N° d'ordre 250-2003 Année 2003

THESE

présentée

devant l'UNIVERSITE CLAUDE BERNARD – LYON I

pour l'obtention

du DIPLOME DE DOCTORAT

(arrêté du 25 avril 2002)

présentée et soutenue publiquement le 12.12.2003

par

M. Sorin TASCU

TITRE:

Etude en champ proche optique de guides

optiques, de luminescence et d'effets
photoréfractifs dans des cristaux

Directeur de thèse:
Dr. Paul MORETTI

JURY: M. Jacques MUGNIER, Président du Jury

M. Pascal ROYER , Rapporteur
M. Jean-Claude LOULERGUE, Rappo rteur
Mme. Frédérique DE FORNEL, Examinateur
M. Nicolas FRESSENGEAS, Examinateur
M. Paul MORETTI, Directeur de Thèse
M. Bernard JACQUIER, Invité
 A mes parents et à mon frère

"Étudier sans réfléchir est une occupation vaine;

réfléchir sans étudier est dangereux."

Confucius
 Remerciements
Mes remerciements les plus vifs vont à Monsieur Paul MORETTI non seulement pour
m'avoir fait confiance et avoir dirigé ce travail de recherche avec beaucoup de patience et
d'intelligence mais aussi pour avoir eu le mérite de me supporter (dans tous les sens du terme) et
de m'encourager au cours de ces années. Il a toujours assuré avec un grand professionnalisme le
suivi de mes travaux et m'a encouragé à aller toujours plus loin. Je souhaite qu'il trouve dans ce
mémoire une récompense à son labeur et dans ces quelques mots l'expression de ma gratitude et
de ma sympathie.

Je suis très reconnaissant à Monsieur Bernard JACQUIER et Monsieur Christian

PEDRINI pour l'accueil chaleureux qu'ils m'ont réservé lors de mon arrivée dans le Laboratoire
de Physico-Chimie des Matériaux Luminescents. Merci à Monsieur Bernard JACQUIER
d'avoir été constamment à mon écoute, pour les conversations riches, sincères et motivantes que
nous avons eues, pour les moyens qu'il à mis à ma disposition et sans lesquelles ce travail
n'aurait jamais pu être mené au bien.

Je désire témoigner ma respectueuse gratitude aux membres de mon jury pour leur
jugement et leur critiques constructives, en particulier Madame Frédérique DE FORNEL et
Monsieur Pascal ROYER pour la technique de champ proche optique, Monsieur Nicolas
FRESSENGEAS pour les mesures des effets photoréfractifs, Messieurs Jean-Claude
LOULERGUE et Jacques MUGNIER pour les études d'optique guidée.

Je voudrais à remercier très chaleureusement Messieurs Jean-Yves REVOIRE et André

LAGRIFOUL d'avoir fait preuve de patience et d'abnégation devant les nombreux problèmes
techniques que je leur ai soumis. Une attention particulière pour Elisabeth JOUFFRAI et
Sylvie LEGER TESTA pour leur gentillesse et leur aide.

Ma reconnaissance va également à Detlef KIP et Monika WESNER qui m'ont

chaleureusement accueilli lors de mon séjour à l'Université d'Osnabrück au sein du Applied
Physics Electrooptics Group où j'ai fait mes premières expériences dans le domaine de la
photoréfractivité.

Je témoigne toute ma sympathie à Madame Rosa Maria MONEREALI et Massimo

PICCININI pour les remarques pertinentes et pour la disponibilité dont ils ont fait preuve au
cours de notre collaboration.

Je ne saurais suffisamment remercier à Serge KOSTRITSKII qui a contribué à

l'avancement de mon projet en me fournissant une partie des échantillons utilisés dans mes
études.

Très précieux était l'apport de Monsieur Stephan GUY grâce aux discussions
fructueuses que j'ai eues avec lui, j'en suis très reconnaissant.
 Je suis particulièrement reconnaissant à mon "compatriote de thèse" Matthieu MARTIN
pour les discussions, pour les moments de découverte et de compréhension communs, pour ses
rébellions lorsqu'une expérience semblait échouer une fois encore.

J'adresse un amical remerciement à toutes les personnes du LPCML qui m'ont aidé de
près ou de loin, à élaborer ce manuscrit, et qui par leur accueil chaleureux, leur bonne humeur,
leur enthousiasme, m'ont permis de réaliser mon travail dans des conditions très agréables.

Tendres remerciements à ma chère Cristina d'avoir parcouru avec moi le long et difficile
chemin menant à ce mémoire. Qu'elle soit assurée que ma reconnaissance pour toute sa
complicité, ce n'est pas un vain mot…
 TABLE DES MATIERES
INTRODUCTION ......................................................................................................................... 5
I. RAPPEL DE LA THEORIE DE L'ELECTROMAGNETISME.......................................... 9
I.1. Equations de Maxwell......................................................................................................... 9
I.2. Propagation d'ondes planes électromagnétiques ........................................................... 12
I.3. Réflexion et réfraction à l'interface de deux milieux ..................................................... 13
I.4. Réflexion totale interne: champ évanescent ................................................................... 14
I.5. Guide diélectrique symétrique à trois couches: analyse globale .................................. 18
I.5.1. Modèle mathématique (étape 1) ............................................................................... 19
I.5.2. Modes TE et TM (étape 2)......................................................................................... 20
I.5.3. Sélection de la forme appropriée de la solution (étape 3)....................................... 21
I.5.4. Calcul du mode TE pair (étape 4) ............................................................................ 22
I.6. Guide à deux dimensions. Méthode des indices effectifs ............................................... 23
II. MICROSCOPIE EN CHAMP PROCHE OPTIQUE......................................................... 27
II.1. Au-delà de la limite de la diffraction – le champ proche optique............................... 29
II.2. Limite de résolution latérale de l'imagerie optique classique. .................................... 30
II.3. Limite de la ré solution latérale - approche mathématique.......................................... 32
II.3.1. Diffraction de la lumière au passage d'une ouverture .......................................... 35
II.3.2. Champ proche d'objets spatialement limités: spectre angulaire......................... 37
II.3.3. Une image simple et sa transformée de Fourier. ................................................... 41
II.4. Historique: Appa reillage et configurations en SNOM................................................. 43
II.4.1. Configurations expérimentales SNOM à sonde à ouverture................................ 45
II.4.2. Mode d'asservisseme nt par forces de cisaillement ou "shear-force".................. 47
II.5. Application de la technique SNOM à l'étude de guides optiques............................... 49
III. TECHNIQUES EXPERIMENTALES ............................................................................... 53
III.1. Techniques de préparation des guides dans des cristaux ........................................... 53
III.2. Polissage des échantillons.............................................................................................. 56
III.3. Excitations des guides par la tranche........................................................................... 58
III.4. Le TwinSNOM dans le centre Nanoptec...................................................................... 58
III.5. TwinSNOM – présentation............................................................................................ 59
III.5.1. Réglages et ajustement des différents paramètres............................................... 64
III.6. Le dispositif d'étude des guides par SNOM ................................................................ 68
III.7. Conclusion ...................................................................................................................... 70
IV ETUDE DES GUIDES OPTIQUES PASSIFS DANS LiNbO3 ET LiTaO3 ...................... 73
IV.1. Introduction.................................................................................................................... 73
IV.2. Les matériaux LiNbO3 et LiTaO3 et leurs propriétés essentielles............................. 75
IV.3. Techniques expérimentales ........................................................................................... 78
IV.4. Guides optiques créés par diffusion de Ti dans le LiNbO3 ........................................ 79
IV.5. Guides optiques créés par implantation ionique dans le LiNbO3 .............................. 83
IV.6. Guides d'ondes créés par échange protonique dans le LiNbO3 ................................. 86
IV.8. Conclusion....................................................................................................................... 92
V. ETUDE DES EFFETS PHOTOREFRACTIFS DANS DES GUIDES DE SBN .............. 95
V.1. Introduction - phénomènes photoréfractifs et solitoniques......................................... 95
V.2. Le soliton photoréfractif. ................................................................................................ 97
V.3. Choix du matériau - le SBN............................................................................................ 98
V.4. Etudes préliminaires de phénomènes photoréfractifs .................................................. 99
V.5. Etude de phénomènes photoréfractifs en VIS par la technique SNOM................... 102
V.6. Etude de phénomènes photoréfractifs en IR par la technique SNOM ..................... 107
V.7. Réalisation de guides canaux par implantation ionique dans le SBN....................... 109

1
 V.8. Etude SNOM de guides canaux dans le SBN...............................................................119
V.9. Conclusion. ......................................................................................................................122
VI. ETUDE DE LA LUMINESCENCE ET DES GUIDES OPTIQUES DANS LE LiF....125
VI.1. Le matériau et centres colorés.....................................................................................125
VI.2. Création de centres colorés par faisceau de particules.............................................126
VI.3. Préparation des échantillons par lithographie...........................................................126
VI.3. Spectroscopie des centrés colorés................................................................................128
VI.4. Etude SNOM de guides optiques créés par lithographie électronique ....................131
VI.5. Etude SNOM de guides optiques créés par implantation ionique ...........................134
VI.6. Conclusion. ....................................................................................................................138
VII. CONCLUSION GENERALE ...........................................................................................141
ANNEXE 1..................................................................................................................................145
ur
Equations d'onde (à second membre en E ) dans l'espace libre ........................................145
ANNEXE 2..................................................................................................................................146
ur
Onde incidente polarisée dont le vecteur E est normal au plan d'incidence ...................146
ur
Onde incidente polarisée dont le vecteur E est parallèle au plan d'incidence ................149
ANNEXE 3..................................................................................................................................150
Complément sur le modèle mathématique présenté dans le paragraphe II.1.1...............150
ANNEXE 4..................................................................................................................................152
L'application des conditions aux limites sur les composantes tangentielles.....................152
ANNEXE 5..................................................................................................................................157
Matériaux anisotropes - notion de biréfringence ................................................................157
BIBLIOGRAPHIE.....................................................................................................................161

2
INTRODUCTION
 INTRODUCTION

Depuis le premier microscope optique réalisé par Zacharias Jansen à la veille du 16ème
siècle, la microscopie optique s'est fortement développée jusqu'aux microscopes performants
de nos jours.
Au 19ème siècle l'allemand Ernest Abbe et l'anglais Lord Ra yleigh ont introduit le
concept de "limite de résolution spatiale due à la diffraction de la lumière 1 ". Pour un
microscope optique travaillant à une longueur d'onde dans le domaine visible 2 , par exemple à
500 nm, la résolution latérale est limitée à approximativement 250 nm. Mais récemment, une
nouvelle technique a "brisé" la limite imposée par la diffraction d'ondes. Cette technique
diffère de la microscopie optique conventionnelle par le fait que les images d'objets ne sont
pas formées à l'aide de lentilles mais en collectant une réponse locale de l'échantillon point
par point. Il s'agit de la Microscopie en Champ Proche Optique (SNOM3 ) où une petite sonde
optique est amenée au voisinage très proche (quelques nanomètres) de la surface éclairée à
étudier, dans une région dite de champ proche. Ainsi à des distances, entre la sonde et la
surface, beaucoup plus petites que la longueur d'onde, on peut sonder des "ondes
évanescentes" qui normalement ne peuvent pas se propager vers un détecteur mais qui
contiennent des informations sur des détails de hautes fréquences spatiales, et qui
malheureusement décroissent exponentiellement quant on s'éloigne de la surface. En
microscopie en champ proche optique (SNOM) on a donc besoin de distances extrêmement
petites entre la sonde et l'échantillon.
Le concept de microscopie en champ proche, idée simple et brillante a été, pour la
première fois, introduite par Edward Hutchinson Synge en 1928 [1] mais, il a fallu attendre
presque soixante ans pour que cette idée puisse être mise en pratique, lors de la naissance du
premier microscope à pointe en 1982, le STM 4 , puis très rapidement avec sa dizaine de
techniques sœurs. Les parentés entre l'ancienne idée de Synge et la microscopie à pointe étant
patentes, il ne fallut attendre que quelques années pour voir leur synergie devenir effective,
notamment grâce aux travaux des équipes de Pohl [2] et Betzig [3] et constituer la
microscopie en champ proche optique.
Le but de notre travail s'inscrit dans les démarches actuelles de mise en œuvre de
techniques de champ proche optique pour, de façon in situ et à haute résolution spatiale,
caractériser des guides optiques et étudier leurs propriétés. Nous nous sommes ainsi intéressés
à des guides optiques réalisés, d'une part dans le niobate et le tantalate de lithium par diffusion
de titane, échange protonique et implantation ionique, et d'autre part dans du niobate de
strontium et de niobium (SBN) et du fluorure de lithium (LiF), par implantation ionique. Dans
le LiF nous nous sommes plus particulièrement attachés à effectuer de la spectroscopie locale
sur des centres colorés. L'originalité du travail réside également dans l'application d'une
technique SNOM pour imager des effets photoréfractifs, effets d'autofocalisation et de
formation de solitons spatiaux dans des guides plans de SBN.

Ce mémoire s'articule sur six chapitres.

Le premier est consacré au rappel des équations de Maxwell et à la propagation

d'ondes planes électromagnétiques. Parmi les phénomènes se produisant au point d'incidence

1
Cette loi fondamentale qui s'applique à tous les phénomènes impliquant des ondes, nous dit qu'il est impossible
de résoudre spatialement des détails séparés d'une distance plus petite que la moitié de la longueur d'onde utilisé.
C'est le critère de Rayleigh.
2
Le spectre visible comporte généralement l'intervalle 400-700 nm.
3
De l'anglais Scanning Near-Field Optical Microscopy.
4
De l'anglais Scanning Tunneling Microscope.

5
d'une onde sur l'interface de deux milieux diélectriques, nous traiterons en détail la réflexion
totale interne qui est un phénomène primordial pour la compréhension des guides
diélectriques. Egalement lors de ce chapitre, nous introduirons la notion de champ évanescent
qui est le cœur de notre technique expérimentale, et préciserons brièvement des notions
théoriques sur les guides d'ondes diélectriques, permettant ainsi de maîtriser l' interprétation
des résultats expérimentaux.
Le deuxième chapitre est consacré à la microscopie en champ proche optique. On
présente d'abord le s concepts de base de cette technique, de manière à montrer l'importance de
la taille de l'ouverture de la sonde de champ proche optique ainsi que de la distance pointe-
échantillon. Il est également important de comprendre que, contrairement à un microscope
optique classique, il n'existe pas une seule configuration expérimentale de microscopie en
champ proche, mais que cette dernière doit être adaptée en fonction des phénomènes ou les
propriétés à étudier. Un aperçu des différentes configurations expérimentales possibles avec
une sonde à ouverture est donc proposé, afin de nous permettre de justifier les configurations
que nous avons choisies dans nos études.
Dans le troisième chapitre les techniques de préparation de guides d'onde dans des
cristaux sont décrites. Mais afin d'exploiter au mieux leurs propriétés optiques, les
échantillons doivent d'abord passer par une étape de polissage permettant l'obtention d'une
haute qualité optique des surfaces et des tranches. Dans ce chapitre on présente également le
microscope en champ proche optique existant au centre NanOpTec de Lyon, ainsi que les
modifications qui lui ont été apportées afin de permettre des études in situ de guides d'ondes
optiques.
Les résultats in situ en champ proche optique obtenus sur des guides d'onde optique
plans ou canaux créés par diverses techniques dans le LiNbO3 et le LiTaO 3 . sont présentés
dans le quatrième chapitre Ces expériences nous permettent d'une part, de tester les
performances de notre microscope et d'autre part, de caractériser les structures guidantes en
analysant et en interprétant les images obtenues.
Le cinquième chapitre de ce mémoire est consacré aux étud es des phénomènes
photoréfractifs dans le SBN. Pour la première fois, des effets électro-optiques permettant
l'obtention de solitons spatiaux dans des matériaux photoréfractifs, sont étudiés in situ dans
une configuration de champ proche optique. Nous présentons également les premiers guides
canaux obtenus par implantation ionique dans le SBN, ainsi que les études préliminaires
d'effets photoréfractifs sous champ dans ces guides, dans une configuration expérimentale
classique, et une caractérisation de modes en champ proche optique.
Enfin, le dernier chapitre est dédié à des études de champ proche sur un autre matériau
le LiF. Nous présentons des résultats d'une part de spectroscopie locale sur des centres colorés
créés par lithographie électronique, et d'autre part de caractérisation de guides canaux créés
soit par lithographie électronique, soit par implantation.

"Voir" la lumière guidée, suivre son trajet, regarder fonctionner un circuit photonique,
le tout avec une résolution très inférieure à la longueur d'onde, relevait, il y a peu, de l'utopie.
Surgie il y a une dizaine d'années, la microscopie en champ proche apparaît maintenant
comme un outil essentiel et prometteur qui va probablement accompagner les progrès de la
micro-optique.

6
I. RAPPEL DE LA THEORIE DE L'ELECTROMAGNETISME
I. RAPPEL DE LA THEORIE DE L'ELECTROMAGNETISME

L'étude des guides d'ondes diélectriques (tel que, les guides d'ondes plans ou canaux
les fibres optiques, les structures photoniques…) requière une bonne conna issance de la
théorie des ondes électromagnétiques. Le but de ce chapitre est de rappeler les concepts
fondamentaux de cette théorie.
Nous considérerons d'une part, les aspects essentiels de la propagation des ondes dans
un milieu diélectrique infini et d'autre part, l'analyse des phénomènes de la réflexion et de la
réfraction à l'interface de deux milieux diélectriques différents nous préparera à l'étude
ultérieure des guides d'ondes. Une attention particulière sera aussi portée au phénomène de
réflexion totale interne, vue l'importance capitale qu'elle joue pour l'étude en champ proche
optique d'une structure guidante.
Pour commencer notre discussion, nous rappèlerons les équations de Maxwell. Celles-
ci nous permettront d'obtenir l'équation de la propaga tion des ondes pour un milieu
diélectrique infini. L'onde progressive plane, qui est une solution de cette équation, sera
ensuite examinée en détail. Après avoir défini les principaux paramètres relatifs aux ondes,
nous examinerons les conséquences d'une discontinuité dans le milieu de propagation: ceci
nous permettra d'obtenir les différentes lois qui gouvernent les phénomènes de la réflexion et
de la réfraction à l'interface de deux milieux diélectriques. Les concepts de la réflexion totale
interne et de champ évanescent seront analysés, vu leur importance dans la compréhension
des guides d'ondes.

I.1. Equations de Maxwell.

Les équations de Maxwell 1 (Tableau 1.1) contiennent des dérivées partielles couplées
ur uur ur ur
par rapport aux variables de l'espace et du temps des champ s vectoriels E , H , D et B de la
ur
densité de charge ρ et de la densité de courant J . Ce sont les quatre équations
fondamentales de la théorie de l'électromagnétisme. Elles s'appliquent partout où la
distribution de courant et de charge est continue. La théorie des guides d'ondes repose sur
elles.
ur
ur ur ∂B
∇× E = − (1.1)
∂t
ur
ur uur ur ∂ D
∇× H = J + (1.2)
∂t
ur ur
∇ ⋅B = 0
ur ur
(1.3)
∇ ⋅D = ρ (1.4)
ur
E :champ électrique (V/m)
ur
B :densité du flux magnétique (Tesla)
ur
D : densité du déplacement électrique (C/m 2 )
uur
H :champ magnétique (A/m)
ur
J :densité du courant (A/m 2 )
ρ :densité de charge électrique (C/m 3 )

Tableau 1.1. Les équations de Maxwell

1
Plusieurs excellents livres peuvent être consultés pour une discussion détaillée des ondes électromagnétiques et
des équations de Maxwell.

9
 Les relations de constitution caractérisant un milieu nous permettent d'exprimer la
ur ur ur ur uur
densité de champ et la densité de courant D , B et J en fonction des champs E et H sont:
ur ur ur
D = D ( E)
ur ur uur
B = B( H ) (1.5)
ur ur ur uur
J = J (E , H )

La forme spécifique de ces relations dépend de la nature du milieu. Ainsi, pour un milieu
homogène 1 , isotrope 2 , et linéaire 3 , les relations (1.5) peuvent alors se réécrire comme:
ur ur
D=εE
ur uur (1.6)
B = µH

de plus, si le milieu obéit à la loi d'Ohm, nous avons

ur ur
J =σ E (1.7)
ur uur
où ε , µ et σ 4 sont des constantes indépendantes de E et H . Les milieux diélectriques
isotropes et sans pertes, que nous considérons lorsque nous étudierons les guides d'ondes, ont
les caractéristiques suivantes

σ = 0 (milieu non-conducteur)
µr = µ / µ0 (pour les milieux non-magnétiques µ = µ0 ⇒ µr =1)
εr = ε / ε0 = n 2 (n = indice de réfraction du milieu)

où ε r est la permittivité relative et µr la perméabilité relative.

Plus généralement, les relations de cons titution sont des équations tensorielles où

 ε11 ε12 ε13 

 
ε =  ε 21 ε22 ε23 
ε ε 33 
 31 ε 32
et
Dx = ε11Ex + ε12 Ey + ε 13Ez
D y = ε 21Ex + ε 22 Ey + ε 23 Ez
Dz = ε 31 Ex + ε32 Ey + ε33 Ez

C'est ce type de relation qui prévaut pour des milieux cristallins qui sont généralement
anisotropiques. De plus, si le milieu est inhomogène, la permittivité ou l'indice de réfraction

1
Un milieu dont les propriétés ne changent pas d'un point à un autre.
2
ur uur
Un milieu dont les propriétés sont les mêmes dans tout les directions données.
3
Un milieu où les relations de constitution sont linéaires en fonction de E et H .
4
La notation X indique qu'il s'agit d'un tenseur.

10
sera une fonction des coordonnées de l'espace ε ( x , y , z ) . Un exemple important d'un tel
milieu est la fibre optique à gradient d'indice. Si l'intensité du champ magnétique et celle du
champ électrique sont grandes des effets non linéaires peuvent se manifester. On doit alors
modéliser ces effets en incluant des termes non linéaires dans les relations de constitution. Par
exemple, aux fréquences optiques, le verre possède une non linéarité cubique (effet Kerr
optique), qui peut être écrite comme
ur ur ur 2 ur
D = ε E +ε 2 E E (1.8)

Bien que la constante ε 2 soit très petite, l'utilisation d'impulsions très courtes et le
confinement du champ sur une très faible surface (e.g. fibre optique monomode) fait que ce
terme non linéaire devient suffisamment important en optique guidée. Nous verrons plus loin
une manifestation spectaculaire de cet effet (le soliton).
Dans ce qui suit, nous considérerons uniquement les milieux diélectrique isotropes
sans charge, sans perte et non magnétique. Les équations de Maxwell et les relations de
constitution applicables pour de tels milieux sont résumées au Tableau 1.2.
ur
ur ur ∂B
∇× E = − (1.9)
∂t
ur
ur uur ∂ D
∇× H = (1.10)
ur ur ∂t
∇⋅B = 0 (1.11)
ur ur
∇⋅
ur D =uu0r (1.12)
B = µ0 H (1.13)
ur ur ur
D = ε E = ε 0 n2 E (1.14)

Tableau 1.2. Equations de Maxwell et relation de constitution pour un milieu

diélectrique isotrope sans charges et sans pertes.
ur uur
Les équations de Maxwell sont les équations différent ielles auxquelles les champs E et H ,
doivent obéir lors de la propagation dans un milieu. Les solutions particulières de ces
équations, pour un problème physique donné, sont trouvées à partir des conditio ns aux
limites. Les conditions limites générales pour différentes quantités électromagnétiques sont
données dans le Tableau 1.3.

Continuité de la composante normale du courant de déplacement électrique:

r uur uur
s ⋅ ( D2 − D1) = 0 (1.15)
Continuité de la composante tangentielle du champ électrique:
r uur uur
s × ( E2 − E1 ) = 0 (1.16)
Continuité de la composante normale de la densité de flux magnétique:
r uur uur
s ⋅ ( B2 − B1 ) = 0 (1.17)
Continuité de la composante tangentielle du champ magnétique:
r uuur uur
s × ( H2 − H1 ) = 0 (1.18)

r
Tableau 1.3. Continuité des composantes des champs électromagnétiques à
l'interface de deux milieux d'indice n1 et n2 . Le vecteur unitaire s est la normale à l'interface.

11
 Les équations de Maxwell que nous venons de voir ne sont pas faciles à résoudre
puisqu'elles forment un système d'équations couplées. Cependant, à partir de ces dernières,
nous pouvons développer un nouveau système d'équations (appelé équation d'onde - voir
Annexe 1) qui est plus aisé à analyser. Le principal intérêt réside dans le fait que les équations
ur
d'onde sont découplées, c'est-à-dire que chacune d'elles ne fait intervenir qu'un champ ( E ou
uur
H ). Elles sont donc très utiles pour résoudre des problèmes de conditions aux limites.
Dans la section suivante, nous étudierons une solution particulière de l'équation d'onde
homogène: l'onde progressive.

I.2. Propagation d'onde s planes électromagnétiques

ur uur
Dans les prochaines sections, nous utiliserons principalement les champs E et H qui
sont des fonctions sinusoïdales du temps de la forme suivante
ur ur
A = Re( Ae jωt )
ur
où A est le vecteur complexe (phaseur) qui ne dépend que des coordonnées de l'espace. Dans
ce cas particulier, nous pouvons remplacer les dérivées par rapport au temps par le facteur
jω . Dans le Tableau 1.4, nous retrouvons les équations de Maxwell écrites particulièrement
pour des champs à variation temporelle sinusoïdale.
ur ur uur uur
∇× E = − jωµ0 H = − jk0η0 H (1.19)
ur uur ur n 2 ur
∇× H = jωε 0n 2 E = j k 0 E (1.20)
η0

uur
Tableau 1.4. Equations de Maxwell pour un milieu diélectrique d'indice
ur
de réfraction n . Notez que η0 H possède les mêmes unités que E.

En utilisant la même technique que nous avons utilisée à la section précédente. Nous
ur uur
obtenons les équations d'onde pour les phaseurs E et H en prenant les rotationnels des
équations (1.19) et (1.20):
ur ur
∇2 E + k 2 E = 0
uur uur (1.21)
∇2 H + k 2 H = 0

où nous avons introduit le nombre d'onde k défini comme

ω
k = n = nk 0 (1.22)
c
1 2π
où c = est la vitesse de la lumière dans le vide. Notez1 aussi que k 0 = où λ0 est la
ε 0 µ0 λ0
ur uur
longueur d'onde dans le vide. Les équations (1.21), obtenues pour les phaseurs E et H

1
L'optique moderne utilise fréquemment k 0 ou λ au lieu de ω pour spécifier la fréquence de la source. Il y a
aussi un usage répandu qui utilise l'indice de réfraction n au lieu de la permittivité ε et de l'impédance η0 au
lieu de la perméabilité µ0 .

12
portent le nom d'équations de Helmoltz. Une solution élémentaire de ces équations est l'onde
plane uniforme:
ur uur − j rk⋅rr
E = E1e (1.23)
uur uur − j rk⋅rr
H = H 1e (1.24)
ur uur r
E et H sont deux vecteurs contenus dans un plan normal à la direction de propagation l , et
r r r r
k est le vecteur d'onde orienté dans la direction de propagation l ( k = kl ). L'application
directe des équations de Maxwell sur cette onde nous conduit à la relation d'impédance qui
relie le champ électrique au champ magnétique

uur  1  r uur
H1 =   l × E1 (1.25)
η 
c'est-à-dire
E1 µ
η= = (1.26)
H1 ε
uur uur
E1 et H 1 sont deux vecteurs constants, qui ne dépendent pas des variables x , y , z . Notez
que η = (η0 / n) où η0 est l'impédance du vide (377 Ω) et n est l'indice de réfraction du
milieu diélectrique.

I.3. Réflexion et réfraction à l'interface de deux milieux

L'onde plane uniforme est une solution très simple des équations de Maxwell.
Cependant, cette solution est fort importante parce qu'elle est la solution élémentaire qui
permet au moyen de la théorie du spectre angulaire des ondes planes d'analyser la propagation
d'un faisceau quelconque. C'est pourquoi, en optique, la première approximation pour une
solution est obtenue en posant comme hypothèse que l'onde est plane, uniforme et incidente.
Par exemple ici, nous examinerons les conséquences de la discontinuité dans le milieu de
propagation d'une onde plane uniforme. De telles discontinuités existent, par exemple à la
frontière cœur-substrat d'un guide optique à saut d'indice.
Imaginons une interface, telle que celle illustrée à la Figure 1.1, infinie et plane entre
deux milieux diélectriques linéaires homogènes et isotropes. On suppose une onde plane
r
uniforme incidente de direction de propagation li . Dans le milieu 2, on sait que l'onde plane
uniforme est une solution des équations de Maxwell. On suppose aussi qu'une telle onde sera
r
excitée par l'onde incidente, et que sa direction de propagation sera définie par lt .
L'application des conditions aux limites devrait nous permettre de trouver les
paramètres de cette onde transmise dans le milieu 2, si cette hypothèse est valide . On peut
vérifier que ceci n'est pas possible.
Il faut supposer que l'onde incidente produit aussi une onde réfléchie dans la direction
ur
l r . Alors, les conditions aux limites de continuité des champs électrique et magnétique
permettent de déterminer uniquement les paramètres de ces deux ondes planes uniformes
ur
excitées.
ur urLe problème consiste maintenant à trouver les relations reliant les trois vecteurs E 0i ,
E 0r et E 0t .

13
 De façonurgénérale, toute onde incidente est décomposable en deux polarisations: une
ur
dont le vecteur E est normal au plan d'incidence et l'autre dont le vecteur E est parallèle à
ce dernier. Nous donnons au Tableau 1.5 les différentes façons utilisées pour nommer
chacune de ces conditions.

r ur
Figure 1.1. Onde électromagnétique incidente à une interface entre deux milieux. Les vecteurs unitaires li , l r ,
r
lt pointent dans la direction de propagation. Les angles θ i , θ r et θ t sont respectivement l'angle
r
d'incidence, de réflexion et de transmission. Le vecteur s est la normale à l'interface.

ur ur
Onde polarisée dont E est normal Onde polarisée dont E est parallèle
au plan d'incidence au plan d'incidence
⊥ (N) P (P)
horizontal vertical
TE TM
s p

Table 1.5. Façons équivalentes de qualifier chacune des deux conditions de polarisation.
En optique, les conventions référent habituellement au champ électrique.

Dans l'Annexe 2 nous traiterons en détail le premier cas, soit celui où l'onde incidente
ur
polarisée a son vecteur E normal au plan d'incidence. Bien que nous n'effectuerons pas le
processus mathématique complet, nous énoncerons aussi le s résultats propres au deuxième cas
ur
( E parallèle au plan d'incidence).

I.4. Réflexion totale interne: champ évanescent

Nous allons maintenant considérer le phénomène de réflexion totale interne qui est
primordial à la compréhension des guides d'ondes diélectriques.
Si n1 > n2 et si θ i est assez grand, la loi Snell- Descartes, qui s'écrit

n1
sin θ t = sin θ i (1.27)
n2

14
conduit à un résultat assez étrange, soit sin θ t > 1 . En fait, cela définit pour sin θ t = 1 et
θ t = 90o , un angle critique
n2
sin θ c = (1.28)
n1

Lorsque θ est plus grand que θ c , l'angle θ t prend des valeurs imaginaires puisque le
sinus de cet angle devient plus grand que 1. Alors, on doit se rappeler qu'on utilise la notation
de phaseur et par conséquent une quantité imaginaire peut correspondre à un phénomène
physique.

Figure.1.2. Pour des angles d'incidence θ i égaux ou supérieurs à l'angle critique θ c ,

l'onde est réfléchie totalement à l'intérieur du premier milieu.

Examinons donc le champ transmis au fur et à mesure que θ i tend vers θ c ( θ i → θ c )

selon la relation (A-3.10) (voir Annexe 3), qui est
ur ur
ET = E 0t e− jk2 ( x sinθt − z cosθt ) (1.29)
ur
où E 0t dépend de l'état de polarisation. En utilisant l'identité suivante

1/2
cos θ t = 1 − (n1 / n2 ) 2 sin 2 θ i  (1.30)

nous pouvons réécrire l'équation (1.29) comme une fonction de θ i , soit

ur ur − jk2 ( n1 / n2 ) x sinθi − z 1− (n1 / n 2 )2 sin 2 θi 

ET = E 0t e  
(1.31)

Lorsque θ i varie de 0 à θ c , le champ transmis a une composante qui se propage dans la

direction des z négativ et une dans la direction des x positif. Lorsque θ i = θ c ,
1/2
sin 2 θ c = (n1 / n2 )2 et le terme 1 − (n1 / n2 ) 2 sin 2 θ c  est nul:

15
 2 2
 n  n 
1−  1   2  = 0
 n2   n1 

alors l'équation (1.31) devient:

ur ur
ET = E 0t e− j k2 x

donc le champ se propage parallèlement à l'interface ( x positifs).

Regardons maintenant le vecteur de Poynting pour l'onde transmise

ur  n 2
r
S t = Re  2 E0t lt 
 2η0 
où
r r r
l t = sin θ t a x − cos θ t a z

et cos θ t = 0 et sin θ t = 1 . On obtient:

ur  n 2
r 
S t = Re  2 E0t a x  (1.32)
 2η0 

L'équation (1.32) nous confirme que le flux d'énergie est nul dans le milieu 2 et qu'il se
propage seulement dans la direction des x positifs (parallèlement à l'interface).
Lorsque θ i devient supérieur à θ c , on observe que sin 2 θ i > ( n1 / n2 )
2
et que
1/2
1 − (n1 / n2 ) 2 sin2 θ i  devient une quantité imaginaire. On peut alors écrire que

1 − (n1 / n2 ) 2 sin 2 θ i = − j (n 1 / n 2 ) 2 sin 2 θ i −1

Le choix du signe négatif provient de la condition limite sur l'énergie lorsque z tend
vers moins l'infini. En replaçant cette dernière équation dans l'équation (1.31), on obtient
l'expression suivante pour le champ transmis dans le milieu 2, pour le cas oùθ i > θ c

ET = E0t e +α z e− jβ x (1.33)
où
α = k 2 ( n1 / n2 )2 sin 2 θ i − 1 = n1k0 sin 2 θ i − sin2 θ c
kn
β = 2 1 sin θ i = n1k0 sin 2 θ i
n2

L'onde transmise donnée par l' équation (1.33) a un comportement particulier. Elle se
déplace dans une direction parallèle à l'interface 1 avec une constante de propagation β et elle
s'atténue exponentiellement avec une constante d'atténuation α dans la direction
perpendiculaire2

1
C'est pourquoi que l'on nomme aussi cette onde, onde de surface.
2
C'est pourquoi que l'on nomme aussi cette onde, onde évanescente puisqu'elle décroît rapidement si on
s'éloigne de la surface.

16
Le flux d'énergie total traversant al surface est nul. Pour mettre en évidence ce fait, nous
allons le calculer explicitement:

r  n 2
r r  −n 2 
a z ⋅ S t = Re  2 E0t a z ⋅ l t  = Re  2 E0t cos θt 
 2η0   2η0 

Pour θ i > θ c , cos θ t est imaginaire (équation (1.27)) ce qui implique que la puissance
moyenne transmise est nulle. Il n'y a donc pas de transport d'énergie dans le milieu 2, même
s'il existe une onde évanescente.

