Université d’ANTANANARIVO

Faculté des Sciences

Département de Physique
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COURS

D’ELECTROSTATIQUE

Filière : P.C.1
Année Universitaire 2013- 2014

PROGRAMME

Chapitre 1: Loi de Coulomb

Chapitre 2: Champ et potentiel électrostatique

Chapitre 3: Théorème de Gauss

Chapitre 4: Conducteurs en équilibre

Chapitre 5: Influence électrostatique

Chapitre 6: Condensateur- énergie et force

EXCLU DE PRÊT
Attention ! Toute reproduction intégrale ou partielle de cet ouvrage, par quelque procédé que ce soit constituerait une
contre – façon sanctionnée par le code pénal

Dr ROBELISON Solofonirina 1
 CHAP.1. GENERALITES SUR L’ELECTROSTATIQUE

L’électrostatique est l’étude des propriétés de l’espace

environnant les charges électriques fixes dans un référentiel ( R ) .
1. Les deux sortes d’électricité
Il existe 2 types de charges électriques :
• la charge positive obtenue par exemple sur une baguette de verre frottée avec du drap
• la charge négative obtenue par exemple sur une baguette d’ébonite frottée avec de la
peau de chat.
L’électricité négative est due à un excès d’électrons tandis que l’électricité positive est due
à un défaut d’électrons.
On peut électriser un corps :
par frottement ,
par contact ,
par influence ,….
Les expériences montrent que :
• deux corps chargés d’électricités différentes s’attirent ;
• deux corps chargés d’électricités identiques se repoussent .
Il existe 2 catégories de corps :
• les isolants (verre , ébonite , soie ,….) sur lesquels la charge électrique ne peut pas se
déplacer .
• les conducteurs (métaux , électrolytes , sol ,…..) sur lesquels la charge électrique peut
se déplacer .
2. Charges ponctuelles- Distributions continues de charges

2.1. Charge ponctuelle

Les charges sont dites ponctuelles si les dimensions du volume chargé sont infiniment
petites par rapport aux dimensions auxquelles on se place (figure 1 ) .
2.2. Distribution linéaire
Si les charges sont réparties sur une courbe ( C ) ( figure 2 ) , on appelle densité linéique ( ou
linéaire ) de charge , la quantité :
dQ
λ= [ charge par unité de longueur ]
dl
dl : élément de longueur centré en un point P de ( C ) .
dQ : charge portée par dl .
dQ est considérée comme une charge ponctuelle placée au point P .
–1
Dans le système M.K.S.A. , λ s’exprime en C.m .

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 2.3. Distribution surfacique
Si les charges sont réparties sur une surface ( S ) (figure 3 ) , on appelle densité surfacique
(ou superficielle ) de charge , la quantité :
dQ
σ= [ charge par unité de surface ]
dS
dS : élément de surface centré en un point P de ( S ) .
dQ : charge portée par dS .
dQ est considérée comme une charge ponctuelle placée au point P .
–2
Dans le système M.K.S.A. , σ s’exprime en C. m .
2.4. Distribution volumique
Si les charges sont réparties dans un volume ( v ) ( figure 4 ) , on appelle densité volumique
de charge , la quantité :
dQ
ρ= [ charge par unité de volume ]
dv
dv : élément de volume centré en un point P de ( v ) .
dQ : charge portée par dv .
dQ est considérée comme une charge ponctuelle placée au point P .
–3
Dans le système M.K.S.A. , ρ s’exprime en C.m .
Remarque
Si les différentes densités de charges sont constantes , la distribution est dite uniforme .
3. Loi de Coulomb
Dans le vide , deux charges électriques ponctuelles s’attirent ou se repoussent avec une
force F :
• portée par la droite qui les joint ,
• proportionnelle à la charge électrique de chacune d’elle ,
• inversement proportionnelle au carré de leur distance .

1 q.q'
F = .r avec r = AB et r = AB
4.π.εo r3

1
Dans le système M.K.S.A. , = 9.109
4.π.εo

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 CHAP.2. CHAMP ELECTROSTATIQUE

1. Définition
Si dans une région de l’espace, on introduit des charges électriques immobiles, les
propriétés de l’espace sont modifiées.
L’espace est alors dit champ électrostatique et est caractérisé, en chaque point M, par :
- le vecteur champ électrostatique E (M ) (vecteur) ,
- le potentiel électrostatique V(M) (scalaire) .

Une charge ponctuelle Q placée en un point M d’un champ électrostatique où le vecteur

champ est E (M ) est soumise à la force électrostatique F = Q.E ( M )

Remarque : Dans le système M.K.S.A , E s’exprime en V/m ou N/C .

