1
DIFFUSION DES IMPURETES DANS LE SILICIUM
1
Philippe ROUX © 2008 http://rouxphi3.perso.cegetel.net
2
I. CROISSANCE DE L'OXYDE DE SILICIUM
Comme il a été exposé dans le chapitre conception des circuits intégrés monolithiques, la
couche d'oxyde de silicium que l'on fait croître sur la plaquette et dans laquelle on prévoit des
fenêtres de diffusion, joue un rôle essentiel dans le processus de diffusion des impuretés. En effet, la
couche d'oxyde de silicium est imperméable à la diffusion des dopants habituels à condition que son
épaisseur soit suffisante.
1) Epaisseur minimale de protection de l'oxyde de silicium
Les figures 1 et 2 respectivement pour le Bore et le Phosphore (ou l’arsenic), indiquent
l'épaisseur indispensable de SiO2 pour former écran à la diffusion de ces impuretés. Ces
épaisseurs minimales d’oxyde de silicium sont fonction du temps et de la température durant le
processus de diffusion.
Figure 1 : Cas du Bore Figure 2 : Cas du Phosphore
2) Croissance de l'oxyde de silicium
La formation de la couche d'oxyde de silicium est obtenue en disposant les plaquettes
dans un four, dont la température constante, se situe en général entre 900 et 1200°C.
La mise en présence du silicium et d'un courant d'oxygène pur introduit dans le four conduit à
la réaction chimique : Si + O2 SiO2 .
La formation de l'oxyde se fait alors sous oxygène sec. Ce procédé illustré par la figure 3 qui
indique l’épaisseur de SiO2 en fonction du temps et de la température d’oxydation. On obtient
alors un oxyde de très bonne qualité à croissance lente.
Pour obtenir un oxyde à croissance rapide mais de moins bonne qualité, on doit le développer
dans une atmosphère de vapeur d'eau selon la réaction : Si + 2H 2O SiO2 + 2H 2 . La figure 4
indique alors l'épaisseur d’oxyde obtenue en fonction du temps et de la température du four.
3
Figure 3 : SiO2 sous oxygène sec Figure 4 : SiO2 sous vapeur d’eau
Dans les deux cas, la réaction chimique de croissance de l’oxyde de silicium : Si + O2 SiO2
conduit à une consommation de silicium (figure 4). En effet, la réalisation d’une couche d'oxyde
d'épaisseur eox, utilise une épaisseur de silicium de 0,4 eox.
SiO2
eox Origine du silicium avant
oxydation
Si
Figure 4 : Attaque du silicium durant son procédé d’oxydation
Exercice 1 : On considère une plaquette de silicium dopé P, non oxydée. On désire faire diffuser
localement à travers une fenêtre du phosphore afin de créer une jonction N+P. Cette diffusion sera
effectuée à T = 1100°C durant 100 minutes.
a. Déterminer l'épaisseur minimale d’oxyde de silicium nécessaire pour protéger les
zones hors fenêtre.
Solution : 0,65 μm.
b. Quelle sera la durée de croissance de l’oxyde sous oxygène sec et sous vapeur d’eau à
la température T = 1200 °C ?
Solutions : 10 heures sous oxygène sec et 36 minutes sous vapeur d’eau.
4
II : DIFFUSION DES IMPURETES
Prenons pour exemple la formation d’une jonction N+P. La diffusion du phosphore, à température
élevée constante, dans le silicium homogène P, s’effectue en deux étapes :
• Etape de prédépôt (figure 5), en exploitant la solubilité limite NL du phosphore dans le
silicium. Au terme de ce processus, on obtient un dépôt surfacique d’épaisseur fine
correspondant à une quantité Qpréd d’atomes de phosphore par cm2.
Atomes de phosphore déposés en surface :
Qpréd (at.cm -2)
SiO2
Si P homogène : N a constant
Figure 5
• Etape de redistribution des impuretés (figure 6) qui consiste à faire pénétrer plus
profondément dans le silicium les impuretés phosphore précédentes, Qpréd déposées en
surface. Au bout d’un temps déterminé, on a formé en x = xj une jonction N+P.
Nd (x)
SiO2 0
Si N+
xj
Na (x)
Si P Na constant x 0 x
xj
Figure 6
Ces deux phases de diffusion du phosphore (il en est de même pour le bore ou l’arsenic) sont régies
par les lois de Fick qui permettent de définir comment évolue la concentration N (x, t) du dopant
lors du processus de dopage.
1) LOIS DE FICK
a. Flux des impuretés : 1° loi de Fick
Considérons une plaquette de silicium mise en présence d’une solution gazeuse d’impureté
dopante, dans un four porté à une température de l’ordre de 1000°C. Les atomes du dopant
vont s’étaler dans le silicium (figure 7) à partir de la surface selon un phénomène semblable
à la diffusion des porteurs. En effet, les atomes dopants vont migrer des régions à forte
concentration vers les régions à concentration plus faible.