Cette situation nous conduit à nous interroger sur le principe de la conservation de

l'énergie, puisque localement nous avons une onde incidente d'amplitude unitaire, une onde
transmise qui est aussi d'amplitude unitaire. Mais en fait, l'onde plane uniforme (TEM)
possède déjà une énergie infinie. Si on veut analyser le principe de la conservation de
l'énergie, on doit d'abord considérer la situation d'un faisceau limité qui contient une énergie
finie.

17
 I.5. Guide diélectrique symétrique à trois couches: analyse globale

Les ouvrages présentant la théorie des guides d'onde étant nombreux, ce chapitre a
pour seul objectif d'en présenter les bases élémentaires permettant de maîtriser les
interprétations des résultats expérimentaux. Ces guides sont non seulement des outils
pédagogiques importants mais aussi des structures essentielles pour la technologie de
l'optiq ue intégrée [4]. Un guide optique déjà bien connu, est bien évidemment la fibre optique,
laquelle présente très souvent une section efficace circulaire. Cependant les guides à grand
intérêt technologique sont très souvent de structure planaire ou canal.
L'analyse des guides diélectriques symétriques à trois couches ("slab waveguide") a
l'avantage de présenter des solutions mathématiques simples et faciles à comprendre (voir
Figure 1.3).

Figure 1.3. Géométrie d'un guide diélectrique à trois couches .

L'étude d'un guide diélectrique est un problème aux conditions limites [5]. En effet,
pour obtenir les expressions complètes des modes de propagation, on résout l'équation d'onde
sujette à des conditions frontières [6]. L'une de ces conditions fixe l'amplitude relative des
champs à l'intérieur et à l'extérieur du guide [7]; l'autre résulte en une équation aux valeurs
propres permettant le calcul de la constante de propagation du mode guidé [8].
Pour simplifier notre analyse, nous allons séparer les modes guidés en mode TE et TM
Les guides diélectriques ont été le sujet de plusieurs ouvrages [4-8] auxquels nous conseillons
de se référer pour une plus riche et plus complète compréhension des guides.

Un guide à trois couches est un guide bidimensionnel (selon les directions x et z ) et

infiniment étendu dans la direction des y (voir Figure 1.3). Afin de simplifier notre première
analyse, nous supposerons que la couche du substrat possède le même indice de réfraction n2
que la couche de la gaine. Le problème consiste donc à trouver les modes de propagation
possible s dans un guide donné où les valeurs de n1 , n2 , k 0 et a sont connues. Cela revient à
dire qu'il faut trouver chacune des composantes des champs électriques et magnétiques et
évaluer leurs constantes de propagation dans cette structure. Les étapes que nous suivrons afin
de résoudre ce problème de conditions aux limites du guide plan sont résumées ci contre:

v
v modèle mathématique du guide plan à saut d'indice utilisant l'équation d'onde
et de Maxwell en coordonnées cartésiennes.
v
v identification des deux familles de mode TE et TM.

18
 v
v sélection de la forme appropriée de la solution de l'équation d'onde dans les
régions d'indice n1 et n2 à partir des considérations physique de guidage.
v
v applications des conditions aux limites à l'interface n1 / n2 et obtention de
l'équation caractéristique et des solutions modales correspondantes.

I.5.1. Modèle mathématique (étape 1)

La solution d'un guide d'onde consiste à chercher des solutions des équations de
Maxwell qui satisfont les conditions aux limites et qui propagent l'énergie selon une direction
définie. Nous savons déjà que les équations de Maxwell consistent en fait en six équations
différentielles scalaires couplées (équation (1.21)). On anticipe que la solution de ce problème
peut être très lourde. Cependant, une analyse mathématique des équations de Maxwell qui
tient compte de la géométrie du problème physique permet de simplifier passablement
l'analyse et la compréhension du guidage des modes. Les guides intéressants pour les
applications possédant toujours une symétrie élémentaire reliée d'abord au processus de
fabrications (e.g. plan, cylindrique…). Ici nous considérerons un guide plan infini selon la
direction y et qui contient l'énergie dans le plan x tout en la propageant selon la direction + z .

Afin de bien identifier ces conditions, nous écrivons le champ électrique et

magnétique de la façon suivante.
ur ur 0
E = Re  E ( x )e − jβ z ej ωt  (1.34)
 
uur uur 0
H = Re  H ( x )e − jβ zej ωt  (1.35)
 

C'est-à-dire que nous cherchons une solution monochromatique de pulsation ω qui

propage l'énergie selon la direction + z avec une constante de propagation β 1 . De plus, cette
onde aura une distribution d'amplitude selon l'axe x , nous cherchons avant tout les solutions
dont l'amplitude est importante dans la région − a < x < a . Enfin, nous supposerons que cette
ur 0 uur 0
distribution de l'amplitude sera uniforme selon l'axe y, c'est-à-dire que les champs E et H
ne sont pas fonctions de la position y (voir également l'Annexe 3).
D'autre part, on sait (équations (1.21)) que chacune des composantes des champs obéit
à l'équation d'onde scalaire. Ici, on choisira naturellement d'écrire l'équation d'onde seulement
pour les composantes longitudinales des champs soit:

∂ 2 Ez0
+ γ 2 Ez0 = 0 (1.36a)
∂x 2

∂ 2 H z0
+ γ 2 H z0 = 0 (1.36b)
∂x 2

La solution des modes du guide est maintenant ramenée à la solution de ces équations
d'onde (1.36) qui permettront par la suite, le calcul des composantes transverses (voir Anne xe
3) dans les deux régions d'indice n1 et n2 .

1
Ceci est vrai si β est un nombre réel.

19
 I.5.2. Modes TE et TM (étape 2)

La solution de l'équation d'onde (1.36a) amènera pour le champ Ez deux constantes

arbitraires d'intégration l'une reliée à l'amplitude dans la région 1 et l'autre à l'amplitude du
champ dans la région 2. De même, la solution du champ H z donnera deux autres constantes.
L'application des conditions aux limites sur les champs tangentiels à l'interface n1 / n2 reliera
les quatre constantes ( Ey , H y et Ez , H z ) sous la forme de quatre équations. Ce système de
quatre équations à quatre inconnues pourrait être solutionné globalement. Cependant,
l'analyse des équatio ns (A-3.5) et (A-3.6) en Annexe 3 nous indique que l'application des
conditions aux limites sur H y et Ez reliera les constantes d'intégration du champ Ez des
régions 1 et 2 alors qu'indépendamment l'application des conditions aux limites sur Ey et H z
reliera les deux constantes du champs H z . Il s'ensuit que le système de quatre équations à
quatre inconnues sera formé de deux groupes de deux équations à deux inconnues
complètement indépendants. Il est d'usage d'étudier indépendamment ces deux groupes en
supposant d'abord que les constantes du champ Ez sont nulles, i.e. que le champ Ez ≡ 0 .
On obtient l'ensemble des champs indiques au Tableau 1.6. Ce groupe correspond

Mode TE
∂ 2 H z0
Ez0 ≡ 0 + γ 2 H z0 = 0
∂x 2
Ex0 = 0
β dH z0
η0k 0 dH z0 H x0 = − j 2
E 0y = j γ dx
γ 2 dx Hy = 0
0

où γ 2 = n 2k02 − β 2
N.B. n=n 1 dans le cœur et n=n 2 dans la partie gaine

Tableau 1.6 Composantes des champs pour le mode TE.

à la famille des modes que l'on qualifie TE puisque la seule composante du champ électrique
non nulle se situe dans le plan transverse ( Ey ). L'autre groupe s'obtient en supposant que le
champ axial H z ≡ 0 . On a alors la famille des modes TM, puisque le champ magnétique a
seulement une composante transverse. Le Tableau 1.7 nous indique les diverses composantes
des modes TM.

Mode TM
∂ 2 Ez0
+ γ 2 Ez0 = 0 H z0 ≡ 0
∂x 2
H x0 = 0
β dE 0z
Ex0 = − j 2 n 2k0 dEz0
γ dx H 0y = − j
η0γ 2 dx
Ey = 0
0

où γ 2 = n 2k02 − β 2
N.B. n=n 1 dans le cœur et n=n 2 dans la partie gaine

Tableau 1.7 Composantes des champs pour le mode TM .

20
 Il suffit maintenant de trouver la solution de l'équation d'onde (1.36), pour le champ
longitudinal dans les deux milieux, pour ensuite au moyen des deux tableaux (Tableau 1.6 et
1.7), calculer explicitement les diverses composantes des modes TE et TM. Cependant, nous
savons déjà que l'équation d'onde possède plusieurs types de solutions (e.g. onde progressive,
stationnaire, évanescente…). Il est important de bien choisir le type de solutions pour
rapidement identifier les solutions guidées.

I.5.3. Sélection de la forme appropriée de la solution (étape 3)

Nous cherchons maintenant une forme mathématique qui est solution de l'équation
d'onde modifiée (équation (1.36)) ayant les caractéristiques d'une onde qui se propage dans le
centre d'indice n1 de la structure du guide et y est contenue de préférence. Notre connaissance
des différentielles ainsi que les notions élémentaires de l'électromagnétisme nous amènent à
choisir pour le milieu d'indice n2 des solutions mathématiques de forme e − w x c'est-à-dire des
champs qui décroissent exponentiellement (champs évanescents) en s'éloignant du centre
( x → ± ∞ ). Sous ces conditions particulières, on aura une composante Ez0 pour les modes TM
ou une composante H z0 pour les modes TE de la forme:

E 0z  −w x
0
= Ae A=cte. (1.37)
Hz 

Pour que cette forme soit solution des équatio ns d'onde modifiée (équation A-3.7), il faut que

w2 ≡ −γ 2 ( n = n1 )

dans le milieu d'indice n2 ce qui revient à dire que

w2 ≡ β 2 − n22k 02 (1.38)
Dans le cœur de la structure (indice n1 ), les solutions de l'équation d'onde peuvent être
des exponentielles complexes (ondes progressives). Cependant, nous anticipons que ces ondes
progressives seront réfléchies à l'interface n1 / n2 et changeront de ce fait de direction
(complexe conjugué), pour être par la suite réfléchie une seconde fois à l'autre interface du
guide. La symétrie de structure laisse entrevoir que, selon la direction de l'axe x , ces ondes
formeront des ondes stationnaires; nous avons donc tout intérêt à choisir pour solution, dans
le milieu n1 , des fonctions trigonométrique ( sinux ou cos ux ) afin de simplifier au maximum
notre analyse. Nous écrivons donc, pour le milieu n1 , les composantes Ez0 et H z0 de la façon
suivante:

E 0z 
 = B cos(ux) + C sin(ux) (1.39)
H z0 

Pour que cette forme mathématique soit solution des équations d'onde modifiées (A-3.7), il
faut que
w2 ≡ γ 2 ( n = n1 )

21
c'est-à-dire que
u 2 = n12 k02 − β 2 (1.40)

En résumé, nous avons choisi une forme mathématique d'onde évanescente dans le
milieu n2 et une forme d'onde stationnaire selon la direction de l'axe x dans le milieu n1 afin
de pouvoir discuter simplement des modes guidés dans le cœur de cette structure planaire. La
suite de notre étude nous indiquera si ce choix est judicieux; s'il nous conduit à trouver des
solutions réelles pour la constante de propagation guidée β , nous avons vu juste! Nous avons
introduit deux nouveaux paramètres w (1.38) et u (1.40) afin d'éviter une confusion de
notation avec le paramètre γ du milieu 1 et 2. Cependant il faut bien réaliser ici que seule la
constante de propagation β est l'inconnue à déterminer et que u et w sont des paramètres
intermédiaires qui cachent cette constante de propagation.

I.5.4. Calcul du mode TE pair (étape 4)

Dans cette section, la constante de propagation β sera déterminée en appliquant les

conditions aux limites imposées par la structure guidante aux diverses composantes des
champs électriques et magnétiques (voir Tableau 1.6 et 1.7). Il nous faut maintenant calculer
la constante de propagation β en respectant les condit ions aux limites à l'interface n1 / n2 .
Nous savons que ces conditions exigent la continuité des composants tangentielles (dans notre
cas, ce sont les composants en z et en y ) des champs électriques et magnétiques.
On étudiera de façon indépendante les modes TE et TM car les constantes de
propagation sont différentes pour chacun de ces modes. De plus, le choix du champ axial en
cos( ux) ou sin(ux) conduit à des solutions différentes pour β ; les modes pairs et impairs
seront donc considérés séparément lors de l'étude des modes TE et TM 1 .
Pour le mode TE pair, on choisit H z0 = C sin ux et les composantes du mode se
calculent en utilisant en utilisant les composantes données au Tableau 1.6. Dans le cœur où
n = n1 , on obtient:

Dans le cœur Mode TE pair2

Ez0 ≡ 0 H z0 = C sin(ux )
Ex0 = 0 βC
H x0 = − j cos(ux)
ηkC u
E 0y = j 0 0 cos(ux )
u H y0 = 0

où u 2 = n12 k02 − β 2

Tableau 1.8. Composantes des champs pour le mode TE pair dans le cœur.

1
Notez bien qu'il est possible de faire cette analyse sans poser à priori cette décomposition: cependant, elle sera
alors plus longue à compléter et elle nous conduira de toute façon à identifier ces quatre familles de modes ayant
des constantes de propagation différentes.
2
Ce mode TE est qualifié de pair car la seule composante non-nulle de champ électrique ( Ey ) est une fonction
paire ( cos( ux) ).

22
 Dans la partie gaine Mode TE pair

−w x
Ez0 ≡ 0 H z0 = Ae
Ex0 = 0 β −w x
H x0 = − j Ae
η k C −w x w
Ey0 = j 0 0 Ae
u H y0 = 0

où w2 = β 2 − n22k 02

Tableau 1.9. Composantes des champs pour le mode TE pair dans la gaine

L'application des conditions aux limites sur les composantes tangentielles ainsi que
l'équation caractéristique du mode TE pair sont données dans l'Annexe 4.

I.6. Guide à deux dimensions. Méthode des indices effectifs

Les guides diélectriques à deux dimensions ou comme on les appelle couramment en

littérature, guides d'ondes canaux sont des structures
que nous trouvons de plus en plus souvent dans des
circuits d'optique intégrée. Malheureusement il n'y a
pas de solutio n analytique exacte au problème de
propagations d'une structure à deux dimensions.
Comme en général les différences d'indices relatives
sont faibles ( < 5 0 0 ), on peut simplifier le traitement
en supposant que la polarisation de la lumière est
identique à celle d'un guide plan. Cette
approximation permet de considérer le problème
vectoriel à l'aide d'une équation scalaire.
Une des méthodes les plus utilisées pour
analyser les guides à deux dimensions est la
méthode dite des indices effectifs. Le principe
illustré sur la figure à gauche, consiste à ramener le
problème à deux dimensions à la résolution de deux
problèmes à une dimension. Supposons que
n1 > n 2 ? n3 . On commence par calculer l'indice
effectif du guide plan d'épaisseur b égale à celle du guide ruban; on peut connaître
exactement la valeur de l'indice effectif neff dans le cas des deux polarisations qui sont alors
purement TE ou TM. On calcule ensuite les constantes de propagation du guide plan
d'épaisseur a égale à celle du guide ruban et d'indice égal à neff . La constante de propagation
de la lumière dans le guide ruban est supposée égale à celle du guide plan équivalent ainsi
obtenu.

23
24
II. MICROSCOPIE EN CHAMP PROCHE OPTIQUE
II. MICROSCOPIE EN CHAMP PROCHE OPTIQUE

Les années 1980 ont vu la naissance et le développement de la microscopie en champ

proche, encore appelée microscopie à sonde locale, avec, notamment, les succès du
microscope à effet tunnel, à force atomique et depuis quelques années du microscope en
champ proche optique. Avec ces nouveaux instruments, l' objet est analysé point par point par
balayage d’une sonde locale, une pointe très effilée, placée à quelques distances atomiques de
sa surface. L' image obtenue est une cartographie d’une grandeur physique caractéristique de
l'objet sondé. Ces nouveaux microscopes sont caractérisés par 'labsence d'une optique de
transmission; ils échappent donc aux limitations inhérentes à ces composants optiques.
En configuration de champ proche optique, l'amplitude de la grandeur physique
détectée décroît fortement quand la sonde s'éloigne de l'échantillon. L'analyse locale permet
d'échapper au critère de Rayleigh, lié, lui, à la propagation, et de percevoir ainsi des détails de
dimension bien inférieure à la longueur d'onde du rayonnement utilisé. L'image possède donc
une très haute résolution, car la détection s'effectue très près du lieu d'émission, et c'est la
taille utile de la sonde locale qui fixe la résolution. L'image peut ainsi révéler, selon
l'interaction choisie, soit une topographie de la surface, soit une cartographie électronique,
chimique, magnétique ou optique.
L'effet tunnel est une conséquence de la dualité onde-corpuscule. Il se manifeste
lorsqu'une particule doit traverser une région de l'espace, appelée barrière de potentiel, où son
énergie totale est inférieure à son énergie potentielle. La traversée par effet tunnel de cette
région, interdite au sens de la mécanique classique, est possible si la fonction d'onde associée
à la particule s'étend sur des dimensions comparables à celles de la barrière à franchir.
Dans le cas du microscope fondé sur ce principe, la barrière est l'espace vide (de quelques
dixièmes de nanomètre) qui existe entre 'léchantillon conducteur et une pointe métallique.
L'effet tunnel se traduit alors par le passage d'un courant I qui dépend exponentiellement de
la distance de la pointe à la surface lorsqu'on applique une tension V (différence de potentiel)
entre les deux électrodes. L'interaction de champ proche est ici le couplage par effet tunnel
entre la pointe (sonde métallique) et la surface d'un échantillon conducteur. Le courant résulte
de ce couplage. L'image est obtenue en enregistrant le mouvement de cette pointe sonde
lorsqu'on impose un courant constant lors du balayage de la surface. C'est le mode d'imagerie
le plus pratiqué. Le mouvement ainsi contrôlé de la pointe lors du balayage permet d'accéder
aux propriétés topographiques ou électroniques locales de la surface.
Le premier microscope dérivé du microscope à effet tunnel est le microscope à force
atomique. Celui-ci utilise l'effet de proximité de la pointe et de l'échantillon et non le contrôle
du courant tunnel. Ce type de microscopie peut donc permettre l'analyse de tous les
matériaux, même ceux qui ne sont pas conducteurs. C'est par une pointe installée à l'extrémité
d'un levier très sensible que l'on obtient une cartographie de haute résolution des forces qui
s'exercent entre les atomes à l'apex de la pointe et ceux de la surface. On réalise ainsi une
profilométrie 1 à l'échelle nanométrique. Le levier sert à amplifier le mouvement de la pointe,
et l'on enregistre optiquement ses déplacements verticaux lors du balayage. L'avantage de
cette instrumentation, fondée sur une cartographie de forces entre atomes, est d'ouvrir
l'analyse pour tous les types de matériaux et d'accéder à la mesure locale de forces
magnétiques ou électrostatiques. Elle permet en outre des caractérisations à l'air ou en
atmosphère contrôlée. Le microscope à force atomique est analogue à un profilomètre très
performant qui donne accès à des mesures précises de la rugosité d'une surface à des échelles

1
La profilométrie est une technique de mesure de profil des surfaces solides permettant des mesures de marches
extrêmement précises dans une gamme verticale comprise entre 50 angströms et 100 microns, sur une large
diversité de substrats et une étendue horizontale allant de 50µm à 50 mm. La résolution latérale est limitée par le
rayon de la pointe du stylet (sonde) de l'ordre de la dizaine de microns.

27
allant de la centaine de micromètres jusqu'au nanomètre. Ces possibilités remarquables sont
déjà exploitées dans des programmes de caractérisation de surfaces d'échantillons à vocation
technologique, dans les domaines de l'optique et de la micro-électronique.

Plus généralement, toutes les sondes locales dérivées du microscope à effet tunnel
fonctionnent dans des régimes d'interaction où la distance entre la sonde et la surface est
minimisée de façon à obtenir la meilleure résolution possible. Ce sont des microscopes de
champ proche. Ils permettent d'étudier les variations locales d'une propriété ou d'un paramètre
physique à la surface d'un échantillon. Ainsi, le microscope à force magnétique permet
d'étudier et d'imager des propriétés magnétiques d'un échantillon en utilisant une pointe-sonde
magnétique (cobalt ou nickel). Il a été développé pour analyser finement des matériaux
magnétiques tels que les têtes et les supports d'enregistrement magnétique.
L'apparition d'une nouvelle technique et la naissance d'un nouvel outil d'observation ont
souvent permis des progrès significatifs dans la compréhension de processus biologiques.
Dans ce contexte, l' intérêt des biologistes pour les microscopies de champ proche est lié aux
nombreux avantages et potentialités de ces nouvelles méthodes de caractérisation. La très
haute résolution et les possibilités d'identification spectroscopique sont certainement
d'importants facteurs. Mais la possibilité d'observer les échantillons dans des conditions
proches de celles in vivo a séduit les biologistes. L'utilisation de cette nouvelle microscopie
en biologie se développe et les premiers résultats sont encourageants.

Dans le cas de la microscopie SNOM (sigle anglais pour scanning near-field optical
microscopy), on utilise les propriétés qu'un champ électromagnétique augmente localement
sur les parties courbes d'une surface. Le but des microscopies en champ proche optique est
d'obtenir de meilleures (quelques nanomètres) résolutions latérales 1 que celles des
microscopes classiques, par la détection d'ondes évanescentes. Pour pouvoir s'imposer comme
des techniques viables dans le monde scientifique, ces microscopies doivent être plus
performantes (permettre d'obtenir une résolution latérale meilleure) que les microscopes
confocaux qui sont moins difficiles à mettre en œuvre [9, 10]. La microscopie optique de
champ proche est une illustration de la possibilité d'atteindre des résolutions meilleures que
celles qui sont imposées par le critère de Rayleigh. Celui-ci limite à approximativement λ / 2
la résolution théorique d'un microscope traditionnel en utilisant des radiations de longueur
d'onde λ . Cependant, ce critère, qui est une formulation des relations d'incertitude de
Heisenberg, s'applique à la détection d'ondes progressives. Dans la configuration de champ
proche où l'on détecte une onde évanescente, on échappe à cette restriction; des microscopes
qui permettent d'obtenir des images d'objets tests avec des résolutions de l'ordre de quelques
dizaines de nanomètres ont donc été mis au point. Mais l' interprétation de telles images pose
un problème fondamental de résolution des équations de Maxwell dans une géométrie bien
définie, et nécessite aussi une conna issance de la forme des objets. À cet égard, le couplage
d'un microscope de champ proche optique avec des microscopes donnant la topographie de
l'échantillon (microscope à force atomique, par exemple) permet de mieux cerner la relation
entre les propriétés structurales et les propriétés optiques. Quoique sa résolution ne soit pas
aussi bonne que celle d'un microscope tunnel, ce type de microscope est très utile pour étudier
non seulement la topographie de surfaces (réseaux optiques, surfaces et interfaces...) mais
aussi les interactions et les phénomènes optiques à l'échelle du nanomètre.

1
Résolution latérale: dans un plan parallèle au plan moyen de l'objet.

28
 II.1. Au-delà de la limite de la diffraction – le champ proche optique.

Historiquement, comme nous l'avons déjà signalé dans la partie Introduction, il faut
remonter en 1928 pour voir apparaître les premières idées sur les techniques de microscopie
optique en champ proche. En effet, le physicien irlandais E. H. Synge proposa d'utiliser une
méthode qui consiste en l'irradiation locale d'un échantillon avec une source lumineuse
d'intensité constante à travers d'un trou (de dimensions petites que la longueur d'onde de la
lumière) effectué dans un écran parfaitement opaque. Le trou se déplaçant au-dessus de la
surface de l'échantillon on collecte des informations point par point sur les propriétés de
l'échantillon en analysant la lumière transmise, à travers ce dernier, grâce à un photo-
détecteur, comme nous le montre la Figure 2.1.

Figure 2.1. Représentation schématique du principe d'une

nano-source optique proposée par Synge

En s'affranchissant ainsi des limitations en résolution spatiale dues à la diffraction de

la lumière, cette méthode de caractérisation rend obsolètes le critère de résolution tel qu'il est
défini en optique classique, introduisant intuitivement la dimension de la sonde et la distance
sonde-échantillon comme nouveaux facteurs limitatifs 1 .
Cette idée de source locale de taille bien plus petite que la longueur d'onde est mise en
pratique pour la première fois par E. A. Ash et G. Nicholls en 1972 [11] dans le domaine de
micro-ondes 2 . Dans le domaine de l'optique, c'est D. W. Phol [2 ] qui annonce pour la
première fois, en 1984, la mise au point d'un SNOM capable d'atteindre une résolution
d'environ 25 nm. Actuellement, il existe de nombreuses variétés de SNOM utilisant des
sondes de nature différente, travaillant en transmission ou en réflexion, en éclairage en champ
lointain ou évanescent. Cette grande diversité des configurations, que nous présentons dans ce
chapitre, tend à montrer l'inexistence d'une configuration universelle valable pour toutes les
applications.
Dans ce chapitre, nous nous proposons de suivre le raisonnement de Synge, c'est-à-
dire d'évoquer les raisons qui l'ont amené à envisager une telle expérience, et surtout de
comprendre pourquoi il attachait tant d'importance aux dimensions des éléments de son
expérience.

1
Bien entendu, la longueur d'onde reste un paramètre important en microscopie optique en champ proche
puisque les propriétés du champ que nous désirons étudier en dépend.
2
La longueur d'onde utilisée a été λ=3 cm.

29
 II.2. Limite de résolution latérale de l'imagerie optique classique.

A partir du premier microscope optique

réalisé par Zacharias Jansen dans les années
1590 (image à gauche), les progrès techniques
ont conduit à une amélioration considérable de la
qualité et du contraste optique des images. Mais
il faut constater, durant ces quatre siècles, aucun
changement notable n'est apparu dans le principe
même de fonctionnement des microscopes
optiques.
En microscopie optique conventionnelle,
l'échantillon à étudier est illuminé soit en réflexion soit en transmission et les composantes
progressives de la lumière diffractée par les détails de l'objet sont collectées par une lentille
(l'objectif 1 ) formant ainsi l'image de l'objet (Figure 2.2).

Figure 2.2. Principe d'un microscope optique classique

Une caractéristique principale d'un microscope optique est son pouvoir de résolution2 .
Or, si la profondeur de champ d'un microscope permet d'observer sans difficulté des
variations de hauteur de l'ordre de λ/10 (en interférométrie) les choses se passent autrement
quand il s'agit de sa résolution latérale. En vérité, les informations sur les détails latéraux de
l'objet inférieurs à la longueur d'onde utilisée peuvent difficilement être recueillies du fait
qu'ils sont vite perdus entre l'échantillon et l'objectif du microscope. C'est le phénomène de
diffraction qui est à l' origine de cette constatation: c'est le fait que l'image d'un point n'est pas
ponctuelle. Dans ces conditions, la focalisation du faisceau lumineux issue d'un point se
traduira par une tache appelée "disque d'Airy" dont les dimensions sont au mieux de l'ordre de
la longueur d'onde. Figure 2.3.

1
Souvent l'objectif d'un microscope est formé par un ensemble de deux ou trois lentilles.
2
Des différentes définitions de la résolution peuvent être trouvées dans des nombreux ouvrages "grand public"
dictionnaires, encyclopédies, livre d'enseignement.

30
 Figure 2.3. Profils de disques d'Airy d'un point à travers deux microscopes
classiques d'ouverture numérique différente.

Même pour le meilleur microscope optique 1 l'image d'un point ne peut être que
circulaire. Autrement dit, si nous essayons d'observer avec un microscope optique classique
deux points trop rapprochés l'un de l'autre, leurs deux "disques d'Airy" se recouvrent et il n'est
pas possible de le s distinguer séparément (Figure 2.4). Nous pouvons anticiper qu'il s'agit de
ce qu'on appelle la limitation en résolution de tout appareil qui donne des images des objets en
utilisant le principe du microscope optique conventionnel.

Figure 2.4. Images de deux points (disques d'Airy) à travers un microscope

classique. Les disques d'Airy se recouvrent et il n'est pas possible de les distinguer séparément.

1
De nos jours il existe des microscopes otiques avec un objective à immersion dans un liquide permettent
d'augmenter l'indice de réfraction entre l'échantillon et l'objectif. Cependant, la valeur de l'indice de réfraction est
limitée, et dépasse difficilement 2 pour un liquide, et de plus, ce milieu propageant est souvent polluant et
destructif vis -à-vis de l'échantillon à étudier.

31
 Au XIXème siècle l'allemand Ernest Abbe (1873) et l'anglais Lord Rayleigh (1896) ont
introduit le concept connu comme la limite de la résolution spatiale latérale due à la
diffraction de la lumière[12]. Pour un microscope optique qui travail à une longueur d'onde
dans le domaine visible, par exemple à 500 nm, la résolution latérale est limitée à environ 250
nm.
0,61λ 0,61λ
∆x = = (2.1)
n sin( u) N . A.
où
• λ est la longueur d'onde dans le vide du faisceau utilisé pour éclairer l'échantillon
• n est l'indice de réfraction du milieu qui entoure le système optique
• u est le demi-angle d'ouverture de l'objectif, n sin(u ) est appelée l'ouverture numérique
(N.A.) de l'objectif et caractérise le demi-angle maximal sous lequel l'objet peut être
observé par l'objectif..
• ∆x représente la distance minimale entre deux points qui peuvent être encore vus
séparés dans l'espace image. C'est la résolution de l'appareil1 .

Ainsi, dans l'imagerie optique en champ lointain, l'objet est observé par un objectif qui
possède une ouverture numérique NA. Par conséquent, seules les composantes du champ dont
r
le vecteur d'onde k est à l'intérieur d'un cône décrit par N.A. peuvent atteindre le détecteur.
r
Autrement dit, la condition de détection d'une fréquence spatiale k se traduit par la relation
suivante
r r r r
( )
sin z , k ≤ NA ⇒ z , k ≤ u( ) (2.2)

Cette relation montre que les ondes à hautes fréquences spatiales dont la direction de
propagation tombe en dehors du cône d'observation et celles aux plus hautes fréquences
spatiales qui sont évanescentes selon la direction d'observation z ne sont pas contenues dans
le spectre des fréquences spatiales collectées par l'objectif.

Le critère de résolution évoqué ne tient pas compte du rapport signal sur bruit. Il ne
tient compte que de l'ouverture numérique et de la longueur d'onde incidente. Il faut noter que
l'image d'un point lumineux est une tache et le fait que l'image ne ressemble pas à l'objet
lorsque l'objet est petit (mais de taille supérieure à la limite de résolution) n'est pas étonnant,
même en microscopie classique.

II.3. Limite de la résolution latérale - approche mathématique.

Dans ce paragraphe nous montrons d'une manière assez simple à l'aide d'un outil
mathématique très connu, la transformée de Fourier, que quel que soit l'objet considéré, nous
ne pourrons jamais observer les détails de celui-ci plus petits que la demi- longueur d'onde
avec un microscope optique classique, et qu'il peut y avoir une perte d'information concernant
l'objet à étudier.
Pour l'étude que nous présentons, nous nous placerons dans le cas d'illumination par
transmission de l'objet et que le milieu dans lequel baigne le système a un indice de réfraction
n = 1 . Le plan contenant l'objet est le plan ( x , y ) et nous ne considérerons que des objets
1
La notion de résolution est toujours attachée à un appareil donné. On parle par abus de langage de résolution
dans une image mais en pensant toujours aux limites de l'appareil qui a permis de l'obtenir.

32
homogènes dans la direction y 1 . Tout objet possède une transmittance 2 , qui traduit sa
capacité à transmettre 3 la lumière quand il est éclairé. Cette fonction transmittance donne la
répartition de la lumière traversant l'objet sous une illumination uniforme en fonction de la
coordonnée spatiale x considérée. Mais, il est tout à fait vrai que à chaque coordonnée
spatiale x de l'objet dans l'espace objet peut être associée une fréquence spatiale f x dans
l'espace des fréquences, et en utilisant l'opération mathématique appelée transformation de
Fourier (TF) [13] il est possible de décomposer la fonction transmittance de cet objet sur la
base des fréquences spatiales. Donc la lumière collectée, par l'objectif du microscope lors de
la formation de l'image, n'est qu'une "sélection" de fréquences spatiales de l'objet, dont
l'intervalle dépend de l'ouverture numérique N.A. de l'objective du microscope. Ces
fréquences spatiales sont reconverties en revenant à l'espace des coordonnées spatiales par
l'opération mathématique inverse. Tout ce que nous avons évoqué jusqu'à maintenant peut se
résumer comme suit:

f ( x) 
TF
→ °f ( kx ) 
parfiltrage
N . A.
→ g° ( kx ) 
TF −1
→ g ( x)
objet − espacede Fourier − image

où

f ( x ) est la fonction transmittance de l'objet considéré dans l'espace objet.

°f (k ) est la fonction transmittance de l'objet dans l'espace des fréquences spatiales.
g° (k ) est la fonction transmittance de l'objet dans l'espace des fréquence spatiales. après le
filtrage par un objective ayant une ouverture numérique N.A.
g ( x ) est la fonction transmittance de l'image observée à travers le microscope.
TF opération transformée de Fourier.
TF −1 opération transformée de Fourier inverse.
k = k x = 2π f x est la composante du vecteur d'onde selon la direction x.

Nous allons considérer maintenant une source lumineuse infiniment fine selon l'axe
Ox décrite par une fonction transmittance f ( x ) = δ ( x − x0 ) , fonction4 qui peut être
décomposée sur la base des fréquences spatiales f x comme on indique ci-dessus [14]:

+∞
°f (k ) =
∫ δ( x − x )exp(−ikx )dx = exp(−ikx )
−∞
0 0 (2.3)

Si cette source lumineuse est observée avec un microscope classique, dont l'objectif a pour
ouverture l'angle 2u , seuls les vecteurs d'onde k x appartenant à l'intervalle
 ω 
0; k max = c sin ( u )  sont recueillis par l'appareil, ce qui correspond à un intervalle de
 
fréquence spatiales f x ∈[ 0; 1/ λ ] (Figure 2.5).

1
La généralisation à des objets inhomogènes dans les deux directions n'est pas difficile, mais les calculs sont
beaucoup plus lourds à mener, ce qui n'est pas le but de ce paragraphe
2
Ou réflectance selon le mode d'illumination choisi.
3
Ou réfléchir; voir 2
4
Il faut mentionner qu'il s'agit d'une "distribution" et non d'une fonction au sens habituel du terme.

33
 Figure 2.5. Le microscope agit comme un filtre sur les fréquences spatiales qui
ne se trouvent pas dans le cône des fréquences k x max .