2. Champ créé par une charge ponctuelle Q

Une charge ponctuelle Q placée en un point O dans le vide crée un champ électrique
autour d’elle . Le vecteur champ E ( M ) en un point M à la distance r de la charge Q est :

1 Q
E(M ) = .r avec r = OM et r = OM
4.π .ε o r 3

En effet , si on place une charge ponctuelle q au point M à la distance r = OM de la charge Q ,

la charge q va être soumise à la force électrostatique F = q. E (M ) , si E (M ) est le vecteur
champ au point M .
1 q.Q
Les 2 charges ponctuelles Q et q s’attirent ou se repoussent avec la force F = .r
4.π .ε o r 3
1 Q
Par identification des 2 expressions de F , on tire : E ( M ) = .r .
4.π .ε o r 3
Remarque

Lim E = ∞ . Cela signifie que le vecteur champ n’est pas défini au point où est placée la charge.
r →0

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3. Champ créé par un système de n charges ponctuelles
Le vecteur champ résultant au point M du champ créé par
les n charges qi placées respectivement au point Oi est :
n 1 n r
E (M ) = ∑ Ei = . ∑ qi . i
i =1 4.π.εo i =1 r 3
i
avec r i = Oi M et ri = r i

Dans le cas de la figure ci – contre :

E (M ) = E1 + E 2 + E3

4. Champ créé par une distribution continue de charges

Le vecteur champ électrique E (M ) au point M du champ créé par une distribution
1 r
4.πε o ∫( D )
continue de charge (D ) est : E ( M ) = dq.
r3

Si (D ) est une ligne chargée (C) , dq = λ.dl

dl : élément de longueur centré en un point P de (C) ;
λ : densité linéaire ou linéique de charge au point P de (C) [ charge par unité de longueur ]
Si (D ) est une surface chargée (S) , dq = σ.dS
dS : élément de surface centré en un point P de (S) ;
σ : densité surfacique ou superficielle de charge au point P de (S) [ charge par unité de surface ]
Si (D ) est un volume chargé (v ) , dq = ρ.dv
dv : élément de volume centré en un point P de (v ) ;
ρ : densité volumique de charge au point P de (v ) [ charge par unité de volume ]
r = PM et r = PM

dq est considérée comme une charge ponctuelle placée au point P et crée un champ dont le vecteur
champ au point M est :
1 r
dE = dq.
4.πε o r3
5. Ligne et tube de champ
a) Ligne de champ :
Une courbe (Γ) est une ligne de champ si ∀ M ∈ (Γ) , E ( M ) est tangent en M à (Γ) .
Un champ électrostatique est dit uniforme lorsque tous les vecteurs champ E sont
équipollents ; les lignes de champ sont donc des droites parallèles .
( vecteur équipollents : direction parallèle , même sens , même module ) .

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 On obtient l’équation vectorielle des lignes de champ en écrivant que sur une ligne de
champ (Γ) , E (M ) est parallèle à dM ⇔ E Λ dM = 0 ou E = k. dM avec k ∈ R*
dM : vecteur déplacement élémentaire tangent en M à (Γ) .
b) Tube de champ :
Un tube de champ est l’ensemble des lignes de champ s’appuyant sur un contour fermé ( C ) .

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 CHAP.3. THEOREME DE GAUSS- POTENTIEL ELECTROSTATIQUE-
EQUATIONS DE POISSON ET DE LAPLACE

1. Théorème de Gauss

Le flux Φ (S) [ E ] du vecteur champ électrostatique E à travers une surface fermée (S) est :

Q int(S)
φ (S) [ E ] = ∫(S) E . n . dS =
εo

(S) : surface fermée .

E : vecteur champ au point M ∈ (S).
dS : élément de surface centré au point M.
n. : vecteur unitaire perpendiculaire en M à dS
Qint(S) : somme algébrique des charges intérieures
à (S) .
QS (S) : somme algébrique des charges sur la
surface (S) .
Qext(S) : somme algébrique des charges extérieures
à la surface (S) .

2. Potentiel électrostatique

Le vecteur champ électrostatique E est un champ de gradient ; cela signifie qu’il existe une
fonction scalaire V , telle que : E = − grad V .
On dit également que E dérive d’un potentiel scalaire V .
Le signe – signifie que E est dans le sens des potentiels décroissants.
V s’appelle le potentiel électrostatique.
Dans le système M.K.S.A. , le potentiel V s’exprime en volts (V) .
2.1. Potentiel créé par une charge ponctuelle Q

Le vecteur champ E (M ) en un point M à la distance r de la charge Q placée au point O est :

1 Q Q 1  Q 1
E (M ) = .r = grad (− ) = − grad  .  = − grad V
4.π .ε o r 3 4.π .ε o r  4.π .ε o r 
Q
⇒V= avec r = OM et r = OM
4.π .ε o .r
1 r
On peut montrer que : grad   = − .
r r3
Q
Comme grad  C te  = 0 ⇒ V = + Cte
  4.π .ε o .r

S’il n’y a pas de charge électrique à l’infini, on prend V(∞) = 0 ⇒ Cte = 0 .

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 2.2. Potentiel créé par un système de n charges ponctuelles

La charge Qi placée au point Oi crée au point M

(OiM = ri ) le potentiel :
Qi
Vi =
4.π.εo .ri
Le système de n charges Qi placées respectivement
aux points Oi . ( OiM = ri ; i variant de 1 à n )
crée au point M le potentiel V :
3  Q1 Q2 Q3 
n n Q 1
V(M) = ∑ Vi =
1
∑ i V ( M ) = ∑Vi =  − + 
4.π.ε o i =1 ri i =1 4.π .ε o  r1 r2 r3 
i =1
V(M) = V1 + V2 + V3

Remarques :
• Qi est algébrique c.à.d précédé du signe + ou - .
• ri est toujours positif.
• V(M) est un scalaire tandis que E (M ) = E1 + E 2 + E3 est un vecteur .

