Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

Sommaire

Chapitre I : Amplificateur à base du transistor Bipolaire ........................................................................ 2

I. Généralités sur l’amplification ................................................................................................. 2
I.1 Définition ............................................................................................................................ 2
I.2 Caractéristique d’un amplificateur ................................................................................. 2
II. Etude fréquentielles de l’amplificateur à base du transistor bipolaire ............................ 4
II.1 Amplificateur en basses fréquence ................................................................................... 4
II.1.1 Influence de la capacité de liaison (couplage) ............................................................. 4
a. Influence de la capacité de liaison 𝑪𝒈 en basse fréquence ................................................. 5
b. Rappel sur les filtres .............................................................................................................. 7
c. Influence de la capacité de liaison 𝑪𝟎 en basse fréquence ............................................... 16
II.2 Amplificateur en haute fréquence .................................................................................. 17
a. Modèle équivalent en haute fréquence du transistor bipolaire ....................................... 17
b. Rappel sur théorème de MILLER ..................................................................................... 19
c. Montage émetteur commun en HF .................................................................................... 19
III. Etude fréquentielles de l’amplificateur à base du transistor JFET ................................ 24
III.2 JFET en basse fréquence ................................................................................................ 24
a. Influence de la capacité de liaison à l’entrée ..................................................................... 24
III.2 JFET en haute fréquence ................................................................................................ 27
a. Montage Source commune en HF ...................................................................................... 27

1 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

Chapitre I : Amplificateur à base du transistor Bipolaire

I. Généralités sur l’amplification

I.1 Définition
Un amplificateur est un circuit actif capable d’amplifier un signal d’entrée, amplifier signifiant
augmenter la puissance du signal.
Le schéma synoptique d’un circuit d’amplification est présenté par la figure ci-dessous :

Figure 1: Schéma synoptique d'un circuit amplificateur

• Alimentation: l’amplificateur est alimenté par une ou plusieurs sources de tensions

continues. Le rôle de l’alimentation est de polariser les éléments actifs.
• L’entrée de l’amplificateur peut-être une antenne, un circuit électronique ou un capteur
qui transforme un phénomène physique en une énergie électrique. Dans plusieurs cas,
cette énergie est de faible puissance et par conséquent, elle doit être amplifiée avant de
l’envoyer à la charge.
• La charge est un récepteur représenté par une impédance tel que par exemple un haut-
parleur ….

I.2 Caractéristique d’un amplificateur

Tout amplificateur peut dans la réalité, être représenté par le schéma de la figure 2 :

Figure 2: le circuit réel d'un amplificateur

2 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

• Le signal d’entré: est représenté par un générateur de tension variable 𝐞𝐠 et de résistance

interne 𝐑 𝐠 .
• L’amplificateur : est représenté par un quadripôle possédant les éléments des grandeurs
caractéristiques comme l’impédance d’entrée 𝐙𝐞 , l’impédance de sortie 𝐙𝐬 , le gain en
tension à vide (sans charge) 𝐀 𝐯𝟎
• La charge : est représenté par une impédance 𝐑 𝐜 .

Décrivons dans ce qui suit les grandeurs qui caractérisent un amplificateur.

a. Gain en tension « 𝑨𝒗 »
Le gain en tension est le rapport entre la tension de la sortie et la tension à l’entrée de
l’amplificateur :
𝒗𝒔
𝑨𝐯 =
𝒗𝒆
b. Impédance d’entrée « 𝒁𝒆 »
On appelle impédance d'entrée, l'impédance que verrait un montage branché en entrée
d’amplificateur avec sa charge 𝒁𝒆
𝒗𝒆
𝐙𝐞 = 𝒊𝒆

c. Impédance de sortie « 𝒁𝒔 »
On appelle impédance de sortie, l’impédance vue entre la sortie de l’amplificateur et la masse
à vide (sans charge), quand on passive les générateurs non liés :
𝒗𝒔
𝐙𝐬 = |𝒗𝒆 =0, à vide
𝒊𝒔

d. Bande passante
Tout amplificateur possède une plage d’utilisation limitée en fréquence appelée « bande
passante » (voir figure 3).

Figure 3: courbe de variation du Gain en fonction de la fréquence

On appelle fréquence de coupure haute, 𝑓𝐶𝐻 , la fréquence au-dessus de laquelle le gain en

tension commence à chuter.

3 Cours d’Electronique Analogique

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La fréquence de coupure basse, 𝑓𝐶𝐵 , est la fréquence au-dessous de laquelle le gain en tension
commence à chuter.
La figure14 représentant le gain G en fonction de la fréquence présente trois zones :
• Zone (2) Moyenne fréquence 𝐟𝐂𝐁 < 𝒇 < 𝐟𝐂𝐇 : dans cette zone le gain reste toujours
constant quel que soit la variation de la fréquence (aucun condensateur n’influe)
• Zone (1) Basse fréquence 𝐟 < 𝐟𝐂𝐁 dans cette zone les condensateurs externes de liaisons
et de découplages interviennent en diminuant le gain
• Zone (3) Haute fréquence 𝒇 > 𝐟𝐂𝐇 : dans cette zone les condensateurs interne du
transistor interviennent en diminuant le gain
II. Etude fréquentielles de l’amplificateur à base du transistor bipolaire
II.1 Amplificateur en basses fréquence
Dans cette partie nous nous intéressons à la 1ère zone c.-à-d. aux basses fréquences
Pour faire l’étude aux basses fréquences ; nous devons connaitre deux choses :
✓ Le schéma équivalent du transistor en basse fréquence est identique à celui utilisé en
moyenne fréquence.

✓ Les condensateur externes (condensateurs de liaisons et de découplage) présente une

impédance non négligeable (donc ne joue pas le rôle d’un fil).
Les condensateurs externes imposent au circuit une fréquence basse limite 𝐟𝐂𝐁 en
dessous de laquelle le signal diminue.

II.1.1 Influence de la capacité de liaison (couplage)

A. Etude 1

Nous prendrons comme exemple le montage émetteur commun. L’amplificateur peut se

modéliser par le schéma équivalent incluant les condensateurs de liaison d’entrée et de sortie
comme le montre la figure.

4 Cours d’Electronique Analogique

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Figure 4 : Montage émetteur commun en basse fréquence

a. Influence de la capacité de liaison 𝑪𝒈 en basse fréquence

Nous supposons qu’aux fréquences considérées, l’impédance de la capacité de découplage
Ce et de la capacité de liaison C0 sont nul, le schéma équivalent du montage en dynamique
devient.

