans le cadre de ce type d’application, une décharge de type homogène est nettement
1.1. DISPOSITIFS DBD 23

idbd Courant "ON"

Courant "OFF" OFF

Source électrique
Cdiel

|Vgas|> Vth

idbd change
de signe
idis
Vdbd
Vth
Vgas
I
Cgas -Vth

ON

(a) (b)

Figure 1.10 – (a) Modèle électrique d’un dispositif DBD en régime de Townsend. (b) Diagramme séquen-
tiel des états ’ON’ et ’OFF’ de la décharge.

préférable à une décharge de type filamentaire. En effet, comme nous pouvons l’imagi-
ner en examinant Fig. 1.5, une décharge filamentaire conduit à un traitement de surface
inégalement réparti.

1.1.3 Modèle électrique

Les lois physiques régissant le comportement des gaz ionisés [69] font des dispositifs
DBD des charges électriques au comportement particulier. D’une part, pour fonctionner
correctement et convertir de l’énergie, il est nécessaire de les alimenter sous des tensions re-
lativement élevées, généralement de plusieurs, voire quelques dizaines de kilo-volts. D’autre
part, leur nature capacitive, principalement dûe à l’insertion des barrières diélectriques
entre les électrodes complexifie la conception d’alimentations électriques efficaces. Choisir
des conditions de fonctionnement optimales pour une application donnée et définir une
stratégie de contrôle des grandeurs électriques constituent l’objet de nombreuses études
depuis le début des années 70 [42]. Ainsi, il est important de disposer d’un modèle élec-
trique permettant de conduire au dimensionnement d’alimentations pour dispositifs DBD.

1.1.3.a En régime homogène

Schéma électrique équivalent Compte-tenu de :
– la caractéristique électrique d’un gaz à basse pression en régime DC (Fig. 1.1) dans
la zone de Townsend,
– l’insertion de barrières diélectriques qui agissent comme une capacité placée en série
avec le gaz,
– et du fait que le gaz non-claqué agit comme un milieu isolant pouvant stocker de
l’énergie électrostatique,
un dispositif DBD en régime de Townsend peut être modélisé électriquement par le schéma
Fig. 1.10a.
– Cgas représente la capacité structurelle de l’espace gazeux,
24 CHAPITRE 1. DBD : DESCRIPTION, UTILISATIONS, MODÈLES

– Cdiel représente la capacité équivalente des barrières diélectriques,

– et Vth est la tension de transition vers le régime de Townsend du volume gazeux.
À l’état amorçé du gaz, la tension gaz Vgas est supposée constante, égale à Vth .
Rappelons qu’un dispositif DBD ne peut être alimenté par une source électrique impo-
sant une composante continue de courant, puisque la tension Vdbd divergerait vers l’infini
à cause de Cdiel , ce qui est impossible en pratique.
Lorsqu’il est alimenté en régime alternatif, le gaz transite successivement entre les états
’OFF’ et ’ON’ selon l’évolution de la tension et du courant gaz. Lorsque la tension gaz
Vgas atteint la tension de transition vers le régime de Townsend Vth (en valeur absolue)
alors la décharge s’amorce et de l’énergie est dissipée dans le gaz, ce qui se traduit par
l’activation de réactions chimiques, de l’émission lumineuse, du dégagement de chaleur . . .
Ne possédant pas de composante continue, le courant idbd finit par s’annuler et changer
de signe, ce qui fait varier Vgas et transiter le gaz vers le régime de repos. Les séquences
de fonctionnement sont résumées Fig. 1.10b.
En pratique, lorsque la décharge est homogène, on note une bonne adéquation entre les
chronogrammes issus de la simulation des éléments du schéma Fig. 1.10a et les mesures.

Trajectoire du point de fonctionnement dans le plan charge-potentiel Lors

d’une DBD homogène, il est possible de représenter la trajectoire du point de fonctionne-
ment dans le plan charge-potentiel : Qdbd − Vdbd .
Vdbd est la tension aux bornes du dispositif DBD et Qdbd est la charge injectée, c’est
à dire l’intégrale du courant idbd . Cette trajectoire prend la forme d’un parallélogramme.
En effet :
– Lorsque la décharge est éteinte, conformément au modèle électrique Fig. 1.10a, le
dispositif DBD est modélisé par la mise en série des deux capacités Cgas et Cdiel
que nous nommons Ceq . Ainsi, la relation reliant la variation de tension dVdbd et la
variation de charge dQdbd s’exprime simplement par :

1
dVdbd = dQdbd .
Ceq

– Lorsque la décharge est amorcée, la tension Vgas reste égale à Vth (lors d’un claquage
positif). Ainsi, la relation reliant la variation de tension dVdbd et la variation de
charge dQdbd s’exprime par :

1
dVdbd = dQdbd .
Cdiel

Ainsi, selon l’état du gaz, la trajectoire du point de fonctionnement suit des droites de
pente différente. De plus, cette trajectoire doit être continue car la charge d’une capacité et
la tension à ses bornes ne peuvent admettre une discontinuité. On comprend donc qu’en
régime périodique établi, cette trajectoire prenne la forme d’un parallélogramme. Nous
représentons celle-ci Fig. 1.11. Les pentes à l’état non-claqué p2 et à l’état claqué p1 valent
respectivement 1/Ceq et 1/Cdiel .
1.1. DISPOSITIFS DBD 25

Vdbd
^
Vdbd

Vth
M2

^
-Q dbd Qdbd
^
Qdbd
p2
M
1
-Vth
p1 ^
P -V dbd

Figure 1.11 – Caractéristique charge/potentiel d’un dispositif DBD.

On peut également montrer que l’intersection de la trajectoire avec l’axe des ordonnées
donne la valeur de la tension de claquage Vth . Ainsi, cette représentation présente un intérêt
particulier lorsqu’il s’agit d’identifier les trois paramètres du modèle électrique d’une DBD
homogène.

Puissance transmise On montre que l’énergie transmise ET lors d’une période T de

fonctionnement est donnée par :
ET = A, (1.1)
où A est l’aire délimitée par la trajectoire du point de fonctionnement dans le plan charge-
potentiel 1 . La puissance moyenne transmise au dispositif DBD Pdbd s’exprime alors par :
Pdbd = F × A, (1.2)
où F est la fréquence de fonctionnement.
L’aire délimitée par la trajectoire du point de fonctionnement est donnée par le pro-
duit mixte (le déterminant) de deux vecteurs engendrant le parallélogramme (en valeur
absolue). En accord avec les notations de Fig. 1.11, elle s’exprime par

A = [P ~M1 , P ~M2 ] ,
4 h i (1.3)
= (p2 + p1 )V̂dbd Q̂dbd − p1 p2 Q̂2dbd − V̂dbd
2
,
p2 − p1
où les grandeurs sont données Fig. 1.11. De plus, les valeurs crêtes de tension et de charge,
V̂dbd et Q̂dbd , sont liées par la relation structurelle du dispositif DBD qui dicte les condi-
tions de transition entre les états ON et OFF du gaz. Elle est donnée par
V̂dbd = Vth + p1 Q̂dbd . (1.4)
Ainsi, en combinant (1.3) et (1.4) on montre que
A = 4Vth (Q̂dbd − Cgas Vth ). (1.5)

1. Ceci peut se justifier par analogie avec le calcul des pertes sur un cycle d’hystérésis dans un matériau
magnétique. En effet, celles-ci sont données par l’aire du cycle dans le plan courant-flux multipliée par la
fréquence de fonctionnement.
26 CHAPITRE 1. DBD : DESCRIPTION, UTILISATIONS, MODÈLES

La relation (1.5) prouve que, sous réserve de travailler avec le même modèle électrique,
l’énergie injectée au cours d’une période dans un dispositif DBD ne dépend pas des formes
d’onde de l’alimentation électrique. La connaissance des seuls paramètres intrinsèques
du dispositif DBD, de la fréquence, et de la valeur maximale de la charge fournie par
l’alimentation électrique suffit à déterminer la puissance dissipée.
Remarquons que l’on aurait pu choisir de combiner (1.3) et (1.4) afin d’éliminer Q̂dbd
au lieu de V̂dbd , pour montrer que la puissance ne dépend que des paramètres intrinsèques
du dispositif DBD, de la fréquence d’alimentation, et de la tension maximale délivrée par
l’alimentation électrique. On montre ainsi de façon équivalente que
!
Vth
A = 4Cdiel Vth V̂dbd 1 − (1 + r) , (1.6)
V̂dbd
où
Cgas
r= .
Cdiel

1.1.3.b En régime filamentaire

Bien que la modélisation d’un seul filament soit connue, la modélisation d’une décharge
en régime filamentaire ne permet a priori pas de proposer un modèle à trois paramètres
aussi simple que celui présenté Fig. 1.10a. En effet, plusieurs aspects sont à considérer :
– le nombre de filaments est inconnu et dépend de paramètres physico-chimiques ainsi
que des conditions d’alimentation,
– la localisation temporelle d’un filament n’est pas prédictible,
– la durée de vie d’un filament est faible ; bien plus faible que la période d’alimentation
en général.
Cependant, lors de mesures expérimentales, il est apparu que la trajectoire de fonction-
nement dans le plan charge-potentiel prenait malgré tout la forme d’un parallélogramme
ce qui permettrait de proposer un modèle à trois paramètres comme lors d’une décharge
homogène. D’ailleurs dans le cadre d’un ozoneur (qui fonctionne en régime filamentaire),
Manley mit en évidence expérimentalement cet aspect en 1943 et s’en servit pour le calcul
de puissance [51]. Cette même propriété fut observée pour une décharge dans l’air dans le
cadre d’une application de type contrôleur d’écoulement gazeux en [59].
Toutefois, contrairement au cas du régime homogène, il n’est généralement pas possible
de proposer un jeu unique de trois paramètres, valable indépendamment du régime de fonc-
tionnement. Malgré tout, il existe plusieurs études sur le dimensionnement d’alimentations
de dispositifs DBD fonctionnant en régime filamentaire qui adoptent la modélisation élec-
trique Fig. 1.10a. Ce niveau de modélisation s’est avéré suffisant pour le dimensionnement
d’alimentations pour les lampes excimères [76, 21, 28]. Par conséquent, comme nous le ver-
rons au cours du manuscrit, ce niveau de modélisation a également été adopté pour traiter
les problématiques liées à l’alimentation électrique des DBD en régime filamentaire. Cela
a été fait pour un domaine de fonctionnement restreint en toute connaissance de cause,
c’est à dire que les paramètres déduits des expérimentations n’ont pas été associés à des
paramètres physiques aussi directement que pour le régime homogène.
1.2. PROBLÉMATIQUES 27

1.2 Problématiques liées à l’alimentation électrique et à l’ap-

plication
1.2.1 Cas du dépôt de couches minces sur substrat
Dans cette application, l’objectif est d’effectuer un dépôt de couche mince sur un
substrat afin que la surface de ce dernier adopte des propriétés requises. Dans un procédé
mettant en œuvre un dispositif DBD à pression atmosphérique, l’objectif est d’obtenir
une décharge dans un gaz (diazote par exemple) dans lequel une faible quantité d’espèces
réactives est ajoutée. Par exemple, le dépôt à pression atmosphérique d’une couche barrière
au gaz et à l’humidité sur un polymère nécessite le dépôt de SiO2 . Pour cela, il est nécessaire
de disposer d’un mélange de diazote pur dans lequel est ajoutée une faible quantité de
HMDSO 2 et de N2 O.

1.2.1.a Performance du procédé

La performance du procédé s’évalue selon deux critères principaux :

– la qualité du dépôt ; l’obtention d’un dépôt homogène et de bonne qualité nécessite
de travailler avec une décharge en régime homogène.
– la vitesse du dépôt ; celle-ci a un impact direct sur le coût du procédé, et il est
naturellement souhaitable d’atteindre une vitesse la plus élevée possible tout en
préservant une qualité acceptable.
Comme le montre Fig. 1.12, la vitesse de dépôt est principalement influencée par deux
paramètres : la quantité d’espèces réactives (dont HMDSO), et la puissance électrique
transmise. Actuellement, cette vitesse est faible et incompatible avec un traitement à
l’échelle industrielle. Malgré tout, il est possible de l’augmenter en jouant sur la puissance
fournie et la quantité d’espèces réactives.
Ces augmentations possèdent malheureusement des limites. Des travaux ont en effet
montré que dans le cadre d’une alimentation en tension sinus, une DBD dans l’azote à
pression atmosphérique ne pouvait être maintenue homogène sur une large gamme de
puissance [60]. De plus, des travaux récents faisant état de l’effet mémoire montrent que
la présence d’espèces réactives telles que HMDSO rend plus difficile l’obtention du régime
homogène [54]. En effet, l’ajout de HMDSO (ou de N2 O) entraîne un quenching (destruc-
tion) des états métastables responsables de l’effet mémoire. Ceci a pour conséquence la
déstabilisation de la décharge pour un taux de HMDSO supérieur à 40 ppm (1000 ppm
pour N2 O).
Afin d’accroître la vitesse de dépôt, il est nécessaire de diminuer la sensibilité de la
décharge à l’atmosphère gazeuse tout en augmentant la puissance transférée à la décharge.
Ceci passe par une diminution de la durée d’extinction entre deux décharges successives
et un contrôle du courant de décharge. D’après des simulations [60], ceci doit être possible
en utilisant une alimentation en courant carré.

2. Précurseur silicé O[Si(CH3 )3 ]2

28 CHAPITRE 1. DBD : DESCRIPTION, UTILISATIONS, MODÈLES

Figure 1.12 – Vitesse de croissance de la couche déposée en fonction de la concentration en précur-

seur (HMDSO) et de la densité de puissance électrique injectée avec une alimentation en tension sinus.
Conditions : DBDs de 9 cm2 alimentée en tension sinus. Extrait de [11].

1.2.1.b Comparaison élémentaire de quelques stratégies d’alimentation

Le comportement capacitif des dispositifs DBD conduit souvent à la réalisation d’ali-
mentations à faible puissance massique. En dehors des considérations sur le rendement
énergétique des convertisseurs, le produit de la valeur extrême de la tension par le courant
efficace supportés par le convertisseur est, la plupart du temps, très supérieur à la puissance
transmise à la DBD. Ceci se traduit inévitablement par la nécessité de surdimensionner
les composants d’électronique de puissance.
Nous pouvons définir un facteur de dimensionnement de l’alimentation, compris entre
0 et 1, comme le rapport entre la puissance moyenne transmise au dispositif DBD et le
produit de la valeur maximale de la tension d’alimentation par la valeur efficace du courant
délivré par l’alimentation.
La tension maximale et le courant efficace ont été choisis car ce sont ces deux grandeurs
qui dictent principalement le choix des composants de puissance dans un convertisseur (ca-
libre en tension et échauffement à l’état passant). Il est possible, sur cette base, de comparer
différentes alimentations pour dispositifs DBD. Celles qui détiennent des valeurs proches
de 0 seront alors considérées comme « mauvaises » car leurs composants de puissance se-
ront fortement sur-dimensionnés. Inversement, celles qui détiennent des valeurs proches
de 1 seront considérées comme « bonnes ».

Contrôler la tension ou le courant ? La caractéristique électrique d’une décharge

à pression réduite Fig. 1.1 montre que lorsqu’elle est alimentée en tension, une décharge
possède plusieurs points de fonctionnements possibles ; une droite horizontale coupe la tra-
jectoire en plusieurs points. Au contraire, lorsqu’elle est alimentée en courant, il n’existe
qu’un seul point d’intersection (intersection avec des droites verticales). De plus, un dis-
positif DBD comporte une caractéristique de « source de tension » compte tenu de son
comportement capacitif. Ainsi, en appliquant le raisonnement relatif aux règles d’intercon-
1.2. PROBLÉMATIQUES 29

nexion des sources connectées via une cellule de commutation dans le but d’un transfert
d’énergie 3 [66], il paraît naturel de solliciter une DBD avec une source de courant.

Comparaisons Nous proposons ici de comparer trois stratégies d’alimentation élec-

trique :
– l’alimentation en tension sinus,
– l’alimentation en courant sinus,
– l’alimentation en courant carré.
Cette comparaison s’intéresse à évaluer deux critères :
– le facteur de dimensionnement défini par le rapport entre la puissance injectée dans
le dispositif DBD et le produit entre la valeur maximale de la tension DBD et
du courant efficace injecté dans le dispositif DBD ; cette valeur renseigne sur les
contraintes de dimensionnement du convertisseur,
– la durée d’extinction de la décharge ; cette dernière prend son importance relative-
ment à l’effet mémoire précédemment évoqué.
L’étude analytique détaillée des trois alimentations qui a permis d’établir ce comparatif
figure en annexe §A. Le facteur de dimensionnement ainsi que la durée d’extinction norma-
lisée par rapport à une demi-période sont respectivement donnés Fig. 1.13a et Fig. 1.13b
en fonction de p = Pdbd /(4F Cgas Vth 2 ), un paramètre adimensionné proportionnel à la

puissance injectée dans le dispositif DBD. En plus de posséder le meilleur facteur de di-
mensionnement, l’alimentation en courant carré est celle qui minimise la durée d’extinction
de la décharge à puissance donnée, ce qui est une qualité recherchée dans une application
de type dépôt pour favoriser l’effet mémoire entre deux décharges. Ainsi, l’alimentation en
courant carré, qui d’après les études basées sur la compréhension de phénomènes physiques
permet à la fois d’accroître la puissance et l’effet mémoire tout en maximisant le facteur
de dimensionnement.

1.2.2 Cas des applications en régime filamentaire

Lorsque l’application ne nécessite pas l’obtention du régime homogène, l’étude des
alimentations électriques pour ces dispositifs peut répondre à deux objectifs :
– Fournir des outils d’exploration. En particulier, les convertisseurs d’électronique de
puissance actuels n’ont pas permis d’explorer le fonctionnement des DBD au delà de
plusieurs centaines de kilo-Hertz. On peut envisager des convertisseurs permettant
d’atteindre des gammes de fréquence actuellement réservées aux amplis HF. En
particulier, il semblerait qu’aucune application mettant en œuvre une excilampe
n’existe au delà de 500 kHz alors que ces dernières semblent émettre une grande
quantité d’UV en haute fréquence [58]. De la même façon, on peut envisager l’étude
de convertisseurs offrant plus de degrés de réglage que la tension et la fréquence
d’alimentation . . .

3. Cette règle stipule que pour opérer un transfert d’énergie entre deux dipôles via une cellule de
commutation, ceux-ci doivent être de nature différente. Ainsi, si la charge comporte une caractéristique de
type « source de tension », l’alimentation doit posséder une caractéristique « source de courant ».
30 CHAPITRE 1. DBD : DESCRIPTION, UTILISATIONS, MODÈLES

0.6 1
V sinus
0.9 I sinus
0.5
Facteur de dimensionnement

0.8 I carre

0.7
0.4
0.6

toff*2F
0.3 0.5

0.4
0.2
0.3

V sinus 0.2
0.1
I sinus 0.1
I carre
0 0
0 5 10 15 20 0 5 10 15 20
p p

(a) (b)

Figure 1.13 – Comparaison des facteurs de dimensionnement (a) et des durées d’extinction de la décharge
(b) pour les trois alimentations. Condition : Cgas /Cdiel = 0.1.

– Optimiser un convertisseur pour un point de fonctionnement donné. L’optimisation

peut porter sur un critère de coût, d’encombrement ou de rendement énergétique
selon la contrainte de l’application. Dans cette optique, il est pertinent d’étudier
la possibilité de mettre en œuvre de nouvelles technologies de composants d’électro-
nique de puissance. De même, il est judicieux d’envisager l’éviction du transformateur
élévateur qui est généralement nécessaire pour atteindre les kilo-volts amorçant la
DBD.
Des solutions seront proposées au chapitre 4.

Conclusion
Pour ne pas transiter en régime d’arc, il est nécessaire s’insérer une (ou plusieurs)
barrière diélectrique entre les électrodes et l’espace gazeux. Le dispositif ainsi formé est
nommé « Dispositif de Décharge à Barrières Diélectriques » (DBD). Les dispositifs DBD
que nous utilisons couramment sollicitent le gaz en régime filamentaire ce qui trouve un
grand nombre d’applications. Sous certaines conditions, une décharge DBD peut adopter
un régime homogène ce qui revêt un grand intérêt pour les applications de dépôt.
En régime homogène, il est possible de modéliser le comportement électrique global de
la décharge avec seulement trois paramètres : la capacité liée à la présence des diélectriques,
la capacité structurelle de l’espace gazeux et un seuil de claquage lié au passage du régime
isolant au régime de Townsend. La présence de la capacité des barrières diélectriques
contraint une alimentation de la décharge en régime alternatif. Ainsi, cette dernière s’éteint
nécessairement entre deux alternances successives.
Dans le cadre du dépôt de couches minces, on a évoqué l’intérêt de réduire cette
1.2. PROBLÉMATIQUES 31

durée d’extinction car cela permet de favoriser l’effet mémoire, donc la stabilité de la
décharge, ce qui doit permettre d’amoindrir les durées de dépôt, qui n’est acutellement
pas compatible avec une utilisation à échelle industrielle. À cet égard, l’alimentation en
courant rectangulaire bénéficie d’un atout car pour une puissance donnée, elle permet
d’atteindre des durées d’extinction plus faibles que celles obtenues avec une alimentation
en tension sinus. Nous avons également montré grâce à une comparaison qu’une telle
alimentation possède un meilleur facteur de dimensionnement que les autres alimentations
du comparatif.
32 CHAPITRE 1. DBD : DESCRIPTION, UTILISATIONS, MODÈLES
Chapitre 2

Alimentation Contrôlée en
Courant

Introduction
Ayant établi précédemment l’intérêt que présente l’alimentation en courant rectan-
gulaire, ce chapitre propose d’aborder la conception, le dimensionnement, le test d’une
alimentation en courant réalisée au laboratoire LAPLACE. Nous mettrons en évidence
son intérêt vis à vis des décharges dans l’azote à pression atmosphérique.
Cette étude théorique anticipe certains effets parasites qui ont été expérimentalement
observés, notamment les effets capacitifs liés à l’utilisation d’un transformateur élévateur,
et propose de les intégrer dans la procédure de dimensionnement.
Ensuite, l’étude s’intéresse au choix de la topologie du convertisseur, et aborde les
aspects technologiques de la conception. Plusieurs possibilités d’implémentation seront
abordées et comparées (choix des interrupteurs de puissance, dimensionnement de l’élé-
ment magnétique, contrôle ...). La réalisation d’un prototype sera alors décrite et des re-
levés expérimentaux présentés et comparés avec les relevés obtenus avec une alimentation
contrôlée en tension. On ne manquera pas de souligner le lien entre l’allure du courant de
décharge et l’intérêt d’une telle alimentation pour l’obtention de décharge homogène dans
l’azote à pression atmosphérique. L’étude expérimentale justifiera l’intêret que présente
une telle alimentation pour une application de dépôt à pression atmosphérique.

2.1 Principe de fonctionnement

Une approche naturelle consiste à séparer la fonction « source de courant rectangu-
laire » en deux blocs indépendants.
– Le premier bloc est chargé de générer un courant continu et régulé, dont la valeur
est fixée par l’utilisateur.
– Le second bloc est chargé d’aiguiller le courant continu dans un sens ou dans l’autre,
à une fréquence réglable par l’utilisateur.

33
34 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

Dispositif DBD
ip idbd
K1h VK K2h
2h 1:m Cdiel
Vdiel
iK
i 2h
0
Vp Vdbd idis
Vth
Cgas
V Vgas
1 I
-Vth
K1l K2l

Figure 2.1 – Dispositif DBD alimenté par une source de courant à travers un transformateur élévateur.

Ces deux fonctions sont facilement réalisables à l’aide de structures usuelles d’électronique
de puissance. Nous pouvons ébaucher un schéma de principe du convertisseur, Fig. 2.1.
La source de courant est supposée contrôlée par l’utilisateur et régulée à la valeur i0 ;
nous verrons comment cela est réalisé dans les développements suivants. Le commutateur
de courant (l’aiguilleur) consiste en quatre interrupteurs de puissance. Ces derniers sont
commandés deux par deux :
– lorsque K1h et K2l sont amorcés et les deux autres bloqués, le courant injecté au
primaire du transformateur, ip , vaut i0 ,
– lorsque K2h et K1l sont amorcés et les deux autres bloqués, le courant injecté au
primaire du transformateur vaut −i0 .
Le transformateur élévateur permet d’adapter le niveau de tension aux bornes du dispositif
DBD à une valeur acceptable pour les composants à semiconducteur usuels.
Ainsi, l’alimentation en courant rectangulaire étudiée ici consiste en la mise en cascade
d’une source de courant continu et d’un inverseur constitué de 4 interrupteurs de puissance
permettant de changer le sens du courant injecté au primaire transformateur. Dans cette
partie, nous supposons que le transformateur ne présente pas d’éléments susceptibles de
modifier le comportement de la décharge. Cet élément est donc supposé idéal dans cette
première approche. Le courant idbd (t) prend alors les valeurs ±i1 , avec i1 = i0 /m.

2.1.1 Chronogrammes
Supposons qu’à l’instant initial, la tension soit à sa valeur minimale :

Vdbd (0) = −V̂dbd ,

ce qui correspond au point le plus bas de la trajectoire Q-V (Fig. 1.11). Lorsque la décharge
est éteinte et le courant DBD positif, la tension Vdbd est donnée par :

Vdbd = −V̂dbd + i1 /(Ceq )t,

et le courant igas (noté également idis ) est nul.

Puis la décharge s’amorce lorsque la tension gaz Vgas atteint la valeur Vth . La tension
DBD est alors donnée par :
Vdbd = V0 + i1 /Cdiel t,
2.1. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT 35

Gas ignition Vdbd

^ Vgas
V dbd ^
Vdbd /m i0 iK
2h
VK
2h
Vth
Voltage

-Vth time

^ 0
-V dbd time
igas
Gas extinction
idbd
i1
Current

i
K
2h
T/2 T time Amorçage
contrôlé
ton
Bloquage
-i1 spontané
ON ON
V
OFF OFF K
2h

(a) (b)

Figure 2.2 – (a) Chronogrammes pour une alimentation en courant carré. (b) Caractéristique tension/-
courant de l’interrupteur K2h .

où V0 est une constante d’intégration permettant d’assurer la continuité de la tension,

jusqu’à ce qu’elle atteigne sa valeur maximale correspondant à l’instant où le courant DBD
change de signe. Pendant cette durée, le courant igas prend la valeur i1 . Par conséquent,
la tension Vdbd a l’allure d’une ligne brisée (Fig. 2.2a).

2.1.2 Fonctionnement de l’inverseur

Afin de comprendre le rôle joué par les interrupteurs de puissance du commutateur
de courant, nous étudions les contraintes sur les interrupteurs du schéma Fig. 2.1. Le
changement de signe du courant est provoqué par la commande d’amorçage de K1h et
K2l , et le blocage des deux autres. La tension VK2h est alors égale à Vdbd /m qui est
négative et croissante (Fig. 2.2b). La tension Vdbd devient positive mais l’interrupteur K2h
reste toujours dans l’état bloqué. Lorsque K2h et K1l sont amorcés, les deux autres sont
bloqués et le courant injecté change de signe. Alors iK2h = i0 qui est positif. Et ainsi de
suite . . .
La caractéristique tension/courant de l’interrupteur K2h est donnée Fig. 2.2b. Elle
correspond aux caractéristiques statiques et dynamiques d’un thyristor.
– D’un point de vue statique, l’interrupteur doit tenir une tension tantôt positive tantôt
négative, et conduire un courant toujours positif. Il possède donc trois segments :
deux en tension et un en courant.
– D’un point de vue dynamique, l’amorçage est commandé tandis que le blocage est
spontané car c’est l’amorçage de l’interrupteur complémentaire à K2h , K2l qui en-
gendre le blocage de ce dernier.
D’un point de vue technologique, cette fonction n’est en général pas réalisable avec de
« vrais » thyristors car ceux-ci ne sont pas adaptés pour des fonctionnements à des fré-
quences dépassant quelques kHz. Comme nous l’aborderons prochainement, nous aurons
36 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

recours à des thyristors de synthèse qui émulent des fonctions thyristor sur une gamme de
fréquence plus élevée que ce que peuvent atteindre les « vrais » thyristors [17].

2.1.3 Influence des éléments parasites du transformateur

Le transformateur élévateur a été supposé idéal jusqu’ici. Comme nous l’indiquerons de
nouveau lors de la discussion sur les relevés expérimentaux, ses éléments peuvent influencer
grandement les formes d’onde vues par le dispositif DBD. La démarche utilisée est la
suivante : le calcul des grandeurs électriques s’effectue en supposant que chaque élément
parasite considéré modifie peu le comportement du système. Ceci implique que pour mener
des calculs et juger de l’influence des éléments parasites sur certaines grandeurs électriques,
d’autres grandeurs électriques pourront être assimilées à celles qui ont été calculées dans
le cas idéal.
Expérimentalement, on vérifiera que cette démarche est satisfaisante.

2.1.3.a Inductance magnétisante

L’influence de l’inductance magnétisante est majeure dans les régimes basse fréquence
étant donné que l’amplitude des courants magnétisants dans un transformateur est inverse-
ment proportionnelle à la fréquence de fonctionnement. Ces effets peuvent être simplement
modélisés par la connexion d’une inductance aux bornes de l’enroulement secondaire Lµ2
(ou primaire Lµ1 ) dont la valeur dans le cas d’un noyau magnétique à forte perméabilité,
est en général bien approchée par la relation Lµ2 = N22 A` , où A` désigne la perméance du
noyau magnétique, et N2 est le nombre de spires du bobinage secondaire. Il est à noter
qu’en pratique des dispersions importantes existent sur la valeur de A` , de l’ordre de 20-
30% selon le matériau utilisé. Le schéma sur lequel nous basons l’étude de l’influence des
effets magnétisants est donné Fig. 2.3a. Le courant traversant l’inductance magnétisante
iµ2 donné par :
iµ2 = 1/(Lµ2 ) ψ̂. (2.1)

L’expression analytique de ψ̂, établie en supposant que le chronogramme de Vdbd est peu
affecté par la présence de Lµ2 est proposée en (A.27). Des simulations SPICE qui tiennent
compte des effets magnétisants sont données Fig. 2.3b. La présence de Lµ2 a pour effet de
« bomber » le courant injecté dans le dispositif DBD. Lorsque Lµ2 demeure suffisamment
élevée, la tension Vdbd diffère peu du cas idéal, ce qui nous permet de considérer comme
encore valide la relation (A.27).
Afin de préciser ce domaine de validité, nous comparons les valeurs de iµ2 estimées avec
(2.1) et celles données par la simulation circuit réalisée avec un moteur SPICE sur Fig. 2.4.
D’une part, il est légitime de supposer que l’influence de l’inductance magnétisante sur les
formes d’onde demeure faible lorsque celle-ci est de valeur « suffisamment élevée ». D’autre
part, sous cette condition, l’hypothèse du couplage faible pourra être utilisée : c’est à dire
que l’on peut supposer que le courant magnétisant est une conséquence de la tension DBD
calculée dans le cas idéal, et que ce courant n’affecte que très peu la tension DBD. Ainsi,
si cette règle est respectée, les formules théoriques établies en annexe §A.3 demeurent tout
à fait pertinentes.
2.1. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT 37

40
+- i1
30
10 H
20 50 H
infinity

idbd (mA)
10
idbd
0
+-i1 iµ2
+-i0 Cdiel -10
-20
Lμ2 Vdbd -30
Vth
Cgas -40

N1:N2 -Vth I
15
10 H
10 50 H
infinity
5

Vdbd (kV)
0

-5

-10

-15
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1
Time (ms)

(a) (b)

Figure 2.3 – (a) Schéma d’étude des effets magnétisants. (b) Résultats de simulation SPICE pour Cgas =
10 pF, Cdiel = 70 pF, Vth =3500 V, i1 = 20 mA, F =10 kHz et différentes valeurs de Lµ2 .

70
Simulation SPICE
Estimation
60

50
2 (mA)

40

30
^iµ

20

10

0
5 10 20 30 40 50
Valeur de Lµ2 (H)

Figure 2.4 – Courant magnétisant maximum en fonction de la valeur de l’inductance magnétisante donné
par la simulation SPICE et théoriquement sans tenir compte des effets magnétisants sur la tension DBD.
38 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

2.1.3.b Inductance de fuite

Les effets de l’inductance de fuite du transformateur élévateur se modélisent classique-
ment par une inductance connectée en série avec le primaire ou le secondaire du trans-
formateur. Ses effets sont d’autant plus importants que l’échelle de temps du phénomène
observé est courte. Nous verrons que, à cause de l’utilisation d’interrupteurs de puissance
ayant un comportement de thyristors, l’inductance de fuite génère lors des changements
d’état des interrupteurs statiques un phénomène d’empiètement qui allonge le temps de
transition du courant primaire entre les valeurs −i0 et i0 . Par conséquent, le courant igas
(Fig. 2.2a) ne peut passer instantanément de 0 à i0
Conformément aux chronogrammes donnés Fig. 2.2a, l’inversion du courant primaire
coïncide avec l’atteinte d’un extremum de la tension DBD. À cause de la présence de
l’inductance de fuite en série avec le transformateur, la continuité du courant injecté au
primaire est imposée ; par conséquent, l’inversion du courant injecté ne peut se faire en un
temps nul. La séquence des états du commutateur de courant est détaillée Fig. 2.5 et les
formes d’onde résultantes sont données Fig. 2.5d. Afin de permettre une meilleure lisibilité
des schémas, un interrupteur amorcé est remplacé par un fil, et un interrupteur bloqué est
remplacé par un circuit ouvert.
– Lorsque le courant dans l’inductance de fuite i` est négatif, égal à −i0 depuis « long-
temps », les interrupteurs K2h et K1l sont passants tandis que les 2 autres sont
bloqués (Fig. 2.5a). La chute de tension aux bornes de l’inductance de fuite est nulle
puisque durant cette phase, di` /dt = 0.
– Lorsque l’on souhaite changer le signe de courant injecté, K1h et K2l sont amorcés.
Pour que le blocage spontané de K2h et K1l se produise, il faut que leurs courants res-
pectifs s’annulent en changeant de signe, ce qui n’est possible que lorsque le courant
i` aura atteint une valeur de i0 . Ainsi, le système observe une phase d’empiètement
durant laquelle tous les interrupteurs sont amorcés (Fig. 2.5b). En admettant que
cette phase est de durée très courte comparée à la période d’alimentation, on suppo-
sera que la tension Vdbd demeure à sa valeur minimale −V̂dbd durant l’empiètement.
Le courant injecté au primaire est alors linéairement croissant, et sa valeur est donnée
par i` (t) = −i0 + (V̂dbd /L` )t.
– Une fois que i` atteint la valeur de i0 , le courant dans les interrupteurs K2h et K1l
s’annule et ceux-ci se bloquent (Fig. 2.5c).
La durée d’empiètement te se déduit directement du chronogramme Fig. 2.5d qui montre
que
2mL` i0
te = . (2.2)
V̂dbd

2.1.3.c Les effets capacitifs du transformateur

Les effets électrostatiques dominent lorsque l’application à laquelle est destiné le trans-
formateur nécessite une tension élevée, un faible courant, et une fréquence relativement
élevée. En effet, cette configuration particulière montre que l’impédance de la charge à
alimenter est élevée, jusqu’à être comparable voire supérieure à une impédance de type
2.1. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT 39

K1h K2h K1h K2h K1h K2h

i i i
0 0 0
K1l K2l K1l K2l K1l K2l

(a) (b) (c)

i
iL 0

V /m
dbd
t
e

-i ~ -^
V /m
0 dbd

(d)

Figure 2.5 – (a) (b) (c) Séquence de fonctionnement du commutateur de courant lors de l’inversion du
courant injecté. (d) Allure théorique des chronogrammes lors de l’inversion du courant injecté.
40 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

20 i0/m
idbd 0 pF
+-i1 10 pF
iC 10
+-i0 p Cdiel 30 pF
100 pF

idbd (mA)
Cp 0

Vdbd Vth
Cgas -10

N1:N2 -Vth I
-20 10 µs/div
15
0 pF
10 10 pF
30 pF
5 100 pF

Vdbd (kV)
0

-5

-10
10 µs/div
-15

(a) (b)

Figure 2.6 – (a) Schéma électrique équivalent modélisant l’ensemble des phénomènes électrostatiques au
sein du transformateur. (b) Résultats de simulation SPICE pour Cgas = 10 pF, Cdiel = 70 pF, Vth =3500 V,
i1 = 20 mA, F =10 kHz et différentes valeurs de Cp .

1/(Cp ω), où Cp représente une capacité parasite équivalente du transformateur éléva-

teur modélisant de façon simpliste tous les phénomènes électrostatiques s’y déroulant
(Fig. 2.6a). Nous reviendrons en détail sur la pertinence de cette modélisation dans le cha-
pitre suivant. En pratique nous avons mesuré que pour un transformateur dont le volume
se situe autour de 0.1 litre, ce qui correspondrait en pratique à une application de plusieurs
dizaines de Watts, la valeur de Cp s’échelonne entre une dizaine de pico-Farad et une cen-
taine de pico-Farad, cette valeur étant très dépendante des paramètres de construction du
transformateur.
La présence de Cp implique qu’une part potentiellement importante du courant injecté
au primaire du transformateur ne se retrouve pas au secondaire. La simulation du système
pour différentes valeurs de Cp (Fig. 2.6b) montre que Cp est responsable d’un manque
à gagner important en terme de valeur de courant. En plus de cela, la forme d’onde du
courant injecté dans le dispositif DBD est fortement affectée (allure en marche d’escalier)
ce qui a pour effet de retarder fortement l’allumage de la décharge et augmenter la durée
d’extinction. Cette allure en « marche d’escalier » est due au diviseur capacitif qui prend
deux valeurs différentes selon que le gaz est allumé ou non. Lorsqu’il est non allumé, le
diviseur est formé de Ceq (association série de Cgas et Cdiel ) en parallèle de Cp , et lorsqu’il
est allumé, il est formé de Cdiel en parallèle de Cp . Sur la simulation Fig. 2.6b, pour un
courant donné au primaire, en l’absence de Cp , le temps d’allumage en pourcentage de la
période est de 93% d’après (A.19). Il est d’environ 69% lorsque Cp = 30 pF et de 13%
seulement lorsque Cp = 100 pF. Bien entendu, la puissance transmise au dispositif DBD
s’en retrouve fortement affectée d’une part parce que le temps d’allumage diminue, et
d’autre part parce que le niveau de courant injecté dans la décharge est diminué à cause
de l’effet du diviseur capacitif.
2.1. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT 41

2.1.4 Cas réaliste

La discussion sur les effets parasites du transformateur permet d’établir une hiérarchie
situant l’importance de l’impact de l’effet considéré vis à vis du comportement du système.
Il a été constaté que les effets capacitifs sont d’une importance majeure car les ordres
de grandeur couramment rencontrés sont défavorables. Expérimentalement, ce fait a été
observé pour des systèmes allant de la dizaine à quelques centaine de Watts (voir §2.3).
Contrairement à l’approche précédente consistant à supposer un couplage faible entre le
système et les éléments parasites, nous proposons d’aborder de façon exacte l’influence
des effets capacitifs. En revanche, les effets magnétiques s’avèrent bien moins influents, et
l’hypothèse du couplage faible demeure utilisable.

Modéliser les dispositifs DBD en tenant compte des effets capacitifs parasites

Deux approches viennent naturellement pour considérer l’influence des effets capacitifs.
La première consiste à calculer véritablement le courant idbd en tenant compte de la
présence de Cp , ce qui conduit à écrire que le courant injecté dans le dispositif DBD est
donné par
(
Ceq /(Ceq + Cp )i0 /m (décharge éteinte)
idbd = . (2.3)
Cdiel /(Cdiel + Cp )i0 /m (décharge allumée)

La trajectoire du point de fonctionnement telle que nous l’avons décrite Fig. 1.11, et les
nombreuses relations qui découlent de cette analyse restent adaptées, tandis que l’étude
théorique en annexe §A.3 concernant les grandeurs relatives à l’alimentation en courant
carré n’est plus applicable car le courant idbd n’a pas une allure rectangulaire à cause de
Cp .
La seconde approche consiste à intégrer Cp dans le modèle du dispositif DBD. En effet,
il est possible de tracer une caractéristique charge-potentiel de l’ensemble {Cp + dispositif
DBD} selon le principe de Fig. 1.11. Il est aisé de montrer que la trajectoire du point de
fonctionnement décrit également un parallélogramme dont les pentes diffèrent de Fig. 1.11,
et que donc, à des substitutions de paramètres près, toutes les relations démontrées en
annexe §A.3 restent valables car le courant injecté dans la charge fictive constitué de la mise
en parallèle de Cp avec le dispositif DBD est d’allure carrée. En effet, les pentes p1 et p2
qui valent respectivement 1/Cdiel et 1/Ceq sur Fig. 1.11 sont substituées par 1/(Cdiel + Cp )
et 1/(Ceq + Cp ). Par conséquent, Cgas doit être substituée par (1 + r0 )(1 + r0 + r0 /r)Cgas
où r0 = Cp /Cdiel et r = Cgas /Cdiel . La relation exprimant la condition de claquage (1.4)
devient :
1 1
V̂dbd = 0
Vth + Q̂dbd . (2.4)
1+r Cdiel + Cp

Aussi pouvons-nous modéliser mathématiquement le système {Cp + dispositif DBD} par

un système {dispositif DBD} équivalent, ce que nous représentons Fig. 2.7. Les valeurs
42 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

~
Cdiel Cdiel

Cp
~
Vth Vth
~
Cgas I Cgas ~ I
-Vth - Vth

Figure 2.7 – Équivalence mathématique entre un modèle avec Cp et un modèle sans Cp

Surface Gap gazeux Diélectrique Cdiel Cgas Vth

25 cm2 1 mm Al2 03 2x0.6 mm 170 pF 22 pF 3500 V
9 cm2 1 mm Al2 03 2x0.6 mm 55 pF 8 pF 3500 V

Table 2.1 – Caractéristiques du dispositif DBD à alimenter.