L'image reconstruite à travers le microscope serait alors définie par la fonction:

+ kmax

g ( x) = ∫ exp( −ikx0 )exp(ikx )dk =

− kmax
+∞
 ω ω 
= ∫ C  k ; − sin ( u ) ;+ sin(u )  exp( ikx )exp( −ikx0 ) dk =
−∞
c c 
ω  ω 
+∞ 2sin  x , sin(u ) sin  ( x − x0 ) sin(u ) 
c  , c 
= ∫ δ (x − x0 − x ) dx = 2
,

−∞
x,
x − x0

ω ω
où C  k ; − sin (u ) ; + sin(u )  est la fonction rectangle unité, c'est-à-dire que k prend
 c c 
ω ω
toutes les valeurs comprises entre − sin ( u ) et + sin ( u ) et que sur cette intervalle, C = 1 .
c c

Bien que la source est infiniment fine, elle serait vue à travers l'optique du microscope
comme une raie principale de lumière de largeur donnée par celle de la fonction sinus cardinal
précédente (Figure 2.6)
2π c λ
∆x = = (2.4)
ω sin( u) sin(u )

(a) (b)
Figure 2.6. Source infiniment fine dans l'espace objet (a) et image de la
source à travers le microscope (b).

34
 Alors, pour pouvoir distinguer deux sources infiniment fines à travers un microscope
optique il faut qu'elles soient distantes d'au moins λ /2sin(u ) de manière à ce que le
maximum de l'une coïncide avec le minimum de l'autre, ce qui correspond au critère de
Rayleigh précédemment énoncé.
Si on considère maintenant un objet quelconque de fonction transmittance f ( x − x0 ) ,
de la même manière que précédemment on peut obtenir son image à travers un microscope.

+ kmax

g ( x) = ∫ exp( ikx ) °f ( k ) dk =
− kmax
+∞
 ω ω 
= ∫ C  k ; − c sin(u ); + c sin(u)  exp(ikx) °f (k )dk =
−∞

ω 
+∞ 2sin  x 'sin(u ) 
 c 
= ∫ f ( x − x ')
x'
dx '
−∞

Ce résultat est un produit de convolution et une des propriétés est que la largeur du
produit ne peut être inférieure à la largeur de chacune des fonctions 1 . Autrement dit si L est la
largeur de l'objet, alors la largeur de l'image g de l'objet est

 λ 
∆x ≥ max  ,L (2.5)
 sin(u ) 

Ainsi, la largeur de l'image de l'objet ne peut donc pas être inférieure à λ /sin(u ) et si
la largeur L de l'objet est inférieure à λ /sin(u ) , cette largeur n'est pas restituée par l'image.
Nous venons donc de démontrer qu'il existe une limite de la résolution latérale
intrinsèque à chaque microscope, et que les informations sub- longueur d'onde de l'objet à
observer sont perdues au cours de la propagation (elles sont filtrées par l'objectif en fonction
de son ouverture numérique N.A.)

II.3.1. Diffraction de la lumière au passage d'une ouverture

Pour mieux comprendre d'où provient la perte d'information lors de l'observation d'un
objet par des techniques d'imagerie classiques, on se propose de regarder l'évolution de la
figure de diffraction, sur un écran, d'une onde plane monochromatique éclairant en incidence
normale une fente lorsque l'on diminue la largeur L de cette dernière [15].
Lorsque la fente est grande ouverte, la lumière n'est pratiquement pas diffractée: les
rayons lumineux se propagent au-delà de la fente sans subir de déviation. Dans l'espace des
fréquences spatiales, cela signifie que la direction du vecteur d'onde de la lumière n'est pas
modifiée à la traversée de la fente, Figure 2.7 (a). Si la largeur de la fente diminue

1
On utilise ici les propriétés mathématiques suivantes:
- la transformée de Fourier d'une fonction rectangle est un sinus cardinal
- le produit des transformées de Fourier de deux fonctions est égal à la transformée de Fourier du produit
de convolutions de ces deux fonctions: ( )
TF −1 ( °f × C ) = f ⊗ TF −1( C) ( x ) = ( f ⊗ sin C)( x ) où
⊗ désigne le produit de convolution.

35
progressivement, les rayons lumineux qui en sont issus sont de plus en plus déviés, Figure 2.7
(b), (c). Cela correspond à une augmentation de la valeur de la composante k x du vecteur
r
d'onde k de la lumière diffractée par la fente. Initialement, lo rsque la fente est grande
ouverte, cette composante est nulle, mais quand la largeur de la fente diminue, la valeur de k x
r
croît jusqu'à atteindre la valeur du module du vecteur d'onde k x = k = ω / c . Il y a donc un
élargissement de l'intervalle [ − kM ; + kM ] des valeurs de la composante k x du vecteur d'onde
depuis [ 0;0] , pour lequel la fente est grande ouverte, jusqu'à [ −ω / c; +ω / c ] pour lequel la
largeur de la fente atteint la valeur λ . Enfin, si l'on continue de fermer la fente au-delà de la
longueur d'onde, la répartition de la lumière sur l'écran s'étale dans tout l'espace; il est alors
impossible de distinguer des différences entre les images pour lesquelles la fente est plus
petite que la longueur d'onde, Figure 2.7 (d).

Figure 2.7. Evolution de la figure de diffraction de la lumière par

une fente quand la largeur L de cette dernière diminue.

On comprend ainsi qu l'on perd une partie de l'information concernant la taille de la fente
lorsqu'elle est inférieure à la longueur d'onde. Mais en fait, au fur et à mesure que la largeur
de la fente diminue en dessous de la longueur d'onde, l'intervalle [ − kM ; + kM ] continue de

36
s'élargir au-delà de [ −ω / c; +ω / c ] : l'analyse théorique que nous développerons dans la section
suivante montre que l'on peut avoir des ondes caractérisées par k x > ω / c qui ne peuvent plus
se propager jusqu'à l'écran. Ces ondes restent confinées dans le voisinage de la fente sont
appelées ondes évanescentes 1,2 . Elles contiennent toutes les informations sur les détails des
dimensions inférieures à λ de la fente, et constituent le champ proche diffracté par la fente.
Les techniques d'imagerie classiques sont inadéquates pour l'imagerie de haute
résolution, puisqu'elles ne peuvent détecter que les informations se propageant à des distances
de l'objet grandes devant la longueur d'onde: on recueille un champ dit lointain. Les
renseignements sur les petits détails inférieurs à la longueur d'onde sont cachés dans les ondes
évanescentes localisées au voisinage de l'objet: on parle alors de champ proche.

II.3.2. Champ proche d'objets spatialement limités: spectre angulaire.

Dans ce paragraphe nous étudions la propagation, dans le vide (en sachant que les
résultats peuvent être généralisés à un milieu diélectrique linéaire homogène et isotrope
quelconque d'indice de réfraction n en remplaçant λ0 par λ0 / n ), du rayonnement
monochromatique de pulsation ω (issu d'une source qui n'est pas précisée) et caractérisée par
ur
son champ électrique E ( x , y , z ) . Nous prenons comme point de départ la connaissance du
champ électrique dans un plan fixé en z = 0 . Ce que nous cherchons à obtenir est une
expression explicite du champ électrique en tout point z > 0 . Il est clair que l'exemple de la
diffraction d'une onde par une fente donné dans le paragraphe précédent se ramène à ce
problème. Toutefois, cette façon de poser le problème est plus générale.
Pour déterminer le champ électrique la démarche est tout à fait classique. Le champ
obéit à l'équation de Helmholtz dans le vide et satisfait aux conditions aux limites de la
surface en z = 0 .
ur ur
∆E + k 2 E = 0 (2.6)
avec k = 2π / λ .

Dans le plan fixé en z = 0 , ce champ ne dépend que des coordonnées spatiales x et

y , on peut donc introduire la décomposition de Fourier:

ur +∞ ur r
° r r r
( ) ( )
E ( x, y, z ) = ∫ E k p , z exp ik p ⋅ r d k p
−∞
(2.7)

r r
où k p ( k x , k y ) sont les coordonnées du vecteur d'onde appartenant à ce plan et r ( x , y ) est le
vecteur de position dans le plan z [16]. Il est toujours possible de le faire puisque la fonction
est de carré sommable dans le plan ( x , y ) . En effet, l'intégrale du carré du champ sur le plan
( x , y ) est, à une constante près, l'énergie électromagnétique du faisceau par unité de longueur

1
Ce sont des ondes de même nature que celles décrites dans la section I.4. La seule différence est le phénomène
physique qui les a fait apparaître: réflexion et diffraction.
2
A noter que Newton avait déjà mis en évidence l'existence de ces ondes évanescentes à l'occasion de son
expérience de réflexion totale frustrée. Il eut l'idée d'éclairer un prisme selon une incidence correspondant à la
réflexion totale. En approchant une lentille de la face du prisme, Newton s'aperçoit qu'une partie de la lumière est
transmise à travers la lentille dans le second milieu quand la "barrière d'aire" prisme-lentille était suffisamment
faible. Ce phénomène, maintenant parfaitement décrit par la théorie ondulatoire de la lumière, résulte de
l'existence d'une onde évanescente à la surface du prisme.

37
suivant l'axe Oz , qui est nécessairement finie. Ainsi, le problème de la détermination de
ur ur r
( )
E ( x , y , z ) = E r , z est alors ramené à trouver l'expression de sa transformée de Fourier
u°r r
( )
E k p, z .
En introduisant l'expression (2.7) dans l'équation (2.6) on obtient une équation
ur r
différentielle linéaire du second ordre régissant l'évolution de ° ( )
E k p , z dans la direction
perpendiculaire au plan de référence z fixé.

 ∂2 ur r
2 °
 2
 ∂z
+ kz 

E (
k p,z = 0 ) (2.8)

où k z2 = k 2 − k x2 − k y2 = k 2 − k p2 est la composante du vecteur d'onde perpendiculaire au

plan ( x , y ) . La forme de la solution générale de l'équation (2.8) est la suivante:

u°r r ur r ur r
( ) ( ) ( )
E k p , z = A k p exp ( ik z z ) + C k p exp ( −ikz z ) (2.9)

Si l'on considère un champ se propageant dans le sens des z positifs, le deuxième terme est
nul. Le champ électrique peut alors s'écrire

ur +∞ ur r r r r +∞ur r r ur r
−∞
( ) ( )
E ( x , y , z ) = ∫ A k p exp ik p ⋅ r exp ( ikz z) d k p = ∫
−∞
A ( ) (
k p exp ik ⋅ R d k p) (2.10)

ur
où R( x , y, z) est le vecteur de position dans l'espace des coordonnées.
ur r
( )
La détermination de A k p [17] se fait écrivant simplement l'expression du champ dans le
plan z = 0 .
ur ur r r r r
( ) (
E ( x, y ,0) = ∫ A k p exp ik p ⋅ r d k p) (2.11)

ur r
( )
Cette expression montre que l'amplitude complexe A k p est simplement la transformée de
Fourier du champ dans le plan z = 0 .

ur r ur
° r
+∞ ur r r r r
( ) ( ) (
A k p = E k p , 0 = ∫ E (r ,0)exp ik p ⋅ r d r
−∞
) (2.12)

Finalement, le champ en tout point ( x , y, z) de l'espace s'écrit sous la forme

ur +∞ ur r
° r ur r
( ) ( )
E ( x , y , z ) = ∫ E k p ,0 exp ik ⋅ R d k p
−∞
(2.13)

Sous cette forme, il apparaît clairement que le champ s'écrit sous la forme d'une
superposition d'ondes planes dont les vecteurs d'onde satisfont à la relation de dispersion dans
le vide:

38
 ω2
k = k +k = 2
2 2
p
2
z (2.14)
c

L'amplitude complexe de chaque onde plane est donnée très simplement par la valeur de la
transformée de Fourier du champ dans le plan ( x , y ) . Il est important de remarquer que cette
expression fournit une solution exacte au problème de diffraction.

Le résultat résumé par l'équation (2.13) est aussi appelé spectre angulaire 1 du champ.
En résumé, le calcul de la transformée de Fourier du champ électrique considéré comme une
ur r ur r
fonction de x et y fournit les amplitudes des ondes planes A k = ° ( )
E k , 0 . Pour cela onp ( p )
utilise la formule d'inversion:

u°r r +∞ ur r r r r
( )
1
E k p, 0 = 2
4π ∫ ( )
−∞
( )
E r , 0 exp −ik p ⋅ r d r (2.15)

Il suffit alors de rapporter cette expression dans l'équation (2.13) pour obtenir le champ en
tout point ( x , y, z) . Il faut souligner que cette expression est valable en champ proche
également et qu'aucune approximation n'a été faite jusqu'au ici.

Nous allons maintenant discuter la signification de ce résultat en considérant un objet,

de taille limitée, situé dans un plan Oxy et pouvant être décrit par sa fonction transmittance
f ( x, y , 0 ) (qui peut être également sa fonction réflectance selon le mode d'illumination
choisi). Le spectre des fréquences spatiales de cet objet est donné par la transformée de
Fourier bidimensionnelle de sa transmittance et peut s'écrire [18]

r +∞ r r r r
( ) ( ) (
°f k p , 0 = f r , 0 exp ik p ⋅ r d r
∫ −∞
) (2.16)

Supposons maintenant que cet objet soit éclairé par une onde plane monochromatique
ur r
( )
telle que celle décrite précédemment. Alors; le champ E r , 0 juste après l'objet peut être
ur r r
( ) ( )
exprimé comme E r ,0 ≡ f r ,0 , qui est donc la transformée de Fourier inverse du spectre
de fréquences spatiales. Dans ce cas là on peut écrire:

ur r +∞ r r r r
( ) ( ) (
E r , 0 = ∫ °f k p , 0 exp ik p ⋅ r d k p
−∞
) (2.17)

Alors dans un plan z = Z > 0 , le champ électrique peut être calculé de la même
manière que précédemment par l'équation:

1
r
L'expression "spectre angulaire" provient du fait qu'aux coordonnées k x , k y et k z du vecteur d'onde k , on
kx k y k
associe les rapports , et z qui donnent les valeurs des cosinus directeurs de la direction de propagation
k k k
de l'onde.

39
 ur r +∞ r r r r
( ) ( ) (
E r , Z = ∫ °f k p , 0 exp ik p ⋅ r + kz Z d k p
−∞
) (2.18)

r
où l'on a tenu compte de la propagation jusqu'en z = Z en remplaçant °f k p , 0 par ( )
r
( )
°f k p , 0 exp ( ik Z ) dans l'intégrale, et où k est obtenu par la relation de dispersion (2.14).
z z

Deux observations importantes peuvent être faites à partir des relations (2.18) et (2.14)

v
v d'une part, le champ observé en z = Z est relié aux propriétés topographiques et
optiques de l'objet par une simple transformée de Fourier. Si l'on collecte la
lumière issue de cet objet dans le plan focal image d'une lentille (voir même un
microscope), à chaque point de ce plan est associée une direction de propagation
r
( )
caractérisée par le vecteur d'onde k p , k z et cette direction de propagation
correspond a une fréquence spatiale de l'objet dans le plan z = 0 d'amplitude
r
( )
°f k p , 0 . Or, les détecteurs sont sensible à l'intensité, c'est-à-dire au module du
champ au carré, et donc en chaque point du plan focal image, on recueille une
r
( )
intensité proportionnelle à °f k p , 0 , module au carré de la transformée de
2

Fourier de la transmittance de l'objet.

La figure de diffraction dans le plan focal image reproduit ainsi le spectre de

fréquences spatiales de l'objet (l'information sur la phase est perdue).

v
v d'autre part, la relation (2.14) implique que pour des grandes fréquences spatiales
dans le plan Oxy , c'est-à-dire pour des grandes valeurs de k p (à un facteur 2π
près), la composante selon l'axe Oz du vecteur d'onde peut être imaginaire pure:

k z = i (k p2 − k 2 )1 / 2 . (2.19)

Dans ce cas, la contribution au champ électrique dans le plan z = Z de ces

r
( )
fréquences se manifeste par un terme °f k p , 0 exp ( −i kz Z ) qui décroît
exponentiellement selon Oz . Au-delà de quelques longueurs d'onde, la
contribution de ces ondes au champ devient négligeable. Ces ondes, qui se
propagent dans le plan Oxy mais décroissent exponentiellement selon la
direction Oz sont les ondes évanescentes.

Nous avons retrouvé ainsi le résultat observé dans le cas de la fente à une dimension
(cf. paragraphe II.3.1): si la dimension de l'objet est infinie selon la direction Oy , la
composante du vecteur d'onde associé est nulle, donc k y = 0 . Par suite, k x = k p peut prendre
toutes les valeurs comprises dans l'intervalle [ 0, ω / c ] , et les ondes associées à ces vecteurs
d'onde peuvent se propager jusqu'à l'écran. En revanche, si k x > ω / c , alors k z devient
imaginaire, et les ondes restent localisées au voisinage de la fente: on ne peut pas recueillir
d'informations concernant les détails inférieurs à la longueur d'onde.

40
 ω 2π
En résumé, seules les ondes satisfaisant kp ≤
= peuvent se propager. Le
c λ
vecteur d'onde maximal dans le plan Oxy correspondant à une onde progressive est
ω 2π
kp = = et la fréquence maximale est 1/ λ . Cela a une conséquence fondamentale pour
c λ
la télédétection et l'imagerie. Lors de la propagation on perd toute information sur les
ur
grandes fréquences spatiales. En d'autres termes, les détails fins, les structures de E ( x , y,0)
plus petites que la longueur d'onde du rayonnement sont perdues lors de la propagation. En
particulier toute image optique ne peut donner des détails plus petits que la longueur d'onde
puisque la fréquence maximale est 1/ λ .

Il est toutefois possible de dépasser cette limite lors de la réalisation d'une image. Pour
réaliser ceci, il faut aller chercher l'information là où elle se trouve, c'est-à-dire très près de la
structure étudiée Imaginons une surface sur laquelle se trouve gravées des structures petites
devant la longueur d'onde. Un détecteur placé à une distance petite devant la longueur d'onde
sera sensible aux ondes évanescentes (ou onde de surface) Il sera donc sensible à des
fréquences spatiales élevées et pourra fournir des images dont la résolution est meilleure que
la longueur d'onde de détection.

II.3.3. Une image simple et sa transformée de Fourier.

Les notions précédentes peuvent être illustrées de manière très simple par l'exemple
suivant: soit une image représentant une structure quelconque (bande de centre colorée, par
exemple), et sa Transformée de Fourier donnant la répartition des fréquences spatiales
associées à cette structure[19, 20]. Sur les images de Transformée de Fourier l'amplitude est
représentée par le degré de luminosité.

TF

Structure des bandes Transformée de Fourier de l'image

Figure 2.8. Image d'une structure des bandes et sa Transformée de Fourier.

Si l'on ne considère que les termes de basses fréquences spatiale s, et donc les termes
associés aux gros détails de la structure, la reconstruction de l'image par Transformée de
Fourier inverse donne une image de mauvaise résolution, à laquelle manquent tout les petits
détails, Figure 2.9.

41
C'est ce qui se produit lorsqu'on observe un objet à travers un microscope classique: on ne
récupère que les composantes progressives de la lumière , et donc les fréquences spatiales
associées aux gros détails de l'objet (de taille supérieure à la longueur d'onde de travail).

TF-1

Sélection des basses fréquences spatiales Reconstruction de l'image

Figure 2.9. Transformée de Fourier inverse en ne sélectionnant que les basses

fréquences spatiales: reconstruction de l'image de la structure des bandes.

Si maintenant on choisit de ne sélectionner que les hautes fréquences spatiales de la

figure, qui correspondent aux détails fins de cette dernière, la reconstruction de l'image nous
permet d'obtenir une précision beaucoup plus grande sur ses petits détails.

TF-1

Sélection des hautes fréquences spatiales Reconstruction de l'image

Figure 2.10. Transformée de Fourier inverse en ne sélectionnant que les hautes

fréquences spatiales: reconstruction de l'image de la structure des bandes.

La situation de la Figure 2.9 correspond à une image enregistrée en champ lointain

alors que celle de la Figure 2.10 correspond à une image acquise en champ proche, et montre
les informations supplémentaires auxquelles on peut accéder lorsqu'on se place en champ
proche de l'objet 1 .

1
C'est ainsi que Synge a conçu son expérience en 1928: il savait que la seule manière d'accéder aux détails sub-
longueur d'onde de l'échantillon est d'aller chercher l'information à une distance inférieure à la longueur d'onde
avec une sonde de taille inférieure à la longueur d'onde, de manière à pouvoir capter les ondes évanescentes s'y
rapportant.

42
 II.4. Historique: Appareillage et configurations en SNOM

Avant d'utiliser les propriétés du champ proche pour étudier différents phénomènes
physiques, il est important de disposer d'outils pour analyser et cartographier ce champ dans
les différentes expériences qui pourront être mises en jeu. Compte tenu de celles discutées
dans les paragraphes précédents, la première idée simple qui vient à l'esprit pour recueillir les
informations sub-longueur d'onde relatives à un objet est de placer un photodétecteur
suffisamment près de sa surface pour collecter les composantes non progressives
(évanescentes) du champ re-émis par cet objet. Dans la pratique, une telle configuration n'est
pas facile à réaliser, en particulier parce qu'il est très difficile de placer un détecteur dans le
champ proche de l'échantillon. On peut alors se demander quel était l'intérêt du trou dans le
dispositif décrit par Synge dans son article.
Nous avons vu dans les paragraphes précédents que des objets de dimensions sub-
longueur d'onde peuvent transformer par diffraction une partie d'une onde progressive en
ondes évanescentes. Il suffit d'appliquer le principe du retour inverse de la lumière aux
différentes expériences décrites précédemment. Par conséquence, des objets sub- longueur
d'onde peuvent transformer une onde évanescente en ondes progressives.
De cette manière, en plongeant un trou sub- longueur d'onde dans le champ proche de
l'échantillon à étudier, les ondes évanescentes présentes à sa surface vont être partiellement
transformées en ondes progressives et pouvoir se propager, avec les informations qu'elles
contiennent jusqu'au détecteur placé dans le champ lointain de l'échantillon.
Une fois qu'on s'affranchit de la limite de la résolution liée à la diffraction de la
lumière, décrite dans les paragraphes précédents, on s'aperçoit que deux nouveaux paramètres
déterminent la résolution du dispositif d'imagerie en champ proche optique.

v
v en premier lieu c'est la taille (et la forme) du trou, ou du système sub- longueur
d'onde (sonde) qui va venir perturber les ondes évanescentes au voisinage de
l'objet, sachant que plus cette sonde est petite, mieux elle pourra "voir" les détails
fins de la structure présente sur l'échantillon à étudier.

v
v deuxième ment c'est la distance sonde-échantillon qui joue un rôle très important,
car lorsqu'on s'éloigne de la surface de l'échantillon, l'amplitude des ondes
évanescentes décroît d'autant plus vite que la valeur de k p est grande (voir
relation 2.19). Les informations sont d'autant plus confinées près de la surface
qu'elles concernent des détails fins 1 .

Ceci étant dit, il ne reste qu'à mettre en pratique les idées développées par Synge en
1928, mais les moyens techniques de l'époque ne permettaient pas de réaliser un appareillage
répondant aux contraintes expérimentales, de même qu'en 1956, date à laquelle le
mathématicien J. A. O'Keefe a lui aussi proposé une expérience par une approche du même
type [21]. D’autres articles furent écrits mais ce ne fut qu’en 1972 que deux chercheurs, Ash
et Nicholls démontrent la possibilité d'imager un réseau de pas λ /60 mais leur expérience
était menée avec des micro-ondes ( λ = 3 cm ). Il a fallu attendre une nouvelle décennie pour

1
Exemple: la résolution d'un détail de 100 nmexigera que la sonde se situe à moins de 15 nm de la surface de
2π i
1/2
 1 1 
l'échantillon. En effet, δ << λ ⇒ 2π / δ >> 2π / λ et k z = 2π i  2 − 2  ≈ , donc, l'onde
δ λ  δ
1 δ
évanescente est quasiment nulle au-delà de la distance L = = .
k z 2π

43
que les premières publications sur les possibilités pratiques du SNOM voient le jour. C'était
en 1984 quand l'équipe de D. W. Pohl propose la première version du microscope en champ
proche optique: le "stéthoscope optique" [2]. Leur appareillage utilisait comme nanosonde
une pointe de quartz taillée puis attaquée chimiquement et ensuite métallisée.
L'asservissement de la distance sonde-échantillon était assuré par la mesure d'un courant
tunnel entre cette métallisation et la surface de l'échantillon. Cela suppose bien sûr que
l'échantillon soit à la fois conducteur et transparent. Dans ces conditions des détails de 25 nm
étaient décelables avec une illumination de longueur d'onde 488 nm, soit une résolution de
λ /20 , ce qui matérialisait et confirmait la théorie de Synge.
Dès lors, la microscopie en champ proche devient une réalité. Les recherches se sont
donc poursuivies et des améliorations importantes ont été apportées par le développement des
sondes à partir, dans un premier temps, de micropipette de biologie étirée à chaud, et de fibres
optiques amincies et métallisées, dans un deuxième temps. C'était en 1986 que E. Betzig et al.
proposent l'utilisation de la micropipette [3], et en 1987 l'utilisation d'une fibre amincie [22]
comme nanosonde. Avec cette dernière on voit apparaître le premier microscope qui utilise la
nanosonde (à base de fibre optique) pour collecter le champ évanescent 1 .
Enfin, en 1995, un autre type de microscope optique à champ proche voit le jour: c'est
le PSNOM2 [23, 24] De la même façon que précédemment, les ondes évanescentes émises par
un objet sont converties en ondes progressives, par une sonde de taille nanométrique, sans
ouverture, qui vient perturber le champ proche, l'information étant récoltée en champ lointain
par un détecteur.
En 1989 est réalisé le premier microscope par réflexion [25] et d'une manière générale
ces types de microscope utiliseront la sonde à la fois comme émetteur, pour irradier
l'échantillon, puis comme collecteur pour récupérer la lumière diffractée. La même année,
trois équipes indépendantes vont créer un équivalent optique du microscope à effet tunnel: le
STOM3 [26], également appelé PSTM 4 [27], ou encore EFOM5 [28, 29]. Ce type de
microscope fonctionne en transmission et la nanosonde sert de collecteur: il n'est donc pas
nécessaire qu'elle soit métallisée, contrairement au cas où elle est utilisée en mode
illumination.
Des améliorations importantes ont également été apportées au mode d'asservissement
de la distance sonde-échantillon, notamment par l'utilisation des forces de cisaillement ou
"shear- forces"6 [30] qui ont permis de réaliser l'approche et le maintien de la sonde à une
distance sub-longueur d'onde. Ce point sera traité en détail dans le paragraphe II.4.2.
Depuis 1972, le nombre de publications démontrant les diverses possibilités
d'utilisation de la microscopie en champ proche se sont multipliées, témoignant de l'intérêt et
de l'enjeu scientifique de la compréhension des phénomènes optiques agissant à cette échelle:
on peut citer de manière non exhaustive l'étude des matériaux semi- conducteurs, la
spectroscopie de la molécule unique, l'imagerie par fluorescence en biologie, les études des
matériaux magnéto-optiques, photolithographie, etc. Il faut également citer l'étude
spectroscopique de structure sub- longueur d'onde et l'étude locale des dispositifs
optoélectroniques pour sonder la répartition des champs et la manière de la répartition de la
lumière dans des guides optiques, qui sont l'objet de ce travail.

1
Une attention particulaire sera portée à cette configuration, car elle a été utilisée dans les études menées sur la
propagation de la lumière dans les guides d'onde optiques.
2
De l'anglais Perturbation Scanning Near-Field Optical Microscope.
3
De l'anglais Scanning Tunneling Optical Microscope.
4
De l'anglais Photon Scanning Tunneling Microscope.
5
De l'anglais Evanescent Field Optical Microscope.
6
Terme désignant en anglais les force de cisaillement entre la sonde et l'échantillon.

44
 II.4.1. Configurations expérimentales SNOM à sonde à ouverture 1 .

Dans ce paragraphe nous nous proposons d'exposer les diverses configurations SNOM
possibles, en utilisant une sonde à ouverture [17]. Le choix de ne présenter que ces
configurations est dû au fait que dans nos expériences nous avons utilisé seulement des
configurations de ce type.

Le concept de la sonde à ouverture est l'idée du nano-trou suggérée par Synge [1]. Le
rôle de cette ouverture optique est, selon la configuration de travail, soit de confiner la lumière
soit de collecter le champ proche sur une zone très localisée de l'échantillon. Habituellement,
cette nano-ouverture est obtenue en métallisant une fibre optique dont l'extrémité a été
préalablement effilée (Figure 2.11) soit par étirage au chaud, soit par attaque chimique (avec
acide fluorhydrique HF) ou par une combinaison des deux méthodes [17].

(a) (b) (c)

Figure 2.11. Fibre optique effilée et métallisée: (a) image d'ensemble,

(b) extrémité de la pointe, (c) nano-ouverture

Une telle sonde peut être utilisée pour éclairer localement l'échantillon, le champ
propagatif résultant de cette interaction locale est détecté en champ lointain en réflexion ou en
transmission. Egalement, ce type de sonde peut être utilisé pour détecter localement les ondes
évanescentes générées à la surface d'un échantillon, le champ collecté étant rendu
partiellement propagatif et envoyé vers l'autre extrémité de la fibre afin d'être analysé par un
photodétecteur.

En fonction du rôle de la sonde, nano-illuminateur ou nano-collecteur, et aussi en

prenant en compte la position de l'éclairage et de la détection2 par rapport à la sonde, une
classification, non exhaustive, des différentes possibilités des configurations expérimentales,
est schématiquement présentée dans la Figure 2.12. Nous distinguons le mode illumination
locale (a) ou la fibre est utilisée comme nano source, la détection du signal contenant
l'information du champ proche est effectuée en champ lointain soit en transmission, soit en
réflexion. Dans le mode collection locale la fibre est utilisée comme nano-collecteur de
champ proche, ce dernier étant créé par éclairage soit en réflexion, soit en transmission, ou
encore par réflexion totale interne.
1
Lorsque la sonde (métal, semi-conducteur ou diélectrique) joue le rôle d'un nano-objet diffusant on parle des
configurations SNOM sans ouverture. Cette sonde ne présente pas une nano-ouverture à son extrémité.
2
L'éclairage et la détection lumineuse, lorsqu'ils ne sont pas assurés par la sonde, sont en général réalisés par des
techniques classiques de champ lointain.

45
 (a) (b)

Figure 2.12. Configurations SNOM à sonde à ouverture: mode illumination

locale et b) mode collection locale

Il convient ainsi d'adapter chacune de ces configurations de champ proche en fonction

de l'application qu'on lui réserve. Les configurations de ce type ont l'avantage de confiner
spatialement soit la zone éclairée soit la zone de capture du champ, minimisant ainsi les
sources de bruit liées à la diffusion des zones adjacentes. La résolution, annoncées par la
plupart des auteurs cités, qu l'on peut espérer atteindre est de l'ordre de 30 à 50 nm
Un inconvénient de ces configurations est lié au fait que il y a des pertes importantes du signal
au niveau de la partie effilée de la sonde (mode nano- ilumination) où il n'y a plus de mode
guidé dans la fibre. Ainsi, une limitation de la puissance incidente disponible sur l'échantillon
peut être un handicap important dans les expériences de spectroscopie à faible rendement.
Aussi il faut savoir que la puissance optique que l'on injecte dans les fibres effilées peut
induire des effets thermiques [31] détruire la sonde en modifiant sa forme, ses dimensions
[32] ou faisant fondre la couche métallique. Mais, un problème majeur aujourd'hui est
probablement la difficulté de réaliser des sondes à ouverture qui répondent à des
caractéristiques géométriques reproductibles.

Nombreuses sont les publications qui ont eu comme sujet ce type de configurations. Il
utilise principalement comme sonde une fibre optique métallisée associée à un système
d'asservissement pour régulariser la distance pointe-échantillon. Comme asservissement on
peut trouver des systèmes utilisant un approche de type AFM traditionnel [33, 34] ou STM
[35, 36], dans ce dernier cas, les études sont limitées à des échantillons conducteurs.
Un troisième type d'asservissement, le shear-force [30, 37] sera discuté, d'une manière
détaillée dans le paragraphe suivant, vu que c'est le mode d'asservissement présent sur
l'appareil que nous avons utilisé dans notre travail de thèse.

46
 II.4.2. Mode d'asservissement par forces de cisaillement ou "shear-force"

Le mode d'asservissement par "shear-force" utilise un système diapason. Les

diapasons sont habituellement utilisés comme capteur de force en fixant une sonde appropriée
sur l'un de ses bras, comme nous montre la Figure 2.13. Du fait de la symétrie du cristal
piézoélectrique, la polarisation est uniquement engendrée dans le plan XY . La base du
diapason est collée sur un support comprenant le système d'excitation-détection électronique.
La mesure est réalisée en l'excitant à la résonance et à amplitude de force constante et en
enregistrant la réponse en fonction de la distance pointe-échantillon. Les diapasons en quartz
sont particulièrement réputés pour leur facteur de qualité mécanique très élevé (de 103 à 105 )
ce qui les rend sensibles à des forces de cisaillement très petites, inférieures au pN , lorsqu'ils
sont excité à leurs fréquence de résonance (104 à 5·106 kHz ), cependant, le plus souvent ce
sont des céramiques ferroélectriques qui sont utilisées

Figure 2.13. Diapason piézoélectrique ou module piézoélectrique

avec la fibre collée le long d'un de ses bras.

En microscopie optique en champ proche, la pointe oscille parallèlement à la surface

et lorsqu'elle s'approche de la surface, elle ressent à la fois des forces de réaction et de
dissipation d'où une diminution de l'amplitude de vibration et un déplacement de la fréquence
de résonance du diapason1 . Ce qui se passe quand la sonde est très proche de la surface de
l'échantillon est nettement différent d'une friction directe avec contact direct entre deux
solides. Donc les forces dont nous parlons ici, ne sont pas de façon évidente liées à un
mécanisme du type glissement-adhérence comme pour les frottements de contact entre deux

1
Il est important que la pointe reste rigide à la fréquence de résonance afin d'assurer un amortissement maximum
du diapason, ce qui veut dire que le collage des fibres sur les modules est une étape délicate.

47
solides. Lorsque le diapason est excité à sa fréquence de résonance, ses bras oscillent
parallèlement à l'axe X . Il est possible de déterminer à la fois les forces de cisaillement et de
friction d'après le déplacement et le changement d'amplitude [38]. Cette force pour laquelle
l'origine physique est discutée en détail dans la référence [39], est une force de rappel le long
de l'axe X du système donnée par l'équation:

∆f
Fshear ( dpointe-échantillon ) = 2k r x( d p-é ) (2.20)
f0
où
x ( dp-é ) est l'amplitude d'oscillation en fonction de la distance pointe-échantillon
f 0 fréquence de résonance du diapason quand celui-ci est très loin de l'échantillon
∆f est la variation de la fréquence de résonance par rapport à la fréquence f 0
k r est la constante de raideur des bras du diapason [17, 38] et elle est donnée par:

3
1 D
k r = EL   (2.21)
4 H

où E est le module d'élasticité de Young.