2.3. Potentiel créé par une distribution continue

Le potentiel V(M) au point M créé par une distribution continue de charge (D) est :
 1 dq 
V(M) =  ∫(D)  + Cte
 4.π.εo r 

Si (D ) est une ligne chargée (C) , dq = λ.dl

dl : élément de longueur centré en un point P de (C) ;
λ : densité linéaire ou linéique de charge au point P de (C) [ charge par unité de longueur ]
Si (D ) est une surface chargée (S) , dq = σ.dS
dS : élément de surface centré en un point P de (S) ;
σ : densité surfacique ou superficielle de charge au point P de (S) [ charge par unité de
surface ]

Si (D ) est un volume chargé (v ) , dq = ρ.dv

dv : élément de volume centré en un point P de (v ) ;
ρ : densité volumique de charge au point P de (v ) [ charge par unité de volume ]
dq est considérée comme une charge ponctuelle placée au point P et crée au point M le
potentiel :

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 1 dq
dV = avec r = PM
4.π .ε o r

Remarque : S’il n’y a pas de charge à l’∞ , on prend Cte = 0 ( V(∞) = 0 ) .

2.4. Surface équipotentielle
C’est l’ensemble des points M pour lesquels V(M) = Cte .
En un point M de la surface équipotentielle (S) d’équation V = Cte , le vecteur
E ( M ) = − grad V est perpendiculaire en M à (S) . On dit que les lignes de champ sont des
trajectoires orthogonales des surfaces équipotentielles.
3. Equations de Poisson et de Laplace
ρ (M) : densité volumique de charge au point M .
E (M ) : Vecteur champ électrostatique au point M

Q int( S ) 1
Théorème de Gauss : φ (S) [ E ]= ∫( S ) E . n . dS = = .∫ ρ .dv
εo εo (v )
⇒
Théorème d’Ostrogradsky : ∫( S ) E . n . dS = ∫(v) div E .dv
1 ρ (M )
∫(v) div E .dv = .∫ ρ .dv Ceci est vrai ∀ dv ⇒ div E ( M ) =
εo (v ) εo

ρ (M) : densité volumique de charge au point M .

(v) : volume délimité par la surface fermée (S)
dv : élément de volume centré en un point M de (v ) .
E (M ) : vecteur champ électrostatique au point M

ρ (M ) ρ (M ) ρ (M ) ρ( M )
div E (M ) = ⇒ div( − grad V )= ⇒ – ∆V = ⇒ ∆V(M) + =0
εo εo εo εo
ρ( M )
∆V(M) + =0
εo

ρ (M) : densité volumique de charge au point M .

V(M) : potentiel au point M

Dans une région où il n’y a pas de charge, ρ = 0 ⇒ ∆V = 0 (équation de Laplace)

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 CHAP.4. PROPRIETES DES CONDUCTEURS EN EQUILIBRE

1. DEFINITION

On dit qu’un conducteur est en équilibre lorsque les charges libres qu’il contient sont toutes au repos.

2. PROPRIETES D’UN CONDUCTEUR EN EQUILIBRE

Dans un conducteur plein ou dans un conducteur creux dont la cavité ne contient pas de charge, lorsque l’équilibre
est réalisé :
1 – Le champ est nul dans la masse du conducteur et dans la cavité ( E = 0 ).
te
2 – Le potentiel est constant en tout point du conducteur et dans la cavité (V = C ) .
3 – Seule la surface extérieure du conducteur peut porter une charge (ρ = 0 ) .

3. CHAMP AU VOISINAGE D’UN CONDUCTEUR EN EQUILIBRE

3.1. Théorème de Coulomb

La surface extérieure (S) d’un conducteur en équilibre est équipotentielle. En un point M infiniment voisin de
(S) , le champ E est donc normal à (S) .
(E = − grad .V ⊥ à la surface d’équation V = Cte )

Considérons autour de M une surface élémentaire d’aire

dS parallèle à la surface du conducteur et portant une
charge σ.dS . Formons une surface de Gauss (fermée)
constituée par dS , un tube de champ qui s’appuie sur le
contour de dS et une surface (∑) à l’intérieur du
conducteur .
Le théorème de Gauss appliqué à cette surface fermée
donne :
σ .dS σ
E . n .dS = E.dS = ⇒E=
εo εo

D’où le théorème suivant (Théorème de Coulomb) :

Le vecteur champ électrique en un point infiniment voisin de la surface d’un conducteur électrisé
quelconque en équilibre dans le vide est normal à la surface de ce conducteur.

σ
E = .n
εo
E : Vecteur champ en un point M au voisinage du conducteur en équilibre.
n : Vecteur unitaire normal en M à la surface (S) du conducteur.
σ : Densité superficielle de charge en M.

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Remarque :

Considérons sur une normale à un conducteur en équilibre, deux points infiniment voisins de part et d’autre de
σ
sa surface : le champ, nul à l’intérieur est égal à à l’extérieur.
εo
Donc à la traversée d’une surface chargée, le vecteur champ présente une discontinuité tandis que le potentiel
est continu (figure a).

3.2. Pression électrostatique

La surface extérieure (S) du conducteur en équilibre est soumise à la force de pression électrostatique :
σ2
f = ∫
( S ) 2.ε
o
. dS . n

n : vecteur unitaire normal en M à la surface (S) du conducteur .

σ : densité superficielle de charge en M .