Figure 5
𝐯𝐬 𝐯𝐬 𝐯𝐞
En calculant le gain composite, on trouve : 𝐀𝐯𝐜 (𝛚) = = ∗
𝐞𝐠 𝐯𝐞 𝐞𝐠
vs
✓ Calcul de :
ve
En utilisant la maille d’entrée on a 𝒗𝒆 = 𝒉𝟏𝟏 𝒊𝒃
En utilisant la maille de sortie on a 𝒗𝒔 = −(𝑹𝑪 // 𝑹𝑳 )β 𝒊𝒃
vs β 𝑹𝑪 //𝑹𝑳
D’où : =− = 𝐀𝐯 (𝐌𝑭)
ve 𝒉𝟏𝟏
ve
✓ Calcul de :
eg
En appliquant le diviseur de tension au niveau de la maille d’entrée on a :
𝑹𝑩 //𝒉𝟏𝟏
𝐯𝐞 = eg
1
𝑹𝑩 //𝒉𝟏𝟏 + Rg +
𝐣𝐂𝐠 𝛚
On pose Ze = 𝑹𝑩 //𝒉𝟏𝟏

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ve Ze Ze
Donc = 1 = 1
eg Ze +Rg + (Ze +Rg )(1+ )
𝐣𝐂𝐠 𝛚 𝐣(Ze +Rg )𝐂𝐠 𝛚

ve Ze 1 Ze 𝐣(Ze +Rg )𝐂𝐠 𝛚

= * 1+ j(Ze+Rg)𝐂𝐠𝛚 = ∗
eg Ze +Rg Ze +Rg 1+𝐣(Ze +Rg )𝐂𝐠 𝛚
𝐣(Ze +Rg )𝐂𝐠 𝛚

𝛚
ve Ze j
𝟏 𝛚0
On pose ω0 = (Z l’expression devient = ∗ 𝛚
e +Rg )𝐂𝐠 eg Ze +Rg 1+j
𝛚0

𝝎
𝑍𝑒 𝑗𝝎
D’où l’expression du gain composite est 𝑨𝒗𝒄 (𝝎)=𝑨𝒗 (𝑴𝑭) ∗ ∗ 1+𝑗0𝝎
𝑍𝑒 +𝑟𝑔 𝝎0

𝑍𝑒
Or on a 𝑨𝒗𝒄 (𝑴𝑭) = 𝑨𝒗 (𝑴𝑭) ∗
𝑍𝑒 +𝑅𝑔
𝝎
𝑗 𝛚𝟎
𝝎0
Donc 𝑨𝒗𝒄 (𝝎)=𝑨𝒗𝒄 (𝑴𝑭) ∗ 𝝎 avec 𝐟𝐂𝐁 =
1+𝑗 𝟐𝛑
𝝎0

Le système se comporte comme un filtre passe-haut dont la fréquence de coupure est fCB .
B. Etude 2

Au moyennes fréquences les caractéristiques du montage émetteur commun sont :

β𝑹𝑪
Gain en tension à vide : 𝑨𝐯𝟎 = − 𝒉
𝟏𝟏

𝐯 β(𝑹𝑪 //(𝑹𝑳 )
Gain en tension : 𝑨𝐯 = 𝐯𝐬 = −
𝐞 𝒉𝟏𝟏
𝐯 𝐯 𝐯
Gain en tension composite : 𝐀 𝐯𝐜 (𝛚) = 𝐞𝐬 =𝐯𝐬 ∗ 𝐞𝐞
𝐠 𝐞 𝐠

𝐯𝐬 𝐯
or on a = 𝑨𝐯 et pour calculer le rapport 𝐞𝐞 , nous utilisons le diviseur de tension au
𝐯𝐞 𝐠
ve 𝑍𝑒
niveau de la maille d’entrée, on trouve =𝑍
eg 𝑒 +𝑅𝑔

𝒁𝒆
donc le gain composite est 𝐀 𝐯𝐜 (𝛚) = 𝑨𝐯 *𝒁
𝒆 +𝑹𝒈

Impédance d’entrée : Ze = h11 // R B

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Impédance de sortie : 𝑍𝑠 = 𝑅𝑐

En basse fréquence l’amplificateur se modélise par le schéma de la figure 7 incluant le

condensateur de liaison d’entrée𝐂𝐠 en négligeant l’effet des autres capacités :

Figure 6: amplificateur avec l’influence de la capacité de liaison 𝑪𝒈 en basse fréquence

En calculant le gain composite, on trouve :

𝑣 𝑣 𝑣𝑒
𝑨𝒗𝒄 (𝝎)=𝑣𝑠 ∗ 𝑒𝑒 = 𝑨𝒗 (𝑴𝑭) ∗ (a)
𝑒 𝑔 𝑒𝑔

En appliquant le diviseur de tension au niveau de la maille d’entrée on a :

Ze ve Ze Ze
𝐯𝐞 = 1 eg donc = 1 = 1
Ze +Rg + eg Ze +Rg + (Ze +Rg )(1+ )
𝐣𝐂𝐠 𝛚 𝐣𝐂𝐠 𝛚 𝐣(Ze +Rg )𝐂𝐠 𝛚

ve Ze 1 Ze 𝐣(Ze +Rg )𝐂𝐠 𝛚

= * 1+ j(Ze+Rg)𝐂𝐠𝛚 = ∗
eg Ze +Rg Ze +Rg 1+𝐣(Ze +Rg )𝐂𝐠 𝛚
𝐣(Ze +Rg )𝐂𝐠 𝛚

𝛚
ve Ze j
𝟏 𝛚0
On pose ω0 = (Z l’expression devient = ∗ 𝛚
e +Rg )𝐂𝐠 eg Ze +Rg 1+j
𝛚0

𝝎
𝑍𝑒 𝑗𝝎
D’où l’expression du gain composite est 𝑨𝒗𝒄 (𝝎)=𝑨𝒗 (𝑴𝑭) ∗ ∗ 1+𝑗0𝝎
𝑍𝑒 +𝑟𝑔 𝝎0

𝑍𝑒
Or on a 𝑨𝒗𝒄 (𝑴𝑭) = 𝑨𝒗 (𝑴𝑭) ∗
𝑍𝑒 +𝑅𝑔
𝝎
𝑗 𝛚𝟎
𝝎0
Donc 𝑨𝒗𝒄 (𝝎)=𝑨𝒗𝒄 (𝑴𝑭) ∗ 𝝎 avec 𝐟𝐂𝐁 =
1+𝑗 𝟐𝛑
𝝎0

