Contrôle Final ― Correction
Exercice 1 : Modules d’élasticité d’un cristal cubique
1. Le principe de mesure :
Un signal électrique est transformé en onde de déformation par un transducteur piézoélectrique
(0,25pt). Cette onde se propage dans l’échantillon puis se réfléchit et refait le chemin inverse (0,25pt). On
mesure le temps τ entre deux échos successifs sur un oscilloscope ou un système d’acquisition relié à un
ordinateur et on en déduit la vitesse 𝑣𝑠 des ondes ultrasonores (0,5pt).
(0,25pt)
2𝑒
𝑣𝑠 = (𝟎, 𝟐𝟓𝐩𝐭)
𝜏
2. On doit vérifier que les deux termes de l’égalité s’expriment avec la même unité. Les 4 dimensions du
système international de mesure sont: M: masse, L: longueur, T: temps et I: intensité du courant.
[𝑣𝑠 ] = 𝐿. 𝑇 −1 (𝟎, 𝟐𝟓𝐩𝐭)
[𝐹𝑜𝑟𝑐𝑒] 𝑀. 𝐿. 𝑇 −2
[𝐶11 ] = = = 𝑀. 𝐿−1 . 𝑇 −2 (𝟎, 𝟐𝟓𝐩𝐭)
[𝑆𝑢𝑟𝑓𝑎𝑐𝑒] 𝐿2
[𝑚𝑎𝑠𝑠𝑒]
[𝜌] = = 𝑀. 𝐿−3 (𝟎, 𝟐𝟓𝐩𝐭)
[𝑣𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒]
On en déduit:
𝐶11 1/2
[( ) ] = 𝐿. 𝑇 −1 (𝟎, 𝟐𝟓𝐩𝐭)
𝜌
La formule est donc bien homogène.
3. Pour les directions de propagation [100] et [111] les deux modes transversaux sont dégénérés ce qui
n’est pas le cas pour la direction [110] (𝟏𝐩𝐭).
4. A partir de la relation :
𝐶11 − 𝐶12 = 2𝐶44
On obtient (démonstration 1 pt, juste la formule 0,25 pt) :
𝐶11
𝑣𝐿 [110] = 𝑣𝐿 [111] = √ (𝟏𝐩𝐭) ou (𝟎, 𝟐𝟓𝐩𝐭)
𝜌
𝐶44
𝑣𝑇 [110] = 𝑣𝑇 [111] = √ (𝟏𝐩𝐭)ou (𝟎, 𝟐𝟓𝐩𝐭)
𝜌
5. Si la condition de Cauchy 𝐶12 = 𝐶44 est vérifiée le module de compressibilité s’écrit :
5 5
𝐵 = 𝐶11 (𝟏𝐩𝐭) ou 𝐵 = 𝐶44 (𝟏𝐩𝐭)
9 3
6. Le rapport entre la vitesse des ondes élastiques longitudinales et celle des ondes transversales :
𝑣𝐿
= √3 (𝟏𝐩𝐭)
𝑣𝑇
7. Pour déterminer les valeurs des modules d’élasticité 𝐶11 , 𝐶12 et 𝐶44 de l’aluminium, on dispose de 4
données et trois inconnues, ce qui permet deux déterminations indépendantes pour un des modules
d’élasticité. La méthode la plus simple consiste à utiliser la direction [100] pour 𝐶11 et 𝐶44 et la direction
[111] pour 𝐶12 .
