1

CHAPITRE II. MONTAGE ÉMETTEUR COMMUN

On appelle effet transistor, la propriété de commander un important courant de collecteur IC à partir
d’un faible courant de base IB.
1. Etude d’un étage amplificateur à transistor
Lorsque le transistor est utilisé comme amplificateur, il y se présente généralement comme suit :

Les tensions continues VBB et VCC ainsi que les résistances RB et RC permettent au transistor
d’avoir IBO, VCEo, TCo et VBEo à des valeurs convenables, lorsque eg = 0. Ces sont des tensions et
des résistances de polarisation.
La tension eg donnera lieu à des courants alternatifs iB dans la base et iC dans (le) au collecteur.
EXEMPLE : 1. un transistor dont la température max de jonction est 150ºC a une résistance
thermique de 2ºC/W et est montée sur un radiateur thermique de 0,5 ºC/W. le transistor dissipe une
puissance de 10w. la température ambiante étant de 40 ºC, quelle est alors la température de
jonction ?
1. Le transistor de la figure ci-dessous étant saturé VBE = 0,5v β = 150 VCE = 8v RC =
100Ω VCC = 12v et le courant dans R2 est 10 fois plus grand que le courant IB.
Calculer la valeur de R2

Résolution dans le cahier

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La capacité C de découplage empêche le courant continu IB venant de VBB, de passer et d’atteindre

le générateur eg. Ce courant ira directement dans le transistor. La résistance R2 doit être
suffisamment grande pour que le courant alternatif qui la réserve soit négligeable.
L’étude d’un amplificateur) transistor se fait en deux étapes :
A. Étude en Continu (= étude en régime statique)
On étudie le transistor au repos c’est-à-dire en régime statique. Dans ce cas il y se pose le
problème de polarisation du transistor on détermine et on trace :
- La droite d’attaque ;
- La droite de charge ;
- Le point de repos.
Pour cette étude, on retient seulement les tensions et les courants continus. Le condensateur de
découplage est ouvert pour le courant continu.

B. Etude en alternatif (= étude en régime dynamique)

On étudie le transistor en fonctionnement, c’est le problème du gain d’amplification ;
les tensions continues sont considérées nulles et le condensateur de découplage en court-circuit.
Pour ceci, il faut un signal de fréquence, assez élevée.
NB : les signaux continus sont désignés par des lettres majuscules : VBE, VCE, IB, IC et IE des même
VBB et VCC. Et les signaux alternatifs sont désignés par des lettres minuscules : vBE ; VCE, vBB, vCC ,
iB , iC et iE
EXEMPLE
Considérons le montage précédent (au début du chapitre) (fig 1.)

1) Etude en continu (= En régime statique)

Le condensateur étant ouvert, il est inutile de mettre eg et Rg parce qu’elles n’interviennent pas.

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a) Droite d’attaque
Considérons le circuit d’entrée.

VBB = RE IB + VBE

L’inéquation de la droite d’attaque est :

VBE = - RBIB + VBB

Pour tracer cette droite on cherche les coordonnées à l’origine :

𝑉𝐵𝐵 𝑉𝐵𝐵
VBE = 0 ⇒ IB = ⇒( 𝑅𝐵 , 0)
𝑅𝐵

IB = 0 ⇒ VBE = VBB ⇒ (0, VBB)

b) Droite de charge
Considérons le circuit de sortie :

VCC = RCIc + VCE

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L’équation de la droite de charge est :

1 𝑉𝑐𝑐
Ic = - VCE +
𝑅𝑐 𝑅𝑐
Pour tracer cette droite, on cherchera les cordonnées à l’origine
𝑉𝑐𝑐 𝑉𝑐𝑐
VCE = 0 ⇒Ic = (0, )
𝑅𝑐 𝑅𝑐

c) Points de Repos

Les points de repos définissent l’état dans lequel est placé le transistor. Les coordonnées des points de repos
sont :
VBEo, IBo, ICo et VCEo
Ces coordonnées correspondent à deux des grandeurs de repos ;
- Dans ce 3ème quadrant, le point de repos se trouve sur la droite d’attaque et a pour coordonnées P1 (IBo,
VBEo). Ce point est l’intersection de la droite d’attaque et de la caractéristique statique d’entrée :
VBE = f (IB)
- Dans le 1er quadrant, le point de repos se trouve sur la droite de charge et a pour coordonnées P3 (VCEo,
ICo), ce point est l’intersection de la droite de charge avec la caractéristique statique de sortie :
Ic = f (VCE) Correspondant à la valeur de IB, abscisse du point P1.