Le système se comporte comme un filtre passe-haut dont la fréquence de coupure est fCB .
b. Rappel sur les filtres
i. Définition
Lors de l'amplification ou du transfert d'un signal, des tensions parasites, de fréquences
différentes, peuvent aussi être amplifiées ou transmises. Un filtre est un quadripôle qui,

7 Cours d’Electronique Analogique

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correctement choisi, permet d'éliminer les signaux parasites en ne laissant passer que le signal
utile. On distingue quatre types de filtres :
• Filtre passe-bas : laisse passer les signaux de basses fréquences inférieur à 𝑓𝐶 𝐵 . Les
signaux de fréquences supérieur à 𝑓𝐶 𝐵 sont atténué,

Figure 7: Filtre passe-bas

• Filtre passe-haut : cette fois les signaux de hautes fréquences sont transmis sans
atténuation,

Figure 8: Filtre passe-haut

• Filtre passe-bande : les signaux transmis ont des fréquences comprises entre
𝑓𝐶 𝐵 𝑒𝑡 𝑓𝐶𝐻 . En dehors de la bande passante, les signaux sont éliminés

Figure 9: filtre passe bande

• Filtre coupe-bande (ou réjecteur de fréquences) : c'est l'opposé du filtre passe-bande ;

toutes les fréquences passent, exceptées celles qui sont comprises entre 𝑓𝐶 𝐵 𝑒𝑡 𝑓𝐶𝐵 .

Figure 10: Filtre coupe-bande

ii. Fonction du transfert T(jω)

8 Cours d’Electronique Analogique

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La fonction du transfert montre comment varie le signal de sortie par rapport au signal d’entrée.
Sortie v
La fonction de transfert complexe peut toujours s'écrire sous la forme: T(jω)=Entrée = vs
e

La forme canonique de la fonction du transfert d’un filtre passe bas s’écrit sous la forme :
1
𝑮𝒗 (𝐣𝝎)=𝑮𝟎 ∗ 𝝎
1+𝑗
𝝎𝑐

Et la forme canonique de la fonction du transfert d’un filtre passe haut s’écrit sous la forme :
𝝎
𝑗
𝝎𝑐
𝑮𝒗 (𝐣𝝎)=𝑮𝟎 ∗ 𝝎
1+𝑗
𝝎𝑐

Avec Avec 𝐆𝟎 = Gain statique (gain du plat) et 𝛚0 = 𝛚C = pulsation de coupure

• Gain en décibel 𝐺(𝑑𝑏) :
La fréquence peut varier de quelques Hertz à des centaines de kiloHertz; de même l'amplitude
de la tension de sortie peut varier jusqu'à un facteur 1000; il est donc commode d'utiliser une
échelle logarithmique, ou semi-logarithmique en fréquence, pour représenter les graphes de la
fonction de transfert. On définit alors les gains en décibels :
𝑮(𝒅𝒃) = 𝟐𝟎𝒍𝒐𝒈𝟏𝟎 (|𝑮𝐯 (𝐣𝝎)|)
• Fréquence de coupure 𝒇𝒄
La fréquence de coupure d'un filtre est la fréquence pour laquelle le signal de sortie est atténué
de -3dB, c'est-à-dire que son amplitude est réduite d'un facteur de 71% de l'amplitude du signal
d'entrée.
𝐺𝑑𝑏 − 3𝑑𝑏 = 20log10 (|𝑨𝐯𝐜 (𝛚)|) − 3𝑑𝑏 𝑒𝑛 𝑑𝑒𝑐𝑖𝑏𝑒𝑙
𝐟𝑐 → { 𝐯𝐜 (𝛚)|𝑚𝑎𝑥
|𝑨
𝑒𝑛 𝑙𝑖𝑛é𝑎𝑖𝑟𝑒
√2

• Diagramme de Bode :
La fonction de transfert T(jω) est une grandeur complexe caractérisée par une amplitude et une
phase : 𝑮𝒗 (jω)=|𝑮𝐯 (𝐣𝛚)|𝑒 𝑗𝜔𝑡
Pour faire l’étude de T(jω), il faut faire l’étude du module et de la phase en utilisant le
diagramme de bode.
La représentation dans le plan de Bode se définit par les deux diagrammes suivants :
1) Courbe d’amplitude (diagramme d’amplitude): le module de la fonction de transfert
exprimé en décibels en fonction de log(𝐟𝐜 ) ou en fonction de log (𝝎𝐜 ): 𝑮(𝒅𝒃) = 𝐟(𝐥𝐨𝐠 𝝎𝒄 )
2) Courbe de phase (diagramme de phase): la phase de la fonction de transfert en fonction
de log(𝐟𝐜 ) ou en fonction de log (𝝎𝐜 ): φ=𝐟(𝐥𝐨𝐠 𝝎𝒄 )

iii. Etude d’un filtre passe haut

• Diagramme de bode en amplitude

La forme canonique de la fonction du transfert d’un filtre passe haut s’écrit sous la forme :

9 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

𝝎
𝑗
𝝎𝑐
𝑮𝒗 (𝐣𝝎)=𝑮𝟎 ∗ 𝝎
1+𝑗
𝝎𝑐
Pour faire l’étude asymptotique il faut suivre les étapes suivantes:
1. Calcul du module de la fonction du transfert |𝑮𝒗 (𝐣𝝎)|
𝜔 𝜔 𝜔
𝑗 𝑗
𝜔𝑐 𝜔c 𝜔𝑐
|𝐺v (jω)|= |𝑮𝟎 𝜔 |= |𝑮𝟎 | ∗ | 𝜔 |= |𝑮𝟎 |* 𝜔
1+𝑗 1+𝑗
𝜔𝑐 𝜔c √1+(𝜔 )2
𝑐

2. Calcul du gain en décibel G(db)

ω
𝜔c
𝐺(𝑑𝑏) = 20log10 (|𝑮𝐯 (𝒋ω)|) = 20log10 (|𝑮𝟎 | ∗
ω 2
√1 + ( )
𝜔𝑐 )

3. Etude asymptotique
Pour faire l’étude asymptotique, nous devons faire l’étude selon deux cas :
• Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐
• Si 𝛚 ≪ 𝜔𝑐

➢ Si 𝛚 ≪ 𝜔𝑐
𝛚
𝜔𝑐 𝛚
On a 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 (|𝐴vc (MF)| ∗ 2
, dans ce cas le rapport est négligeable devant1
𝝎𝒄
√1+( 𝛚 )
𝜔𝑐

𝛚 𝛚
Donc 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 (|𝐴vc (MF)| ∗ 𝜔 )=20log10 |𝐴vc (MF)| + 20log10 (𝜔 )
𝑐 𝑐