σ2
p= : pression électrostatique au point M centre de dS .
2.ε o

En effet , la charge dq = σ.dS portée par un élément de surface dS du conducteur en équilibre électrique
(figure b) est soumise à une force (force de pression électrostatique) perpendiculaire à la surface et dirigée toujours
vers l’extérieur du conducteur :
σ2 σ2
df =
2.ε o
.dS . n ⇒ f = ∫
( S ) 2.ε
o
. dS . n

3.3. Pouvoir des pointes

La densité superficielle est très grande sur les parties pointues et saillantes des conducteurs.
Par suite, le vecteur champ électrique est très grand au voisinage de ces parties.

Ce phénomène explique la tête pointue des paratonnerres.

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4. PROBLEME GENERAL DE L’ EQUILIBRE DES CONDUCTEURS

4.1. Système de conducteurs

On considère un système de conducteurs de forme et de position invariables. On suppose qu’il n’y a pas
de charges électriques dans le vide entre les conducteurs :

♦ La fonction potentiel V(M) en un point M dans le vide entre les conducteurs satisfait à l’équation de
Laplace ∆V = 0 et prend une valeur constante sur la surface de chaque conducteur .
♦ La solution de ∆V = 0 est unique , c’est à dire , si l’on fixe pour chaque conducteur soit sa charge totale
, soit son potentiel , l’état d’équilibre électrique est unique , en particulier il n’existe qu’une seule fonction potentiel
V(M) solution du problème .
♦ La superposition algébrique de plusieurs états d’équilibre électrique de ce système de conducteurs
invariables est un nouvel état d’équilibre, dans lequel le potentiel en chaque point est la somme algébrique des
potentiels et le vecteur champ, la somme vectorielle des champs correspondant aux états superposés .

Exemple : Système de 2 conducteurs.

σ1 → Q1 = ∫(S ) σ1.dS σ2 → Q2 = ∫(S ) σ 2 .dS

1 ∆V = 0 ⇒ V(M) 2
Etat 1 V1 V2
E ( M ) = − gradV ( M )
E1 (champ au voisinage) E2 (champ au voisinage)

σ’1 → Q’1 = ∫(S ) σ'1.dS σ’2 → Q’2 = ∫(S ) σ'2 .dS

1 ∆V’ = 0 ⇒ V’(M) 2
Etat 2 V’1 V’2
E ' ( M ) = − gradV ' ( M )
E '1 (champ au voisinage) E '2 (champ au voisinage)

σ1 +σ’1 → Q1 + Q’1 V(M) + V’(M) σ2 +σ’2 → Q2 + Q’2

Etat 1 + Etat 2 V1 + V’1 E ( M ) + E '( M ) V2 + V’2
E1 + E '1 (champ au E 2 + E '2 (champ au
voisinage) voisinage)

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4.2. Conducteur seul dans l’espace

• Le potentiel V de ce conducteur est lié à sa charge Q par la relation Q = C.V.

C est la capacité de ce conducteur et ne dépend que de sa forme et de ses dimensions.

L’unité M.K.S.A. de capacité est le farad (F).

En pratique, on utilise surtout le µF (10

–6 –9 – 12
F) , le nF (10 F) et le pF (10 F) .

• Exemple : Capacité d’une sphère de centre O, de rayon R, uniformément chargée :

Le potentiel V de cette sphère en équilibre est :

1 σ .dS σ.R Q Q
V = V(O) ∫
4.π .ε o ( S ) R
=
εo
=
4.π.R 2
.R =
4.π.R 2
.R ⇒Q = 4.π.εO.R.V ⇒ C = 4.π.εO.R

4.3. Energie du conducteur

• On appelle énergie W d’un conducteur, celle qu’il faut fournir pour charger ce conducteur :

1 1 1 Q2
W= QV = CV 2 =
2 2 2 C

• Pour un système de n conducteurs en équilibre,

1 n
W= ∑ QiVi
2 i =1
Qi : Charge du conducteur n°i
Vi : Potentiel du conducteur n°i

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 CHAP.5. INFLUENCE ELECTROSTATIQUE

1. ELECTRISATION PAR INFLUENCE

Soit un conducteur (A) , isolé , initialement neutre .

On approche un conducteur (B) isolé mais chargé (positivement par exemple) .

On constate alors :

♦ qu’il apparaît des charges négatives dans les régions de (A) proches de (B) .

♦ qu’il apparaît des charges positives dans les régions de (A) éloignées de (B) .

On dit que le conducteur (A) s’est chargé par influence.

2. THEOREME DES ELEMENTS CORRESPONDANTS

Deux éléments appartenant aux surfaces de 2 conducteurs en équilibre électrique et sous-tendus

par le même tube de champ sont dits éléments correspondants et portent des charges électriques opposées.

Le théorème de Gauss appliqué à la surface fermée formée par le tube et les surfaces (Σ) et (Σ’) prises à
l’intérieur de (A) et (B) donne :

1
0= (dq + dq ' ) ⇒ dq ' = −dq
ε0

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3. PHENOMENE D’INFLUENCE

3.1. Influence totale

On dit qu’il y a influence totale lorsque le conducteur (A) entoure complètement le conducteur (B) .

Si Q désigne la charge algébrique initialement portée par (B) , alors il apparaît , par influence totale une charge –
Q sur la face interne de (A) [figure 1] .