C̃gas , C̃diel et Ṽth (Fig. 2.7) s’expriment par

C̃gas = (1 + r0 )(1 + r0 + r0 /r)Cgas ,

C̃diel = (1 + r0 )Cdiel , (2.5)
Vth
Ṽth = ,
1 + r0
et où les paramètres réduits sont

Cgas Cp
r= et r0 = .
Cdiel Cdiel
Ainsi, lors de la réutilisation des relations établies lors de l’étude de l’alimentation en
courant carré dans le cas idéal (voir annexe §A.3), il conviendra d’effectuer la substitution
suivante :
q̃ = (1 + r0 + r0 /r)q
(2.6)
r̃ = (1 + r0 + r0 /r)r,
où q est défini par
Cgas Vth
q= .
Q̂dbd

2.2 Conception, Dimensionnement et Fabrication

2.2.1 Cahier des charges
Les caractéristiques des dispositifs DBD que nous alimentons sont données Tab. 2.1.
Pour ce type de configuration, la densité de courant de décharge est de l’ordre de plusieurs
milli-ampères par centimètre carré. Aussi doit-on dimensionner le système pour qu’il puisse
délivrer un courant de 100 mA au dispositif DBD. Afin d’anticiper les effets capacitifs
précédemment évoqués du transformateur élévateur, le système sera dimensionné pour
fournir un courant de 200 mA. La densité de puissance couramment relevée dans les
2.2. CONCEPTION, DIMENSIONNEMENT ET FABRICATION 43

Figure 2.8 – Thyristor de synthèse par association série d’un MOSFET et d’une diode.

campagnes expérimentales menées avec une alimentation contrôlée en tension sinusoïdale

est de quelques watts par centimètre carré. La gamme de fréquence que nous proposons
d’explorer est 5–15 kHz car c’est cette gamme qui permet d’obtenir des régimes de décharge
intéressants pour le traitement de surface avec une alimentation contrôlée en tension.

2.2.2 Le commutateur de courant

Le commutateur de courant a pour fonction d’aiguiller le courant continu fourni par la
source dans le primaire du transformateur. La topologie qui s’est imposée naturellement
est celle qui est présentée Fig. 2.1. Il s’agit d’un onduleur de courant pleine onde.

2.2.2.a Choix des interrupteurs de puissance

Synthèse statique Comme le montre Fig. 2.2b, chaque interrupteur voit à ses bornes
une tension tantôt positive tantôt négative, et ne conduit un courant que positif. Ceci
donne la même caractéristique statique qu’un thyristor.

Synthèse dynamique Fig. 2.2b montre que le sens de parcours de la trajectoire du point
de fonctionnement dans le plan tension-courant de l’interrupteur est tel que l’amorçage est
commandé, et que le blocage est spontané. On retrouve la même caractéristique dynamique
qu’un thyristor.
Compte-tenu de la gamme de fréquence (5–15 kHz), des thyristors ne pourront être
employés. On choisit d’utiliser un thyristor de synthèse qui sera réalisé par une associa-
tion série d’un transistor de puissance type MOSFET, qui possède structurellement deux
segments de courant pour un segment de tension, et d’une diode qui possède structurelle-
ment un segment de tension et un segment de courant, afin de disposer d’un composant
équivalent comportant deux segments de tension pour un seul de courant (Fig. 2.8).
En outre, la propriété de blocage spontané lors du changement de signe de courant dans
l’interrupteur équivalent devra être gérée dans la commande du transistor, car contraire-
ment au cas du vrai thyristor, elle ne saurait exister à l’état naturel pour cette association.
La réalisation d’un tel composant est proposée dans [17].
Un paramètre qui n’a pas encore été fixé est la tension sous laquelle le commutateur
de courant fonctionnera. En effet, pour un cahier des charges donné (une puissance en
sortie donnée), il est possible d’adapter les niveaux de tension au primaire par le biais
du rapport de transformation du transformateur. Une diminution de tension primaire
aura pour conséquence une augmentation du courant au primaire en vertu du principe
de la conservation de l’énergie. Une étude intéressante consiste à comparer les pertes
44 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

des interrupteurs auxquelles s’attendre dans différents cas (à produit VI constant) en

considérant les interrupteurs de puissance de l’état de l’art actuel (année 2014).

Cahier des charges Pour mener cette étude comparative, nous désirons alimenter sous
200 W et 10 kHz le dispositif DBD de 25 cm2 dont les caractéristiques sont présentées
Tab. 2.1. En outre, nous anticipons une capacité parasite Cp = 100 pF du transformateur
élévateur : bien que choisie arbitrairement, cette valeur est représentative de ce qui a pu être
mesuré sur les transformateurs dont nous avons fait l’étude. On effectue les substitutions
de paramètres (2.5) et (2.6), ce qui donne numériquement

C̃gas = 232 pF, C̃diel = 230 pF, Ṽth = 1980 V.

De la relation de la puissance :

Pdbd = Vth îdbd (1 − q), (2.7)

(voir démonstration en annexe §A.3) où q = Cgas Vth /Q̂dbd , on déduit i1 = 120 mA, ce qui
conduit à q̃ = 0.152 (rappelons que nous désirons Pdbd = 200 W). La relation de tension
maximale (démonstration en annexe §A.3) donne V̂dbd = 15.2 kV. Ainsi, en supposant
que le rendement du transformateur est proche de 1, le produit ’tension max-courant
efficace’, que nous notons Stransfo auquel travaille le primaire du transformateur est de
0.12 × 15200 = 1824 VA. En accord avec Fig. 2.2b, chaque interrupteur du commutateur
ne conduit que la moitié
√ du temps, et donc le courant efficace vu par chaque interrupteur est
divisé par un facteur 2. Le produit « tension max × courant efficace » d’un interrupteur,
noté Ssw est donc donné par
√
Ssw = Stransfo / 2 ≈ 1400 VA.

Méthode de comparaison Plusieurs composants ayant des calibres en tension 40 V,

100 V, 200 V, 600 V et 1200 V sont choisis. Pour chaque calibre en tension, une diode
est choisie, et plusieurs transistors sont comparés. Pour chaque interrupteur, on se donne
une marge de sûreté en tension de 0.75, c’est à dire que la tension maximale qui sera
atteinte aux bornes de chaque interrupteur est de 0.75 fois le calibre en tension (soit 30 V
pour les composants 40 V, 75 V pour les composants 100 V etc. . . ). Le courant efficace
vu par chaque interrupteur est alors déduit par le fait que Ssw = 1400 VA, ce qui donne
par exemple 46.7 A pour des composants 40 V et 1.6 A pour des composants 1200 V.
Les pertes par conduction et par commutation sont alors calculées selon le modèle que
nous présentons ci-après et comparées. Les diodes sont choisies en fonction du calibre en
tension ; elles sont données Tab. 2.2.
Calibre 40 V 100 V 200 V 600 V 1200 V
Fabricant IXYS IXYS Vishay Infineon Cree
Référence DSA60C45HB DSA50C100HB VS-60EPU02PbF IDH16S60C C4D10120E

Table 2.2 – Diodes utilisées pour la comparaison.

2.2. CONCEPTION, DIMENSIONNEMENT ET FABRICATION 45

Modèle de perte Dans la diode, ne seront prises en compte que les pertes par conduc-
tion, calculées par
2
Pdiode = Vd Ieff + Rd Ieff , (2.8)
où Vd désigne la tension de seuil de la diode et Rd désigne sa résistance dynamique. Ces
deux paramètres sont souvent donnés dans les documentations techniques, et peuvent éga-
lement se déduire des abaques I(V) systématiquement donnés pour les diodes de puissance.
Dans les transistors, des pertes par commutation sont aussi considérées. Étant donnée
la propriété de blocage spontané à faible di/dt (à cause de l’empiètement), les pertes par
commutation sont données d’après [14] par
1 eq 2
Psw = F Coss Vsw , (2.9)
2
eq est la capacité de sortie équivalente en énergie 1 du transistor, et V
où Coss sw est la tension
aux bornes du transistor lors de son amorçage. Ceci revient à ne considérer que les pertes
ne surviennent que lors de l’amorçage du composant, où sa capacité parasite de sortie
Coss se vide alors que le thyristor ne commence à conduire qu’un très faible courant. Les
pertes au blocage sont négligées étant donné le comportement thyristor des interrupteurs
du pont (ZCS). Les pertes par conduction s’expriment classiquement par
on 2
Pcond = Rds Ieff , (2.10)
on est la résistance du transistor à l’état passant.
où Rds

Comparaison Afin d’acquérir les valeurs des paramètres, nous avons parcouru les do-
cumentations techniques de chaque composant afin d’extraire les courbes pertinentes. Les
figures ont été ensuite traitées par une procédure de fitting afin d’extraire les paramètres
intervenant dans le calcul de pertes. La démarche pour les MOSFETs est présentée Fig. 2.9.
Le résultat de la comparaison est donné Fig. 2.10. On note que la diode est responsable
de pertes élevées pour les faibles calibres en tension car elle doit conduire un courant
d’autant plus élevé que son calibre en tension est faible. Comme nous pouvions l’antici-
per, les pertes par commutation sont négligeables pour les faibles calibres en tension en
raison de la basse fréquence de commutation, de la basse tension et du blocage spontané
des thyristors de synthèse. En revanche, celles-ci s’avèrent plus importantes pour les forts
calibres en tension quoique relativement faibles. Globalement, nous constatons qu’il est
tout à fait intéressant de travailler à tension élevée au primaire du transformateur. Les
MOS SiC 1200 V de Cree offrent des caractéristiques très intéressantes en terme de pertes
pour ce cahier des charges puisque sous ces conditions de fonctionnement, les pertes sont
de l’ordre de 1 W dans le MOS et 1 W dans la diode, ce qui permettrait de s’affranchir
totalement de l’utilisation d’un dissipateur pour des boîtiers de type T0247. Il reste néan-
moins à s’assurer que le travail à haute tension est également profitable à la source de
courant et au transformateur.

1. En pratique, la capacité Coss présente une forte dépendance vis à vis de la tension drain-source du
MOSFET. La notion de « capacité équivalente en énergie » revient à ne considérer qu’une seule valeur de
2
capacité qui est telle que l’énergie stockée (0.5Coss V̂ds ) est égale à l’énergie électrostatique véritablement
stockée dans le MOSFET.
46 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

Figure 2.9 – Démarche de calcul des pertes dans les MOSFET.

2.2.2.b Commande rapprochée

La présence du phénomène d’empiètement évoqué en §2.1.3 nous incite à prévoir dans
la commande une durée pendant laquelle tous les interrupteurs sont amorcés. Ceci est
réalisé naturellement lorsque les interrupteurs de puissance sont de vrais thyristors ou bien
des modules auto-alimentés de type thyristor de synthèse avec une commande rapprochée
indépendante tels que ceux étudiés dans [17]. Pour notre application, nous proposons
d’émuler le comportement thyristor en imposant par la commande une durée où tous les
transistors sont amorcés.
Cette durée doit être au moins supérieure à la durée d’empiètement (durée pendant
laquelle tous les interrupteurs sont amorcés) dont l’expression est donnée en (2.2) et in-
férieure au temps nécessaire pour que la tension change de signe, car alors la diode série
n’est plus capable de bloquer la tension. Ceci implique que la commande doit être réglée
en fonction de ce que le commutateur alimente. Une situation répondant à ce critère est
présentée Fig. 2.11. On observe que le chevauchement des ordres de commutation des tran-
sistors (noté abusivement « ordre de commutation de l’interrupteur ») est suffisamment
long pour que l’empiètement se termine, et suffisamment court afin que la tension Vdbd
n’ait le temps de changer de signe.

2.2.2.c Gestion du courant magnétisant

Toute composante continue dans le courant injecté au primaire du transformateur a
pour effet de magnétiser le noyau magnétique de ce dernier, ce qui dans une représentation
dans le plan ’courant-flux’, a pour effet de translater la trajectoire du point de fonctionne-
ment, pouvant le mener à saturation magnétique et ainsi compromettre le bon fonction-
nement du système. La mise en place d’un système de contrôle de la composante continue
de courant se justifie dans la mesure où une faible valeur, comparée à l’amplitude AC du
courant injecté, peut engendrer un déplacement significatif de la caractéristique « courant-
2.2. CONCEPTION, DIMENSIONNEMENT ET FABRICATION 47

Figure 2.10 – Pertes dans les interrupteurs de puissance pour le commutateur de courant pour Pdbd =
200 W et F = 10 kHz.
48 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

i
iL 0

V /m
dbd
t
e

-i ~ -^
V /m
0 dbd

Ordre amorçage K1l et K2h

Ordre amorçage K1h et K2l Chevauchement des ordres d'amorçage

Figure 2.11 – Empiètement et chevauchement des ordres d’amorçage des transistors de chaque interrup-
teur.

flux ». En notant Lµ2 l’inductance magnétisante du transformateur vue au secondaire et

N2 , le nombre de spires de l’enroulement secondaire, l’amplitude du flux magnétique AC
est donnée par :
ψ̂ Lµ2 îµ2
φ̂ = = , (2.11)
N2 N2
où ψ̂ est l’amplitude maximale de l’intégrale de la tension DBD Vdbd , dont l’expression
analytique est donnée en annexe (voir (A.27)) et îµ2 est la valeur maximale du courant
magnétisant vu au secondaire (contribution AC uniquement). Le flux δφDC engendré par
une composante continue de courant au secondaire δi2DC est donné par :

Lµ2 δi2DC
δφDC = . (2.12)
N2

Pour comparer ces deux valeurs, on calcule le rapport entre la contribution de la compo-
sante DC et la contribution maximale de la composante AC donné par δφDC /φ̂, ce qui
mène à :
δφDC δi2DC
= . (2.13)
φ̂ îµ2
Cette analyse montre que la contribution d’une composante continue de courant s’avère
importante lorsque son ordre de grandeur est comparable à l’amplitude du courant magné-
tisant. Or, conformément à l’analyse des effets de l’inductance magnétisante menée §2.1.3,
ce courant magnétisant a tout intérêt à être faible devant l’amplitude AC du courant
injecté, prouvant ainsi qu’une faible composante continue de courant devant l’amplitude
AC peut déplacer significativement la trajectoire de fonctionnement du transformateur
dans le plan « courant-flux », le mener éventuellement en saturation, ou générer des pertes
supplémentaires.
Technologiquement, il est aisé de garantir un rapport cyclique de 0.5 avec une très faible
marge d’erreur pour le commutateur de courant, ce qui laisserait croire qu’un contrôle du
rapport cyclique en boucle ouverte serait amplement suffisant. Cependant, l’un des effets
que nous devons anticiper est l’irrégularité du courant délivré par la source DC. Cette der-
nière sera réalisée à partir d’un convertisseur à découpage (voir le paragraphe suivant) ; des
2.2. CONCEPTION, DIMENSIONNEMENT ET FABRICATION 49

^
Vdbd /m V1

0
T/2 T

Figure 2.12 – Chronogrammes de la tension ramenée aux borne de la source de courant.

ondulation du courant de sortie sont donc à prévoir. Si le nombre d’ondulations n’est pas
rigoureusement identique sur les alternances positives et négatives du courant, une com-
posante basse fréquence peut apparaître alors que le rapport cyclique est rigoureusement
fixé à 0.5.
Deux alternatives peuvent être envisagées afin d’éviter qu’une composante basse fré-
quence n’apparaisse au primaire du transformateur :
– la fréquence de la source de courant est contrôlée par le commutateur de courant
afin qu’elle demeure toujours à un multiple pair de la fréquence de ce dernier,
– le rapport cyclique du commutateur est autorisé à fluctuer légèrement autour de 0.5
afin d’éliminer toute composante basse fréquence, ce qui implique un contrôle en
boucle fermée du commutateur de courant avec une mesure de courant.

2.2.3 La source de courant

La source de courant a pour rôle de générer un courant continu de valeur i0 (Fig. 2.1).
Celle-ci peut être réalisée de diverses manières en fonction de la nature de la charge
à alimenter. Nous supposerons que celle-ci est réalisée à partir d’une source de tension
continue. Une étude du schéma Fig. 2.1 montre que la tension ramenée en sortie de la source
V1 , possède l’allure présentée sur Fig. 2.12. La tension V1 possède une valeur moyenne
positive ainsi que, comme l’illustre Fig. 2.12, un spectre de puissance importante autour
de la fréquence double de la fréquence de commutation des interrupteurs du commutateur
de courant. On note que cette tension est réversible.

2.2.3.a Topologie, synthèse des interrupteurs

Une étude de la réversibilité de la source de courant montre que celle-ci ne fonctionne

que sur un quadrant en régime permanent : le signe de la tension imposé par la source
primaire, qui est une tension DC est constant et le signe du courant délivré par celle-
ci est positif (égal à i0 ) ou nul. Par conséquent, le choix de la topologie s’orienterait
naturellement vers une structure ne possédant qu’une seule cellule de commutation dans
laquelle les interrupteurs de puissance comportent 2 segments (un segment en courant +
un segment en tension) telle qu’une cellule dévoltrice (Fig. 2.13a).
50 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

i
0
L
i
0
L

V1(t)
V V
in in

V1(t)

(a) (b)

Figure 2.13 – (a) Topologie Buck simple. (b) Topologie Buck en pont complet.

Avec une telle topologie, la tension aux bornes de la diode de la cellule est soit nulle
lorsque la diode est passante, soit égale à la tension d’entrée Vin lorsque cette dernière
est bloquée. Nous avons établi que la tension en entrée du commutateur de courant, V1 ,
prend alternativement des valeurs positives et négatives (Fig. 2.12). Durant la phase où
V1 est positive, le courant de self est croissant lorsque la diode est bloquée, et décroissant
lorsque la diode est passante ce qui montre qu’il est toujours possible, à condition que
Vin > V̂dbd /m, de contrôler le courant de self durant cette phase. En revanche, durant la
phase où V1 est négative, le courant dans l’inductance ne peut que croître car alors, quel
que soit l’état de la diode, la tension aux bornes de l’inductance est positive. Ceci montre
que durant cette phase, il n’est pas possible de contrôler le courant de self car ce dernier ne
peut qu’augmenter. Cette analyse nous incite donc à évincer la topologie Buck Fig. 2.13a.
Une alternative possible consiste à travailler avec une structure en pont complet consti-
tué de deux cellules dévoltrices montées en parallèle (Fig. 2.13b). La différence avec la
structure précédente est que la tension appliquée entre les 2 points milieux des cellules de
commutation peut prendre une valeur positive, négative ou nulle en fonction de l’état des
interrupteurs, ce qui élude la potentielle perte de contrôle du courant i0 lors des alternances
négatives de V1 .

2.2.3.b Critères pour choisir les paramètres

Tension d’entrée Dans cette topologie, la tension d’entrée doit être supérieure au maxi-
mum de V1 , à savoir V̂dbd /m, pour que le courant de sortie i0 soit toujours contrôlable. En
revanche une valeur trop importante augmente les ondulations du courant de sortie pour
une fréquence de découpage donnée.

Fréquence de découpage La fréquence de découpage Fsw doit permettre de satisfaire

plusieurs contraintes. Elle doit être suffisamment élevée pour autoriser une régulation du
courant, capable de compenser les fluctuations rapides de la tension de charge (V1 ) qui
se produisent à deux fois la fréquence de commutation du commutateur. Sa valeur doit
être suffisante pour que les ondulations de courant dans l’inductance soient ’suffisamment’
faibles. Cependant, sa valeur doit garantir un niveau de pertes par commutation raison-
nable dans les interrupteurs.
2.2. CONCEPTION, DIMENSIONNEMENT ET FABRICATION 51

Inductance de lissage L’inductance doit être choisie de façon à supporter une tension
au moins égale au double de la tension d’entrée, et un courant efficace proche de hi0 i. Le
matériau magnétique doit être choisi pour tolérer un régime continu auquel se superposent
des ondulations à la fréquence de découpage. Sa valeur doit être suffisante pour que les
ondulations maximales de courant, ∆max i0 , données par la relation classique

Vin
∆max i0 = , (2.14)
2LFsw

dans le cas d’une commande PWM à deux niveaux, aient un niveau suffisamment faible
relativement à la valeur moyenne du courant de sortie, hi0 i.

2.2.3.c Pertes : étude comparative

Dans les interrupteurs L’objectif de ce paragraphe est de quantifier d’un point de vue
pertes l’influence des paramètres précédemment évoqués. De manière analogue à l’étude
menée sur les pertes dans le commutateur de courant, l’étude que nous menons consiste à
évaluer les pertes dans les interrupteurs et dans l’inductance de lissage pour un système
répondant au cahier des charges présenté Tab. 2.1. Les degrés de liberté que nous considé-
rons sont la fréquence de découpage et le niveau de tension en entrée. Les autres valeurs
sont imposées au travers des hypothèses suivantes :
– bien que ce ne soit pas la meilleure façon de procéder en terme d’ondulation de
courant et de pertes, le pont dévolteur est commandé par une MLI 2 niveaux pour
sa simplicité de mise en œuvre, c’est à dire que les deux transistors (Fig. 2.13b) sont
amorcés et bloqués simultanément,
– l’ondulation de courant dans l’inductance de lissage est supposée égale à 5% de la
valeur moyenne du courant,
– la tension d’entrée Vin correspond à la valeur maximale de V1 ,
– comme pour l’étude des pertes dans le commutateur, le produit Vmax × ieff des in-
terrupteurs est supposé égal à 1400 VA,
– les pertes par commutation dans les diodes sont ignorées, et l’effet du recouvrement
inverse est également ignoré,
– l’amorçage des transistors se fait à rapidité constante : di/dt = 200 A/µs qui corres-
pond à l’ordre de grandeur mesuré expérimentalement,
– le blocage des transistors se fait en deux temps : tout d’abord, la capacité parasite
Coss est chargée sous un courant i0 , puis le courant décroît avec une pente constante,
ne dépendant que des paramètres de driver et du transistor lui-même on supposera
que la pente de décroissance du courant est donnée par : di/dt = 200 A/µs,
– les effets des inductances parasites de maille ne sont pas considérés,
– les pertes sont modélisées selon [27], dont les principaux résultats sont résumés ci-
dessous.
52 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

Puissance DBD Ondul. courant Densité courant Induction max Fréquence

200 W 10% de hi0 i 5 A/mm2 0.2 T 10 kHz

Table 2.3 – Cahier des charges relatif à l’inductance de lissage de la source de courant DC.

Le modèle utilisé pour calculer les pertes par commutation dans un transistor pour cette
comparaison [27] est donné par
  v 
4 u 2i20 
u
1
Psw = i0 Vin F (tmi + tdi ) + Coss Vin2 F 1 + t di
, (2.15)
2 3 Coss Vin dt

où tmi et tdi sont les temps de montée et descente intrinsèques du courant dans le transistor
lors de la commutation à di/dt imposé par le driver (choisi à 200 A/µs) ainsi que par les
éléments parasites de la maille de commutation.
Notons que bien que la relation (2.15) soit issue d’un calcul avec peu d’approximation,
elle nécessite la connaissance de paramètres très difficile à déterminer autrement que par
la mesure (notamment les termes tmi , tmi et di/dt). En effet, ces valeurs dépendent du
driver, des capacités d’entrée du MOSFET mais aussi de la qualité du layout de la maille
de commutation . . . Il est donc important de garder à l’esprit que dans notre cas, les
résultats doivent être appréciés à leur juste valeur : ils sont un ordre de grandeur des
pertes par commutation.
La comparaison des pertes dans une cellule est donnée Fig. 2.14 pour plusieurs choix
technologiques. On note que l’impact des pertes par commutation est plus important que
dans le commutateur de courant car les commutations sont dures. La présence de diode
dans chaque cellule de commutation augmente le niveau de perte par conduction pour les
calibres basse tension. Il apparaît que le travail à haute tension avec des interrupteurs SiC
1200 V semble conduire à une forte réduction des pertes totales dans les interrupteurs.

Dans l’inductance de lissage Intéressons-nous au dimensionnement d’une inductance

répondant au cahier des charges Tab. 2.3. La relation (2.14) associée au critère relatif à
l’ondulation du courant selfique permet d’établir que
Vin
L= . (2.16)
0.2Fsw hi0 i

L’induction magnétique maximale φ̂, atteinte de le noyau magnétique s’exprime par

L × 1.05 hi0 i 5.25Vin
φ̂ = = , (2.17)
N N Fsw
où N désigne le nombre de spires qui constituent la self de lissage. Ceci conduit à exprimer
la contrainte sur l’induction magnétique par
5.25Vin
Ae > , (2.18)
N Fsw B̂
où Ae désigne l’aire magnétique effective du noyau sur lequel est bobinée la self. L’occu-
pation surfacique du bobinage se déduit directement de la contrainte liée à la densité de
2.2. CONCEPTION, DIMENSIONNEMENT ET FABRICATION 53

Figure 2.14 – Pertes dans chaque cellule d’interrupteurs de puissance de la source de courant DC pour
Pdbd = 200 W et F = 40 kHz.
54 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

courant admissible (J =5 A/mm2 ) et du nombre de spires N . On suppose que le fil de

bobinage est de géométrie circulaire, et que le cuivre occupe 80% de la surface de bobi-
nage, le reste étant occupé par de l’isolant. Le coefficient de foisonnement est ainsi donné
par kbob = 0.8 × π/4 ≈ 0.6. Ceci permet d’exprimer la contrainte relative à la section de
la fenêtre de bobinage Aw par
N hi0 i
Aw > . (2.19)
kbob J
Le produit des aires Ap = Ae Aw , du noyau magnétique doit donc vérifier la contrainte

5.25Vin hi0 i
Ap > . (2.20)
kbob JFsw B̂
De manière analogue au raisonnement précédent à propos des pertes dans les interrupteurs
du commutateur de courant, le produit Vin hi0 i est fixé par la puissance à transmettre
dans le dispositif DBD (voir Tab. 2.3) ; on pourrait montrer qu’il est de 1820 VA lorsque
Pdbd = 200 W. La contrainte sur le produit des aires du noyau est donc indépendante de
la tension d’entrée ou du courant conduit, seul le produit de ces grandeurs importe. Par
conséquent, une fois le noyau magnétique choisi, étant donné que, pour une température
donnée, les pertes fer ne dépendent que du volume de ce dernier, de l’induction maximale,
B̂, de la fréquence de découpage Fsw et des formes d’onde du flux magnétique, elles sont
entièrement déterminées par le produit Vin hi0 i. Une fois la puissance à transmettre fixée,
le noyau magnétique choisi et les contraintes Tab. 2.3 respectées, on constate que les pertes
fer ne dépendent pas du choix des grandeurs Vin et hi0 i pourvu que leur produit reste le
même. Les pertes cuivre se calculent par PCu = ρN (M LT )/Sfil hi0 i2 où Sfil désigne la
section cuivre du fil de bobinage, M LT désigne la longueur moyenne d’une spire, et ρ
désigne la résistivité du matériau conducteur constituant le fil de bobinage. Travaillant à
densité de courant constante J, on établit que Sfil = hi0 i /J et que donc,

PCu = ρ(M LT )JN hi0 i . (2.21)

Or, la loi de Hopkinson appliquée au circuit magnétique formé des N spires parcourues
par un courant hi0 i + ∆max i0 = 1.05 hi0 i et de la perméance A` du circuit magnétique de
la self conduit à
B̂Ae
N × 1.05 hi0 i = , (2.22)
A`
En combinant (2.21) et (2.22), on montre que

ρ(M LT )J B̂Ae
PCu = (2.23)
1.05A`
qui est une constante du dimensionnement. Ainsi, les degrés de liberté offerts dans le
dimensionnement de l’inductance sont : le choix du matériau magnétique, la géométrie du
noyau (avec présence ou non d’entrefer) et la nature du fil de bobinage. Afin de guider
notre choix, nous procéderons à un dimensionnement par optimisation. On s’intéressera à
satisfaire deux objectifs qui, pour ce genre de problématique, sont antagonistes : les pertes
totales et la masse. Pour cela on applique un algorithme de minimisation des pertes en
2.2. CONCEPTION, DIMENSIONNEMENT ET FABRICATION 55

af+b c Paramètres d'optimisation :

Pfer = K.Volume.B .f Pour chaque matériau :
N et L
2 2 0 Pour chaque "Masse":
PCu = N .ρ(MLT)/Scu.Idc
Minimiser Objectif en
respectant les
OBJ = Pfer + PCu
S Contraintes;
Cu, fin;
Objectif 2L0
N fin;
* Ne pas saturer spires Afficher le réseau de
* L > Lmin courbes Pertes VS Masse
* SCu et L0 sont tels que L0 L0 0.5L0
pour chaque matériau;
la masse totale vaut Masse totale imposée donc
"Masse" Contraintes SCu est dépendant de L0 Algo dimensionnement

Figure 2.15 – Principe de la démarche de dimensionnement de la self de lissage.

balayant plusieurs valeurs de masse (contrainte d’égalité), ce qui permettra de localiser les
solutions optimales dans le plan ”masse-pertes”.
Le principe du dimensionnement est résumé Fig. 2.15. Une fois le matériau magnétique
fixé, le noyau est défini par un seul paramètre : la grandeur L0 qui sert à définir toute sa
géométrie. L’enroulement, supposé à base de fil de cuivre, est défini par deux paramètres :
la section totale SCu qui doit tenir dans la fenêtre de bobinage du noyau, et le nombre de
spires N . Nous obtenons ainsi trois paramètres d’optimisation indépendants : L0 , SCu et
N.
Si nous imposons à la self d’avoir une certaine masse, les paramètres L0 et SCu ne sont
plus indépendants et, dans le contexte que nous nous sommes imposés, la self est alors
déterminée de façon univoque par ses paramètres L0 et N car il s’avère que la contrainte
d’égalité relative à la masse totale permet d’éliminer manuellement le paramètre SCu .
Le calcul de la fonction objectif tient compte des pertes par conduction dans l’enrou-
lement – les effets de peau et de proximité étant négligés – et des pertes fer dans le noyau.
Ces dernières sont modélisées par une loi du type Steinmetz de la forme Pfer = KVB af +b f c
(Fig. 2.15), V étant le volume fer, où les coefficients K, a, b et c sont déterminés par ré-
gression au sens des moindres carrés des courbes expérimentales donnant les densités de
pertes en fonction de la fréquence et de l’induction magnétique, en général fournies par
les fabricants. Ces relevés expérimentaux sont en général donnés pour une excitation sinu-
soïdale alors que dans notre cas, celle-ci est de type triangulaire. Bien que rigoureusement
inexact, nous supposerons que le modèle de pertes peut s’étendre aux excitations de type
triangulaires en gardant les mêmes coefficients. De plus, les effets de la température ont
été ignorés dans cette étude ; on a supposé qu’elle était constante, égale à 25˚C puisque
les courbes de pertes fournies par les fabricants sont souvent précisées (entre autres) pour
cette valeur de température.
Les résultats de la procédure de dimensionnement sont donnés Fig. 2.16. Chaque courbe
représente un front de Pareto, et chaque point de cette courbe représente les pertes de la
solution optimale, pour une masse totale fixée.
L’allure des courbes confirme le fait que les deux critères « masse » et « pertes » sont ef-
fectivement antagonistes. Nous avons constaté que pour les masses faibles (donc niveau de
perte élevé), les pertes cuivre sont majoritaires pour tous les matériaux testés. La grande
différence des niveaux de pertes entre les divers matériaux magnétiques tient principale-
56 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

30

25

20
Losses (W)

MPP 14 µ

15 MPP 26 µ
MPP 200/300 µ
MPP 60 µ
10 3C85 Philips
EPCOS K1
3F3 Philips
3C90
5
3F45
N87
N97
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
Mass (kg)

Figure 2.16 – Compromis pertes/masse guidant le choix de l’inductance de lissage pour Fsw = 50 kHz
pour divers types de noyaux magnétiques.

Dispositif DBD
idbd
K1h VK K2h
2h 1:m Cdiel
Vdiel

Vdc i
0 V
L/2 1 Vp Vdbd idis
Vth
L/2 Cgas
Vgas
-Vth I
K1l K2l

Figure 2.17 – Structure de puissance de l’alimentation en courant carré.

ment à la valeur de l’induction de saturation Bsat , à condition que la perméabilité relative

du matériau soit suffisamment élevée pour garantir une valeur d’inductance minimale. Les
matériaux où cette dernière est faible nécessitent un nombre de spires minimum plus élevé
que les matériaux ayant une saturation élevée afin de respecter la contrainte de non satu-
ration, tandis que la masse totale de cuivre optimale reste sensiblement égale, conduisant
à une majoration des pertes cuivre. Lorsque la masse totale est élevée, les solutions de
l’algorithme conduisent, pour la plupart des matériaux, à équilibrer les contributions ’fer’
et ’cuivre’ aux pertes totales.

2.2.4 Fabrication
La structure globale de la partie puissance est présentée Fig. 2.17

2.2.4.a Choix de la tension d’entrée

Bien qu’une haute tension permette de réduire considérablement les pertes dans les
semi-conducteurs de la source de courant (Fig. 2.14) et du commutateur (Fig. 2.10),
2.3. ÉTUDE EXPÉRIMENTALE 57

Source de courant Commutateur

MOSFET Diode MOSFET Diode
Fabricant Infineon Fairchild ST IXYS
Référence IPW60R045CP ISL9R1560G2 STW75NF30 DPG-60-I-400-HA
Calibre en tension (V) 600 600 300 400
on (mΩ) / V on (V )
Rds 45 1.47 37 1.8
eq d
Coss (pF) / Qrr (nC) 310 57 460 nc

Table 2.4 – Paramètres des semi-conducteurs de puissance

nous avons opté pour l’utilisation d’une source de 310 V réalisée à partir d’un redresseur
connecté au réseau. En outre, le transformateur dont nous disposons possède un rapport de
transformation de 155 ce qui, pour atteindre une tension de 10 kV au secondaire, nécessite
une tension d’environ 65 V au primaire.

2.2.4.b Choix des interrupteurs

Dans la source de courant Afin de garantir une certaine facilité de mise en œuvre,
nous avons choisi une fréquence de commutation de 40 kHz. Le calibre en tension des
interrupteurs est choisi à 600 V afin de prévenir d’éventuelles surtensions. Nous avons
opté pour le CoolMOS IPW60R045CP de Infineon, qui permet d’atteindre un niveau de
pertes acceptable. Pour les diodes, nous avons opté pour la ISL9R1560G2 de Fairchild.

Dans le commutateur Le calibre en tension des interrupteurs est choisi à 300 V car
les commutations sont douces ce qui permet de les rendre relativement lentes. Ainsi, le
risque de surtension est faible. Nous avons opté pour le STW75NF30 de ST. La diode est
une DPG-60-I-400-HA de IXYS.
Les caractéristiques principales des interrupteurs choisis sont résumées Tab. 2.4

2.2.4.c L’inductance
La valeur de l’inductance a été fixée à 8 mH, réalisée sous forme de deux inductances
de 4 mH. Elle ont été réalisées par la société Boige et Vignal selon notre cahier des charges.

2.2.4.d Refroidissement et placement des éléments

Des photos du convertisseur sont présentées Fig. 2.18. Les différents éléments sont
donnés Fig. 2.18b. Les semi-conducteurs de puissance ont été montés sous la carte de
puissance afin de pouvoir les fixer sur le dissipateur (Fig. 2.18c). La source de courant
et le commutateur ont été réalisés sur deux cartes indépendantes, et montés de façon
symétrique. Ceci permet de faciliter le refroidissement grâce aux ventilateurs dont le flux
d’air passe entre les ailettes.

2.3 Étude expérimentale

Le dispositif DBD est de géométrie plan/plan (Fig. 1.4).
– La surface des électrodes utilisées est soit de 9 cm2 soit de 25 cm2 ,
58 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

(a) (b)

(c)

Figure 2.18 – Photos de l’alimentation en courant rectangulaire. (a) Face avant. (b) Montage des semi-
conduteurs sur le dissipateur. (c) Vue d’ensemble.
2.3. ÉTUDE EXPÉRIMENTALE 59

(a) (b)

Figure 2.19 – Les deux dispositifs expérimentaux utilisés au cours des expérimentations. Figure (b) est
extraite de [11].

– l’espace gazeux est fixé à 1 mm,

– les barrières diélectriques sont en alumine (Al2 O3 ) et possèdent chacune une épais-
seur de 635 µm.

Au §1.2.1, il a été évoqué le fait que la diminution du temps d’extinction entre deux dé-
charges successives permettait de favoriser l’obtention du régime homogène ce qui revêtait
un grand intérêt pour les applications de dépôt de couches minces. À cet égard, nous avons
montré que l’alimentation en courant carré présente certaines qualités.
Ici, nous proposons l’étude expérimentale réalisée avec l’alimentation en courant rec-
tangulaire conçue et fabriquée au laboratoire LAPLACE. On s’attachera d’une part à
évaluer les effets parasites qui viennent augmenter la durée d’extinction, et d’autre part à
évaluer le gain accompli avec cette alimentation sur un procédé de dépôt.

2.3.1 Dispositif expérimental

Deux dispositifs expérimentaux ont été utilisés au cours des expérimentations. Le pre-
mier, présenté Fig. 2.19a, a permis de valider des dimensionnements car sa construction
ne contraint pas la connexion d’une des électrodes vis à vis de la terre, car les parties mé-
talliques du bâti sont suffisamment éloignées de la cellule de décharge. En contre partie,
l’atmosphère gazeuse ne peut être rigoureusement contrôlée.
Le second, présenté Fig. 2.19b, a permis de mener des investigations sur l’influence
de l’alimentation sur les paramètres de décharge avec éventuellement ajout d’éléments
chimiques en quantité contrôlée, car l’environnement gazeux bénéficie d’un contrôle ri-
goureux. Cependant, étant donnée la nécessité de disposer d’un grand nombre d’éléments
métalliques (carcasse du réacteur, structures de maintien), il est nécessaire que les po-
tentiels des électrodes soient référencés à la terre en connectant l’une d’elles au bâti, lui
même relié à la terre pour d’évidentes raisons de sécurité. La puissance est amenée depuis
le convertisseur vers le transformateur élévateur, dont le secondaire alimente le dispositif
DBD.
60 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

Figure 2.20 – Dispositif DBD et son environnement.

Conditions Mesures effectuées Valeurs

V1T = 0 C12 + C2T 11.9 pF
V2T = 0 C12 + C1T 12.4 pF
V12 = 0 C1T + C2T 6.7 pF

Table 2.5 – Mesures effectuées

2.3.1.a Description

Il est important de caractériser l’environnement du dispositif DBD car celui-ci com-

porte des capacités de faible valeur (Cgas ≈ 8 pF, Cdiel ≈ 60 pF pour une surface de 9 cm2 ).
Un couplage capacitif parasite vers toute structure métallique environnante telle que le
bâti, dévie une part non négligeable de courant et peut fausser les relevés expérimentaux.
Pour des raisons de sécurité le bâti métallique est connecté à la terre. Toutefois, le mode
de connexion du transformateur à la terre est a priori inconnu. Il peut être défini par
l’expérimentateur, et peut varier en fonction du type d’expérimentation. Il est par consé-
quent nécessaire de disposer d’un modèle électrostatique de l’ensemble {électrode DBD 1,
électrode DBD 2, terre}. Lorsque seuls les couplages capacitifs sont considérés, le modèle
se réduit au schéma Fig. 2.20.
La capacité C12 représente la capacité du dispositif DBD lorsque le gaz n’est pas
claqué ; C1T et C2T représentent respectivement les capacités entre l’électrode 1 et la
terre, et entre l’électrode 2 et la terre. La considération de ces couplages à la terre revêt
une importance capitale car il s’avère en pratique que les valeurs de C1T et C2T sont du
même ordre de grandeur que C12 , et que donc une partie importante du courant mesuré
en sortie du transformateur empruntera ces chemins parasites au lieu de passer dans le
dispositif DBD. Après avoir mesuré les valeurs des capacités parasites, il convient donc de
compenser leurs effets lors des mesures expérimentales du courant injecté. Afin d’accéder
à ces valeurs, un impédance-mètre a été employé. Il s’agit du modèle PSM 1700 de chez
N4L. La mesure a été effectuée à 1 MHz afin de faire fonctionner l’impédance-mètre dans sa
gamme de précision optimale, et une attention particulière a été apportée à l’établissement
des compensations capacitives compte-tenu des faibles valeurs à mesurer. Les mesures sont
rapportées Tab. 2.5. Ces trois mesures permettent de déduire les valeurs des trois capacités
2.3. ÉTUDE EXPÉRIMENTALE 61

imeas idbd
Dispositif DBD
i1T
Cdiel
V =k.V
1T meas
C1T
iT
Vmeas idis

V
Vth
C2T Cgas
V =-(1-k)Vmeas I
2T -Vth
i2T

Figure 2.21 – Schéma électrique équivalent vu de l’enroulement secondaire.

mesurées pour une électrode de 9 cm2 :

C12 = 8.8 pF, C1T = 3.1 pF et C2T = 3.6 pF.