Ce que nous venons de dire étant valable pour un levier, on pourrait penser qu'il suffit
d'utiliser une seule plaquette en quartz ou en céramique comme capteur de force. En fait, si les
conditions sont exactement les mêmes, le facteur de qualité du diapason est supérieur à celui
d'une seule plaquette. Un diapason est un système de deux plaquettes couplées oscillant en
opposition. De ce fait, le centre de masse reste immobile en dépit du mouvement des bras. Par
contre, le centre de masse d'une plaquette unique oscille et ce mouvement dissipe de l'énergie
par l'intermédiaire du point d'ancrage. Les pertes dues au mouvement du centre de masse sont
importantes et réduisent le facteur de qualité Q de plusieurs ordres de grandeur. Cette source
de perte d'énergie n'existe manifestement pas pour un module bien symétrique. Ceci explique
bien pourquoi un diapason résiste bien aux vibrations extérieures. La seule possibilité de perte
reste liée au matériau du diapason et à l'émission des ondes acoustique s lorsque l'on opère
dans l'air. Si l'on ajoute une pointe sur l'un des bras du diapason, la symétrie de répartition des
masses est brisée ce qui entraîne un couplage avec le mouvement du centre de masse. En
pratique, la masse ajoutée, due à la pointe et à la colle, ne représente que quelques pour cent et
en général n'amène pas des pertes d'énergie supérieures à celles occasionnées par la viscosité
en excès de la liaison entre la pointe et le bras du diapason.
Pour avoir une grande sensibilité il a été montré que le facteur de qualité devait être
maximum, et que le système de contrôle stable permettant de réaliser des mesures très rapides
est la rétroaction de type proportionnelle intégrale [17, 18, 38].
Dans ce type d'asservissement à forces de cisaillement, la résolution latérale 1 est
limitée par l'amplitude crête à crête de vibration de la sonde qui est typiquement d'environ 10
nm, la résolution en hauteur étant de 1 nm. Notre microscope de champ proche optique
présent dans le centre NanOpTec 2 est équipé avec ce système d'asservissement. Une
description de cet appareil sera donnée dans le chapitre suivant.

1
Résolution à laquelle l'appareil est capable de suivre les détails topographiques -la rugosité d'une surface.
2
http://nanoptec.univ-lyon1.fr

48
 II.5. Application de la technique SNOM à l'étude de guides optiques.

Dans le chapitre I nous avons vu que la propagation du champ électromagnétique dans

le cœur d'une structure guidante crée dans la partie gaine un champ dont l'intensité décroît
rapidement quand on s'éloigne de la surface: c'est un champ évanescent. La Figure 2.14
illustre la présence d'un champ évanescent à la surface d'un guide. Pour la simplicité, nous
avons choisi de présenter le mode guidé comme un rayon lumineux qui subi des réflexions
totales aux interfaces.
Mais, comme nous l'avons vu jusqu'à maintenant, la technique SNOM fournit des
images de haute résolution en collectant exactement le champ évanescent présent sur la
surface de l'objet à étudier. Alors, il est judicieux de croire que la technique SNOM peut être
un outil très puissant pour la caractérisation de guides d'onde optique.

Figure 2.14. Création d'un champ évanescent par la propagation

de la lumière dans un guide d'onde optique

Le principe de l'étude des structures guidantes par la microscopie en champ proche

optique consiste à balayer la surface d'un guide d'onde optique (dans lequel un laser a été
injecté) avec une sonde SNOM à ouverture et envoyer le signal, ainsi collecté, vers un
photodétecteur.

49
50
III. TECHNIQUES EXPERIMENTALES
 III. TECHNIQUES EXPERIMENTALES

Si dans le domaine envahissant de la technologie de l'information, la

microélectronique reste la pierre angulaire, son monopole est depuis plusieurs années mis en
cause par les avancées de la micro-optoélectronique, dite aussi micro-photonique. Dans des
domaines de pointe comme la transmission et le traitement de l'information à très haut débit
(multiplexeurs-démultiplexeurs), le stockage massif et rapide à bas coût, dans des systèmes
optiques complexes (régulateur de cavité laser), l'optique occupent dès à présent un rôle très
importante.
Comme le circuit intégré en micro-électronique, le circuit photonique du futur devra
remplir les mêmes conditions: rapidité, haut rendement, assemblage facile de dispositifs de
base, ceci pour réaliser les fonctions optiques complexes 1 , pour un coût de fabrication à l'unité
tournant au dérisoire. S'y ajoute en priorité la valorisation de la capacité unique des circuits
optiques à véhiculer et à traiter simultanément de très nombreux signaux en utilisant le
multiplexage en longueur d'onde 2 . L'utilisation des matériaux photoréfractifs offrant des
fonctions telles que le doublage de fréquence, le traitement de l'image en temps réel,
l'amplification d'onde ou la conjugaison de phase, montre l'intérêt d'intégrer ces composantes
optiques dans un espace confiné.
Dès à présent, les techniques d'optique guidée permettent de réaliser des circuits
photoniques de très bonnes performances, et l'assemblage atteint des niveaux significatifs.
L'intégration de dizaines de sources laser de longueurs d'onde différentes, de modulateurs
présentant des débits de dizaines de Gbit/s, de filtres multiplexeurs et démultiplexeurs, de
convertisseurs de longueur d'onde, d'amplificateurs et de détecteurs, encore du domaine du
projet il y a dix ans est dès à présent une réalité.
Nous commençons ce chapitre par la présentation de techniques d'élaboration de
guides d'ondes dans des cristaux. Ensuite, nous présentons les techniques de préparation des
échantillons pour l'optique (découpe et polissage de haute qualité optique) et la méthode
d'excitation par la tranche des modes guidés. Une description du microscope en champ proche
optique TwinSNOM ainsi que du dispositif pour l'étude in situ en SNOM de guides optiques
sera données à la fin de ce chapitre.

III.1. Techniques de préparation des guides dans des cristaux

Ce paragraphe a pour objectif de présenter briè vement, parmi toutes les méthodes de
fabrication de guides d'onde optique rapportées dans la littérature, seulement les techniques de
fabrications de guides dans des cristaux et qui ont été utilisées pour créer des structures
guidantes dans les échantillons que nous avons étudiés in situ en SNOM. Ces techniques, bien
maîtrisées à l'heure actuelle sont: la diffusion de titane, l'échange protonique et l'implantation
ionique, les deux premières étant commercialement utilisées.

v
v La technique de diffusion de Ti dans le substrat

Cette technique consiste à introduire des éléments étrangers au substrat sous des
conditions particulières de température et de pression [40, 41]. Dans le niobate et le tantalate
de lithium plusieurs espèces d'atomes comme Mg, Ni, Zn, Fe, Co, Cr, V et Ti peuvent diffuser
produisant ainsi une variation des indices de réfraction. Le processus de diffusion se fait à

1
Génération, détection, amplification, traitement et stockage purement optiques des signaux.
2
Le fait fondamental que des porteuses optiques de diverses couleurs (fréquences) sur un même câble optique ne
se "mélangent" pas, à l'inverse des porteuses électriques à diverses fréquences.

53
haute température (850°C–1150°C) sous atmosphère inerte. En utilisant Fe, Cr, et Ti, les
indices n0 et ne augmentent tandis que l'utilisation de Ni et Zn fait varier de façon différente
n0 et ne ( n0 augmente et ne diminue).
La fabrication de guides d'onde par diffusion de titane dans le niobate de lithium a fait
l'objet de nombreuses études [42, 43, 44]. L'intérêt de la technique de diffusion des ions de
titane réside dans la facilité d'obtenir des guides d'onde de bonne qualité, avec un excellent
confinement de la lumière guidée, la large variation de l'indice de réfraction ordinaire et
extraordinaire ( ∆no < 0,02 et ∆ne < 0,04 ) pouvant donc générer aussi bien des modes TE que
TM . Le processus se déroule à des températures de 900°C à 1150°C en présence d'argon,
d'azote, d'oxygène ou d'air et pendant des durées comprises entre 0,5 et 30 heures. Les guides
réalisés de cette manière présentent un bon confinement de la lumière et de très bonnes
propriétés optiques. Un des avantages majeurs de cette technique est la possibilité de pouvoir
contrôler parfaitement les paramètres du guide: largeur, profondeur et les valeurs des
variations des indices de réfraction [43].
Le mécanisme de modification de l'indice de réfraction par diffusion de Ti a été l'objet
de plusieurs études [42, 45]. Ce changement des
indices de réfraction fortement corrélé à la
concentration de Ti [46], a été attribué par Sugii
[47] à un accroissement de la polarisabilité, ainsi
qu'à un effet photoélastique dû à la différence de
taille entre les ions de Ti et Nb. En plus des
inconvénients de la diffusion à haute
température, les guides de Ti diffusé dans le
LiNbO3 présentent des pertes par diffusion de la
lumière dues essentiellement à des contraintes de
Guide canal dans les niobates ou les tantalates dislocations induites dans le cristal [48] ainsi
par variation positive d'indice
qu'à la rugosité de la surface. Ce dernier
phénomène a été bien mis en évidence par les mesures SNOM réalisées sur ce type de guide
et présentées dans ce manuscrit.

v
v La technique d'échange de protons H+

Cette technique consiste à plonger un substrat dans une solution ce qui donne lieu à un
échange des ions entre le substrat et le solvant. Par exemple, lorsqu'un échantillon de LiNbO3
est immergé dans un sel comme AgNO3 autour de 360°C pendant plusieurs heures, il se
produit un échange entre les Ag+ et Li+ se qui conduit à une augmentation de l'indice ne avec
un profil de type saut d'indice [49]
En plaçant des plaquettes de LiNbO3 dans un acide qui constitue la source de protons,
il est possible de replacer les ions Li+ par des protons H+ [50, 51]. En utilisant l'acide
benzoïque, le processus se déroule entre 120°C et 250°C. L'indice ordinaire diminue
( ∆no ≈ −0,04 ) alors que l'indice extraordinaire augmente ( ∆ne ≈ 0.12 ). Des guides à gradient
d'indice à faibles pertes peuvent ainsi être réalisés [52]. Mais, des études récentes montrent
l'apparition de différentes phases cristallographiques Hx Li1-x NbO3 pour l'échange protonique
dans du niobate de lithium [53]. Pour éviter ce type de problème, récemment, une nouvelle
méthode a été proposée. Il s'agit de l'échange protonique à haute température (HTPE1 ) [54,
55]. Des échantillons de niobate de lithium sont immergés dans une solution d'acide stéarique
dilué avec du stéarate de lithium à une température de 370°C pendant 3-6 heures.

1
De l'anglais High Temperature Proton Exchange.

54
 v
v L'implantation ionique

Cette technique consiste à bombarder un matériau cristallisé cible avec des ions légers
(He+, H+…) à des énergies qui peuvent varier entre des centaines de keV jusqu'à quelques
MeV. Les ions pénètrent dans le substrat s'y déplacent et perdent leur énergie par des
processus de collisions nucléaires 1 et d'interactions électroniques 2 . Dans la zone d'arrêt de ces
ions, une barrière optique peut être alors induite dont l'indice est inférieur de celui du substrat.
Ainsi, une zone guidante est délimitée entre la surface du cristal et la barrière optique elle-
même [40, 41].
Si toute la surface du cristal est irradiée un guide plan est ainsi obtenu. Par l'utilisation
d'un système de masquage par fente [56] des zones verticale s en ruban de ∆n < 0 peuvent être
également créées conduisant à la formation de guides canaux, cf. Figure 3.1. Notons
cependant que dans certains matériaux biréfringents (KNbO3 , YAG, LiNbO3 ) et dans
certaines conditions d'implantation l'un de deux indices peut varier positivement, conduisant à
la formation d'un guide canal dans la zone implantée [57, 58]

(a) (b) (c)

Figure 3.1. (a) Principe de la création d'un guide d'onde plan. Un ∆n < 0 est induit dans la zone implanté.
(b) Principe de création d'un guide optique canal. Elaboration d'une barrière horizontale ( ∆n < 0 ) et de
barrières optiques verticales ( ∆n < 0 ). (c) Création d'un guide optique canal dans certains matériaux
(LiNbO3 , YAG, SBN, LiF) par implantation d'une seule zone verticale conduisant à un ∆n > 0

Des études ont montré par exemple que l'implantation de protons pouvait être utilisée
pour créer une couche suffisamment endommagée d'indices de réfraction décroissant, située
dans la région où le pouvoir d’arrêt nucléaire est maximum, soit en fin du parcours projeté des
ions implantés [59].
Souvent, les techniques ayant connu un développement important sur certains
matériaux ne sont pas transférables à d’autres matériaux. L’implantation ionique possède ce
caractère remarquable: elle permet de réaliser des guides d’ondes dans une large ga mme de
matériaux cristallins. Les propriétés optiques des guides dépendent des conditions
d’implantation. La maîtrise des paramètres, tels que l’énergie, la dose 3 d’ions implantés, la
température, permet d’optimiser les caractéristiques de ces guides, notamment de conserver
les propriétés intrinsèques du cristal hôte [52, 60]. L’intérêt majeur de cette méthode réside

1
C'est le principal mécanisme de perte d'énergie pour les ions à faible vitesse Ce sont des chocs élastiques entre
les ions incidents et les atomes de la cible qui conduisent à un déplacement de ces derniers. Lors des collisions
l'ion incident transfère une partie de son énergie à un atome de la cible.
2
C'est le phénomène prépondérant pour les ions à des grandes vitesses. L'ion pénètre dans le matériau cible est
transfère son énergie aux électrons des atomes qui sont excités ou ionisés: c'est un processus inélastique.
3
Dose = ici fluence

55
dans la facilité de contrôle de la quantité d’ions implantés et de la maîtrise de la profondeur
d’implantation, par le choix de l’énergie et de la dose des ions incidents Les implantations
sont généralement réalisées à l’aide d’un accélérateur de type Van de Graaff. Il permet
notamment d’accélérer des ions H+, He+, dans une gamme d’énergie variant de 300 keV à 2
MeV.

III.2. Polissage des échantillons.

Dans ce paragraphe nous nous proposons de présenter les différentes étapes de la

préparation des échantillons en particulier la technique de polissage: choix des produits
abrasifs et la mise au point d'un dispositif de polissage. Il s'agit d'un dispositif permettant de
polir les faces avec une bonne planéité et surtout de polir les tranches tout en préservant un
angle de 90° afin d'assurer une meilleure injection de la lumière. Cette technique a été utilisée
pour préparer tous nos échantillons mais, nous avons utilisé différents paramètres (produits
abrasifs, vitesse de polissage, poids du piston…) selon les types de matériaux (principalement
en fonction de leur dureté) sur lesquels nous avons travaillé ainsi que leur destination:
création des guides d'onde optique passifs, guides d'onde actives (phénomène photoréfractif)
ou structures de centre colorés.
Les échantillons ont été, dans un premier temps, découpés en petites plaquettes suivant
des directions parallèles aux axes cristallographiques à l'aide d'une scie à fil diamanté (Well
3214 Precis ion Diamond Wire Saw). Le fil est orienté précisément à l'aide d'un système de
mouvement micrométrique. Deuxièmement, à l'aide du dispositif présenté dans la Figure 3.2,
que nous avons spécialement conçu pendant les travaux présentés dans ce manuscrit, et de la
polisseuse (ESC 200 GT fournie par ESCIL) dont on dispose dans notre laboratoire on
procède au polissage d'abord des faces (si nécessaire) et ensuit des tranches des échantillons.
Le polissage optique est une étape très longue et délicate en particulier parce qu'elle nécessite
de travailler dans des conditions de propreté très strictes.
Pour le polissage des faces on utilise le porte-échantillon présenté dans la Figure 3.3
(a) qui serait fixé sur le piston. Si les dimensions permettent, en utilisant ce système nous
pouvons polir les faces de plusieurs échantillons à la fois (attention! le même type de
matériau). Une fois les faces polies on procède au polissage des tranches.

56
 Figure 3.2. Dispositif de polissage spécialement conçu pour le polissage des
tranches à 90° Piston et support de polissage glissière.
Cette étape est délicate car il ne faut pas arrondir les bords. A l'aide du porte-
échantillon présenté dans la Figure 3.3 (b) et travaillant avec au moins deux échantillons à la
fois, qui serviront de cale un pour l'autre, nous arrivons à polir les tranches avec des très bons
résultats: on obtient des tranches à 90° par rapport à la surface ce qui permet un couplage
maximal de la lumière dans le guide. De plus, ce système de polissage nous permet d'obtenir
un bon parallélisme entre la face (tranche) d'entrée et celle de sortie du guide. Ceci peut être
très utile dans le cas où, dans des structures guidantes, on veut mettre en évidence le
phénomène de formation des ondes stationnaires. On peut envisager aussi de créer, des guides
optiques actifs, un effet laser en déposant des couches adéquates sur les faces d'entrée et de
sortie du guide.

(a) (b)
Figure 3.3. Porte-échantillons pour le polissage des surfaces et de tranches des échantillons.

Une séance de polissage démarre toujours avec une première étape de rodage et pré-
polissage. Pour cela nous utilisons des papiers abrasifs avec la taille de grain variant entre 22
et 15µm. Cette étape ne dure que 1 à 2 minutes maximum et permet d'aplanir correctement les
surfaces des échantillons à polir. Ensuite on passe à l'étape de polissage proprement dite en
utilisant des films de polyester imprégnés avec un agent abrasif dont la taille de grain et
respectivement de 6, 3, 1, 0.5 et 0.1 µm. L'utilisation de ces produits offrent à nos
échantillons, à la fin de l'étape de polissage, une rugosité des surfaces polies d'environ 100
nm., Le polissage peut se faire, et les résultats sont les mêmes, en utilisant également des
suspensions diamantées avec une taille d'agent abrasif à partir de 10 µm jusqu'à 0,1 µm
versées sur des tissu de polissage (Metaplast V).
Une séance de polissage se termine par l'étape de super- finition dans laquelle nous utilisons
une suspension diamantée appelée NewLam-Lamplan qui agit sur les échantillons à la fois
chimique et mécanique. L'agent abrasif est constitué de policristaux de diamant, qui cassent
durant le processus arrivant a des tailles d'environ 50nm.
Tous les produits abrasifs que nous avons utilisés nous ont été fournis par la société
ESCIL. Chaque fois qu'on passe d'un plateau abrasif à un autre, on surveille l'état
d'avancement de la qualité de la surface polie en utilisant un microscope optique (Olympus)
muni d'une camera CCD et d'un écran de visualisation.
La préparation des échantillons est donc une étape primordiale et très minutieuse qui
doit se faire dans des conditions de propreté très strictes.
La technique et le dispositif de polissage que nous avons conçus et que nous avons
présentés dans ce paragraphe ont été utilisés pour préparer tous nos échantillons. Une fois les
échantillons polis on procède à la préparation des différentes structures guidantes qui seront
étudiées en champ proche optique.

57
 III.3. Excitations des guides par la tranche.

Dans cette méthode le guide est excité à l’une des ses extrémités. L’appareillage utilisé
est relativement facile à mettre en œuvre. Par contre le couplage est souvent très difficile à
réaliser. Le montage, présenté sur la Figure 3.4, comporte un laser, par exemple un He-Ne
émettant un faisceau rouge de lo ngueur d’onde 633nm, un porte-échantillon muni de 5 degrés
de libertés (3 translations et 2 rotations) sur lequel le cristal repose. Quatre types d’objectif
sont à notre disposition : *5, *10, *20, *40, l’important étant de trouver l’objectif qui permet
de coupler un maximum d’intensité lumineuse dans le guide.

Figure 3.4. Configuration expérimentale pour l'étude de guides d'ondes optiques plans ou canaux

La lumière issue du laser est focalisée par l’intermédiaire d’un premier objectif vers la face
d’entrée du guide, un second objectif en sortie donne l’image de la sortie du guide qui est
visualisée sur un écran ou plus souvent sur une camera CCD. Une lame en verre placée
suivant une certaine orientation sur le parcours du faisceau, entre le second miroir et le
premier objectif, permet à l’aide d’un écran de visualiser par réflexion la focalisation du
faisceau laser à l’entrée du guide suivant la direction du banc optique.
A la place des objectifs, en particulier celui d’injection, on peut également utiliser des
fibres optiques pour injecter la lumière dans le guide. Cet aspect sera discuté dans les
paragraphes à venir.

III.4. Le TwinSNOM dans le centre Nanoptec

La réduction en taille des matériaux fonctionnels à une échelle nanométrique nécessite

une approche expérimentale où sont intimement liés procédés d'élaboration et techniques de
caractérisation. L'analyse optique et spectroscopique utilisant le champ proche optique offre
une nouvelle approche des propriétés optiques et optoélectroniques des nanostructures comme
les agrégats, les points quantiques, les boîtes quantiques, les microcavités, les guides d'onde
optiques, les cristaux photoniques… qui est l'objectif principal de la fondation du nouveau
Centre Lyo nnais de Nano-Opto-Technologie – NanOpTec créé par un ensemble de
laboratoires1 . Le premier microscope optique en champ proche, sur lequel a été effectué ce
travail, le TwinSNOM produit par la société allemande Omicron Vacuumphysik a été installé
durant l'année 2000

1
Contrat de Plan Etat Région 2000-2006.

58
 III.5. TwinSNOM – présentation

Le TwinSNOM est conçu sur la plateforme du microscope optique classique Zeiss

Axiotech qui a été modifiée afin de permettre de monter un bras rotatif pour les sondes de
champ proche et une table piézoélectrique qui assure l'asservissement et le balayage des
échantillons. Sur la Figure 3.5 on présente une image de l'instrument dont on dispose au
centre NanOpTec.

Figure 3.5. Le TwinSNOM Omicron avec l'indication des

composantes les plus importantes

On peut reconnaître le microscope optique classique sur lequel a été ajouté: un système de
mouvement piézoélectrique (table piézoélectrique) pour assurer le balayage des échantillons,
un bras rotatif que permet de fixer et de positionner les sondes (fibres optiques effilées et
collées sur un module piézoélectrique), une camera CCD qui permet d'approcher
manuellement (dans en premier temps) la sonde de l'échantillon et bien évidement d'un
objectif de collection pour le mode SNOM en réflexion.

Le rôle du microscope optique classique est double:

v
v d'un part nous avons la possibilité d'analyser la surface d'un échantillon avec un
grand agrand issement permettant de bien localiser et positionner la sonde sur une
zone que l'on veut analyser à haute résolution SNOM.
v
v d'autre part on peut utiliser le système optique du microscope pour acheminer
tout signal optique SNOM (en réflexion ou en transmission) vers un
photodétecteur ou spectromètre.

59
 Une camera CCD permet d’observer l’échantillon et la pointe de profil. Ceci permet
de descendre rapidement, dans un premier temps, la pointe vers l’échantillon sans risque de
l’écraser. La manœuvre d’approche finale est ensuite électroniquement et automatiquement
contrôlée par le système. Cette camera peut être également utilisée pour optimiser la quantité
de lumière que l'on injecte dans la fibre SNOM, afin d'utiliser cette dernière comme
nanosource locale dans la configuration SNOM en mode réflexion.
Il y a sur ce microscope un module "transmission" utilisé lorsque l'éclairage et la collection de
la lumière se font de part et d'autre de l'échantillon, et un module "réflexion" utilisé lorsque
l'éclairage et la collection de la lumière se font du même côté de l'échantillon. Ces deux
modules, présentés dans la Figure 3.6, sont composés de lentilles et de miroirs. Pour chacun
de ces modules, on peut choisir tout d'abord d'éclairer l'échantillon par une lampe halogène
pour regarder celui-ci avec le microscope conventionnel, et ainsi déterminer la zone qui nous
intéresse pour l'étudier à haute résolution SNOM. Ensuit e ces modules peuvent être utilisés
soit pour acheminer la lumière vers un photomultiplicateur ou un spectromètre (voir Figure
4.6) soit pour éclairer en champ lointain l'échantillon.

Figure 3.6. Représentation schématique du TwinSNOM Omicron. On connecte le

spectromètre, la source et le détecteur suivant la configuration à utiliser.

Un porte-échantillon est mécaniquement fixé sur la table piézoélectriq ue présentée

dans la Figure 3.7. Celle-ci est une table de translation1 qui fournit le mouvement de
balayage 2 , pendant les mesures SNOM, de 100 × 100 ×10 µm 3 avec une résolution de
1× 1× 1 nm3 . Ce système offre une linéarité de 0,03 0 0 et une répétitivité du mouvement de
±5 × ±5 × ±1 nm 3 .
Les échantillons utilisables avec le TwinSNOM doivent respecter certaines
caractéristiques imposées par le module shear- force. Leur épaisseur ne doit pas excéder 5 mm
et leur "relief" ne doit pas présenter de pics de hauteur supérieure à 10µm.

1
Physik Instrumente P500-series.
2
Pendant une mesure la pointe SNOM oscille autour d'une position fixe, le balayage d'une zone étant assuré par
le mouvement de l'échantillon au-dessous de la pointe tout en gardant l'approche shear-force.

60
 Figure 3.7. Table piézoélectrique qui assure les déplacements
nanométriques pendant le balayage d'un échantillon.

De plus, l'échantillon, s'il est collé sur une plaquette, doit être solidement fixé à celle-ci, et la
plaque bien bloquée sur le reposoir pour éviter toutes les oscillations qui conduisent à des
mesures de topographie erronées, voir e même impossibles. Enfin, l'utilisation de la
configuration SNOM en mode collection en transmission impose aux échantillons d'être très
fins et, bien sûr transparents.
Le mouvement grossier de l'échantillon dans le plan horizontal est assuré par un
système inertiel de translation utilisant un ensemble de plaquettes piézoélectriques. Le
principe est pourtant simple, mais très astucieux: la table qui assure le mouvement grossier
(sur laquelle est monté l'échantillon) s'appuie sur des plaquettes piézoélectriques, mais ces
dernières ne sont pas fixées d'une façon rigide. Par l'incrémentation douce de la tension
appliquée sur les plaquettes piézoélectriques, la table peut bouger latéralement. Mais,
successivement les plaquettes piézoélectriques glissent (en se rétractant) sous la table car la
tension qui leur est appliquée se fait par des pulses qui ont un temps de descente très petit (de
la dizaine de microsecondes). L'inertie de la table étant assez importante fait que cette
dernière ne peut pas suivre le système piézoélectrique quand celui- ci se rétracte mais
seulement quand il se dilate. En répétant un tel cycle on obtient un mouvement grossier dans
la direction désirée, ce qui nous donne un intervalle de mouvement de 5 × 5 cm 2 dans le plan
horizontal.
Le même principe est utilisé pour le mouvement de positionnement de la fibre SNOM.
Dans ce cas, par utilisation d'une bride magnétique, la sonde peut être bougée également en
direction verticale, le mouvement total étant limité à 0,5 × 0,5 ×1 cm 3 .

Les sondes SNOM sont collées sur un diapason (module) piézoélectrique présenté
dans la Figure 3.8 , tout l'ensemble étant soutenu par une lamelle céramique qui s'attache
magnétiquement au bras rotatif qui va l'amener au dessus de l'échantillon Figure 3.9.

61
 Figure 3.8. Module piézoélectrique dédié au soutien de la sonde SNOM dans la
proximité de la surface d'un échantillon par mesure de forces de cisaillement.

Le fait que ce bras est rotatif permet de changer facilement la sonde SNOM, si nécessaire.
La collection de la lumière diffusée par un échantillon dans un fonctionnement SNOM
en mode réflexion peut se faire par des objectifs de microscope classique; la seule précaution
que l'on doit prendre est que la distance de travail de ces objectifs doit être supérieure à 12
mm afin de pas toucher la sonde SNOM. Mais le TwinSNOM est équipé d'un objectif
spécifique de collection mis au point par Omicron, Figure 3.10, ce qui le rend unique pour ce
type de configuration SNOM.

(a) (b)

Figure 3.9. Positions du bras qui porte la sonde SNOM: (a) en extérieur de la zone où
se trouve l'échantillon et (b) au-dessus de la zone contenant l'échantillon.

On remarque sur la Figure 4.10 (a) que l'angle solide sous lequel la lumière diffusée
par l'échantillon peut être recueillie est très proche de la valeur 2π sr . Ainsi presque 80 0 0 de
la lumière diffusée peut être collectée, et acheminée vers un photodétecteur ou spectromètre.

62
 (a) (b)

Figure 3.10. Objectif de collection dédié spécifique Omicron: (a) illustration

du principe de collection de la lumière et (b) matérialisation pratique.

L'appareil TwinSNOM est entièrement piloté par le logiciel SCALA NT SPM

Control, Data Acquisition and Image Procesing 1 , fourni par Omicron. Toute la partie
électronique est interfacée, ce qui fait qu'à partir du poste de travail nous avons un contrôle
total sur l'appareillage, tout changement de paramètres se faisant par l'intermédiaire d'un
ordinateur sur lequel le système d'opération requis est Windows NT ou XP. Un schéma
détaillé de l'arrangement électronique est donné dans la Figure 3.11. Les modules Générateur
Balayage X-Y et 16bit DAC permettent de choisir la superficie de la zone à balaye ainsi que la
vitesse de balayage en délivrant des tensions entre 0 ÷10 V qui ensuite seront amplifiées par
le module Amplificateur HT.

Figure 3.11. Schéma du principe de pilotage du TwinSNOM Omicron

1
http://www.omicron.de/products/control_systems_software/index.html

63
 Les tensions qui permettront le mouvement de l'échantillon dans la direction verticale
pendant le balayage 1 tout au long de l'axe Oz , sont délivrées par le module Circuit de
rétroaction. Ces tensions dépendent des signaux qui sont reçus par le module Circuit de
rétroaction en provenance du module Préamplificateur Shear-force. En fait, la pointe oscille
latéralement au-dessus de l'échantillon, et quant la distance entre les deux est suffisamment
petite, l'amplitude et la fréquence de résonance du module changent (compte tenu du
paragraphe précèdent). Ces changements sont pris en compte par le module Détecteur
d'oscillation phase et comparés avec les valeurs préréglées, la différence étant envoyée de
nouveau vers le module Circuit de rétroaction qui fera les corrections nécessaires pour garder
la distance pointe-échantillon constante.
Une télécommande est à la disposition des utilisateurs. Avec celle-ci nous pouvons
contrôler les mouvements grossiers de la pointe et de l'échantillon ce qui nous permet de
choisir la zone que l'on veut regarder à haute résolution SNOM et, dans une première étape,
d'approcher la pointe vers l'échantillon. Une fois que l'on considère imprudent d'approcher
davantage la pointe, nous pouvons démarrer, par l'intermédiaire de la télécommande, une
approche automatique. A ce moment, c'est l'électronique du système qui prend le relais et
l'échantillon se déplace verticalement de 70 nm vers la pointe. Si aucune interaction
(changement de fréquence de résonance) n'est détectée durant ce mouvement l'échantillon
reprend sa place et la pointe est déplacée verticalement de 50 nm vers l'échantillon.
L'opération se répète jusqu'à ce qu'une interaction soit détectée.

III.5.1. Réglages et ajustement des différents paramètres.

Dans ce paragraphe, sans entrer dans le détail des différentes opérations à la réalisation
d'une mesure, attachons nous à expliquer l'influence des principaux paramètres nécessaires
pour obtenir une bonne mesure en champ proche optique, en espérant que ces informations
puissent être utiles aux futur s utilisateurs du TwinSNOM.
Nous voulons commencer par présenter les réglages et les mesures préliminaires à
faire avant de commencer les mesures SNOM proprement dit [61]. Ce sont deux étapes sont à
suivre chaque fois que on commence une expérience, ou que l'on veut changer la sonde ou
l'échantillon.

v
v la première étape est, bien sûr, la fixation de l'échantillon à étudier sur le porte
échantillon. Une fois qu'il est en place on s'assure qu'il est bien fixé dans le
reposoir afin d'éliminer tout mouvement voir même oscillation qui pendant le
balayage peuvent donner du bruit sur les images acquises ou encore plus grave,
endommager la pointe.
v
v la deuxième étape est la fixation d'une sonde SNOM sur le bras rotatif du
microscope (voir Figure 3.9) et de la positionner au-dessus de l'échantillon. Ayant
une distance suffisamment grande entre la pointe et l'échantillon et à l'aide du
logiciel Scala NT, nous cherchons à déterminer la fréquence de résonance du
module piézoélectrique sur lequel une fibre effilée a été préalablement collée.

Cette fréquence de résonance sera utilisée par le module shear-force comme référence
pour pouvoir maintenir constante la distance sonde-échantillon pendant le balayage en champ
1
Dans le système TwinSNOM Omicron, pendant le balayage d'un échantillon avec une pointe SNOM ce n'est
pas la sonde qui bouge dans le plan Oxy au-dessus de l'échantillon pour recueillir les informations contenues
dans le champ proche. Ce qui se passe est exactement l'inverse, c'est-à-dire que la sonde reste fixe et c'est
l'échantillon lui-même qui bouge sous la pointe en permettant ainsi la collection de l'information par la pointe.

64
proche. En excitant le système et en enregistrant la réponse spectrale dans un domaine de
fréquence préalablement choisi, on obtiens les courbes présentées sur la Figure 3.12.

(a) (b)

Figure 3.12. (a) Spectre de la réponse du module sur lequel n'y a pas de sonde
SNOM collée, et (b) Réponse spectrale du système module + sonde SNOM.

Sur la Figure 3.12 (a) est représenté le spectre de réponse typique d'un module simple détecté
par le système de mesure shear-force. On obtient à la fois la différence de phase entre la
détection par rapport à la excitation (courbe en rouge) et l'amplitude (courbe en bleu) de
l'oscillation du diapason en fonction de la fréquence de la tension d'excitation (tension que
l'on choisie préalablement). Si une sonde SNOM (fibre effilée) est collée sur le module, la
réponse spectrale change, et on voit l'apparition dans la Figure 3.12 (b) d'un pic de résonance
à une fréquence (autour de 53 kHz) plus petite que celle du module simple (qui est autour de
65 kHz).
Maintenant, si nous regarderons de plus près quelles sont les formes des courbes autour de la
fréquence de 53 kHz nous obtenons les spectres présentés dans la Figure 3.13.

Figure 3.13. Réponse du système module + fibre en fonction de la fréquence d'excitation.

En rouge est représentée la différence de phase et en bleu l'amplitude d'excitation.

65
Comme dans les figures précédentes en bleu est présentée l'amplitude d'oscillation du système
et en rouge la différence de phase en fonction de la fréquence du signal d'excitation. Nous
prenons comme référence pour la fréquence de résonance la valeur pour laquelle la différence
de phase est nulle, ou presque. Cette valeur de la fréquence se trouve à l'intersection des deux
courbes (rouges et bleu).
Une fois l'échantillon et la sonde SNOM en place on peut essayer de balayer 1 la
surface de l'échantillon et de enregistrer des images. Il faut avant tout préciser que l'obtention
d'une bonne image 2 est bien sûr dépendante d'une bonne collection de la lumière et d'une
bonne excitation de la structure à étudier.
Le logiciel Scala NT permet de régler un grand nombre des paramètres, pour améliorer
la qualité d'une image. On peut choisir le nombre de points de mesures constituant une ligne
de balayage ainsi que le nombre de lignes constituant une image. Une valeur courante pour
ces deux paramètres est située entre 250 et 300. Cette valeur est à faire varier suivant la taille
de la zone que l'on balaie et la résolution que l'on désire obtenir, de manière à ne pas avoir une
chute de la résolution quand on passe d'une zone restreinte à une large zone de balayage 3 .
On peut entre autre, par l'intermédiaire de la fenêtre Measurements Control présentée
dans la Figure 3.14, faire varier les paramètres décrits ci-après, qui ont une influence
déterminante sur les résultats. Ce sont des paramètres qui interviennent dans la boucle de
retour de l'asservissement shear- force.