5
Soit une surface située en x dans le silicium. La densité de flux F(x,t) des atomes
d’impuretés N (x,t) qui traverse cette surface à un instant t (on peut aussi parler de vitesse
d'écoulement) est proportionnelle à leur gradient de concentration :
N(x,t)
F(x,t) = D (1)
x
T = 1000°C
F(x,t)
N(x,t)
N(x,t)
dN (x,t)) x
0 x
x x+dx
Figure 7
Le coefficient de proportionnalité est la constante de diffusion D (cm-2s-1) des atomes dopants
dans le semi-conducteur (figure 8).
6
Figure 8 : Constante de diffusion D dans le silicium des atomes dopants en fonction de la
température réduite (1000 /T °K).
b) Equation de transport : 2° loi de Fick
Considérons un volume élémentaire dV de silicium, de section S unité et d'épaisseur dx. On
définit en x une densité de flux F (x,t) d'atomes de dopant (figure 9).
S = 1cm2
F (x)
F(x) F(x) dx
x
x x+dx
Figure 9
A un instant t, soit N(x,t).dx le nombre d’atomes de dopant qui vont se fixer dans le volume
élémentaire. Durant un temps dt, on définit alors une vitesse d'accumulation des atomes
N(x,t)
dopants : dx .
t
Cette vitesse d’accumulation des atomes dopants, entraîne donc une modification de flux
d’impuretés entre x et (x+dx), telle que :
N(x,t) F(x,t) N(x,t) F(x,t)
dx = F(x,t) F(x,t) + dx soit : = .
t x t x
Compte tenu de la première loi de Fick, on obtient l'équation de transport suivante :
N(x,t) 2 N(x,t)
=D (2)
t x2
La relation (2) est une équation différentielle du deuxième ordre dépendant du temps et de la
distance. Cette relation gère à la fois l'étape de prédépôt et de redistribution des impuretés.
La solution N (x,t) de cette l'équation est étroitement liée aux conditions initiales qui sont
différentes dans les étapes considérées.
2) ETAPE DE PREDEPOT DU DOPANT
Au cours de cette première étape, les tranches de silicium sont soumises à une atmosphère
contenant un composé gazeux de l'élément dopant dans un four porté à une température de l'ordre
de 1000°C pendant quelques dizaines de minutes.
Le composé gazeux de l'élément dopant est caractérisé par sa solubilité limite NL c’est-à-dire la
densité maximum d'impuretés que l'on peut introduire dans le silicium à la température de diffusion
(figure 10). Cette densité d’impuretés qui est indépendante du temps reste constante à la surface du
semi-conducteur.
7
Figure 10 : Solubilité limite NL de divers dopants en fonction de la température
Les atomes de dopant vont s'établir dans silicium en fonction du temps t et de la distance x,
selon la loi :
x
N(x,t) = N L erfc (3)
2 Dt
• NL (at.cm-3) solubilité limite du dopant dans le silicium
• D (cm2 s-1) : constante de diffusion à la température du prédépôt
• 2 D.t représente la longueur de diffusion des atomes dopants
2 t 2
• erfc (z) est la fonction d'erreur complémentaire définie selon : erfc(z) =
e dt
z
0.1
0.01
0.001
erfc( z ) 1 1 0 4
5
1 10
6
1 10
7
1 10
8
1 10
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
z
Figure 11 : Fonction erfc (z) en fonction de 0 < z < 4.
8
Si on appelle tp la durée du prédépôt, à la fin du processus, la quantité d'atomes Qpréd (at.cm-2)
de dopant résidant sur le silicium est donné par la relation :
Dt p
Qpréd = 2N L (4)
Exercice 2: Formation d'une jonction N+P
On dispose d'une plaquette de silicium dopé P uniforme tel que NA = 5.1016 at. cm-3. Pour fabriquer
une jonction N+P, on effectue l'étape de prédépôt du phosphore en disposant la plaquette de silicium
dans un four porté à T = 980°C durant tp = 12 minutes.
Déterminer en utilisant les abaques, l'épaisseur xp de dépôt de phosphore et la quantité Qpréd d'atomes
correspondante.
Solution :
1000
A T = 980°C correspond : = 0,8 .