2.3.1.b Compensation
Le schéma équivalent vu des bornes de l’enroulement secondaire tenant compte des
appareils de mesure est donné Fig. 2.21 ce qui illustre le fait que le courant mesuré, imeas ,
n’est pas le courant dans le dispositif DBD car une partie de ce dernier est déviée à travers
les capacités parasites couplées à la terre. Notons l’ordre dans lequel sont placées les sondes
de courant et de tension : il est nécessaire de procéder ainsi car l’impédance de la sonde
de tension ne peut pas être supposée infinie dans le cadre de ces mesures. En effet, celle-ci
possède un terme capacitif d’environ 3 pF (d’après la documentation), ce qui ne peut être
négligé devant Cgas qui vaut environ 8 pF pour une surface DBD de 9 cm2 . Sur Fig. 2.21,
le potentiel aux bornes de l’enroulement secondaire est référencé par rapport à la terre
au travers du facteur de connexion k. Par exemple, si la sécurité impose que l’une des
électrodes soit connectée à la terre alors V2T = 0 ou V1T = 0 c’est à dire k = 1 ou k = 0.
Comme nous le verrons dans le chapitre suivant, il peut être avantageux de connecter la
terre au point milieu du transformateur et dans ce cas, on considère que k = 0.5. Grâce
à ce schéma, nous pouvons établir la méthode de compensation du courant mesuré en
fonction du référencement de la tension mesurée au secondaire du transformateur. Une
étude électrocinétique montre en effet que
dV1T dVmeas
i1T = C1T = kC1T , (2.24a)
dt dt
dV2T dVmeas
i2T = C2T = −(1 − k)C2T , (2.24b)
dt dt
ce qui conduit à
dVmeas
idbd = imeas − i1T = imeas − kC1T , (2.25)
dt
Notons que si la mesure est prise sur le « retour du courant » (branche inférieure sur
Fig. 2.21), le terme à retrancher est (1 − k)C2T dVmeas /dt. Ceci quantifie le terme de com-
pensation de la mesure de courant. On note que lorsque k = 0 ou k = 1, il est naturellement
plus judicieux d’effectuer la mesure sur la branche portée au même potentiel que le bâti.
62 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

T1 T2
Paramètres Valeur Valeur Unité
Fab. . ATESYS-
MONTOUX
S 600 600 VA
Gamme frequentielle 8–40 1–10 kHz
Rapport transfo (m) 64 155
Ind. magnétisante (sec) (Lµ ) 45 20.8 H
Ind. de fuite (sec) (L` ) 204 265 mH
Capacité C1 37.8 84.9 pF
Capacité C2 -2.57 -3.253 nF
Capacité C3 2.65 3.347 nF

Figure 2.22 – Caractéristiques des transformateurs utilisés pour les relevés expérimentaux.

Lorsque k = 0.5, il est a priori préférable d’opérer la mesure sur la branche qui présente
la capacité au bâti la plus faible car le terme de compensation est alors moins important.

2.3.1.c Transformateurs utilisés

Afin de mettre en évidence l’influence du transformateur, deux appareils différents ont
été employés dans le dispositif expérimental. Le premier transformateur, T1 , a fait l’ob-
jet d’une conception par minimisation des effets électrostatiques (voir le chapitre suivant
qui y est consacré) tandis que le second, T2 , est un transformateur haute tension initiale-
ment disponible, produit industriel dont nous ignorons la démarche de conception. Leurs
caractéristiques vues des bornes ont été mesurées ; elles sont données Fig. 2.22.

2.3.2 Relevés
2.3.2.a Chronogrammes : influence des effets parasites
Des relevés réalisés avec le dispositif Fig. 2.19a sur une surface de 25 cm2 à la fréquence
de 10 kHz sont présentés Fig. 2.23. Le courant idbd correspond au courant imeas compensé.

Effets capacitifs La lecture de ces formes d’onde souligne l’impact du transformateur

sur l’allure du courant injecté. Il apparaît que les effets capacitifs manifestés par l’allure en
marche d’escalier du courant injecté sont inévitables, mais qu’il est possible de les réduire
fortement en concevant le transformateur pour obtenir spécifiquement la maîtrise des effets
capacitifs. Conformément à l’analyse menée au §2.1.3, la durée d’extinction est majorée
lorsque le transformateur utilisé comporte une grande capacité parasite : il varie du simple
au double selon l’emploi de T1 ou de T2 lorsque les relevés sont effectués à courant DBD
max comparable.
De plus, avec le transformateur T2 , on note que le rapport entre le courant maximum
primaire et le courant maximum mesuré au secondaire est égal à 500, alors que le rapport de
transformation à vide à 10 kHz est de 155. Ceci montre la présence d’une forte composante
capacitive qui conduit à injecter beaucoup de courant au primaire. Avec le transformateur
T1 , ce rapport est égal à environ 150 alors que le rapport de transformation à vide à 10 kHz
2.3. ÉTUDE EXPÉRIMENTALE 63

Freq = 10000 / Power = 70.806

15
Iprim (A)

idbd (x10mA)
10
Vdbd (kV)

5 Effets capacitifs

Effets de l'inductance
de fuite
−5

−10

−15
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Time (s) −4
x 10

(a) Avec T1 : demi-primaire utilisé

10
iprim (A)

idbd (x10mA)

5 Vdbd (kV)

Effets capacitifs

−5

−10
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Time (s) −4
x 10

(b) Avec T2
4
x 10
1.5

Vth
0.5
Vdbd (V)

−0.5 -Vth

p2
−1
p1

−1.5
−6 −4 −2 0 2 4 6
Qdbd (C) −7
x 10

(c) Diagramme Q-V

Figure 2.23 – Formes d’onde relevées avec l’alimentation en courant carré, F = 10 kHz.
64 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

est de 128 (seulement la moitié du primaire est utilisée). La valeur du courant dévié au
travers des capacités parasites du transformateur est relativement faible.

Effets inductifs Comme l’évoque l’étude §2.1.3, le courant injecté au primaire du trans-
formateur n’est pas d’allure rigoureusement carrée, mais trapézoïdale. Que ce soit avec l’un
ou l’autre des transformateurs, le temps de transition entre les deux valeurs extrêmes du
courant s’opère en une durée comparable. Ceci est cohérent avec le fait que les valeurs de
l’inductance de fuite vue au secondaire sont du même ordre de grandeur dans les deux
transformateurs. Les effets de l’inductance magnétisante sont difficilement observables sur
ces relevés, car la fréquence choisie est relativement élevée.

2.3.2.b Identification expérimentale des paramètres

Les relevés permettent d’identifier quelques paramètres du modèle électrocinétique du
dispositif DBD et de la décharge de Townsend. Le tracé du diagramme charge-potentiel tel
que celui évoqué Fig. 1.11 est en effet possible en considérant la tension DBD en fonction
de l’intégrale du courant DBD ; sans oublier le terme de compensation dans la mesure du
courant DBD. En opérant cela au relevé Fig. 2.23a on obtient le diagramme Fig. 2.23c.
On mesure ainsi les pentes p1 et p2 qui théoriquement, valent respectivement 1/Cdiel et
1/Cdiel + 1/Cgas , ainsi que l’intersection de la trajectoire du point de fonctionnement avec
l’axe des tensions dont l’ordonnée vaut Vth . On mesure ainsi

Cgas = 9.2 pF, Cdiel = 62 pF et Vth = 3200 V,

ce qui est en accord avec les valeurs théoriques.

2.3.2.c Domaines de transition homogène-filamentaire

Dans l’azote à pression atmosphérique nous avons comparé les domaines de transition
homogène/filamentaire dans le plan fréquence/puissance des alimentations en tension sinus
et en courant rectangulaire.
Comme l’attestent Fig. 2.24a et Fig. 2.24b, à courant maximum équivalent (10 mA),
l’alimentation en tension tend à alimenter le dispositif DBD avec une durée d’extinction
plus élevée. En effet, la durée d’extinction est de 40 µs pour l’alimentation en tension
sinus et de 26 µs avec l’alimentation en courant rectangulaire. Ces deux particularités font
que l’alimentation contrôlée en courant permet de travailler en régime homogène sur une
plus grande gamme de puissance car comme nous l’avons évoqué au premier chapitre, cela
favorise l’effet mémoire.
C’est en toute logique que l’on observe expérimentalement que le domaine de fonction-
nement homogène dans le plan « fréquence-puissance surfacique » est plus étendu avec
l’alimentation en courant rectangulaire qu’avec l’alimentation en tension sinusoïdale (voir
Fig. 2.25a). On constate en effet que, à la limite de la transition filamentaire, la durée
d’extinction est toujours plus faible avec l’alimentation en courant (Fig. 2.25b). Notons
que jusqu’à la fréquence de 8 kHz pour l’alimentation en tension et 12 kHz pour l’alimen-
tation en courant, le transformateur est limitant (limitation à 12 kV) ; c’est pourquoi les
2.3. ÉTUDE EXPÉRIMENTALE 65

15 15

t =40 µs t =26 µs
off off
10 10

5 5

0 0

-5 -5

-10 -10
DBD voltage (kV) DBD voltage (kV)
DBD current (mA) DBD current (mA)
-15 -15
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0 0.05 0.1 0.15 0.2
Time (ms) Time (ms)

(a) (b)

Figure 2.24 – Formes d’onde expérimentales à 5 kHz pour une surface traitée de 9 cm2 . Alimentation
en tension sinus (a) et alimentation en courant rectangulaire (b). Relevés effectués sur le dispositif expéri-
mental Fig. 2.19b. La puissance Pdbd se situe aux alentours de 17 W pour l’alimentation en tension et de
28 W pour l’alimentation en courant.

(a) (b)

Figure 2.25 – (a) Domaine expérimental de transition entre les régimes homogène et filamentaire. (b)
Valeur mesurée de toff en limite de transition filamentaire. Mesures effectuées dans l’azote pur à pression
atmosphérique sur le dispositif expérimental Fig. 2.19b ; S = 9 cm2 .
66 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT

limites tracées sur Fig. 2.25a sont identiques pour les deux alimentations jusqu’à 8 kHz.
Pour les fréquences supérieures à 8 kHz, on note une différence significative entre les deux
alimentations. L’alimentation en courant carré permet une augmentation de 79% de la
puissance par rapport à l’alimentation en tension sinus, en régime homogène.

2.3.2.d Gains apportés au procédé de dépôt

Grâce à la diminution du temps d’extinction entre deux décharges consécutives, l’ali-

mentation en courant carré a permis d’étendre le domaine de fonctionnement homogène
dans de l’azote pur. Ceci présage l’augmentation de la vitesse du dépôt car, comme le
montre Fig. 1.12, elle dépend beaucoup de la puissance injectée. Néanmoins, comme nous
l’avions évoqué au premier chapitre, la présence d’espèces précurseurs (nécessaires au dé-
pôt) telles que le HMDSO ont pour effet d’amoindrir l’effet mémoire, ce qui défavorise
l’obtention du régime homogène [54].
Afin d’étayer cela, on étudie l’influence du taux d’oxygène pur dans l’azote avec les
deux générateurs. Les effets du dioxygène sont très similaires à ceux du HMDSO en terme
d’impact sur l’effet mémoire, mais pour des raisons pratiques, on a préféré employer ce
gaz :

– l’oxygène ne se dépose pas et donc l’échantillon garde les mêmes propriétés ; ceci est
nécessaire pour établir des comparaisons sous plusieurs régimes de fonctionnement,
– la mise en place d’une injection de HMDSO requiert beaucoup plus de soins.

Les expérimentations ont été effectuées sur le dispositif présenté Fig. 2.19b afin d’opérer
un contrôle précis de la quantité d’espèces gazeuses injectées.
Les mesures ont été prises sur un dispositif de 9 cm2 . Les résultats sont présentés
Fig. 2.26. L’emploi de l’alimentation en courant carré permet de travailler à une forte
densité de puissance (presque 10 W/cm2 ) jusqu’à un taux de 1000 ppm, et de mainte-
nir une décharge homogène jusqu’à un taux de 1400 ppm. Au contraire, dans le cas de
l’alimentation en tension sinus, la limite de transition filamentaire augmente jusqu’à l’at-
teinte d’un taux d’environ 200 ppm (cette observation qui semble contredire le fait que
la présence de dioxygène amoindrit l’effet mémoire est discuté en [32]), puis s’effondre
rapidement. Ainsi, grâce à la réduction de la durée d’extinction, l’alimentation en courant
rectangulaire présente une moindre sensibilité à la composition du gaz.
Au final, cela laisse présager une nette augmentation de la vitesse de dépôt car elle
permet de gagner sur deux aspects :

– d’une part, cette moindre sensibilité à la composition du gaz permet de travailler

avec une atmosphère contenant une plus forte concentration de précurseurs, ce qui
conformément à Fig. 1.12, permet d’augmenter la vitesse de dépôt,
– d’autre part, elle permet de travailler à une plus forte puissance (augmentation de
79%), ce qui conformément à Fig. 1.12 permet également d’augmenter la vitesse de
dépôt.
2.3. ÉTUDE EXPÉRIMENTALE 67

Figure 2.26 – Influence de la concentration d’oxygène sur la limite de transition homogène/filamentaire

pour l’alimentation en tension sinus et l’alimentation en courant carré.

Conclusion
Ce chapitre s’est focalisé sur l’intérêt du contrôle du courant de décharge dans une
DBD, et a abordé le dimensionnement et la fabrication d’une source de courant rectangu-
laire. En terme de composants d’électronique de puissance elle est un moyen acceptable
d’augmenter la durée d’allumage d’une décharge pour une puissance donnée. L’étude du
dimensionnement a montré en particulier l’intérêt de travailler à haute tension d’entrée
vis à vis du rendement énergétique du convertisseur.
L’étude expérimentale menée sur une décharge de Townsend à pression atmosphérique
dans l’azote a montré qu’il était possible de repousser la limite de la transition homogè-
ne/filamentaire dans le plan fréquence / densité de puissance. Ceci revêt un intérêt pour
les applications de dépôt puisque l’augmentation de puissance permet l’augmentation de
la vitesse du dépôt. En outre, les études expérimentales menées avec ce convertisseur ont
montré qu’il était possible d’augmenter la concentration d’espèces réactives injectées dans
le gaz tout en maintenant le régime de décharge homogène.
Par ailleurs, les études théorique et expérimentale ont aussi révélé que, pour un ni-
veau de puissance donnée, les effets capacitifs du transformateur augmentaient la durée
d’extinction entre deux décharges ce qui défavorise l’effet mémoire.
68 CHAPITRE 2. ALIMENTATION CONTRÔLÉE EN COURANT
Chapitre 3

Conception du transformateur

Introduction
Ce chapitre traite de la conception du transformateur élévateur utilisé pour les ali-
mentations de dispositifs DBD. Comme évoqué lors des chapitres précédents, les effets
électrostatiques de celui-ci jouent un rôle important.
Dans un premier temps, on s’attache à élaborer le modèle électrique équivalent d’un
transformateur à deux enroulements, en considérant ce dernier comme la mise en parallèle
de deux matrices admittances : l’une inductive et l’autre capacitive [80]. Cette modélisation
électrocinétique permettra par la suite de justifier des protocoles de mesures utilisés, ainsi
que de décrire les éléments nécessaires à un bon dimensionnement.
Dans un second temps, on proposera deux méthodes d’estimation des effets électro-
statiques dans un transformateur en fonction de paramètres de construction. La première
méthode est purement analytique, de mise en œuvre aisée, et repose sur beaucoup d’hy-
pothèses, ce qui la rend moyennement précise. La seconde, semi-numérique, reposant sur
la méthode de Rayleigh-Ritz tient compte de plus d’éléments et permet d’accéder à un
plus grand degré de précision tout en conservant un faible coût calculatoire. Pour les deux
méthodes, on verra comment procéder afin d’estimer les trois paramètres électrostatiques.
Ensuite, une méthode de conception de transformateur par optimisation est mise en
œuvre. Celle-ci exploite avantageusement le faible coût calculatoire des méthodes d’esti-
mation qui a permis de réaliser le dimensionnement de transformateurs par le biais de
leurs effets capacitifs. Elle met en œuvre un algorithme évolutionniste, nécessitant beau-
coup d’évaluations, mais permettant une grande exploration de l’espace des paramètres.
Un exemple de dimensionnement est finalement explicité, et la capacité de la méthode à
fournir une grande diversité de « bonnes solutions » est soulignée.

3.1 Modélisation électrique

Un transformateur à deux enroulements est communément modélisé au travers de ses
couplages magnétiques décrits par trois paramètres – trois coefficients indépendants dans
la matrice inductance ou alors de façon équivalente, par une inductance magnétisante,
une inductance de fuite et un gain. Les pertes peuvent être ajoutées au modèle, avec

69
70 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

I3 I3
V4 V4
V3 V3
I4 I4
I2 I2
V V
V2 5 V2 5
Z
Z
Système I5 I5
I1 Électrique I1
Z
V6 V6
V1 V1

I6 I6
I8 I8

V8 I7 V7 V8 I7 V7

(a) (b)

Figure 3.1 – (a) Représentation d’un système électrique multiports. (b) Cas du transformateur multi-
enroulements.

une distinction de la contribution « cuivre », décrite simplement par une résistance série
Rs , et de la contribution fer, décrite par une résistance parallèle Rf . Or, comme nous
l’avons observé dans l’étude précédente, les effets capacitifs du transformateur jouent un
rôle important dans l’alimentation de dispositifs DBD. Ils sont responsables d’un surdi-
mensionnement du convertisseur de puissance en amont du transformateur, et ils limitent
l’obtention d’un temps d’allumage élevé de la décharge. L’approche envisagée au §2.1.3
décrit les effets capacitifs avec une seule capacité parasite Cp directement connectée aux
bornes de l’enroulement secondaire (Fig. 2.6a). Cette approche, ayant le mérite d’exposer
clairement la problématique des effets capacitifs en faisant apparaître l’effet « diviseur de
courant », s’avère insuffisante pour expliquer toutes les observations.
On constate en effet que la définition du potentiel d’un enroulement par rapport à
l’autre modifie la valeur de Cp . Expérimentalement, ce fait est observé lorsque les potentiels
des enroulements sont fixés individuellement par rapport à la terre : on mesure différentes
valeurs Cp selon le contexte d’utilisation (définition des potentiels primaire et secondaire
l’un par rapport à l’autre). Aussi est-il impropre de parler de « la capacité parasite du
transformateur » comme s’il s’agissait d’un paramètre intrinsèque de ce dernier, car elle
dépend du contexte dans lequel est placé le composant.
La présente étude se base en partie sur les travaux [81, 80, 52] et propose de décrire les
effets capacitifs d’un transformateur par un jeu de paramètres uniquement lié à ce dernier
et non à son environnement.

3.1.1 Cas général

La représentation générale d’un système électrique à N ports où les phénomènes de
propagation peuvent être négligés est donnée Fig. 3.1a. Un tel système peut être carac-
térisé par N tensions et N courants, ainsi qu’une relation structurelle du système reliant
3.1. MODÉLISATION ÉLECTRIQUE 71

entre elles ces grandeurs. Dans le cadre de cette modélisation, il est nécessaire de fixer N
paramètres d’entrée (tension ou courant) pour déterminer les N autres paramètres (qui
seront alors les paramètres de sortie) grâce à la relation structurelle. Si ce système est
linéaire, alors il existe une relation linéaire reliant les paramètres de sortie aux paramètres
d’entrée.

3.1.1.a Transformateur multi-enroulements : modèle magnétique

Lorsque le système électrique (Fig. 3.1a) est un transformateur régi par des lois li-
néaires, et possédant K = N/2 enroulements (N est pair car chaque enroulement possède
2 bornes), dont chacun est connecté entre des bornes adjacentes (Fig. 3.1b) on a une
relation du type [V ] = [L̃][I], que nous détaillons en notation de Laplace :

V1 pL11 ··· pL1K I1

    
 ..   .. ..  .. 

 . 
 
 . . (0) 
 . 

    
    
 V2K−1  =  pL1K pLKK   I2K−1 . (3.1)
    
    
 V2   Z   I2 
.. ..
    
   ..  
 .   (0) .  . 
V2K−2 Z I2K−2

Le terme Z désigne une impédance inter-enroulement ajoutée de façon artificielle, qui est
censée être infinie dans le cadre de la modélisation magnétique. Afin de mener des calculs
rigoureux, nous conservons ce terme et nous procéderons à un passage à la limite lorsque
cela s’avérera utile. Les tensions et courants ont été classés en fonction de leur parité car la
matrice inductance ne fournit que des relations liant les tensions et courants impairs. En
effet, un modèle magnétique n’intègre pas les couplages inter-enroulements. Pour éviter
la redondance, la tension et le courant de rang 2K ne sont pas représentés car les lois de
Kirchoff imposent que Vk = 0 : ainsi sur l’exemple Fig. 3.1b, la tension V8 n’est pas un
P

paramètre que l’on peut fixer librement.

3.1.1.b Effets électrostatiques

Afin de compléter le modèle magnétique les auteurs de [3] et [80] proposent de modéliser
un transformateur sans pertes par la mise en parallèle d’une matrice impédance inductive
[L̃] représentant le comportement magnétique précédemment évoqué, et d’une matrice
admittance électrostatique [C] (Fig. 3.2). Cette dernière permet d’établir une relation
72 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

[I] [V]
~
+
-
[L ]

[C]

Figure 3.2 – Modélisation d’un transformateur avec deux matrices admittance en parallèle.

entre le vecteur « courant » et le vecteur « tension » par une relation de la forme

i1 V1
    
 ..    .. 

 . 


 [C11 ] [C12 ] 
 . 

    
    
 i2K−1  = p   V2K−1 . (3.2)
    
    
 i2     V2 
.. ..
    
    
 .   [C21 ] [C22 ]  . 
i2K−2 V2K−2

La matrice électrostatique [C] est décomposée en 4 sous matrices [Cij ] afin de simplifier
l’écriture des calculs en utilisant les propriétés du calcul matriciel par bloc. La matrice [C]
est symétrique – elle possède donc K(2K − 1) coefficients indépendants – et généralement
inversible.

3.1.1.c Admittance du système

Du modèle Fig. 3.2, découle

[V ] = [L̃]([II2K−1 ] − [C][V ])
⇒ [L̃][I] = ([II2K−1 ] + [L̃][C])[V ] (3.3)
⇒ [I] = ([L̃]−1 + [C])[V ],

où [II2K−1 ] est la matrice identité de taille 2K − 1. La matrice admittance du système

global [Y ] est donc la matrice [L̃]−1 + [C], dont l’allure se déduit en appliquant les règles
du calcul matriciel par bloc (inversion et produit de matrice par blocs). Puis, en faisant
Z → ∞, on montre que
 

 [L]−1 + p2 [C11 ] p2 [C12 ] 

 
 
1 
[Y ] =   (3.4)
p



 
p2 [C21 ] p2 [C22 ]
 
 
3.1. MODÉLISATION ÉLECTRIQUE 73

I1 I2 I1 I2

V V2 Magnétique V2
1 V1

Électrostatique

I3
V3
I3
V3

Figure 3.3 – Modèle sans pertes d’un transformateur à deux enroulements.

où, rappelons-le, [L]−1 est l’inverse de la matrice inductance de taille K × K (le premier
bloc de (3.1)).

3.1.2 Transformateur à deux enroulements

3.1.2.a Cas général

Conformément à l’analyse précédente, un transformateur à deux enroulements (Fig. 3.3)

comporte trois paramètres magnétiques indépendants et 6 paramètres électrostatiques.
D’après l’étude générale, on définit les matrices magnétique et électrostatique par :
   
L11 L12 0 C11 C12 C13
[L̃] =  L12 L22 0  et [C] =  C12 C22 C23  . (3.5)
   
0 0 Z C13 C23 C33

En accord avec (3.3) et les notations de Fig. 3.3, on écrit que :

    
I1 α + p2 C11 α12 + p2 C12 p2 C13 V1
1  11 2 2 2
 I2  =  α12 + p C12 α22 + p C22 p C23   V2  (3.6)
   
p 2 2 2
I3 p C13 p C23 p C33 V3

où αij est le terme d’indice ij de la matrice inductance inverse ([L]−1 ). L’évaluation du

déterminant de la matrice admittance aboutit à
1h i
det[Y ] = det([C])p4 + (m11 α11 − 2m12 α12 + m22 α22 ) p2 + C33 det([L]−1 ) , (3.7)
p

où mij désigne le mineur 1 de rang i, j de la matrice électrostatique. Une analyse des

coefficients de (3.7) montre que det[Y ] admet toujours 4 racines imaginaires pures (2
paires conjuguées), ce qui se traduit par le fait que le système possède exactement 2 modes
parallèles. Afin de localiser les résonances séries, qui correspondent aux zéros des termes

1. Le mineur de rang i, j d’une matrice M est défini comme le déterminant de la matrice formée par
M privée de sa ligne i et de sa colonne j
74 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

diagonaux de la matrice impédance, nous calculons les termes de celle-ci. On montre que
C33 α22 + m11 p2
Z11 = , (3.8a)
det[Y ]
C33 α12 + m12 p2
Z12 =− , (3.8b)
det[Y ]
C23 α12 − C13 α22 + m13 p2
Z13 = , (3.8c)
det[Y ]
C33 α11 + m22 p2
Z22 = , (3.8d)
det[Y ]
C23 α11 − C13 α12 + m23 p2
Z23 =− , (3.8e)
det[Y ]
det([L]−1 ) + (α11 C22 − 2α12 C12 + α22 C11 )p2 + m33 p4
Z33 = . (3.8f)
p2 det[Y ]
Les termes Z11 et Z22 possèdent chacun un zéro et le terme Z33 en possède 2.

3.1.2.b Réduction du modèle

Dans le contexte de l’alimentation de dispositifs DBD au moyen d’un transformateur
élévateur à deux enroulements, il est possible de formuler diverses hypothèses quant à la
constitution de celui-ci, qui permettront de réduire l’écriture de la matrice admittance
(3.6), et par conséquent, de simplifier l’écriture des impédances (3.8).
La majorité des transformateurs employés est constituée d’un noyau ferromagnétique,
et le coefficient de Blondel du transformateur (dit coefficient de fuites) défini par σ =
1 − L212 /(L11 L22 ) est en général très faible devant 1. Ceci s’exprime de façon équivalente
par le fait que, du point de vue d’un enroulement, l’inductance de fuite se situe à quelques
ordres de grandeur en dessous de l’inductance magnétisante. Les coefficients αij de la
matrice [L]−1 s’écrivent avec cette notation
1
α11 = , (3.9a)
σL22
√
1−σ
α12 =− √ , (3.9b)
σ L11 L22
1
α22 = . (3.9c)
σL11
Sous cette notation, la réécriture de (3.7) conduit à :
   
√
det(C) 
 4  β11
1 1 − σβ12 β22 
 2 1 C33 
det[Y ] = p +  −2 √ + p +  , (3.10)

p  σ L22
 L11 L22 L11  σ L11 L22 det(C) 
| {z } | {z }
A B

où βij désigne le terme ij de la matrice [C]−1 . Pour simplifier les écritures, les notations
A et B ont été introduites. Du fait du caractère défini positif des matrices [L] et [C], on
3.1. MODÉLISATION ÉLECTRIQUE 75

peut montrer que A et B sont strictement positifs tant que ces dernières sont inversibles.
La factorisation de det[Y ] sous l’hypothèse σ  1 conduit à :
  

det(C) 
 2 B  
 2 A 
det[Y ] ≈ p +  p + . (3.11)

p  A
|{z}
 σ
|{z}

ω12 ω22

Ainsi, le premier mode résonant parallèle ω1 est indépendant du coefficient de Blondel σ

lorsque celui-ci tend vers 0 alors que le second, ω2 , diverge vers +∞. À la limite, dans un
transformateur parfaitement couplé (σ → 0), ce deuxième mode n’est pas observable. De
même, nous pouvons réécrire les termes diagonaux de la matrice impédance (3.8) afin de
localiser les zéros de cette dernière. À l’aide d’un développement asymptotique en 1/σ, on
montre que

C33
p2 +
m11 σL11
Z11 ≈ β11 p  , (3.12a)
!
B  2 A 
p2 + p + 
A  σ 

C33
p2 +
m22 σL22
Z22 ≈ β22 p  , (3.12b)
!
B  2 A 
p2 + p + 
A  σ 
 
B0 A0
!
p2 +
 2 
p + 
A0  σ 
β33
Z33 ≈  . (3.12c)
p

!
B  2 A 
p2 + p + 
A  σ 

où √ !
0 C22 2 1 − σC12 C11 1
A = + √ + et B 0 = .
m33 L22 m33 L11 L22 m33 L11 L11 L22 β33
Nous notons que pour un transformateur parfaitement couplé,
p à l’exception du terme Z33
0 0
qui comporte un mode résonant série à basse fréquence B /A , tous les modes résonants
série sont rejetés vers les hautes fréquences lorsque σ → 0 (voir les termes entourés en
76 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

Z Z
11 or 22
Z
33

dB
|Z|

Figure 3.4 – Allures plausibles des diagrammes asymptotiques de Bode pour les impédances Z11 , Z22 et
Z33

rouge dans (3.12)). Ces observations mettent ainsi en évidence le principe que, dans un
transformateur à deux enroulements fortement couplés et à faible pertes, on observe une
très nette séparation entre les deux modes résonants parallèles et que pour toute mesure
d’impédance réalisée aux bornes d’un enroulement, on observe une très nette séparation
entre le premier mode résonant parallèle et le mode résonant série.
Pour illustrer le propos, des allures plausibles des diagrammes de Bode asymptotiques
pour les impédances Z11 , Z22 et Z33 sont fournies Fig. 3.4. On observe que les 2 modes de
gauche sont situés à plusieurs décades sous les modes de droite. Cette séparation nous incite
à identifier séparément les modes basse fréquence avec l’hypothèse du couplage parfait,
puis d’identifier les modes haute fréquence dans un second temps, en tenant compte du
fait que σ 6= 0, mais en supposant que les résultats de la première identification demeurent
valides.
Ainsi, pour identifier les modes basse fréquence on se basera sur un modèle de transfor-
mateur équivalent à 3 bornes et à un seul enroulement (ie un seul paramètre magnétique).
Lorsque σ = 0, on définit le gain en tension du transformateur η par le rapport entre
la tension secondaire, V2 , et la tension primaire V1 . Dans ce cas, η correspond également
au rapport entre le nombre de spires secondaires et primaires. Ainsi, en notant L̃ le seul
terme de la matrice inductance du transformateur équivalent à un enroulement on a
L22
L̃ = L11 , L22 = η 2 L̃ et L12 = η L̃ = . (3.13)
η

D’après (3.4), les matrices admittance et impédance d’un transformateur à trois bornes et
à un seul enroulement (voir Fig. 3.5a) se mettent sous la forme
" # " #
−pβ̃12
1
1 L̃
+ p2 C̃11 p2 C̃12 1 pβ̃11
[Ỹ ] = , et [Z̃] = β̃22 1
 , (3.14)
p 2
p C̃12 2
p C̃22 p2 + β̃L̃11 −pβ̃12 p p2 + L̃C̃22

où C̃ij et β̃ij désignent respectivement le terme ij de la matrice électrostatique du trans-

formateur à un enroulement (de taille 2×2) et le terme ij de l’inverse de cette même
3.1. MODÉLISATION ÉLECTRIQUE 77

i1

V1

i3

V3

(a) (b) (c)

Figure 3.5 – Modèles électriques équivalents d’un transformateur à deux enroulements parfaitement
couplés. Enroulement secondaire représenté (a) ; enroulement secondaire non représenté (b) ; enroulement
secondaire représenté dans le cas où V3 est connu en fonction de V1 grâce à une mise à la terre (c).

Deux enroulements Un enroulement

couplage parfait
C33 C̃22
Mode parallèle
L11 (η 2 m22 + 2ηm12 + m11 ) 2 )
L̃(C̃11 C̃22 − C̃12
1 1
Mode série
L11 (η 2 C11 + 2ηC12 + C22 ) L̃C̃11

Table 3.1 – Expression des modes résonants avec le modèle à deux enroulements (K = 2) à couplage
parfait (σ = 0) et à un enroulement (K = 1).

matrice. Tout comme le transformateur à deux enroulements parfaitement couplés, le

transformateur à un enroulement comporte exactement un mode résonant parallèle et un
mode résonant série. Nous proposons d’écrire Tab. 3.1 l’équivalence entre les termes des
deux systèmes, en adoptant la substitution (3.13). En faisant correspondre les expressions
des modes série et parallèle de chaque modélisation, on obtient une relation de passage
entre le modèle à deux enroulements parfaitement couplés (colonne de gauche de Tab. 3.1)
et le modèle à un seul enroulement (colonne de droite de Tab. 3.1). En effet, on montre
que
L̃ = L11 , (3.15a)
2
C̃11 = η C11 + 2ηC12 + C22 , (3.15b)
C̃22 = C33 , (3.15c)
C̃12 = ηC13 + C23 . (3.15d)
Ceci justifie pleinement que, sous cette hypothèse, le schéma électrique équivalent Fig. 3.3
normalement décrit par trois paramètres magnétiques et six paramètres électrostatiques
est réduit à une inductance et trois capacités, pouvant ainsi être représenté sous la forme
Fig. 3.5b. Naturellement, les capacités γ̃i sont linéairement liées aux coefficients C̃ij par :
C̃11 = γ̃2 + γ̃3 , C̃22 = γ̃1 + γ̃2 et C̃12 = γ̃2 .
Cette étude permet de formuler la problématique à laquelle doit répondre une méthode
d’estimation des effets électrostatiques dans un transformateur à deux enroulements. La
78 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

méthode doit, dans le cas général, fournir les valeurs des six paramètres électrostatiques
de la matrice [C] ou, de façon équivalente, fournir les valeurs des six capacités composant
le schéma Fig. 3.3 en fonction de paramètres de construction du transformateur. Grâce
au développement précédent, on a montré qu’il existait une séparation des modes lorsque
le transformateur était fortement couplé. Ainsi, lorsque seul le comportement basse fré-
quence est recherché, c’est à dire une gamme de fréquence inférieure aux 3 fréquences de
résonance de droite Fig. 3.4, il est possible de réduire cette recherche à trois paramètres
électrostatiques, en l’occurence les coefficients de [C̃] ou, de façon équivalente, les valeurs
des γ̃i de Fig. 3.5b, à condition que le transformateur soit fortement couplé (σ  1). C’est
cette dernière approche qui est adoptée dans la suite, car les transformateurs employés
dans nos expérimentations sont en général fortement couplés. De plus, la modélisation du
comportement haute fréquence n’est pas nécessaire pour déterminer les effets qui nous
intéressent, à savoir estimer l’effet de diviseur capacitif précédemment évoqué.

3.1.2.c Modèle à un seul paramètre capacitif

À présent il est possible de justifier le modèle à une capacité évoqué §2.1.3. L’étude
précédente a montré qu’il fallait au moins trois paramètres électrostatiques pour décrire
le comportement capacitif basse fréquence d’un transformateur à deux enroulements for-
tement couplés. Cependant, en pratique, il est courant que le potentiel inter-enroulement,
V3 , soit connu en fonction du potentiel primaire, V1 , par le biais d’une mise à la terre
de part et d’autre du transformateur ; Fig. 3.5c illustre le cas où la terre est reliée à une
borne du primaire ainsi qu’au point milieu du secondaire. Par exemple, lorsque les deux
bornes inférieures du primaire et du secondaire sont connectées à la terre alors V3 = 0,
et le comportement capacitif basse fréquence du transformateur est clairement décrit par
une seule capacité aux bornes du primaire, égale à C̃11 . Le raisonnement se généralise si
côté secondaire, la terre est connectée à un point intermédiaire : on a alors V3 = kηV1 ,
où k est compris entre 0 et 1 (Fig. 3.5c illustre le cas particulier où k = 0.5). Dans cette
situation, l’énergie électrostatique est donnée par :
" #
h i V
We = 0.5 V1 V3 [C̃] 1 = 0.5(C̃11 V12 + 2C̃12 V1 V3 + C̃22 V32 )
V3 (3.16)
= 0.5(C̃11 + η 2 C̃22 k 2 + 2C̃12 ηk)V12 ,
V3 =kηV1

démontrant que le comportement électrostatique est paramétré par une seule capacité aux
bornes de l’enroulement primaire, égale à C11 + η 2 C22 k 2 + 2C12 ηk. On peut mener une
analyse similaire dans le cas où le potentiel V3 est laissé libre, c’est à dire que le courant
i3 (Fig. 3.5b) est nul. On montre qu’alors V3 est également déterminé en fonction de V1
par la relation
V3 = −(C̃12 /C̃22 )V1 .
On utilisera souvent l’abus de langage qui consiste à évoquer la capacité parasite,
mais ce sera toujours dans un contexte où le potentiel inter-enroulement V3 est connu en
fonction de V1 , soit par une connexion volontaire, soit parce que V3 est laissé flottant et
que par conséquent sa valeur est déterminée par les paramètres C̃ij , ce qui revient à se
placer dans le cas particulier k = −C̃12 /(η C̃22 ).
3.2. ESTIMATION DES PARAMÈTRES ÉLECTROSTATIQUES 79

3.2 Estimation des paramètres électrostatiques

Une méthode d’estimation des paramètres électrostatiques doit permettre de proposer
un jeu de valeurs pour les coefficients de [C̃]. Ceci est faisable en estimant la capacité
parasite dans trois configurations données (ie pour trois valeurs de k distinctes). En effet,
d’après (3.16), l’énergie électrostatique s’exprime comme un polynôme de degré 2 en la
variable k, conduisant à exprimer la capacité parasite vue au secondaire par :

C̃11 C̃12
Cp = 2
+2 k + C̃22 k 2 . (3.17)
η η
La détermination des trois coefficients peut s’effectuer en évaluant trois fois Cp : Cp1 , Cp2 ,
Cp3 pour trois valeurs distinctes de k, notées k1 , k2 , k3 qui d’un point de vue mathématique
peuvent être fixées arbitrairement. Les coefficients C̃ij sont ensuite déterminés par :
 
1 2k1
k12 C̃11
  
2 η Cp1
 η1 2k2 2

 2
η η k2  C̃12  = Cp2  .
  
(3.18)
1 2k3
η2 η k32 C̃22 Cp3

Afin de mener chaque calcul de capacité parasite, nous procédons au calcul de l’éner-
gie électrostatique stockée dans le volume du transformateur que nous identifions à une
expression du type 0.5Cpi (ηV1 )2 , avec i ∈ {1, 2, 3}.
On trouve dans la littérature des méthodes entièrement analytiques permettant d’es-
timer des capacités parasites dans un transformateur [18] ou dans une inductance [53].
Celles-ci s’attachent à exprimer l’influence électrostatique entre les spires jointives des en-
roulements, les couches adjacentes et le couplage au noyau magnétique. Le fait de considé-
rer la cylindricité des conducteurs dans les calculs électrostatiques apporte de la précision
à l’estimation, mais conduit à des développements théoriques conséquents. De façon ana-
logue à [18, 53] le principe des méthodes d’estimation étudiées ici repose sur un découpage
adapté du transformateur. Cependant, cette étude s’appuie sur des méthodes énergétiques,
et non sur des calculs directs de capacités géométriques.

3.2.1 Paramètres de construction

Les transformateurs employés pour des alimentations de dispositifs DBD doivent tenir
une tension élevée (plusieurs kV), ce qui leur confère la particularité de nécessiter un
grand nombre de spires au niveau de l’enroulement secondaire. La présence de tensions
élevées implique l’utilisation d’une large quantité de matière isolante pour isoler les couches
de bobinage entre elles, afin de prévenir une éventuelle rupture diélectrique. Plusieurs
méthodes de construction à bobinages concentriques ont été envisagées et évaluées en
terme d’effets électrostatiques.