Si (A) était initialement neutre , il apparaît sur sa surface externe une charge + Q [figure 2] .
Si (A) était isolé et portait initialement une charge Q’, sa face externe portera la charge Q + Q’ [figure 3] .
Si (A) est relié au sol , seul subsiste la charge – Q sur la face interne de (A) [figure 4].

3.2. Influence partielle

L’influence est dite partielle si le conducteur (B) n’entoure pas complètement le conducteur (A) .

Reprenons l’expérience au début du chapitre

Il existe forcément à la surface du conducteur (A) des points où la densité superficielle σ est nulle. Le lieu
de ces points s’appelle la ligne neutre.

Soit + q > 0 la charge portée par (B) , soit – q’ < 0 la charge négative apparue sur la partie de (A) proche de
(B) .
Il apparaît donc une charge positive q’ du côté de (A) éloigné de (B) puisque (A) était initialement neutre.
Une partie seulement des lignes de champs issues de (B) arrive sur (A) . Les autres se perdent au sol ou à l’infini.
Donc,

 q’ <  q

En influence partielle, la charge qui apparaît par influence est, en valeur absolue, inférieure à la
charge qui provoque l’influence.

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 Si (A) est relié au sol , il apparaît sur sa surface des charges négatives – q’’ :

 q’’ <  q

3.3. Théorème des écrans électriques

On considère les 3 conducteurs ainsi que les 3 états suivants :

ère
1 Etat :

Le conducteur (B) est relié au sol (V = 0)

Le conducteur extérieur (Ae) n’est pas chargé (Qe = 0)
Le conducteur (Ai) porte sur sa surface la charge Qi
Par influence totale, la face interne de (B) porte la charge – Qi
Le champ en un point Me extérieur à (B) est nul : Ee = 0
Par contre, le champ Ei dans la cavité n’est pas nul ( Ei ≠ 0 )

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 e
2 Etat

Le conducteur (Ae) est chargé (Qe ≠ 0)

Le conducteur intérieur (Ai) n’est pas chargé (Qi = 0)
Le champ électrique Ee à l’extérieur de (B) n’est pas nul ( Ee ≠ 0)
(B) porte des charges d’influence Q’e ( Q’e  <  Qe  )
Le champ électrique est nul à l’intérieur de la cavité ( Ei = 0)
Le conducteur (B) est à un potentiel V ≠ 0

Etat superposé

Charge de (Ai) : Qi = Qi +0
Charge de (Ae) : Qe = 0 + Qe
Charge de (B) : – Q i + Q’e = ( – Qi + 0 ) + (0 + Q’e)
Potentiel de (B) : V = 0 + V
Champ dans la cavité : Ei = Ei + 0
Champ à l’extérieur de (B) : Ee = 0 + Ee

Conclusion :
Ei ne dépend que de l’état 1 ( ne dépend pas de Qe)
E2 ne dépend que de l’état 2 ( ne dépend pas de Qi)
Ils sont parfaitement indépendants l’un de l’autre.

D’où le théorème suivant :

Un conducteur creux maintenu à un potentiel constant fait écran électrique dans les 2 sens, c.à.d que
les champs électriques et les répartitions des charges dans la cavité sont indépendants des charges
extérieures et inversement .

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4. INFLUENCE DANS UN SYSTEME DE n CONDUCTEURS

Soient n conducteurs invariables (Si) en équilibre, de charges (superficielles) et de potentiels respectifs Qi et

Vi ( i variant de 1 à n ) .

4.1. Capacités et coefficients d’influence des conducteurs

La charge de chacun d’eux est une fonction linéaire et homogène des potentiels de tous .

Q1 = C11 V1 + C12 V2 + ….+ C1n Vn

Q2 = C21 V1 + C22 V2 + ….+ C2n Vn
. .
. .
. .
Qn = Cn1 V1 + Cn2 V2 + ….+ Cnn Vn

Ce système peut s’écrire sous la forme condensée et la forme matricielle suivante :

n
Qi = ∑ Cij Vj
j =1

[Q] = [C] . [V]

Cii : capacités du conducteur (Si) en présence des autres conducteurs .
Cij , i≠j : coefficients d’influence des conducteurs (Si) sur le conducteur (Sj ) .

4.2. Propriétés de ces coefficients

• Ces coefficients Cij ne dépendent ni des potentiels Vi , ni des charges Qi des conducteurs .
• Cii > 0
• Cij < 0 i≠j
• Cij = Cji
n
• Cii ≥ – ∑ Cij i variant de 1 à n
i≠ j

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 4.3. Energie du système de n conducteurs en équilibre
C’est l’énergie totale que l’on peut récupérer en reliant tous ces conducteurs au sol, pour les décharger
complètement. C’est aussi l’énergie qu’il faut fournir à ce système pour le charger par un procédé réversible sans
perte d’énergie sous forme de chaleur :
1 n
W= ∑ Qi .Vi
2 i =1
Qi : Charge du conducteur i
Vi : Potentiel du conducteur i

5. IMAGES ELECTRIQUES

Considérons les 2 systèmes suivants :

(S’) : Surface équipotentielle de potentiel V’entourant les charges ponctuelles q3 et q4

q1 et q2 : Charges ponctuelles à l’extérieur de la surface équipotentielle (S’) .
(S) : Surface de même forme que (S’) limitant un conducteur porté au potentiel V = V’
q1 et q2 : Charges ponctuelles à l’extérieur du conducteur (S)

Le potentiel V(M) en un point M extérieur à la surface équipotentielle (S’) ou au conducteur (S) obéit dans les
2 cas aux conditions suivantes :

∆V = 0
V = V’ sur (S) ou sur (S’)
V = 0 à l’∞

Ces 3 conditions déterminent V(M) d’une façon unique : les 2 systèmes sont donc équivalents : on dit que q3
et q4 sont l’image électrique de q1 et q2 à travers le conducteur (S).