T°K
On en déduit sur les abaques figures 8 et 10 :
• Constante de diffusion du phosphore dans le silicium : Dn= 1,5 10-14 cm2.s-1
• Solubilité limite du phosphore dans le silicium à 980°C : NL = 91020 a.cm-2
x N(x ,t ) 51016
p p p
La relation (3) devient alors : erfc =
=
2 Dt p N L 910 20
x
p
La figure 11 donne alors : = 2,8
2 Dt p
On en déduit : xp = 0,18 μm et Qpréd = 3,33 1015 at.cm2
Figure 12 : Etape de prédépôt du phosphore
9
3) ETAPE DE REDISTRIBUTION DU DOPANT
On dispose en fin de prédépôt de la quantité Qpréd d'atomes de dopant à la surface de la plaquette
(condition initiale de l'équation 2). On fait alors diffuser thermiquement en profondeur cette couche
superficielle. La solution de l'équation de transport (2) devient :
Qpréd x2
N(x,t) = exp( ) (5)
Dt 4Dt
Qpréd
• L’expression représente la concentration Qs des impuretés à la surface (x = 0) du
Dt
silicium.
Le profil de dopage est gaussien avec une concentration en surface qui diminue au fur et à
mesure que le temps du processus de redistribution augmente.
Exercice 3 : suite de la formation d'une jonction N+P. Après la phase de prédépôt de phosphore
précédente, on effectue sa redistribution à 1100 °C durant un temps tr de 60 minutes.
Déterminer la profondeur xj de la jonction N+P ainsi réalisée ainsi que la concentration du
phosphore Qs en surface.
Solution :
à 1100°C la constante de diffusion des atomes de phosphore devient : D = 310-13 cm2.s-1
La relation (5) donne alors une profondeur de jonction xj = 1,74 μm avec Qs = 5,7 1019 atomes.cm-3.
Figure 13 : Formation de la jonction N+P
10
4) PROFIL DE DIFFUSION D'UN TRANSISTOR NPN
Dans le chapitre conception des circuits intégrés monolithiques, nous avons exposé la procédure
de réalisation d'un transistor NPN. Après la construction du mur d'isolement P (figure 14), on
effectue dans une fenêtre d'oxyde, la diffusion de la base P, dans la couche N épitaxiale (futur
collecteur) considéré comme uniforme : NC = 2.1015 at.cm-3 .
Base P
N épitaxié
P+ P+ P+ P+
C. E. N++ C. E. N++
substrat P substrat P
Figure 14
Les deux étapes, prédépôt suivi de la redistribution du bore, conduisent au profil de
concentration NB (x) donné en figure 15.
20
1 10
Profil du phosphore : NE (x)
19
1 10
Profil du bore : NB (x)
18
1 10
17
1 10
16
1 10
N C constant
15
1 10
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
x en microns
Emétteur N+ Base P Collecteur N
xC =2.6 μm
xE =1.8 μm
WB = 0. 8 μm
Figure 15 : Profils de diffusions d’un transistor NPN
La concentration NB (x) élevée en surface (5.1017 at.cm-3) chute en fonction de la distance dans
le silicium.
• A la distance xC où NB (x) égale la concentration NC, la densité nette d'impuretés est nulle.
• Pour x < xC la densité nette d'impuretés (NB (x) - NC) est positive.
• Pour x > xC la densité nette d'impuretés (NB (x) - NC) est négative.
Donc xC représente la distance à laquelle la jonction base collecteur est formée.
11
La diffusion du phosphore dans la base pour former l'émetteur obéit aux mêmes règles. Son
profil NE (x) commence à une concentration superficielle plus élevée (1020 at.cm-3) et va jusqu'à une
profondeur xE de 1.8 μm où est formée la jonction d’émetteur. Cette jonction correspond à
l'intersection des répartitions de base NB (x) et émetteur NE (x) des impuretés. L'épaisseur WB de la
base du transistor est donc égale à 0.8 μm.
Remarque : La diffusion du phosphore est réalisée dans le four porté à une température de l'ordre
de 1000°C. Aussi les atomes de bore, soumis à la même température, vont continuer à diffuser.
Lorsque l'émetteur est constitué, le profil NB (x) de la figure 14 se trouve alors modifié et déplacé
vers la droite.
III. IMPLANTATION IONIQUE
Actuellement, on préfère introduire les impuretés dans le silicium par implantation ionique.
On accélère, sous vide, par une énergie comprise entre 30 et 200 keV, un faisceau d'ions dopants
(bore ou phosphore). L'énergie d'accélération et le courant de faisceau (concentration des ions
dopants) déterminent la profondeur de pénétration des ions dans le silicium.
On utilise fréquemment ce procédé lorsqu'il faut de minces couches dopées telles que : la
région d'émetteur d'un transistor bipolaire, le canal d'un MOS et la région de grille d'un JFET. En
effet, le contrôle des concentrations de dopage de telles régions étroites est plus facile en
implantation ionique qu'en diffusion.
La couche de SiO2 forme encore une barrière efficace contre les ions implantés, pour ne doper
que les régions munies de fenêtres. Autre avantage de l'implantation ionique, elle s'effectue à basse
température. Par conséquent, les régions antérieurement dopées divergent beaucoup moins.
Documentation : http://www.microelectronique.univ-rennes1.fr/fr/index_chap6.htm