3.2.1.a Bobinage simple

La réalisation d’un tel transformateur comportant une couche primaire et deux couches
secondaires est présentée Fig. 3.6. La méthode de bobinage est classique : l’enroulement
80 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

(a) (b) (c) (d)

(e) (f) (g) (h)

Figure 3.6 – Construction d’un transformateur à enroulements concentriques et à secondaire non frac-
tionné (Ns = 1).

primaire est placé le long d’une carcasse de bobinage Fig. 3.6b, puis une large couche
d’isolant est enroulée autour de ce bobinage Fig. 3.6c. Ensuite, vient la première couche
secondaire, Fig. 3.6d, où les spires sont disposées depuis le bas vers le haut. Une couche
d’isolant est enroulée autour de cette dernière couche, Fig. 3.6e, et une seconde couche
secondaire est disposée elle aussi depuis le bas vers le haut, Fig. 3.6f. Puis un isolant est
placé par dessus la totalité des enroulements, Fig. 3.6g, et l’ensemble est inséré autour
d’un noyau magnétique, Fig. 3.6h.

3.2.1.b Bobinage avec secondaire fractionné

Une technique envisagée dans ce travail est de fractionner l’enroulement secondaire en
sections connectées en série (Fig. 3.7).

3.2.1.c Partitionnement
Différentes zones : Afin d’employer des méthodes d’estimation simples, on identifie
quatre types de zone dans lesquelles est stockée de l’énergie électrostatique, elles sont
3.2. ESTIMATION DES PARAMÈTRES ÉLECTROSTATIQUES 81

(a) (b)

Figure 3.7 – Bobinage d’un transformateur à enroulements concentriques et à secondaire fractionné en

deux sections (Ns = 2).

représentées Fig. 3.8. La zone 1 correspond à l’espace isolant situé entre l’enroulement pri-
maire et l’enroulement secondaire. Les zones de type 2 correspondent aux espaces isolants
situés entre les couches de l’enroulement secondaire. Les zones de type 3 correspondent
aux espaces isolants situés entre le noyau magnétique et les couches externes de l’enroule-
ment secondaire. Les zones de type 4 sont les espaces isolants situés entre les sections de
l’enroulement secondaire.

Répartition du potentiel Chacune des zones évoquées est délimitée soit par deux
couches concentriques (zones 1, 2, 3), soit par deux disques parallèles (zones 4) où l’évolu-
tion spatiale du potentiel est facilement exprimable sur ces surfaces de séparation.
Les notations sont présentées Fig. 3.9. Le potentiel V3 , précédemment défini sur Fig. 3.3
et Fig. 3.5b correspond à la différence de potentiel entre le début de la première spire du
primaire et le début de la première spire secondaire de la section inférieure.
L’enroulement secondaire est fractionné en Ns sections, et chacune d’entre elles est
fractionnée en Nl couches. L’incrément de potentiel entre deux couches successives, noté
δV sur Fig. 3.9 est alors donné par

δV = ηV1 /(Ns Nl ),

où η est le rapport de transformation du transformateur.

On définit également les potentiels entre le primaire, supposé équipotentiel, et les pre-
mières couches de chaque section de l’enroulement secondaire. Le potentiel φ1ns représente
le potentiel entre le primaire et le point milieu de la première couche secondaire, située
dans la ns e section. Ainsi par exemple, sur Fig. 3.9, φ11 représente la différence de po-
tentiel entre le primaire et la première couche de la première section secondaire et φ1Ns
représente la différence de potentiel entre le primaire et la première couche de la dernière
section secondaire. Sur le même principe, on définit par φ3ns la différence de potentiel
entre le point milieu de la dernière couche de la ns e section et le noyau magnétique, que
82 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

1 2 3

1 2 3

1 2 3

(a) (b)

Figure 3.8 – Repérage des différentes zones dans un transformateur à secondaire fractionné. (a) Vue de
la fenêtre de bobinage. (b) Vue de dessus d’une section.

nous supposons equipotentiel 2 . Bien entendu, on peut exprimer les valeurs de tous les
potentiels représentés sur Fig. 3.9 en fonction des deux tensions indépendantes : V1 et V3 .
En effet, en considérant que, le long d’une couche secondaire, le potentiel évolue linéaire-
ment et parallèlement à l’axe de bobinage, on montre que (en accord avec les notations
de Fig. 3.9) :

V1 ηV1 ηV1
φ1ns = V3 + (ns − 1) − − (ns − 1) , (3.19a)
Ns 2Ns Nl Ns
(2Nl − 1)ηV1 ηV1
φ3ns = V3 − − (ns − 1) , (3.19b)
2Ns Nl Ns
ηV1
δV = . (3.19c)
Ns Nl

3.2.2 Méthode analytique approchée

Ayant décrit les quelques méthodes de construction envisagées, nous proposons de
décrire une première méthode d’estimation des effets capacitifs dans le transformateur.
Sous certaines hypothèses que nous évoquerons, il est possible de proposer une formulation

2. En fonction du noyau choisi, cette hypothèse peut ne pas être vérifiée, notamment pour des matériaux
haute fréquence car la conductivité de ceux-ci est faible, afin de limiter les pertes par courant de Foucault.
Il est donc parfois plus pertinent de considérer le noyau comme un isolant, mais ce cas n’a pas été étudié
ici.
3.2. ESTIMATION DES PARAMÈTRES ÉLECTROSTATIQUES 83

Noyau magnétique (jambe extérieure)

Enroulement
secondaire :
Enroulement
1ère section
secondaire :
2ème section

Enroulement Enroulement
primaire primaire

Figure 3.9 – Répartition du potentiel au sein du volume du transformateur.

analytique pour les valeurs des termes de la matrice électrostatique [C̃]. Cette étude repose
sur le principe du partitionnement du transformateur. L’idée est de calculer l’énergie
électrostatique stockée dans chaque volume du transformateur en fonction de V1 et V3 ,
d’additionner les contributions de chaque zone, afin d’obtenir une expression analytique
sous la forme 0.5(aV12 +bV32 +2cV1 V3 ), dans le but d’identifier les coefficients de cette forme
quadratique avec ceux de (3.16). On aboutit immédiatement à C̃11 = a, C̃22 = b, C̃12 = c.
Les coefficients a, b, c dépendent bien entendu des paramètres physiques et géométriques
du transformateur.

3.2.2.a Hypothèses

Les zones de type 1 et 2 sont délimitées par des cylindres concentriques, le long desquels
le potentiel évolue axialement de façon linéaire. La résolution analytique de l’équation
de Laplace — ∆V (r, z) = 0 où V (r, z) est le potentiel dans la région délimitée par les
deux enveloppes cylindriques concentriques — dans une telle situation n’est pas simple,
et conduit le plus souvent à exprimer la solution comme la limite d’une série [39].
L’approche que nous utilisons dans ce paragraphe propose de simplifier le problème
des deux cylindres concentriques en un problème plan/plan. Cette hypothèse demeure
acceptable, tant que la distance entre les enveloppes cylindriques est faible devant le rayon
de l’enveloppe cylindrique intérieure. L’intérêt d’une telle hypothèse est que la résolution
de l’équation de Laplace est grandement simplifiée, et conduit à une expression courte vis à
vis des variables spatiales. Les problèmes relatifs aux zones de type 1 sont représentés par
Fig. 3.10a car, modélisant des transformateurs à haut rapport de transformation (η  1),
on suppose que la variation de potentiel le long d’une couche primaire est négligeable
devant la variation de potentiel au sein d’une couche secondaire. Les problèmes relatifs
aux zones de type 2 se modélisent par Fig. 3.10b car le potentiel le long des couches évolue
linéairement avec z. On modélisera le problème relatif aux zones de type 3 par Fig. 3.10a,
84 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

e e l
l
H δV H δ δ
Φ1ns
z

y
δ x

(a) (b)

Figure 3.10 – Deux problèmes d’électrostatique en géométrie cartésienne.

car on suppose que le noyau est equipotentiel. Les problèmes relatifs aux zones de type 4
seront ignorés dans cette étude.

3.2.2.b Résolution
Problème Fig. 3.10a La formulation mathématique du problème est la suivante : il
s’agit de résoudre l’équation de Laplace en coordonnées cartésiennes, à savoir ∂x2 V +∂z2 V =
0 avec les conditions aux limites :

 V (0, z) = 0
z . (3.20)
 V (e, z) = −(φ1ns + 0.5δV ) + δV.
H
On recherche une éventuelle solution sous la forme

V (x, z) = E0 x + E1 z + Axz.

Cette expression vérifie de façon évidente l’équation de Laplace, ∆V = 0. Si c’est possible,

nous recherchons les valeurs à affecter aux trois coefficients E0 , E1 , A, afin de vérifier les
conditions aux limites. Cela conduit à :

 E1 = 0




 (φ1ns + 0.5δV )
E0 = − (3.21)
 e
δV




 A= .
eH
Le champ électrique dans le plan (O, x, z), E(x, z), est alors calculé par

E(x, z) = −∇V (x, z),

conduisant à : " #
−E0 − Az
E(x, z) = . (3.22)
−Ax
3.2. ESTIMATION DES PARAMÈTRES ÉLECTROSTATIQUES 85

L’énergie électrostatique We1 , stockée dans le volume Ω délimité par le parallélépipède de

dimensions e × H × l est déterminée par :
 l e H
ZZZ Z Z
We1 = kEk2 dV = (E0 + Az)2 + A2 x2 dx dz, (3.23)
2 Ω 2 x=0 z=0
où  est la permittivité de l’isolant situé entre les deux plans. Le calcul effectif de cette
dernière expression conduit à :
" 2 ! #
C0 1 e

2
We1 = 1+4 (δV ) + φ21ns , (3.24)
2 12 H
où
C0 = Hl/e
est la capacité du système s’il était formé de plans parfaitement conducteurs (càd si δV =
0).

Problème Fig. 3.10b Une méthode similaire à la précédente est utilisée afin de résoudre
ce problème : on montre que, avec les mêmes notations, l’énergie électrostatique, We2 est
donnée par : "  2 #
1 e
We2 = 1+ C0 δV 2 . (3.25)
2 H

Application au transformateur Le transformateur a été partitioné en différentes

zones, de type 1, 2, 3 ou 4. Le traitement des deux problèmes d’électrostatique ci-dessus
permet de fournir une expression de l’énergie électrostatique globale stockée dans le volume
du transformateur.

Zones de type 1 L’expression de l’énergie électrostatique stockée dans une zone de

type 1 (voir Fig. 3.8) découle presque immédiatement de (3.24). Il suffit de :
– substituer la valeur de e par e12 , qui est l’épaisseur d’isolant entre le bobinage pri-
maire et le bobinage secondaire,
– substituer H par Hs qui est la hauteur d’une section de bobinage,
– et de substituer l par π(2R1 + e12 ) où R1 désigne le rayon de la couche externe du
bobinage primaire.
tot à l’énergie totale W résulte de la somme
Ensuite, la contribution des zones de type 1, We1 e
des énergies électrostatiques de chaque zone de type 1. On montre donc à l’aide de (3.24)
que :
Ns
"  ! #
1 X 1 e12 2

0 2
X
tot 2
We1 = We1 = γ 1+4 (δV ) + φ1ns
2 n =1 1 12 Hs
s
 
2 ! Ns
γ 0 Ns e12

2
= 1
X
1+4 (δV ) + φ21ns  (3.26)
2 12 Hs ns =1
 
Ns
γ10  Ns
2
e12

2
X
≈ (δV ) + φ21ns  si 4  1,
2 12 n =1
Hs
s
86 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

où
γ10 = 1 π(2R1 + e12 )Hs /e12 ,

1 étant la permittivité diélectrique de l’isolant utilisé dans les zones de type 1.

Zones de type 2 En additionnant les contributions de chaque zone de type 2 (voir

Fig. 3.8a) on montre à l’aide de (3.25) que :

Nl 0 2 !
γ2,n ell
X 
tot
We2 = Ns l
1+ δV 2
nl =1
2 Hs
2 !
Ns Nl γ20 ell

= 1+ δV 2 (3.27)
2 Hs
Ns Nl γ20
2
ell

≈ δV 2 si  1,
2 Hs

où
– ell et 2 sont respectivement l’épaisseur d’isolant entre deux couches successives du
secondaire et sa permittivité diélectrique,
–
0
γ2,n l
= 2 2π R̄nlayer
l
Hs /ell ,

R̄nlayer
l
étant le rayon du cylindre moyen passant dans la nl e région inter-couche,
–
γ20 = 2 2π R̄layer Hs /ell ,

R̄layer étant le rayon du cylindre moyen passant entre la première et la dernière

couche de l’enroulement secondaire.

Zones de type 3 Le raisonnement est analogue aux précédents (voir Fig. 3.8a). On
montre que :

Ns
" 2 !  2 #
1 X 1 e2c ηV1

tot
We3 = γ30 1+4 + φ23ns
2 n =1 12 Hs Nl Ns
s
 
2 !  Ns
γ30
2
N e2c ηV1

 s
X
= 1+4 + φ23ns  (3.28)
2 12 Hs Nl Ns ns =1
 
Ns
γ 0 Ns
2 2
ηV1 e2c
 
≈ 3
X
+ φ23ns  si 4  1,
2 12 Nl Ns ns =1
Hs

où
– e2c désigne l’espacement entre la dernière couche secondaire et le noyau magnétique,
3.2. ESTIMATION DES PARAMÈTRES ÉLECTROSTATIQUES 87

–
γ30 = 3 θ(2R3 − e2c )Hs /e2c ,
Hs étant la hauteur d’une section, où θ désigne l’angle sous lequel est vu le noyau
magnétique (Fig. 3.8b),
– et où R3 est le rayon du cylindre moyen passant entre la dernière couche secondaire
et le noyau magnétique.

Énergie totale En additionnant les relations (3.26), (3.27) et (3.28), et en substi-

tuant les valeurs de δV , φ1ns et φ3ns par (3.19) on montre que l’énergie totale Wetot est
donnée par :

Wetot = We1
tot tot
+ We2 tot
+ We3
1 (3.29)
= {[aγ1 + bγ2 + cγ3 ]V12 + d[γ1 + γ3 ]V32 + [eγ1 + f γ3 ]V1 V3 },
2
où les paramètres a, b, c, d, e et f sont donnés par :

2 + Nl (Ns − 1)(3 + Nl (2Ns − 1))
a = η2


6Nl2 Ns2






 Nl − 1
b = η2 2 2







 Nl Ns

 c = η 2 2 + 6Nl Ns (Nl − 1) + Nl (Ns − 1)(3 + Nl (2Ns − 1))



l 6N 2 N 2
s (3.30)





 d = 1

Nl (Ns − 1) + 1


e = −η



Nl Ns




l − 1) + Nl (Ns − 1)


 1 + 2(N
 f = −η ,


Nl Ns

et où :
γ1 = Ns γ10 , γ2 = Ns γ20 et γ3 = Ns γ30 . (3.31)
En identifiant les coefficients de (3.29) avec (3.16) on montre que :

C̃11 = aγ1 + bγ2 + cγ3 , (3.32a)

eγ1 + f γ3
C̃12 = , (3.32b)
2
C̃22 = d(γ1 + γ3 ), (3.32c)

3.2.2.c Validation
Le domaine de validité de la méthode présentée ci-dessus est précisé en comparant ses
résultats à ceux donnés par une méthode éléments finis 2D pour diverses configurations,
ainsi qu’aux mesures effectuées sur quatre transformateurs réalisés.
88 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

Critère de comparaison L’objet d’une comparaison entre deux méthodes électrosta-

tique est avant tout de fournir un seul critère permettant de quantifier à lui seul l’erreur
commise sur l’évaluation de l’ensemble des trois coefficients indépendants de la matrice
électrostatique [C̃] par rapport à une matrice électrostatique dite de référence [C̃¯ ]. Un
tel critère doit valoir zéro lorsque les deux matrices sont identiques. Plusieurs possibili-
tés s’offrent à nous : la plus naturelle consiste à évaluer la distance euclidienne entre les
vecteurs de coefficients, à savoir
q
ε= (C̃11 − C̃¯11 )2 + (C̃12 − C̃¯12 )2 + (C̃22 − C̃¯22 )2 .

L’inconvénient d’un tel critère apparaît lorsque les différences d’ordre de grandeur dans
les coefficients sont importantes, car alors il apparaît qu’une grande erreur dans un terme
peut ne pas se répercuter fortement sur la valeur de l’erreur. En pratique cette situation
s’observe dans le cas où le transformateur est à fort rapport de transformation (η  1), à
cause des différences de grandeurs dans les coefficients de (3.30). Afin de pondérer équi-
tablement l’importance de l’erreur dans chaque coefficient, on s’intéressera à proposer un
critère en lien avec l’énergie électrostatique stockée, dans le contexte qui nous intéresse.
En l’occurence, notre étude porte sur les cas où le potentiel V3 est défini comme kηV1
avec k ∈ [0, 1]. En outre, la valeur qui influence directement les formes d’onde du courant
injecté dans le dispositif DBD est la valeur de la capacité parasite Cp , dont une expression
est fournie en (3.17). Aussi est-il pertinent d’adopter un critère fournissant l’erreur qua-
dratique relative à la courbe « Cp versus k ». Soient deux matrices électrostatiques [C̃] et
[C̃¯ ] (de référence), on définit la distance de [C̃] par rapport à la référence [C̃¯ ] par :
v
u (C˜p (k) − C¯
u R1
˜p (k))2 dk
ε[C̃] t 0
¯ ([C̃]) = R1 ¯ . (3.33)
˜ 2
Cp (k) dk
0

Il est possible par calcul direct, de proposer une formule analytique en fonction des C̃ij
et C̃¯ij grâce à (3.17), mais nous en resterons là. Ce critère servira dans les comparaisons
pour évaluer l’erreur commise par les méthodes d’estimation des effets électrostatiques.

Transformateurs comparés : Les trois premiers transformateurs ont été réalisés pour
alimenter des lampes DBD excimères 3 , sous une puissance avoisinant la centaine de Watts.
Les caractéristiques sont résumées Tab. 3.2.
– Le premier transformateur que nous nommons T11 comporte exactement une couche
primaire et une couche secondaire (Ns , Nl ) = (1, 1).
– Le second, que nous nommons T12 (voir Fig. 3.11a), comporte deux couches au
primaire et deux couches au secondaire, lequel est bobiné sur une seule section
(Ns , Nl ) = (1, 2).
– Le troisième, que nous nommons T22 (voir Fig. 3.11b) comporte deux couches et
deux sections (Ns , Nl ) = (2, 2).

3. Projet ECOS : étude déroulée lors d’un séjour de deux mois à l’université Javeriana de Bogotá
3.2. ESTIMATION DES PARAMÈTRES ÉLECTROSTATIQUES 89

Paramètres Valeurs
Application Alimentation HT-HF pour lampes excimères
Tension Max. 5 kV
Courant efficace primaire 1A
Gamme de fréquence 80-200 kHz
Type de noyau E80/38/20-3F3 (Ferroxcube)
Nb de spires (primaire) 26 (Nl = 1) et 52 (Nl = 2)
Nb de spires (secondaire) ≈ 260 (Nl = 1) ou 520 (Nl = 2)
η ≈ 10
Ns 1 ou 2
Nl 1 ou 2
e12 (zone 1) Acrylique 4.5 mm (r = 2.7)
ell (zone 2) Acrylique 2 mm
e2c (zone 3) Air > 5 mm (effet négligeable)

Table 3.2 – Caractéristiques des trois transformateurs pour l’alimentation d’une lampe excimère.

(a) (b)

Figure 3.11 – Photos de T12 (a) et T22 (b). Noyaux magnétiques retirés.

Des calculs de capacité ont été menés selon la méthode présentée. Afin de proposer une
évaluation de la précision de la méthode, les énergies électrostatiques ont été également
estimées à l’aide d’un logiciel éléments finis 2D (FEMM4.2) sous l’hypothèse de symétrie
axiale. Il est à noter que pour le modèle EF2D, l’énergie stockée dans les zones de type
3 n’a pas été considérée car elle n’est pas facilement modélisable en 2D. Les estimations
des effets électrostatiques sur ces trois transformateurs sont données Fig. 3.12. L’erreur
relative commise sur le transformateur T11 atteint 25% alors qu’elle avoisine 10% pour les
transformateurs T12 et T22 .
Nous mettons ainsi en avant le caractère approximatif de cette méthode ; elle ne sau-
rait fournir un résultat satisfaisant si le besoin était de prédire une valeur de capacité
avec précision. Par sa simplicité de mise en œvre, elle demeure cependant adaptée pour
une phase de prédimensionnement car elle fournit de bons ordres de grandeur, offre gé-
néralement une assez bonne vue sur l’influence de certains paramètres de construction, et
permet notamment de localiser assez fidèlement le minimum de la courbe Cp (k) ce qui
permet d’avoir une idée de la connexion optimale du secondaire vis à vis du primaire.
Elle serait également utilisable dans une première phase de conception par optimisation
car les appels à cette méthode sont très peu coûteux en temps de calcul. Néanmoins,
une telle procédure de conception n’exclurait probablement pas la possibilité d’utiliser
90 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

40 0.35
Ns1Nl1 Error
Ns1Nl1 EF
35 Ns1Nl2 0.3
Ns1Nl2 EF Experiments
Ns2Nl2
30 Ns2Nl2 EF 0.25
25
0.2
C (pF)

20
p

0.15
15

0.1
10

5 0.05

0 0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 Ns1 Nl1 Ns1 Nl2 Ns2 Nl2
k T11 T12 T22

Figure 3.12 – Résultats de la méthode analytique, de la simulation EF-2D, et des relevés expérimentaux.
L’erreur relative est donnée en comparant la méthode analytique à la méthode EF (référence) selon le
critère (3.33).

une méthode plus coûteuse mais plus précise (MEF2D/MEF3D) lorsqu’un raffinement du
modèle s’avérait nécessaire, en particulier à proximité d’un minimum local.
La comparaison entre les effets électrostatiques de T12 et T22 rend bien compte du fait
que, à encombrement égal, le fractionnement de l’enroulement secondaire permet de les
réduire significativement. Les principaux défauts identifiés sont les suivants : les énergies
stockées entre les sections et entre le bobinage et les parties horizontales du noyau sont
ignorées alors que, dans certains cas, leur contribution à l’énergie totale peut être signifi-
cative. De plus l’approximation plan/plan, bien qu’elle permette une formulation simple,
réduit encore la précision, notamment pour les couches épaisses d’isolant.

3.2.3 Méthode de Rayleigh-Ritz

Afin de palier ce manque de précision tout en proposant une méthode qui, confor-
mément à l’objectif initial, soit d’une mise en œvre aisée, et nécessite de courtes durées
de calcul, notre étude portera sur l’application de la méthode de Rayleigh-Ritz au cas
du transformateur ainsi qu’à son apport par rapport à la méthode analytique évoquée
précédemment.
La méthode de Rayleigh-Ritz est une méthode numérique permettant d’approcher la
solution de l’équation de Laplace dans un volume fermé par une combinaison linéaire d’un
nombre fini N de fonctions de bases (dites « fonctions tests »). Le nombre, généralement
inférieur à quelques dizaines, et la nature des fonctions tests sont laissés au choix de
l’utilisateur moyennant tout de même quelques contraintes parfois difficilement vérifiables.
La précision de la solution approximée dépend fortement du choix de ces fonctions. L’étape
calculatoire de la méthode consiste à inverser une matrice symétrique généralement dense
de taille N × N . Cette méthode, décrite dans de nombreux ouvrages ([37, 39]) repose sur
3.2. ESTIMATION DES PARAMÈTRES ÉLECTROSTATIQUES 91

la formulation variationnelle de l’équation de Laplace.

3.2.3.a Formulation variationnelle de l’équation de Laplace

Soit à résoudre le problème d’électrostatique suivant :
(
∆V = 0 sur Ω
(3.34)
V = f (r) sur ∂Ω

dans un volume Ω délimité par la surface ∂Ω. La résolution de ce problème consiste à

trouver l’unique fonction V (r) définie sur Ω, vérifiant l’équation de Laplace et valant
exactement f (r) sur les limites du domaine (potentiel imposé : f est connue et définie sur
∂Ω). Soit une fonction V0 définie sur Ω vérifiant les conditions aux limites V0 = f (r) sur
∂Ω. Soit φ = V − V0 . On montre que φ vérifie :
(
∆φ = −∆V0 sur Ω
(3.35)
φ=0 sur ∂Ω

On montre [39, 75] que résoudre (3.35) équivaut à trouver l’unique fonction φ qui minimise
la fonctionnelle : Z Z
I[φ] = (∇φ)2 dΩ + 2 ∇φ · ∇V0 dΩ. (3.36)
Ω Ω

Cette dernière écriture correspond à la formulation variationnelle du problème (3.35).

Elle consiste ainsi à exprimer une équation aux dérivées partielles en un problème de
minimisation. Pour l’équation de Laplace, l’équivalence entre les deux formulations est
établie mathématiquement.

3.2.3.b Principe de la méthode de Rayleigh-Ritz

Le nombre de degrés de liberté offerts pour minimiser (3.36) (et donc trouver le po-
tentiel V en tout point de Ω) est infini compte-tenu du fait que le paramètre recherché, φ,
est une fonction et non un (ou des) scalaire(s). L’idée de base de la méthode de Rayleigh-
Ritz consiste à restreindre l’espace de recherche des solutions d’un espace de dimension
infinie à un espace de dimension finie, quitte à commettre une erreur d’approximation, en
limitant l’expression de la fonction solution en une combinaison linéaire d’un nombre fini
de fonctions de base, dites fonctions tests.
Ce principe met en avant la première difficulté de la méthode : être en mesure de
proposer une base de fonctions dans laquelle exprimer la solution approximée φ̃. En effet,
d’après l’écriture de (3.35), la fonction recherchée vérifie les conditions de Dirichlet ho-
mogènes, c’est à dire qu’elle doit être nulle sur le bord ∂Ω du domaine de définition Ω.
Aussi, en plus d’une certaine régularité, demandons-nous aux fonctions tests de vérifier
cette condition. Dans bien des situations à géométrie complexe, cette simple condition met
en péril l’intérêt de la méthode, car il est souvent très difficile d’exhiber une telle fonction.
Supposons malgré tout disposer d’une base B = (φ̃1 , . . . , φ̃n ) de fonctions tests vérifiant
les conditions de Dirichlet homogènes. On désire approximer la solution de (3.36) par une
92 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

fonction φ̃ dans l’espace vectoriel engendré par B, c’est à dire que φ̃ admet une écriture
de la forme :
n
X
φ̃ = ai φ̃i . (3.37)
i=1

Autrement dit, on souhaite trouver le jeu de coefficient a1 , . . . , an qui minimise la fonc-

tionnelle (3.36). En introduisant la forme recherchée dans l’expression de I[φ], on montre
que :
n X
X n Z n
X Z
I[φ̃] = ai aj ∇φ̃i · ∇φ̃j dΩ + 2 ai ∇φ̃i · ∇V0 dΩ. (3.38)
i=1 j=1 Ω i=1 Ω

Minimiser I[φ̃] implique d’annuler les quantités ∂I[φ̃]/∂ai pour i ∈ [1 . . . n], ce qui s’écrit :

n
X Z Z
∀k ∈ [1 . . . n], aj ∇φk · ∇φj dΩ + ∇φk · ∇V0 dΩ = 0. (3.39)
j=1 Ω Ω

L’écriture peut-être condensée sous la forme matricielle :

A11 · · · A1n a1 B1
    
 .. .. ..   ..  =  .. 
 . . .  .   .  (3.40)
An1 · · · Ann an Bn

où les coefficients Aij et Bi s’expriment par :

Z Z
Aij = Aji = ∇φi · ∇φj dΩ et Bi = − ∇φi · ∇V0 dΩ.
Ω Ω

Si la base de fonctions tests est petite et que les coefficients Aij et Bi sont facilement
calculables analytiquement, nous constatons que le coût calculatoire de la méthode est
très faible.

3.2.3.c Application au transformateur

Partitionnement Comme pour la méthode analytique simplifiée, nous nous baserons

sur le partitionnement du transformateur en zones décrit Fig. 3.8. Nous ajouterons les
contributions des zones de type 4 (espaces inter-sections) ainsi que l’espace laissé entre le
bobinage et les parties horizontales du noyau magnétique. Comme précédemment évoqué,
les zones de type 1, 2 et 3 correspondent à des portions cylindriques où le potentiel évolue
linéairement avec la coordonnées axiale (l’axe z). Il est possible de ramener l’étude des
zones de type 4 à une étude similaire. En effet, on pourra supposer que le potentiel évolue
linéairement le long des bords représentés sur Fig. 3.13. Le long du bord inférieur (vert), le
potentiel s’exprime sous la forme (3.41a) et le long du bord supérieur (rouge) le potentiel
s’exprime par (3.41b). De façon similaire, on supposera que le potentiel évolue linéairement
le long des bords latéraux gauche et droit (bleu et noir). Le long du bord gauche, le potentiel
3.2. ESTIMATION DES PARAMÈTRES ÉLECTROSTATIQUES 93

Figure 3.13 – Zoom sur une zone inter-section (type 4)

est alors donné par (3.41c) et le long du bord droit, il est donné par (3.41d).
r − R0
Vi (r) = Vi0 + (Nl − 1)δV (3.41a)
Nl (d2 + ell )
r − R0
Vs (r) = Vi0 + (Nl − 1)δV + (Nl − 1)δV (3.41b)
Nl (d2 + ell )
z − z0
Vg (z) = Vi0 + (Nl − 1)δV (3.41c)
ess
z − z0
Vd (z) = Vi0 + (Nl − 1)δV + (Nl − 1)δV (3.41d)
ess
Ainsi, les zones de type 4 sont délimitées par des disques parallèles où le potentiel varie
linéairement suivant la coordonnée radiale.

Choix de V0 Pour utiliser la formulation variationnelle du problème initial, il a été

nécessaire de changer la fonction étudiée en exhibant une fonction V0 , définie sur le do-
maine d’étude Ω et vérifiant les conditions de Dirichlet non-homogènes. Il n’existe pas
de méthode permettant de trouver une telle fonction dans le cas général, et il est parfois
impossible d’en exprimer une simplement, surtout lorsque la géométrie du problème est
complexe. Dans notre situation, il a semblé judicieux de choisir pour fonction V0 celle qui
résout l’équation de Laplace en coordonnées cartésiennes car elle s’exprime d’une façon
très simple lorsque le potentiel évolue linéairement et de façon continue le long des bords
du domaine. Cette étude a été menée pour deux problèmes particuliers de type plan/plan
sur lesquels le potentiel évolue linéairement (voir l’étude §3.2.2.b). Nous pouvons assez
facilement généraliser l’expression des solutions en adoptant la même méthode. Pour le
problème Fig. 3.14 où est tracée l’évolution du potentiel en fonction de l’abscisse curviligne
s parcourant le bord du domaine rectangulaire, on cherche une solution sous la forme :

V0 (r, z) = E0 r + E1 z + Arz + Vc . (3.42)

L’expression (3.42) satisfait bien l’équation de Laplace en coordonnées cartésiennes ainsi

94 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

z
b

s
a r s

Figure 3.14 – Résolution d’un problème plan où le potentiel évolue linéairement sur les arêtes.

que les conditions aux limites si :



 Vc = V1

V4 − V1


 E0 =



a

V2 − V1 (3.43)

 E1 =


 b
V1 − V2 − V4


 V 3 +
A=


ab
Nous pouvons alors qualifier l’apport de la méthode de Ritz par rapport à la méthode
analytique simplifiée. Le développement précédent montre qu’elle permet d’apporter des
corrections à l’approximation consistant à modéliser un problème cylindre/cylindre par un
problème plan/plan. En effet, si la base des fonctions tests ne comporte aucun élément,
alors l’approximation retenue pour le problème (3.36) est φ̃ = 0 ce qui conduit à Ṽ = V0 .

Choix de la base de fonctions tests L’expression générale d’une solution d’un pro-
blème à symétrie de révolution exprimée en coordonnées cylindriques prend la forme d’une
série infinie impliquant des fonctions de Bessel de première ou seconde espèce [24], car à
l’instar des fonctions trigonométriques dans les problèmes à symétrie cartésiennes, elles
permettent de constituer une base complète et orthogonale pour la décrire. L’inconvénient
de l’usage de telles fonctions est qu’il est difficile de mener des calculs analytiques per-
mettant de trouver les coefficients à associer à chaque fonction pour exprimer la solution
exacte. Aucune méthode ne permet d’orienter le choix des fonctions tests. Pour les pro-
blèmes issus de l’étude du transformateur, on s’orientera vers une base de fonctions tests
polynomiales car elles permettent d’atteindre aisément des expressions analytiques pour
les coefficient Aij et Bi . Il aurait été probablement pertinent de considérer des fonctions
trigonométriques car elles offrent ce même avantage en plus de pouvoir former une base
complète pour décrire une fonction quelconque sur un intervalle borné. Pour un problème
délimité entre les cylindres de rayon R1 et R2 et entre les altitudes zm et zM , on s’intéresse
à la base de fonctions dont les éléments sont donnés par :
m p
r − R1 r − R2 z − zm z − zM
     
φ̃m,p = , (3.44)
R2 − R1 R2 − R1 zM − z m zM − zm
où m et p sont des entiers non nuls. Conformément à notre exigence, ces fonctions vérifient
les conditions de Dirichlet homogènes.
3.2. ESTIMATION DES PARAMÈTRES ÉLECTROSTATIQUES 95

Figure 3.15 – Problème en coordonnées cylindriques.

Énergie électrostatique Afin de pouvoir calculer les coefficients de la forme quadra-

tique (3.17), il est nécessaire d’évaluer l’énergie électrostatique dans trois configurations
distinctes ; la matrice [C̃ comporte en effet trois coefficients indépendants (voir §3.2), il
faut donc pouvoir écrire trois équations linéaires indépendantes. Pour chaque problème,
l’énergie électrostatique est donnée par :


Z
We = (∇Ṽ )2 dΩ (3.45)
2 Ω

où
X
Ṽ = V0 + ai φ̃i ,

est le potentiel approché issu de la résolution avec la méthode de Rayleigh-Ritz. En com-

binant cette dernière relation avec l’expression de Ṽ , on montre que l’énergie s’exprime
directement en fonction des coefficients de la matrice de Ritz et du second membre. En
effet, le calcul direct mène à :


 Z 
We = [B]t ([II] + 2[A]−1 )[B] + (∇V0 )2 dΩ , (3.46)
2 Ω

où la matrice A et le vecteur B sont définis en (3.40). La dernière intégrale se calcule

aisément de façon analytique vue l’expression (3.42).

Exemple de mise en œvre Afin d’illustrer le fonctionnement de la méthode, on s’in-

téresse à un problème de type zone 1 : on calcule le potentiel dans un volume délimité
par deux cylindres concentriques. Le premier, de rayon R1 = 1 cm, voit son potentiel
imposé à 0 V, et le second, de rayon 2 cm voit son potentiel évoluer linéairement selon la
coordonnée axiale (z) de 1 V à 2 V. La situation est représentée Fig. 3.15. La résolution
a été menée dans le cas de l’approximation plan/plan (Fig. 3.16a) et en choisissant une
base comportant quatre fonctions tests : m ≤ 2 et p ≤ 2 (Fig. 3.16b). Pour cet exemple,
la matrice de Ritz et le second membre de (3.40) sont calculés selon (3.40) ; ils valent
96 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

(a) (b)

Figure 3.16 – Potentiel électrostatique dans l’approximation plan/plan (a) et avec quatre fonctions tests
((m, p) ∈ {1, 2}2 ) (b).

respectivement :

2.1E −2 4.34E −4 4.34E −4 8.98E −5 2.6E −2

   
 ∗ 1.1E −4 8.98E −5 2.28E −5  5.24E −4 
[A] =  et [B] = −  ,
   
 ∗ ∗ 1.1E −4 2.28E −5 5.24E −4 


∗ ∗ ∗ 5.70E −6 1.05E −4

et la solution approchée vaut :

Ṽ (r, z) =(100(r − 0.01) + 104 (r − 0.01)z)

− 2φ̃11 (r, z) + 2.625φ̃12 (r, z) + 2.625φ̃21 (r, z) − 7.875φ̃22 (r, z).

Calcul des paramètres électrostatiques dans un transformateur Rappelons que

l’objectif est de calculer les coefficients de la forme quadratique (3.17). Pour cela, il est
nécessaire de calculer l’énergie électrostatique dans trois configurations différentes : il est
donc nécessaire d’effectuer trois calculs d’énergie pour avoir accès aux trois coefficients
électrostatiques. Ainsi, pour chaque configuration, les énergies de chacun des problèmes
calculées selon (3.46) sont sommées et l’énergie totale calculée. Puis la capacité parasite
vue au secondaire de chaque configuration est calculée en identifiant l’énergie à un terme
de la forme 1/2Cp (ηV1 )2 . Finalement, les coefficients de la matrice électrostatique sont
calculés avec (3.18).

Validation Afin d’évincer toute source d’erreur imputable à un défaut de réalisation,

la validation de la méthode consiste à comparer les résultats obtenus avec un modèle
bi-dimensionnel Fig. 3.17 par éléments finis réalisé sous le logiciel FEMM4.2. De plus,
deux prototypes ont été réalisés par la société ECEI d’après les indications précises don-
nées quant à la réalisation des bobinages. Les paramètres électrostatiques ont ensuite été
mesurés afin d’évaluer le degré de précision obtenu lors d’une phase de réalisation. Les
principales caractéristiques de l’ensemble sont résumées Tab. 3.3. Les comparaisons des
3.3. MINIMISATION DES EFFETS CAPACITIFS 97

Figure 3.17 – Répartition du potentiel électrostatique : géométries 2-D axisymétriques (FEMM4.2), dans
le cas k = 0.5.

courbes Cp (k) pour l’estimation avec la méthode de Ritz, le modèle 2D FEMM et les re-
levés expérimentaux sont données pour deux réalisations (m = 64 et m = 50) Fig. 3.18
et Fig. 3.19. Notons que la permittivité de la résine Tab. 3.3 est inconnue mais que son
effet s’est avéré faible ; dans le modèle, on a pu opter pour des valeurs allant de 1 à 5 sans
observer de changement significatif dans les résultats d’estimation. L’erreur entre deux
méthodes est calculée selon le critère (3.33), en prenant respectivement pour référence la
méthode EF2D et la mesure expérimentale. Les erreurs commises pour les deux réalisations
demeurent de l’ordre de quelques % ce qui illustre la précision de cette méthode d’évalua-
tion des effets électrostatiques dans un transformateur élévateur adapté à l’alimentation
de dispositifs DBD.

3.3 Minimisation des effets capacitifs

L’intérêt de la méthode d’estimation précédente réside à la fois dans sa facilité de mise
en œuvre et dans son faible coût calculatoire : quelques opérations élémentaires sur des
polynômes et inversion d’une matrice de faible taille. Ces caractéristiques sont avantageu-
sement mises à profit dans l’élaboration d’un algorithme d’optimisation de structure de
transformateur afin d’offrir une rapidité de convergence vers le meilleur transformateur, au
sens où nous le définirons ultérieurement. En effet, il est judicieux dans nos applications de
considérer à la fois les effets électrostatiques, dont l’importance a été précédemment débat-
tue, les effets magnétiques dont les impacts ont été discutés §2.1.3, les pertes et les effets
thermiques, ainsi que les problèmes liés à la rupture diélectrique des isolants. Il est égale-
ment intéressant de composer avec des paramètres géométriques tels que le volume, bien
que dans ce contexte, cette contrainte n’ait jamais revêtu une importance cruciale. Lors de
la conception d’un transformateur, les contraintes fortes consistent en la non-saturation
98 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

−11
x 10
4.5 0.07
FEMM 2D
Ritz
0.06
4 Measurements

0.05
3.5

0.04
Cp (F)

Error
3
0.03

2.5
0.02

2
0.01

1.5 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 Ritz versus Ritz versus
k FEMM 2D Measurements

Figure 3.18 – Comparaison des méthodes : transformateur m = 64.

−11
x 10
4.5 0.045
FEMM 2D
Ritz 0.04
4 Measurements
0.035

3.5 0.03

0.025
Cp (F)

Error

3
0.02

2.5 0.015

0.01
2
0.005

1.5 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 Ritz versus Ritz versus
k FEMM 2D Measurements

Figure 3.19 – Comparaison des méthodes : transformateur m = 50.

3.3. MINIMISATION DES EFFETS CAPACITIFS 99

Paramètres Valeurs
Application Expérimentations traitement de surface
Surface 25-100 cm2 (selon l’appli)
Gap de diazote 1 mm
Tension de claquage (Vth ) 3500 V
Capacité diel (Cdiel ) > 50 pF
Capacité gaz (Cgas ) >10 pF
Tension Max. 16 kV
Courant efficace primaire 5A
Gamme de fréquence 5-50 kHz
Type de noyau E80/38/20-3F3 (Ferroxcube)
Nb de spires (primaire) 48 (Nl = 2)
η ≈ 64
Nb de sections (Ns ) 4
Nb de couches au secondaire (Nl ) 12
ess (zone 4) Isolant 2 mm (r = 3)
e12 (zone 1) Isolant 5 mm (r = 3)
ell (zone 2) Isolant 0.2 mm
e2c (zone 3) Résine > 5 mm (r = ?)