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2) Zone de fonctionnement du transistor

La zone de fonctionnement du transistor est un espace sur la caractéristique de sortie limité par :

- Une droite horizontale correspondant à ICmax et dont l’équation est IC = VCEmax

- Une droite verticale correspondant à VCEmax et dont l’équation est IC= VCEmax
- L’hyperbole de dissipation maximale dont l’équation est
𝑃𝑚𝑎𝑥
IC =
𝑉𝐶𝐸

Le point de fonctionnement ne doit pas être sortir de cet espace sous peine de la destruction thermique du
transistor.

C. Etude en alternatif (= en régime dynamique)

En régime dynamique, Le générateur G fournit à l’entrée un courant sinusoïdal iB = iBmax Sinwt dont la
valeur maximale iBmax (= amplitude) reste assez petit devant IB

Point de fonctionnement
Le point de fonctionnement défini l’état du transistor à un instant t lorsqu’un courant iB est fournis à l’entrée.

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La position du point de fonctionnement dépend de iB dans chacun des quadrants du graphique de

régime statique, il convient de déterminer l’ensemble de positions occupées par ce point : c’est la
caractéristique dynamique.

Le courant total de base du transistor est la somme du courant de repos IBo et la composante sinusoïdale
iB, ainsi, dans le 3ème quadrant (= caractéristique d’entrée) le point de fonctionnement se déplace sur la
caractéristique VBE = f (IB) en décrivant un segment MV.
P1 est le milieu de MN les abscisses des points MB et N sont respectivement IBo et iBmax et IBo – iBmax.
Connaissant les position extrêmes M et ND du point de fonctionnement dans le 3ème quadrant, on en déduit
celles des points correspondant dans le quadrant 2 et 1.

A un courant iB sinusoïdal correspondant un courant ic sinusoïdal. La tension vCE est sinusoïdale si le point
P1 est situé au milieu du segment MN.

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Si iB = iBmax sinwt est le courant d’entrée,

Alors ic = ic max sinwt est le courant de sortie,
Et VCE = - VCEmax sinwt est la tension de sortie.

iB et ic en phases mais VCE est en opposition de phase avec iB.

Commande d’un transistor

Lorsque les points MN ne se trouvent pas sur la partie rectiligne de la caractéristique d’entrée alors iB et
vBE ne sont pas simultanément sinusoïdaux, cependant, ils peuvent l’être séparément ;
D’où deux façons de commander un transistor :
- Commande en courant : les sinusoïdal
- Commande en tension : NBE sinusoïdale

a) Commande en courant

Le courant iB est sinusoïdal, il est fourni par un générateur de courant, càd un générateur de grande
𝑉𝐵𝐸
impédance interne ax (très supérieure à la plus grande valeur de = résistance d’entrée de l’étage en
𝑖𝐵
alternatif).
iB étant sinusoïdal, ic et vCE le sont également ainsi on utilise fréquemment le mode de commande en
courant.

b) Commande en Tension
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La tension sinusoïdale de commande est directement appliquée entre la base B et l’émetteur E.

Elle est fourni par un générateur de tension d’impédance faible( très inférieure à la plus petite valeur de
𝑉𝐵𝐸
).
𝑖𝐵
La tension VBE est fonction sinusoïdale de temps. IB n’étant pas sinusoïdal, il en est de même du courant IC
et de la tension VCE
Ce mode de fonctionnement de commande entraine une distorsion du signale amplifié et n’est utilisé que
dans le cas des tensions de très faible amplitude.

Les paramètres hybrides d’un transistor

En émetteur commun, les réseaux de caractéristiques montrent que :

 La tension VBE dépend de IB et VCE ;
 Le courant Ic dépend de IB et VCE (ou il est fonction).

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Donc, on peut exprimer deux des quatre grandeurs iB, vBE, Ic et vCE en fonction de deux autres.
Ici, nous voulons un modèle hybride c’est-à-dire un courant et une tension, en fonction de l’autre courant
et de l’autre tension.