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 CHAP.6. CONDENSATEUR- ENERGIE ET FORCE ELECTROSTATIQUES

A- CONDENSATEUR

1. Définitions

Un condensateur est l’ensemble de deux conducteurs dont l’un (C2) (armature externe), entoure complètement l’autre
(C1) (armature interne). Il y a donc influence totale entre ces 2 armatures. La charge superficielle Q de l’armature
interne est la charge du condensateur. Si Q2 est la charge totale de l’armature externe,

Q2 = Qe – Q

Qe : charge portée par la face externe de (C2 ) .

– Q : charge portée par la face interne de (C2 ).

Dans les applications pratiques, on néglige Qe .

On appelle capacité du condensateur, la quantité C telle que Q = C.( V1 – V2 ) .

V1 et V2 sont respectivement les potentiels de l’armature interne et de l’armature externe du condensateur. C ne
dépend que de la géométrie du condensateur.

Dans le système M.K.S.A. , la capacité C s’exprime en farad (F) . En pratique, on utilise les sous-multiples suivants :
- le microfarad : 1 µF = 10 F.
–6
–9
- le nanofarad : 1 nF = 10 F.
– 12
- le picofarad : 1 pF = 10 F.

Dans un circuit électrique, on représente un condensateur par le symbole suivant :

2. Méthode de calcul des capacités

On calcule la capacité d’un condensateur de la manière suivante :

- On détermine en utilisant le théorème de Gauss le vecteur champ E (M ) en un point M entre les armatures.
- On calcule la tension ou la différence de potentiel (d.d.p) V1 – V2 entre les armatures.
- On calcule (éventuellement) la charge Q du condensateur.
Q
- On en déduit la capacité C par la relation : C=
V1 − V2

Dr ROBELISON Solofonirina 20
3. Exemples

a)Condensateur plan

Entre les armatures règne un champ uniforme donné par le théorème de

σ
Coulomb ou le théorème de Gauss : E=
εo
σ : densité superficielle de charge sur une armature .
z σ σ σ σ .e Q.e
1 − V2 = − 1 dz = − ( z1 − z2 ) =
∫ ( z2 − z1 ) = =
z2 ε εo εo ε o ε o .S
o
ε .S ε o .S
= C.(V1 − V2 ) = o (V1 − V2 ) ⇒ C =
e e

b) Condensateur sphérique

♦ Le théorème de Gauss appliqué à la sphère de centre O et de rayon

r = OM donne :
Q Q
4.π .r 2 .E = ⇒E=
εo 4.π .ε o .r 2
R Q Q  1 1 
♦ V1 − V2 = − ∫ 1 .dr =  − 
R2 4.π .ε .r 2
o 4.π .ε o  R1 R2 
Q  R2 − R1 
V1 – V2 =  
4.π .ε o  R1.R2 

R1.R2
Q = 4.π .ε o .
R1.R2
(V1 − V2 ) = C.(V1 − V2 ) ⇒ C = 4.π .ε O (R2 > R1)
R2 − R1 R2 − R1

c) Condensateur cylindrique

Le théorème de Gauss appliqué au cylindre d’axe z’z , de hauteur h et

Q Q
de rayon r = OM donne : 2.π .r.h.E = ⇒E=
εo 2.π .ε o .h.r
R1 Q dr Q R
– V2 = − ∫ . = − Log 1
R2 2.π .ε .h r 2.π .ε o .h R2
o
2.π .ε o .h
V2 =
Q R
Log 2 ⇒ Q = (V1 − V2 )
2.π .ε o .h R12 Log 2
R
R1
2.π .ε o .h
C= (R2 > R1)
R
Log 2
R1

h : hauteur du condensateur

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Remarque

Si l’espace compris entre les armatures contient un isolant (ou diélectrique) de permittivité absolue

(ou constante diélectrique) ε = εr.εo , on remplace dans ces formules , εo par ε avec εr >1 : permittivité relative du
diélectrique .
4. Association des condensateurs

a)En parallèle,

Q = C ( VA – VB ) = C1 ( VA – VB ) + C2 ( VA – VB ) + ….+ Cn ( VA – VB )

n
⇒C = C1 + C2 + … + Cn ⇒ C = ∑ Ci
i =1

b)En série,

Q Q Q Q  1 1 1 
Q = C ( VA – VB ) ⇒ ( VA – VB ) = = + + …+ = Q.  + + ... +  ⇒
C C1 C2 Cn  C1 C2 Cn 
n
1 1
= ∑
C i =1 Ci

5. Energie W d’un condensateur

C’est l’énergie que peut recueillir le milieu extérieur lorsqu’on court-circuite les armatures. C’est donc,
l’énergie qui traverse le fil de liaison :