𝐶11 = 𝜌𝐴𝑙 𝑣𝐿2 [100] = 2,71 × 103 × (6,3 × 103 )2 = 1,08 × 1011 𝑃𝑎 (𝟏𝐩𝐭)
𝐶44 = 𝜌𝐴𝑙 𝑣𝑇2 [100] = 2,71 × 103 × (3,2 × 103 )2 = 2,78 × 1010 𝑃𝑎 (𝟏𝐩𝐭)
On a deux déterminations indépendantes pour 𝐶12 :
3𝜌𝐴𝑙 𝑣𝐿2 [111] − (𝐶11 + 4𝐶44 )
𝐶12 =
2
3 × 2,71 × 10 × (6,45 × 10 ) − (1,08 × 10 + 4 × 2,78 × 1010 )
3 3 2 11
𝐶121 = = 5,95 × 1010 𝑃𝑎 (𝟎, 𝟓𝐩𝐭)
2
𝐶122 = (𝐶11 + 𝐶44 ) − 3𝜌𝑣𝑇2 [111]
𝐶122 = (1,08 × 1011 + 2,78 × 1010 ) − 3 × 2,71 × 103 × (3,10 × 103 )2 = 5,77 × 1010 𝑃𝑎 (𝟎, 𝟓𝐩𝐭)
𝐶121 + 𝐶122
𝐶12 = = 5,86 × 1010 (𝟏𝐩𝐭)
2
8. La condition d’isotropie :
𝐶11 − 𝐶12 − 2𝐶44 = 0
1,08 × 10 − 5,86 × 1010 − 2 × 2,78 × 1010 = −6,2 × 109 (𝟎, 𝟓𝐩𝐭)
11
La condition d’isotropie n’est pas vérifiée. Ce résultat était prévisible puisque :
𝑣𝑇 [100] ≠ 𝑣𝐿 [111]
(𝟎, 𝟓𝐩𝐭)
𝑣𝑇 [100] ≠ 𝑣𝑇 [111]
9. Commentaire sur les résultats obtenus : on peut faire une estimation de la précision sur les valeurs des
modules d’élasticité :
𝜎1 0,127279 × 1010 𝑈(𝐶12 )
𝑈(𝐶12 ) = 𝑡95 (2) × = 12,7 × = 1,14 × 1010 𝑃𝑎 ; = 0,2 = 20% (𝟏, 𝟓𝐩𝐭)
√2 √2 𝐶12
Les valeurs généralement admises dans la littérature sont :
𝐶11 = 1,068 × 1011 𝑃𝑎 ; 𝐶12 = 0,607 × 1011 𝑃𝑎 ; 𝐶44 = 0,282 × 1011 𝑃𝑎
𝐶11 − 𝐶12 − 2𝐶44 = −10,3 × 109
Exercice 2 : Conductivités électriques du cuivre et du silicium
1. La concentration 𝑛𝐶𝑢 des porteurs :
𝜌𝐶𝑢 × 𝑁𝐴 8,89 × 103 × 6,023 × 1023
𝑛𝐶𝑢 = = = 8,43 × 1028 𝑚3 (𝟏𝐩𝐭)
𝑀(𝐶𝑢) 63,5 × 10−3
2. La conductivité électrique :
𝜎 = 𝑛𝐶𝑢 𝑒𝜇𝐶𝑢 = 8,43 × 1028 × 1,6 × 10−19 × 4,45 × 10−3 = 6,0 × 107 𝑆. 𝑚−1 (𝟏𝐩𝐭)
3. La conductivité d’un semi-conducteur est donnée par :
𝜎 = 𝜎𝑛 (é𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑠) + 𝜎𝑝 (𝑡𝑟𝑜𝑢𝑠) = 𝑛𝑒𝜇𝑛 + 𝑝𝑒𝜇𝑝 (𝟎, 𝟓𝐩𝐭)
4. Le semi-conducteur étant intrinsèque, on a 𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖 , le rapport des deux conductivités :
𝜎𝑝 𝜇𝑝 500 1
= = = (𝟎, 𝟓𝐩𝐭)
𝜎𝑛 𝜇𝑛 1500 3
On ne peut donc pas la négliger.
5. La conductivité du silicium :
𝜎𝑆𝑖 = 𝑛𝑒(𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 ) = 1,60 × 1016 × 1,6 × 10−19 × 0,200 = 5,1 × 10−4 S. m−1 (𝟏𝐩𝐭)
6. L’ordre de grandeur du rapport (pas la valeur du rapport) des conductivités électriques 𝜎𝐶𝑢 et 𝜎𝑆𝑖 :
𝜎𝐶𝑢 108
≈ −3 = 1011 (𝟏𝐩𝐭) ou (𝟎, 𝟐𝟓𝐩𝐭)
𝜎𝑆𝑖 10
7. L'écart ne peut pas être expliqué par la différence de mobilité des porteurs dans ces deux matériaux
puisque la mobilité des électrons est plus faible dans le cuivre que dans le silicium. L’écart est dû
simplement à la grande différence dans les concentrations des porteurs de charge 𝑛𝐶𝑢 ≫ 𝑛 (𝟏𝐩𝐭).