Table 3.3 – Caractéristiques du système.

du noyau magnétique composant le transformateur et en le non claquage des isolants. En

outre, un niveau de perte acceptable doit être garanti afin d’assurer un bon point de fonc-
tionnement thermique. Par ailleurs, il est nécessaire de détenir une bonne connaissance
des matériaux isolants car ils ont un impact décisif sur les paramètres électrostatiques du
transformateur.

3.3.1 Formulation d’un cahier des charges

Naturellement, le cahier des charges lié à une application d’alimentation pour dispositif
DBD s’exprime au secondaire c’est à dire que les paramètres imposés sont ceux de la
décharge (tension maximale, forme du courant injecté, puissance, fréquence . . . ). Il est alors
de la responsabilité du concepteur de fournir un ensemble {convertisseur, transformateur}
permettant de satisfaire ces exigences. Dans cette partie, notre propos se limitera à la
conception du transformateur dédié à une alimentation contrôlée en courant. Pour ce
type d’alimentation, nous avons montré que trois effets parasites sont à l’origine de la
déformation de l’onde de courant (§2.1.3) :
– l’effet de l’inductance magnétisante qui tend à bomber les plateaux de courant,
– celui de la l’inductance de fuite qui interdit les transitions rapides entre deux valeurs
de courant,
– et enfin dans une plus forte mesure, les effets électrostatiques qui donnent une al-
lure en marche d’escalier au courant injecté dans le dispositif DBD, retardant ainsi
l’amorçage de la décharge.
Des formes d’ondes sont rappelées Fig. 3.20. Dans le cas idéal (sans élément parasite), il
existe un temps d’extinction minimum de la décharge illustré par tid off correspondant au
temps nécessaire pour fournir la quantité de charge permettant d’inverser la polarité de
l’espace gazeux. Le raisonnement reste identique lorsque les effets capacitifs sont pris en
compte, mais cette durée augmente significativement ; elle est illustrée par tcoff . L’allure du
100 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

Figure 3.20 – Courant DBD et courant gaz pour une alimentation en courant carré. Cas idéal (rouge),
en tenant compte des effets capacitifs uniquement (vert) et en tenant compte de tous les effets cumulés
(bleu).

courant gaz icgas reste néanmoins constante par morceaux, et le courant maximum reste
contrôlé. Lorsque tous les effets sont cumulés, on constate que l’inductance de fuite, ra-
lentissant les variations de courant, augmente encore le temps d’extinction de la décharge
toff et l’inductance magnétisante rend le courant gaz non constant durant la phase d’al-
lumage (présence de δidbd ). Des travaux récents menés sur les applications de traitement
de surface à la pression atmosphérique suggèrent que le niveau de courant maximum ainsi
que le retard de l’amorçage de la décharge constituent deux éléments capitaux quant à
l’obtention d’une décharge homogène favorisant la qualité du traitement [11]. En effet, il
est montré que dans le contexte où se situe l’étude, réduire le temps d’extinction et limiter
la valeur crête du courant injecté sont bénéfiques. Aussi, dans le cahier des charges, en plus
des éléments usuels (puissance, fréquence, . . . ) figureront deux paramètres respectivement
liés à la valeur maximale du courant injecté (îcdbd + δidbd ), et au temps d’extinction toff
entre deux décharges successives, ce qui du point de vue de notre étude se traduit par des
contraintes sur les valeurs des éléments parasites du transformateur.

3.3.2 Paramètres d’optimisation

3.3.2.a Paramétrage
Un transformateur est défini par un ensemble de paramètres physiques et géométriques,
dont le nombre dépend fortement de la complexité de la géométrie envisagée. Il existe des
paramètres de type continu tels que les épaisseurs d’isolants, les dimensions du noyau ma-
gnétique, et des paramètres discrets tels que les nombres de spires, les nombres de couches
et de sections. On peut néanmoins les regrouper en fonction de leur provenance (Tab. 3.4).
Le nombre de paramètres peut être augmenté si l’on s’intéresse à des géométries de noyau
plus complexes. Certains paramètres physiques tels que les permittivités relatives des iso-
lants, les coefficients de perte du matériau magnétique, ou l’induction de saturation, ne
peuvent pas être considérés comme des variables d’optimisation car ce sont les contraintes
technologiques qui fixent leurs domaine d’existence. Il est toujours préférable de réduire au
maximum les permittivités des isolants pour réduire les effets électrostatiques, de réduire
les pertes magnétiques pour limiter les échauffements et d’augmenter autant que possible
les valeurs d’induction de saturation pour travailler avec un noyau de volume réduit. Des
3.3. MINIMISATION DES EFFETS CAPACITIFS 101

Nombre de sections (Ns )

Paramètres liés à la stratégie de
Nombre de couches primaires (Nl1 )
construction
Nombre de couches secondaires (Nl2 )
Diamètre jambe de bobinage (D)
Hauteur fenêtre bobinage (Hbob )
Largeur fenêtre bobinage (Lbob )
Paramètres du noyau magnétique
Perméabilité relative (µr )
Induction de saturation (Bsat )
Coefficients de calcul de densité de pertes (c1 , . . . , cm )
Séparation verticale noyau/primaire (ec1 )
Séparations horizontales bobinage/noyau (ehw )
Paramètres de la carcasse de bobinage
Séparations entre les sections (ess )
Permittivité relative (r )
Diamètre externe fil (d1 )
Nombre de spires (N1 )
Paramètres bobinage primaire
Épaisseur isolant entre couches (ell1 )
Permittivité relative (r )
Diamètre externe fil (d2 )
Nombre de spires (N2 )
Paramètres bobinage secondaire
Épaisseur isolant entre couches (ell2 )
Permittivité relative (r )
Séparation primaire / secondaire (e12 )
Paramètres entre les enroulements
Permittivité relative (r )

Table 3.4 – Paramètres du transformateur.

valeurs typiques tenant compte du cahier des charges sont alors assignées à ces paramètres
avant le processus d’optimisation. Toutefois, le processus d’optimisation peut être itéré en
assignant à ces paramètres un jeu de valeurs issu de bases de données constructeur.
Il est possible d’exprimer quelques contraintes permettant de réduire le nombre de
paramètres : on exige que les couches de bobinage soient entièrement remplies ce qui
permet par exemple d’éliminer le nombre de spires N2 car ce dernier est alors défini par
le nombre de couches au secondaire, le diamètre du brin secondaire et les géométries de la
fenêtre de bobinage et de la carcasse.

3.3.2.b Objectif
Compte-tenu de l’importance des effets électrostatiques sur le convertisseur et de leur
impact sur le temps d’extinction de la décharge, le principal objectif du dimensionnement
consiste à les minimiser.
L’étude §3.2 montre qu’il existe au moins deux moyens pour arriver à cette fin : agir
sur les paramètres géométriques et physiques exposés Tab. 3.4 et agir sur la connexion du
transformateur en définissant de manière optimale le facteur k, qui définit le potentiel V3
par rapport au potentiel V1 . L’étude précédente montre que, quelle que soit la structure
du transformateur, il est possible de trouver un paramètre de connexion optimum, et que
ce dernier s’exprime simplement dès lors que les coefficients électrostatiques sont connus.
Ainsi, en notant u un vecteur de paramètres contenant des éléments présentés Tab. 3.4,
on exprime la fonction objectif par :
fobj (u) = min Cp (k, u). (3.47)
k∈[0,1]

Il arrivera dans certaines situations que le facteur k ne pourra être choisi librement, pour
102 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

des raisons de sécurité notamment. Lorsque côté primaire, le convertisseur n’est pas isolé
de la terre et que côté secondaire, les règles de sécurité électrique imposent que l’une des
deux électrodes, conçue pour être proche du bâti (présence de partie mobiles notamment),
soit connectée à la terre ; l’optimisation portera alors sur la seule valeur de k, par exemple,
k = 0. Dans ce contexte, la fonction objectif est exprimée par :

fobj (u) = Cp (k = 0, u). (3.48)

3.3.2.c Contraintes
Faisabilité mécanique : Le respect de cette contrainte est capital pour pouvoir évaluer
la fonction objectif. Elle consiste à s’assurer que le transformateur, tel qu’il est décrit
est réalisable mécaniquement. On identifie deux inégalités que doit satisfaire le jeu de
paramètres : chacune exprime le fait que le bobinage doit tenir dans la fenêtre radialement
et axialement. Ces fonctions de contrainte sont exprimées par :

fc1 = ec1 + Nl1 (d1 + ell1 ) − ell1 + e12 + Nl2 (d2 + ell2 ) − ell2 − Lbob , (3.49)
fc2 = (Ns − 1)ess + 2ehw − Hbob , (3.50)

où la définition des paramètres est donnée Tab. 3.4. Telles qu’elles sont formulées, ces
fonctions de contraintes doivent demeurer négatives.

Non saturation Cette contrainte consiste à exprimer le fait que le noyau magnétique ne
doit pas saturer. Contrairement au cas précédent, la violation de cette contrainte n’entraîne
pas de difficulté pour l’évaluation de la fonction objectif. L’étude théorique §A.3 permet
de calculer d’après (A.27) l’induction magnétique maximale atteinte dans le noyau du
transformateur. La fonction contrainte s’exprime alors par :

4ψ̂
fc3 = − Bsat , (3.51)
N2 πD2

où ψ̂ est la valeur maximale de l’intégrale de la tension Vdbd dont une expression analytique
figure en annexe (A.27).

Inductance magnétisante Les effets de l’inductance magnétisante ont été rappelés

§3.3.1. En accord avec l’analyse §2.1.3, l’augmentation de courant δidbd engendrée par
cette dernière est évaluée par
δidbd = ψ̂/Lµ2 ,
où Lµ2 est l’inductance magnétisante vue au secondaire ; Lµ2 s’exprime aisément en fonc-
tion des paramètres du transformateur par

Lµ2 = µ0 µr N22 πD2 /(4Leff ),

Leff étant la longueur magnétique effective s’exprimant uniquement en fonction des para-
mètres géométriques du noyau. On désire que cet incrément de courant demeure inférieur à
3.3. MINIMISATION DES EFFETS CAPACITIFS 103

quelques % du courant injecté. En accord avec les notations Fig. 3.20, la fonction contrainte
s’exprime par :
fc4 = ψ̂/Lµ2 − aîcdbd , (3.52)
où par exemple a = 0.05 si l’on souhaite que δidbd reste inférieur à 5% du courant injecté.

Inductance de fuite En accord avec l’analyse §2.1.3, le retard d’allumage engendré

par l’inductance de fuite s’exprime par (2.2) lorsque l’inductance est vue côté primaire.
Fig. 3.20 illustre cet aspect lorsque sont comparés les relevés dans le cas avec et sans effets
magnétiques. Il est ainsi souhaitable d’imposer une valeur maximale à l’inductance de
fuite ; par exemple, on peut imposer que le temps de transition entre deux valeurs extrêmes
du courant soit effectuée en moins d’un certain pourcentage de la période d’alimentation.
Ceci nécessite alors de posséder un modèle fiable d’estimation de ce paramètre en fonction
des paramètres de construction du transformateur. Cet aspect n’ayant pas été traité dans
ce travail, il est fait appel à la méthode de Rogowski [74] dont un exposé synthétique
en anglais est disponible en [57]. L’intérêt de cette méthode réside dans sa simplicité
calculatoire et dans sa relativement bonne précision compte-tenu des géométries employées
dans nos applications. Des méthodes plus précises sont néanmoins disponibles en [23] et
leur utilisation pourrait être faite si une précision supérieure était requise. D’après cette
méthode, pour un transformateur à bobinages concentriques à couches non-entrelacées,
l’inductance de fuite vue au secondaire s’exprime par :

µ0 (M LT )N22 (e12 + 13 (Nl1 (d1 + ell1 ) − ell1 + Nl2 (d2 + ell2 ) − ell2 ))
L`2 = , (3.53)
Hbob
où (M LT ) est la longueur de la spire moyenne du transformateur. Ainsi, en accord avec
(2.2), la fonction de contrainte relative à ce paramètre s’exprime par :

2L`2 îdbd b
fc5 = − , (3.54)
V̂dbd F

où b = 0.01 si l’on désire que la durée de transition soit inférieure à 1% de la période

d’alimentation, F étant la fréquence de fonctionnement du commutateur.

Pertes Un calcul précis des pertes permettrait d’évaluer l’élévation de température du

composant afin de formuler une contrainte garantissant un bon fonctionnement des isolants
des bobinages et du noyau magnétique. Toutefois, cet aspect n’a pas été ici étudié : on se
contentera d’un calcul a posteriori des pertes pour vérifier qu’elles sont dans une gamme
acceptable. Selon ce principe, pour les fils de bobinage, les contraintes reposeront sur le
choix de brins dont les diamètres sont tels que la densité de courant efficace maximale
soit de 5 A/mm2 , valeur communément admise pour le cuivre lors de dimensionnement
de transformateurs de plusieurs dizaines de VA.
Insistons sur le fait que cette valeur n’a rien d’universel puisque seules les considéra-
tions thermiques permettent de l’établir, et dans cette optique, il est clair qu’une valeur
très différente serait choisie si le dimensionnement portait sur un transformateur de plu-
sieurs MVA. Pour le noyau magnétique, on se contentera de limiter l’induction maximale
104 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

à une valeur permettant d’atteindre un niveau de densité de pertes magnétiques inférieur

à 100 mW/cm3 , ce choix se faisant à la lumière de la lecture des documentations construc-
teur. Rigoureusement, ce sont encore des considérations thermiques qui permettent de
fixer ce seuil à 100 mW/cm3 .

3.3.3 Algorithmes d’optimisation

3.3.3.a Choix de l’algorithme
L’importante diversité des stratégies d’optimisation potentiellement adaptées à notre
problème complique l’établissement d’un comparatif pertinent des méthodes car en pra-
tique cela impliquerait de les tester toutes sur notre étude. On se satisfera néanmoins de
quelques critères qualitatifs afin d’opérer une pré-sélection des algorithmes constituant de
bons candidats. Aussi énumérons-nous quelques caractéristiques de notre problème :
1. L’espace des paramètres est borné et est soumis à des contraintes (inégalités).
2. Fonction objectif multimodale (a priori). C’est à dire que nous formulons l’hypothèse
qu’il existe plusieurs optima locaux.
3. Présence de variables continues (dimensions noyau, épaisseurs d’isolant . . . ) et de
variables discrètes (nombre de spires, nombre de couches . . . ). Il est donc impossible
de définir un gradient de la fonction objectif.
4. Présence d’une contrainte forte (faisabilité mécanique), interdisant l’évaluation de
la fonction objectif lorsque celle-ci est transgressée, ainsi que d’autres fonctions
contraintes autorisant le débordement.
5. Coût calculatoire relativement bas (objectif + contraintes) ce qui autorise l’utilisa-
tion d’algorithmes nécessitant un grand nombre d’évaluations.
La première caractéristique est typique d’un processus de dimensionnement en général car
le bon sens interdit aux paramètres d’atteindre des valeurs astronomiques et il existe des
contraintes techniques qui limitent le domaine de variation des paramètres de construction
(impossible de réaliser des couches isolantes de moins d’une certaine épaisseur . . . ).
La seconde, signifiant que la fonction objectif possède a priori plusieurs minima, invite
à prendre certaines précautions si l’on emploie une méthode locale car on risque de ne pas
explorer tout l’espace, et de converger vers un minimum local au lieu du minimum global.
La troisième évince toutes les méthodes analytiques d’ordre 1 ou plus (Newton, quasi-
Newton, gradient conjugué . . . ), car il est impossible de définir un gradient de la fonc-
tion objectif. Toutefois, sous certaines conditions, un problème d’optimisation non continu
peut-être reformulé en un problème d’ordre 1 équivalent mais cette piste n’a pas été ex-
plorée dans ce travail.
La quatrième caractéristique interdit l’utilisation de méthodes à pénalité extérieure et
il est nécessaire de reformuler la fonction objectif : elle vaut fobj dans l’espace réalisable,
et une autre fonction, très pénalisante, dans l’espace irréalisable. Cette reformulation im-
plique l’utilisation d’algorithmes prenant en charge les fonctions objectif discontinues.
La cinquième permet l’emploi de méthodes coûteuses en nombre d’évaluation de la
fonction objectif et de contrainte telles que les méthodes stochastiques. Ces dernières offrent
3.3. MINIMISATION DES EFFETS CAPACITIFS 105

en contrepartie une grande capacité à explorer l’espace des paramètres et permettent de

localiser le ou les minima globaux avec une grande probabilité.
Il existe une grande variété de méthodes stochastiques. Parmi les plus employées on
retrouve la famille des méthodes dites de Monte-Carlo telles que la recherche purement
aléatoire ou la recherche Tabu [33] dont le principe est d’explorer l’espace des paramètres
de façon aléatoire en n’utilisant aucun principe déterministe. Elles sont généralement em-
ployées pour fournir un jeu de conditions initiales pour un autre algorithme ou pour four-
nir une image de la forme de la fonction objectif. Elles peuvent également être couplées
à d’autres algorithmes. On retrouve également la famille des méthodes dites stochastiques
globales qui reposent à la fois sur des mécanismes stochastiques et des mécanismes déter-
ministes. Leur principal intérêt d’augmenter la probabilité de localisation d’un optimum
global comparé aux méthodes purement déterministes. Parmi elles, figurent la méthode
du recuit simulé [40] et la classe des algorithmes évolutionnistes.
Les méthodes évolutionnistes, initialement décrites par Holland [35] reposent sur le
principe de la sélection naturelle, originellement formulé par Charles Darwin [19], selon
lequel seuls les individus les mieux adaptés survivent et se reproduisent, engendrant au
fil des générations une population de mieux en mieux adaptée à son milieu. La différence
notable avec les autres méthodes d’optimisation est que les algorithmes évolutionnistes
n’explorent pas l’espace des paramètres à partir d’un point initial, mais à partir d’une
population initiale. Cette population évolue au cours des générations par le biais
– de mécanismes de sélection : les meilleurs ont plus de chance de se reproduire,
– de mécanismes de croisement : des parents engendrent des enfants ce qui permet
d’améliorer la population et de converger vers un optimum,
– et de mécanismes mutation afin d’étendre la capacité d’exploration de l’espace des
paramètres.
Le principe général est donné Fig. 3.21. La grande diversité des algorithmes évolution-
nistes retrouvée dans la littérature scientifique est principalement due à la multiplicité
des opérateurs de sélection, de croisement ou de mutation. Ce type d’algorithme semble
adapté au problème qui est le nôtre car il prend en charge les cinq propriétés précédem-
ment évoquées. Compte-tenu du caractère présumé multimodal de la fonction objectif,
notre attention s’est portée sur les algorithmes génétiques avec méthode de nichage [77].

3.3.3.b Algorithme génétique avec méthode de nichage

Principe Les principaux attraits des méthodes d’optimisation basées sur un algorithme
génétique tiennent en leur grande robustesse caractéristique des algorithmes évolution-
nistes en général et en leur propension à trouver plusieurs optima pour un problème
donné, accentuée par l’utilisation d’une méthode de nichage. Cette qualité revêt un grand
intérêt lors des phases de dimensionnement parce qu’elle contraint l’algorithme à une plus
grande exploration de l’espace des paramètres et permet de faire facilement émerger les
compromis que devra considérer le concepteur [79]. Idéalement, une méthode de nichage
permet de trouver le ou les optima globaux d’un problème avec une meilleure certitude
qu’un algorithme génétique standard dont l’un des défauts est de parfois rester prisonnier
dans un optimum. Comme souvent lorsque l’on traite des algorithmes génétiques, il est
106 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

Figure 3.21 – Principe général d’un algorithme évolutionniste (extrait de [77]).

possible de procéder par analogie avec le monde du vivant : pour survivre les individus de
chaque espèce vont occuper une niche écologique où ils trouveront plusieurs ressources na-
turelles. On identifie donc l’écosystème à l’espace de recherche (la niche et son optimum),
l’abondance des ressources naturelles à la qualité de l’optimum et un groupe d’individus
similaires à une espèce [77]. Le principe consiste ainsi à éliminer des individus lorsqu’ils
sont similaires et trop nombreux autour d’un même optimum. La conséquence pratique
est que chaque optimum sera occupé par quelques individus et non par l’ensemble de la
population, favorisant l’exploration de l’espace des paramètres.

Mise en œuvre Afin d’utiliser la méthode de nichage, il est nécessaire d’établir un

critère déterminant l’appartenance d’individus à une même espèce. Pour ce genre de pro-
blème, on peut utiliser une distance dite phénotypique dont un exemple est la distance
euclidienne entre les vecteurs de paramètres de deux individus. Lorsque cette distance est
inférieure à un seuil fixé par le concepteur, le rayon de la niche, on considère que les deux
individus sont de la même espèce et occupent la même niche. Il existe plusieurs méthodes
de nichage et elles ne seront pas détaillées ici. Celle qui a retenu notre attention est la
méthode d’éclaircissement (clearing method) [78].
Elle est basée sur le principe des ressources limitées [64]. Lorsque plusieurs individus
appartiennent à la même niche, seuls les k meilleurs individus sont conservés et les autres
sont évincés par pénalisation maximale de la fonction coût. La valeur k est qualifiée de
capacité de la niche et elle est à fixer par le concepteur. Une faible valeur de k augmente
la capacité d’exploration de l’espace des paramètres mais offre un plus faible maillage
autour des optima. Le principe est décrit schématiquement Fig. 3.22. Lors de la première
étape, les individus sont classés en fonction de leur performance. La première moitié de la
3.3. MINIMISATION DES EFFETS CAPACITIFS 107

Individus classés par performance décroissante

(etc ...)
Sélection par tournoi et croisement
des élites puis mutations des enfants
pour créer des non-élites: de nouveaux
Élites individus sont crées à partir
des élites ...

Clearing
k=1
- Regroupement par niche
- Classement par performance
décroissante au sein
de chaque niche
Élites - Pénalisation maximale des
"doublons"

Individus classés par performance décroissante - Classement par performance

décroissante : les "doublons"
quittent les élites.
- De nouveaux individus issus des
sélections/croisement/mutation
précédentes arrivent parmi les élites.
- Les non-élites sont renouvelées par
Élites le mécanisme de sélection/croisement
et mutation (cf : étape 1)

Clearing
k=1
- Regroupement par niche
- Classement par performance
décroissante au sein
Élites de chaque niche
- Pénalisation maximale des
"doublons"

(etc...) Apparation de nouvelles niches

=> nouveaux domaines d'exploration

Figure 3.22 – Principe de la méthode d’éclaircissement utilisée dans un algorithme évolutionniste.

population correspond aux élites. Les élites sont sélectionnées deux par deux par tournoi
afin d’engendrer par un mécanisme de croisement des descendants, qui seront placés parmi
la population non-élite (la deuxième moitié de la population). Chaque enfant subit ensuite
une mutation, avec une certaine probabilité. Ensuite l’étape d’éclaircissement consiste à
regrouper les élites par niche, et à éliminer les doublons (lorsque par exemple la capacité de
la niche, k, est fixée à 1) en les pénalisant. Les individus sont alors classés par performances.
Les doublons ayant été très fortement pénalisés quittent les élites et arrivent parmi les
élites de nouveaux individus occupant éventuellement de nouvelles niches. Le mécanisme de
sélection/croisement/mutation est alors appliqué et la population non-élite est transformée
en une nouvelle population, ce qui élimine définitivement tous les doublons pénalisés en
les remplaçant par de nouveaux individus. Le procédé est alors réitéré . . .

3.3.4 Résultats et multiplicité des solutions

3.3.4.a Paramétrage du problème
L’algorithme a été appliqué pour le dimensionnement du transformateur associé au
cahier des charges Tab. 3.3. Dans cette partie, aucune contrainte sur les éléments magné-
tiques n’est intégrée, l’idée étant de voir dans quelle mesure ces paramètres sont affectés si
l’on ne s’intéresse qu’à minimiser les effets capacitifs. Parmi les paramètres de construction
rassemblés Tab. 3.4, seuls Nl2 , Hbob , E12 , Ell2 , E2c , Ess ont été retenus comme paramètres
d’optimisation. Tous les autres ont été imposés ou déduits de ces six paramètres. Une
contrainte d’égalité a été intégrée : afin de garantir un niveau de densité de pertes fer
108 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

équitable, l’induction magnétique maximale est imposée à 0.3 T, ce qui permet de déduire
de façon unique le diamètre de la jambe de bobinage en fonction des autres paramètres.
De plus, afin de garantir la faisabilité mécanique (cf (3.50)) horizontalement, la largeur de
la fenêtre de bobinage est imposée exactement égale à la somme des largeurs des couches
primaires, secondaires et des isolants. Pour la garantir verticalement, les bornes de l’opti-
miseur sont choisies de telle manière qu’il soit impossible d’avoir une situation où la somme
des épaisseurs d’isolants horizontaux dépasse la valeur de Hbob . Puisque le paramètre Ns ,
le nombre de sections, ne peut prendre qu’un nombre réduit de valeurs (ici on choisit
{1, 2, 4, 6}), l’optimisation est opérée pour chaque valeur de Ns . La fonction objectif (le
f itness) est donnée par (3.48), qui consiste à connecter l’une des bornes du primaire et
du secondaire à la terre. La population est fixée à 1000 individus.

3.3.4.b Résultats

La répartition de la population finale (la dernière génération) est donnée en annexe

Fig. B.1 pour Ns = 1, Fig. B.2 pour Ns = 2, Fig. B.3 pour Ns = 4, Fig. B.4 pour
Ns = 6. Une synthèse de celle-ci est reportée Tab. 3.5. On note la grande diversité des
solutions. Dans le cas Ns = 1 (Fig. B.1), la performance (valeur de capacité parasite)
s’étend de 29.2 pF à environ 31.1 pF soit un faible intervalle. Toutefois, l’algorithme livre
un grand ensemble de bons candidats pour le transformateur. En effet, nous constatons que
le volume du noyau magnétique s’étend d’environ 0.1 L à 0.5 L, que le nombre de couches
de bobinage secondaire s’étend de 4 à 13, que le nombre de spires s’étend d’environ 300 à
1100 etc. . . On constate que l’incrémentation du nombre de sections permet de diminuer
légèrement la capacité parasite ainsi que le volume du noyau magnétique. Cependant, on
constate que ces améliorations deviennent presque sans effet lorsque le nombre de section
est suffisamment élevé : on note une assez nette amélioration dans la capacité parasite
entre les cas Ns = 1 et Ns = 2, mais une amélioration négligeable entre les cas Ns = 4 et
Ns = 6.
Le dimensionnement a été réalisé à nouveau en considérant cette fois-ci (3.47) (Cp est
calculé pour le meilleur facteur de connexion) au lieu de (3.48) pour fonction objectif. Les
résultats sont présentés en annexe Fig. B.5 pour Ns = 1, Fig. B.6 pour Ns = 2, Fig. B.7
pour Ns = 4, Fig. B.8 pour Ns = 6. Comme dans l’étude précédente, une grande diversité
de solutions a été observée. Afin de donner une idée de cette diversité, nous rapportons
Fig. 3.23 des schémas à l’échelle de deux solutions pour chaque valeur de Ns . Afin de
synthétiser les résultats obtenus, nous traçons pour chaque population la valeur de Cp2
en fonction des paramètres respectifs Lµ2 , Lł2 , VFe (le volume fer) pour Ns ∈ {1, 2, 4, 6}
et pour les deux fonctions objectif (3.47) et (3.48) sur Fig. 3.24. Pour le calcul de Lµ2 , la
perméabilité magnétique relative du noyau magnétique est supposée égale à 2000.
D’une façon générale, indépendamment du nombre de sections, le fait de connecter une
borne secondaire au primaire (définition de la terre de part et d’autre du transformateur)
augmente significativement les effets capacitifs par rapport à une connexion optimale.
L’observation de Fig. 3.24a et Fig. 3.24b montre que le fractionnement, en plus de
diminuer dans une proportion intéressante les effets capacitifs parasites, offre au concepteur
un choix plus étendu en terme d’éléments parasites magnétiques tout en conservant des
3.3. MINIMISATION DES EFFETS CAPACITIFS 109

Echelle :
10 cm

Nl2= 2 Nl2= 4
N1 = 4 N1 = 7
N2 = 178 N2 = 356
Cp = 18.2 pF Cp = 17.7 pF
Lµ2 = 2 H Lµ2 = 2.9 H
L = 8.3 mH L = 13.6 mH
l2 l2

Nl2= 20 Nl2= 14
N1 = 26 N1 = 12
N2 = 1360 N2 = 616
Cp = 13 pF Cp = 13 pF
Lµ2 = 17.8 H Lµ2 = 6.46 H
L = 99 mH L = 20 mH
l2 l2

Nl2= 15 Nl2= 20
N1 = 13 N1 = 38
N2 = 660 N2 = 2000
Cp = 11.2 pF Cp = 12.2 pF
Lµ2 = 7.2 H Lµ2 = 29 H
L = 17 mH L = 118 mH
l2 l2

Nl2= 9 Nl2= 19
N1 = 12 N1 = 65
N2 = 594 N2 = 3420
Cp = 11.6 pF Cp = 11.8 pF
Lµ2 = 6.5 H Lµ2 = 49 H
L = 9.5 mH L = 181 mH
l2 l2

Figure 3.23 – Schéma à l’échelle de deux solutions par valeur de Ns trouvées par l’algorithme d’optimi-
sation.
110 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

effets capacitifs assez proches de l’optimum.

Du point de vue du volume fer, le fractionnement apporte une légère réduction à
l’exception du cas Ns = 1 avec la fonction objectif (3.47) où les volumes optimaux sont
très supérieurs aux cas Ns ∈ {2, 4, 6}. Ce fait n’est pas observé si l’on travaille avec la
fonction objectif (3.48).
Comme évoqué §2.1.3, les effets magnétiques jouent également un rôle dans la défor-
mation de l’onde de courant. Il peut donc être intéressant de représenter la population au
travers des paramètres Lµ2 , Lł2 et Cp2 dans un diagramme de répartition. Nous présentons
une telle répartition pour le cas k = kopt et Ns = 6 sur Fig. 3.25. On constate que l’éten-
due de variation de Cp (le fitness) est relativement faible (entre 10.4 pF et 12 pF) alors
que les étendues de variation de Lµ2 et Ll2 occupent près d’un ordre de grandeur (entre
5 H et 50 H pour Lµ2 et entre 10 mH et 180 mH pour Ll2 ). On observe cependant que
l’augmentation de Lµ2 va de pair avec l’augmentation de Ll2 , ce qui peut se comprendre
intuitivement. En effet, pour augmenter Lµ2 dans le cas ou la perméabilité du noyau est
fixée, un plus grand nombre de spire est nécessaire et donc le bobinage occupe un volume
plus important (la densité de courant est fixée) ce qui augmente l’inductance de fuite.

Conclusion
Au sein de ce chapitre, le dimensionnement du transformateur utilisé pour l’alimenta-
tion des dispositifs DBD a été abordé au travers de ces effets électrostatiques. Dans un
premier temps, une étude électrocinétique a permis de construire une modélisation circuit
de ce dernier, et a montré que sous certaines hypothèses, il était possible de la réduire à
6 constantes localisées dont trois modélisent les effets magnétiques et trois modélisent les
effets électrostatiques.
Ensuite, deux méthodes d’estimation des coefficients électrostatiques en fonction des
paramètres de construction ont été abordées. La première qui repose sur beaucoup d’hypo-
thèses simplificatrices jouit d’une grande simplicité de mise en œuvre, mais souffre d’une
précision moyenne. La seconde, basée sur le partitionnement du transformateur et sur
l’utilisation de la méthode de Rayleigh-Ritz pallie le manque de précision de la première
méthode au prix d’une complexité légèrement accrue.
Enfin, grâce à ces méthodes d’estimation une procédure de dimensionnement du trans-
formateur par minimisation des effets électrostatiques a été implémentée. Cette méthode
est basée sur l’emploi d’un algorithme évolutionniste utilisant la méthode de nichage par
éclaircissement (clearing method). Cet algorithme d’optimisation présente l’avantage de
faire émerger les compromis auxquels doit se conformer le concepteur, en proposant un
ensemble diversifié de bonnes solutions. Il a permis de fournir plusieurs possibilités de
réalisations ayant des éléments parasites magnétiques et des encombrements très variés,
s’étalant sur près d’un ordre de grandeur. Notons qu’aucun modèle de pertes n’a été consi-
déré au sein de cet algorithme. On a supposé que, par expérience, le choix d’une densité de
pertes fer égale à 100 mW/mL et qu’une densité de courant égale à 5 A/mm2 permettaient
d’obtenir un transformateur dont le comportement thermique serait satisfaisant. En toute
rigueur, un modèle de pertes devrait être intégré et associé à un modèle thermique. Ce
critère constituerait un moyen supplémentaire de discriminer les transformateurs.
3.3. MINIMISATION DES EFFETS CAPACITIFS 111

Paramètre Condition Valeur min. Valeur max. Moyenne Écart-type Unité

Ns = 1 2.93 5.54 4.15 0.39 cm
Ns = 2 2.47 5.0 3.77 0.51 cm
Diamètre jambe bobinage D
Ns = 4 2.02 5.09 3.56 0.54 cm
Ns = 6 1.9 5.35 3.62 0.53 cm
Ns = 1 1.32 1.89 1.59 0.11 cm
Ns = 2 1.17 2.11 1.65 1.6 cm
Largeur fenêtre de bobinage Lbob
Ns = 4 1.12 2.06 1.59 0.18 cm
Ns = 6 1.16 2.06 1.50 0.16 cm
Ns = 1 4.0 5.8 4.1 0.18 cm
Ns = 2 4.0 7.1 4.2 0.4 cm
Hauteur fenêtre de bobinage Hbob
Ns = 4 4.0 10.5 5.3 1.0 cm
Ns = 6 4 12.0 5.5 1.1 cm
Ns = 1 1 3.5 1.3 0.4 mm
Ns = 2 1.1 7.6 3.5 1.1 mm
Isolant E12
Ns = 4 1.8 8.0 4.4 1.2 mm
Ns = 6 2.0 8.0 4.7 1.1 mm
Ns = 1 0.38 1.97 0.97 0.2 mm
Ns = 2 0.1 0.61 0.28 0.09 mm
Isolant Ell2
Ns = 4 0.1 0.4 0.14 0.05 mm
Ns = 6 0.1 0.36 0.12 0.04
Ns = 1 1.0 2.6 1.2 0.3 mm
Ns = 2 1.0 4.0 1.8 0.8 mm
Isolant E2c
Ns = 4 1.0 4.0 1.9 0.9 mm
Ns = 6 1.0 4.0 1.7 0.8 mm
Ns = 1
Ns = 2 1.1 8 3.9 1.36 mm
Isolant Ess
Ns = 4 1.0 5.3 2.1 0.8 mm
Ns = 6 1.0 2.4 1.2 0.3 mm
Ns = 1 4 14 7.2 1.55
Ns = 2 7 15 11.1 3.0
Nombre de couches Nl2
Ns = 4 7 15 10.8 2.6
Ns = 6 7 15 9.3 1.6
Ns = 1 352 1260 646 141
Ns = 2 434 1770 807 233
Nombre de spires N2
Ns = 4 416 2640 926 334
Ns = 6 378 2880 886 319
Ns = 1 3.0 16.8 7.05 2.16 H
Ns = 2 4.13 25 9.5 3.6 H
Inductance magnétisante Lµ2
Ns = 4 3.83 38 11 5.1 H
Ns = 6 3.4 42.3 10.4 4.7 H
Ns = 1 5.7 77.2 18.2 10.3 mH
Ns = 2 6.7 81.5 27.2 17.0 mH
Inductance de fuite Ll2
Ns = 4 6.3 111 24.8 18 mH
Ns = 6 5.4 119 19 14 mH
Ns = 1 29.2 31.3 30.2 0.6 pF
Ns = 2 25.3 28.7 27.3 0.8 pF
Capacité parasite Cp2
Ns = 4 23.8 27.4 26.0 0.8 pF
Ns = 6 23.2 27.0 25.0 0.8
Ns = 1 0.11 0.61 0.28 0.07 L
Ns = 2 0.07 0.44 0.22 0.07 L
Volume fer
Ns = 4 0.05 0.47 0.19 0.07 L
Ns = 6 0.04 0.53 0.20 0.07 L

Table 3.5 – Répartition de la dernière génération de la population avec la fonction objectif (3.48).
112 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR

3.50e-11
k=0, Ns=1
k=0, Ns=2
k=0, Ns=4
3.00e-11 k=0, Ns=6
k=opt, Ns=1
k=opt, Ns=2
k=opt, Ns=4
2.50e-11 k=opt, Ns=6
Cp (F)

2.00e-11

1.50e-11

1.00e-11
0 10 20 30 40 50 60
Lµ2 (H)

(a)

3.50e-11
k=0, Ns=1
k=0, Ns=2
k=0, Ns=4
3.00e-11 k=0, Ns=6
k=opt, Ns=1
k=opt, Ns=2
k=opt, Ns=4
2.50e-11 k=opt, Ns=6
Cp (F)

2.00e-11

1.50e-11

1.00e-11
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2
Ll2 (H)

(b)

3.50e-11
k=0, Ns=1
k=0, Ns=2
k=0, Ns=4
3.00e-11 k=0, Ns=6
k=opt, Ns=1
k=opt, Ns=2
k=opt, Ns=4
2.50e-11 k=opt, Ns=6
Cp (F)

2.00e-11

1.50e-11

1.00e-11
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
Volume Fer (L)

(c)

Figure 3.24 – Répartition des populations optimales pour les diverses configurations envisagées.
3.3. MINIMISATION DES EFFETS CAPACITIFS 113

Ns = 6 x 10
−11

0.2 1.2
0.18
1.18
0.16
1.16
0.14
1.14
0.12

0.1 1.12
Ll

0.08 1.1
0.06
1.08
0.04
1.06
0.02
1.04
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
Lµ

Figure 3.25 – Répartition de la population selon les trois paramètres Lµ2 , Lł2 et Cp2 (l’échelle de couleur
correspond à la valeur de Cp2 ) dans le cas k = kopt et Ns = 6.
114 CHAPITRE 3. CONCEPTION DU TRANSFORMATEUR
Chapitre 4

Ouvertures et perspectives

Introduction
Ce dernier chapitre présente l’étude de deux convertisseurs conçus dans le but d’ali-
menter des dispositifs DBD dans diverses conditions. L’intérêt de leur réalisation demeure
à ce jour essentiellement exploratoire car actuellement, ces derniers n’ont pas fait l’objet
d’étude poussée en terme de gain sur des procédés mettant en œuvre une décharge DBD.
Dans un premier temps, on aborde l’étude d’une alimentation quasi-résonante fonction-
nant en régime discontinu. Cette dernière a déjà été étudiée dans la littérature scientifique
pour l’alimentation de lampes exciplexes. Nous montrerons que, par rapport aux autres
convertisseurs, ses principaux atouts sont :
– la présence d’un degré de liberté supplémentaire permettant de découpler le réglage
de la puissance, de la fréquence et de la durée d’allumage de la décharge,
– la possibilité d’atteindre un régime de commutation favorable à la diminution des
pertes dans les interrupteurs de puissance (ZCS).
Enfin, des relevés expérimentaux réalisés sur différents types de dispositifs DBD seront
présentés.
Dans un second temps, on aborde l’étude d’une alimentation résonante haute fréquence
et haute tension n’utilisant pas de transformateur élévateur. L’idée est d’évincer ce trans-
formateur qui, comme nous l’avons évoqué au second chapitre, engendre des fuites de
courant. Nous montrerons également que grâce à l’exploitation de la résonance et à l’at-
teinte d’un haut rendement énergétique, il est possible d’aller vers la miniaturisation de ce
convertisseur. Nous mettrons ainsi en avant les défis technologiques qui ont dû être relevés
au cours de cette réalisation. Quelques relevés expérimentaux sont alors présentés afin de
montrer la validité du concept et montrent le potentiel d’un tel convertisseur.

4.1 Alimentation quasi-résonante en régime discontinu

L’alimentation quasi-résonante en régime discontinu exploite la résonance entre une
inductance et les capacités structurelles du dispositif DBD (voir Fig. 4.1). Les interrupteurs
sont commandés afin de fournir un courant alternatif au primaire du transformateur.

115
116 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES

Dispositif DBD
idbd
K1h VK K2h
iL L 2h 1:m Cdiel
Vdiel
iK
2h
Vp Vdbd idis
E
Vth
Cgas
Vgas
-Vth I
K1l K2l

Figure 4.1 – Structure du convertisseur quasi-résonant pour dispositifs DBD.

