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L3 GBM Elec Gle TD N1

Le document présente des exercices sur la polarisation des transistors BJT, incluant la détermination du point de fonctionnement et le calcul des valeurs des résistances nécessaires pour atteindre un point donné. Il aborde également des situations pratiques liées à la polarisation par résistance de base et par pont, ainsi que des considérations sur les circuits en cascade. Des solutions sont attendues pour chaque exercice proposé.

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UMMTO – Tamda II

L3 GBM – S5
Electronique Générale

TD N°1
BJT en Amplificateur / Polarisation
EXERCICE N°1 (Polarisation par résistance de base) :
Soit le montage suivant :

Déterminer le point de fonctionnement (VCE0 , iC0 ).

EXERCICE N°2 :
Dans la pratique il arrive que le problème, posé à l’exercice précédent, soit exprimé à l’envers : c-à-d qu’on
se donne un point de fonctionnement et qu’on cherche les valeurs des résistances qui permettent d’obtenir
ce point.
Prenons par exemple le point de fonctionnement : (VCE0 =5V, iC0=1mA ). Quelles seront alors les nouvelles
valeurs des résistances Rb, Rc et Re si le potentiel à l’Emetteur est Ve=2V.

EXERCICE N°3 : (Polarisation par pont) :

Déterminer le point de fonctionnement (VCE0 , iC0 ) pour le


montage ci-contre

EXERCICE N°4 :
Dans le schéma de cette figure, le potentiel au collecteur du
transistor NPN est Vc=4V. Celui-ci étant supposé
polarisé dans sa zone de fonctionnement linéaire et
ayant un gain β=200.
- Calculer le potentiel Ve de l’émetteur de ce
transistor.
- Si le potentiel Ve se trouve à l’entrée d’un
autre circuit électrique (une autre structure,
éventuellement complexe, en cascade), quelles
sont alors les précautions à entreprendre ?
SOLUTIONS
EXERCICE N°1 :

EXERCICE N°2 :
EXERCICE N°3 :
EXERCICE N°4 :

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