Ic = f (IB)
Ic = f (VCE) ⇒Ic = f (IB, VCE) ⇒ ic = f(iB , vCE)

VBE = f (IB)
VBE = f (VCE) ⇒VBE = f (IB, VCE) ⇒vBE = f(iB , vCE)

𝑣𝐵𝐸 = ℎ11 𝑖𝛽 + ℎ12 𝑣𝐶𝐸

𝑖𝐶 = ℎ21 𝑖𝐵 + ℎ22 𝑣𝐶𝐸

Ces équations sont appelées, équations de fonctionnement.

h1, h12, h21, h22 sont les paramètres hybrides du transistor en émetteur commun.
Définitions :
𝑉𝐵𝐸
h11= quand 𝑣𝐶𝐸 = 0
𝐼𝐵

D’où h11 est l’impédance d’entrée du transistor quand la sortie est en court-circuit (En anglais : in Put
impédance : hie)

𝑉𝐵𝐸
h12 = quand iB = 0
𝑉𝐶𝐸

D’où h12 est le gain en arrière de la tension quand l’entrée est ouverte (En anglais, reverse voltage gain,
hre). On l’appelle encore le facteur de réaction de la sortie sur l’entrée quand l’entré est ouverte.
𝑖𝑐
h21 = 𝑖𝐵 quand 𝑣𝐶𝐸 = 0
D’où h21 est le gain en avant du courant quand la sortie est en court-circuit. (En anglais ; for ward current
gain ; hfe).

𝑖𝑐
h22 = 𝑣𝐶𝐸 quand iB = 0

D’où h22 est l’admittance de sortie du transistor quand l’entrée est ouverte. (En anglais ; out put admittance
hoe)
h11 hi La présence de e c’est en
émetteur expliqué ci-contre.
h12 hr
h21 hf Les premières écritures c’est en
h22 ho français et les secondes en anglais

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On différencie les paramètres hybrides de chaque montage en ajoutant en indice la première lettre de
l’électrode commune.

EXEMPLES
En émetteur commune : h11e , h12e, h21e et h22e
En base commune : h11b , h12b, h21b et h22b
En collecteur Commun ; h11c , h12c, h21c et h22c

Schéma équivalent d’un transistor

Aux équations de fonctionnement ;

vBE = h11 iB + h12 vCE (1)
ic = h21 IB + h22vCE (2)
Correspond un schéma comportant seulement des résistances et des générateurs. Ce
schéma est le circuit équivalent du transistor.
 L’équation (1) concerne le circuit d’entrée : vBE = h11 iB + h12 vCE
Cette équation nous renseigne que : la tension vBE est égale à la somme d’une chute de tension ohmique h11
iB et une tension proportionnelle à la tension de sortie h12 VCE est opposée à la tension d’entrée. (=gain en
arrière de tension = facteur de réaction).
Par conséquent, le circuit d’entrée du circuit équivalent comportera une résistance h11 et un générateur de
tension h12 vCE qui le sera contraire à la tension d’entrée vBE.
 L’équation (2) concerne le circuit de sortie ic = h21 iB + h22vCE
Cette équation nous renseigne que : le circuit de sortie du circuit équivalent comporte un générateur de
1
courant qui débite le courant h21 iB et une résistance ℎ22.
Le courant h21 iB se partage entre la résistance h22vCE et la charge du transistor iC.
D’où le schéma équivalent du transistor est :

Schéma équivalent de l’étage amplificateur

(Cfr fig. 1) première page du nouveau chapitre.
On obtient le schéma équivalent de l’étage amplificateur en ajoutant au circuit équivalent du transistor les
éléments du montage.
Exemple : soit l’étage amplificateur suivant :

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Circuit d’entrée
On place le générateur G entre la base B et la masse E. notons que le générateur G est représenté par sa
force électromotrice eg et la résistance interne Rg. En alternatif, le condensateur C’est en court-circuit.
Circuit de sortie
On place la résistance Rc entre le collecteur C et la masse. Le générateur Vcc n’intervient pas. En pratique,
il est découplé par un condensateur de grande capacité, placé en parallèle avec lui.
D’où le schéma équivalent de cet étage est (en suivant la figure ci-dessus pour réaliser le ici-bas en court-
circuitant Vcc et VBE et en enlevant RB car elle est plus grande).

Calculs des amplifications

1er cas : h12 = 0
Lorsque h12 = 0, le schéma équivalent de l’étage devient :

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Aux deux équations des paramètres hybrides du transistor, il faut ajouter deux autres équations obtenues en
appliquant la loi des Mailles aux portions des circuits d’entrée et de sortie extérieures au transistor.
D’où les équations de fonctionnement sont quatre (4)
vBE = h11 iB + h12 vCE (1)
ic = h21 iB + h22VCE (2)
vBE = eG - RG iB (3)
vCE = - Rc ic (4)

1º Amplificateur en courant : Ai
𝑖 𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒
𝐴𝑖 = 𝑖 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒
Considérons les équations (2) et (4)
Ic = h21 iB + h22 vCE
VCE = - Rc ic
(4) est dans (2)
Ic = h21 iB + h22(- Rc ic) 𝑖𝑐 ℎ21
= h21 iB - h22 Rc ic 𝐴𝑖 = 𝑖𝐵 = 1+ℎ22 𝑅𝑐
⇒ ic + h22 Rc ic = h21 IB
à retenir
⇒ Ic (1 + h22 Rc ) = h21 IB

Ce rapport est en nombre réel passif : Les deux courants ic, iB sont en phase.