Figure 3.14. Fenêtre Measurements control du logiciel Scala NT

v
v Feedback Set est un paramètre avec lequel on peut faire varier légèrement la
distance pointe-échantillon une fois que la pointe et l'échantillon sont en
interaction par l'intermédiaire de shear-forces. Ce paramètre impose la distance
(constante) entre la pointe et l'écha ntillon pendant le balayage. Il est possible de

1
Il ne faut pas confondre "balayage" et "oscillation". Le balayage est le déplacement de l'échantillon sur une
distance déterminée pendant les mesures SNOM. Durant ce balayage, la pointe oscille ce qui permet à la fois
d'asservir la distance à l'échantillon et de fournir des données concernant la topographie par mesures des forces
de cisaillement (shear-force).
2
Le terme "une bonne image" reste toujours relatif à ce que l'on espère obtenir, à ce que l'on obtient et à la réalité
physique (interprétation d'une image).
3
Il n'est a priori pas nécessaire de prendre 300 points de mesure lorsque l'on balaie une zone de 500 nm (en
largeur) avec une pointe dont l'ouverture optique est d'environ 50 nm.

66
 déterminer très précisément la valeur voulue pour ce paramètre en traçant la
courbe "Shear-force" (Figur e 3.15) qui donne la comportement de la force
d'interaction entre la pointe et l'échantillon en fonction de la distance qui les
sépare. En choisissant un point sur la courbe, c'est-à-dire la distance de la pointe à
l'échantillon que l'on désire, on détermine automatiquement le paramètre
Feedback Set à utiliser.

v
v Loop Gain (I) indique le gain intégrateur de la boucle de retour de
l'asservissement Il peut être varié entre 0 et 100 0 0 ; la valeur initiale
recommandée est de 1 0 0 Il faut savoir qu'une petite valeur de ce gain donne des
réponses assez lentes de la part du circuit d'asservissement pointe-échantillon.

v
v Loop Gain (P) ajoute un gain proportionnel linéaire à la boucle de retour. Celui-ci
peut être utilisé ou non, l'incidence de ce paramètre étant peu perceptible sur la
qualité des images.

v
v Scan Speed est la vitesse de balayage. Il est préférable de la choisir faible même
si cela augmente considérablement le temps nécessaire à l'obtention d'une image,
car cela permet d'accroître de manière très significative la résolution.

v
v dans la partie droite de la fenêtre Measurements Control, il est possible de choisir
la zone (taille et position dans un carré de 100 ×100 µm 2 ) que doit balayer la
pointe, soit en rentrant manuellement les valeurs, soit en choisissant directement
avec la souris sur l'image précédente une partie intéressante, soit en utilisant les
barres de défilement. La zone maximale d'observation (amplitude de balayage)
est de 100 ×100 µm 2 . On peut également faire pivoter la zone à balayer, ce qui
permet par exemple de réaliser un bala yage tourné à 90° par rapport au précèdent.
Cette fonction s'avère très utile pour l'étude des guides d'ondes optiques.

Figure 3.15. Différence de phase en fonction de la distance pointe-échantillon quand la

sonde s'approche de la surface de l'échantillon (courbe en rouge) et quand la
sonde s'éloigne de la surface (courbe en bleu).

La liste des différents paramètres que on vient de présenter est bien sûr non
exhaustive, mais ces informations devraient être utiles aux futurs utilisateurs du TwinSNOM.

67
 III.6. Le dispositif d'étude des guides par SNOM

Dans ce paragraphe nous présentons les modifications qui ont été faites sur la
plateforme standard du TwinSNOM Omicron afin de rendre la technique SNOM et l'appareil
lui- même disponible pour des mesures in situ de champ proche optique sur des différentes
guides d'ondes optiques.
Ces modifications ont été nécessaires en sachant que pendant les mesures SNOM, la
sonde (fibre optique effilée) oscille autour d'une position fixe au-dessus de l'échantillon, et
c'est l'échantillon qui exécutera un mouvement aller-retour au-dessous de la pointe SNOM
pour assurer le balayage d'une zone définie par l'expérimentateur.
Le fait que l'échantillon ne reste pas dans une position fixe, pendant les mesures
SNOM, rend inutilisable tout dispositif d'injection de la lumière dans des guides d'ondes si
celui-ci n'est pas solidaire à la platine piézoélectrique qui assure le mouvement de
l'échantillon. Si le dispositif d'injection ne suit pas le mouvement de l'échantillon, pendant une
mesure SNOM les conditions d'injections de la lumière varient 1 ce qui implique une variation
de l'intensité et de la répartition du champ électromagnétique en surface du guide d'onde à
étudier. Alors il a fallu concevoir un dispositif qui nous permet à la fois, d'injecter la lumière
dans un guide d'onde et d'être solidaire avec la platine piézoélectrique afin de garder les
conditions de couplage constantes durant le balayage. En collaboration avec la société
Omicron un système piézoélectrique de couplage de la lumière par fibre optique a été mis au
point. Il s'agit d'un system piézoélectrique permettant un mouvement selon les trois axes avec
une précision nanométrique. Le principe de fonctionnement de ce système, que l'on voit dans
la Figure 3.16 (a) est le même que ce utilisé pour le mouvement grossier de l'échantillon (voir
paragraphe III.5); il s'agit d'un système inertiel de translation piézoélectrique. Dans la Figure
3.16 (b) est représenté un module piézoélectrique qui assure un mouvement dans une
direction donnée. Une combinaison de trois modules permet d'avoir une liberté de mouvement
de 5 × 5 × 5 µm3 avec des pas qui peuvent être variés continuement entre 40 et 400 nm. Les
drivers électroniques délivrant les pulses de tensions nécessaires au mouvement
piézoélectrique ont été réalisés dans notre laboratoire et présentent l'avantage de pouvoir
contrôler individuellement le mouvement de chacun de trois modules.

(a) (b)
Figure 3.16. (a) Image d'ensemble du système piézoélectrique x/y/z de couplage de la lumière par fibre
optique dans un guide d'onde, (b) Module piézoélectrique qui permet un mouvement
dans une direction donnée avec une précision nanométrique.

En fixant ce système sur la table piézoélectrique (présentée dans la Figure 3.7 et qui
assure le mouvement permettant de balayer une zone bien déterminée sur l'échantillon) nous
1
Voir même une perte de l'injection lors des balayages avec des amplitudes de mouvement assez importantes
(une dizaine de µm)

68
pouvons injecter la lumière dans un guide dans des conditions qui seront gardées les mêmes
durant l'investigation en champ proche du champ électromagnétique présent à la surface du
guide.
Le système d'injection in situ sur le TwinSNOM est présenté dans la Figure 3.17 où on
peut distinguer la fibre de couplage de la lumière en provenance d'une source laser,
l'échantillon et, au-dessus de celui-ci, la sonde SNOM (fibre optique effilée).

Figure 3.17. Injection par fibre optique de la lumière dans un guide d'onde
en utilisant un système de positionnement piézoélectrique.

Dans nos expériences sur les guides d'ondes optiques ce système d'injection a joué un
rôle très important.

Dans al Figure 3.18. nous présentons un exemple de configuration pour 'létude de

guides d'onde en utilisant la technique SNOM.

Figure 3.18. Dispositif expérimental utilisé pour l'étude de la propagation

d'un champ électromagnétique dans des structures guidantes.

69
 L’appareillage utilisé est relativement facile à mettre en œuvre, par contre l'obtention
des image optique SNOM est souvent très difficile à réaliser. Les difficultés rencontrées et les
paramètres intervenant sur la qualité des images optique SNOM seront discutés lors de la
présentation de résultats obtenus sur différents guides d'ondes.

III.7. Conclusion

La microscopie optique en champ proche, s'inscrit dans le cadre plus général des
microscopies à sonde locale dont l'amplitude de la grandeur physique détectée décroît
fortement quand la sonde s'éloigne de l' échantillon. Cela assure un excellent pouvoir de
résolution à ce type de microscopie. En particulier, cela permet d'échapper au critère de
Rayleigh, lié, lui, à la propagation, et de percevoir des détails de dimension bien inférieure à
la longueur d'onde du rayonnement utilisé. L'image possède donc une très haute résolution,
car la détection s'effectue très près du lieu d'émission, et c'est la taille utile de la sonde locale
qui fixe la résolution. L' image peut ainsi révéler une topographie de la surface et une
cartographie du champ électromagnétique présent sur cette surface.

70
IV ETUDE DES GUIDES OPTIQUES PASSIFS DANS
LiNbO3 ET LiTaO3
 IV ETUDE DES GUIDES OPTIQUES PASSIFS DANS LiNbO3 ET LiTaO3

IV.1. Introduction

Guider de la lumière, tel que l'on avait vu dans le deuxième chapitre, c'est la faire
propager dans un milieu transparent, dans un cœur entouré d'un autre milieu d'indice plus
faible, la gaine. En pratique, quand les matériaux, les indices et la géométrie sont optimisés, la
lumière peut se propager sans pertes (au moins avec très peu), des centaines de kilomètres, par
exemple dans les fibres monomodes. Dans d'autres structures guidantes, il est possible de
réaliser des fonctions optiques à la fois variées et complexes: émission, détection, atténuation,
gain, modulation, filtrage en longueur d'onde, interférométrie, multiplexage, démultiplexage,
toutes opérationnelles et commercialement établies. Cette course à la performance et au
progrès technologique soulève deux problèmes majeurs: déterminer le mode qui se propage et
comment il se propage. La microscopie en champ proche optique peut apporter des réponses.
Pour l'analyse du mode, on peut réaliser simplement sur une section du guide une carte
d'intensité du mode en onde propagatrice. On peut non seulement visualiser des cartes de
modes avec une résolution atteignant λ /10 , (résolution dont on a réellement besoin étant
données les faibles tailles de mode), mais aussi savoir avec la même précision où se place le
mode dans le guide, puisqu'on dispose en général d'une image topographique simultanée.
Cette localisation est une information cruciale et les premières mesures de ce type, apparues il
y a une dizaine d'années, portaient sur des mesures en champ proche optique de l'émission de
différents types de diodes laser.
La technique SNOM a été utilisée pour réaliser la cartographie de profil de mode sur
le bord de diodes laser au dessus et en dessous du seuil d'émission [62, 63, 64] et sur des
structures VCSEL1 [65, 66, 67]. Elle a été également employée pour des mesures
quantitatives sur la divergence du faisceau en espace libre [68] ainsi que pour la
caractérisation de l'émission spontanée dans le structures VCSEL [69].
D'autres composants importants en optique intégrée sont bien évidemment les guides
d'onde diélectriques tels que les fibres optiques et les guides (plans ou canaux) créés dans des
différents matériaux. La connaissance de leur structure d'indice, du profil du (ou des) mode
guidé, et des pertes optiques, est nécessaire pour l'amélioration des performances des
systèmes optiques. Bien que des composants comme les guides optique canaux ou les fibres à
saut d'indice, soient des structures simples, leurs propriétés physiques sont difficiles à obtenir
d'une manière directe du fait de leurs petites dimensions. La caractérisation de ces structures
repose souvent sur des simulations et des mesures faites sur les matériaux massifs. De plus,
les modes guidés à l'intérieur d'un guide d'onde sont en général inaccessibles à la
caractérisation directe. Les mesures de transmission et de réflexion réalisées en champ
lointain peuvent nous donner d'une manière indirecte la distribution de l'intensité optique dans
des structures guidantes. Mais, il est clair que la mesure directe des modes qui se propagent
dans un guide est plus intéressante. C'est là où la technique SNOM peut apporter une
contribution essentielle à l'étude des dispositifs d'optique intégrée. Le champ proche optique
peut apporter une meilleure compréhension des phénomènes complexes qui agissent, par
exemple, dans des microcavités, des réseaux de Bragg, et dans des dispositifs de
multiplexage-démultiplexage en longueur d'onde.
La caractéristique la plus importante d'une fibre optique est par exemple, le diamètre
du mode MFD2 de la distribution de la lumière dans le cœur et dans la gaine. Les technique s
standard de champ lointain peuvent mesurer le MFD avec une bonne précision pour des

1
De l'anglais Vertical Cavity Surface Emitting Laser diode.
2
De l'anglais Mode-Field Diameter: définie la dimension de la distribution de la puissance. Paramètre important
pour la compréhension des pertes de couplage ou découplage de la lumière.

73
guides avec une symétrie circulaire parfaite, mais c'est plus difficile quand la distribution de
champ n'est pas symétrique, par exemple dans les fibres à maintien de polarisation et dans les
guides d'onde avec une géométrie rectangulaire ou avec des revêtements supérieurs et
inférieurs de nature différente. La technique SNOM a été utilisée avec succès pour réaliser
une cartographie du profil du mode guidé (cf. paragraphe II.5) en sortie d'une fibre
monomode [70, 71], une fibre avec un coeur elliptique [72], et un guide d'onde canal avec une
géométrie rectangulaire [73].
Mais une des plus importantes et intéressantes applications de la microscopie en
champ proche optique est l'utilisation de la pointe SNOM pour cartographier la partie
évanescente d'une onde guidée, cette carte reflétant directement la distribution de l'intensité
optique dans les structures guidantes. Choo et al. [74, 75] sont les premiers à avoir démontrer
l'utilité de la technique SNOM en rapportant une cartographie de l'intensité du champ
évanescent au-dessus d'un coupleur directionnel. De plus, la décroissance exponentielle de
l'intensité du champ évanescent au-dessus du guide, quand la distance entre la pointe SNOM
et l'échantillon augmente, peut nous conduire à déterminer l'indice effectif du mode guidé
[76]. Des études récentes sur des guides d'ondes optiques ont été menées dans une
configuration SNOM avec une sonde sans ouverture [77].
Une méthode qui consiste à moduler la distance sonde-échantillon a été proposée par Tsai et
al. Cette méthode permet également de mesurer la décroissance exponentielle du champ
évanescent et donc de l'indice effectif du mode guidé [78].
Bourzeix et al. ont rapporté les premières observations en champ proche optique de
l'effet Tien [79] qui est un compromis entre la convergence du faisceau due au gradient
d'indice dans le guide et la divergence due à la diffraction [80].
De plus, l'apparition des ondes stationnaires dues à des réflexions sur le deux faces
(entrée et sortie) dans un guide canal droit ont été observé en utilisant une configuration
SNOM. En mesurant la période des ondes stationnaires et sachant la longueur d'onde de
travail, on peut déterminer avec une bonne précision l'indice de réfraction effectif. Utilisant ce
résultat et la forme transversale du mode guide, Vander Rhodes et al. ont montré que tous les
composants des vecteurs d'onde peuvent être obtenus [76].
La question qui est soulevée dans l'étude des guides d'ondes optiques par microscopie
en champ proche est: jusqu'à quel point la présence de la sonde SNOM perturbe le mode
guidé? Pour réaliser une cartographie du champ évanescent créé par le mode qui se propage
dans un guide il est nécessaire qu'une partie du champ évanescent soit convertie par la pointe
en champ propagatif et couplée comme mode guidé dans la fibre SNOM. Par conséquent, la
sonde SNOM agit comme un défaut (centre de diffusion) à la surface du guide. De plus, la
couche de métal qui recouvre la pointe SNOM ajoute des conditions aux limites
supplémentaires qui peuvent aussi modifier la structure des modes qui se propagent dans le
guide. Goldberg et al. [81] ont montré, par des mesures sur des cavités résonantes en forme
d'anneau, que la fréquence de résonance de ces structures est peu perturbée par la présence de
la sonde SNOM utilisée. Ils ont mesuré également la puissance en sortie d'un guide canal avec
et sans la pointe SNOM au-dessus du guide. Quand la pointe SNOM collecte et envoie vers le
détecteur le maximum du signal, la puissance en sortie du guide diminue de 1 0 0 . Cependant,
l'effet exacte de la pointe SNOM sur le profil du mode guidé reste encore peu connu. Des
calculs numériques sur l'influence de la pointe lors de mesures de champ proche sur des
cristaux photoniques montrent aussi que la présence de la sonde SNOM a des effets minimes
sur la structure des bandes du cristal photonique [82]. Néanmoins, en toute rigueur il faudrait
prendre en compte la présence de la sonde SNOM dans des simulations numériques sur des
expériences de champ proche optique.
Toutes les expériences citées ci-dessus détectent des variations de l'intensité dans le
champ proche optique des différentes structures. Récemment, des mesures directes de la

74
phase du champ électromagnétique ont été realisées en incorporant le système de mesure
SNOM dans un bras d'un interféromètre Mach-Zehnder [83]. Avec un tel système la phase et
l'amplitude du champ électromagnétique de l'onde guidée peuvent être obtenues. Des
singularités de phase ±1 ont été imagées dans un guide d'onde [84].

Nous allons appliquer, dans un premier temps, la technique SNOM à la visualisation

in situ de la propagation passive de la lumière dans des guides d'ondes canaux, créés dans des
cristaux de LiNbO3 et LiTaO 3 , avant de étudier ensuite la propagation active dans des guides
créés dans le SBN (strontium baryum niobate) et dans le LiF (fluorure de lithium)
Dans ce chapitre nous présentons donc les études réalisées sur différents guides
d'ondes canaux dans du LiNbO3 et LiTaO 3 en utilisant la microscopie en champ proche
optique. Les guides ont été créés en utilisant les trois techniques présentées dans le paragraphe
III.1.

IV.2. Les matériaux LiNbO3 et LiTaO3 et leurs propriétés essentielles

v
v Quelques applications

Le niobate de lithium et le tantalate de lithium (respectivement LiNbO3 et LiTaO 3 )

sont des matériaux électro-optiques très intéressants, qui actuellement, en dehors des semi-
conducteurs, sont les seuls matériaux cristallisés utilisés dans des dispositifs d'optique
intégrée.
Vu leurs propriétés, les applications envisagées avec ces matériaux sont nombreuses.
Les mémoires photoréfractives font l'objet de nombreux efforts et le Fe:LiNbO3 constitue un
matériau de référence. L'arrivée à maturité des méthodes de retournement périodique de la
polarisation spontanée dans le LiNbO3 donne d'ores et déjà de bons résultats en génération de
seconde harmonique et promet l'extension de la technique du quasi-accord de phase à d'autres
fonctions non- linéaires [85]. Enfin les détecteurs pyro-électriques, les filtres à ondes
acoustiques de surface et les modulateurs acousto- et électro-optiques réalisés à partir de
niobate de lithium sont autant de composants désormais répandus.
Dans le domaine de l'optique intégrée, le débouché principal des substrat de niobate et
tantalate de lithium est aujourd'hui celui des transmissions optiques [86]. Les composantes
fabriqués se prêtent en effet assez bien aux connections avec des fibres monomodes standards
et leurs propriétés électro-optiques répondent de plus aux besoins gourmands en bande
passante du marché. On peut citer l'exemple des modulateurs d'intensité couramment utilisés
sur les lignes à haut débit jusqu'à plusieurs GHz ainsi que les dispositifs acousto-optiques ou
les systèmes à solitons temporel en cours de développement [87].

v
v Quelques propriétés structurales

La structure cristalline ainsi que les propriétés du niobate de lithium (LiNbO3 ) et du

tantalate de lithium (LiTaO 3 ) ont fait l'objet de nombreuses investigations [88, 89]. A
condition d'accepter un léger écart à la composition stoechiométrique (Li0.5Nb0.5)2 O3 , on sait
fabriquer ce matériau avec une très bonne homogénéité 1 . Le tirage à partir d'un bain
congruent garantit entre outre une bonne reproductibilité des propriétés d'une boule à l'autre.
Cependant, depuis peu de temps des mono cristaux stoechiométriques commencent à être
également disponibles. Quelques caractéristiques des cristaux de LiNbO3 et LiTaO 3

1
Nous portons notre discussion en donnant le niobate de lithium comme exemple en sachant que le tantalate de
lithium est très proche de celui-ci comme structure cristalline et propriétés optiques. D'ailleurs, dans le Tableau
4.1. sont marqués les valeurs des différents paramètres pour chacun d'entre eux.

75
congruents que nous discuterons ci-après sont regroupées dans le Tableau 4.1. En dehors
d'analyses par diffraction des rayons X, la mesure de température de Curie TC , sensible aux
écarts de composition, est aussi un indicateur de qualité. On rappelle ainsi qu'au dessus de TC
(appelée aussi température de transition), les atomes de lithium reviennent dans une position
symétrique par rapport aux plans des atomes d'oxygène. C'est la phase paraélectrique
caractérisée par une polarisation diélectrique spontanée nulle. A température ambiante les
deux matériaux sont au contraire dans une phase ferroélectrique orientée, la ferroélectricité du
LiNbO3 fut découverte en 1949 dans le laboratoire Bell Telephone [90]

Propriétés LiNbO3 LiTaO3

Système de symétrie Trigonal Trigonal

Groupe d'espace R3C R3C

Composition (0 /0 LiO2 ) 48,45 48,5

Paramètre s de mailles (Å) a = 5,148 , c = 13,863 a = 5,154 , c = 13,781

Densité (g/cm3 ) 4,64 7,46

Point de fusion (°C) 1253 1650

Température de Curie TC (°C) 1140 607

Domaine de transparence (µm) 0,42-5,2 0,4-4,5

Indices de réfraction (à 25°C et no =2,286 no =2,176
λ=632,8 nm) ne=2,203 ne=2,180
Résistivité (O´cm) 5´10-8 (à 400°C) 1013 (20°C)

Dureté (échelle Mohs) 5 5,5

Tableau 4.1. Quelques propriétés physiques 1 de LiNbO3 et LiTaO3

Les échantillons destiné s à l'optique sont donc non seulement monocristallins mais
également monodomaines vis à vis de la polarisation spontanée.
Un bref examen des indices de réfraction qui vont de concert avec une large fenêtre de
transparence souligne encore l'intérêt de ces matériaux.
Du point de vue des propriétés mécaniques, les plaquettes de niobate ou tantalate de
lithium d'environ 1mm d'épaisseur et de quelques cm2 à quelques dizaines de cm2 de surface
typiquement utilisées en optique intégrée sont suffisamment peu fragiles pour les manipuler
comme des lames de microscopie, que ce soit au cours des opérations de nettoyage, de
fabrication de structures guidantes ou le recuit à haute température. Mais, le fait que ces
échantillons ont les faces et les tranches polies afin de permettre l'injection et le guidage de la
lumière dans des structures guidantes, la manipulation de ces types d'échantillons doit se faire
avec beaucoup de soin. En fait, la moindre rayure sur la surface peut nuire au guidage de la
lumière (pertes très importantes) comme une petite cassure au niveau des tranches peut
empêcher l'injection de la lumière dans le guide.

1
http://www.castech.com/doce/products.htm

76
Le tantalate et le niobate de lithium sont en outre assez faciles à polir, mais cette étape que
l'on a traitée dans le paragraphe III.2 reste, comme on l'avait vu, assez délicate.
Après avoir décrit d'une manière non exhaustive les propriétés du niobate et du
tantalate de lithium et de la préparation des substrats pour l'optique guidée, on s'intéresse dans
ce paragraphe à la réalisation des guides d'ondes. Dans une première partie, quelques rappels
sur les méthodes de guidage éprouvées en optique intégrée sur LiNbO3 et LiTaO 3 permettent
de dégager la technologie la plus appropriée pour s'affranchir des effe ts indésirables (pertes).

v
v Indices de réfraction, biréfringence et guidage optique

Le niobate de lithium et le tantalate de titana te possédant une polarisation spontanée,

sont optiquement anisotropes 1 et on remarque que LiNbO3 est un matériau uniaxe négatif
tandis que LiTaO 3 est uniaxe positif (voir Annexe 5). Les indices ordinaires et extraordinaires
varient avec la longueur d'onde mais l'écart entre l'indice ordina ire et extraordinaire varie peu
dans le domaine visible-proche infrarouge.
Les modes des guides réalisées dans du LiNbO3 et LiTaO 3 sont dus à de faibles
variations d'indice. Rappelons que selon la méthode d'élaboration des guides, et de l'indice
(ordinaire ou extraordinaire) les variations peuvent être positives ou négatives (cf. III.1) [53,
54, 55]. La principale spécificité d'un tel guidage, dit à faible ∆n puisque la variation d'indice
en question dépasse rarement 10-2 , est la simplification du problème vectoriel en une équation
de propagation scalaire. Les solutions orthogonales correspondent alors aux deux états de
polarisation possible du champ incident. On définit de cette façon les modes TE (transverse
électrique) les modes pour lesquelles les composantes Ey et H x sont dominantes, et les
modes TM (transverse magnétique) les modes pour lesquelles les composantes dominants
sont Ex et H y . Pour les structures à faible s gradients d'indice [91] la composante
longitudinale des champs n'est pas nulle, mais de l'ordre de ∆n / n fois les projections
transverses. On peut donc la négliger et déduire l'existence de modes quasi- TE et quasi- TM.
En pratique, on retient que le faible ∆n est suffisant pour assurer la réflexion totale au
sein du guide et laisse toutefois le milieu homogène du point de vue des effets liés à la
polarisation.
Du point de vue quantitatif, même après les simplifications ci-dessus, il n'y a pas de
solution analytique exacte au problème de propagation d'une structure à deux dimensions.
Diverses techniques de calcul ont donc été développées afin de modéliser les caractéristiques
du mode propagé à partir du profil d'indice réel dans une section du guide [92]. La méthode
des indices effectifs (voir paragraphe I.6) est en particulier souvent choisie pour établir des
abaques des paramètres de fabrication des guides décrits plus loin et prévoir avec une
précision raisonnable la dimension et la longueur d'onde de coupure des modes guidés [93].

1
Un milieu homogène est dit "anisotrope" quand certaines de ses propriétés vectorielles ne sont pas les mêmes
dans les diverses directions qui rayonnent autour d'un point.

77
 IV.3. Techniques expéri mentales

Pour exciter les modes guidés in situ dans une configuration de champ proche optique,
nous avons utilisé l'arrangement expérimental, présenté dans le paragraphe III.6, et repris ici
dans la Figure 4.1 et sur lequel nous revenons pour donner des explications complémentaires.
Mentionnons que cet arrangement est réalisé dans une salle climatisée 1 sur une table
antivibratoire (Melles Griot Pump & Go Passive Vibration Isolators) avec une fréquence de
coupure f < 3,5 Hz pour éliminer toute vibration mécanique qui pourrait nuire au système
d'asservissement shear-force, en l'occurrence aux mesures topographiques.

Figure 4.1. Dispositif expérimental utilisé pour cartographier

le champ évanescent en surface d'un guide d'onde optique.

Pour exciter les modes guidés on utilise comme source un laser He-Ne (Melles Griot)
qui émet un faisceau polarisé rectilignement avec une puissance P = 10 mW . Le faisceau
laser (λ = 632,8 nm ) est injecté dans une fibre optique à maintien de polarisation via un
système de couplage utilisant un objectif de microscope. En sortie de cette fibre, la puissance
et la polarisation de la lumière peuvent être contrôlées en utilisant respectivement, un filtre
neutre (roue de densité variable) et une lame demi-onde. Dans nos expériences, la puissance
en sortie de la fibre de couplage peut varier entre 7mW et une dizaine de microwatts. En
utilisant le système piézoélectrique de couplage (présenté en détail dans le paragraphe III.6) la
sortie de la fibre est amenée et maintenue en face de l'entrée d'un guide optique. Pour s'assurer
que le couplage se réalise dans les meilleur es conditions la sortie du guide est visualisée en
utilisant un prisme qui renvoie la lumière de sortie vers une camera CCD (Hamamatsu Hight
Performance Vidicon Camera C2741) comme on montre dans la Figure 4.2. Ainsi, nous avons
la possibilité de visualiser sur un moniteur le mode guidé en sortie de l'échantillon, ce qui
permet de bien aligner la fibre par rapport à l'entrée du guide et d'avoir un maximum de signal
en sortie de celui-ci.

1
Pour éliminer les variations de température qui peuvent donner des artefacts sur les images SNOM, ou voir
même un fonctionnement anormal du système électronique de pilotage et acquisition des données dû à des
variations d'impédance électrique.

78
 Figure 4.2. Principe de vérification de la qualité du
couplage de la lumière par fibre optique.

Une fois le couplage, de la lumière dans la structure guidante, réalisé dans les conditions
désirées on élimine le prisme et on positionne la sonde SNOM au-dessus du guide.
La configuration SNOM utilisée est celle en mode collection en champ proche avec
une fibre optique métallisée. Le signal capté en champ évanescent est envoyé vers un
photodétecteur (Hamamatsu H7710-02) (PM dans la Figure 4.1) relié a l'électronique
d'acquisition. L'asservissement de type shear-force, nous permet une acquisition simultanée
d'une image topographique et une image optique de la surface balayée. Rappelons que la
détection de type shear-force permet d'avoir une image topographique avec une résolution
latérale de 10 nm et en hauteur de 1 nm. La résolution optique dépend toujours de la
distance pointe-échantillon et du diamètre l'ouverture de la pointe SNOM, mais elle reste en
général inférieure à 100 nm.

Pour créer des guides d'onde canaux dans le LiNbO3 les trois techniques, présentées
dans le paragraphe III.1, ont été utilisées. Il s'agit de la technique de diffusion du titane et
d'échange protonique à travers un masque et de l'implantation ionique en utilisant un
dispositif de masquage par fente.
Ainsi, un ensemble de guides canaux d'un centimètre de long et de largeur variable
entre 5 et 15 µm, a été réalisé dans des échantillons de niobate de lithium taillés et polis
optiquement. Les guides optiques créés par diffusion de Ti et par échange protonique nous ont
été fournis par S. Kostritskii (MPTE Department, Moscow Institute of Electronic Technology,
Russia). Les guides créés par implantation ionique ont été fabriqués au laboratoire.

IV.4. Guides optiques créés par diffusion de Ti dans le LiNbO3

Un ensemble de guides canaux ont été créés dans des plaquette "coupe-X"
( 10 × 10 × 0,5 mm ) de LiNbO3 par diffusion de titane dopé ensuite avec du cuivre à l'aide d'un
processus d'échange protonique. La variation d'indice extraordinaire dans la zone guidante est
de ∆ne = +0.008 par rapport au matériau massif. La direction de propagation de la lumière
dans les guides a été choisie suivant l'axe Y du cristal. Les modes TE sont excités en
choisissant le plan de vibration du champ électrique à l'entrée du guide parallèle à l'axe Z du

79
cristal. La polarisation de la lumière en sortie de la fibre de couplage est préalablement
vérifiée en utilisant un polariseur. La lame demi-onde positionnée à l'entrée de cette fibre
permet de tourner le plan de vibration du champ électrique en sortie de celle-ci. La puissance
en sortie a été réglée à 3 mW. Il faut préciser que pour une fibre de couplage donnée, nous
avons calibré le filtre neutre de densité variable de telle manière que l'on sache pour chaque
positon du vernier quelle est la puissance en sortie de la fibre. Egalement pour la lame demi-
onde une calibration a été faite afin de nous permettre de modifier la polarisation sans avoir
besoin de vérifier celle-ci à chaque fois. Ces calibrations nous permettent de modifier les
conditions d'injection dans le guide 1 même pendant les mesures SNOM sans modifier ni les
paramètres géométriques 2 du couplage de la lumière dans le guide ni les paramètres de
balayage 3 avec la pointe SNOM (cf. II.4.2).
Les toutes premières images en champ proche optique que nous avons obtenues en
utilisant comme sonde une fibre optique effilée et métallisée (Nanonics) sur les guides canaux
de LiNbO3 diffusés Ti sont présentées dans la Figure 4.3 pour un guide de largeur de 10 µm.
L'image (a) représente ce qui nous appelons l'image topographique en différence de phase, car
cette image est reconstituée à partir de la différence de phase entre les oscillations 4 de la
pointe SNOM (cf. III.5.1).

(a) (b) (c)

Figure 4.3. Images topographiques et image optique SNOM simultanément obtenues sur guide canal créé par
diffusion de titane dans le niobate de lithium. (a) image topographique en différence de phase, (b) image
topographique à distance constante et (c) image optique SNOM. La zone balayée est de 25 × 90 µm2

Les signaux électriques en provenance du module piézoélectrique sont

automatiquement convertis en image par le système de détection et pilotage. L'image (b) est
obtenue simultanément avec la précédente et elle représente l'image topographique à distance
1
Polarisation et puissance du faisceau.
2
Position de la fibre de couplage par rapport à l'entrée du guide.
3
Distance pointe-échantillon par exemple.
4
Différence de phase entre l'oscillation de la pointe quand elle se trouve loin de l'échantillon et quand elle se
trouve dans le champ proche de celui-ci.

80
constante 1 . En fait, le système de control électronique enregistre les mouvements en direction
verticale de la sonde SNOM pendant le balayage au-dessus du guide, or ces mouvements sont
dictés par la topographie de la surface de l'échantillon. Le fait que la sonde SNOM est une
fibre optique effilée et métallisée avec une ouverture d'environ 100 nm, lors du balayage de la
surface du guide, une partie du champ évanescent y présent est transformé en champ
propagatif qui, à travers la fibre SNOM arrivera sur le détecteur. De cette manière on obtient
simultanément deux informations: une sur la topographie et la rugosité de la surface du guide
et l'autre est la carte du champ évanescent présent en surface. Mais cette cartographie du
champ n'est qu' une manifestation en surface de la distribution du champ électromagnétique à
l'intérieur du guide. Donc, l'image optique en champ proche obtenue sur une structure
guidante nous renseigne directement sur la distribution des modes guidés dans celle-ci.
En revenant sur l'interprétation de nos images la première remarque à faire est que le
processus de diffusion de titane a généré beaucoup de défauts sur la surface du guide. Ceux-ci
sont bien visibles sur les images topographiques (a) et (b) Figure 4.3. Une ligne de profil
longitudinal présentée sur la Figure 4.4, trait bleu sur l'image topographique (b) Figure 4.3,
montre une rugosité de surface avec des variations d'hauteur d'environ 50 nm.

Figure 4.4. Ligne de profil obtenue au long du

guide canal imagé sur la Figure 4.3 (b)

Ce qui veut dire que cette structure est loin d'être parfaite et que les pertes par diffusion de la
lumière doivent être très importantes. Ce fait est confirmé par l'image optique SNOM
présentée sur la Figure 4.3 (c). On voit clairement que des points lumineux sur cette image
correspondent sur les images topographiques à des irrégularités de surface induites par la
technique de diffusion de Ti. On peut conclure que ce phénomène sera alors le principal
mécanisme de pertes sur ces guides.
Pour confirme r cela, nous avons choisi un autre guide canal parmi ceux créés sur cet
échantillon, cette fois-ci en prenant un avec une largeur de 5 µm. Un balayage de sa surface
donne les images présentées sur la Figure 4.5. Là encore, tout au long du guide des
irrégularités existent, confirmant ainsi les observations faites sur le guide de plus grandes
dimensions. Les images topographiques (a) et (b) sur la Figure 4.5 montrent bien l'apparition
de cette rugosité de surface mais aussi l'apparition d'une dilatation du cristal de chaque côté de
la zone guidante. Cette dilatation est bien visible sur la Figure 4.6 où nous présentons une
ligne de profil transverse prise sur l'image (b) (trait bleu) de la Figure 4.5. Cette ligne de profil
montre une topographie de surface d'environ 50 nm dans la partie centrale (zone supposée être
guidante) accompagnée de chaque côté d'une dilatation du cristal d'environ 20 nm. La partie
guidante présente sur sa surface une rugosité de 5-10 nm.