𝐺𝑑𝑏 = 20log10 𝛚 + 20log10 |𝐴vc (MF)| − 20log10 𝜔𝑐

Il s’agit d’une asymptote oblique. Pour le tracer nous devons avoir 2 points :
✓ Si 𝛚 = 𝜔𝑐 → 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 |𝐴vc (MF)|
𝜔 𝜔
✓ Si 𝛚 = 10𝑐 → 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 10𝑐 + 20log10 |𝐴vc (MF)| − 20log10 𝜔𝑐
=20log10 𝜔𝑐 − 20log10 10 + 20log10 |𝐴vc (MF)| − 20log10 𝜔𝑐
=−20log10 10 + 20log10 |𝐴vc (MF)|
=−20 + 20log10 |𝐴vc (MF)|

➢ Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐
𝛚
𝜔𝑐
On a 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 (|𝐴vc (MF)| ∗ , dans ce cas le rapport𝟏 est négligeable
𝛚 2
√1+( )
𝜔𝑐
𝛚
devant 𝝎
𝒄

10 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

𝛚
𝜔𝑐
Donc 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 (|𝐴vc (MF)| ∗ )=20log10 (|𝐴vc (MF)|. Il s’agit d’une
𝛚 2
√( )
𝜔𝑐
asymptote horizontale.

Figure 11: courbe du gain d’un filtre passe haut

Après le tracé nous devons faire sortir les caractéristiques du filtre :

✓ Gain maximal : 𝐺𝑑𝑏𝑚𝑎𝑥 = 20log10 (|𝐺0 |)

✓ Fréquence de coupure : elle correspond à 𝐺(𝑑𝑏)𝑚𝑎𝑥 − 3𝑑𝑏
✓ Bande passant : [𝑓𝑐 , ∞]
𝑓
𝐺𝑑𝑏( 𝑓𝑐 )−𝐺𝑑𝑏 ( 𝑐 ) 20log10 (|𝐺0 |)+20−20log10 (|𝐺0 |)
10
✓ Pente en décibel = 𝑓 = 𝑓 =+20 db/décade
𝑓𝑐 − 𝑐 𝑓𝑐 − 𝑐
10 10

On rappel la décade est un intervalle de 10 et l’octave est un intervalle de 2

• Diagramme de bode en phase

𝝎
𝑗
𝝎𝑐
𝑮𝒗 (𝐣𝝎)=𝑮𝟎 ∗ 𝝎
1+𝑗
𝝎𝑐

11 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

1. L‘expression de la phase
𝝎 𝝎
φ = arg (𝑮𝒗 (𝐣𝝎)) = arg (𝑮𝟎 ) + arg (𝑗 ) − arg (1 + 𝑗 )
𝝎𝑐 𝝎𝑐

arg (𝑮𝟎 ) = 0 𝑐𝑎𝑟 (𝑮𝟎 𝒆𝒔𝒕 𝒓é𝒆𝒍)

ω
ω Imaginaire ωc π
arg (j ) = arctg ( ) = arctg ( ) = arctg(∞) =
ωc réel 0 2

ω
𝝎 ω
arg (1 + 𝑗 𝝎 )= arctg ( ω1𝑐 ) = arctg (ω )
0 c

𝝎 𝝎 𝛑 𝛚
donc φ =arg (𝑮𝟎 ) + arg (𝑗 𝝎 ) − arg (1 + 𝑗 𝝎 ) = 𝟐- 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠 (𝛚 )
𝑐 𝑐 𝐜

2. étude asymptotique
𝛑 𝛑
➢ Si 𝛚 ≪ 𝜔𝑐 on a φ= 𝟐- 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠(𝟎) = 𝟐
𝛑
➢ Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐 on a φ= 𝟐- 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠(∞) = 𝟎
𝛑 𝛑
➢ Si 𝛚 = 𝜔𝑐 φ= 𝟐- 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠(𝟏) = 𝟒

Figure 12: diagramme de phase d'un filtre passe haut

iv. Etude d’un filtre passe bas

• Diagramme de bode en amplitude

La forme canonique de la fonction du transfert d’un filtre passe bas s’écrit sous la forme :
1
𝑮𝒗 (𝐣𝝎)=𝑮𝟎 ∗ 𝝎
1+𝑗𝝎
𝑐

Pour faire l’étude asymptotique il faut suivre les étapes suivantes:

12 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

1. Calcul du module de la fonction du transfert |𝑮𝒗 (𝐣𝝎)|

1 1 1
|𝐺v (jω)|= |𝑮𝟎 𝜔 |= |𝑮𝟎 | ∗ | 𝜔 |= |𝑮𝟎 |* 𝜔
1+𝑗 1+𝑗
𝜔𝑐 𝜔c √1+(𝜔 )2
𝑐

2. Calcul du gain en décibel G(db)

1
𝐺(𝑑𝑏) = 20log10 (|𝑮𝐯 (𝒋ω)|) = 20log10 (|𝑮𝟎 | ∗
ω 2
√1 + ( )
𝜔𝑐 )

3. Etude asymptotique
Pour faire l’étude asymptotique, nous devons faire l’étude selon deux cas :
• Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐
• Si 𝛚 ≪ 𝜔𝑐

➢ Si 𝛚 ≪ 𝜔𝑐
1 𝛚
On a 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 (|𝐴vc (MF)| ∗ , dans ce cas le rapport𝝎 est négligeable
𝛚 2 𝒄
√1+( )
𝜔𝑐
devant 𝟏
1
Donc 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 (|𝐴vc (MF)| ∗ )=20log10 (|𝐴vc (MF)|. Il s’agit d’une
√1
asymptote horizontale.
➢ Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐
1 𝛚
On a 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 (|𝐴vc (MF)| ∗ 2
, dans ce cas le rapport 𝟏 est négligeable devant 𝝎
√1+( 𝛚 ) 𝒄
𝜔𝑐

1 𝜔
Donc 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 (|𝐴vc (MF)| ∗ 2
)=20log10 |𝐴vc (MF)| + 20log10 ( 𝛚𝑐)
√( 𝛚 )
𝜔𝑐

𝐺𝑑𝑏 = −20log10 𝛚 + 20log10 |𝐴vc (MF)| + 20log10 𝜔𝑐

Il s’agit d’une asymptote oblique. Pour le tracer nous devons avoir 2 points :
✓ Si 𝛚 = 𝜔𝑐 → 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 |𝐴vc (MF)|
✓ Si 𝛚 = 𝟏𝟎𝜔𝑐 → 𝐺𝑑𝑏 = 20log10 10𝜔𝑐 + 20log10 |𝐴vc (MF)| + 20log10 𝜔𝑐
=−20log10 𝜔𝑐 − 20log10 10 + 20log10 |𝐴vc (MF)| + 20log10 𝜔𝑐
=−20log10 10 + 20log10 |𝐴vc (MF)|
=−20 + 20log10|𝐴vc (MF)|

