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TD 1

Le document présente un ensemble d'exercices sur l'électronique fondamentale, axés sur l'analyse des diodes, leurs caractéristiques et leur comportement dans différents circuits. Les exercices incluent des calculs de résistance dynamique, de courant, de puissance consommée, ainsi que des études de circuits avec des alimentations alternées et des diodes Zener. Chaque exercice demande des déterminations spécifiques basées sur des valeurs de tension et de résistance, tout en intégrant des concepts théoriques sur les diodes.

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Ecole Supérieure en Informatique de Sidi Bel Abbès 2024/2025

ère
Electronique Fondamentale I 1 Année CPI

TD N°1

Exercice 1
Une diode au Silicium (Si) présente une La puissance consommée dans la diode doit rester
caractéristique I(V) pouvant être idéalisée inférieure à 0.5 Watts.
par deux lignes demi-droites :
1. Déterminer la résistance dynamique de la diode.
Pour V<0.8V : I=0
2. Déterminer la valeur du courant ID dans le circuit
Pour 0 ≤ I ≤ 20A : V=0.8V
lorsque E=3V.
On dispose en série avec cette diode une 3. Déterminer la valeur maximale que peut prendre
résistance fixe R et une résistance variable E.
R’. (Fig. 01)
Exercice 3
Une alimentation simple alternance comporte un
transformateur supposé parfait, une diode D
(rd=25A, Vseuil=0) et une résistance R=400Ω. (Fig. 03).

Fig. 01

1. Quelle valeur doit-on donner à R pour Fig. 03


que le courant ne dépasse pas 20A.

2. R ayant la valeur trouver


’
précédemment, R =10Ω. Avec : e(t)=EM sin (ωt)

- Calculer le courant qui parcourt le circuit.


- Déduire la puissance consommée par la Sachant que la tension sinusoïdale au borne du
diode. secondaire à pour valeur efficace VSefficace=300V.

3. On inverti les bornes du générateur. Calculer :


Quelle est alors la tension à la borne de la 1. Le courant moyen à travers la charge R.
diode. 2. Le courant efficace.
3. Le facteur de forme du courant.
Exercice 2 4. Le taux d’ondulation du courant.
Une diode présente une caractéristique I(V)
pouvant être idéalisée par 2 demi-droites.
Exercice 4
Pour V≤0.7V ; I=0 Calculer la tension VS aux bornes de la résistance RL
Pour V>0.7V ; I=2(V-0.7) A dans les deux cas suivants :

On dispose en série avec cette diode une 1. E1=6 V et E2=5 V.


résistance R=6Ω et un générateur de 2. E1=12 V et E2=8 V.
tension E variable. (Fig. 02). On donne : R1=R2=RL=1 kΩ.

Fig. 04

Fig. 02

Mr. ACED Mohamed Réda 1|Page


Ecole Supérieure en Informatique de Sidi Bel Abbès 2024/2025
Exercice 5
La source de tension est sinusoïdale de la
forme : 𝑉 = 𝑉 𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡)

Les diodes possèdent une tension de seuil Vd


et une résistance dynamique rd.
Fig. 07
Déterminez la tension de sortie et tracez la
caractéristique de transfert vs=f (ve) pour les
deux circuits.

Fig. 05

Fig. 06

Exercice 6
La caractéristique inverse de la diode zener en
polarisation inverse est assimilée à une droite
passant par les points : ( iz = 20mA, Vz = 6.2v ) et
(iz = 100mA, Vz = 7v ).
On admettra que la diode fonctionne en
stabilisateur de tension si iz est compris entre
5mA et 100mA.

1. Déterminer l'équation de la caractéristique :


Vz= Vz0 +Rz iz.
2. Etude à vide :

 Si Ve = 12v et R =190Ω, déterminer Vz et iz.


 Entre quelles valeurs limites Ve peut-elle varier
si R =190Ω.
3. Etude en charge :

 Calculer iz, iL, i et Vz pour Ve=18v, R=100 Ω et


RL=100 Ω.

Entre quelles limites RL peut-elle varier pour que


la diode fonctionne dans sa zone utile (Ve=18v,
R=100 Ω).

Mr. ACED Mohamed Réda 2|Page

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