1
L'asservissement shear-force garde la distance pointe-échantillon constante, donc si la surface balayée présente
une rugosité la pointe suit celle -ci en raison d'une distance pointe-échantillon constante.

81
 (a) (b) (c)
Figure 4.5. Image topographique en différence de phase (a) image topographique à distance constante (b)
et image otique SNOM (c) obtenues sur un guide canal de largeur de 10 µm créé dans le
LiNbO3 par diffusion de titane. La zone balayée est de 25 × 90 µm 2 .

Figure 4.6. Profil topographique pris sur l l'image (b) de la Figure 4.5 (trait bleu).
Il est bien visible la dilatation du cristal dans la zone diffusée Ti.

La représentation tridimensionnelle de l'image (a) de la Figure 4.5 donnée sur la

Figure 4.7. (a). illustre bien le fait que la technique de diffusion de titane utilisée a entraîné
une dilatation du cristal et l'apparition d'une rugosité dans la zo ne où le processus a eu lieu.
Cette rugosité est responsable des pertes par diffusion de la lumière guidée, fait confirmé par
l'image optique SNOM Figure 4.6 (c) où des pics d'intensité du champ électromagnétique
correspondent bien à des rugosités sur l'image topographique. D'ailleurs entre les images
optiques SNOM obtenues sur les deux guides de largeur respectivement de 10 µm et 5 µm il y
a une ressemblance parfaite. Dans les zones guidantes il y a une rugosité de surface (même si
celle-ci est faible 5-10 nm environ) on a l'impression que le champ électromagnétique jailli
effectivement du guide. Ce phénomène est bien visible sur l' illustration tridimensionnelle de
l'image (c) Figure 4.3 donnée sur la Figure 4.7 (b) où des pics d'intensité du champ

82
électromagnétique très marqués sont bien visible tout au long de la propagations du mode
guidé.

(a) (b)
Figure 4.7. Représentations tridimensionnelles de la topographie et de la cartographie du
champ évanescent sur un guide canal de LiNbO3 diffusé Ti. (a) représentation 3D de
l'image (a) de la Figure 4.5 et (b) représentation 3D de l'image (c) de la Figure 4.3.

En conclusion on peut dire que si par la technique de diffusion de titane dans le

niobate de lithium il est possible de créer des guides d'ondes optiques à faible variation
d'indice, ce processus peut entraîner des modifications (dilatation) locales du matériau. Les
guides canaux que nous avons étudiés présentent une assez forte topographie d'environ 60 nm
en hauteur, avec une rugosité de la surface de la structure guidante importante de 5 à 10 nm ce
qui donne lieu à de fortes pertes par diffusion lors de la propagation d'un mode guidé. Il est
cependant difficile d'affirmer que c'est une conséquence inévitable due au processus
d'élaboration. D'autres études plus systématiques devraient être entreprises.

IV.5. Guides optiques créés par implantation ionique dans le LiNbO3

Sur des plaquettes de LiNbO3 "coupe-Z" avec les dimensions de 5 × 5 ×1 mm3 , des
guides d'ondes canaux ont été créés par implantation d'ions He+ en utilisant un système de
masquage permettant de modifier localement l'indice de réfraction du niobate de lithium. En
fonction des conditions d'implantation (dose et énergie) des variations ∆n positives ou
négatives ont été mises en évidence dans les zones implantées. Ce comportement d'un cristal
implanté He+ ou H+ a été observé dans quelques matériaux. Les mécanismes qui interviennent
lors du processus d'implantation des ions dans des cristaux biréfringents donnant naissance à
une variation positive de l'indice extraordinaire ne sont pas bien clairs à l'heure actuelle. Dans
la littérature on trouve quelques explications [56, 57, 58] mais la question reste encore ouverte
nécessitant plus d'investigations.
Sur la Figure 4.8 sont présentés les deux types de structures guidantes qu'il est possible
d'obtenir (cf. IV.1). Ainsi nous avons créé deux types d'échantillons: dans le premier le
guidage de la lumière se faite dans la zone implanté (car dans cette zone ∆n > 0 ), dans le
deuxième le guidage se fait dans une zone où l'indice de réfraction n'est pas modifié, mais
cette zone est entouré de barrières optique où l'indice a été modifié ( ∆n < 0 ).
En utilisant des implantations multiples à une énergie fixée de 1,7 MeV mais avec des angles
différents de pénétration du faisceau, nous avons réalisé 13 couches successives reparties
entre la surface de l'échantillon et une profondeur de 3 µm dans le matériau y créant ainsi une

83
 (a) (b)
Figure 4.8. Guides d'onde canaux créés par implantation ionique dans le LiNbO3 . (a) variation positive de
l'indice de réfraction dans la zone implantée et (b) variations négatives dans les zones implantées.

variation positive de l'indice de réfraction. La dose (fluence) totale des ions de He+ utilisée
pour créer les 13 couches est de 1×1016 ions, soit 0,76 ×1015 ions par couche. Dans ces
conditions, des guides d'onde optiques comme ceux présentés sur la Figure 4.8 (a) ont été
créés avec une largeur de 25 µm et une épaisseur de 3 µm. En utilisant la même configuration
expérimentale que dans le cas précèdent, nous présentons sur la Figure 4.9 (a) une image
topographique en différence de phase obtenue sur une zone qui comporte une partie d'un
guide canal. Aucune structure topographique de surface n'est visible, contrairement aux
guides obtenus par diffusion de titane. Seule apparaît une rugosité de surface, et comme celle-
ci est présente sur toute la surface balayée (pas seulement sur la zone guidante) on peut
conclure qu'il s'agit très probablement de poussière sur la surface.

(a) (b)
Figure 4.9. Image topographique obtenue en différence de phase (a) et image optique en
champ proche (b) d'un guide d'onde canal créé par implantation ionique dans le
LiNb O3 dans les conditions d'une variation positive de l'indice de réfraction.

Cette idée est confirmée par l'image optique SNOM donnée sur la Figure 4.9 (b) où
l'on voit que la propagation du mode TM dans le guide n'est pas perturbée par la présence de
la rugosité de la surface (poussière). La longueur d'onde utilisée est λ = 632,8 nm avec une
puissance en sortie de la fibre de couplage de 4 mW. La taille du mode guidé est d'environ 26
µm ce qui correspond bien à la taille attendue (largeur géométrique) du guide. C'est une

84
propagation multimode, trois "lobes" étant visibles sur l'image SNOM. Les franges que l'on
observe également sur l'image SNOM ne sont pas dues à des ondes stationnaires dans le guide
car ce dernier n'avait pas les tranches d'entrée et sortie parallèle s et l'interfrange mesurée
im = 1,2 µm ne correspond pas à celle attendue théoriquement ith = 0,287 µm , compte tenu
des conditions de travail. L'apparition de ces franges est probablement due à des interférences
causées par des défauts ou inhomogénéités dans la structure guidante. Nous reviendrons plus
loin sur ce point.
Dans des conditions d'implantation (énergie des ions de 2MeV et une dose (fluence)
totale de 1,5 ×1016 ions répartie dans une seule couche pour la barrière optique horizontale et
en trois couches pour chaque barrière optique verticale, (soit 0,5 ×1016 ions par couche )
donnant une variation négative de l'indice de réfraction nous avons créé des guides d'onde
optiques, dans des plaquettes de 5 × 5 ×1,5 mm 3 de niobate de lithium, comme celui présenté
dans la Figure 4.8 (b). La structure guidante ainsi obtenue a une largeur d'approximativement
20 µm et une profondeur de 4 µm. Des modes TE (propagation suivant l'axe Y du cristal) ont
été mis en évidence par l'injection d'un faisceau laser à λ = 632,8 nm avec une puissance en
sortie de la fibre de couplage de 5mW. Les images topographiques et l'image optique
obtenues sur ce type de guide sont données sur la Figure 4.10.

(a) (b) (c)

Figure 4.10. Image topographique en différence de phase (a) image topographique à distance
constante et image optique SNOM (c) obtenues sur un guide d'onde canal dans le LiNbO3 .

La surface balayée est beaucoup plus propre et présente une rugosité moins importante que
celle de l'échantillon précédent. Par contre, sur cet échantillon une légère dilatation est visible
dans les zones implantées. Ce fait est bien mis en évidence par l'image topographique à
distance constante (b) sur la Figure 4.10 et la ligne de profil transversal (trait bleu) présentées
sur la Figure 4.11.

Figure 4.11. Ligne de profil transversal (trait bleu) pris sur l'image
topographique à distance constante (b) sur la Figure 4.10.

85
 La ligne de profil montre une variation de topographie due à l'implantation ionique
d'environ 4-5 nm. Cette légère dilatation nous l'attribuons au fait que, pour créer les barrières
optiques, seulement trois implantations ont été créées et donc la dose locale est relativement
importante pour pouvoir induire une petit déformation du cristal en surface, due aux
contraintes dans la zone implantée. Dans le cas du guide avec ∆n > 0 , l'implantation ionique
n'a pas induit de modifications (dilatation) topographiques détectables avec notre système.
Les guides ont été réalisés en utilisant des implantations multiples avec une dose locale
beaucoup plus faible et repartie dans tout le volume du guide. Les contraintes totales induites
sont probablement plus faibles dans ce cas.

L'image optique SNOM (c) sur la Figure 4.10, simultanément obtenue avec les images
topographiques (a) et (b), présente une propagation fortement multimode du champ
électromagnétique. On s'attendait à ce type de propagation si on prend en compte que la
largeur géométrique du guide est de 20 µm. On remarque également qu'aucune structure de
franges n'est visible sur cette image comme cela a été le cas sur l'image SNOM obtenue sur
l'autre échantillon créé par implantation ionique. La conclusion qui s'impose est donc, que le
matériau lui- même ne présente pas de défauts ou des inhomogénéités structurales dues à la
croissance du cristal de LiNbO3 .

Les franges visibles dans le premier cas sont dues alors soit à des inhomogénéités qui
pourraient être induites par l'implantation ionique (peu probable) soit à des petites rayures en
surface de l'échantillon causées par la manipulation de celui-ci. La deuxième hypothèse
beaucoup plus probable est d'ailleurs confirmée lors de mesures SNOM réalisées sur d'autres
types d'échantillons où une toute petite égratignure en surface d'un guide donne lieu a des
franges d'interférence [94, 95].

IV.6. Guides d'ondes créés par échange protonique dans le LiNbO3

Dans des plaquettes de LiNbO3 "coupe-X" ayant des dimensions de 15 ×10 ×1 mm 3 un

ensemble de guides d'onde canaux a été réalisé à travers un masque par la technique
d'échange de protons à haute température HTPE assistée avec du Fe. La variation d'indice de
réfraction ainsi obtenue dans la zone échangée est de ∆ne = +0,012 [54, 55]. L'utilisation de
notre dispositif expérimental, nous a permis d'étudier les modes TM (propagation suivant
l'axe Y du cristal) à la longueur d'onde λ = 632,8 nm avec une puissance en sortie de la fibre
de couplage de 5 mW. Les images topographiques obtenues en balayant, avec la sonde
SNOM, deux régions différentes au dessus du même guide, ainsi que la cartographie du
champ évanescent simultanément obtenue sont reportées sur la Figure 4.12. La première
remarque à faire est que la surface des zones guidantes ne présente aucune rugosité, à part
quelques poussières et de petites rayures de polissage. Alors que, comme montrent les images
(a) et (b) sur la Figure 4.12, la technique HTPE assistée par Fe n'a pas induit une dilatation du
cristal dans la zone échangée.

Les guides d'ondes optiques ainsi obtenus dans le niobate de lithium ne présentent
aucune topographie et la rugosité est très faible, contrairement à ceux diffusés titane, ce que
confirment les image optiques SNOM (b) et (d) de la Figure 4.12, où l'on voit clairement que
le champ évanescent en surface du guide s'étale sur une zone ayant une largeur d'environ 5-6
µm, en bon accord avec la largeur physique du guide étudié, qui est de 5 µm. Les
représentations tridimensionnelles de ces deux dernières images optiques sont données sur la
Figure 4.13 et où l'on constate l'absence de points diffusants.

86
 (a) (b) (c) (d)
Figure 4.12. Images topographiques en différence de phase (a) et (c) et leurs images SNOM (b) et (d)
associées aux modes guidés dans un guide d'onde créés par échange protonique dans le LiNbO3 .

(a) (b)
Figure 4.13. Représentations tridimensionnelles du champ évanescent collecté par la pointe SNOM
sur la surface d'un guide d'onde optique dans le LiNbO3 : (a) 3D de l'image optique SNOM
(b) de la Figure 4.12 et (b) 3D de l'image optique SNOM (d) de la Figure 4.12.

Il est clair que dans ce type de guide les pertes par diffusion sont assez faibles par
rapport aux pertes observées sur les guides obtenus par diffusion de titane ou des pics
d'intensité (dus à la rugosité) étaient présent s en surface du guide sur tout la longueur de
l'image de la propagation du mode.

87
 IV.7. Résultats obtenus sur des guides d'onde dans le LiTaO3

Des guides d'onde optiques canaux ont été fabriqués dans le LiTaO 3 en utilisant la
technique d'échange de protons (HTPE) à travers un masque.
Ainsi, un ensemble de guides canaux d'un centimètre de long et de largeur variable
entre 5 et 15 µm, a été réalisé dans des échantillons "coupe-X" de 10 ×10 × 0,5 mm3 de
tantalate de lithium taillés et polies optiquement. La variation de l'indice ainsi obtenue est de
∆ne = 0,01 [55]. La longueur d'onde utilisée est celle d'un laser He-Ne à λ = 632,8 nm avec
une puissance du faisceau en sortie de la fibre de couplage de 3 mW. Dans ces conditions
nous avons étudié la propagation des modes TE suivant l'axe Y du cristal (dispositif décrit sur
la Figure 4.1).

Sur la Figure 4.14 sont données les images topographiques (a) et (c) en différence de
phase et les images optiques (b) et (d) en champ proche optique sur deux guides de largeurs
respectivement de 10 µm et 5 µm. Plusieurs images (8 images pour le guide de 10 µm et 5
images pour le guide de 5 µm) ont été prises à la suite et assemblées pour avoir deux images
globales (une topographique et une optique) pour chaque guide sur une longueur
respectivement de 0,720 mm et 0,450mm. Un agrandissement sur un tronçon de ces images
est donné sur la Figure 4.15.
La toute première remarque à faire est le fait que sur les images topographiques on
voit apparaître une légère dilatation du cristal dans la zone guidante, or ce phénomène n'a pas
été mis en évidence sur les échantillons contenant des guides créés par la même technique
(HTPE) dans le niobate de lithium. Donc ces deux matériaux n'ont pas le même
comportement vis-à-vis du processus d'échange de protons. La dilatation, d'environ 20nm,
induite par la technique HTPE dans le LiTaO 3 dans les zones guidantes est bien illustrée par
les lignes de profil transversal (trait bleu en bas sur les images (a) et (c) Figure 4.14)
présentées sur la Figure 4.16.

Ces profils montrent que la rugosité de la surface du guide est très faible, de l'ordre du
nanomètre. De plus, on observe clairement une légère topographie d'environ 5 nm de chaque
côté de la zone présumée échangée, comme le montre la représentation tridimensionnelle
(Figure 4.16) de l'une des images topographiques ( 25 × 90 µm 2 ), celle du guide de 5 µm. Le
masque utilisé avait des dimensions respectivement de 10µm et 5µm mais les parties
échangées s'avèrent donc plus larges, environ 15 µm et 10µm. Cette hypothèse sur les
dimensions des guides est confirmée par les images optiques SNOM (b) et (d) sur la Figure
4.14 où l'on voit bien que la lumière guidée (légèrement multimode) s'étale en largeur sur une
zone d'environ 15µm et 10µm. De plus, la propagation dans le guide de 5µm se fait
prépondérant dans les deux "bosses" latérales. A partir de toutes ces observations on peut
conclure à une forme de guides (en section transversale) plutôt elliptique, schématiquement
représentée sur l'image (b) de la Figure 4.17.

La caractérisation des guides à grande échelle, mais encore à haute résolution spatiale,
au long de la direction de propagation s'avère très utile pour la visualisation de la distribution
du champ électromagnétique dans le guide ainsi que pour l'identification des éventuelles
sources de pertes dans ce type de structures. De plus, l'acquisition simultanée de l'image
topographique et de la cartographie du champ évanescent permet de vérifier l'apparition d'une
éventuelle déviation des spécifications du processus technologique utilisé. Ce peut être très
utile pour la caractérisation in situ de structures optiques complexes, comme les beam-
splitters, les coupleur s directionnels, modulateurs, etc.

88
 (a) (b) (c) (d)
Figure 4.14. Images topographiques (a) et (c) en différence de phase et images optiques
SNOM (b) et (d) de deux guides fabriqués par échange de protons dans le LiTaO3 .

89
 (a) (b) (c) (d)
Figure 4.15. Agrandissement sur les deux zone de la Figure 4.14. Images topographiques (a) et (c) en différence
de phase et images optiques SNOM (b) et (d) de deux guides fabriqués par échange de protons dans le LiTaO3 .

(a) (b)
Figure 4.16. (a) Ligne de profil transversal prise sur le guide présenté sur l'image (a) (trait bleu) de la Figure
4.14 et (b) ligne de profil prise sur le guide présenté sur l'image (c) (trait bleu) de la Figure 4.14.

(a) (b)
Figure 4.17. (a) Représentation 3D de l'image topographique du guide présentée sur l'image
(c) de la Figure 4.14. (b) Elaboration de guides d'onde canaux par HTPE dans le
tantalate de lithium, résultant une forme elliptique de la zone guidante.

90
 L'analyse de l'intensité du champ évanescent suivant une direction perpendiculaire à la
surface du guide permet de déduire l'indice de réfraction effectif du mode qui se propage [76].
La Figure 4.18 montre la décroissance exponentielle de l'intensité du champ évanescent
mesurée au-dessus du guide (présenté sur l'image (c) Figure 4.14) quand la distance z entre la
pointe et l'échantillon augmente. L'intensité du champ évanescent au-dessus du guide change
en accord avec l'équation suivante:

 −z 
I ( z ) = I 0 exp   (4.1)
 d 

où z est le déplacement de la sonde SNOM (direction verticale) et d est la longueur

d'affaiblissement [75, 95 96]
Cette longueur d'affaiblissement est reliée avec l'indice de réfraction effectif du mode guidé
par l'expression:

λ
d= (4.2)
4π neff2 − 1

Figure 4.18. Décroissance exponentielle de l'intensité du champ évanescent

au-dessus d 'un guide d'onde optique créé par échange de protons dans
le LiTaO3 , quand la distance pointe-échantillon augmente.

En utilisant ces deux dernières équations nous avons déduit, à partir de la courbe
expérimentale, l'indice effectif neff du mode guidé dans le guide. L'ajustement exponentiel
donne les valeurs suivantes pour la longueur d'affaiblissement et l'indice effectif, suivantes:
d = 26,62 nm et neff = 2.14 . En considérant l'indice extraordinaire du LiTaO 3 (voir Tableau
4.1) neo = 2,18 et la variation d'indice induite par la technique HTPE, nous obtenons la valeur
de l'indice de réfraction de la zone guidante de neoth , = 2,19 . L'utilisation de cette dernière

valeur dans l'équation (4.2) donne une valeur théorique de la longueur d'affaiblissement

91
d th = 25,85 nm plutôt en bon accord avec la valeur trouvée expérimentalement. La différence
entre les valeurs neff et neoth
, vient probablement du fait que le guide n'est pas monomode à la
longueur d'onde que nous avons utilisée.

IV.8. Conclusion

Dans ce chapitre nous avons présenté les mesures in situ en champ proche optique
réalisées sur des guides d'onde optiques canaux fabriqués dans le LiNbO3 et LiTaO 3 par les
trois techniques d'élaboration de guides dans des monocristaux connues à ce jour.
L'acquisition simultanée de l'image topographique et de l'image optique (cartographie de la
distribution de l'intensité du champ évanescent dû au guidage de la lumière) nous a permis
d'obtenir des informations pertinentes sur les conséquences du processus d'élaboration de
guides et les propriétés optiques de ces derniers. Expérimentalement, nous avons ainsi pu
visualiser, sur des longueurs millimétriques, la surface des structures guidantes et de recueillir
le champ évanescent présent. Avec l'appareil TwinSNOM Omicron nous avons la possibilité
de suivre la lumière guidée sur une distance maximale de 3 cm, la caractérisation d'un
dispositif d'optique intégrée pourrait être réalisée dans sa totalité.

92
V. ETUDE DES EFFETS PHOTOREFRACTIFS DANS
DES GUIDES DE SBN
 V. ETUDE DES EFFETS PHOTOREFRACTIFS DANS DES GUIDES DE SBN

L'application des techniques SNOM à l'étud e de phénomènes optiques non linéaires

est potentiellement très intéressante, en particulier dans des dispositifs d'optique intégrée.
Nous nous proposons de montrer dans ce chapitre l'applicabilité de la technique
SNOM à l'étude in situ de phénomènes photoréfractifs d'autofocalisation sous champ et de
formation de solitons spatiaux stationnaires à une échelle sub- longueur d'onde.

V.1. Introduction - phénomènes photoréfractifs et solitoniques

v
v Qu'est-ce que la photoréfractivité?

Photoréfractivité signifie dépendance de l'indice de réfraction du matériau en fonction

de l'éclairement lumineux. En fait tous les phénomènes ayant cette propriété ne sont pas
classés dans la photoréfractivité. Par l'effet Kerr 1 optique on obtient une variation de l'indice
de réfraction en fonction de l'éclairement lumineux; mais on ne parle pas de photoréfractivité
dans ce cas.
Selon les auteurs, la notion de photoréfractivité ne sera pas définie de la même façon.
Dans le cas de la "photosensibilisation" des fibres optiques, le terme de photoréfractivité est
aussi employé. Il s'agit pourtant de mécanismes différents à l'origine des variations d'indices.
Pour la plupart, la photoréfractivité résulte de l'absorption d'une partie de la lumière qui
entraînera l'apparition de porteurs libres. Ces porteurs vont se déplacer sous l'effet de
plusieurs facteurs (diffusion, champ électrique local, effet photovoltaïque). En se piégeant, ces
charges font apparaître des zones chargées positivement et négativement. Le champ électrique
qui en résulte introduit, par effet Pockels 2 , une variation d'indice. Un réseau d'illumination
(des franges d'interférences par exemple) peut ainsi créer un réseau d'indice, l'effet
photoréfractif se traduisant par une variation de l'indice de réfraction sous illumination
hétérogène (franges d'Young). Il fait intervenir la photoconduction, qui permet une séparation
des charges photo-créées, ainsi que l'effet électro-optique (Pockels) qui induit la variation
d'indice associée au champ électrique résultant de la distribution de ces charges dans l'espace,
comme on montre sur la Figure 5.1. Les effets dits photoréfractifs se caractérisent donc par
l'apparition, sous l'effet d'un éclairage incident, de mouvements de charges aboutissant à un
piégeage de photoporteurs, ou de modification de polarisabilité au sein de la structure
cristalline ou moléculaire du matériau.
L'effet photoréfractif a été découvert en 1966 par Ashkin et al. aux laboratoires Bell
lors d'expériences d'optique non-linéaire (doublement de fréquence) dans des cristaux de
LiNbO3 et LiTaO 3 [97]. Ils remarquèrent en effet une lente déformation photo induite du front
d'onde d'un faisceau laser se propageant dans ces cristaux. Dans leur expérience ce
phénomène induisait une dérive des performances des doubleurs optiques et il fut donc appelé
"dommage optique". C'est plus tard qu'on s'aperçut de son intérêt pour réaliser des dispositifs
optiques non- linéaires avec des contributions dans de nombreuses applications comme la
mémoire holographique, la conjugaison de phase photoréfractive le mélange des ondes…[98,
99] Les variations photo- induites d'indice conduisent à des phénomènes d'auto- focalisation ou

1
L'effet Kerr est la dépendance linéaire de la modulation de l'indice de réfraction local par rapport à l'intensité
optique locale. C'est un effet nonlinéaire d'ordre 2. On peut le définir aussi comme la dépendance quadratique du
tenseur d'imperméabilité en fonction du champ électrique.
2
L'effet Pockels est une modification locale de l'indice de réfraction proportionnelle au champ électrique local.
On peut le définir aussi comme la dépendance linéaire du tenseur d'imperméabilité en fonction du champ
électrique. Par convention nous désignerons ici, et on l'utilisera dans le reste de ce manuscrit, cet effet
photoréfractif particulier sous le terme générique "effet photoréfractif".

95
 Figure 5.1. L'effet photoréfractif est basé sur la redistribution par un effet d'entraînement (drift) de charges ρ
photogénérées (b) par un éclairage I , ici non-uniforme (a). Cette redistribution de charges crée un champ
électrique E variable (c) qui va moduler l'indice de réfraction n par effet électro-optique (d).

d'auto-défocalisation d'un faisceau. Une des conséquences très intéressantes de ces effets est
la possibilité de formation des "solitons spatiaux" dans certains matériaux ferroélectriques.

v
v Qu’est-ce qu’un soliton?

Une onde solitaire est une onde qui se propage en ignorant les lois classiques de la
dispersion de l’énergie. En règle générale, cette onde est suffisamment intense pour exciter un
effet non linéaire qui va compenser l’effet normal de dispersion de l'énergie. L’énergie, par le
phénomène nonlinéaire, crée un puits de potentiel dans son milieu de propagation. Ce puits
piège l’énergie et l’empêche de se disperser.
Bien après l’observation en 1850 par Scott-Russel de ce phénomène spectaculaire par
une vague dans un canal, ces paquets d'énergie ont été théoriquement ana lysés et on leur a
donné le nom de solitons. Les solitons existent dans la nature. On peut citer par exemple, les
phénomènes de Mascaret observé sur la Seine jusqu'à Rouen, ou sur la Tamise… ou les raz de
marées... Bien souvent, dans la nature, la présence de solitons provoque des phénomènes non
réversibles, destructions, ruptures...

En optique, il existe plusieurs types de solitons:

Les solitons temporels: la dispersion de l’énergie ici s’appelle dispersion chromatique :

c’est comme la dispersion du prisme, les différentes longueurs d’onde qui composent
l’impulsion lumineuse ne vont pas à la même vitesse. On obtient de tels solitons dans les
fibres optiques avec des impulsions de quelques picosecondes et des puissances de quelques
mW. Ils vont bientôt être utilisés dans les transmissions trans-océaniques à très haut débit.

Les solitons spatiaux: la dispersion de l’énergie ici est la diffraction de la lumière, le

fait qu’un faisceau lumineux de dimension réduite diverge naturellement. Le soliton spatial
est ce rayon de lumière que Fresnel souhaitait isoler. A l’époque il n’avait pu que constater
l’impossibilité d’isoler ce rayon et avait établi la théorie de la diffraction de la lumière.

96
 Les billes de lumières: il s’agit de solitons spatiaux et temporels. L’énergie lumineuse
est confinée dans les trois dimensions dans une bille. On ne connaît pas actuellement de
matériaux permettant de les réaliser.

On appellera "soliton photoréfractif" un soliton spatial1 . La diffraction de la lumière

est compensée par une augmentation de l'indice de réfraction là où se situe le faisceau. En
reprenant l'explication phénoménologique de la photoréfractivité et en l'appliquant à un
faisceau aux dimensions spatiales limitées il faut comprendre l'apparition du puits de potentiel
comme une augmentation locale de l'indice optique.
C'est l'effet Pockels qui est ici à l'origine du changement d'indice. L'effet Kerr, effet du second
ordre peut également conduire à la formation de solitons spatiaux, mais il nécessite des
puissances lumineuses bien supérieures (watts au lieu de microwatts pour les solitons
photoréfractifs).

Parmi les applications utilisant des matériaux photoréfractifs on peut citer: la mé moire
photoréfractive, la conjugaison de phase, le transfert d'énergie lumineuse par mélange d'ondes
et l'autofocalisation (soliton photoréfractif) qui constitue le sujet de ce chapitre.

V.2. Le soliton photoréfractif.

Depuis la première observation sur l'autofocalisation photoréfractive et la formation

d'un soliton photoréfractif en 1992 grâce aux travaux de Segev et al. [100] les solitons
spatiaux sont source d'un grand intérêt scientifique et technologique.
Le soliton le plus étudié est le soliton stationnaire vu la stabilité du faisceau ainsi
confiné, car il persiste dans cet état aussi longtemps que les conditions qui l'ont créé sont
maintenues.
La mise en évidence de ce type de soliton a été faite par l'équipe de Castillo et al.
[101], ils montrent l'influence d'un éclairage de fond sur la stabilité d'un soliton photoréfractif.
Cette stabilité a été confirmée par Segev et al. [102] ainsi que par les travaux de
Christodoulides et al [103].
Les solitons stationnaires ont été observés dans de nombreuses configurations
expérimentales et dans différents cristaux. Nous nous intéressons dans les paragraphes qui
suivent aux solitons photoréfractifs obtenus dans des guides d'onde planaires dans des
monocristaux de niobate de strontium et de baryum (SBN). En 1998 Kip et al. [104]
réussissent pour la première fois à former des solitons dans des guides optiques
photoréfractifs. Le matériau utilisé était le SBN et la méthode d'élaboration des guides,
l'implantation ionique. Les études furent menées dans le visible [105] et puis dans l'infrarouge
(à 1,5 µm, longueur des télécommunications) [106] et l'interaction de solitons fut également
obtenue [107].
Des études ont par ailleurs été développées sur ces conditions de formations des
solitons en régime continu [108] et en impuls ion [109].
Comme on l'avait vu dans la section précédente, l'effet photoréfractif est induit par des
inhomogénéités dans la distribution de l'intensité d'un faisceau de lumière traversant un

1
Pour être rigoureux, il n'est pas évident qu'un soliton photoréfractif soit vraiment un soliton. En effet, pour
obtenir un soliton d'aucun pense que l'effet non linéaire doit être local, c'est à dire que la variation de l'indice ne
dépend que de la valeur de l'intensité au point considéré. Or l'effet photoréfractif n'est pas un effet local car il
faut que les charges se déplacent pour créer l'effet. Mais les solutions des équations ont les propriétés des
solitons autant mathématiquement que physiquement, il faut donc bien élargir cette idée.

97
matériau ferroélectrique. Une telle illumination crée des porteurs de charge électrique qui
ensuite vont être redistribuées. Le principal mécanisme de transport responsable de
l'autofocalisation et de la formation d'un soliton photoréfractif est le mouvement des porteurs
de charge dans un champ électrique externe Eext [110]. Après la redistribution induite, les
charges piégées vont donner naissance à un champ de charges d'espace Esc , qui induit une
modification de l'indice de réfraction du milieu par effet électro-optique linéaire (effet
Pockels), la variation d'indice étant décrite par la relation:

1
∆n = − n3 reff Esc (5.1)
2

où n dénote l'indice de réfraction extraordinaire et reff est un coefficient électro-optique

effectif pour une configuration donnée. Dans le cas du SBN en utilisant une configuration
expérimentale où le faisceau se propage perpendiculairement à l'axe c du cristal, le
coefficient reff prend la valeur r33 de l'élément du tenseur électro-optique et l'indice n est
l'indice extraordinaire neo .
Le champ de charges d'espace Esc qui assure l'autofocalisation peut s'exprimer en
fonction du champ externe [103] par la relation:

β
Esc = Eext (5.2)
β + Ib s

où I b est la distribution transversale l'intensité du faisceau, β est le taux de génération

thermique et le paramètre s est le taux de photoexcitation (dépendant de la longueur d'onde).

Notons que par effet photovoltaïque on peut avoir un transport de charges selon l'axe
c du cristal ferroélectrique sans champ externe appliqué, conduisant également à la formation
d'un champ de charges d'espace. Cet effet est très fort, par exemple dans le cas de LiNbO3 , et
il a été récemment montré qu'il pouvait conduire à la formation de solitons "sombres" [111]

V.3. Choix du matériau - le SBN

Pour nos études le niobate de strontium et baryum Srx Ba1-x Nb2O6 avec
0,25 ≤ x ≤ 0,75 qui est un ferroélectrique dont la structure est celle d'un tungstène bronze,
s'est imposé compte tenu essentiellement de deux facteurs:

v
v en premier lieu, il a été démontré depuis plusieurs années que le SBN est un
matériau de choix pour générer des effets solitoniques spatiaux clairs; il a été le
plus utilisé. C'est un matériau uniaxe négatif présentant une polarisation
spontanée selon l'axe c avec une excellente qualité optique et photoréfractive qui
présente des coefficients électro-optiques bien supérieurs à d'autres matériaux
(dix fois supérieurs au niobate de lithium, par exemple). Dopé avec du Ce, Cr,
Rh…la sensibilité photoréfractive devient très importante, permettant un grand
nombre d'applications: des modulateurs acousto-optiques, circuits électro-
optiques, le routage optique, ainsi que dans le stockage et traitement de donnés

98
 [112]. Dans le Tableau 5.1. nous avons regroupé quelques paramètres
caractérisant le SBN.

v
v deuxièmement nous avons voulu mettre à profit la longue collaboration qui existe
entre notre laboratoire et l'Université d'Osnabrück en Allemagne (Applied
Physics Electrooptics Group). Ainsi nous avons pu bénéficier pendant la durée de
nos travaux d'un cadre théorique et d'un environnement expérimental
mondialement reconnu. Ceci nous a permis de bien nous familiariser avec les
techniques de caractérisations conventionnelles des phénomènes photoréfractifs.

Propriétés SBN x=0.61 SBN x=0.75

Coefficient électro-optique (pm/V)
r33 = 247 1340
à λ=632,8 nm
Paramètres de mailles (Å) a = 12,46 , c = 3,946 a = 12,4302 , c = 3,9134

Densité (g/cm3 ) 5,4 5,4

Point de fusion (°C) 1500 1500

Température de Curie TC (°C) 72 78

Coefficient d'absorption (cm-1 )
0,29 8,6
?=440 nm
Indices de réfraction (à 25°C et no =2,37 no =2,312
λ=632,8 nm) ne=2,33 ne=2,299
Dureté (échelle Mohs) 5,5 5,5

Tableau 5.1. Quelques propriétés physiques des cristaux de SBN.

V.4. Etudes préliminaires de phénomènes photoréfractifs

Les échantillons que nous avons utilisés dans nos études sont des morceaux de
cristaux de SBN61 (Sr0.61 Ba0.39Nb2O6 ) "coupe-Y" dopés avec Rhodium (300 ppm référé à Nb)
en provenance de l'Université d'Osnabrück.
Nous avons d'abord taillé et poli les cristaux suivant les étapes décrites dans la section
IV.2. Ensuite, sur des plaquettes de 2 × 5 ×10 mm 3 des guides d'onde plans ont été créés par
implantation d'ions He + (avec une énergie de 2 MeV, et une dose de 1´1015 ions/cm2 ). Ces
paramètres d'implantation ont été choisis en accord avec les études antérieures [113] afin
d'obtenir des guides photoréfractifs efficaces [113].