On montrera que cette alimentation autorise l’existence de phases de pause entre deux
décharges successives, où le courant injecté est nul. Ceci sera mis à profit lors des phases
expérimentales car nous montrerons que ce degré de liberté permet d’étudier de façon
découplée des autres paramètres électriques (puissance, fréquence) l’influence de la durée
d’extinction de la décharge.
Elle présente un grand intérêt quant au dimensionnement des composants d’électro-
nique de puissance. Cette qualité permet également à ce convertisseur d’élargir la gamme
fréquentielle explorée par rapport à l’alimentation en courant carré car rappelons que les
pertes par commutation dans les interrupteurs sont proportionnelles à la fréquence de
fonctionnement du convertisseur.
Cette structure d’alimentation a déjà été employée pour des convertisseurs alimentant
des lampes excimères utilisées pour leur émission lumineuse dans la gamme UV [62, 31, 30].

4.1.1 Étude du convertisseur

Une étude du convertisseur figure dans [28] où l’auteur aborde les problématiques liées
au dimensionnement et à l’apport sur l’alimentation des lampes exciplexes. Dans cette
partie, après avoir rappelé quelques résultats importants, nous proposons d’approfondir
l’étude théorique existante en intégrant les imperfections des composants, afin de disposer
d’un outil de dimensionnement plus précis, notamment en ce qui concerne le calcul de la
puissance injectée.

4.1.1.a Structure et mise en œuvre

Principe La structure de puissance du convertisseur est donnée Fig. 4.1. Le principe
repose sur la résonance entre l’inductance L et les capacités structurelles du dispositif
DBD Cgas et Cdiel . Le transformateur peut être supposé idéal pour une première étude,
afin de faciliter le raisonnement. On peut donc considérer le schéma équivalent vu au
primaire, en ramenant les capacités Cgas et Cdiel par une multiplication par m2 , et en
ramenant la tension de claquage Vth en la divisant par m.

Phases de fonctionnement en régime permanent Initialement le courant dans l’in-

ductance est nul, et la tension aux bornes du dispositif DBD Vdbd est négative, égale à
4.1. ALIMENTATION QUASI-RÉSONANTE EN RÉGIME DISCONTINU 117

mi
dbd
iL
V
dbd
Vth Vgas

Phase 1 Phase 2 Phase 3 Phase 4

-Vth

Figure 4.2 – Formes d’onde théoriques et identification des phases de fonctionnement du convertisseur.

−V̂dbd . Ainsi la tension ramenée au primaire du transformateur Vp est également néga-

tive. On suppose que la tension gaz Vgas est égale à −Vth . De plus, on suppose que les
interrupteurs de puissance sont ouverts « depuis suffisamment longtemps ». La séquence
de fonctionnement est illustrée dans les chronogrammes Fig. 4.2.

Phase 1 Cette phase commence à t = 0, lorsqu’une commande extérieure vient

fermer simultanément les interrupteurs K1h et K2l . Durant cette phase, le courant iL
devient positif à la façon d’un circuit LC série soumis à un échelon de tension pour décrire
une arche de sinusoïde. Durant ce temps, les tensions Vdbd et Vgas croissent. Lorsque
Vgas atteint la valeur de Vth , la décharge s’amorce, ce qui change la valeur de la capacité
résonante. Ainsi, l’arche de sinusoïde décrite par iL s’évase. Pendant cette durée, la tension
Vgas demeure constante, et la tension Vdbd continue de croître jusqu’à valoir V̂dbd . Le
courant iL s’annule et les interrupteurs K1h et K2l se bloquent spontanément car ils sont
unidirectionnels en courant.

Phase 2 Le courant iL demeure à 0, et la tension DBD reste constante car les 4

interrupteurs sont bloqués.

Phase 3 Cette phase est semblable à la phase 1. Une commande extérieure vient
amorcer K1l et K2h . Durant cette phase, le courant iL est positif et le courant idbd est
négatif. La tension DBD diminue jusqu’à valoir −V̂dbd , qui est négative. Le courant iL
finit par s’annuler et les interrupteurs K1l et K2h sont spontanément bloqués car ils sont
unidirectionnels en courant.

Phase 4 Idem Phase 2 . . .

4.1.1.b Étude analytique et prise en compte des effets dissipatifs

La mise en équation du fonctionnement du convertisseur associé au dispositif DBD
permet de calculer les grandeurs utiles à des fins de dimensionnement. L’étude analytique
118 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES

complète dans le cas sans pertes a été proposée en [28, 62]. Elle repose sur l’utilisation de
la méthode du plan de phase [16, 63] afin de calculer la puissance transmise et la tension
maximale atteinte aux bornes du dispositif DBD sous l’hypothèse de pertes négligeables.
Dans notre étude, on montre que ces deux relations peuvent être facilement établies en
tirant parti de l’étude concernant la trajectoire du point de fonctionnement dans le plan
charge-potentiel. Cette approche va s’avérer très féconde, notamment pour inclure dans la
modélisation des phénomènes dissipatifs permettant d’apporter quelques corrections aux
relations établies dans le cas idéal.

Dans le cas sans pertes Un bilan énergétique sur une période de fonctionnement per-
met d’égaler l’énergie fournie par le générateur et l’énergie dissipée par le dispositif DBD.
Rappelons que d’après (1.1), l’énergie dissipée en une période est égale à l’aire englobée par
la trajectoire du point de fonctionnement dans le plan charge-potentiel. L’énergie fournie
durant une période par la source de tension se calcule de façon classique (intégrale produit
tension×courant). Ainsi on a :
Z T /2 I
2 EiL dτ = Cdbd (Vdbd )Vdbd dVdbd
0 cycle
(4.1)
Pdbd
⇒ 4mE Q̂dbd = A = ,
W fourni W utile F
où Cdbd (Vdbd ) est la capacité équivalente du dispositif, valant alternativement Ceq lorsque
le gaz est éteint, et Cdiel lorsqu’il a claqué ; A est l’aire englobée par la trajectoire du point
de fonctionnement dans le plan charge-potentiel (Fig. 1.11). En combinant (4.1) et (1.5)
afin d’éliminer Qdbd , on montre que la puissance est donnée par :
2
4F Cgas Vth
Pdbd = , (4.2)
u−1
où u = Vth /(mE), le rapport entre la tension de claquage et la tension d’entrée vue au
secondaire. L’évolution de Pdbd est présentée Fig. 4.3. Un fait remarquable avec cette
alimentation est que la puissance ne dépend aucunement de la valeur de l’inductance
résonante, alors que, comme nous le verrons, celle-ci joue un rôle dans la forme (durée
et amplitude) des impulsions de courant injectées dans le dispositif DBD. Cette qualité
confère un intérêt tout particulier à ce type d’alimentation car, lors de campagnes expéri-
mentales, elle peut permettre d’étudier facilement l’influence de l’allure de l’impulsion sur
la décharge à puissance constante dès lors que la valeur de l’inductance est réglable.
On constate également la présence d’un terme au dénominateur qui, d’un point de
vue mathématique, peut s’annuler et devenir négatif lorsque la tension d’entrée vue au
secondaire mE est supérieure ou égale à la valeur de la tension de claquage de Vth . En
réalité, dans ce contexte, la relation issue du bilan énergétique n’est plus applicable car
l’existence d’un régime permanent qui nous a permis d’écrire le bilan n’est pas permise (le
système diverge). Si une telle étude devait être menée, il serait indispensable de composer
avec les éléments dissipatifs du système (pertes dans le transformateur, dans l’inductance
résonante, dans les semiconducteurs . . . ) car ce sont eux qui limiteraient véritablement la
valeur de la puissance transmise.
4.1. ALIMENTATION QUASI-RÉSONANTE EN RÉGIME DISCONTINU 119

10

6
Pdbd
2
4F Cgas Vth
4

Vth
0 u=
1 2 3 4 5 mE

Figure 4.3 – Puissance DBD normalisée en fonction du paramètre u.

Les autres grandeurs Le calcul des autres grandeurs s’appuie toujours sur la même
méthode. Nous pouvons ainsi calculer la tension maximale, et les durées des différentes
phases (voir Fig. 4.2). La connaissance de ces grandeurs présente un intérêt lors d’une
phase de dimensionnement car elles permettent de définir la valeur de l’inductance réso-
nante, le calibre en tension des interrupteurs et le rapport de transformation nécessaire.
Le déroulement des calculs est présenté en annexe §C.1.

4.1.2 Prise en compte des effets résistifs

La prise en compte des effets dissipatifs du système permet de corriger les expressions
(C.3) et de la puissance (4.2) ainsi que de la tension maximale (voir en annexe (C.3)).
Cette correction est pertinente lorsque le point de fonctionnement est tel que les impul-
sions de courant sont de courte durée, car alors la valeur efficace du courant traversant
l’inductance résonante peut atteindre des valeurs importantes, ce qui engendre des pertes
non-négligeables, faussant ainsi le bilan énergétique (4.1).
Pour cette étude, on se limitera à la prise en compte d’une résistance équivalente
connectée en série avec l’inductance résonante. Elle doit englober les effets de la résistance
série équivalente de l’inductance résonante, les résistances à l’état passant des semiconduc-
teurs de puissance, la résistance cuivre vue au primaire du transformateur, mais aussi la
résistance fer de ce dernier connectée en parallèle du dispositif DBD, qu’il est possible de
modéliser par une résistance série dépendante de la fréquence. Par conséquent, il s’agira
de sommer les valeurs de ces 3 résistances pour avoir la valeur de la résistance Rstot , la
résistance série équivalente englobant les pertes du système.
En pratique, on qualifie les pertes d’une inductance résonante par son facteur de qualité
car ce dernier donne directement une idée du gain en tension atteignable d’une part et
des pertes engendrées d’autre part. Une bonne inductance résonante doit disposer d’un
facteur de qualité élevé, et l’expérience montre que celui-ci ne dépasse rarement quelques
centaines.
120 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES

Description Notation
Rapport transformateur m
Résistance série Rstot
équivalente
Durée phase 1 p tphase1
Facteur d’amortissement ξ = 0.5Rstot m2 Ceq /L

Table 4.1 – Notations employées

4.1.2.a Correction du bilan énergétique

Nous définissons Tab. 4.1 les paramètres que nous utiliserons au cours de ce dévelop-
pement. Le lecteur trouvera une expression analytique de tphase1 en annexe §C.1.3. Cette
expression a été employée afin d’achever ce travail, mais elle n’est pas nécessaire à la
compréhension de l’étude qui suit. L’expression du paramètre ξ correspond à l’expression
classique du facteur d’amortissement d’une cellule résonante série.
Le bilan énergétique doit alors égaler l’énergie transmise par le générateur à l’énergie
fournie au dispositif DBD et l’énergie dissipée dans la résistance série équivalente, Rstot ,
englobant les pertes. Ainsi, (4.1) est réécrite de la façon suivante :
Z tphase1
4mE Q̂dbd = A + 2Rstot i2dbd dt. (4.3)
0

La difficulté consiste à évaluer le second terme du membre de droite, car il n’est pas facile-
ment exprimable en fonction de Q̂dbd ou de V̂dbd . Ce terme peut toutefois être approximé
en fonction des données connues. Nous montrons en annexes §C.2 qu’il est possible d’éta-
blir deux bilans énergétiques : le premier sous-estimant le terme de pertes et le second le
sur-estimant. On obtient ainsi :
Q̂2dbd
4mE Q̂dbd = A + 8Rs (sous-estimation) (4.4a)
tphase1
 
4 mE − Rs îdbd Q̂dbd = A (surestimation) (4.4b)
On peut ainsi obtenir deux expressions de la puissance (Pdbd sous , P sur ) et deux expressions
dbd
sous , V̂ sur ). En annexe §C.2.2 et §C.2.3, figure le déve-
de la tension maximale atteinte (V̂dbd dbd
loppement détaillé qui conduit aux expressions de ces puissances et tensions maximales.
Ces expressions ne sont pas rapportées ici car elles n’appellent pas de commentaires par-
ticuliers.

4.1.2.b Quelle expression choisir ?

Il est a priori préférable d’utiliser les deux formulations puisqu’elle permettent, en plus
de donner chacune une approximation réaliste des grandeurs, de fournir un encadrement
rigoureux de l’erreur commise. Afin de proposer une formulation qui symétrise l’erreur
commise, nous choisissons d’utiliser pour expression la moyenne arithmétique des deux
expressions, ce qui pour la puissance conduit à :
sur + P sous
Pdbd dbd
Pdbd = . (4.5)
2
4.1. ALIMENTATION QUASI-RÉSONANTE EN RÉGIME DISCONTINU 121

1
10

Errth : ξ = 0.1
0
10 Errth : ξ = 0.031623
Errth : ξ = 0.01

Errcorr : ξ = 0.0031623
−1
10 Errcorr : ξ = 0.01
Errcorr : ξ = 0.1
Error

Errcorr : ξ = 0.031623
−2
10 Errth : ξ = 0.0031623

−3
10

−4
10
1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3
u

Figure 4.4 – Erreur relative commise par rapport aux résultats de simulation PSIM en fonction du
paramètre réduit u = Vth /(mE). Calcul mené pour plusieurs valeurs du facteur d’amortissement ξ.

Précision des formules corrigées Afin de vérifier la pertinence de l’approche consis-

tant à élaborer un encadrement de la puissance transmise au dispositif DBD, plusieurs
simulations circuit ont été effectuées à l’aide du logiciel PSIM, et pour chacune d’entre
elles, la puissance a été calculée. Ceci nous permet d’établir un comparatif (Fig. 4.4) entre
les formules et la simulation numérique que nous considérons comme référence. L’erreur
relative sur l’estimation de la puissance se calcule selon :

err = |Px − Pref | /Pref ,

où dans notre cas, l’indice « ref » fait référence à la simulation, et l’indice x fait référence à
la formule théorique sans pertes (indice « th » sur le comparatif) (4.2) ou bien à la formule
corrigée (indice « corr » sur le comparatif).
La valeur de la résistance série équivalente a été intégrée à ce comparatif au travers du
facteur d’amortissement du circuit, ξ défini Tab. 4.1.
D’après Fig. 4.4, le gain en précision avec la formule corrigée augmente d’autant plus
que la valeur de ξ croît ou que la valeur de u s’approche 1.
La lecture des deux courbes vertes sur Fig. 4.4 montre en effet que, pour ξ ≈ 0.03,
la formule corrigée commet par rapport à la simulation circuit, une erreur relative allant
de 40% (u grand) à 200% (u = 1.1). Au contraire, la formule corrigée commet une erreur
relative allant de 0.3% (u = 1.1) à 5% (u grand). Dans le cadre de cette étude, l’erreur
relative avec l’emploi des formules corrigées n’excède pas 7% (pire configuration) alors
qu’elle atteint environ 500% dans le cas le plus défavorable de l’étude pour la formule sans
pertes, ce qui la rend presque inutilisable dès que ξ excède le pourcent.
La formule sans perte s’avère toutefois précise lorsque le facteur d’amortissement du
système est inférieur à quelques millièmes, et que le paramètre u demeure « suffisamment
éloigné » de 1. Mais ce genre de configuration n’est pas toujours réaliste.
122 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES

Figure 4.5 – Self variable réalisée au laboratoire LAPLACE (conception de E.Bru).

4.1.3 Conception, Dimensionnement, Fabrication

4.1.3.a Le commutateur
Le dimensionnement de l’inverseur est similaire à l’inverseur de l’alimentation en cou-
rant carré car les commutations s’opèrent dans les mêmes conditions. Les interrupteurs
fonctionnent en mode thyristor et le modèle de pertes par commutation (2.9) reste ainsi
applicable. Seule change la valeur efficace du courant traversant les interrupteurs pour une
puissance donnée en sortie. Les tendances du dimensionnement sont ainsi très semblables
à celles données lors de l’étude de l’inverseur de l’alimentation en courant carré Fig. 2.10.

4.1.3.b L’inductance résonante

Valeur et réglage De la valeur de l’inductance dépend la forme d’onde du courant qui
traverse le dispositif DBD, en particulier, sa hauteur et sa√largeur. On peut montrer en
effet que la durée d’allumage évolue proportionnellement
√ à L, et que la valeur maximale
du courant évolue proportionnellement à 1/ L (la démonstration est donnée en annexe
§C.1.3). Ainsi, pour une fréquence de commutation donnée, l’inductance ne doit pas ex-
céder une certaine valeur, car on doit garantir que l’impulsion de courant se sera terminée
avant que ne survienne le prochain ordre de commutation.
Afin que les paramètres de l’impulsion de courant soient ajustables, il est nécessaire
de disposer d’une inductance variable. Pour cela, nous avons câblé six inductances avec la
possibilité de réaliser toutes les associations possibles (série, parallèle). De plus, un réglage
fin a été rendu possible grâce à la réalisation d’un dispositif mécanique permettant de régler
finement l’entrefer dans les circuits magnétiques des bobines. Une photo du dispositif est
présentée Fig. 4.5. Le réglage précis de l’entrefer s’opère via le système vis-écrou central
choisi avec un pas de 1 mm.

Facteur de qualité Un critère relatif aux pertes montre naturellement que maximiser
le facteur de qualité Q de la self résonante (réduire ξ) est souhaitable. La maximisation de
Q doit passer par une étape de conception optimale, où sont considérées à la fois des pertes
4.1. ALIMENTATION QUASI-RÉSONANTE EN RÉGIME DISCONTINU 123

4 600
L (mH) - air gap = 0
Q - air gap = 0
3.5 525
L (mH) - air gap = 0.6mm
Q - air gap = 0.6mm
3 L (mH) - air gap = max 450
Inductance (mH) Q - air gap = max
2.5 375

2 300

Q
1.5 225

1 150

0.5 75

0 0
10 100 1000
Frequency (kHz)

Figure 4.6 – Valeur de l’inductance et du facteur de qualité en fonction de la fréquence et pour plusieurs
valeurs d’entrefer.

liées au noyau magnétique et aux fils de bobinage. Cet aspect n’a pas été approfondi durant
ce travail car il se situe dans une phase exploratoire, et aucun a priori n’a été formulé sur la
géométrie de l’impulsion de courant. Sur Fig. 4.6 sont présentées les évolutions de la valeur
et du facteur de qualité de l’inductance en fonction de la fréquence, pour plusieurs valeurs
d’entrefer (entrefer nul, entrefer de 0.6mm et entrefer maximal). La valeur de Q peut
atteindre des valeurs très élevées (de l’ordre de 500) lorsque l’entrefer est de 0.6 mm pour
une fréquence allant jusqu’à 40 kHz. Cette valeur s’effondre toutefois rapidement lorsque
la fréquence augmente : on constate en effet que les performances sont assez mauvaises au
delà de 100 kHz. En fonction de la largeur de l’impulsion que l’on désire faire passer dans le
dispositif DBD, on sollicitera la self dans la gamme fréquentielle où elle est performante ou
non : si l’impulsion est étroite et haute, le spectre du courant peut alors contenir beaucoup
de raies dans le domaine HF (très au delà de la fréquence de découpage du commutateur).
Dans une telle situation, la self n’est utilisée que là où elle est de piètre qualité. L’allure du
facteur de qualité en fonction de la fréquence montre qu’il existe un domaine fréquentiel
optimum qu’il convient de faire correspondre à la zone fréquentielle qui contient le plus
de raies du courant DBD afin d’exploiter au mieux le système et d’atteindre le rendement
le plus élevé possible.

4.1.4 Relevés expérimentaux, Discussion

4.1.4.a Application à une DBD homogène

Pour cette étude, un dispositif DBD plan/plan de 25 cm2 a été employé et la décharge
a été opérée dans l’azote à pression atmosphérique, comme pour l’alimentation en courant
carré. La puissance DBD est imposée égale à 16 W, et plusieurs valeurs d’inductance ré-
sonante ont été employées. Les résultats sont résumés Tab. 4.2 et les formes d’onde sont
données Fig. 4.7. Rappelons que le transformateur utilisé pour ces mesures comporte une
inductance de fuite qui s’élève à 48 µH au primaire, et qu’il convient de l’ajouter aux
valeurs de self fournies dans Tab. 4.2. Pour cette raison, la durée de décharge ne peut être
124 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES

5 5
DBD Voltage (kV) DBD Voltage (kV)
4 DBD Current (x10 mA) 4 DBD Current (x10 mA)
Primary current (A) Primary current (A)

3 3

2 2
toff toff

1 1

0 0

-1 -1

-2 -2

-3 -3

-4 -4

-5 -5
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14
Time (ms) Time (ms)

(a) L = 1 mH (b) L = 0.9 mH

5 5
DBD Voltage (kV) DBD Voltage (kV)
4 DBD Current (x10 mA) 4 DBD Current (x10 mA)
Primary current (A) Primary current (A)

3 3
toff
2 2
toff

1 1

0 0

-1 -1

-2 -2

-3 -3

-4 -4

-5 -5
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14
Time (ms) Time (ms)

(c) L = 0.73 mH (d) L = 0.5 mH

8 15
DBD Voltage (kV) DBD Voltage (kV)
DBD Current (x10 mA) DBD Current (x10 mA)
6 Primary current (A) Primary current (A)

10

4
toff toff

5
2

0
0

-2

-5
-4

-6 -10
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14
Time (ms) Time (ms)

(e) L = 0.3 mH (f) L = 0.15 mH

Figure 4.7 – Relevés expérimentaux à 7 kHz et à iso-puissance (16 W) pour diverses valeurs de la self
résonante.
4.1. ALIMENTATION QUASI-RÉSONANTE EN RÉGIME DISCONTINU 125

Fréquence (kHz) 7 7 7 7 7 7
Puissance DBD (W) 16 16 16 16 16 16
L (mH) 1 0.9 0.73 0.5 0.3 0.15
Tps d’extinction (µs) 28.4 29.6 33.2 41.6 46 52.4
Tps d’extinction (% de T /2) 39.8 41.4 46.5 58.2 64.4 73.3
Régime H H H F F F

Table 4.2 – Relevés expérimentaux pour plusieurs valeurs d’inductance.

Source AC
Electrode Plasma
libre
Diélectrique
Isolant
Electrode
isolée

Figure 4.8 – Schéma du contrôleur d’écoulement.

raccourcie arbitrairement avec ce transformateur. On note que pour ce point de fonction-

nement (F =7 kHz, P =16 W), le régime de décharge est homogène pour une inductance
résonante supérieure à 0.7 mH, ce qui correspond à une durée d’extinction inférieure à
46.5% de la période et un courant de décharge crête inférieur à 20 mA. La décharge est en
régime filamentaire pour une inductance inférieure à 0.7 mH, ce qui correspond à une durée
d’extinction supérieure à 46.5% de la période et un courant de décharge crête supérieur à
20 mA.

4.1.4.b Application à un dispositif de contrôle d’écoulement

Des investigations sur un dispositif de contrôle d’écoulement ont été récemment ini-
tiées au laboratoire LAPLACE [43]. L’objectif à terme, est de quantifier l’influence des
paramètres électriques sur la capacité du dispositif à contr ôler un écoulement.
De tels dispositifs sont étudiés depuis plusieurs années. Ils sont employés afin de rendre
laminaire un écoulement gazeux initialement turbulent ce qui trouve des applications dans
le domaine aéronautique [59]. La décharge se déroule dans l’air et le régime de la décharge
est filamentaire.

Présentation du dispositif expérimental Le dispositif est schématisé Fig. 4.8. Il

comporte une électrode laissée à l’air libre et une électrode isolée. Cette dissymétrie de
construction engendre une dissymétrie dans le comportement des décharges positives et
négatives. Cela engendre un vent électrique de vitesse moyenne non nulle partant de l’élec-
trode libre et allant en direction de l’électrode recouverte. De nombreuses informations sur
l’utilisation, la mise en œuvre et les performances de tels dispositifs sont disponibles en
[59].
Une photo du dispositif mis en œuvre est donnée Fig. 4.9. Afin d’effectuer des mesures
de poussée, l’actionneur est placé sur un support en plastique reposant sur le plateau de
pesée d’une balance électronique. L’actionneur est confiné dans une enceinte afin d’éviter
d’éventuelles perturbations extérieures. Le passage des fils d’alimentation est soigneuse-
ment réalisé afin que ces derniers n’influencent pas la valeur mesurée par la balance ; ils
126 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES

Figure 4.9 – Photo du dispositif expérimental.

10
Vdbd (kV) (Toff = 40 µs)
60 idbd (mA) (Toff = 40 µs)
Vdbd (kV) (Toff = 19 µs)
idbd (mA) (Toff = 19 µs)

40
5

20
Vdbd (kV)

0 0

-20

-5
-40

-60 F=10kHz, P=19W, Toff élevé

F=10kHz, P=10WW, Toff faible
-10
0 20 40 60 80 100 -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3
Time (µs) Qdbd (µC)

(a) (b)

Figure 4.10 – Formes d’onde relevées superposées (a). Trajectoires superposées dans le plan Q-V (b).
Conditions : F = 10 kHz, Pdbd = 19 W.

ne sont pas en contact avec l’enceinte (présence de deux alésages larges sur le couvercle).
Avant de procéder à des mesures, une longue durée de pause est observée afin que les fils
aient atteint leur position d’équilibre.

Chronogrammes L’une des premières préoccupations concernait l’étude de l’influence

de la durée d’extinction sur la puissance transmise et la puissance électrique fournie. Sur
Fig. 4.10a, on a superposé deux relevés effectués dans les mêmes conditions électriques
(puissance, fréquence), où l’on a fait varier la durée d’extinction.

Poussée et puissance électrique La poussée a été mesurée sur la balance électronique

(valeur en mg). On a tracé sur Fig. 4.11, la poussée en fonction de la puissance électrique
consommée par le dispositif pour plusieurs valeurs de la fréquence. Pour une fréquence
donnée, il apparaît que la poussée augmente lorsque la puissance augmente, ce qui est
4.2. ALIMENTATION HT/HF SANS TRANSFORMATEUR 127

45

40

35

Poussée (mg)
30

25

20 F = 4 kHz
F = 5 kHz
15 F = 6 kHz
F = 7 kHz
10
2 4 6 8 10 12
Puissance (W)

Figure 4.11 – Relevé de la poussée en fonction de la puissance électrique pour plusieurs valeurs de la
fréquence.

conforme à l’intuition. On observe également que, pour une puissance électrique donnée,
le fonctionnement en basse fréquence semble offrir la meilleure poussée.
Par ailleurs, on a noté que, dans la gamme de fréquence et de durée d’extinction que
nous permet d’explorer ce convertisseur, il n’existe pas de dépendance significative de la
poussée vis à vis de la durée d’extinction.

4.2 Alimentation haute fréquence / haute tension sans trans-

formateur
Cette section propose d’aborder la conception d’alimentations pour dispositifs DBD
en évinçant le transformateur élévateur [6]. Cette qualité permet d’écarter les effets para-
sites électrostatiques qui ont posé problème dans l’alimentation en courant carré (chapitre
2) ou dans l’alimentation de lampes exciplexes. Bien que les méthodes de conception de
transformateur mises en place aient permis d’obtenir des résultats très satisfaisants, cette
approche nous est apparue comme nécessaire car, comme nous le verrons, l’émergence
de nouvelles technologies dans le domaine du semi-conducteur permet de traiter directe-
ment les problématiques liées à l’alimentation de dispositifs DBD sans devoir employer
un transformateur d’adaptation de niveaux de tension, et permet également une élévation
substantielle de la fréquence de fonctionnement.
Nous verrons que cette élévation permet d’injecter une onde de courant de décharge
impulsionnelle, particulièrement intéressante pour l’alimentation de lampes excimères [48].
Cependant le comportement précis des décharges sous ces conditions demeure à ce jour
peu connu. À ce titre, cette alimentation est un outil d’étude exploratoire intéressant pour
la physique des décharges puisque cela permet d’explorer de nouvelles formes d’excitation.
L’emploi d’alimentation sans transformateur pour dispositifs DBD ne constitue pas en
lui-même une nouveauté car la littérature scientifique contient de multiples exemples. Ce
type d’alimentation exploite la nature capacitive du dispositif DBD au sein de cellules ré-
128 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES

sonantes plus ou moins complexes. En [1], les auteurs alimentent un prototype de dispositif
DBD destiné à la production d’ozone en exploitant une double cellule résonante de type
LCL, et compte-tenu des valeurs des capacités du dispositif DBD et des composants de
la cellule, ils parviennent à alimenter ce dernier à une fréquence de 33 kHz sous plusieurs
watts. En [58], grâce à l’emploi d’une inductance résonante et de composants au carbure
de silicium (SiC) montés dans une structure en pont complet, les auteurs parviennent à
atteindre une fréquence de 500 kHz pour alimenter une lampe excimère sous une puissance
de 70 W.
Ainsi, l’augmentation de la fréquence de fonctionnement constitue un objectif inté-
ressant sur deux aspects principalement. Il permet d’injecter des courants impulsionnels
avec un fort taux de répétition, et en terme de dimensionnement du convertisseur, il au-
torise la miniaturisation des composants. Néanmoins, associée à la nécessité d’atteindre
une tension élevée (plusieurs kV), elle soulève beaucoup de problèmes quant aux méthodes
de dimensionnement des composants. La cellule résonante doit fournir un gain en tension
relativement élevé pour autoriser l’amorçage de la décharge mais aussi pour limiter les
pertes, faisant du dimensionnement de la cellule résonante un réel challenge. De plus, les
interrupteurs de puissance doivent prendre en charge la haute fréquence de commutation,
et parallèlement, du fait de leur faible volume nécessaire à la réduction des effets para-
sites, ne doivent engendrer que de très faibles pertes, car ces dernières sont alors difficiles
à évacuer.
Le travail s’intéresse donc à l’étude d’une alimentation résonante série en pont complet
pour dispositifs DBD. La particularité de cette dernière est qu’elle permet d’atteindre
une fréquence de fonctionnement supérieure au méga-hertz pour une tension de sortie
supérieure à 5 kV. Dans un premier temps une étude générale de la structure employée
est proposée, et par le biais des relations théoriques établies dans le premier chapitre,
le cahier des charges est formulé. Ensuite, le dimensionnement de l’inductance résonante
est abordé et divers compromis technologiques sont proposés. Dans un troisième temps,
le dimensionnement du commutateur est traité : nous verrons que, grâce à leur haute
performance en fréquence, des interrupteurs de technologie GaN ont été retenus et utilisés
pour la réalisation expérimentale. Une attention particulière sera portée sur le routage de la
carte de puissance car son rôle est capital à haute fréquence [71]. Des relevés expérimentaux
sont finalement proposées afin de valider la faisabilité d’un tel convertisseur.

4.2.1 Topologie et cahier des charges

4.2.1.a Topologie
Rappelons que la valeur de la tension nécessaire à l’allumage des décharges DBD étu-
diées précédemment est de l’ordre de quelques kilo-volts et que l’objectif est d’alimenter
notre dispositif à très haute fréquence. Hormis de rares exceptions, que leur faible dis-
ponibilité et le prix élevé évincent de cette étude, les composants de puissance actuels
ne peuvent pas fonctionner à de telles valeurs. Parmi les transistors haute tension à fort
approvisionnement, on trouve sur le marché des composants SiC dont les calibres en ten-
sion actuels (2013) n’excèdent pas 1700 V. Ainsi, on comprend que, indépendamment de
la technologie des interrupteurs de puissance, l’insertion d’un étage intermédiaire entre le
4.2. ALIMENTATION HT/HF SANS TRANSFORMATEUR 129

Discharge OFF Discharge ON

50 ns/div

V : 50 V/div Vsw: 50 V/div

L,Rs C i inv
diel dis
i
dbd Vth
V Vdbd
in V C
inv gas
-Vth T
pulse

isw
50 ns/div

Vsw isw: 400mA/div i

dbd
: 400mA/div
DBD device i
dis
: 400mA/div

(a) (b)

Figure 4.12 – Topologie du convertisseur résonant (a). Simulation SPICE (b) avec Vin = 100 V, Cgas =
21 pF, Cdiel = 75 pF, Vth = 1200 V, L = 205 µH, Rs = 0 Ω F = 2.708 MHz.

convertisseur et le dispositif DBD est nécessaire. Dans cette étude, cet étage consiste en
une inductance résonante qui, couplée aux capacités structurelles du dispositif DBD forme
une cellule résonante série et fournit un gain en tension. Un schéma de la topologie est
présenté Fig. 4.12a. Une simulation SPICE est donnée Fig. 4.12b pour illustrer le fonction-
nement attendu de ce convertisseur dans le cas d’un modèle sans pertes. L’un des aspects
sur lequel il est bon d’insister car nous l’utiliserons en tant qu’hypothèse dans les prochains
développements, est que malgré la non-linéarité structurelle de la cellule résonante propo-
sée, le courant DBD demeure très proche d’un signal purement sinusoïdal. Cette structure
est classique parmi les structures d’alimentation à résonance et le principal attrait de son
étude demeure dans des considérations d’ordre technologique. Par conséquent, la suite du
travail se focalisera principalement sur ce dernier point.

4.2.1.b Cahier des charges

Avant d’aborder le dimensionnement, nous établissons des relations permettant de

calculer la puissance, la tension maximale et la durée d’allumage de la décharge en fonction
des données d’entrée (tension et fréquence). Ceci permet par la suite de fixer les valeurs de
ces paramètres. Le dispositif DBD que nous choisissons d’alimenter est une lampe excimère
dont les caractéristiques sont données Tab. 4.3.

Puissance transmise et tension DBD La tension périodique fournie par l’onduleur,

Vinv , admet un développement en série de Fourier qui, dans le cas général, comporte une
infinité de termes. En revanche, le courant DBD idbd est supposé quasi-siusoïdal car on
suppose que la sélectivité de la cellule résonante est suffisamment importante pour ne
transmettre que la raie accordée sur sa fréquence naturelle. Par conséquent, la charge
130 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES

Application Émission UV
Géométrie Cylindrique
Puissance 50–100 W
Cgas 21 pF
Cdiel 75 pF
Vth 1200 V

Table 4.3 – Paramètres du dispositif DBD.

injectée l’est également, et on a la relation :

Qdbd (t) = 1/(2πF )idbd (t).

La puissance moyenne transmise par l’alimentation au dispositif DBD s’exprime alors par :
Z T ∞
1 X (n)
Pdbd = îdbd sin(2πF t) × V̂inv sin(2πnF t + φn ) dt,
T 0 n=1
1 (1) (4.6)
= V̂inv îdbd cos(φ1 ),
2
(1)
= πF V̂inv Q̂dbd cos(φ1 ),

où
– îdbd et Q̂dbd sont respectivement les amplitudes de idbd et de Qdbd ,
(n)
– V̂inv est l’amplitude de de la raie d’ordre n de Vinv ,
(1)
– et φ1 est le déphasage entre idbd et Vinv .
Par ailleurs, l’élimination du paramètre Q̂dbd grâce à la relation (1.5) conduit à :
2
4F Cgas Vth
Pdbd = , (4.7)
u−1
où l’on a noté :
(1)
u = 4Vth /(π V̂inv cos(φ1 )),
un paramètre normalisé par rapport à la tension d’entrée. Notons que l’on obtient la
même formulation que pour l’alimentation résonante en régime discontinu (4.2), à une
substitution du paramètre u près. Ceci n’a rien de surprenant car les mécanismes mis en
jeu sont très similaires.
Ainsi, à 3 MHz, compte tenu de Tab. 4.3, pour atteindre une puissance de 30 W dans le
dispositif DBD, le paramètre u doit valoir environ 7, ce qui conduit à une tension d’entrée
de 85 V. En vertu de l’analogie de fonctionnement, la tension DBD maximale s’exprime
par :
ur
 
V̂dbd = 1 + Vth , (4.8)
u−1
où :
Cgas
r= .
Cdiel
4.2. ALIMENTATION HT/HF SANS TRANSFORMATEUR 131

101

100

Tpulse(µs)
10-1 Pdbd=20W
Pdbd=50W
-2 Pdbd=100W
10
Pdbd=150W

10-3 -1
10 100 101
Frequency (MHz)

Figure 4.13 – ton en fonction de la fréquence pour Vth = 1200 V et Cgas = 21 pF

Signalons que le principe de conduction discontinue est difficilement applicable pour une
alimentation sans transformateur, car durant les temps de pause, la tension DBD est
ramenée aux bornes des interrupteurs de puissance, et à moins que ceux-ci soient calibrés
pour supporter plusieurs kV, elle conduit immédiatement à leur destruction par surtension.

Durée d’allumage En écrivant que l’énergie n’est réellement dissipée que durant les
phases d’allumage du gaz, on obtient :
Z
Pdbd = 2F Vth idbd (t) dt. (4.9)
ton

En vertu du caractère quasi-sinus de idbd , on peut développer le calcul et aboutir à :

îdbd (1 − cos(2πF ton ))

Pdbd = Vth ,
π
(4.10)
= 2F Vth Q̂dbd (1 − cos(2πF ton )),
= 4F Vth Q̂dbd sin2 (πF ton )),

où ton est la durée d’allumage, ce qui, en éliminant le paramètre Q̂dbd avec (1.5) conduit
à: v  u  (1)
π V̂ cos(φ1 )
u Pdbd 1 − inv4Vth
u
1
ton = arcsin ,
t
πF 2
4F Cgas Vth (4.11)
r
1 1
= arcsin .
πF u
La valeur de ton est fournie en fonction de la fréquence sur Fig. 4.13 pour plusieurs puis-
sances en sortie. On constate que l’augmentation en fréquence permet d’atteindre de très
courtes durées d’allumage. Ainsi, le dimensionnement du convertisseur doit s’établir autour
d’une fréquence supérieure au MHz.
132 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES

Figure 4.14 – Facteur de qualité en fonction de la fréquence pour plusieurs configurations de bobinage
(extrait de MicroMetals : http://www.micrometals.com). Noyau torique de matériau 2, fil 28 AWG.

4.2.2 Éléments de dimensionnement

4.2.2.a L’inductance résonante
Valeur La valeur de l’inductance résonante est déterminée par la fréquence souhaitée,
et dépend donc des valeurs des paramètres du dispositif DBD ; sa valeur est approximati-
vement donnée par :
1
L= , (4.12)
(2πF )2 Cgas
ce qui pour la lampe (Cgas = 21 pF), et une fréquence de fonctionnement de 1 MHz conduit
à fixer sa valeur autour de 1.2 mH.

Tenue en tension et effets électrostatiques La tension aux bornes de l’inductance

résonante peut atteindre plusieurs kilo-volts. Compte-tenu de cette valeur, une certaine
rigueur dans la méthode de bobinage doit être observée. Comme nous l’avions évoqué,
le pas de bobinage est un paramètre important car la différence de potentiel entre spires
peut atteindre une valeur élevée et les effets des capacités inter-spires dont l’impact est
délétère (réduction du facteur de qualité : voir Fig. 4.14) peuvent se manifester davantage.
Précisément, Fig. 4.14 montre que le fait d’ajouter quelques spires par dessus la première
couche de bobinage réduit le facteur de qualité de la bobine car la capacité parasite
augmente. De surcroît, si une géométrie torique est adoptée, ce qui est souvent le cas en
haute fréquence, la structure de bobinage permet de réduire les effets électrostatiques. Par
exemple, on montre qu’un bobinage de type Fig. 4.15b engendre un plus faible stockage
d’énergie électrostatique que le type Fig. 4.15a, et que donc la capacité parasite résultante
est légèrement plus faible dans ce cas là. Le nombre de couches affecte très fortement la
capacité parasite du bobinage, et comme l’attestent les mesures effectuées par le fabricant
de noyaux magnétiques Micrometals sur Fig. 4.14, l’éviction de cette solution est fortement
4.2. ALIMENTATION HT/HF SANS TRANSFORMATEUR 133

(a) (b)

Figure 4.15 – Deux méthodes de bobinage d’une bobine torique.

recommandée pour un fonctionnement à haute fréquence. En effet, pour un même noyau et

un nombre de spires total fixé, le chevauchement de quelques spires d’une seconde couche
sur la première implique une franche réduction du facteur de qualité de la bobine.
La permittivité relative du noyau joue également un rôle important car elle conditionne
en grande partie la valeur de la capacité parasite de l’inductance. Un mauvais choix de
matériau (matériau à forte permittivité) conduirait à augmenter la capacité parasite de
la self, ce qui n’est pas souhaitable dans notre application (voir Fig. 4.14). Il est alors de
judicieux de se rapprocher d’un fabricant spécialisé dans les matériaux haute fréquence
tel que Micrometals où cet aspect est pris en considération. En outre, la tenue en tension
impose de disposer une épaisse couche isolante entre le noyau et le bobinage ; un effet
néfaste est l’allongement des spires, donc l’augmentation de la résistance série équivalente
et donc la diminution du facteur de qualité Q (voir paragraphe suivant sur les pertes).