REMARQUE : lorsque les caractéristiques du quadrant I (caractéristique de sortie) sont parallèles à l’axe
des abscisses : cela signifie h12 = h22 = 0, alors dans le quadrant II la caractéristique statique est confondue
avec la caractéristique dynamique. Dans ce cas Ai = h12.
Si cette caractéristique est une droite cas très fréquent (hantant) alors h21 = 𝛽 facteur d’amplificateur d’un
transistor.

2º Amplification en tension Av
𝑣 𝑠𝑜𝑡𝑟𝑖𝑒
𝐴𝑣 = 𝑣 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒

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Prenons les équations (1) et (4)

vBE = h11 iB + h12 VCE (1)
vCE = - Rc ic (4)
Dans l’équation (1)
h12 = 0 ⇒ 𝑉𝐵𝐸 = h11 iB
𝑉 𝑠𝑜𝑡𝑟𝑖𝑒 𝑉𝐶𝐸 − Rc ic
𝐴𝑣 = 𝑉 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒 = 𝐴𝑣 = 𝑉𝐵𝐸 = 𝐴𝑣 = h11 iB

− Rc ic ic
𝐴𝑣 = 𝑜𝑟 𝑜𝑛 𝑠𝑎𝑖𝑡 𝑞𝑢𝑒 = 𝐴𝑖
h11 iB iB

− Rc
𝐴𝑣 = Ai Remplaçons le Ai par sa valeur
h11

− Rc ℎ21
𝐴𝑣 =
h11 1+ℎ22𝑅𝑐

− Rc ℎ21
𝐴𝑣 = h11 (1+ℎ22𝑅𝑐)
À à retenir

Ce rapport est un nombre réel négatif : la tension de sortie VCE est en opposition de phase avec la tension
d’entrée VBE

3º Amplification en Puissance

𝑃 𝑠𝑜𝑡𝑟𝑖𝑒
𝐴𝑝 =
𝑃 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒
𝑃 𝑠𝑜𝑡𝑟𝑖𝑒 𝑉 𝑠𝑜𝑡𝑟𝑖𝑒 .𝑖 𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 𝑉 𝑠𝑜𝑡𝑟𝑖𝑒 𝐼 𝑠𝑜𝑡𝑟𝑖𝑒 𝑉 𝑠𝑜𝑡𝑟𝑖𝑒 𝐼 𝑠𝑜𝑡𝑟𝑖𝑒
𝐴𝑝 = 𝑃 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒 = 𝑉 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒 .𝑖 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒 = 𝑉 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒 . avec 𝐴𝑣 = 𝑉 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒 𝑒𝑡 𝐴𝑖 = 𝐼 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒
𝐼 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒

⇒ 𝐴𝑝 = 𝐴𝑣 . 𝐴𝑖
Rc ℎ21
⇒ 𝐴𝑝 =
h11 (1 + ℎ22 𝑅𝑐)2
À retenir

Les opérations de Ai, Av et Ap montrent que le montage Emetteur commun permet d’obtenir
simultanément :
 Une amplification en courant
 Une amplification en tension
 Et une amplification en puissance

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Calcul de l’impédance
1º Impedance d’entrée
𝑣 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒
Ze = 𝑖 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒

Prenons l’équation (1) : VBE = h11 iB + h12 VCE

h12 = 0 ⇒VBE = h11 iB
𝑉𝐵𝐸
Ze = = ℎ11
𝑖𝐵

2º Impédance de sortie
𝑣 𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒
Ze = 𝑖 𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒

On applique le théorème de thévenin entre les bornes de sortie : le point C (=collecteur) et la masse E (=
Emetteur).
Pour se faire, remplaçons le générateur par sa résistance interne RG et ouvrons le circuit entre C et E

1
Nous remarquons que la résistance de sortie est ℎ22 en parallèle avec la résistance interne du générateur de
courant : h121 iB.
Or, un générateur de courant a une résistance très grande infini pour le cas idéal.
1
Dons, la résistance de ce montage est : Zs = ℎ22 à retenir

Influence de Rc sur Ai, Av et Ap

ℎ21
𝐴𝑖 = : pour les faibles valeurs de RC, h22 Rc est négligeable devant 1. Mais pour des grandes
1+ℎ22 𝑅𝑐
valeurs de Rc, quand h22 Rc n’est plus négligeable devant 1, Ai décroît quand Rc augmente.