13 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

Figure 13: courbe du gain d’un filtre passe bas

Après le tracé nous devons faire sortir les caractéristiques du filtre :

✓ Gain maximal : 𝐺𝑑𝑏𝑚𝑎𝑥 = 20log10 (|𝐺0 |)

✓ Fréquence de coupure : elle correspond à 𝐺(𝑑𝑏)𝑚𝑎𝑥 − 3𝑑𝑏
✓ Bande passant : [0, 𝑓𝑐 ]
𝐺𝑑𝑏( 10𝑓𝑐 )−𝐺𝑑𝑏 (𝑓𝑐 ) 20log10 (|𝐺0 |)−20−20log10 (|𝐺0 |)
✓ Pente en décibel/décade = =
10𝑓𝑐 −𝑓𝑐 décade

=-20db/décade
• Diagramme de bode en phase
1
𝑮𝒗 (𝐣𝝎)=𝑮𝟎 ∗ 𝝎
1+𝑗𝝎
𝑐

1. L‘expression de la phase
𝝎
φ = arg (𝑮𝒗 (𝐣𝝎)) = arg (𝑮𝟎 ) + arg (1) − arg (1 + 𝑗 )
𝝎𝑐

arg (G0 ) = 0 car (G0 est réel)

arg (1) = 0
ω
𝝎 ω
arg (1 + 𝑗 𝝎 )= arctg ( ω1c ) = arctg (ω )
𝑐 c

𝝎 𝛚
donc φ = arg (𝑮𝟎 ) + arg (1) − arg (1 + 𝑗 𝝎 ) =- 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠 (𝛚 )
𝑐 𝐜

2. étude asymptotique

14 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

➢ Si 𝛚 ≪ 𝜔𝑐 on a φ= 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠(𝟎) = 𝟎
𝛑
➢ Si 𝛚 ≫ 𝜔𝑐 on a φ= 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠(∞) = − 𝟐
𝛑
➢ Si 𝛚 = 𝜔𝑐 φ= 𝐚𝐫𝐜𝐭𝐠(𝟏) = − 𝟒

Figure 14: diagramme de phase d'un filtre passe-bas

Maintenant, nous pouvons faire l’étude du montage EC en basse fréquence, nous avons trouvé
que L’amplificateur EC en basses fréquences se comporte comme un filtre passe haut :
𝝎
𝑗
𝝎0
𝑨𝒗𝒄 (𝝎)=𝑨𝒗𝒄 (𝑴𝑭) ∗ 𝝎 .
1+𝑗
𝝎0

décade

15 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

Après le tracé nous devons faire sortir les caractéristiques du filtre :

✓ Gain maximal : 𝐺𝑑𝑏𝑚𝑎𝑥 = 20log10 (|𝐴vc (𝑀𝐹|)

✓ Fréquence de coupure : elle correspond à 𝐺(𝑑𝑏)𝑚𝑎𝑥 − 3𝑑𝑏
✓ Bande passant : [𝑓𝑐 , ∞]
𝑓
𝐺𝑑𝑏( 𝑓𝑐 )−𝐺𝑑𝑏 ( 𝑐 )
10
✓ Pente en décibel = 𝑓 =20db/décade
𝑓𝑐 − 𝑐
10

c. Influence de la capacité de liaison 𝑪𝟎 en basse fréquence

L’amplificateur se modélise par le schéma de la figure 24 incluant le condensateur de liaison de

sortie en négligeant l’effet des autres capacités:

Figure 15: amplificateur avec l’influence de la capacité de liaison 𝑪𝟎 en basse fréquence

En calculant le gain composite, on trouve :

𝑣 𝑣 𝒗𝒔 𝑨𝑽𝑶 𝒗𝒆 𝒗
𝑨𝒗𝒄 (𝝎)=𝑒 𝑠 ∗ 𝑒𝑒 = 𝑨 ∗ ∗ 𝒆 𝒆 (b)
𝑔 𝑔 𝑽𝑶 𝒗𝒆 𝒗𝒆 𝒈

16 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

Ze
En appliquant le diviseur de tension au niveau de la maille d’entrée on a : 𝐯𝐞 = e
Ze +Rg g
ve Ze
donc =
eg Ze +Rg

En appliquant le diviseur de tension au niveau de la maille de sortie on a :

𝒗𝒔 𝑹𝑳 𝑹𝑳 𝑹𝑳 𝟏
𝑨𝑽𝑶 ∗𝒗𝒆
= 1 = 1
= *
𝒁𝒔 +𝑹𝑳 1+ 𝒋(𝒁𝒔+𝑹𝑳 )𝑪𝟎 𝝎
𝒁𝒔 +𝑹𝑳 + (𝒁𝒔 +𝑹𝑳 )(𝟏+ )
𝒋𝑪𝟎 𝝎 𝒋(𝒁𝒔 +𝑹𝑳 )𝑪𝟎 𝝎 𝒋(𝒁𝒔 +𝑹𝑳 )𝑪𝟎 𝝎

vs Zs j(Zs + R L )C0 ω
= ∗
AVO ∗ ve Zs + R L 1 + j(Zs + R L )C0 ω
𝟏
On pose ω0 = (Z
s +RL )𝐂𝟎

𝛚
Z j
vs 𝛚0
l’expression devient = s
AVO ∗ve Zs +RL
∗ 𝛚
1+j
𝛚0

ω
-RC β RL Ze j
ω0
D’où l’expression du gain composite est Avc (ω)= ∗ ∗ ∗ ω
h11 RC +RL Ze +Rg 1+j
ω0

-𝑅𝐶 β 𝑅𝐿 𝑍𝑒
Or on a 𝑨𝒗𝒄 (𝑴𝑭) = ∗ ∗
𝒉𝟏𝟏 𝑅𝐶 +𝑅𝐿 𝑍𝑒 +𝑅𝑔
𝝎
𝑗
𝝎0
Donc 𝑨𝒗𝒄 (𝝎)=𝑨𝒗𝒄 (𝑴𝑭) ∗ 𝝎
1+𝑗
𝝎0

Le système se comporte comme un filtre passe-haut dont la fréquence de coupure est 𝐟𝐂𝐁 =
𝛚𝟎
. Le tracé diagramme de bode est identique à celui traité précédemment.
𝟐𝛑

II.2 Amplificateur en haute fréquence

Tout ce qui a été présenté jusqu'à présent ne concerne que le fonctionnement à basse et moyenne
fréquence (inférieure à quelques centaines de kHz).
Lorsque la fréquence de travail n’excède pas quelques centaines de kHz, les relations entre
grandeurs caractéristiques des différents composants (transistors amplificateurs,) sont des
relations linéaires à coefficients réels.
Pour des fréquences plus élevées, on utilise un schéma équivalent du transistor différent,
rendant mieux compte de ce qui se passe physiquement. Ce modèle introduit des capacités
parasites, et donc, les paramètres du transistor deviennent complexes.
a. Modèle équivalent en haute fréquence du transistor bipolaire

En haute Fréquence, il faut tenir compte des capacités intrinsèques du transistor qui sont dues
principalement aux deux jonctions Base Collecteur polarisée en inverse et Base Emetteur
polarisé en directe comme le montre la figure.