Les études de Kip et al. [104] ont montré l'existence d'une tension de seuil à partir de
laquelle se forme un soliton photoréfractif. Nous reproduisons sur la figure suivante,
l'évolution du diamètre du faisceau en sortie du guide et de l'intensité du faisceau en fonction
de la tension appliquée obtenues dans un guide implanté dans les mêmes conditions que celui
que nous avons utilisé. Notons les très faibles intensités des faisceaux mises en jeu, ici
quelques microwatts suffisent.

99
 D'après Kip et al [104]. évolution du diamètre (a) et de l'intensité du faisceau (b)
en sortie d'un guide plans de SBN en fonction du champ électrique

Avant de procéder aux mesures en champ proche optique, nous avons reproduit le
même type d'études à l'aide de notre montage en nous attachant en particulier à exciter les
modes guidés par une fibre optique et non par une lentille, compte tenu de notre dispositif
SNOM . Ainsi, sur les deux faces perpendiculaires à l'axe c du cristal des électrodes ont été
déposées en utilisant de la laque d'argent afin de permettre l'application d'un champ électrique
externe de quelques kV/cm.
Le schéma de la configuration expérimentale est présenté sur la Figure 5.2.

Figure 5.2. Configuration expérimentale utilisée pour l'étude des effets électro-optiques
dans des guides plans créés par implantation ionique dans des monocristaux de SBN.

100
Nous avons fait le choix d'utiliser pour le couplage une fibre multimode et non pas une
monomode afin de donner la possibilité au champ électromagnétique qui se trouve dans le
guide, de se propager sous la forme de plusieurs modes indépendants dont l'élargissement
naturel (plus faible que pour le mode fondamental) peut être compensé par effet électro-
optique 1 .
Il était nécessaire de vérifier ces aspects car, in situ dans la configuration SNOM nous n'avons
pas la possibilité d'utiliser une lentille cylindrique afin de limiter l'élargissement naturel du
faisceau se propageant dans le guide, comme cela est le cas dans une configuration
expérimentale conventionnelle [114]. Bien évidemment, un profil en coupe transverse du
mode de propagation du champ électromagnétique dans le guide ne se présentera pas sous la
forme d'une gaussienne mais de plusieurs à la fois. L'utilisation d'une camera CCD
(WinCamD 1M4) afin de visualiser la tranche de sortie du guide nous à permis d'analyser et
d'enregistrer la distribution du champ électromagnétique.

Nous donnons à titre d'exemple, sur la Figure 5.3 (a), une image ainsi obtenue où l'on
voit bien la distribution du champ électromagnétique (en sortie du guide) repartie sur trois
zones assez larges. Si un champ électrique externe Eext = 3 kV / cm parallèle à l'axe c du
cristal est appliqué sur l'échantillon, on obtient par effet électro-optique une autofocalisation
du faisceau se propageant dans le guide. L'image obtenue dans ces conditions est présentée
sur la Figure 5.3 (b). L'apparition d'un confinement du champ électromagnétique, qui est
distribué maintenant sur six zone s beaucoup plus petites que celles de l'image (a), est
clairement visible.

Figure 5.3. Distribution de l'intensité du champ électromagnétique visualis ée avec une camera CCD en
sortie d'un guide plan créé par implantation ionique dans le SBN. (a) Distribution de l'intensité sans
l'application d'un champ électrique externe. (b) Distribution de l'intensité quand l'on applique
un champ électrique externe Eext = 3 kV / cm .

Les profils des image s présentés sur la Figure 5.3 sont donnés sur la Figure 5.4 où (a)
correspond au profil de l'image sans champ électrique externe et (b) correspond à l'image en
sortie du guide quand un champ électrique externe est appliqué sur l'échantillon.
Il faut préciser que, dans les guides d'onde plans que nous avons créés dans le SBN,
seuls les modes TE peuvent se propager. Le fait que le faisceau laser utilisé soit linéairement
polarisé et que la fibre de couplage dans le guide n'est pas faite pour garder la polarisation à
λ = 632,8 nm ne nous a donc pas trop gêné, car la dégradation de la polarisation lors de la
propagation dans la fibre reste assez faible.

1
En utilisant une fibre monomode dans le domaine visible nous n'avons pas constaté (dans une expérience
classique) le confinement du faisceau se propageant dans le guide perpendiculairement à l'axe c du cristal
lorsqu'un champ électrique est appliqué au long de cette axe. L'explication que nous pouvons donner est le fait
que en couplant dans le guide seulement le mode fondamental, l'élargissement latéral du faisceau au moment de
la pénétration dans le guide est très grand et il serait impossible de le faire compenser par effet électro-optique.

101
 Figure 5.4. (a) Profil de la d istribution de l'intensité du champ électromagnétique sans l'application
d'un champ électrique externe et (b) en appliquant un champ électrique externe Eext = 3 kV / cm
au long de l'axe c du cristal et perpendiculairement au direction de la propagation du faisceau.

V.5. Etude de phénomènes photoréfractifs en VIS par la technique SNOM

Après ces tests effectués dans une configuration expérimentale classique, nous avons
réalisé des mesures in situ en champ proche optiq ue. En utilisant la configuration
expérimentale présentée sur la Figure 5.3 nous avons couplé un laser He-Ne ( λ = 632,8 nm )
dans un guide plan de SBN à travers une fibre standard télécom (monomode à λ = 1550 nm ).
La puissance (entre 10 µW et 10mW) et la polarisation (pour exciter les modes TE) en sortie
de cette fibre peuvent être contrôlées avec un filtre de dens ité variable et avec une lame demi-
onde. Sur les deux faces perpendiculaires à l'axe c du cristal des électrodes ont été déposées
en utilisant de la laque d'argent afin de permettre l'application d'un champ électrique externe
de quelques kV/cm.
La présence du champ électrique externe (condition nécessaire pour la mise en
évidence des effets photoréfractifs) in situ dans la configuration SNOM nous a imposé
d'opérer quelques modifications par rapport à la configuration expérimentale utilisée dans le
chapitre précédent. Les modifications à faire étaient surtout au niveau sécurité de travail car
l'application d'une haute tension sur notre échantillon le tout reposant sur la table
piézoélectrique de balayage nécessite une très bonne isolation électrique. Il a fallu utiliser des
porte-échantillons taillés dans un matériau très isolant et léger à la fois, afin de ne pas
perturber les mouvements de la table piézoélectrique pendant le balayage de l'échantillon. De
même, pour pouvoir amener la haute tension sur les électrodes de l'échantillon il a fallu
trouver des fils électriques avec une bonne isolation électrique mais souples et légers pour ne
pas nuire au mouvement de balayage, car on rappelle le fait que pendant le balayage d'une
zone, c'est l'échantillon qui est en mouvement au-dessous de la pointe SNOM immobile.
Une fois les problèmes techniques liés à l'isolation électrique de l'échantillon résolus,
nous avons commencé les premières observations en champ proche optique des phénomènes
photoréfractifs. Mais, malheureusement nous avons été vite confronté à un autre problème
très délicat. En fait, nous avons observé que, pendant le balayage d'une zone, au bout de
quelques secondes après l'application d'un champ électrique sur l'échantillon, des décharges
électriques se produisent entre la pointe SNOM (fibre optique effilée et métallisée) et la
surface de l'échantillon. Ce phénomène se produisait avec une période de quelques secondes
entre deux décharges. Le résultat est facile à imaginer: la sonde SNOM a été peu à peu

102
détruite et de plus la surface balayée de l'échantillon a été endommagée. La présence des
brûlures et de ruptures superficielles en surface étant visibles avec un microscope optique
classique à faible agrandissement.

Figure 5.3. Dispositif expérimental utilisé pour la mise en évidence des solitons spatiaux par la
cartographie du champ évanescent en surface d'un guide d'onde optique plan de SBN.

Comme solution à ce problème nous avons décidé d'utiliser d'une fibre optique effilée
non-métallisée pour balayer la surface de notre échantillon. Par contre cette idée a soulevé
d'autres obstacles: un premier étant de trouver des fibres optiques effilée et non- métallisée et
deuxièmement de pouvoir les collées sur les module piézoélectriques afin de les utiliser
comme sonde SNOM. Si le premier obstacle fut rapidement surmonté grâce à l'amabilité de la
communauté champ proche qui nous a fourni des fibres optiques effilées et non- métallisées 1 ,
le deuxième a nécessité un peu plus de temps, car l'étape de collage des fibres effilées sur des
modules piézoélectriques s'est avérée très délicate. L'optimisation de ce processus nous a pris
du temps avant de pouvoir rendre un ensemble fibre effilée – module piézoélectrique
utilisable comme sonde sur notre SNOM. La difficulté venant du fait que les paramètres du
collage influencent la fréquence de résonance de cet ensemble. Or nous avons bien vu dans le
paragraphe III.4.2 l'importance capitale de la fréquence de résonance qui est le cœur de
l'asservissement du système SNOM.
Ces nouvelles sondes ont été validées par des tests, les résultats des mesures obtenues
avec les sondes non- métallisées sont bien comparables avec ceux obtenus avec des sondes
métallisées, la seule différence notable étant la quantité plus faible du signal optique envoyée
vers le photodétecteur, ce qui est bien normal car le nombre de photons recueillis par une
sonde non- métalissée (qui vont donnés naissance ensuite à un mode guidé dans la partie non-
effilée de la fibre) est plus faible par rapport à une sonde métallisée.
1
Nous remercions le group de D. Courjon (Université de Besançon) pour son aide.

103
 Les images en champ proche obtenues avec une fibre effilée et non-métallisée sont
données sur la Figure 5.4 où l'on présente une image topographique en différence de phase
(a), et une image optique SNOM (b) simultanément enregistrées sur une zone de 90 × 90 µm 2
située à une distance d'environ 1 mm par rapport à l'entrée du guide. Les taches blanches vues
dans la partie inférieure de l'image topographique ne sont pas des défauts structurels mais des
particules de poussière, le urs hauteurs ne dépassent pas 25 nm. Par ailleurs, une rugosité de la
surface spécifique au processus de polissage est bien visible mais qui reste en général
d'environ 5-10 nm. Il faut noter que les particules de poussière n'induisent pas une diffusion
du signal optique se propageant dans le guide, comme on peut le remarquer sur l'image
optique SNOM ce qui confirme que ne sont pas des défauts structurels. L'image optique,
montre également que la distribution du champ électromagnétique dans le guide n'est pas une
gaussienne et comporte plusieurs lobes, ce qu'on attendait car les mesures par la méthode
classique nous ont bien montré ce phénomène, dû à la fois au comportement du mode guidé
lui- même et à l'injection de la lumière (la fibre est multimode à la longueur d'onde utilisée
λ = 632,8 nm ).

(a) (b)
Figure 5.4. Image topographique en différence de phase (a) et image optique SNOM simultanément
enregistrées sur un guide plan créé par implantation d'ions de He + dans le SBN.

Sur la Figure 5.5 nous présentons l'évolution de la distribution de l'intensité du champ

évanescent en fonction du champ électrique externe appliqué le long de l'axe c du cristal et
perpendiculairement à la direction de propagation de la lumière (qui est ici de bas en haut) sur
la même zone balayée par la pointe SNOM. La variation du champ électrique externe se fait
avec des pas de 1 kV / cm de 2 à 6 kV / cm .
L'image (a) sur la Figure 5.5 est celle de départ obtenue sans l'application d'un champ
électrique externe. Un changement important de la distribution spatiale de l'intensité du
champ évanescent, donc du champ électromagnétique se propageant dans l'intérieur du guide,
est observé sur les images lorsque le champ électrique externe est appliqué. Sans champ
électrique externe, la lumière à l'intérieur du guide est distribuée approximativement sur cinq
zones, tandis qu'en appliquant un champ externe la lumière tend à se concentrer (resserrer) de
plus en plus sur la forme de trois lobes, le mode central étant de plus en plus intense. Par
conséquent, nous observons clairement un confinement latéral de la lumière dans le guide par
l'application d'un champ électrique externe. C'est donc l'illustration à basse échelle, d'effet
d'autofocalisation et de la formation des solitons spatiaux dans un guide plan de SBN, comme
ceux observés et décrits dans la littérature [106, 115], mais à grande échelle, et que nous
avons observé dans notre montage externe, dans les mêmes conditions sur cet échantillon (cf.
V.4).

104
Figure 5.5. Images optiques SNOM présentant la distribution du champ évanescent sur la surface d'un guide
plan de SBN en fonction du champ électrique externe appliqué sur l'échantillon. (a) E = 0 kV / cm ,
(b) E = 2 kV / cm , (c) E = 3 kV / cm , (d) E = 4 kV / cm , (e) E = 5 kV / cm , (f) E = 6 kV / cm .

105
 Pour mieux visualiser ce qui se passe lors de l'application du champ électrique nous
avons reporté sur la Figure 5.6 les profils d'intensité le long des lignes vertes sur la Figure 5.5.

1,1

Intensité du champ evanescent (u. a)

1,0 E=0 kV/cm
0,9 E=2 kV/cm
E=3 kV/cm
0,8 E=4 kV/cm
0,7 E=5 kV/cm
E=6 kV/cm
0,6

0,5
0,4

0,3
0,2

0,1
0,0

0 20 40 60 80 100
Largeur de l'image (µm)

Figure 5.6. Evolution de la distribution de l'intensité du champ évanescent en fonction

du champ électrique externe au niveau des lignes de couleur verte sur la Figure 5.5

Une forte augmentation du signal optique détecté et un confinement latéral sont donc obtenus,
sur la zone balayée, en fonction du champ électrique appliqué. L'intensité du champ
évanescent à Eext = 6 kV / cm est dix fois supérieure à celle de l'intensité du champ
évanescent pour une valeur nulle du champ électrique externe. L'augmentation de l'intensité
détectée dans la zone balayée provenant de l'afflux de lumière des zones latérales extérieures
au balayage.
Sur la Figure 5.7 nous présentons les profils de l'intensité du champ évanescent pris cette fois-
ci le long des lignes bleue sur les images de la Figure 5.5. les mêmes constatations peuvent
être faites.
Intensité du champ évanescent (u. a.)

0,70
0,65
0,60 E=0 kV/cm
0,55 E=2 kV/cm
E=3 kV/cm
0,50
E=4 kV/cm
0,45 E=5 kV/cm
0,40 E=6 kV/cm
0,35
0,30
0,25
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00

0 20 40 60 80 100
Largeur de l'image (µm)

Figure 5.7. Evolution de la distribution de l'intensité du champ évanescent en fonction

du champ électrique externe le long des lignes de couleur bleu sur la Figure 5.5

106
Il est bien clair que l'application d'un champ électrique externe donne lieu par effet électro-
optique à un confinement latéral de la lumière se propageant dans le guide, avec une
concentration de l'énergie dans trois lobes, avec un maximum très marqué pour le pic central.
Le rapport entre les intensité du champ évanescent pour les valeurs du champ électrique
externe de respectivement Eext = 0 kV / cm et Eext = 6 kV / cm est d'environ 10.

V.6. Etude de phénomènes photoréfractifs en IR par la technique SNOM

En utilisant la configuration expérimentale présentée dans la section précédente, nous

avons essayé de mettre en évidence la formation des solitons photoréfractifs dans des guides
d'onde plans à une longueur d'onde infrarouge en appliquant un champ électrique externe dans
les mêmes conditions que dans le paragraphe précédent. Pour exciter les modes TE
(propagation perpendiculaire à l'axe c du cristal) un faisceau linéairement polarisé à
λ = 1550 nm et P = 5 mW en provenance d'une diode laser (TUNICS-Plus) est injecté à
travers une fibre à maintie n de polarisation dans un guide plan implanté. Sur la Figure 5.8
nous présentons une image topographique en différence (a) et une image optique SNOM (b)
obtenues à partir de deux images prises à la suite et ensemblées pour avoir une image globale
sur une zone de 180 × 90 µm 2 .

(a) (b)
Figure 5.8. Image topographique en différence de phase (a) et image optique
en champ proche (b) représentant un guide d'onde plan dans le SBN.

L'image topographique nous montre une surface assez propre dans le sens où à part
d'une rugosité résiduelle due au polissage aucune topographie n'est présente sur la surface
balayée. L'image optique simultanément enregistrée présente la cartographie du champ
évanescent à la surface de cette région du guide plan. Cette cartographie nous montre le mode
de propagation du champ électromagnétique dans le guide plan. Comme la structure guidante
est un guide plan le confinement du champ électromagnétique ne se fait pas latéralement mais
que verticalement. Il est bien visible (par rapport aux guides canaux présentés dans le chapitre
précédent) que le champ électromagnétique s'étale latéralement sur tout la largeur de l'image

107
(90 µm) mais que la partie où l'intensité du champ est plus importante se trouve sur une
largeur d'environ 45 µm en bas de l'image (b) sur la Figure 5.8. Il faut mentionner que la zone
balayée se trouve à une distance d'environ 1 mm par rapport à l'injection dans le guide et que
la direction de propagation de la lumière se fait de bas vers le haut de l'image présentée. De
plus il est bien visible sur la même image que l'intensité du champ électromagnétique est
fortement diminuée après une propagation d'environ 60 µm. Ce phénomène est normal car le
champ électromagnétique n'étant pas confiné latéralement, c'est l'élargissement naturel du
faisceau dû à la divergence qui intervient.
Examinons maintenant ce qui se passe quand un champ électrique externe
E = 2kV / cm est appliqué au long de l'axe c du cristal, c'est-à-dire perpendiculairement à la
propagation du faisceau dans le guide. L'image SNOM ainsi obtenue est présentée sur la
Figure 5.9.

Figure 5.9. Image optique SNOM présentant le confinement latéral du champ électromagnétique
( λ = 1,55 µm ) quand un champ électrique externe est appliqué au long de l'axe c du cristal.

108
 Cette image est obtenue à partir de quatre images prises à la suite et ensemblées pour
avoir une image globale d'une zone balayée 1 de 360 × 90 µm 2 . Il est bien clair que
l'application du champ électrique externe a induit des modifications majeures en ce qui
concerne la propagation du faisceau dans le guide. Ces modifications se traduisent par
l'apparition d'un confinement latéral assez important du champ électromagnétique, dû aux
effets photoréfractifs discutés dans les sections V.1 et V.2.
Si sur l'image SNOM (b) de la Figure 5.8 l'intensité du champ évanescent devenait très
faible après environ 60 µm, sur la Figure 5.9 l'intensité du champ évanescent a pu être suivie
sur une distance de 360 µm et elle restait encore visible, signe que l'autofocalisation du champ
électromagnétique par les effets photoréfractifs est bien présente. Ensuit nous avons augmenté
progressivement le champ électrique externe jusqu'au voisinage de la valeur limite2
E = 7 kV / cm mais aucune modification notable n'a pas été mise en évidence par rapport au
cas où le champ électrique externe appliqué était de 2kV/cm.
Pour les valeurs du champ électrique externe que nous pouvons utilisé in situ dans une mesure
SNOM l'effet d'autofocalisation dans les guides plans de SBN, est beaucoup plus important
pour des longueurs d'onde dans le domaine visible, que dans le domaine infrarouge [116].
Ceci est bien en concordance avec les résultats trouvés par l'équipe d'Osnabrück dans des
expériences classiques3 , qui ont montré que le confinement du faisceau est très faible quand le
champ électrique externe varie dans l'intervalle [2; 7] kV/cm [106].

V.7. Réalisation de guides canaux par implantation ionique dans le SBN

Dans ce paragraphe nous nous proposons de présenter les études réalisées sur les
premiers guides d'ondes canaux réalisés par implantation d'ions de He+, à travers le système
de masquage identique à celui utilisé pour le LiNbO3 (cf. III.1), dans le SBN.
Pendant des travaux antérieurs, lors de la création de guides plans dans le SBN mais
aussi sur d'autres types de matériaux comme il a été décrit au chapitre III, il a été observé que
dans certaines conditions d'implantation ionique, des variations positives de l'indice
extraordinaire du matériau peuvent être créées.
Après divers essais d'obtention d'un guide canal par création de barrières optiques
latérales, comme dans le cas du LiNbO3 (cf. chapitre IV) nous avons en fait constaté que des
variations d'indice positives étaient induites dans des zones implantées en forme de ruban.

v
v Conditions d'implantation

Nous donnons ici deux exemples de guides que nous avons obtenus en utilisant des
paramètres d'implantation différents: soit des implantations multiples à une énergie fixée de
1,7 MeV mais avec des angles différents de pénétration du faisceau d'ions, soit une seule
implantation. Une zone en ruban a été ainsi implantée avec 5 couches successives réparties
entre la surface de l'échantillon et une profondeur de 4 µm et une autre en implantant une
seule couche selon le schéma donné sur la Figure 5.10. Dans les zones endommagées ainsi
que dans les zones traversées par les ions de He+ la variation de l'indice extraordinaire est
positive [56]. Les doses (fluences) d'ions de He+ utilisées pour créer le guide à 5 couches sont
respectivement 1×1015 ions/cm2 pour la première couche (en comptant de bas en haut),
1
Il faut noter que la première moitié (partant de bas en le haut) de cette image correspond exactement à la même
zone balayée sur la Figure 5.2.
2
Valeur à laquelle nous avons observé des décharges entre les électrodes de l'échantillon et des différentes
parties métalliques de notre dispositif de champ proche.
3
Analyse de la distribution transversale de l'intensité du champ électromagnétique en sortie du guide.

109
1,5 ×1015 ions/cm2 pour les trois autres couches et 2 ×1015 ions/cm2 pour la dernière couche. La
dose (fluence) utilisée pour créer le guide à une seule couche est de 1×1015 ions/cm2 . Dans ces
conditions deux guides d'onde optiques ont été créés chacun avec une largeur de 15 µm et une
épaisseur de 4 µm, comme nous allons le montrer ci-après.

Figure 5.10. Guides d'onde canaux créés par implantation ionique dans le SBN (plaquette de 5×5 mm2 ) dans
des conditions permettant une variation positive de l'indice de réfraction dans la zone implantée.

v
v Mise en évidence d'un guidage optique dans les zones implantées

Nous avons étudié les guides ainsi obtenus dans une configuration expérimentale
classique d'excitation par la tranche, comme celle présenté sur la Figure 3.3 afin de visualiser,
avec une camera CCD, le champ électromagnétique en sortie de la structure guidante.
Pour exciter les modes guidés nous avons utilisé un laser He-Ne émettant un faisceau
polarisé rectilignement avec une puissance P = 10 mW . Le faisceau laser ( λ = 632,8 nm ) est
injecté dans une fibre optique à ma intien de polarisation via un système de couplage utilisant
un objectif de microscope conformément au dispositif décrit sur la Figure 5.2. En sortie de
cette fibre, la puissance et la polarisation de la lumière peuvent être contrôlées en utilisant
respectivement un filtre neutre (roue de densité variable) et une lame demi-onde.
En excitant les modes TE (propagation perpendiculaire à l'axe c du cristal), nous
avons enregistré en sortie du guide canal à cinq couches les distributions du champ
électromagnétique présentées sur la Figure 5.11 pour différentes positions relatives de la fibre
de couplage par rapport à l'entrée du guide, donc différentes conditions de couplage de la
lumière dans le guide.

(a) (b) (c)

Figure 5.11. Visualisation avec d'une camera CCD de la distribution du champ électromagnétique
en sortie du guide canal (à cinq couches) dans le SBN pour différentes paramètres de
couplage. Mise en évidence de modes de propagation.

110
Ce sont les seuls modes que nous avons mis en évidence sur ce type de guide à la longueur
d'onde utilisée. Il faut remarquer le bon confinement latéral de la lumière en sachant que la
largeur du guide est de 15 µm.
La distribution de l'intensité à la sortie du guide canal à une seule couche est présentée
sur la Figure 5.12. Dans ce cas nous avons trouvé également que deux situations distinctes
pour différents paramètres géométriques de couplage.

Figure 5.12. Visualisation avec d'une camera CCD de la distribution du champ électromagnétique
en sortie du guide canal (à une seule couche) dans le SBN pour différentes paramètres de
couplage. Mise en évidence de modes de propagation.

Il est clair que pour ce type de guide le confinement est moins bon par rapport au guide à cinq
couches, car la largeur physique du guide est la même, 15 µm. Dans ce guide nous n'avons
pas réussi à mettre en évidence une propagation à un seul lobe, c'est-à-dire d'exciter le mode
fondamental.
Si le guide à cinq couches semble être légèrement multimode, le guide à une couche
est fortement multimode bien que les dimensions de zones implantées soient les mêmes.
L'explication que l'on peut en donner est que les variations d'indice obtenues dans les deux cas
ne sont pas les mêmes, la variation d'indice extraordinaire induite est plus forte dans le guide
à cinq couches.
D'une part, des études complémentaires seraient nécessaires pour quantifier les
variations d'indices et d'autre part pour mieux comprendre pourquoi ces deux conditions
d'implantation différentes conduisent toute les deux à des variations positives d'indice.

v
v Effets photoréfractifs sous champ électrique externe dans des guides canaux de
SBN

Par la suite, nous nous sommes intéressés aux effets électro-optiques qui peuvent se
manifester dans ces types de guides. Pour cela, nous avons utilisé la configuration
expérimentale présentée sur la Figure 5.13 où nous avons gardé le même principe de couplage
du laser dans le guide à travers une fibre optique à maintien de polarisation afin de se mettre
dans des conditions similaires à celles utilisées lors des expériences in situ en champ proche
optique. Sur les deux faces perpendiculaires à l'axe c du cristal des électrodes ont été
déposées en utilisant de la laque d'argent afin de permettre l'application d'un champ électrique
externe de quelques kV/cm. L'évolution de la distribution de l'intensité du champ
électromagnétique en sortie d'un guide canal est détectée à l'aide d'une camera CCD, les
images étant enregistrées sur un ordinateur. Nous présentons ci-après que les résultats obtenus
sur le guide à cinq couches (le guide à une seule couche montrant le même comportement)

En utilisant cette configuration nous avons excité les modes TE (propagation

perpendiculaire à l'axe c du cristal) dans le guide canal à cinq couches, et enregistré la
distribution de l'intensité du champ électromagnétique en sortie du guide en fonction de la
valeur du champ électrique externe appliqué avec des pas de Eext = 1 kV / cm . L'évolution de
la distribution du champ électromagnétique du mode excité dans le guide, présentée sur la
Figure 5.11 (a), en fonction du champ électrique externe est donnée sur la Figure 5.14.

111
 Figure 5.13. Configuration expérimentale utilisée pour l'étude des effets électro-optiques
dans des guides canaux créés par implantation ionique dans des cristaux de SBN.

On constate un effet de seuil à Eext = 4 kV / cm pour lequel la distribution d'intensité change

fortement, l'intensité totale tendant à diminuer, pour devenir quasi- nulle à Eext = 7 kV / cm . En
augmentant encore le champ électrique il n'y a plus d'énergie confinée dans le guide, au moins
détectable avec notre camera CCD. Nous reviendrons plus loin sur cet aspect.

112
Figure 5.14. Evolution de la distribution de l'intensité du champ électromagnétique en sortie du guide
canal à cinq couches en fonction de la valeur du champ électrique externe appliqué le long de l'axe c
du cristal et perpendiculairement vis -à-vis du sens de propagation de la lumière. Le mode guidé
pour Eext = 0 kV / cm est celui présenté sur la Figure 5.11 (a).

113
Regardons maintenant le comportement de l'évolution de la distribution de l'intensité du
faisceau guidé quand le mode de propagation pour Eext = 0 kV / cm est celui présenté sur la
Figure 5.11 (b) (c'est-à-dire dans la deuxième condition de couplage) est donnée sur la Figure
5.15.

Figure 5.15. Evolution de la distribution de l'intensité du champ électromagnétique en sortie du guide

canal à cinq couches en fonction de la valeur du champ électrique externe appliqué au long de l'axe c
du cristal et perpendiculairement vis à vis sens de propagation de la lumière. Le mode guidé
pour Eext = 0 kV / cm est celui présenté sur la Figure 5.11 (b).

Par rapport au cas précédent, c'est surtout une forte diminution de l'énergie confinée dans le
guide qu'est constatée à partir de la valeur seuil de Eext = 4 kV / cm précédente.
Si maintenant nous étudions l'évolution de la distribution du champ électromagnétique
se propageant dans le guide en fonction du champ électrique externe appliqué, quand le mode
de propagation de départ est celui présenté sur l'image (c) (troisième condition de couplage)
de la Figure 5.11, nous obtenons les images présentées sur la Figure 5.16. Comme dans les
autre deux cas, une variation de la distribution de l'intensité guidée est mise en évidence par
l'applicatio n d'un champ électrique externe, mais apparaissant ici pour une faible valeur de
champ Eext = 1 kV / cm . Un effet de seuil semble apparaître également autour de
Eext = 3 − 4 kV / cm et une diminution très importante de l'énergie guidée est visible à partir
d'un champ électrique externe de Eext = 7 kV / cm .

114
Figure 5.16. Evolution de la distribution de l'intensité du champ électromagnétique en sortie du guide
canal à cinq couches en fonction de la valeur du champ électrique externe appliqué au long de l'axe c
du cristal et perpendiculairement au sens de propagation de la lumière. Le mode guidé
pour Eext = 0 kV / cm est celui présenté sur la Figure 5.11 (c).

115
 L'application d'un champ électrique externe sur l'échantillon induit donc par des effets
électro-optiques des changements importants sur le guidage de la lumière dans les guides
canaux de SBN que nous avons élaborés
Analysons de plus près la variation de la distribution de l'énergie des faisceaux guidés
dans le guide à cinq couches. Pour cela sur la Figure 5.17 nous présentons la variation de
l'intensité en sortie du guide (pour la première condition de couplage) en fonction du champ
pour les images de la Figure 5.14.

Figure 5.17. Variation de la distribution de l'énergie du faisceau guidé en fonction de la

valeur du champ électrique externe, pour les images présentées sur la Figure 5.14.

On constate que l'application du champ électrique externe induit d'abord une diminution de
l'intensité du faisceau se propageant dans le guide canal entre Eext = 0 kV / cm et
Eext = 3 kV / cm . Ensuite pour Eext = 4 kV / cm on observe une augmentation de l'énergie du
faisceau guide, et enfin une redistribution de l'énergie du mode guidé en deux lobes, c'est
l'apparition d'un autre mode de propagation bien semblable en fait au mode présenté sur
l'image (b) de la Figure 6.11.
Sur la Figure 5.18, en relation avec la Figure 5.15 (deuxième condition de couplage)
on observe d'abord une augmentation de l'énergie transporté par le faisceau guidé avec le
champ électrique externe jusqu'à la valeur de Eext = 1 kV / cm et ensuite une redistribution de
l'intensité entre les deux pics accompagné d'une forte diminution de l'énergie transportée par
le faisceau. Il faut noter que dans ce cas là on constate une forte diminution de l'énergie
transportée par le faisceau pour la valeur de Eext = 4 kV / cm .
L'analyse des images présentées sur la Figure 5.16 (troisième condition de couplage)
est donnée sur la Figure 5.19. Le comportement est ici quasi- identique avec celui présenté sur
la Figure 5.16 avec d'abord une diminution de l'énergie transporte par le faisceau guidé suivie
d'une augmentation puis d'une diminution d'énergie.

116
Figure 5.18. Variation de la distribution de l'énergie du faisceau guidé en fonction de la
valeur du champ électrique externe, pour les images présentées sur la Figure 5.15.

Figure 5.19. Variation de la distribution de l'énergie du faisceau guidé en fonction de la

valeur du champ électrique externe, pour les images présentées sur la Figure 5.16.

117
 Pour mieux comprendre ces évolutions, une analyse des aires sous les graphiques des
Figures 5.17, 5.18 et 5.19, donc de la variation de l'énergie transportée par les faisceaux
guidés, est présentée sur la Figure 5.20.

140000
Energie du faisceau guidé (u.a.)

Figure 5.17
Figure 5.18
120000 Figure 5.19

100000

80000

60000

40000

20000

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
Champ électrique externe (kV/cm)

Figure 5.20. Variation de l'énergie transportée par le faisceau se propageant dans le guide canal de
SBN, en fonction du champ électrique externe appliqué pour les trois conditions de couplage.

Il est clair que en fonction de la valeur du champ électrique externe appliqué la quantité
d'énergie transportée par le faisceau guidé n'est pas la même. Donc, par effet électro-optique
et photoréfractifs, les propriétés (indice de réfraction par rapport au massif) du guide sont
modifiées, entraînant une redistribution de l'énergie dans le guide. A partir d'une certaine
valeur de champ (4 kV/cm ou 7kV/cm) le faisceau est complètement défocalisé hors du canal,
il n'y a plus d'intensité en sortie du guide.

Notons encore deux observations:

v
v les phénomènes sont réversibles c'est-à-dire que la distribution de l'énergie du
faisceau guidé suit les mêmes courbes mais en sens contraire si nous décidons à
un moment donné de diminuer la valeur du champ électrique externe.
v
v les modifications de propriétés optiques du guide par effet électro-optique sont
présentes seulement lors de l'application d'un champ électrique externe. Aucune
persistance des effets décrits n'a été mise en évidence une fois que le champ
électrique externe est mis à zéro.

118
 V.8. Etude SNOM de guides canaux dans le SBN

Il nous a semblé intéressant de prolonger les études précédentes effectuées dans une
configuration expérimentale classique, par une expérimentation en champ proche optique.
L'utilisation du même dispositif expérimental que dans le chapitre V, nous a permis
d'étudier la propagation des modes TE à la longueur d'onde de λ = 632,8 nm , avec une
puissance en sortie de la fibre de couplage à maintien de polarisation (monomode à la
longueur d'onde utilisée) de 5 mW. Il faut noter que dans cette étude la sonde SNOM utilisée
est une fibre optique effilée et métallisée.
Nous présentons sur la Figure 5.21 (a) une image topographique en différence de
phase obtenue sur une zone qui comporte une partie du guide canal à cinq couches. Aucune
structure topographique de surface n'est visible, confirmant ainsi les observations faites dans
le cas de guides optiques créés par implantation ionique et étudiés dans le chapitre précèdent
sur le caractère peu perturbant (structuralement) de ce processus de fabrication de guides
optiques. Seule une faible rugosité de surface est visible, celle-ci étant due au processus de
polissage. Les images optiques SNOM (b), (c), (d) et (e) sont obtenues sur la même zone, que
l'image topographique, mais avec des différents paramètres géométriques de couplage de la
lumière, favorisant ainsi différents modes de propagation de la lumière dans le guide. La
propagation de la lumière se fait sur une largeur d'environ 10-12 µm, ce qu'est en bon accord
avec la largeur physique présumée (compte tenu de la largeur de la fente utilisée) du guide
étudié qui est de 15 µm. Ces images nous montrent, mais cette fois-ci en champ proche
optique, les même s modes de propagation de la lumière que nous avons visualisés dans le
paragraphe précédent.