− Rc ℎ21
𝐴𝑣 = h11 (1+ℎ22 𝑅𝑐) : quand Rc augmente, Av augmente aussi parce que son numérateur augmente plus vite
que son dénominateur. Toutefois, Av tend vers une limite à des valeurs importantes de Rc.

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𝐴𝑝 = 𝐴𝑣 . 𝐴𝑖 : Etant le produit Ai.Av, Ap croît avec Rc pour les faibles valeurs de cette dernière et en suite
Ap décroît pour des valeurs importantes de Rc.

2e Cas : ℎ12 ≠ 0
Lorsque ℎ12 ≠ 0, le schéma équivalent de l’étage devient :

VBE = h11 iB + h12 VCE (1)

Ic = h21 iB + h22VCE (2)
VBE = eG - RG iB (3)
VCE = - Rc ic (4)

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Amplificateur en courant Ai
𝑖 𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒
𝐴𝑖 =
𝑖 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒
Penons les équations (2) et (4)
Ic = h21 IB + h22VCE
VCE = - Rc ic
(4) est dans (2) donne :

Ic= h21 iB - h22 Rc ic

⇒ic (1 + h22 Rc) = h21 iB
ℎ21 𝑖𝐵
𝐴𝑖 =
1+ℎ22 𝑅𝑐

Amplificateur en tension Av
𝑣 𝑠𝑜𝑡𝑟𝑖𝑒
𝐴𝑣 =
𝑣 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒
Prenons les équations (1) et (4)
𝑣 𝑠𝑜𝑡𝑟𝑖𝑒 𝑉𝐶𝐸 − 𝑅𝑐 𝑖𝑐
𝐴𝑣 = = = or 𝐴𝑣 = −𝑅𝑐 𝑖𝑐
𝑣 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒 𝑉𝐵𝐸 ℎ11 𝑖𝐵+ℎ12 𝑉𝐶𝐸

− 𝑅𝑐 𝑖𝑐
⇒𝐴𝑣 = à 𝑣𝑜𝑖𝑟
ℎ11 𝑖𝐵−ℎ12 𝑅𝑐 𝑖𝑐

Divisons le numérateur et le dénominateur

𝑖𝑐
− 𝑅𝑐 𝑖𝑐 − 𝑅𝑐 𝑖𝐵 𝑖𝑐 𝑖𝑐
𝐴𝑣 = = 𝑖𝐵 𝑖𝑐 𝑎𝑙𝑜𝑟𝑠 𝑞𝑢𝑒 = 𝐴𝑖 𝑒𝑡 = 𝐴𝑖
ℎ11 𝑖𝐵−ℎ12 𝑅𝑐 𝑖𝑐 ℎ11 −ℎ12 𝑅𝑐 𝑖𝐵 𝑖𝐵
𝑖𝐵 𝑖𝐵

− 𝑅𝑐 𝐴𝑖
Av =
ℎ11 − ℎ12 𝑅𝑐 𝐴𝑖

ℎ21
Remplaçons Ai par sa valeur qui est 𝐴𝑖 = 1+ℎ22 𝑅𝑐 on obtient :

ℎ21
− 𝑅𝑐 − 𝑅𝑐 ℎ21
1+ℎ22 𝑅𝑐
𝐴𝑣 = ℎ11(1+ℎ22 𝑅𝑐)− ℎ12 ℎ21 =
ℎ11(1+ℎ22 𝑅𝑐 )− ℎ12 ℎ21
1+ℎ22 𝑅𝑐
𝑅𝑐 ℎ21
𝐴𝑣 = −
ℎ11+ℎ11 ℎ22 𝑅𝑐− ℎ12 ℎ21
𝑅𝑐 ℎ21
𝐴𝑣 = − 𝑜𝑛 𝑝𝑜𝑠𝑒 ℎ11 ℎ22 − ℎ12 ℎ21 = ∆ℎ
ℎ11+(ℎ11 ℎ22 − ℎ12 ℎ21)𝑅𝑐
𝑅𝑐 ℎ21
⇒ 𝐴𝑣 = −
ℎ11+∆ℎ 𝑅𝑐

Amplificateur de puissance Ap

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Ap = Ai . Av
REMARQUE : Dans le reste de ce cours nous considérons h12 est nul : h12 = 0.