Q2 1 1
W= = C (V1 − V2 ) 2 = Q(V1 − V2 )
2.C 2 2

Cette énergie peut être considérée comme localisée dans le diélectrique avec une densité par unité de
volume :

dW ε .ε .E 2 ε o .ε r
= o r ⇒ W = ∫E
2
.dv
dv 2 2 [ D]

(D) : espace compris entre les armatures

dv : élément de volume de (D) .
E : module du vecteur champ entre les armatures

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 B- ENERGIE ET FORCE ELECTROSTATIQUES

1. TRAVAIL DES FORCES ELECTRIQUES

Le travail des forces électriques s’exerçant sur une charge ponctuelle q se déplaçant d’un point A à un
point B dans un champ électrique est :
W = q.(VA – VB)

En effet, la charge q placée dans un champ électrostatique est soumise à la force électrostatique :

f = q. E = − q. grad V
Le travail W de f le long de la courbe AB est :

B
W= ∫AB f . dM = ∫AB − q. grad V. dM = – q. ∫AB grad V . dM = – q. ∫A dV = q.( VA – VB )

VA et VB : Potentiels électrostatiques aux points A et B.

dM : Vecteur déplacement élémentaire .
2. ENERGIE D’UNE CHARGE PONCTUELLE DANS UN CHAMP ELECTRIQUE

• On appelle énergie électrostatique En d’une charge ponctuelle q placée en un point P où le potentiel est V , le
travail que peut fournir cette charge dans un déplacement la menant de P à l’infini .

Comme V(∞ ) = 0 , on a : En = q.(V – 0) = q.V

• On peut également définir cette énergie En comme le travail dépensé par un opérateur pour amener la charge
q de l’infini jusqu’en P , par une succession d’états d’équilibre .

E est algébrique :
♦ Si En > 0 , cela signifie que la charge est capable de fournir du travail (travail moteur) .
♦ Si En < 0 , cela signifie que le déplacement de la charge à l’infini nécessite un travail fourni par l’opérateur
(travail résistant) .

3. ENERGIE D’UN SYSTEME DE n CHARGES PONCTUELLES

L’énergie En d’un système de n charges ponctuelles qi placées respectivement au point Pi

( i variant de 1 à n ) est :
1 n
∑
En =  . qi .Vi
2 i =1

Vi : potentiel créé au point Pi où qi est placée , par les autres charges qJ , j≠i .

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Exemple :

Faisons le calcul pour le cas particulier de 3 charges ponctuelles q1 , q2 et q3

Energie End’un système de 3 charges ponctuelles q1 , q2 et q3 placées respectivement aux points P1 , P2 et P3 :

1 3
.∑ qi .Vi  =  (q1.V1 + q2 .V2 + q3.V3 )
1
=
2 i =1 2

: potentiel créé au point P1 par les 2 charges q2 et q3 .

: potentiel créé au point P2 par les 2 charges q1 et q3 .
: potentiel créé au point P3 par les 2 charges q2 et q1 .

Pour mettre en place ce système en amenant les charges de l’infini, d’une façon réversible, il faut
dépenser un certain travail qui mesure par définition l’énergie mutuelle du système de charges.

• Toutes les charges étant à l’infini, plaçons q1 en P1, ceci n’exige aucun travail W 1 = 0 .
q1
• q1 crée au point P2 un potentiel : v =
4.π .ε o .r12

Pour amener q2 de l’infini à P2 , il faut fournir un travail :

q1.q2
W 2 = q2.v =
4.π .ε o .r12

• Les deux charges q1 et q2 créent au point P3 un potentiel v’:

1  q1 q2 
v’ =  + 
4.π .ε o  r13 r23 

Pour amener q3 de l’infini à P3 , il faut fournir un travail :

q3  q1 q2 
W 3 = q3.v’ =  + 
4.π .ε o  r13 r23 

• Pour mettre en place le système de trois charges , il faut fournir un travail total :
1  q1.q2 q2 .q3 q1.q3 
W= W1 + W2 + W3 =  + +  = En
4.π .ε o  r12 r23 r13 
W mesure l’énergie mutuelle En du système .

• Introduisons le potentiel V1 créé en P1 par q2 et q3 .

1  q3 q2  1  q1.q2 q1.q3 
V1 =  +  ⇒ q1.V1 =  + 
4.π .ε o  r13 r12  4.π .ε o  r12 r13 

• De même, V2 : Potentiel créé en P2 par q1 et q3

1  q3 q1  1  q1.q2 q2 .q3 
V2 =  +  ⇒ q2.V2 =  + 
4.π .ε o  r23 r12  4.π .ε o  r12 r23 
• et V3 : Potentiel en P3 créé par q1 et q2.
1  q1 q2  1  q1.q3 q2 .q3 
V3 =  +  ⇒ q3.V3 =  + 
4.π .ε o  r13 r23  4.π .ε o  r13 r23 

q1.V1 + q2.V2 + q3.V3 = 2.En⇒En = .(q1.V1 + q2 .V2 + q3.V3 )

1
2
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4. ENERGIE D’UNE DISTRIBUTION CONTINUE DE CHARGES

• L’énergie électrostatique d’une distribution continue de charge (D) est :

1
=
2 (D )
En ∫ V.dq
V : Potentiel en un point P ∈ (D) .
dq = λ.dl pour une distribution linéaire .
dq = σ.dS pour une distribution surfacique .
dq = ρ.dv pour une distribution volumique .