Pertes Pour une fréquence donnée, les pertes dans l’inductance sont modélisables par
une résistance série équivalente Rs . Sa valeur englobe à la fois les contributions des en-
roulements, qui génèrent des pertes dites « pertes cuivre » ainsi que les contributions du
noyau magnétique dites « pertes fer ».

Pertes dans le noyau magnétique Les pertes dans le noyau peuvent être estimées
grâce à des formules de type Steinmetz donnant la densité volumique de pertes pfer en
fonction de l’induction magnétique B et de la fréquence F pour une excitation sinusoïdale
par une relation de la forme
pfer = KF α B βF +γ . (4.13)
Les coefficients K, α, β et γ sont en général directement fournis par le constructeur ou
alors ils sont calculables au moyen d’une régression au sens des moindres carrés grâce aux
courbes « pfer versus B » données pour différentes valeurs de F . La température joue en
principe un rôle dans le modèle de pertes, mais nous avons ignoré son effet dans cette
étude.
Au contraire, certains distributeurs et notamment les distributeurs de matériaux haute
fréquence (> 1 MHz) préfèrent fournir le facteur de pertes du matériau en fonction de
la fréquence pour divers niveaux d’induction, que l’on nomme également « le tan(δ) ».
134 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES

Ce dernier fait référence au rapport entre la partie imaginaire et la partie réelle de la

perméabilité magnétique relative complexe µ, et il est en général de faible valeur (tan(δ) 
1). La densité de pertes se déduit de ce paramètre en écrivant que :

πF B̂ 2 tan(δ)
pfer = = πF |µ| Ĥ 2 tan(δ). (4.14)
|µ| (B=µH)

Notons toutefois que beaucoup de distributeurs fournissent directement la valeur du pa-

ramètre tan(δ)/ |µ|.

Équivalence entre les deux formulations Il est ainsi possible de définir le facteur
de pertes en fonction de B̂ et F lorsque les coefficients de Steinmetz sont connus ce
qui permet d’homogénéiser le traitement des données fournies par les constructeurs. En
identifiant les expressions (4.13) et (4.14), on obtient :

tan(δ) K B̂ βF +γ−2 F α−1

= . (4.15)
|µ| π

Modèle à résistance série Les pertes totales se déduisent de (4.14) en multipliant

cette relation par le volume défini par le produit Ae Lef f où Ae et Lef f sont respective-
ment l’aire magnétique effective et la longueur magnétique effective du noyau. De plus,
en appliquant le théorème d’Ampère on montre que le champ magnétique H se déduit du
courant Iˆ par Leff Ĥ = N I.
ˆ On montre ainsi que :

I2
Pfer = 2πF L tan(δ) , (4.16)
2
où L est la valeur de l’inductance résonante, ce qui montre que la résistance série équiva-
lente se déduit du tangente δ par Rs = 2πF L tan(δ).

Pertes dans le bobinage Les pertes dans le bobinage sont principalement dues
– aux effets résistifs du matériau,
– à l’effet de peau et de proximité au sein même du fil de bobinage (dans le cas d’un
fil multibrin),
– et éventuellement de proximité inter-spire et inter-couche.
Pour cette étude, seules des inductances mono-couches sont envisagées car comme le
montre Fig. 4.14, il est apparu expérimentalement que les couplages capacitifs parasites
entre couches jouaient un rôle délétère sur le facteur de qualité de la bobine et une étude
approfondie mériterait d’être menée à cet égard.
De plus, le fait de devoir tenir une tension élevée nous a conduit à éloigner les spires
de bobinage (d’environ une fois le diamètre extérieur du fil) et à placer une couche d’iso-
lation entre le noyau magnétique et le fil de bobinage. Ceci conduit à négliger les effets
de proximité inter-spire et les couplages avec le noyau. Les pertes se traduisent par l’ex-
pression d’une résistance série équivalente dépendante de la fréquence. Les fournisseurs de
4.2. ALIMENTATION HT/HF SANS TRANSFORMATEUR 135

2
10
N=9
N = 27
N = 100
N = 1000
Rac/Rdc ratio

1
10

0
10
5 6 7
10 10 10
Frequency (Hz)

Figure 4.16 – Évolution du ratio Rac /Rdc avec la fréquence et le nombre de brins pour une surface cuivre
totale de 0.1 mm2 .

fil de bobinage fournissent parfois dans leur documentation technique quelques relations
permettant de la calculer.
Sur Fig. 4.16, on a évalué cette résistance équivalente d’après les relations fournies
par le fabricant LGM 1 que l’on retrouve en [36]. Celle-ci est donnée à titre indicatif
car elle ne tient pas compte de la disposition des spires (le fil est supposé rectiligne et
sans interaction avec d’autres fils). Nous avons cependant relevé expérimentalement une
bonne adéquation entre le modèle « fil rectiligne » et fil bobiné en monocouche sur tore.
Afin de couvrir une gamme de fréquences allant jusqu’à 10 MHz, on constate qu’un très
grand nombre de brins de bobinage est préférable (>1000). Malheureusement, pour une
section cuivre totale d’environ 0.1 mm2 , un tel nombre de brins ne semble disponible chez
aucun distributeur (le maximum semble être de 160 brins). Néanmoins un fil de Litz à
100 brins offre des performances intéressantes jusqu’à environ 4 MHz où sa résistance est
multipliée par 2 par rapport au régime continu. Soulignons toutefois que l’emploi du fil
de Litz n’est pas la seule option pour un bobinage haute fréquence : en effet, les feuillards
métalliques se présentent souvent comme une alternative efficace dans la réduction des
pertes liées à la fréquence mais la grande surface du conducteur conduirait naturellement
à des couplages électrostatiques supérieurs si aucune précaution n’est observée ; en effet,
un bobinage multicouche semble alors difficilement évitable.

Lien avec les performances Pour que la décharge puisse être amorcée, il est né-
cessaire que la tension Vgas atteigne la valeur de Vth ce qui ne saurait arriver si les pertes
dans l’inductance résonante étaient trop importantes. En effet, le gain en tension de la
cellule résonante est le facteur de qualité Q de la bobine, défini par :
2πF L
Q= ,
Rstot
(4.17)
1
=
tan(δtot )

1. http ://leguipagemoderne.fr/
136 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES

1000 6
Inductance tan(δ)

900 4

tan(δ) (%)
L (µH)

800 2

700 0
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1
Freq (MHz)

Figure 4.17 – Caractéristiques de la self réalisée pour l’alimentation résonante.

où Rstot est la résistance série équivalente regroupant toutes les pertes de l’inductance
résonante. La condition d’allumage de la décharge permet d’écrire :
(1 + r)Vth
Q> (1)
, (4.18)
V̂inv
où :
Cgas
r=
Cdiel
ce qui montre l’existence d’une borne supérieure aux pertes. En outre, les dispositifs DBD
tels que les lampes exciplexes nécessitent l’atteinte d’une tension très supérieure à Vth afin
d’atteindre le premier amorçage de la décharge. Expérimentalement, on a observé sur une
excilampe dont le seuil est de 1200 V, que le premier amorçage ne survenait que lorsque la
tension gaz atteignait une tension d’environ 4 kV (à une fréquence de 1 MHz). Ainsi par
exemple, d’après (4.18), pour une tension symétrique de ±60 V 2 délivrée par le pont, le
facteur de qualité minimum requis est d’environ 67 pour la lampe dont les caractéristiques
sont données Tab. 4.3. Cette étude permet ainsi de guider le concepteur dans le choix du
matériau magnétique et du fil de bobinage en fournissant une borne supérieure au facteur
de pertes.
L’inductance employée dans ce travail est basée sur un noyau magnétique nano-cristallin
KJ030020Y200 de matériau kµ200 fourni par APERAM 3 et de géométrie torique. Il com-
porte 60 spires d’un fil de Litz dont la section cuivre est de 0.78 mm2 comportant 100
brins. La self réalisée a été caractérisé à l’impédance-mètre en petit signal afin d’évaluer
ses performances : celles-ci sont résumées Fig. 4.17. À 1 MHz, la valeur de l’inductance
est d’environ 830 µH, et le facteur de qualité est d’environ 22. Celui-ci n’apportera pas le
gain en tension nécessaire à l’atteinte du premier allumage de la décharge car un facteur
de qualité de 67 est requis si la tension d’entrée est de 60 V. Comme nous le verrons, un
transformateur de rapport 4 a été inséré avant l’inductance résonante afin d’augmenter
la tension délivrée à la cellule résonante. En outre, on a mesuré que cette dernière pos-
sédait des effets électrostatiques que nous modélisons par une capacité parasite de 6 pF

2. Dans la partie expérimentale, on utilisera des composants de calibre 100 V et nous limiterons la
tension d’entrée à 60 V
3. http ://www.aperam.com/en/alloys-amilly/products/magnetic-cores/
4.2. ALIMENTATION HT/HF SANS TRANSFORMATEUR 137

à ses bornes. Elle complique l’utilisation de la self à haute fréquence, car sa fréquence de
résonance propre est d’environ 2.2 MHz.

4.2.2.b Le commutateur : technologies et loi de commande

Mode de commutation et choix des interrupteurs

Mode de commutation Par essence, un convertisseur résonant permet d’opérer des

blocages à zéro de courant (ZCS) lorsque ce courant est légèrement en avance par rapport
à la tension, des amorçages à zéro de tension (ZVS) lorsqu’il est légèrement en retard, ou
bien les deux lorsque le déphasage courant/tension est exactement nul (φ1 = 0) [27]. Ceci
réduit de façon conséquente les pertes engendrées lors des commutations.
À cet égard, pour les composants haute fréquence, la littérature recommande vivement
le choix du mode ZVS car les pertes à l’amorçage peuvent être réduites considérablement
si la commutation s’opère à courant non-nul mais avec un temps de retard à l’amorçage
bien calibré [14, 85]. Ce principe permet ainsi d’atteindre une gamme fréquentielle bien
supérieure à ce qui serait obtenu en commutation dure.

Les interrupteurs de puissance Comme nous l’avions évoqué, la montée en fré-

quence s’accompagne invariablement de la réduction en volume des composants électro-
niques. La moindre longueur de conducteur (une patte de composant ou une piste de
connexion par exemple), par le biais de sa self inductance ajoute des effets parasites dans
le montage qui deviennent non-négligeables : un ordre de grandeur communément admis
est de 10 nH par centimètre de conducteur. Ces éléments influencent le fonctionnement
en plusieurs endroits. D’un côté, la maille de commutation contient des éléments inductifs
parasites, et compte-tenu des modèles de pertes présents dans la littérature [73, 87], ceci
engendre des pertes supplémentaire au blocage.
De l’autre côté, la maille de commande est également inductive, les fronts de tension
de commande sont donc moins raides et par conséquent, le temps de commutation de
l’interrupteur est augmenté, ce qui engendre également des pertes. Ces éléments inductifs
sont également responsables de résonances parasites aux bornes des interrupteurs lors des
phases de blocage ; elles engendrent des surtensions et déclassent le composant vis à vis
de son calibre en tension.
Des résonances parasites peuvent également survenir au niveau de la tension de com-
mande, ce qui, pour certains composants sensibles tels que les semiconducteurs à base de
nitrure de gallium (GaN), provoque leur destruction [70]. À ce titre, les fondeurs four-
nissent des efforts considérables sur le packaging des composants afin de minimiser autant
que possible ces effets parasites, conduisant à l’abandon progressif des boîtiers de puissance
communément utilisés (T0-220, T0-247, SO-8 . . . ) dans les domaines de l’électronique de
puissance à haute fréquence de commutation [25]. Les considérations d’ordre thermique
occupent évidemment une place importante [26], car la réduction de volume associée à
l’augmentation de la fréquence nécessite un design soigné quant à l’évacuation des pertes.
Parallèlement, des technologies adaptées à la haute fréquence telles que les transistors
au nitrure de gallium (GaN) émergent. Ces derniers semblent déjà détrôner les meilleurs
138 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES

Figure 4.18 – Résistance spécifique à l’état passant en fonction du calibre en tension de différents com-
posants Si et GaN actuels (extrait de [85]).

interrupteurs MOSFET silicium classiques dans le domaine de la haute fréquence de com-

mutation (quelques megahertz) [70] alors que la technologie n’en est qu’à ses balbutie-
ments. Pour s’en convaincre, nous rapportons Fig. 4.18 une synthèse disponible en [85]
situant les composants GaN actuels par rapport aux meilleurs MOSFET silicium en terme
de résistance spécifique. On constate que les composants silicium ont atteint leur limite
théorique [38, 45, 84, 72] car la technologie est mature tandis que la technologie GaN en
est encore très éloignée, et en ce sens, elle possède un grand potentiel.

Modèle de pertes Les pertes par conduction sont classiquement modélisées par :
on 2
Pcond = Rds ieff ,

où Rdson désigne la résistance du composant à l’état passant. Compte-tenu du mode de

fonctionnement que nous avons choisi (commutation à zéro de courant), nous supposons
dans cette étude que les pertes par commutation sont uniquement dues à la décharge de la
capacité parasite du composant lorsque celui-ci est amorcé. De plus, nous supposons que,
lors de l’amorçage, la capacité est chargée à la tension d’entrée (Vin sur Fig. 4.12a) ce qui
suppose que nous travaillons à φ1 = 0 (commutation à courant nul), ce qui n’est pas la
solution minimisant les pertes [14]. Ainsi, les pertes par commutation sont données par :
Z Vin
Psw = F Coss Vds dVds , (4.19)
0

où Coss désigne la capacité parasite de sortie du composant : celle-ci dépend de la tension

drain-source du composant. Plusieurs modèles sont utilisés afin de modéliser le comporte-
ment de Coss en fonction de la technologie du composant. Pour un composant MOSFET,
un modèle proposé par Rodríguez et al en [73] consiste à écrire :

Coss = C0 /(1 + Vds /K)γ ,

4.2. ALIMENTATION HT/HF SANS TRANSFORMATEUR 139

Figure 4.19 – Comparaison des pertes de plusieurs composants en fonction de la fréquence pour une
puissance en sortie égale à 66 Watts.

où C0 , K, et γ sont des paramètres d’ajustement que nous obtenons grâce à une régression
sur les courbes données par les fabricants. Pour les composants GaN, un modèle linéaire
par morceaux est parfois employé. Finalement, dans le cadre de notre étude, on calculera
les pertes dans un interrupteur par :
Z Vin
Ptot = Pcond + Psw = Rds i2rms + F Coss Vds dVds , (4.20)
0

en étant conscient que le second terme pourrait être réduit en autorisant une légère avance
du courant sur la tension, et en choisissant bien le temps de retard à l’amorçage du
composant.

Comparaison de plusieurs composants Ce modèle nous permet d’élaborer un

comparatif entre plusieurs composants afin de choisir les meilleurs candidats en fonction
de la fréquence de fonctionnement désirée. Le comparatif s’établit entre des composants
dont le calibre en tension est de 100 V. La puissance de sortie est fixée à 66 W. Les
composants silicium comparés figurent parmi les meilleurs MOSFET du marché. Le fait de
réaliser ce comparatif à puissance constante implique que la tension commutée dépend de
la fréquence de commutation envisagée. En effet, l’évolution de la puissance en fonction de
la fréquence et de la tension d’entrée Vin (4.7) montre qu’elle dépend du produit « tension
× fréquence ».
Les résultats du comparatif sont présentés Fig. 4.19. Les composants GaN paraissent
être les meilleurs candidats pour notre application. Dans la gamme 1–4 MHz, le EPC2007
sort du lot tandis que le EPC1001 surpasse les autres dans la gamme 4–10 MHz. Les
composants EPC1001 ont été finalement sélectionnés car bien que nous ayons choisi une
fréquence de commutation de 1 MHz, les EPC-2007 n’étaient pas encore distribués lors de
la fabrication du convertisseur. Notons tout de même que les pertes liées à la commande
n’ont pas été étudiées dans cet exemple : elles pourraient occuper une part significative à
haute fréquence.
140 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES

Figure 4.20 – Photo des deux cellules de commutation, et zoom sur la boucle de puissance.

Placement routage La conception de la carte doit être soignée dans le but de réduire
les effets parasites provoqués par les pistes. L’étude menée en [71] sur les convertisseurs
DC/DC haute fréquence montrent en effet l’importance de cette partie de la conception.
La maille de puissance de chaque cellule doit avoir la surface la plus faible possible, tout
comme la maille de commande des interrupteurs. La carte utilisée, dont le rôle originel
se situe au sein d’un convertisseur DC/DC à 5 phases entrelacées et dont l’étude et la
réalisation détaillées figurent en [86], a fait l’objet d’une conception minutieuse à ces
égards. On rapporte Fig. 4.20 la façon avec laquelle une maille de commutation est conçue
ainsi qu’une photographie afin de fournir une idée de la taille du convertisseur (le driver
(noir) est de dimension 4 mm×4 mm).

4.2.2.c Compensation des dérives

L’un des problèmes rencontrés dans la conception de telles alimentations est la pour-
suite de la fréquence résonante. En effet, lors du fonctionnement, l’inductance résonante
monte en température et sa valeur dérive. Il en va de même pour le dispositif DBD. Ce type
de problème est bien connu car il survient dans presque toutes les alimentations exploitant
une cellule résonante. Néanmoins, dans le cadre de cette application, une différence de fré-
quence notable peut exister entre le mode de fonctionnement allumé et éteint, et il est
nécessaire que l’alimentation adapte très rapidement sa fréquence afin de « poursuivre »
la variation rapide de paramètres lorsque le premier claquage survient. Une telle problé-
matique est étudiée en [50] et la loi de commande proposée comporte un faible temps de
réaction afin de répondre à la variation brutale de la fréquence propre du système.
Le principe est de toujours garantir un déphasage nul, éventuellement ajustable par
l’opérateur, entre le courant mesuré, a priori quasi sinus, et le premier harmonique de
la tension appliquée. La loi de commande que nous avons mise en œuvre est présentée
Fig. 4.21. Le courant idbd est mesuré, déphasé de π/2, puis mis en entrée d’un comparateur
afin de disposer d’un signal logique (1 lorsque le courant est positif, 0 lorsqu’il est négatif).
Les deux signaux sont envoyés dans un comparateur de phase à OU EXCLUSIF. Le filtre
passe-bas employé en sortie du comparateur consiste en réalité en deux compteurs cpt1
et cpt2 synchronisés sur l’horloge d’un FPGA clk. Lors des fronts montants de la sortie
du comparateur, les valeurs des deux compteurs sont mémorisées et ils sont réinitialisés
(voir Fig. 4.22). Le premier compteur compte le nombre de coups d’horloge du FPGA et le
second compte le nombre de coups d’horloge durant l’état haut de la sortie du comparateur
4.2. ALIMENTATION HT/HF SANS TRANSFORMATEUR 141

Vinv Φ1 measurement
To switches gates

Driver GaN board

and drivers
i
dbd -π
FPGA based
2 PWM modulator control board

Φ1ref

ʃ
N0
1
ε -εmax +
K + Carrier generator
Φ1meas +εmax freq
-1

Figure 4.21 – Principe de la loi de commande pour la poursuite de résonance.

clk
t
Comp
t
Reset
t

Cpt 1 Cpt1 = 6

t
Cpt2 = 9
Cpt 2

Figure 4.22 – Schéma explicatif de la méthode du calcul du rapport cyclique. La fréquence d’horloge clk
est volontairement réduite sur le schéma pour permettre une meilleure lisibilité.
142 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES

6 pF
11 Ω
Without transformer Without snubber With snubber
820 µH, i -60
dbd
42 µH 240 Ω
-70
75 pF

(dBA/V)
22 pF
-80
V = 0 ... 60 V

iinv i
1:4 dis
-90
V Vtrans Vdbd

(1)
idbd/ Vinv
inv -100
V
in

4.4 µF th
1 kΩ 21 pF -110
-V
th
Vsw -120

-130 -1 0 1 2
10 10 10 10
Actual transformer HF Snubber circuit Actual resonant inductor Frequency (MHz)

(a) (b)

Figure 4.23 – Schéma du dispositif expérimental (a). Transconductance du circuit au secondaire en

régime non claqué (b).

de phase. Ainsi par exemple, lorsque le premier compteur compte 6 et que le second compte
9, le rapport cyclique se déduit par division (6/9). Ce rapport cyclique, conformément au
principe de fonctionnement du comparateur de phase à OU EXCLUSIF, est proportionnel
au déphasage entre Vinv et idbd . Ensuite, la valeur du rapport cyclique agit sur la période
de la porteuse du modulateur MLI.
L’action d’une erreur de phase sur la fréquence de la porteuse est très rapide car,
contrairement à un filtre passe-bas standard, le rapport cyclique du signal de sortie du
comparateur de phase est acquis en une demi-période de découpage car la sortie du com-
parateur en OU EXCLUSIF fournit un signal à 2F . Ainsi, cette loi de commande permet
d’adapter rapidement la fréquence de l’alimentation lors du premier amorçage de la dé-
charge.

4.2.3 Relevés expérimentaux

4.2.3.a Description

Compte-tenu du problème soulevé §4.2.2.a, un transformateur élévateur de rapport 4 a

été inséré en sortie du convertisseur afin que la tension nécessaire au premier claquage du
gaz soit atteinte. Ce dernier permet également d’explorer le comportement de la décharge
sur une plus large gamme de tension et de puissance, car le calibre en tension du pont
actuel est de 100 V, et ne pourra être augmenté que lors de la distribution grand public de
composants GaN plus récents ; les fabricants tels que GaN System, Transphorm USA ou
Panasonic annoncent en effet la commercialisation de composants GaN haute fréquence
dont les calibres atteignent 600 V. Le schéma de puissance est rapporté Fig. 4.23a.
Notons que les effets capacitifs de ce transformateur sont bien moindres que s’il avait
été branché directement aux bornes du dispositif DBD. En effet, la charge équivalente
connectée au secondaire, constitué de l’inductance résonante et du dispositif DBD possède
à sa fréquence naturelle, une impédance bien plus faible que le dispositif DBD seul car
la partie réactive des capacités est compensée par l’inductance résonante, et donc l’effet
diviseur de courant est moindre. En outre, la tension vue aux bornes de l’enroulement
secondaire (quelques centaines de volts) est bien plus faible que la tension DBD ce qui
4.2. ALIMENTATION HT/HF SANS TRANSFORMATEUR 143

Figure 4.24 – Dispositif expérimental

simplifie sa conception.
Cependant, l’insertion de cet élément apporte quelques changements dans le compor-
tement fréquentiel du système. En effet, on montre Fig. 4.23b un calcul de la transcon-
ductance incluant le transformateur, l’inductance résonante avec sa capacité parasite et sa
résistance série équivalente, et le dispositif DBD non claqué. Il montre l’existence de deux
pics résonants, le premier à gauche est celui que l’alimentation doit favoriser et le second
est un pic parasite lié à une résonance entre l’inductance de fuite du transformateur et la
mise en série de la capacité parasite de l’inductance résonante et des capacités structu-
relles du dispositif DBD. Il peut être excité par la tension du pont surtout s’il se situe à
un multiple impair du premier pic. La figure Fig. 4.23b montre également que l’insertion
d’un circuit snubber bien calibré permet d’atténuer ce second pic résonant, sans que le
premier ne soit fortement affecté. Il est composé de la mise en série d’un condensateur de
22 pF et d’une résistance de 1 kΩ.
Un schéma de principe du dispositif expérimental en fonctionnement est proposé
Fig. 4.24. On retrouve les liaisons de puissance en rouge : la sortie du convertisseur (GaN
board) est connectée à une carte comportant le transformateur de rapport 4 et de l’in-
ductance résonante qui alimente la lampe DBD. La partie mesure (en bleu) consiste en la
mesure de la tension Vinv et du courant primaire du transformateur (proportionnel à idbd )
et en la génération d’un signal dont le rapport cyclique est proportionnel au déphasage
entre ces deux grandeurs (phase measurement). La fonction « poursuite de la fréquence
de résonance » est assurée par la carte FPGA qui adapte la fréquence de la porteuse du
modulateur PWM en fonction de la valeur du rapport cyclique. Les ordres de commutation
sont délivrés à la carte de puissance où se situent également les drivers.
144 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES

0 0

0.2 µs/div 0.2 µs/div 5 ns/div

zoom
i : 1 A/div i : 100 mA/div i V : 20 V/div
inv dbd dbd: 100mA/div sw
V : 1 kV/div V : 20 V/div i
dbd sw inv: 1 A/div
(a) (b)

Figure 4.25 – Formes d’onde obtenues avec (a) et sans (b) sonde de tension, pour une tension d’entrée
de 55 V.

4.2.3.b Relevés

Les dispositifs de mesure utilisés affectent les formes d’onde : le fait de placer une
sonde de tension aux bornes du dispositif DBD ajoute une capacité en parallèle de celui-
ci et décale vers la gauche le pic de résonance. Nous présentons Fig. 4.25a un relevé où
une sonde haute tension a été employée, et Fig. 4.25b, un relevé où aucune mesure de la
tension DBD n’est effectuée. La fréquence de résonance mesurée est de 781 kHz dans le
premier cas tandis qu’elle est aux alentours de 1 MHz dans le second. Un agrandissement
du blocage de l’un des interrupteurs du pont est également fourni. Il montre que le temps
de blocage de l’interrupteur est de 7 ns et que ce dernier se bloque à courant quasi nul. De
plus, aucune surtension ni résonance parasite n’est mesurable aux bornes de l’interrupteur.
La durée d’amorçage a quant à elle été mesurée à environ 3 ns. En outre, en dehors du
travail des concepteurs des interrupteurs sur le packaging, et de celui du concepteur du
PCB (voir [85]), aucun management thermique n’a été nécessaire : il n’a été fait usage
ni de ventilateur, ni de dissipateur thermique. La température des interrupteurs a été
néanmoins surveillée à l’aide d’une caméra thermique infrarouge, et n’a pas excédé 60°C.
Toutefois, un échauffement important de l’inductance résonante a été mesuré. Il s’est
avéré ultérieurement que le comportement du matériau nanocristallin kµ200, a priori per-
formant en haute fréquence (d’après le fournisseur) mais non spécifié au delà de 300 kHz
dans la documentation, n’a pas été à la hauteur au delà du mega-hertz. Des investigations
ultérieures montrent en effet que des poudres HF telles que celles fournies par Microme-
tals (matériaux codés 2 ou 6) offrent des performances supérieures en terme de pertes et
permettent une augmentation significative du facteur de qualité au prix d’une réduction
assez conséquente de la perméabilité relative (µr ≈ 10 au lieu de 200).

Conclusion

Dans cette partie, deux alimentations ont été étudiées et mises en œuvre :
4.2. ALIMENTATION HT/HF SANS TRANSFORMATEUR 145

L’alimentation quasi-résonante en régime de conduction discontinue La pre-

mière est une alimentation quasi-résonante fonctionnant en régime de conduction disconti-
nue. Nous avons montré qu’elle constituait un outil d’investigation intéressant, car contrai-
rement aux autres alimentations, elle offre un découplage entre les paramètres fréquence,
puissance et durée d’extinction ce qui permet notamment d’étudier l’impact de l’effet mé-
moire sur la transition homogène/filamentaire. Elle a été mise en œuvre sur plusieurs
dispositifs DBD. En particulier, des études sont en cours sur l’influence de paramètres
électriques sur le comportement d’actionneurs plasma pour le contrôle d’écoulement ainsi
que sur un jet plasma utilisé dans l’hélium à des fins dermatologiques.

L’alimentation résonante haute fréquence La seconde est une alimentation réso-

nante haute fréquence (> 1 MHz) dont le principe est d’exploiter le gain d’une cellule
résonante, dont le dispositif DBD est un constituant, afin d’atteindre plusieurs kilovolts
nécessaires à l’amorçage de la décharge. On a montré que cette structure d’alimentation
permettait naturellement d’explorer le comportement des DBD à haute fréquence (au delà
du megahertz) ce qui en fait naturellement un outil d’exploration.
En outre, l’un des mérites de cette alimentation est qu’elle offre un gain substantiel en
compacité : le travail à haute fréquence associé à un fonctionnement ne nécessitant que
très peu de moyens de refroidissement permet d’envisager la réalisation de convertisseurs
compacts ce qui présenterait un intérêt dans les dispositifs DBD de faible dimension.
146 CHAPITRE 4. OUVERTURES ET PERSPECTIVES
Conclusion générale

Les dispositifs de décharge à barrières diélectriques constituent des systèmes complexes

aux multiples comportements. À pression atmosphérique, la décharge qui se déroule géné-
ralement en régime filamentaire dans des gaz tels que l’azote ou l’air permet de répondre
à un grand nombre d’applications. Toutefois, dans le cadre d’une application de dépôt
de couches minces, le travail en régime homogène demeure nécessaire. Les travaux anté-
rieurs ont montré que, à pression atmosphérique, ce régime était d’autant plus difficile à
maintenir à forte puissance que la quantité d’espèces réactives, nécessaires au dépôt, était
élevée. Par conséquent, les vitesses de dépôt atteintes à ce jour demeurent insuffisantes
pour envisager la pénétration du procédé dans l’industrie.
Les études retranscrites dans les deux premiers chapitres ont permis de mettre en
évidence l’apport d’une alimentation contrôlée en courant de forme rectangulaire. On a
montré que, en plus de posséder un facteur de dimensionnement supérieur à une alimen-
tation en tension sinusoïdale, elle permettait de réduire la durée d’extinction entre deux
décharges successives par rapport à ce qui est atteint avec les alimentations usuelles. Cette
qualité, favorisant l’effet mémoire en amoindrissant le temps durant lequel les espèces mé-
tastables à longue durée de vie sont détruites, a permis d’une part d’améliorer la puissance
transférée à la décharge en régime homogène et d’autre part de réduire la sensibilité aux
espèces chimiques de la transition vers le régime filamentaire. Il est ainsi possible de tra-
vailler à puissance électrique plus élevée, en présence d’une plus grande quantité d’espèces
réactives. Ces aspects permettent donc d’envisager une augmentation de la vitesse de dépôt
et de contribuer à la pénétration éventuelle du procédé dans l’industrie.
Toutefois, la mise en œuvre expérimentale de l’alimentation a montré l’importance
que possède le transformateur élévateur. Au travers de ces effets capacitifs parasites, ce
dernier, en plus de conduire au surdimensionnement des composants de l’alimentation
connectée au primaire, déforme l’onde de courant injectée dans la décharge. Avec l’alimen-
tation en courant carré, ceci se traduit par l’augmentation de la durée d’extinction entre
deux décharges successives ce qui, dans le cadre d’une application de dépôt à pression
atmosphérique, est en défaveur de l’effet mémoire. L’étude menée au troisième chapitre
s’intéresse donc à proposer une méthode de conception de transformateur pour alimen-
tation de dispositifs DBD grâce à la minimisation de ses effets capacitifs parasites. En
particulier, on montre que grâce à l’emploi de la méthode de Rayleigh-Ritz, il est possible
de disposer d’une méthode rapide d’estimation des capacités parasites au sein du trans-
formateur, dont la précision est satisfaisante pour du dimensionnement. Cette rapidité a
permis d’insérer cette méthode au sein d’un algorithme génétique basé sur la méthode de

147
148 CONCLUSION

nichage par éclaircissement. Ceci a permis sur un exemple concret de montrer la grande
diversité des possibilités offertes si aucune contrainte sur les pertes, le volume ou la masse
n’est formulée.
Les solutions apportées aux problématiques liées au dimensionnement et traitées dans
le second chapitre ont permis d’envisager d’autres stratégies d’alimentation des dispositifs
DBD.
– L’alimentation quasi-résonante en régime de conduction discontinue se présente comme
un outil d’investigation intéressant, car contrairement aux autres alimentations qui dis-
posent de deux degrés de liberté (tension ou courant et fréquence), elle en offre trois
(tension d’entrée, fréquence et largeur d’impulsion). Elle permet notamment de définir
expérimentalement les frontières entre les domaines homogène/filamentaire selon trois
paramètres (puissance, fréquence, durée d’extinction) au lieu de deux (puissance, fré-
quence), offrant ainsi une plus grande capacité d’exploration et permettrait par exemple
d’acquérir une meilleure connaissance sur l’effet mémoire.
– L’alimentation résonante sans transformateur se présente quant à elle comme une so-
lution intéressante pour des applications nécessitant à la fois une grande compacité et
un contrôle précis de la puissance injectée. On a étudié la réalisation d’un convertisseur
utilisant des composants GaN à faible calibre en tension avec une structure résonante
série et exempte de transformateur élévateur et donc de problèmes liés à ses effets
parasites. Cette alimentation permet le fonctionnement à haute fréquence (> 1 MHz)
ce qui autorise la réalisation d’une alimentation d’une grande compacité. La montée
en fréquence en fait un outil d’investigation intéressant car le comportement des DBD
alimentés sous ces conditions reste à ce jour peu connu.
Annexe A

Étude analytique des

alimentations pour dispositifs
DBD

A.1 Alimentation en tension sinusoïdale

Une telle alimentation est constituée d’une référence de tension pilotant un ampli-
ficateur, souvent linéaire, suivi d’un transformateur élévateur connecté aux bornes du
dispositif DBD (Fig. A.1a).

A.1.1 Puissance

Les relations établies au chapitre 1 sont rappelées ici : on a montré en (1.6) que l’aire
du parallélogramme décrit par la trajectoire du point de fonctionnement dans le plan

Vgas(t) i dbd (t)

Vdbd(t)
2 kV/div idis (t) 3 mA/div
Amplificateur

Cdiel

Vin Vdbd
Vth
Cgas
I ton
-Vth

50 µs/div

(a) (b)

Figure A.1 – (a) Alimentation contrôlée en tension pour DBD. (b) Simulation SPICE avec une alimen-
tation en tension sinusoidale ; Cgas = 10 pF, Cdiel =70 pF, Vth =3500 V, V̂dbd =5 kV, F =5 kHz

149
150 ANNEXE A. ÉTUDE ANALYTIQUE DES ALIMENTATIONS

charge-potentiel s’exprime par :

!
Vth
A = 4Cdiel Vth V̂dbd 1 − (1 + r) , (A.1)
V̂dbd

et que la puissance transmise au dispositif DBD était directement liée à cette aire et à la
fréquence de fonctionnement :
Pdbd = F × A. (A.2)
En combinant (A.1) et (A.2), et en tenant compte de la présence du transformateur de
ˆ = mVin ), la puissance moyenne délivrée par l’amplificateur au dispositif
rapport m (Vdbd
DBD s’exprime par :
!
Vth
Pdbd = 4F Cdiel Vth mV̂in 1 − (1 + r) , (A.3)
mV̂in

où V̂in désigne la valeur maximale de la tension appliquée au primaire du transformateur.

Les résultats d’une simulation SPICE d’une alimentation en tension sinusoïdale ali-
mentant un dispositif DBD est donnée Fig. A.1b. Celle-ci met en évidence le fait que la
décharge n’est allumée que durant une relativement courte durée. Il peut donc être inté-
ressant de connaître la durée ton de l’impulsion de courant de décharge en fonction des
paramètres connus.

A.1.2 Durée d’allumage

Pour cela, considérons une source de tension Vin (t) = 1/mV̂dbd sin 2πF t, et écrivons
que sur une période, l’énergie est dissipée uniquement dans le gaz, sous une tension Vth en
valeur absolue, durant le temps où le courant de décharge n’est pas nul, à savoir entre les
moments où Vgas atteint ±Vth et où idbd s’annule (lorsque t = T /4). Mathématiquement,
ceci se traduit par :
Z T /4
Pdbd = 2F Vth idbd (t) dt, (A.4)
T /4−ton

Durant l’état ’ON’ du gaz, le courant idbd est donné par idbd = Cdiel dVdbd /dt ce qui
conduit à :
Pdbd = 2F Cdiel Vth V̂dbd (1 − cos(2πF ton )),
  (A.5)
= 4F Cdiel Vth V̂dbd 1 − cos2 (πF ton ) .
En combinant (A.3) et (A.5) on montre que :
s
1 (1 + r)Vth
ton = arccos ,
πF V̂dbd (A.6)
1 √
= arccos u,
πF
avec r = Cgas /Cdiel et u = (1 + r)Vth /V̂dbd , une variable réduite liée à la tension d’alimen-
tation.
A.2. ALIMENTATION EN COURANT SINUSOÏDAL 151

A.1.3 Valeur du maximum de courant

La valeur du maximum de courant de décharge se calcule en évaluant idbd à l’instant
de claquage c’est à dire en évaluant idbd (T /4 − ton ). On montre que :
q
idbd (ton ) = 4πF Cdiel V̂dbd u(1 − u). (A.7)

A.1.4 Courant efficace délivré par l’alimentation

Sur une demi-période, le courant idbd est donné par :
dVdbd T

 Ceq 0≤t< − ton ,


idbd (t) = dt 2 (A.8)
dV
 Cdiel dbd
 T T

− ton ≤ t < ,
dt 2 2
où Ceq = Cgas Cdiel /(Cgas + Cdiel ), la capacité résultant de la mise en série de Cgas et Cdiel .
Un calcul d’intégrale conduit à :
s
Z T
1
ieff
dbd = i2dbd (t) dt
T 0
s (A.9)
√ 2 1 + 2r

√ q 
= 2πF Ceq V̂dbd 1+ arccos u − (2u − 1) u(1 − u) .
π r2

A.1.5 Facteur de dimensionnement

Le facteur de dimensionnement est défini comme le rapport entre la puissance injectée
et le produit de la valeur maximale de la tension DBD et du courant efficace délivré par
l’alimentation. En combinant les relations (A.3) et (A.9), on montre que le facteur de
dimensionnement est donné par :
√
Pdbd 2 2 u(1 − u)
eff
= s , (A.10)
V̂dbd idbd πr 2 1 + 2r  √ p 
1+ arccos u − (2u − 1) u(1 − u)
π r2
où r = Cgas /Cdiel et u est une variable réduite relative à la tension d’entrée définie par
(1 + r)Vth /V̂dbd dans ]0, 1].

A.2 Alimentation en courant sinusoïdal

Cette alimentation est similaire à une alimentation où l’on contrôle la charge échangée.
On a la relation : Z
Qdbd = idbd .

Ainsi, on montre que dans le cas d’une alimentation en courant sinus d’amplitude îdbd , on
a:
îdbd = 2πF Q̂dbd . (A.11)
152 ANNEXE A. ÉTUDE ANALYTIQUE DES ALIMENTATIONS

A.2.1 Puissance
D’après (1.5) et (1.2), indépendemment de la forme d’onde, la puissance moyenne
transmise au dispositif DBD s’exprime par :
1
 
2
Pdbd = 4F Vth (Q̂dbd − Cgas Vth ) = 4F Cgas Vth −1 . (A.12)
q
où :
q = Cgas Vth /Q̂dbd , (A.13)
un paramètre adimensionné relatif à la charge maximale injectée dans le dispositif DBD.