MONTAGE EMETTEUR COMMUN AVEC PONT DE POLARISATION

1. Montage sans RE (RE = 0)

Schéma équivalent
Le schéma équivalent du transistor reste conservé dans tous les cas. Il faut établir le schéma équivalent du
montage considéré.
 Circuit d’entrée
Les résistances R1 et R2 sont en parallèles entre la base et l’émetteur (masse) pour le courant alternatif ig
fourni par le générateur. Ces deux résistances R1 et R2 sont en parallèles avec h11. Le courant alternatif qui
traverse la résistance R2 revient au générateur G par la capacité C2 qui découple l’alimentation de courant
continu VCC.
 Circuit de sortie
On place entre le collecteur et l’émetteur (masse) la résistance RC. Même si l’impédance interne du
générateur du courant continu VCC n’est pas négligeable grâce au condensateur C2 utilisé pour le découpler,
l’ensemble générateur continu-condensateur C2 présente une impédance pratiquement nulle.
D’où le schéma équivalent de ce montage est :

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 18

2. Montage avec RE découplée

La résistance RE permet d’obtenir la stabilisation thermique du montage. Si elle est convenablement

découplée par une capacité suffisamment grande CE nous pouvons considérer que la différence de potentiel
alternative aux bornes, cet ensemble (RE – CE) est nulle. Donc, RE et CE n’interviennent pas pour
l’augmentation. Par conséquent, ils ne sont pas placés sur le schéma équivalent.
D’où le schéma équivalent est identique à celui du montage sans RE vu au paragraphe précédent. Cependant
en régime statique (en continu) on doit tenir compte des résistances R C et RE. En régime dynamique (en
alternatif) seule la résistance RC intervient.
Droite de charge en continu : DC

VCC = RCIC + VCE + REIE

IE = IB + IC
𝐼𝐶
IC = βIB ⇒ + 𝐼𝐶
β

𝐼𝐶 𝑅𝐸 𝐼𝐶
⇒ VCC = RCIC + RE ( + 𝐼𝑐) = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + + 𝑅𝐸 𝐼𝐶
β β

𝑅𝐸
⇒ 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + + 𝑅𝐸) = −𝑉𝐶𝐸 ≠ 𝑉𝐶𝐶
β

1 𝑉𝐶𝐶
⇒ 𝐼𝐶 =− 𝑅𝐸 . 𝑉𝐶𝐸 + 𝑅𝐵
𝑅𝐶+ β +𝑅𝐸 𝑅𝐶+ β +𝑅𝐸

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 19

Droite de charge en alternatif Da

RE est court-circuité par CE et n’intervient pas : RE = 0. Donc, la pente (coefficient angulaire) de la droite
1
de charge dynamique reste − 𝑅𝐶 :
1
Ainsi, on écrit l’équation d’une droite de coefficient angulaire − 𝑅𝐶
en passant par le point de repos d’où
1
l’équation de la droite de charge en alternatif est : ic – IC0 = −
𝑅𝐶
(𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑜

Montage avec RE non Découplée RE ≠ 0

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 20

La différence de potentiel entre Emetteur et Masse ne plus nulle, elle est uR E = RE iE, d’où le schéma
équivalent ci-après :

𝑅1 𝑅2
RP = R1 // R2 ⇒ 𝑅𝑝 =
𝑅1+𝑅2
Supposons que RP soit suffisamment grande devant l’impédance h11. Dans cette condition nous pouvons
négliger son influence parce que le courant qui la traverse est presque nul.
Condition de fonctionnement
 Circuit d’entrée
VBM = h11 iB + VEM (1)
VBM = IG – RG IG (2) or iG = iB

 Circuit de sortie
iC = h21 iB + h22(VCM – VEM) (3)
VCM = - RC iC (4)
iE = iB + iC
⇒VBM = RE iE ⇒VBM = RE iB + RE iC
VBM = h11 iB + RE iB + RE iC ⇒VBM = (h11 + RE) iB + RE iC
iC = h21 iB + h22VCM – h22 VEM
iC = h21 iB + h22 VCM – h22 RE iE
= h21 iB + h22 VCM – h22 RE iE - h22 RE iC (3)
Amplificateur en courant Ai
𝑖 𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒
Ai = 𝐴𝑖 = 𝑖 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒

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Prenons les équations (3) et (4)

IC = h21 iB + h22 VCM – h22 RE iE - h22 RE iC (3)
VCM = - RC iC (4) dans (3)
IC = h21 iB + h22 VCM – h22 RE iE - h22 RE iC
⇔ iC + h22 RC iC + h22 RE iC = h21 iB - h22 RE iB
⇔ iC (1 + h22 RC + h22 RE) = iB (h21 - h22 RE)