• L’énergie électrostatique En d’un système est localisée dans les régions où règne un champ E , avec une
énergie par unité de volume :
dE n 1 2 1
= εo .E ⇒ En = .ε o .∫ E 2 .dv avec (R): Espace où E≠0
dv 2 2 (R )

• Exemple :

ère
1 méthode
1
V .σ .dS
2 ∫ (S )
En =

dS : élément de surface centré en un point M ∈ (S) .

Q
V= : Potentiel en M .
4.π.εo .R
Q
σ : Densité superficielle de charge au point M (σ = = Cte) .
4.π .R 2
1 Q Q 1 Q Q Q2
En = ∫ . .dS = . . .∫ dS = .∫ dS ⇒
2 (S ) 4.π .ε o .R 4.π .R 2 2 4.π .ε o .R 4.π .R 2 (S ) 32.π .ε o .R 3 (S )
Q2 Q2
En = .4.π .R 2 =
32.ε O .π 2 .R3 8.π .ε O .R
ème
2 méthode

L’énergie En de ce conducteur sphérique en équilibre est :

1 1 1 Q2
En =  .Q.V  =  .C.V 2  =  .
2 2 2 C
Q
Avec V= et C = 4.π.εo.R . On retrouve le résultat précédent.
4.π .ε o .R
ème
3 méthode

Dr ROBELISON Solofonirina 25
 L’énergie électrostatique En de cette distribution est localisée dans les régions où E ≠ 0 , avec la densité
d’énergie par unité de volume :

dEn 1 1
= ε o .E .ε o .∫ E 2 .dv
2
⇒ En =
dv 2 2 (D )

(D) : Domaine de l’espace où E ≠ 0

E : Module du vecteur Champ en un point M ∈ (D)
dv : élément de volume centré au point M .

Pour r = OM < R E=0

(Théorème de Gauss)
Q
Pour r = OM > R E=
4.π .ε o .r 2
D’où :
2
  2 2
1
En = ε o .∫
∞
 Q  .4.π .r 2 .dr = Q . ∞ dr = Q . 1
2 R  4.π .ε .r 2  1424 3 8.π .ε ∫R 2 8.π .ε o R
 o  dv o r

5. FORCES ELECTROSTATIQUES S’EXERÇANT SUR DES CONDUCTEURS

5.1. Origine de ces forces

( On a vu que ) Chaque élément de surface dS d’un conducteur est soumis à une force de pression
électrostatique dF :
σ 2 .dS
dF = n
2.ε o
n : vecteur unitaire normal en M à la surface (S) du conducteur .
σ : densité superficielle de charge en M .
σ2
p= : pression électrostatique au point M centre de dS .
2.ε o

Ce système de forces est caractérisé par une résultante F et un vecteur moment résultant Γ .
5.2. Méthode de calcul à partir de l’énergie

• Le calcul de ces forces à partir de la pression électrostatique nécessite la connaissance de σ .

• On peut utiliser pour calculer ces forces , un procédé général basé sur l’application du principe de la
conservation de l’énergie à un déplacement virtuel .

a ) Si le déplacement se fait à charges constantes , alors :

Gain d’énergie du système = travail fournie par le milieu extérieur

= – travail des forces électriques

 ∂E   ∂E   ∂E 
F = − grad E n = −  n  i −  n  j −  n  k
 ∂x Q  ∂y Q  ∂z Q

 ∂E   ∂E   ∂E 
Γ = −  n  i −  n  j −  n  k
 ∂α Q  ∂β Q  ∂γ Q

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α , β ,γ sont les angles de rotation du système autour de Ox , Oy et Oz .
L’indice Q signifie que l’on opère à charges constantes et En doit être exprimée en fonction de Q .

b) Si le déplacement se fait à potentiel constant, on a :

Gain d’énergie du système = énergie fournie par les sources

= – travail des forces électriques

D’où :
 ∂E   ∂E   ∂E 
F = grad E n =  n  i +  n  j +  n  k
 ∂x V  ∂y V  ∂z V
 ∂E   ∂E   ∂E 
Γ =  n  i +  n  j +  n  k , E doit être exprimée en fonction de V
 ∂α  V  ∂β V  ∂γ V

5.3. Exemple : Force d’attraction F entre les deux armatures d’un condensateur- plan

a ) A partir des forces de pression électrostatique

σ2 .dS
Chaque élément dS de l’armature (S) est soumis à une force dF = .
2.εo
La résultante F de ce système de forces parallèles est :

σ2 .dS σ2 .S Q2 ε .S.V 2
F= ∫ (S) = = = o
2.εo 2.εo 2.εo .S 2.e 2

b ) A partir de l’énergie du condensateur

L’énergie d’un condensateur plan est :

1 Q2 1 1 2
En =  . = .Q.V  =  .C.V 
2 C 2 2

εo .S 1 Q2 1 ε .S.V 2 1 Q2 .e
C= ⇒ En = . = . o = .
e 2 εo .S 2 e 2 εo .S
e

 ∂E n  1 Q2
• Fx = F . i = –   =− .
 ∂e Q 2 εo .S

 ∂E  1 ε .S.V 2
• Fx = F. i =  n  = − . o
 ∂e V 2 e2
Le signe – signifie que F est attractive.

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