17 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

Figure 16: structure des jonction en haute fréquence

On introduit un point B' entre base et émetteur qui n'existe pas physiquement. Ce point
représente la base réelle de la jonction. Le point B représente le contact de la base.
Le modèle équivalent en haute fréquence du transistor bipolaire est Le modèle de Giacoletto

Figure 17: Le modèle de Giacoletto

𝑪𝑩′ 𝑬 : C’est une capacité de diffusion de la jonction base/émetteur polarisée en directe. Elle est
proportionnelle au courant qui traverse la jonction base émetteur. Sa valeur est de qq 10pF.
𝑪𝑩′ 𝐶 : C’est une capacité de transition de la jonction base/collecteur polarisé en inverse. Elle
est proportionnelle à la tension 𝑉𝑩′ 𝐶 . Sa valeur est de qq pF pour les transistors de faible
puissance jusqu’à qq 100pF pour les transistors de puissance.
rB𝑩′ : C’est la résistance de contact de l’élément semi-conducteur entre l’électrode B et le point
interne B’ se trouvant à la limite de la jonction de l’émetteur. La base B’, appelée base
intrinsèque, n’est pas accessible physiquement. Sa valeur est de qq 10 Ω.
𝑟𝑩′ 𝐸 = ℎ11 : résistance base/émetteur
1
𝑟𝐶𝐸 = : résistance collecteur/émetteur
ℎ22
𝑟𝑩′ 𝐶 : résistance base/collecteur de qq MΩ. Cette résistance est équivalente à un circuit
ouvert.
β= ℎ21 : gain en courant du transistor.
h h
g m = h21 = r 21 : 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑡𝑎𝑛𝑐𝑒 de qq 100 mA/V.
11 B′ E

Sachant que la valeur de 𝑟𝑩′ 𝐶 est de qq MΩ. Cette résistance est équivalente à un circuit ouvert.
Donc le modèle de Giacoletto devient :

18 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

Figure 18: le modèle simplifié de Giacoletto

En se reportant à la figure 26, Le condensateur 𝐶𝑩′ 𝐶 (appelée aussi capacité Mille) est placée
entre l'entrée et la sortie du transistor. En haute fréquence, elle réinjecte le signal amplifié vers
l'entrée. L'analyse est dans ce cas particulièrement complexe car cette capacité intervient à la
fois dans le circuit de sortie et d'entrée. Le théorème de Miller permet de fractionner cette
capacité entre le circuit d'entrée et celui de sortie de sorte à simplifier l'analyse.
b. Rappel sur théorème de MILLER
Si on place une impédance entre l'entrée et la sortie d'un amplificateur de gain A, cette
impédance peut se partager de part et d'autre de l'amplificateur à deux impédances 𝑍𝑒𝑚 en
parallèle sur l'entrée et 𝑍𝑠𝑚 en parallèle sur la sortie

Figure 19: Effet MILLER

Ces deux impédances équivalentes en entrée et en sortie de l’amplificateur peuvent être

retrouvées à l’aide des relations suivantes :
Z
✓ 𝑍𝑒𝑚 =
1−A
Z∗A
✓ 𝑍𝑠𝑚 =
A−1

c. Montage émetteur commun en HF

Soit le schéma suivant :

19 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

Les condensateurs de liaison et de découplage sont considérés comme des fils en haute
1
fréquence. Car 𝑍𝐶 = 𝐣𝐂𝛚 →0

Si on néglige la résistance de contact 𝒓𝐁𝑩′ ' Le schéma équivalent du transistor est donné par:

Le schéma équivalent total du montage est le suivant où on néglige la résistance de contact 𝒓𝐁𝑩′
de la base (les points B et B’ seront confondus)

Figure 20: Le schéma équivalent total du montage EC en haute fréquence

𝒐𝒏 𝒑𝒐𝒔𝒆 : 𝑹𝑩𝒆𝒒 =𝑹𝑩 //𝒓𝑩′ 𝑬 𝑬𝑻 𝑹𝑪𝒆𝒒 =𝑹𝑪 //𝒓𝑪𝑬 //𝑹𝑳

Le schéma équivalent total du montage devient :

20 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

Dans ce cas précis, il convient d'appliquer le théorème de Miller qui permet de répartir la
capacité 𝐶𝑩′ 𝐶 entre l'entrée B et la sortie C de l'amplificateur. Pour cela, nous devons d'abord
calculer le gain en tension de l'étage (gain maximum dans la bande passante, sans les capacités).
En débranchant les capacités 𝐶𝑩′ 𝐶 et 𝐶𝑩′ 𝐸 le schéma équivalent devient

Le gain maximum du montage émetteur commun est donné par la relation :

𝒗𝒔
𝑨𝐯𝟎 =
𝒗𝒆
𝒗𝒔 = −𝒈𝐦 𝒗𝒃𝒆 ∗ 𝑹𝑪𝒆𝒒 𝒆𝒕 𝒗𝒆 = 𝒗𝒃𝒆 . Donc Le gain maximum du montage est :
𝑨𝐯𝟎 = −𝒈𝐦 ∗ 𝑹𝑪𝒆𝒒

En utilisant Miller la capacité 𝑪𝑩′ 𝐶 peut se décomposer en deux capacités 𝑪𝑒𝑚 à l’entrée de
l’amplificateur et 𝑪𝑠𝑚 à la sortie de l’amplificateur suivant les deux relations suivants:
1
𝒁 ′ 1
𝑗𝜔𝑪 ′
𝑩𝐶
✓ Zem = ==𝑗𝜔𝐶 = 1−𝐴𝑩 𝐶 donc 𝑪𝒆𝒎 = 𝑪 (𝟏 − 𝑨𝒗𝟎 )
1−𝐴𝑣0 𝑒𝑚 𝑣0 𝑩′ 𝐶
1
∗Av0
𝒁 ′ ∗𝐴𝑣0 1
jω𝑪 ′
✓ Zsm == 𝑩𝐶 ==jωC = 𝑩𝐶
donc 𝑪𝒔𝒎 ≈ 𝑪𝑩′ 𝐶
𝐴𝑣0 −1 sm Av0 −1