𝑖𝐶 ℎ21−ℎ22 𝑅𝐸
⇔𝐴𝑖 = 𝐴𝑖 = attention
𝑖𝐵 1+ℎ22(𝑅𝐶+𝑅𝐸)
En général ;
h22 RE est négligeable devant h21. Donc cette condition :
ℎ21
𝐴𝑖 = à 𝑟𝑒𝑡𝑒𝑛𝑖𝑟
1+ℎ22(𝑅𝑐+𝑅𝑏)

Amplificateur en tension Av
𝑉𝑠𝑜𝑟𝑡𝑖𝑒 𝑣𝐶𝑀
𝐴𝑣 = =
𝑉𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒 𝑣𝐵𝑀
Prenons les équations (1) et (4)
VBM = (h11 + RE) iB + RE iC (1)
VCM = - RC iC (4)

𝑣𝐶𝑀 − RC iC
𝐴𝑣 = =
𝑣𝐵𝑀 (h11 + RE) iB + RE iC

Division le numérateur et le dénominateur par IB

𝑖𝑐
−𝑅𝐶 − RC Ai
𝑖𝐵
𝐴𝑣 = 𝑖𝑐 𝑖𝑐 =
(ℎ11+𝑅𝐸 ) +𝑅𝐸 h11+ RE+RE Ai
𝑖𝐵 𝑖𝐵
Remplaçons Ai par sa valeur
−𝑅𝑐 ℎ21
1+ℎ22(𝑅𝐶+𝑅𝐸)
𝐴𝑣 = 𝑅𝐸 ℎ21
ℎ11+𝑅𝐸+
1+ℎ22(𝑅𝐶+𝑅𝐸)

− 𝑅𝐶 ℎ21
𝐴𝑣 =
ℎ11+ℎ11 ℎ22(𝑅𝐶+𝑅𝐸)+𝑅𝐸+𝑅𝐸ℎ22(𝑅𝐶+𝑅𝐸)+𝑅𝐸ℎ21

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𝑅𝐶 ℎ21
=−
ℎ11+ℎ11 ℎ22(𝑅𝐶+𝑅𝐸)+𝑅𝐸+𝑅𝐸ℎ22(𝑅𝐶+𝑅𝐸)+𝑅𝐸ℎ21
On néglige [h22(RC RE)], dans cette condition :
𝑅𝐶 ℎ21
𝐴𝑣 = − à retenir
ℎ11+𝑅𝐸ℎ21
Amplificateur en puissance Ap
Av = Ai . Av
Impédance d’entrée
Prenons l’équation (1)
VBM = (h11 + RE) iB + RE iC (1)
𝑉𝐵𝑀 (h11 + RE) iB + RE iC 𝑖𝐶
𝑍𝑒 = = 𝑎𝑣𝑒𝑐 = 𝐴𝑖
𝐼𝐵 𝑖𝐵 𝑖𝐵
(h11 + RE) iB + RE Ai
𝑍𝑒 =
1
Remplaçons Ai par sa valeur ; nous aurons :
RE h12
𝑍𝑒 = ℎ11 + 𝑅𝐸 + à 𝑟𝑒𝑡𝑒𝑛𝑖𝑟
1+ℎ22 (𝑅𝐶+𝑅𝐸)

Impédance de sortie
Sur le schéma équivalent, on appelle le théorème de Thevinin entre les points C et M.
Pour se faire, remplaçons le générateur G par sa résistance interne et ouvrons le circuit en C et M. on obtient
le schéma suivant :

Entre C et M on a une différence de potentiel u et M montage traversé par le courant i.

𝑢
Avec 𝑍𝑠 =
𝑖

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𝑖 = ℎ21 𝑖𝐵 + ℎ22( 𝑢 − 𝑅𝐸 𝑖𝐸)

−𝑅𝐸 𝑖𝐵 ℎ21 𝑅𝐸 𝑖𝐸
𝑖𝐵 = 𝑅𝐺+ℎ11 ⇒ 𝑖 = − ℎ22 𝑢 + ℎ22 𝑅𝐸 𝑖𝐸
𝑅𝐺+ℎ11

Avec
𝑢′ = 𝑅𝐸 𝐼𝐸 ⇒ 𝑖 = ℎ21 𝐼𝐵 + ℎ22( 𝑢 − 𝑢′)
(𝑅𝐺+ℎ11)𝑅𝐸
⇒𝑢′ = 𝑅𝐸 𝑖𝐸 = ⇒ 𝑖 = (𝑅𝐺 + ℎ11) 𝑖𝐵
𝑅𝐺+ℎ11+𝑅𝐸