A.2.2 Durée d’allumage

En procédant par analogie avec l’alimentation en tension, il est possible de calculer la
durée d’allumage de la décharge lors d’une alternance. On montre que :
s
1 Cgas Vth 1 √
ton = arccos = arccos q, (A.14)
πF Q̂dbd πF

A.2.3 Tension DBD maximale

La tension maximale atteinte aux bornes du dispositif DBD est donnée en combinant
(A.11) et (1.4). On montre ainsi que :
r
 
V̂dbd = Vth 1+ (A.15)
4q

A.2.4 Facteur de dimensionnement

√
Le courant efficace est donné par ieff
dbd = 2πF Q̂dbd . On montre ainsi que :
√
Pdbd 2 2 q(1 − q)
= , (A.16)
V̂dbd ieff
dbd
π q+r

A.3 Alimentation en courant rectangulaire

L’étude est analogue à la précédente. La charge maximale Q̂dbd et l’amplitude du
courant sont liées par :
îdbd = 4F Q̂dbd (A.17)

A.3.1 Puissance
La relation (A.12) reste valide à condition de substituer le paramètre Q̂dbd par (A.17).
On peut ainsi montrer :
Pdbd = Vth îdbd (1 − q) (A.18)
où q est défini en (A.13)
A.3. ALIMENTATION EN COURANT RECTANGULAIRE 153

A.3.2 Durée d’allumage

De façon analogue à l’étude de l’alimentation en tension, un bilan de puissance permet
d’écrire :
1
ton = (1 − q) (A.19)
2F

A.3.3 Tension maximale

La relation (A.15) reste valide si l’on effectue la substitution (A.17). On montre ainsi
que :
r
 
V̂dbd = Vth 1 + (A.20)
q

A.3.4 Facteur de dimensionnement

En combinant les relations (A.12), (A.15) et en utilisant le fait que le courant efficace
de l’alimentation en courant carré est égal à l’amplitude du courant (A.17), on montre
que :
Pdbd q(1 − q)
eff
= , (A.21)
V̂dbd idbd q+r

A.3.5 Flux magnétique

Pour être plus précis, nous établissons ici la valeur maximale de l’intégrale de la ten-
sion Vdbd . Celle-ci est utile pour la procédure de dimensionnement du transformateur car
elle renseigne sur la valeur maximale prise par le flux magnétique dans le noyau magné-
tique. Elle permet également d’estimer la valeur du courant magnétisant de ce dernier
ce qui apporte un renseignement essentiel sur la déformation de l’onde de courant ; nous
l’utiliserons d’ailleurs en §2.1.3 lors de l’étude des effets parasites du transformateur.
Notons : Z t
ψ(t) = Vdbd (τ ) dτ, (A.22)
0
une grandeur proportionnelle à l’induction magnétique dans le noyau du transformateur.
En opérant un changement de variable dans l’intégrale en faveur du paramètre Qdbd , on
montre que :
Z Qdbd
ψ(Qdbd ) = ψ(−Q̂dbd ) + Vdbd (q)/idbd dq, (A.23)
−Q̂dbd

où Qdbd représente l’état de charge du dispositif DBD, en accord avec la représentation

charge-potentiel proposée Fig. 1.11. ψ(Qdbd ) est donc la valeur de ψ en un point donné
sur cette trajectoire charge-potentiel.
Lorsque l’état du système est tel que Vdbd = 0 V, alors la valeur maximale du flux
est atteinte (en valeur absolue). Ce point de fonctionnement se lit sur la caractéristique
Q-V Fig. 1.11 à l’intersection entre la trajectoire du point de fonctionnement et l’axe des
charges. Ces 2 intersections correspondent respectivement aux cas ψ = −ψ̂ (gauche) et
ψ = ψ̂ (droite). Les coordonnées de ces deux points sont notées respectivement (−Q0 , 0)
154 ANNEXE A. ÉTUDE ANALYTIQUE DES ALIMENTATIONS

Vdbd
^
Vdbd

d2

d3 d4

d1
^
Ψ= -Ψ

d6 d5 Qdbd

-Q0 Q0 ^
Qdbd
^
Ψ=Ψ

Figure A.2 – Chemin d’intégration pour calculer la valeur de ψ̂.

et (Q0 , 0). En calculant les intersections de la trajectoire avec l’axe des charges on montre
que : !
V̂dbd V̂dbd
Q0 = min Q̂dbd − , − Q̂dbd . (A.24)
p2 p1

La présence de la fonction ’min’ découle du fait que le claquage (rupture de pente de la

trajectoire dans le plan Q-V) peut intervenir avant que la tension Vdbd se soit annulée ou
bien après.
La valeur maximale de ψ, ψ̂ se calcule par intégration entre ces deux points d’inter-
section, le long de la trajectoire suivie par le point de fonctionnement, ce qui s’exprime
par :
Z Q0
Vdbd (q)
2ψ̂ = dq,
−Q0 idbd
! (A.25)
1 Vdbd (q) Vdbd (q)
Z Z
⇒ ψ̂ = dq − + dq .
2 d+ +
1 ∪d2
i1 d3 i1
Les chemins d’intégration d1 , d2 et d3 sont représentées sur Fig. A.2. Les exposants ’+’ et
’-’ désignent respectivement que le chemin est parcouru dans le sens laissant le domaine
coloré sur la droite ou sur la gauche. Le signe moins devant la deuxième intégrale est dû au
fait que le long du chemin d3 le courant idbd est de signe opposé à celui des chemins d1 et
d2 . Il est possible de fermer les chemins d’intégration dans chaque intégrale sans changer
leurs valeurs respectives. Pour cela, il faut veiller à ce que l’ajout de chemin d’intégration
ne modifie pas l’intégrale (ajout de contribution nulle). Ceci est vérifié pour les chemins
d4 , d5 et d6 , car le premier est tel que la valeur de dq est nulle, et les deux derniers sont tels
que l’intégrande est nulle car Vdbd y est nul. Ainsi, (A.25) est réécrite de façon à fermer les
chemins d’intégration dans le but d’appliquer le théorème de Green-Riemann sur chaque
terme, ce qui mène à :
!
1 Vdbd (q) Vdbd (q)
I I
ψ̂ = dq − dq ,
2 + + + + +
d1 ∪d2 ∪d4 ∪d5 ∪d6 i1 d− − −
3 ∪d5 ∪d4
i1
(A.26)
1 A
 
= +T ,
i1 4
A.3. ALIMENTATION EN COURANT RECTANGULAIRE 155

où A est l’aire englobée par la trajectoire dans le plan Q-V (Fig. 1.11), et T est l’aire
délimitée par le triangle vert sur Fig. A.2. La valeur de A est donnée par (1.3) et une
étude géométrique permet de montrer que T = 0.5V̂dbd (Q̂dbd − Q0 ). Ainsi, en combinant
les relations (A.26), (1.5), (A.24) et (A.20) et en notant r = Cgas /Cdiel et q = 4Cgas Vth F/i1 ,
on aboutit à :
Vth 1 r 1−q q
    
ψ̂ = 1−q+ 1+ 1 − min ; . (A.27)
4F 2 q 1+r r
156 ANNEXE A. ÉTUDE ANALYTIQUE DES ALIMENTATIONS
Annexe B

Résultats de l’optimisation :
répartition de la population

B.1 Pour k=0

B.2 Pour une valeur de k optimale

157
158 ANNEXE B. RÉSULTATS DE L’OPTIMISATION

700 220
A 200 B
600
180
500 160

400 140
120
300 100
200 80
60
100
40
0 20
2.93e-02 3.19e-02 3.45e-02 3.71e-02 3.97e-02 4.23e-02 4.50e-02 4.76e-02 5.02e-02 5.28e-02 1.32e-02 1.38e-02 1.43e-02 1.49e-02 1.55e-02 1.60e-02 1.66e-02 1.72e-02 1.77e-02 1.83e-02

(a) Diamètre de la jambe de bobinage (b) Largeur fenêtre de bobinage

1000 800
900 C E12
700
800
600
700
600 500

500 400
400 300
300
200
200
100 100

0 0
2.00e-02 2.09e-02 2.18e-02 2.28e-02 2.37e-02 2.46e-02 2.55e-02 2.65e-02 2.74e-02 2.83e-02 1.00e-03 1.25e-03 1.50e-03 1.76e-03 2.01e-03 2.26e-03 2.51e-03 2.76e-03 3.02e-03 3.27e-03

(c) Demi-hauteur fenêtre de bobinage (d) Isolant E12

600 800
Ell Nl2
700
500
600
400
500

300 400

300
200
200
100
100

0 0
3.84e-04 5.42e-04 7.01e-04 8.60e-04 1.02e-03 1.18e-03 1.34e-03 1.49e-03 1.65e-03 1.81e-03 4.00e+00 5.00e+00 6.00e+00 7.00e+00 8.00e+00 9.00e+00 1.00e+01 1.10e+01 1.20e+01 1.30e+01

(e) Isolant Ell (f) Nombre de couches Nl2

700 700
N2 Lmu2
600 600

500 500

400 400

300 300

200 200

100 100

0 0
3.52e+02 4.43e+02 5.34e+02 6.24e+02 7.15e+02 8.06e+02 8.97e+02 9.88e+02 1.08e+03 1.17e+03 2.99e+00 4.38e+00 5.76e+00 7.15e+00 8.54e+00 9.92e+00 1.13e+01 1.27e+01 1.41e+01 1.55e+01

(g) Nombre de spires N2 (h) Inductance magnétisante Lmu2

800 140
Ll2 130 Cp2
700
120
600
110
500 100
400 90

300 80
70
200
60
100 50
0 40
5.71e-03 1.29e-02 2.00e-02 2.72e-02 3.43e-02 4.15e-02 4.86e-02 5.58e-02 6.29e-02 7.01e-02 2.92e-11 2.94e-11 2.96e-11 2.98e-11 3.00e-11 3.02e-11 3.05e-11 3.07e-11 3.09e-11 3.11e-11

(i) Inductance de fuite Ll2 (j) Capacité parasite Cp2

700
Vol_Fe
600

500

400

300

200

100

0
1.07e-04 1.57e-04 2.07e-04 2.57e-04 3.07e-04 3.57e-04 4.06e-04 4.56e-04 5.06e-04 5.56e-04

(k) Volume fer

Figure B.1 – Répartition de la population de la dernière génération pour Ns =1.

B.2. POUR UNE VALEUR DE K OPTIMALE 159

250 250
A B

200 200

150 150

100 100

50 50

0 0
2.47e-02 2.72e-02 2.97e-02 3.23e-02 3.48e-02 3.73e-02 3.98e-02 4.23e-02 4.49e-02 4.74e-02 1.18e-02 1.27e-02 1.37e-02 1.46e-02 1.55e-02 1.65e-02 1.74e-02 1.83e-02 1.93e-02 2.02e-02

(a) Diamètre de la jambe de bobinage (b) Largeur fenêtre de bobinage

800 300
C E12
700
250
600
200
500

400 150

300
100
200
50
100

0 0
2.00e-02 2.16e-02 2.31e-02 2.47e-02 2.62e-02 2.78e-02 2.93e-02 3.09e-02 3.24e-02 3.40e-02 1.11e-03 1.76e-03 2.41e-03 3.07e-03 3.72e-03 4.38e-03 5.03e-03 5.69e-03 6.34e-03 6.99e-03

(c) Demi-hauteur fenêtre de bobinage (d) Isolant E12

300 250
Ell Ess
250
200

200
150
150
100
100

50
50

0 0
1.00e-04 1.51e-04 2.02e-04 2.53e-04 3.04e-04 3.56e-04 4.07e-04 4.58e-04 5.09e-04 5.60e-04 1.09e-03 1.78e-03 2.47e-03 3.16e-03 3.85e-03 4.54e-03 5.24e-03 5.93e-03 6.62e-03 7.31e-03

(e) Isolant Ell (f) Isolant Ess

350 400
Nl2 N2
300 350

300
250
250
200
200
150
150
100
100
50 50

0 0
7.00e+00 7.80e+00 8.60e+00 9.40e+00 1.02e+01 1.10e+01 1.18e+01 1.26e+01 1.34e+01 1.42e+01 4.34e+02 5.68e+02 7.01e+02 8.35e+02 9.68e+02 1.10e+03 1.24e+03 1.37e+03 1.50e+03 1.64e+03

(g) Nombre de couches Nl2 (h) Nombre de spires N2

400 300
Lmu2 Ll2
350
250
300
200
250

200 150

150
100
100
50
50

0 0
4.13e+00 6.23e+00 8.32e+00 1.04e+01 1.25e+01 1.46e+01 1.67e+01 1.88e+01 2.09e+01 2.30e+01 6.70e-03 1.42e-02 2.17e-02 2.92e-02 3.67e-02 4.41e-02 5.16e-02 5.91e-02 6.66e-02 7.41e-02

(i) Inductance magnétisante Lmu2 (j) Inductance de fuite Ll2

160 300
Cp2 Vol_Fe
140
250
120
200
100

80 150

60
100
40
50
20

0 0
2.53e-112.56e-11 2.60e-112.63e-11 2.67e-112.70e-112.73e-11 2.77e-112.80e-11 2.84e-11 7.22e-05 1.09e-04 1.45e-04 1.82e-04 2.19e-04 2.55e-04 2.92e-04 3.28e-04 3.65e-04 4.02e-04

(k) Capacité parasite Cp2 (l) Volume fer

Figure B.2 – Répartition de la population de la dernière génération pour Ns =2.

160 ANNEXE B. RÉSULTATS DE L’OPTIMISATION

300 200
A 180 B
250
160
140
200
120
150 100
80
100
60
40
50
20
0 0
2.02e-02 2.33e-02 2.64e-02 2.95e-02 3.25e-02 3.56e-02 3.87e-02 4.17e-02 4.48e-02 4.79e-02 1.13e-02 1.22e-02 1.31e-02 1.41e-02 1.50e-02 1.59e-02 1.68e-02 1.78e-02 1.87e-02 1.96e-02

(a) Diamètre de la jambe de bobinage (b) Largeur fenêtre de bobinage

300 250
C E12
250
200

200
150
150
100
100

50
50

0 0
2.00e-02 2.33e-02 2.65e-02 2.98e-02 3.30e-02 3.63e-02 3.95e-02 4.28e-02 4.60e-02 4.93e-02 1.83e-03 2.45e-03 3.07e-03 3.68e-03 4.30e-03 4.92e-03 5.53e-03 6.15e-03 6.77e-03 7.38e-03

(c) Demi-hauteur fenêtre de bobinage (d) Isolant E12

500 250
450 Ell Ess

400 200
350
300 150
250
200 100
150
100 50
50
0 0
1.00e-04 1.31e-04 1.61e-04 1.92e-04 2.22e-04 2.53e-04 2.83e-04 3.14e-04 3.45e-04 3.75e-04 1.00e-03 1.43e-03 1.86e-03 2.28e-03 2.71e-03 3.14e-03 3.57e-03 3.99e-03 4.42e-03 4.85e-03

(e) Isolant Ell (f) Isolant Ess

300 350
Nl2 N2
250 300

250
200
200
150
150
100
100
50 50

0 0
7.00e+00 7.80e+00 8.60e+00 9.40e+00 1.02e+01 1.10e+01 1.18e+01 1.26e+01 1.34e+01 1.42e+01 4.16e+02 6.38e+02 8.61e+02 1.08e+03 1.31e+03 1.53e+03 1.75e+03 1.97e+03 2.20e+03 2.42e+03

(g) Nombre de couches Nl2 (h) Nombre de spires N2

450 450
Lmu2 Ll2
400 400
350 350
300 300
250 250
200 200
150 150
100 100
50 50
0 0
3.83e+00 7.27e+00 1.07e+01 1.41e+01 1.76e+01 2.10e+01 2.45e+01 2.79e+01 3.13e+01 3.48e+01 6.35e-03 1.69e-02 2.74e-02 3.79e-02 4.84e-02 5.89e-02 6.95e-02 8.00e-02 9.05e-02 1.01e-01

(i) Inductance magnétisante Lmu2 (j) Inductance de fuite Ll2

160 300
Cp2 Vol_Fe
140
250
120
200
100

80 150

60
100
40
50
20

0 0
2.38e-112.41e-11 2.45e-11 2.49e-11 2.53e-112.56e-11 2.60e-11 2.64e-112.67e-11 2.71e-11 4.74e-05 8.99e-05 1.32e-04 1.75e-04 2.17e-04 2.60e-04 3.02e-04 3.45e-04 3.87e-04 4.30e-04

(k) Capacité parasite Cp2 (l) Volume fer

Figure B.3 – Répartition de la population de la dernière génération pour Ns =4.

B.2. POUR UNE VALEUR DE K OPTIMALE 161

350 250
A B
300
200
250

200 150

150 100
100
50
50

0 0
1.94e-02 2.28e-02 2.62e-02 2.96e-02 3.30e-02 3.64e-02 3.98e-02 4.32e-02 4.67e-02 5.01e-02 1.16e-02 1.25e-02 1.34e-02 1.43e-02 1.52e-02 1.61e-02 1.70e-02 1.79e-02 1.88e-02 1.97e-02

(a) Diamètre de la jambe de bobinage (b) Largeur fenêtre de bobinage

350 300
C E12
300 250
250
200
200
150
150
100
100

50 50

0 0
2.00e-02 2.40e-02 2.79e-02 3.19e-02 3.58e-02 3.98e-02 4.37e-02 4.77e-02 5.17e-02 5.56e-02 2.00e-03 2.60e-03 3.20e-03 3.80e-03 4.40e-03 5.00e-03 5.60e-03 6.20e-03 6.80e-03 7.40e-03

(c) Demi-hauteur fenêtre de bobinage (d) Isolant E12

800 700
Ell Ess
700 600
600
500
500
400
400
300
300
200
200

100 100

0 0
1.00e-04 1.27e-04 1.54e-04 1.80e-04 2.07e-04 2.34e-04 2.61e-04 2.87e-04 3.14e-04 3.41e-04 1.00e-03 1.14e-03 1.29e-03 1.43e-03 1.57e-03 1.71e-03 1.86e-03 2.00e-03 2.14e-03 2.29e-03

(e) Isolant Ell (f) Isolant Ess

500 400
450 Nl2 N2
350
400
300
350
300 250

250 200
200 150
150
100
100
50 50

0 0
7.00e+00 7.80e+00 8.60e+00 9.40e+00 1.02e+01 1.10e+01 1.18e+01 1.26e+01 1.34e+01 1.42e+01 3.78e+02 6.28e+02 8.78e+02 1.13e+03 1.38e+03 1.63e+03 1.88e+03 2.13e+03 2.38e+03 2.63e+03

(g) Nombre de couches Nl2 (h) Nombre de spires N2

500 600
450 Lmu2 Ll2
500
400
350
400
300
250 300
200
200
150
100
100
50
0 0
3.36e+00 7.26e+00 1.12e+01 1.51e+01 1.89e+01 2.28e+01 2.67e+01 3.06e+01 3.45e+01 3.84e+01 5.36e-03 1.68e-02 2.82e-02 3.96e-02 5.10e-02 6.24e-02 7.38e-02 8.52e-02 9.66e-02 1.08e-01

(i) Inductance magnétisante Lmu2 (j) Inductance de fuite Ll2

200 400
Cp2 Vol_Fe
180 350
160 300
140
250
120
200
100
150
80
60 100

40 50

20 0
2.32e-11 2.36e-11 2.40e-11 2.44e-112.47e-11 2.51e-11 2.55e-11 2.59e-11 2.63e-11 2.67e-11 4.28e-05 9.24e-05 1.42e-04 1.92e-04 2.41e-04 2.91e-04 3.40e-04 3.90e-04 4.40e-04 4.89e-04

(k) Capacité parasite Cp2 (l) Volume fer

Figure B.4 – Répartition de la population de la dernière génération pour Ns =6.

162 ANNEXE B. RÉSULTATS DE L’OPTIMISATION

600 600
A B

500 500

400 400

300 300

200 200

100 100

0 0
4.928e-02 5.219e-02 5.510e-02 5.801e-02 6.091e-02 6.382e-02 6.673e-02 6.964e-02 7.255e-02 7.545e-02 1.583e-02 1.693e-02 1.803e-02 1.913e-02 2.023e-02 2.133e-02 2.243e-02 2.353e-02 2.463e-02 2.573e-02

(a) Diamètre de la jambe de bobinage (b) Largeur fenêtre de bobinage

1000 450
C E12
900 400
800 350
700
300
600
250
500
200
400
150
300
200 100

100 50

0 0
2.000e-02 2.031e-02 2.062e-02 2.092e-02 2.123e-02 2.154e-02 2.185e-02 2.215e-02 2.246e-02 2.277e-02 2.956e-03 3.361e-03 3.767e-03 4.173e-03 4.578e-03 4.984e-03 5.390e-03 5.795e-03 6.201e-03 6.607e-03

(c) Demi-hauteur fenêtre de bobinage (d) Isolant E12

900 1000
Ell Nl2
800 900

700 800
700
600
600
500
500
400
400
300
300
200 200
100 100
0 0
2.650e-03 2.785e-03 2.920e-03 3.055e-03 3.190e-03 3.325e-03 3.460e-03 3.595e-03 3.730e-03 3.865e-03 2.000e+00 2.300e+00 2.600e+00 2.900e+00 3.200e+00 3.500e+00 3.800e+00 4.100e+00 4.400e+00 4.700e+00

(e) Isolant Ell (f) Nombre de couches Nl2

900 500
N2 Lmu2
800 450

700 400
350
600
300
500
250
400
200
300
150
200 100
100 50
0 0
1.760e+02 2.029e+02 2.298e+02 2.567e+02 2.836e+02 3.105e+02 3.374e+02 3.643e+02 3.912e+02 4.181e+02 1.124e+00 1.402e+00 1.680e+00 1.959e+00 2.237e+00 2.515e+00 2.794e+00 3.072e+00 3.350e+00 3.629e+00

(g) Nombre de spires N2 (h) Inductance magnétisante Lmu2

700 350
Ll2 Cp2
600 300

500 250

400 200

300 150

200 100

100 50

0 0
3.753e-03 5.213e-03 6.673e-03 8.133e-03 9.593e-03 1.105e-02 1.251e-02 1.397e-02 1.543e-02 1.689e-02 1.750e-11 1.757e-11 1.764e-11 1.771e-11 1.778e-11 1.784e-11 1.791e-11 1.798e-11 1.805e-11 1.812e-11

(i) Inductance de fuite Ll2 (j) Capacité parasite Cp2

450
Vol_Fe
400

350

300

250

200

150

100

50

0
4.635e-04 5.783e-04 6.931e-04 8.079e-04 9.228e-04 1.038e-03 1.152e-03 1.267e-03 1.382e-03 1.497e-03

(k) Volume fer

Figure B.5 – Répartition de la population de la dernière génération pour Ns =1 (k optimal).

B.2. POUR UNE VALEUR DE K OPTIMALE 163

400 300
A B
350
250
300
200
250

200 150

150
100
100
50
50

0 0
2.569e-02 2.736e-02 2.904e-02 3.071e-02 3.239e-02 3.406e-02 3.574e-02 3.741e-02 3.909e-02 4.077e-02 1.660e-02 1.739e-02 1.817e-02 1.896e-02 1.974e-02 2.053e-02 2.131e-02 2.210e-02 2.288e-02 2.367e-02

(a) Diamètre de la jambe de bobinage (b) Largeur fenêtre de bobinage

1000 450
C E12
900 400
800 350
700
300
600
250
500
200
400
150
300
200 100

100 50

0 0
2.000e-02 2.052e-02 2.104e-02 2.155e-02 2.207e-02 2.259e-02 2.311e-02 2.362e-02 2.414e-02 2.466e-02 1.818e-03 2.259e-03 2.699e-03 3.140e-03 3.581e-03 4.021e-03 4.462e-03 4.902e-03 5.343e-03 5.783e-03

(c) Demi-hauteur fenêtre de bobinage (d) Isolant E12

500 250
Ell Ess
450
400 200
350
300 150
250
200 100
150
100 50
50
0 0
1.384e-04 1.760e-04 2.136e-04 2.512e-04 2.888e-04 3.264e-04 3.640e-04 4.016e-04 4.392e-04 4.768e-04 3.860e-03 4.274e-03 4.688e-03 5.102e-03 5.516e-03 5.930e-03 6.344e-03 6.758e-03 7.172e-03 7.586e-03

(e) Isolant Ell (f) Isolant Ess

900 350
Nl2 N2
800
300
700
250
600

500 200

400 150
300
100
200
50
100

0 0
1.100e+01 1.200e+01 1.300e+01 1.400e+01 1.500e+01 1.600e+01 1.700e+01 1.800e+01 1.900e+01 2.000e+01 6.000e+02 7.038e+02 8.076e+02 9.114e+02 1.015e+03 1.119e+03 1.223e+03 1.327e+03 1.430e+03 1.534e+03

(g) Nombre de couches Nl2 (h) Nombre de spires N2

350 300
Lmu2 Ll2
300 250

250
200
200
150
150
100
100

50 50

0 0
6.285e+00 7.920e+00 9.554e+00 1.119e+01 1.282e+01 1.446e+01 1.609e+01 1.773e+01 1.936e+01 2.100e+01 1.793e-02 2.789e-02 3.784e-02 4.780e-02 5.775e-02 6.771e-02 7.766e-02 8.762e-02 9.757e-02 1.075e-01

(i) Inductance magnétisante Lmu2 (j) Inductance de fuite Ll2

250 450
Cp2 Vol_Fe
400
200 350

300
150
250

200
100
150

50 100

50

0 0
1.239e-11 1.249e-11 1.260e-11 1.270e-11 1.281e-11 1.291e-11 1.302e-11 1.312e-11 1.323e-11 1.333e-11 8.002e-05 1.008e-04 1.216e-04 1.424e-04 1.633e-04 1.841e-04 2.049e-04 2.257e-04 2.465e-04 2.673e-04

(k) Capacité parasite Cp2 (l) Volume fer

Figure B.6 – Répartition de la population de la dernière génération pour Ns =2 (k optimal).

164 ANNEXE B. RÉSULTATS DE L’OPTIMISATION

300 220
A B
200
250 180
160
200
140
120
150
100
80
100
60

50 40
20
0 0
2.055e-02 2.312e-02 2.570e-02 2.827e-02 3.085e-02 3.343e-02 3.600e-02 3.858e-02 4.116e-02 4.373e-02 1.272e-02 1.354e-02 1.437e-02 1.520e-02 1.602e-02 1.685e-02 1.767e-02 1.850e-02 1.933e-02 2.015e-02

(a) Diamètre de la jambe de bobinage (b) Largeur fenêtre de bobinage

300 250
C E12

250
200

200
150
150
100
100

50
50

0 0
2.000e-02 2.277e-02 2.554e-02 2.831e-02 3.108e-02 3.386e-02 3.663e-02 3.940e-02 4.217e-02 4.494e-02 1.685e-03 2.243e-03 2.802e-03 3.361e-03 3.920e-03 4.479e-03 5.037e-03 5.596e-03 6.155e-03 6.714e-03

(c) Demi-hauteur fenêtre de bobinage (d) Isolant E12

500 200
Ell Ess
450 180
400 160
350
140
300
120
250
100
200
80
150
100 60

50 40

0 20
1.000e-04 1.232e-04 1.464e-04 1.696e-04 1.928e-04 2.160e-04 2.392e-04 2.624e-04 2.855e-04 3.087e-04 1.748e-03 2.374e-03 2.999e-03 3.624e-03 4.249e-03 4.874e-03 5.499e-03 6.125e-03 6.750e-03 7.375e-03

(e) Isolant Ell (f) Isolant Ess

250 300
Nl2 N2

250
200

200
150
150
100
100

50
50

0 0
8.000e+00 9.300e+00 1.060e+01 1.190e+01 1.320e+01 1.450e+01 1.580e+01 1.710e+01 1.840e+01 1.970e+01 5.040e+02 7.096e+02 9.152e+02 1.121e+03 1.326e+03 1.532e+03 1.738e+03 1.943e+03 2.149e+03 2.354e+03

(g) Nombre de couches Nl2 (h) Nombre de spires N2

350 450
Lmu2 Ll2
400
300
350
250
300
200 250

150 200

150
100
100
50
50

0 0
5.088e+00 8.354e+00 1.162e+01 1.489e+01 1.815e+01 2.142e+01 2.468e+01 2.795e+01 3.121e+01 3.448e+01 8.578e-03 2.134e-02 3.411e-02 4.687e-02 5.964e-02 7.240e-02 8.517e-02 9.793e-02 1.107e-01 1.235e-01

(i) Inductance magnétisante Lmu2 (j) Inductance de fuite Ll2

250 350
Cp2 Vol_Fe
300
200
250

150
200

150
100

100
50
50

0 0
1.088e-11 1.104e-11 1.119e-11 1.134e-11 1.149e-11 1.164e-11 1.179e-11 1.194e-11 1.209e-11 1.225e-11 4.797e-05 7.876e-05 1.096e-04 1.403e-04 1.711e-04 2.019e-04 2.327e-04 2.635e-04 2.943e-04 3.251e-04

(k) Capacité parasite Cp2 (l) Volume fer

Figure B.7 – Répartition de la population de la dernière génération pour Ns =4. (k optimal).

B.2. POUR UNE VALEUR DE K OPTIMALE 165

300 200
A B
180
250
160
140
200
120
150 100
80
100
60
40
50
20
0 0
1.692e-02 1.975e-02 2.259e-02 2.542e-02 2.825e-02 3.108e-02 3.391e-02 3.675e-02 3.958e-02 4.241e-02 1.151e-02 1.248e-02 1.345e-02 1.442e-02 1.540e-02 1.637e-02 1.734e-02 1.831e-02 1.929e-02 2.026e-02

(a) Diamètre de la jambe de bobinage (b) Largeur fenêtre de bobinage

300 250
C E12

250
200

200
150
150
100
100

50
50

0 0
2.091e-02 2.524e-02 2.958e-02 3.392e-02 3.826e-02 4.260e-02 4.693e-02 5.127e-02 5.561e-02 5.995e-02 2.101e-03 2.691e-03 3.281e-03 3.871e-03 4.461e-03 5.051e-03 5.640e-03 6.230e-03 6.820e-03 7.410e-03

(c) Demi-hauteur fenêtre de bobinage (d) Isolant E12

800 250
Ell Ess
700
200
600

500 150
400

300 100

200
50
100

0 0
1.000e-04 1.231e-04 1.461e-04 1.692e-04 1.922e-04 2.153e-04 2.384e-04 2.614e-04 2.845e-04 3.075e-04 1.000e-03 1.650e-03 2.299e-03 2.949e-03 3.599e-03 4.249e-03 4.898e-03 5.548e-03 6.198e-03 6.848e-03

(e) Isolant Ell (f) Isolant Ess

250 400
Nl2 N2
350
200
300

150 250

200
100 150

100
50
50

0 0
7.000e+00 8.400e+00 9.800e+00 1.120e+01 1.260e+01 1.400e+01 1.540e+01 1.680e+01 1.820e+01 1.960e+01 5.280e+02 8.526e+02 1.177e+03 1.502e+03 1.826e+03 2.151e+03 2.476e+03 2.800e+03 3.125e+03 3.449e+03

(g) Nombre de couches Nl2 (h) Nombre de spires N2

400 450
Lmu2 Ll2
350 400

350
300
300
250
250
200
200
150
150
100
100
50 50

0 0
5.313e+00 1.022e+01 1.513e+01 2.003e+01 2.494e+01 2.985e+01 3.475e+01 3.966e+01 4.457e+01 4.947e+01 7.690e-03 2.511e-02 4.253e-02 5.995e-02 7.737e-02 9.480e-02 1.122e-01 1.296e-01 1.471e-01 1.645e-01

(i) Inductance magnétisante Lmu2 (j) Inductance de fuite Ll2

200 450
Cp2 Vol_Fe
180 400
160 350
140
300
120
250
100
200
80
150
60
40 100

20 50

0 0
1.034e-11 1.051e-11 1.068e-11 1.085e-11 1.101e-11 1.118e-11 1.135e-11 1.152e-11 1.169e-11 1.185e-11 3.330e-05 6.405e-05 9.481e-05 1.256e-04 1.563e-04 1.871e-04 2.178e-04 2.486e-04 2.793e-04 3.101e-04

(k) Capacité parasite Cp2 (l) Volume fer

Figure B.8 – Répartition de la population de la dernière génération pour Ns =6 (k optimal).

166 ANNEXE B. RÉSULTATS DE L’OPTIMISATION
Annexe C

Calculs pour l’alimentation

résonante en régime discontinu

C.1 Les relations utiles au dimensionnement : pertes négli-

gées
C.1.1 Expression de la puissance DBD
Le bilan énergétique qui consiste à égaler la puissance transmise par le générateur et
consommée par le dispositif DBD permet d’écrire :

Pdbd
4mE Q̂dbd = A = , (C.1)
W fourni W utile F

où Q̂dbd correspond à l’amplitude de la charge injectée, m est le rapport de transformation,

E est la tension DC de la source de tension, et A est l’aire englobée par la trajectoire du
point de fonctionnement. En combinant (C.1) avec (1.5), on montre que :
2
4F Cgas Vth
Pdbd = , (C.2)
u−1

où u = Vth /(mE), le rapport entre la tension de claquage et la tension d’entrée vue au

secondaire.

C.1.2 Tension maximale

En combinant les relations (4.1) et (1.4), on montre que :

P ur
 
V̂dbd = Vth + = 1+ Vth , (C.3)
4mF ECdiel u−1

où u = Vth /(mE), le rapport entre la tension de claquage et la tension d’entrée vue au

secondaire.

167
168 ANNEXE C. ALIMENTATION RÉSONANTE DCM : CALCULS

C.1.3 Durée des phases 1 et 2

La durée de ces phases est imposée par les caractéristiques du système. Initialement, à
t = 0, le courant idbd est nul et la tension Vdbd est à sa valeur minimale (−V̂dbd ). La mise
en équation de la charge Qdbd conduit à :

Qdbd (t) = Ceq mE − Ceq (mE + V̂dbd ) cos(ω1 t), (C.4)

p
où ω1 = 1/ LCeq et en dérivant l’expression on a :

idbd (t) = Ceq ω1 (mE + V̂dbd ) sin(ω1 t). (C.5)

La décharge s’amorce lorsque la variation de charge injectée vaut 2Cgas Vth et donc l’instant
de claquage se déduit de :

Ceq (mE + V̂dbd )(1 − cos(ω1 ta )) = 2Cgas Vth

2 ω1 ta (1 + r)Vth
 
⇒ sin =
2 mE + V̂dbd (C.6)
s ! s !
(1 + r)Vth (1 + r)u(u − 1)
⇒ ω1 ta = 2 arcsin = 2 arcsin ,
mE + V̂dbd (C.3) (1 + r)u2 − 1

où u = Vth /(mE). À l’instant t = ta l’évaluation des grandeurs conduit à :

(1 + r)u − (1 + 2r)
Qdbd (ta ) = −Ceq V̂dbd + 2Cgas Vth = Ceq Vth
u−1
= Ceq Vth Q̃dbd (ta ), (C.7)
s s s
Ceq (1 + r)((1 + r)u − 1) Ceq
idbd (ta ) = 2 Vth = Vth ĩdbd (ta ).
L u(u − 1) L
Lorsque t > ta le circuit équivalent change, et une étude électrique similaire à la précédente
montre qu’il existe des constantes B et ψ telles que :
Qdbd (t) = B cos(ω2 (t − ta ) − ψ) + Cdiel (mE − Vth ),
(C.8)
idbd (t) = −Bω2 sin(ω2 (t − ta ) − ψ),
√
où ω2 = 1/ LCdiel . En exprimant la continuité des grandeurs électriques Qdbd et idbd en
t = ta , on montre que :
(
B cos(ψ) + Cdiel (mE − Vth ) = Qdbd (ta )
p (C.9)
B sin(ψ) = LCdiel idbd (ta )
Les écritures ci-dessus peuvent être exprimées en fonction des paramètres réduits adimen-
sionnés ĩdbd (ta ), Q̃dbd (ta ), r et u, ce qui conduit à :

(1 + r)(u − 1)
 
 B cos(ψ) = Q̃dbd (ta ) + Ceq Vth


ru

r (C.10)
 1+r
 B sin(ψ) = Ceq Vth ĩdbd (ta ).


r
C.2. CORRECTION DES BILANS ÉNERGÉTIQUES 169

Notons que vue son expression, B sin(ψ) est positif tandis que le signe de cos(ψ) est a priori
inconnu car le signe de Q̃dbd (ta ) est inconnu. Ainsi, la valeur de ψ est dans l’intervalle
[0, π], et elle est donc déterminée de façon univoque par :
√  (1+r)(u−1)

r Q̃dbd (ta ) + ru
ψ = arccotan  p . (C.11)
(1 + r)ĩdbd (ta )

La phase 1 prend fin lorsque le courant idbd s’annule. Sa durée est donc donnée par :

ψ
tphase1 = ta + , (C.12)
ω2

ce qui s’exprime grâce aux paramètres normalisés par :

" s !
1 (1 + r)u(u − 1)
tphase1 = 2 arcsin
ω1 (1 + r)u2 − 1
√  (1+r)(u−1)
 
r Q̃dbd (ta ) +
r
1+r ru
 . (C.13)
+ arccotan  p
r (1 + r)ĩdbd (ta )

C.1.4 Durée d’allumage

L’amorçage de la décharge se manifeste dans les chronogrammes lors de la rupture de
pente du courant idbd repérée par une ligne pointillée sur Fig. 4.2. La durée d’allumage se
déduit de ton = tphase1 − ta , ce qui conduit à :
√  
r Q̃dbd (ta ) + (1+r)(u−1)
r
1+r ru 1
ton = arccotan  p  . (C.14)
r (1 + r)ĩdbd (ta ) ω1

C.2 Correction des bilans énergétiques

C.2.1 Encadrement du bilan énergétique réel
Le principe est de fournir un encadrement du second terme du membre de droite du
bilan énergétique corrigé ci-dessous :
Z tphase1
4mE Q̂dbd = A + 2Rstot i2dbd dt. (C.15)
0

La valeur idbd étant supposée positive sur [0, tphase1 ], on montre que :
Z tphase1 Z tphase1 Z tphase1
idbd hidbd itphase1 dt ≤ i2dbd dt ≤ max(idbd )idbd dt. (C.16)
0 0 0
170 ANNEXE C. ALIMENTATION RÉSONANTE DCM : CALCULS

L’inégalité
R tphase1 2
de droite est assez évidente et l’inégalité de gauche se déduit en montrant que
R tphase1
0 idbd dt − 0 idbd hidbd itphase1 dt ≥ 0. En effet, le calcul donne :
Z tphase1 Z tphase1
i2dbd dt − idbd hidbd itphase1 dt
0 0
Z tphase1
= idbd (idbd − hidbd itphase1 ) dt
0
Z tphase1 Z tphase1 (C.17)
= (idbd − hidbd itphase1 )2 dt + hidbd itphase1 (idbd − hidbd itphase1 ) dt
0 | {z } |0 {z }
≥0 =0
≥ 0.
En menant le calcul, les inégalités (C.16) donnent :
4Q̂2dbd
Z tphase1
≤ i2dbd dt ≤ 2 max(idbd )Q̂dbd (C.18)
tphase1 0

Cela conduit à deux bilans énergétiques, le premier surestimant les pertes, et l’autre les
sous-estimant. On a :
Q̂2dbd
4mE Q̂dbd = A + 8Rs (sous-estimation) (C.19a)
tphase1
4(mE − Rs max(idbd ))Q̂dbd = A (surestimation) (C.19b)

C.2.2 Correction des expressions : bilan surestimant

C.2.2.a Puissance et tension maximale
Dans le cas du bilan d’énergie (C.19b), la puissance moyenne s’exprime simplement en
substituant le terme mE − Rs max(idbd ) à mE dans (C.2), ce qui conduit à :
2
4F Cgas Vth
sur
Pdbd = (C.20)
u0 − 1
où u0 = Vth /(mE − Rs max(idbd )), et à :
u0 r
 
sur
V̂dbd = 1+ 0 Vth . (C.21)
u −1
Notons que :
1/u = 1/u0 + Rs max(idbd )/Vth . (C.22)
Lorsque l’instant de claquage survient après que le courant ait atteint son maximum,
la valeur de max(idbd ) peut être approximée en considérant le maximum de la réponse
indicielle d’un système d’ordre 2 non amorti (voir en annexe (C.5)). En combinant (C.22)
et (C.5) et en notant β = Rstot max(idbd )/Vth , on montre que :
r
 
β = 2ξ v + +1
1−v+β (C.23)
⇒β 2 + (1 − v − 2ξ(v + 1))β − 2ξ(r + (1 − v 2 )) = 0
C.2. CORRECTION DES BILANS ÉNERGÉTIQUES 171

où :
v = 1/u,
s
Ceq (C.24)
ξ = 0.5Rstot .
m2 L
La résolution de (C.23) conduit à :
s !
1 − v − 2ξ(1 + v) 8ξ(r + (1 − v 2 ))
β= − sign(X) + 1+ . (C.25)
| 2
{z } (1 − v − 2ξ(1 + v))2
X

La valeur de u0 se déduit ensuite de u et β par :

u
u0 = . (C.26)
1 − βu
Ainsi, pour apporter des termes correctifs aux expressions de puissance et de tension, on
calculera la valeur du paramètre β avec (C.25), puis on calculera le paramètre u0 avec
(C.26), et ensuite on calculera Pdbd et V̂dbd grâce à (C.20) et (C.21).

C.2.3 Correction des expressions : bilan sous-estimant

En combinant les relations (4.4a) et (1.5) afin d’éliminer le paramètre Q̂dbd , en utilisant
(C.12) pour exprimer le paramètre tphase1 , et en notant a = A/(4Cgas Vth 2 ) + (1 + r), un

paramètre réduit relatif à l’énergie fournie au dispositif DBD durant une période, on
montre que a vérifie :
θ(u − 1) θ(1 + r)
a2 + a− =0 (C.27)
4ξu 4ξ
où :
s !
(1 + r)u(u − 1)
θ = 2 arcsin
(1 + r)u2 − 1
√  
r Q̃dbd (ta ) + (1+r)(u−1)
r
1+r ru
 . (C.28)
+ arccotan  p
r (1 + r)ĩdbd (ta )

La résolution fait appel à des techniques classiques, et on montre finalement que la puis-
sance corrigée par sous-estimation des pertes s’exprime par :
sous 2
Pdbd = 4F Cgas Vth (a − (1 + r))
s ! !
2 θ |u − 1| 16ξu2 (1 + r) (C.29)
= 4F Cgas Vth 1+ − sign(u − 1) − (1 + r) .
8ξu θ(u − 1)2
La tension maximale atteinte se déduit immédiatement de la combinaison de (C.29), (1.5)
et (1.4). On montre que :
" s !#
sous θ |u − 1|
2 16ξu2 (1 + r)
V̂dbd = 1−r + 1+ − sign(u − 1) Vth (C.30)
8ξu θ(u − 1)2
172 ANNEXE C. ALIMENTATION RÉSONANTE DCM : CALCULS
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