21 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

Figure 21: Le schéma équivalent total du montage EC en haute fréquence en appliquant MILLER

En calculant le gain en tension composite on trouve :

𝒗𝒔 𝒗𝒔 𝒗𝒆
𝑨𝐯𝐜 (HF) = = ∗
𝒆𝒈 𝒗𝒆 𝒆𝒈

Or on a 𝒗𝒆 = 𝒗𝒃𝒆
RCeq ∗ ZCs
Et vs = −g m vbe ∗ R Ceq // ZCs = −g m vbe
RCeq + ZCs

1
RCeq ∗ RCeq
jCs ω
vs = −g m vbe 1 = −g m vbe
RCeq + 1+jRCeq Cs ω
jCs ω

Zem
En appliquant le diviseur de tension au niveau de la maille d’entrée on a : 𝐯𝐞 = e
Zem +Rg g
RBeq
ZCe 1
RBeq ∗j(C +C RBeq
e B′ E )ω
avec Zem = ZB′ E
= 1 = 1
RBeq +j(C +C 1+jR
e B′ E )ω Beq (Ce+CB′ E )ω

RBeq
1
1+
ve jRBeq (Ce +C ′ )ω
B E RBeq RBeq
Donc eg
= RBeq =R ∗R
+Rg Beq +Rg Beq +Rg +j(RBeq ∗Rg )(Ce +CB′E )ω
1
1+
jRBeq (Ce +C ′ )ω
B E

R Beq 1
= ∗
R Beq + R g R Beq ∗ R g
1 + jR (Ce + CB′E )ω
Beq + R g

Alors l’expression du gain composite en haute fréquence est :

RBeq 1 1
Avc (HF)= −g m vbe ∗ R +R
∗ RBeq∗Rg *
Beq g 1+j (Ce +CB′E )ω 1+jRCeq Cs ω
R +R
Beq g

22 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

RBeq 𝟏 𝟏
On pose G0 = −g m vbe ∗
RBeq +Rg
; ωe = RBeq∗Rg 𝑒𝑡 ωs =
RCeqCs
l’expression du gain
(C +CB′E )
RBeq+Rg e

devient :
1 1
𝐀 𝐯𝐜 (𝐇𝐅)= 𝐆𝟎 ∗ 𝛚 * 𝛚
𝟏+𝐣 𝟏+𝐣
𝛚𝐞 𝛚𝐬

La fréquence de coupure en "hautes fréquences" est déterminée par la fréquence la plus basse.
Dans ce cas, en comparant les deux fréquences fe et fs on trouve que la fréquence fe est la
𝛚 𝟏
fréquence haute du montage EC : 𝐟𝐂𝐇 = 𝐟𝐞 = 𝟐𝛑𝐞 = 𝟐𝛑 (𝐑
𝐁𝐞𝐪 +𝐑𝐠 )(𝐂𝐞 +𝐂𝐁′𝐄 )

Donc l’expression du gain composite en négligeant l’effet de la capacité 𝐂𝐬 est :

1
𝐀 𝐯𝐜 (𝐇𝐅)= 𝐆𝟎 ∗ 𝛚
𝟏+𝐣
𝛚𝐞

Le système se comporte comme un filtre passe-bas dont la fréquence de coupure est 𝐟𝐂𝐇 = 𝐟𝐞 .
• Le tracé du diagramme de Bode de cette fonction de transfert

23 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

III. Etude fréquentielles de l’amplificateur à base du transistor JFET

Le schéma équivalent du transistor JFETen basse fréquence est identique à celui utilisé en
moyenne fréquence.
III.2 JFET en basse fréquence

Or : 𝑹𝑮𝑺 →∞ et dans la plupart des cas 𝑹𝑫𝑺 →∞, donc le schéma équivalent simplifié devient
:

a. Influence de la capacité de liaison à l’entrée

Nous prendrons comme exemple le montage Source commune. On néglige l’influence des
condensateurs de liaison 𝐶2 et de découplage 𝐶𝑆

24 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

Figure 22: Influence de la capacité de liaison

On pose 𝑹′=𝑹𝑫 //𝑹𝑼

• Calcul du Gain en tension 𝑨𝒗 (𝝎)

𝒗 𝒗 𝒗′ 𝒆
𝑨𝒗 = 𝒗𝒔 = 𝒗′𝒔 ∗ (a)
𝒆 𝒆 𝒗𝒆
𝑣
✓ calcul de 𝑣′𝑠
𝑒
𝒐𝒏 𝒂 𝒗𝒔 = -R’𝒈𝒎 𝑽𝑮𝑺 𝑬𝒕 𝒗′𝒆 = -𝑽𝑮𝑺

𝒗 𝑹′𝒈𝒎 𝑽𝑮𝑺
Donc 𝒗′𝒔 = − = −𝑹′𝒈
𝒆 𝑽𝑮𝑺 𝒎

𝑣
✓ Calcul de 𝑣′𝑒
𝑒
En appliquant le diviseur de tension au niveau de la maille d’entrée on a :
𝑹𝑮 𝑣′𝑒 𝑅𝐺 𝑗𝑅𝐺 𝑪𝟏 𝝎
𝒗′𝒆 = 𝒗𝒆 donc = 1 =
𝑹𝑮 +𝒁𝑪 𝑣𝑒 𝑅𝐺 + 𝑗𝑅𝐺 𝑪𝟏 𝝎+1
𝒋𝑪𝟏 𝝎

𝟏
On pose ω0 =
RG 𝐂𝟏

25 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

𝛚
𝑣′𝑒 j
𝛚0
L’expression devient = 𝛚
𝑣𝑒 1+j
𝛚0

𝝎
𝒗𝒔 𝒗′ 𝒆 𝒋
𝝎𝟎
D’où l’expression du gain en tension est 𝑨𝒗 (𝝎)=𝒗′ ∗ = 𝑨𝒗 (𝝎)=−𝑹′𝒈𝒎 ∗ 𝝎
𝒆 𝒗𝒆 𝟏+𝒋
𝝎𝟎

Or on a 𝑨𝒗 (𝑴𝑭) = −𝑹′𝒈𝒎
𝝎
𝑗 𝛚𝟎
𝝎0
Donc 𝑨𝒗 (𝝎)=𝑨𝒗 (𝑴𝑭) ∗ 𝝎 avec 𝐟𝐁 =
1+𝑗 𝟐𝛑
𝝎0

Le système se comporte comme un filtre passe-haut dont la fréquence de coupure est fB .