𝑢′
⇒ 𝑖𝐵 = en considérant (𝑅𝐺 + ℎ11) 𝑖𝐵 + 𝑢′
𝑅𝐺+ℎ11
𝑖 = ℎ21 𝑖𝐵 + ℎ22 𝑢 − ℎ22 𝑢′
𝑢′
𝑖 = ℎ21 ℎ22 𝑢 − ℎ22 𝑢′
𝑅𝐺+ℎ11
ℎ21
𝑖 = ℎ22 𝑢 + ( − ℎ22 ) 𝑢′
𝑅𝐺+ℎ11
(𝑅𝐺+ℎ11) 𝑅𝐸
𝑎𝑥𝑒 𝑢′ = .𝑖
𝑅𝐺+ℎ11+𝑅𝐸
ℎ21 (𝑅𝐺+ℎ11) 𝑅𝐸
⇒ 𝑖 = ℎ22 𝑢 + ( − ℎ22 ) ( .𝑖 )
𝑅𝐺+ℎ11 𝑅𝐺+ℎ11+𝑅𝐸
ℎ21 𝑅𝐺 𝑅𝐸 𝑖+𝑅𝐸 ℎ11 𝑖
𝑖 = ℎ22 𝑢 + ( − ℎ22 )
𝑅𝐺+ℎ11 𝑅𝐺+ℎ11+𝑅𝐸
ℎ21−[𝑅𝐺+ℎ11(ℎ22)] 𝑅𝐺 𝑅𝐸 𝑖+𝑅𝐸 ℎ11 𝑖
𝑖 = ℎ22 𝑢 + ( )
𝑅𝐺+ℎ11 𝑅𝐺+ℎ11+𝑅𝐸
ℎ21−𝑅𝐺 ℎ22 − ℎ11ℎ22 𝑅𝐺 𝑅𝐸 𝑖+𝑅𝐸 ℎ11 𝑖
𝑖 = ℎ22 𝑢 + ( )
𝑅𝐺+ℎ11 𝑅𝐺+ℎ11+𝑅𝐸
𝑅𝐺 𝑅𝐸 ℎ21 − 𝑅𝐺 2 𝑅𝐸 𝑖 ℎ22 − 𝑅𝐺 𝑅𝐸 𝑖 ℎ11ℎ22 + 𝑅𝐸 ℎ11 𝑖 ℎ21 − 𝑅𝐸 ℎ11 𝑅𝐺 ℎ22 − 𝑅𝐸 ℎ112 𝑖 ℎ22
𝑖 = ℎ22 𝑢 +
𝑅𝐺 2 + ℎ112 + 𝑅𝐸
ℎ21−𝑅𝐺 ℎ22 − ℎ11ℎ22 𝑅𝐺 𝑅𝐸+𝑅𝐸 ℎ11
⇒𝑖+( )( ) 𝑖 = ℎ222
𝑅𝐺+ℎ11 𝑅𝐺+ℎ11+𝑅𝐸

ℎ21 − 𝑅𝐺 ℎ22 − ℎ11ℎ22 𝑅𝐺 𝑅𝐸 + 𝑅𝐸 ℎ11

⇒ 𝑖 [1 + ( )( )] = ℎ22 𝑢
𝑅𝐺 + ℎ11 𝑅𝐺 + ℎ11 + 𝑅𝐸
ℎ21 − 𝑅𝐺 ℎ22 − ℎ11ℎ22 𝑅𝐺 + ℎ11
⇒ 𝑖 [1 + ( )( ) 𝑅𝐸] = ℎ22 𝑢
𝑅𝐺 + ℎ11 𝑅𝐺 + ℎ11 + 𝑅𝐸
ℎ21 − 𝑅𝐺 ℎ22 − ℎ11ℎ22
⇒ 𝑖 [1 + ( ) . 𝑅𝐸] = ℎ22 𝑢
𝑅𝐺 + ℎ11 + 𝑅𝐸

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(ℎ21 − 𝑅𝐺 ℎ22 − ℎ11ℎ22). 𝑅𝐸

𝑢 𝑅𝐺 + ℎ11 + 𝑅𝐸
⇒ 𝑍𝑠 = =
𝑖 ℎ22
1 (ℎ21 − 𝑅𝐺 ℎ22 − ℎ11ℎ22). 𝑅𝐸
⇒ 𝑍𝑠 = {1 + }
ℎ22 𝑅𝐺 + ℎ11 + 𝑅𝐸
Le terme ℎ22(𝑅𝐺 − ℎ11) est négligeable devant h21. Dans ces conditions : 𝑍𝑠 égale ;

1 𝑅𝐸ℎ21
𝑍𝑠 = (1 + ) à 𝑟𝑒𝑡𝑒𝑛𝑖𝑟
ℎ22 𝑅𝐺 + ℎ11 + 𝑅𝐸

EXERCICES

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