Maintenant, nous pouvons faire l’étude du montage en basse fréquence, nous avons trouvé que
L’amplificateur SC en basses fréquences se comporte comme un filtre passe haut :
𝝎
𝑗
𝝎0
𝑨𝒗 (𝝎)=𝑨𝒗 (𝑴𝑭) ∗ 𝝎 .
1+𝑗
𝝎0

décade

26 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

Après le tracé nous devons faire sortir les caractéristiques du filtre :

✓ Gain maximal: 𝐺𝑑𝑏𝑚𝑎𝑥 = 20log10 (|𝐴vc (𝑀𝐹|)

✓ Fréquence de coupure : elle correspond à 𝐺(𝑑𝑏)𝑚𝑎𝑥 − 3𝑑𝑏
✓ Bande passante : [𝑓𝑐 , ∞]
𝑓
𝐺𝑑𝑏( 𝑓𝑐 )−𝐺𝑑𝑏 ( 𝑐 )
10
✓ Pente en décibel = 𝑓 =20db/décade
𝑓𝑐 − 𝑐
10

III.2 JFET en haute fréquence

Lorsque la fréquence augmente, il faut prendre en compte les capacités parasites. Toute jonction
PN polarisée en inverse constitue un condensateur
Pour le JFET, on considère deux condensateurs parasites, l'un entre grille et source, l'autre
entre grille et drain.

Figure 23: structure de JFET en haute fréquence

a. Montage Source commune en HF

Soit le schéma suivant :

27 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

Les condensateurs de liaison et de découplage sont considérés comme des fils en haute
1
fréquence. Car 𝑍𝐶 = 𝐣𝐂𝛚 →0

Si on néglige la résistance de contact 𝑹𝐷𝑆 Le schéma équivalent du transistor JFET est donné
par:

Le schéma équivalent total du montage est le suivant

Figure 23: Le schéma équivalent total du montage SC en haute fréquence

On pose 𝑹′=𝑹𝑫 //𝑹𝑼

Dans ce cas précis, il convient d'appliquer le théorème de Miller qui permet de répartir la
capacité 𝐶𝐺𝐷 entre l'entrée G et la sortie D de l'amplificateur. Pour cela, nous devons d'abord
calculer le gain miller de l'étage (gain maximum dans la bande passante, sans les capacités).
En débranchant les capacités 𝐶GD et 𝐶GS le schéma équivalent devient

28 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

Le gain miller du montage source commune est donné par la relation :

𝒗𝒔 −𝒈𝒎 𝒗𝑮𝑺 ∗𝑹′
𝑨𝐯𝟎 = = =−𝒈𝐦 ∗ 𝑅′
𝒗𝒆 𝒗𝑮𝑺

En utilisant Miller la capacité 𝑪GD peut se décomposer en deux capacités 𝑪𝑒𝑚 à l’entrée de
l’amplificateur et 𝑪𝑠𝑚 à la sortie de l’amplificateur suivant les deux relations suivants:
1
𝑍𝐺𝐷 1 𝑗𝜔𝐶𝐺𝐷
✓ Zem = ==𝑗𝜔𝐶 = 1−𝐴 donc 𝑪𝒆𝒎 = 𝑪𝑮𝑫 (𝟏 − 𝑨𝒗𝟎 )
1−𝐴𝑣0 𝑒𝑚 𝑣0

1
𝑍𝐺𝐷 ∗𝐴𝑣0 1 ∗Av0
jωC𝐺𝐷
✓ Zsm = = ==jωC = donc 𝑪𝒔𝒎 ≈ 𝑪𝑮𝑫
𝐴𝑣0 −1 sm Av0 −1

L’effet Miller est déterminer par la grande capacité donc par la capacité d’entrée (Car 𝑪𝒆𝒎 =
𝐂𝐺𝐷 (1 + Av0 ) > 𝑪𝒔𝒎 = 𝐂𝐺𝐷 )
En négligeant l’effet de la capacité de sortie 𝑪𝒔𝒎 , on a

Figure 24: Le schéma équivalent total du montage EC en haute fréquence en appliquant MILLER

On pose Ce = Cem //CGS

En calculant le gain en tension composite on trouve :

𝒗𝒔 𝒗𝒔 𝒗𝒆
𝑨𝐯𝐜 (HF) = = ∗
𝒆𝒈 𝒗𝒆 𝒆𝒈

29 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

Or on a 𝒗 𝒆 = 𝒗𝑮𝑺
𝐄𝐓 𝐯𝐬 = −𝐠 𝐦 𝐯𝐆𝐒 ∗ 𝑹′
𝐯𝐬
donc =−g m ∗ R′
𝐯𝐞
𝒗
✓ calcul de 𝒆 𝒆
𝒈
On pose 𝐙𝐞𝐦 = 𝐑 𝐆 // 𝐙𝐂 le schéma équivalent devient :

Zem
En appliquant le diviseur de tension au niveau de la maille d’entrée on a : 𝐯𝐞 = e
Zem +𝑅 g
1
RG ∗ R
jCe ω
avec Zem = 𝑅𝐺 // 𝑍𝐶 = 1 = 1+jRG C
RG + G eω
jCe ω

RG
ve 1+jRG Ce ω RG RG 1
Donc = RG = = ∗ R ∗𝑅
eg +𝑅 𝑅+j(RG ∗𝑅)Ce ω+RG RG +𝑅 1+j G Ce ω
1+jRG Ce ω RG +𝑅

𝑅∗R
On pose R T =𝑅//R G = 𝑅+RG
G

Alors l’expression du gain composite en haute fréquence est :

RG 1
Avc (HF)= − g m R′ ∗ R ∗
G +R 1+jR T Ce ω

RG 𝟏
On pose G0 =−g m R′ ∗ R et ωH =
G +R 𝐑 𝐓 Ce

1
L’expression du gain devient : 𝑨𝒗𝒄 (𝑯𝑭)= 𝑮𝟎 ∗ 𝝎
𝟏+𝒋
𝝎𝑯

Le système se comporte comme un filtre passe-bas dont la fréquence de coupure est

𝟏
𝐟𝐂𝐇 = .
𝟐𝝅𝑹𝑻 Ce

• Le tracé du diagramme de Bode de cette fonction de transfert

30 Cours d’Electronique Analogique

 Chapitre I : Amplificateur à base du transistor

31 Cours d’Electronique Analogique