(a) (b) (c) (d) (e)

Figure 5.22. Image topographique en différence de phase (a) et images optiques en champ en
champ proche (b), (c), (d) et (e) enregistrées sur la même zone du guide canal à cinq couches dans
le SBN pour différentes conditions de couplage de la lumière,favorisant ainsi différents
modes de propagation de la lumière dans le guide.

Sur les images optiques tout autour de la zone de propagation on observe des points brillants.
Ceci est du bruit qui est dû soit à un mauvais couplage de la lumière dans le guide (faible
intensité se propageant) soit aux pertes de propagation du faisceau dans le guide soit à la
diffusion de la lumière à la surface de l'échantillon. Pour préciser l'origine de ce bruit, nous
avons décidé d'utiliser un liquide d'indice de couplage (Zeiss, n = 1,518 ) afin d'essayer
d'améliorer l' injection de la lumière dans le guide. Les images SNOM ainsi obtenues, sur une

119
portion du même guide sont présentées sur la Figure 5.22. Si l'image topographique à distance
constante (a) est identique, par contre l'image optique en champ proche (b) change
complètement. Le rapport signal sur bruit a été nettement amélioré par rapport aux images
précédentes. Il est clair maintenant que le bruit provenait de l'injection de la lumière dans le
guide.

(a) (b) (c)

Figure 5.22. Image topographique à distance constante (a), et image optique en champ proche (b)
avec sa représentation tridimensionnelle (c) obtenues sur le guide d'onde canal (à cinq couches) dans le SBN.

Par l'utilisation du liquide de couplage l'injection de la lumière se fait ainsi dans de meilleures
conditions, conduisant à une propagation du mode fondamental comme le montre l'image
optique en champ proche (b) ainsi que la représentation tridimensionnelle (c).
Nous présentons sur la Figure 5.23 d'abord le profil topographique (a) et le profil du
champ évanescent (b) sur la surface du guide imagé sur la figure précédente. La rugosité
présente sur la surface du guide est d'environ 4-5 nm.

(a) (b)
Figure 5.23. (a) Ligne de profil topographique prise sur l'image topographique (trait bleu) de la Figure 5.22.
et (b)Ligne de profile obtenue sur l'image optique SNOM (trait bleu) de la Figure 5.22

Le fait que la largeur du mode soit d'environ 5 µm implique que le faisceau à l'intérieur du
guide soit très bien confiné, car la largeur physique du guide est de 15µm.
Sur la Figure 5.24 sont données une image topographique à distance constante (a) et
une image optique en champ proche (b) sur un le même guide canal sur une longueur de
propagation d'environ 360 µm, obtenue en assemblant quatre images prises à la suite.

120
 (a) (b)
Figure 5.24. Image topographique en différence de phase (a) et image optique
SNOM d'un guide canal (à cinq couches) fabriqué par implantation ionique dans le SBN.

121
Sur toute cette longueur on trouve la même rugosité de la surface, à part quelques petites
rayures visibles en bas et en haut sur l'image topographique. La cartographie du champ
évanescent (l'image optique SNOM) présente la même structure modale du champ
électromagnétique se propageant à l'intérieur du guide et mis en évidence sur la Figure 5.11
(a) par observation en champ lointain à la sortie du guide.

V.9. Conclusion.

Dans ce chapitre nous avons montré la possibilité d'utiliser la technique SNOM pour
étudier des phénomènes photoréfractifs sous champ électrique appliqué, ici dans des guides
optiques de SBN.
Malgré les difficultés expérimentales, pour la première fois, des effets électro-optiques
permettant l'obtention de solitons spatiaux dans des matériaux photoréfractifs, ont été étudiés
in situ dans une configuration de champ proche optique à deux longueurs d'onde différentes.
Ceci nous a permis de visualiser le changement de la distribution spatiale de la lumière dans
le guide avec le champ électrique appliqué avec une très haute résolution spatiale.
Nous avons également présenté des études sur les premiers guides canaux obtenus par
implantation ionique dans le SBN et une caractérisation de leurs modes en champ proche
optique, ainsi que les études préliminaires d'effets photoréfractifs sous champ dans ces guides
dans une configuration expérimentale classique.
Des contraintes techniques et de temps ne nous ont malheureusement pas permis
d'étudier en champ proche optique les effets de défocalisation (formation de solitons sombres)
dans nos guides canaux.

122
VI. ETUDE DE LA LUMINESCENCE ET DES GUIDES
OPTIQUES DANS LE LiF
 VI. ETUDE DE LA LUMINESCENCE ET DES GUIDES OPTIQUES DANS LE
LiF

VI.1. Le matériau et centres colorés

Parmi les alcalins, le fluorure de lithium (LiF) occupe une position privilégiée vu ses
propriétés physique et optique. Malgré sa structure ionique le LiF est un matériau
relativement dur et résistant à l'humidité. Transparent entre 120 nm et 7µm ce matériau est
souvent utilisé comme fenêtre en particulier dans le domaine UV. Quelques unes de ces
propriétés physiques sont données dans le Tableau 6.1.

Propriétés LiF
Paramètre de maille (Å) a=4,026,
Densité (g/cm3 ) 2,6
Point de fusion (°C) 870
Clivage 100
Indices de réfraction (à 25°C et
n=1,39
λ=600 nm)
Solubilité dans l'eau (g/100 cm3 ) 0,27
Domaine de transparence (µm) 0,12 - 7
Dureté (échelle Mohs) 4

Tableau 6.1. Quelques propriétés physiques des cristaux de LiF.

Les propriétés optiques d'un cristal sont fortement influencées par la présence de
défauts et d'impuretés dans la matrice cristalline. Ceux-ci altèrent la structure et modifient les
états électroniques faisant apparaître de nouvelles bandes d'absorption et d'émission. Les
centres colorés sont une famille importante de défauts et on les nomme ainsi car ils
introduisent des bandes d'absorption dans le visible (mais également en IR et UV)
responsables d'une légère coloration du matériau initialement transparent.
Le centre coloré le plus simple est le centre F, qui est constitué d'une vacance
anionique et d'un électron situé à proximité de celle-ci. La vacance se comportant comme une
charge positive virtuelle on a donc, en première approximation un système assimilable à un
atome d'hydrogène [117]. Pourtant si les investigations sur ce centre ont démarré il y a
longtemps jusqu'à présent la luminescence de ce type de centres colorés n'a pas été montrée
d'une façon évidente [118].
Lors de la coloration par irradiation (rayons X, électrons, ions…) nous assistons
égaleme nt à la création d'agrégats que l'on dénomme les centres colorés de type Fn . Le centre
F2 est constitué d'une association de deux centres F que nous pouvons décrire comme une
molécule d'hydrogène plongée dans un milieu diélectrique. Ce modèle simple prédit la bande
d'absorption du centre autour de 450 nm [119]. Le centre F3 est constitué de trois centres F
disposés en triangle équilatéral. Lorsque le centre F3 est ionisé on le dénote F3 +.
Certains centres colorés comme F2 et F3 + possèdent la même bande d'absorption autour
de 450 nm, leur émission située respectivement dans le rouge et dans le vert est très bien
décrite dans la littérature [120].

Les composés alcalins comme le LiF contenant des centres colorés (CCs) ont été
étudiés en tant que milieu laser solide à large bande et grande efficacité [121]. L'émission
laser a été simultanément obtenue dans le vert et le rouge dans des cristaux de LiF contenant
des centres colorés de type F2 et F3 + avec un pompage à 450 nm [122]. Egalement les films

125
minces de LiF sont étudiés vu leur potentiel dans des applications en optique [123], en
électronique [124] est dans l'optique intégrée pour la réalisation de guides d'onde optique
actifs ou passifs [125]

VI.2. Création de centres colorés par faisceau de particules

Un puissant moyen pour générer par radiation ionisante des CCs proche de la surface
du LiF, à l’état de cristal massif ou de couche mince, est l’utilisation de faisceaux
électroniques à basse énergie ou de faisceaux d'ions. Le choix de la valeur de l’énergie du
faisceau permet de parfaitement contrôler l’épaisseur de la zone irradiée, tandis que celui de la
dose d’irradiation détermine le nombre de centres créés.

v
v Création de centres colorés par lithographie électronique

L'irradiation par un faisceau d'électrons de faible énergie crée différents types de

centres colorés localisés près de la surface du LiF cristallin [126] ou de la couche mince
[127]. Pour les faisceaux électroniques de faible énergie (<20 KeV) la profondeur de
pénétration des électrons dans le matériau cible peut être calculée avec la formule semi-
empirique [128]:
0,064 1,68
d= E
ρ

où d ( µm) est la profondeur maximale de pénétration, ρ ( g / cm 3 ) est la densité du matériau et

E (keV ) est l'énergie du faisceau des électrons. Parmi plusieurs processus possibles de
transfert d'énergie du faisceau électronique incident vers le matériau hôte, l'ionisation de
l'halogène tient la place prépondérante dans la formation des centres colorés. L'avantage
de la coloration par lithographie électronique réside dans la possibilité de fabriquer des motifs
géométriques choisis de très faibles dimensions et qui peuvent être situés très près de la
surface. Il faut cependant prendre en compte la dispersion latérale du faisceau d'électrons (en
forme de poire) dans le matériau.

v
v Création de centres colorés par implantation ionique

Les ions pénètrent dans le substrat s'y déplacent et perdent leur énergie par des
processus de collisions nucléaires 1 et d'interactions électroniques2 (conforme IV.1).
Soulignons que c'est seulement la perte d'énergie par ionisation (interactions électroniques)
qui est responsable de la formation de centres colorés. La dose d'ions implantés est un
paramètre très important dans la dynamique de la formation de centres colorés F [129].

VI.3. Préparation des échantillons par lithographie

Des structure de centres colorés ont été réalisés par lithographie à la surface de
monocristaux de LiF (taillés et polis optiquement) par C. Seassal à l'Ecole Centrale de Lyon, à
1
C'est le principal mécanisme de perte d'énergie pour les ions à faible vitesse ce sont des chocs élastiques entre
les ions incidents et les atomes de la cible qui conduisent à un déplacement de ces derniers. Lors des collisions
l'ion incident transfère une partie de son énergie à un atome de la cible.
2
C'est le phénomène prépondérant pour les ions à des grandes vitesses. L'ion pénètre dans le matériau cible est
transfère son énergie aux électrons des atomes qui sont excités ou ionisés: c'est un processus inélastique.

126
l'aide d'un microscope électronique à balayage équipé d’un logiciel de commande spécifique.
Le schéma expérimental est présenté sur la Figure 6.1. Toutes les zones sont irradiées avec la
même dose, 450 µCm-2 , et à la même énergie, 2 keV. Cette dernière valeur a été choisie de
manière à pouvoir générer des CCs dans une zone s’étendant jusqu’à une profondeur de
l’ordre de 60nm sous la surface.

Figure 6.1. Création de centres colorés par lithographie électronique

En utilisant cette méthode, un ensemble de bandes colorées d’une centaine de

micromètres de long, d’espacement et de largeur variables, d’une centaine de nanomètres à
quelques micromètres, a été créé conformément au motif géométrique présenté sur la Figure
6.2 (a). Les largeurs de bandes de centres colorés sont respectivement de 5 µm, 2µm, 1µm,
500 nm et 200 nm avec un espacement entre les bandes constant de 15 µm. Des structures de
bandes croisées ont été également créées avec des largeurs et des espacements entre les
bandes de respectivement 1 µm, selon le motif présenté sur la Figure 6.2 (b).

(a) (b)
Figure 6.2. Structure de bandes (a) et structure de bandes croisées (b) de centres colorés
à la surface de monocristaux de LiF créée par lithographie électronique.

127
 VI.3. Spectroscopie des centrés colorés.

Nous nous proposons d’utiliser la spectroscopie en champ proche pour caractériser des
structures localisées dans du LiF, colorées par lithographie électronique. Nous présentons ici
les premiers résultats obtenus sur des bandes colorées à la surface de monocristaux de ce
composé en utilisant une configuration SNOM avec une sonde à ouverture. Des résultats sur
des structures similaires, mais obtenus dans une configuration SNOM utilisant une sonde sans
ouverture ont été déjà reportés dans la littérature [130]
La configuration utilisée ici est celle en mode illumination (cf. II.4.1) en champ proche
avec une fibre optique métallisée. La fibre étant utilisée comme nano-source, la détection du
signal optique contenant l'information du champ proche est effectuée en champ lointain avec
un objectif spécifique après la réflexion sur l’échantillon et envoyé e vers un détecteur
conformément au schéma présenté sur la Figure 6.3.

Figure 6.3. Configuration utilisée pour la détection en champ proche

optique de la luminescence de centres colorés dans du LiF.

Un schéma global de l'arrangement expérimental utilisé est présenté sur la Figure 6.4.

Figure 6.4. Représentation schématique de la configuration en mode illumination locale en champ

proche avec la sonde SNOM et collection en champ lointain de la luminescence de centres colorés.

128
 La surface est donc éclairée par une fibre optique à ouverture dans laquelle le faisceau
d’un laser à argon à λ = 457,9 nm d’environ 3mW est injecté à l’aide d’un système
micrométrique de couplage. Les centres colorés de type F2 et F3 + sont excités dans leur bande
d’absorption dans le visible. Leur large bande d’émission autour de 650nm, collectée par
l’objectif de réflexion, est filtrée (pour éliminer la longueur d’onde d’excitation) et analysée
par un détecteur ou un spectromètre.
Nous présentons sur la Figure 6.5 une image topographique en différence de phase (a)
et une image optique SNOM (b) de la luminescence d’une zone comprenant une structure de
bandes colorées avec des largeurs comprises entre 5 µm et 200 nm. Les détails du relief de
l’échantillon, visibles sur l’image topographique ne se voient pas sur l’image optique SNOM
parce que la longueur d’onde d’éclairage ( λ = 457,9 nm ) a été éliminée en utilisant des filtres
passe bandes. Notons l'absence de topographie créée dans les zones irradiées. L’image
optique SNOM est donc uniquement l’image de la fluorescence des structures de centres
colorés créés dans le proche voisinage de la surface de l’échantillon. Les deux images sont
acquises simultanément sur la même zone. L'image SNOM ainsi obtenue correspond assez
bien à l'image attendue présentée sur la Figure 6.2 (a).

(a) (b)
Figure 6.5. Image topographique en différence de phase (a) et image optique en
champ proche (b) de la luminescence d'une structure de bandes de centres colorés dans du LiF

Le profil pris au long du trait bleu sur l'image (b) de la Figure 6.5 et présenté sur la Figure 6.6
nous montre une diminution de l'intensité de la luminescence avec la largeur de bandes.

Figure 6.6. Profil de l'intensité de la luminescence de bandes de centres

colorés le long du trait bleu sur l'image (b) de la Figure 6.5 (b)

129
 Sur la Figure 6.7 nous présentons une image topographique en différence de phase (a)
et une image optique SNOM (b) enregistrées sur une zone contenant la bande de 200 nm. La
largeur de cette dernière, mesurée sur l'image SNOM est cependant d'environ 300 nm. Nous
pensons que l'élargissement constaté est lié soit à une résolution insuffisante, du fait d'une
trop grande ouverture de la pointe (100 nm ou plus), soit à un défaut de contrôle de la
dimension de la zone irradiée lors de la lithographie, ou encore du fait d'une dispersion
latérale du faisceau.

(a) (b)
Figure 6.7. Image topographique en différence de phase (a) et image optique en champ proche (b) de la
luminescence de centres colorés enregistrées sur une zone contenant la bande de largeur de 200 nm.

Sur la Figure 6.8 sont reportés les spectres d’émission, correspondant à quatre des
lignes de la Figure 6.5 (b), enregistrés à l’aide d’un monochromateur intercalé entre le filtre et
le détecteur. En terme de forme de spectre et de position des maximums des l'intensités de
bandes d'émission, les spectres obtenus ici en champ proche sont similaires à celui observé à
une échelle macroscopique [125, 131] et rappelé sur la Figure 6.9.

Figure 6.8. Spectres de l'émission des centres colorés dans du LiF acquis en champ proche optique.

130
 Figure 6.9. Spectre d'émission de centres colorés dans du LiF
d'après R.M. Montereali et al [125, 131].

La luminescence de la zone comprenant une structure de bandes croisées, colorées

selon le motif géométrique présenté sur la Figure 6.2 (b) est donnée sur la Figure 6.10.

(a) (b)
Figure 6.10. Image topographique en différence de phase (a) et image optique en
champ proche (b) de la luminescence d'une structure de bandes croisées de centres colorés dans du LiF

On constate que les bandes croisées délimitent des zones circulaires (de diamètre de 1 µm) et
non carrées. Compte tenu des dimensions micrométriques des zones irradiées la cause de cette
déformation ne peut pas être attribuée à un défaut de résolution de la sonde, mais plutôt à une
dispersion latérale du faisceau d'électrons dans le matériau.

VI.4. Etude SNOM de guides optiques créés par lithographie électronique

Les échantillons que nous avons utilisés dans nos études sont des monocristaux de LiF
taillés et polis suivant les étapes décrites dans la section III.2. Ensuite, un ensemble de guides
d'onde canaux ont été créés par lithographie électronique par M. Piccinini (Centro Ricerche
Frascati, Rome). En utilisant la même configuration expérimentale que celle décrite dans le

131
paragraphe IV.3 nous avons décidé de visualiser la propagation d'un faisceau laser He-Ne à
λ = 632,8 nm compte tenu essentiellement de deux facteurs:
v
v cette longueur d'onde se trouve très proche du maximum de la bande d'émission
( λ = 650 nm ) donc les centres colorés ne l'absorbent pas.
v
v il est intéressant de voir les modes guides à cette longueur d'onde vu que nous
avons l'intention d'exciter les centres colorés du guide dans leurs bande
d'absorption et de regarder ensuite si la lumière émise par le phénomène de
luminescence est guidée ou non par le guide.
Sur la Figure 6.11 (a) nous présentons une image topographique en différence de
phase obtenue sur une zone qui comporte une partie d'un guide canal ayant une largeur de 30
µm et une profondeur de 3µm.

Figure 6.11. Image topographique en différence de phase (a) et images optiques en champ proche (b), (c), (d) et
(e) enregistrées sur la même zone du guide canal dans le LiF pour différentes conditions de couplage de la
lumière, favorisant ainsi différents modes de propagation de la lumière dans le guide.

132
Aucune structure topographique de surface n'est visible, confirmant ainsi les observations
faites dans le cas de structures en ruban de centres colorés créées par la même méthode et
étudiées dans le paragraphe précèdent. Seule une faible rugosité de surface est visible, celle-ci
étant due au processus de polissage. Les images optiques SNOM (b), (c), (d) et (e) sont
obtenues sur la même zone, que l'image topographique, mais avec des différents paramètres
géométriques de couplage de la lumière, favorisant ainsi différents modes de propagation de
la lumière dans le guide. La puissance en sortie de la fibre d'injection a été réglée à 5mW. La
propagation de la lumière se fait sur une largeur d'environ 25-30 µm, ce qui est en bon accord
avec la largeur physique présumée du guide étudié qui est de 30 µm. Ce sont les seuls modes
que nous avons mis en évidence sur ce type de guide à la longueur d'onde utilisée et donc il
est clair que le guide est multimode.
Ensuite nous avons changé la longueur d'onde injectée dans le guide. Nous avons
utilisé un laser à argon (Coherent – SABRE FreD innova technology) émettant un faisceau à
la longueur d'onde λ = 457,9 nm , celle-ci se trouvant dans la bande d'absorption des centres
colorés. La puissance du faisceau laser en sortie de la fibre d'injection étant réglée à 10 mW.
Pour visualiser sur les images SNOM que la luminescence des centres colorés sur la
même zone du guide, nous avons intercalé entre la sonde SNOM et le photodétecteur un filtre
Notch calibré à λ = 457,9 nm (Holographic Notch-Plus Filter, Kaiser Optical Systems) afin
d'éliminer la longueur d'onde d'excitation. L'image optique SNOM ainsi obtenue et présentée
sur la Figure 6.12, est uniquement due à la luminescence de centres colorés dans le guide.
Cette image nous montre clairement une forte luminescence de centres colorés sur toute la
zone balayée du guide.

Figure 6.12. Image optique SNOM présentant la luminescence (émission en rouge avec
un maximum autour de λ = 650 nm ) de guides optiques de centres colorés,
excités dans leur bande d'absorption à λ = 457,9 nm .

Afin d'essayer d'améliorer l'injection de la lumière dans le guide, nous avons d'utiliser un
liquide d'indice de couplage (Zeiss, n = 1,518 ). L'image SNOM ainsi obtenue ne diffère pas
de celle obtenue sans liquide d'indice.
Malheureusement il est difficile de dire si la lumière émise par les centres colorés est
guidée ensuite par le guide car nous n'avons pas pu mettre en évidence des distributions de

133
mode comme celles présentées sur la Figure 6.11. La difficulté vient probable ment du fait que
même si une petite partie de la luminescence est guidée, le champ évanescent créé par celle-ci
en surface du guide est noyé dans la luminescence qui n'est pas guidé mais qui est collecté en
champ proche par la pointe SNOM. Il est donc très difficile d'affirmer que la luminescence
observée est guidée ou non. Pour répondre à cette question d'autres études dans des
configurations classiques seront nécessaires.

VI.5. Etude SNOM de guides optique s créés par implantation ionique

Des travaux récents ont démontré la possibilité de création de guides d'ondes

(planaires) dans du LiF, par implantation d'ions de hélium [132]. Les études par spectroscopie
de lignes noires et la reconstruction des profils d'indices des guides ont montré que deux
mécanismes compétitifs étaient à l'origine des variations d'indice. L'un est associé aux effets
ionisants tout au long de la trajectoire des ions et l'autre aux effets d'endommagements en fin
de parcours. Le premier effet conduisant (comme les électrons dans le paragraphe précédent)
à une variation positive d'indice, le second à une variation négative. En choisissant des
conditions d'implantation favorisant le premier, il est donc possible "d'écrire" directement un
guide canal, à l'aide d'un faisceau d'ions de He+, comme avec un faisceau d'électrons.
Dans ce paragraphe nous nous proposons de présenter les premières études SNOM sur
des guides d'ondes canaux réalisés de cette manière dans le LiF par implantation à travers le
système de masquage utilisé pour le LiNbO3 ou le SBN (cf. paragraphe III.1).
Nous donnons ici deux exemples de guides que nous avons obtenus en utilisant une
seule implantation d'ions de He+ avec une énergie de 1,5 MeV à deux doses différentes
respectivement de 6 ×1013 ions/cm2 et 2,6 ×1014 ions/cm2 . Dans les zones traversées par les
ions de He+ la variation de l' indice de réfraction attendue [132] est positive selon le schéma
donné sur la Figure 6.13.

Figure 6.13. Guide d'onde canal créé par implantation ionique dans le LiF dans des conditions
permettant une variation positive de l'indice de réfraction dans la zone implantée.

En utilisant la même configuration expérimentale comme celle décrite dans le

paragraphe V.3 nous avo ns examiné la propagation d'un faisceau laser He-Ne à
λ = 632,8 nm , d'abord dans le guide canal avec la dose d'implantation plus faible. Sur la
Figure 6.14 nous présentons une image topographique (a) en différence de phase et une image
optiq ue SNOM (b) obtenue sur la même zone du guide canal

134
 Figure 6.14. Image topographique à distance constante (a), et image optique en champ proche (b)
obtenues sur le guide d'onde canal (créé avec la dose plus faible) dans le LiF

Aucune structure topographique de surface n'est visible, confirmant ainsi les observations
faites dans le cas de guides optiques créés par implantation ionique et étudiés dans les
chapitres précédents sur le caractère peu perturbant (structuralement) de ce processus de
fabricatio n de guides optiques. Seule une faible rugosité de surface est visible, celle-ci étant
due au processus de polissage. La propagation de la lumière se fait sur une largeur d'environ
10-12 µm, ce que est en bon accord avec la largeur physique présumée (compte tenu de la
largeur de la fente du masque utilisée) du guide étudié qui est de 15 µm. Notons que s'est le
seul mode de propagation que nous avons mis en évidence sur ce guide, en faisant varier les
paramètres géométriques de couplage de la lumière dans le guide.
Pour le guide canal créé par implantation avec la dose plus forte nous avons obtenu les
images présentées sur la Figure 6.15. L'image topographique (a) ne montre également aucune
structure topographique de surface.

Les images optiques SNOM (b), (c), (d) (e) et (f) sont obtenues sur la même zone, que l'image
topographique, mais avec des différents paramètres géométriques de couplage de la lumière,
favorisant ainsi différents modes de propagation dans le guide. Ces images confirment la
largeur présumée du guide de 15 µm. Ce sont les seuls modes que nous avons mis en évidence
sur ce type de guide à la longueur d'onde utilisée.

Les franges qui l'on observe également sur les images SNOM (pour les deux guides) ne sont
pas dues à des ondes stationnaires dans le guide car ces derniers n'avaient pas les tranches
d'entrée et sortie parallèles et les interfranges mesurées ne correspondent pas à celles
attendues théoriquement, compte tenu des conditions de travail. L'apparition de ces franges
est probablement due à des interférences causées par des défauts ou des inhomogénéités dans
la structure guidante.

Sur la Figure 6.16 nous donnons deux images globales, l'une topographique (a) et l'autre
optique (b), obtenues sur le guide de plus forte dose sur une longueur de 0,36 mm, résultant
de l'association de plusieurs balayages successifs effectués le long du guide.

135
 Figure 6.15. Image topographique en différence de phase (a) et images optiques en champ proche
(b), (c), (d) (e) et (f) enregistrées sur la même zone du guide canal créé avec la dose la plus
forte) dans le LiF pour différentes conditions de couplage de la lumière, favorisant
ainsi différents modes de propagation de la lumière dans le guide.

136
 (a) (b)
Figure 6.16. Image topographique en différence de phase (a) et image optique
SNOM du guide canal fabriqué par implantation ionique (dose plus forte) dans le LiF

137
 Il est clair que le guide est multimode et vu que les dimensions géométriques du guide
sont les mêmes que celles de celui ayant une dose plus faible on peut conclure que la variation
d'indice de réfraction générée par implantation ionique est plus forte. Ce résultat est conforme
aux valeurs d'indice obtenues dans la zone de guidage, des profils d'indice reconstruits pour
les guides plans, pour ces mêmes doses d'implantation.

VI.6. Conclusion.

Dans ce chapitre nous avons présenté des études réalisées sur des zones de centres
colorés (F2 et F3 +) de dimensions micrométriques et submicrométriques réalisées par
lithographie électronique dans des cristaux de LiF . Pour la première fois, des centres colorés
dans ce matériau ont été imagées et étudiés spectroscopiquement in situ en champ proche
optique dans une configuration SNOM avec une sonde à ouverture. La configuration utilisée a
été celle en mode illumination locale en champ proche et collection en réflexion avec un
objectif spécifique. Expérimentalement, nous avons ainsi pu visualiser, la luminescence en
champ proche de centres colorés et de enregistrer leur spectre d'émission.
Nous avons également présenté des études en champ proche sur des guides canaux
contenant des centres colorés obtenus par lithographie électronique ou par implantation
ionique dans le LiF. Une caractérisation de leurs modes a été effectuée, ainsi que des études
préliminaires des phénomènes de guidage de la luminescence. Malheureusement il est
difficile d'affirmer que la luminescence observée est réellement guidée ou non, pour répondre
à cette question d'autres études dans des configurations classiques seront nécessaires.

138
VII. CONCLUSION GENERALE
 VII. CONCLUSION GENERALE

Dans le cadre du développement du centre de Nano Opto Technologie de Lyon

"Nanoptec", l’objectif de ce travail a été la mise en œuvre d'une technique de champ proche
optique à sonde avec ouverture (fibre optique) pour caractériser des guides d'onde optiques,
actifs ou passifs, et étudier leur propriétés optiques.

La conduite de ces expériences a nécessité le développement d'une instrumentation

spécifique adaptée à l'architecture d’un microscope "Twin-SNOM Omicron", nouvellement
installé, afin d’étudier in situ en champ proche les guides d'onde. Pour cela, deux contraintes
nous étaient imposées: la première concernait l'injection d'un faisceau laser dans les structures
guidantes d'une manière stable est reproductible, afin de visualiser les mode de propagation
dans les guides, et la seconde l'application d'un champ électrique externe sur certains
échantillons lors du balayage avec la pointe SNOM. En collaboration avec la société Omicron
un système piézoélectrique de couplage de la lumière par fibre optique a ainsi été mis au
point, tandis que l'utilisation d’un ensemble optimisé module piézoélectrique - fibre optique
effilée non métallisée pour balayer la surface de notre échantillon nous a permis de surmonter
la seconde contrainte.

Dans un premier temps notre dispositif a été testé en réalisant des mesures sur des
guides d'onde optiques canaux fabriqués dans des monocristaux de LiNbO3 et LiTaO 3 par les
trois techniques d'élaboration connues à ce jour, diffusion de titane, échange protonique et
implantation ionique. L'acquisition simultanée, de l'image topographique, et de l'image
optique fournissant une cartographie de la distribution de l'intensité du champ
électromagnétique dans les guides, nous a permis d'obtenir des informations pertinentes sur
les conséquences de leur processus d'élaboration et leurs propriétés optiques. L'indice effectif
du mode guidé a ainsi pu être déterminé à partir de la mesure du champ proche, et nous avons
pu visualiser, sur des longueurs millimétriques, la surface des structures guidantes. La
distance maximale exploitable avec l'appareil "TwinSNOM Omicron" étant de 3 cm, la
caractérisation d'un dispositif d'optique intégrée peut donc être envisagée dans sa totalité.

Nous avons ensuite utilisé notre dispositif pour étudier des phénomènes
photoréfractifs, sous champ électrique appliqué, dans des guides optiques implantés de SBN.
Malgré les difficultés expérimentales, nous avons pu pour la première fois visualiser, avec une
résolution optique sub- longueur d’onde, le changement de distribution spatiale de la lumière
dans un guide photoréfractif sous l’effet du champ externe, dans des conditions de formation
de solitons spatiaux.

Nous avons par ailleurs présenté des études sur les premiers guides canaux obtenus par
implantation ionique dans le SBN et une caractérisation de leurs modes en champ proche
optique. Des résultats préliminaires d'effets photoréfractifs sous champ dans ces guides ont
été également obtenus dans une configuration expérimentale classique. Des contraintes
techniques et de temps ne nous ont pas permis d'étudier en champ proche optique les effets de
défocalisation observés dans nos guides canaux (formation de solitons sombres?).

Les résultats de champ proche obtenus démontrent cependant les potentialités de la

méthode. L’étude des effets photoréfractifs dans les guides plans et canaux de SBN devrait
être poursuivie en améliorant les conditions de détection in situ sous champ externe, et être
menées en parallèle avec des configurations expérimentales classiques. Cela devait permettre
de mieux appréhender les mécanismes de focalisation ou défo calisation sous champ dans ce

141
matériau. Rappelons qu’il existe de fortes potentialités d’application de ces effets (limitation
optique, routage optique de l’information…).

Des études en champ proche ont été également menées sur des zones de dimensions
micrométriques et submicrométriques contenant de centres colorés (F2 et F3 +) et réalisées par
lithographie électronique, ou implantation d’ions hélium, à la surface de monocristaux de LiF.

Pour la première fois, la luminescence de ce type de centres a été étudiée

spectroscopiquement en champ proche optique dans une configuration SNOM avec une sonde
à ouverture. La pointe SNOM a été utilisée comme nano source en illumination locale, le
signal étant collecté en champ lointain avec un objectif spécifique de collection en mode
réflexion. La luminescence des centres colorés et leur spectre d'émission ont ainsi été obtenus
et comparés à ceux observés de façon classique dans ces cristaux.

Par ailleurs, des zones colorées de dimensions adéquates étant optiquement guidantes,
nous avons pour la première fois caractérisé en champ proche les modes de propagation dans
des guides canaux élaborés par les deux méthodes. Les études préliminaires in situ en champ
proche optique de luminescence dans ces guides canaux, que nous avons menées avec une
lumière injectée à la longueur d’onde d’excitation des centres, ne permettent cependant pas de
conclure sans ambiguïté au guidage de la luminescence émise. Il est nécessaire de les
compléter en les couplant à des mesures effectuées en configuration externe.

Ce type d’études nous semble prometteur quant à la perspective de réalisation de

guides lasers dans le LiF pour des applications en optique intégrée ou utilisant des
microcavités à base de ce matériau.

Dans le prolongement des études décrites dans ce manuscrit, outre les différents points
soulignés à développer, il nous paraît intéressant d’entreprendre des simulations de la
propagation de la lumière dans les guides, en relation avec le signal de champ proche détecté,
afin de mieux quantifier leurs propriétés optiques.

L’information supplémentaire sur la phase des ondes guidées que doit apporter un
dispositif interférentiel avec une détection hétérodyne en cours de développement au centre
Nanoptec, devrait être très bénéfique, en particulier pour des études in situ de phénomènes
photoréfractifs (mélange d’ondes, interaction de solitons spatiaux…).

L’ensemble des résultats obtenus, nous confortent dans l’idée que la microscopie en
champ proche est un outil puissant et prometteur qui devait accompagner efficacement les
progrès de la nano optique.

142
ANNEXES
ANNEXE 1
ur
Equations d'onde (à second membre en E ) dans l'espace libre

Afin d'obtenir les équations d'onde nous prenons en premier lieu le rotationnel de
l'équation (1.9), dans laquelle nous avons substitué l'équation (1.13):
ur uur
ur ur ur ∂∇× H
∇ × ∇ × E = − µ0 (A-1.1)
∂t

En utilisant les relations (1.10) et (1.14) et le fait que

ur ur ur ur
∇ × ∇ × A = − ∇ 2 A + ∇(∇ ⋅ A)
nous avons:
ur
ur 2 ∂ E
2 ur ur ur
∇ E − µ 0ε 0n
2
= ∇(∇ ⋅ E) (A-1.2)
∂t
2

En développant l'équation (1.11), nous trouvons:

ur ur ur ur urur
∇⋅ D = ε 0n 2 ∇⋅ E + ε 0 E ∇n2 = 0 (A-1.3)

En substituant l'équation (A-1.3) dans l'équation (A-1.2), nous obtenons l'équation

générale de l'onde suivante:
ur ur 2
ur ∂ 2
E u
r  ur ∇ n 
∇ E − µ 0ε 0n =−∇ E ⋅ 2 
2 2
(A-1.4)
∂t 2
 n 

D'une façon similaire, il est possible de déduire que:

uur
uur 2 ∂ H
2
∇ H − µ 0ε 0n
2
=0 (A-1.5)
∂t
2

Pour les milieux inhomogènes 1 le gradient de l'indice de réfraction est non-nul

ur ur
( ∇n ≠ 0 ). Par contre, pour un milieu homogène, ∇n = 0 et la relation (A-1.4) devient alors
l'équation d'onde homogène:
ur
ur 2 ∂ E
2
∇ E − µ 0 ε 0n
2
=0 (A-1.6)
∂t
2

Les équations (A-1.4), (A-1.5), (A-1.6) représentent six équations scalaires découplées
(en composantes cartésiennes) où
∂2 ∂2 ∂2
∇2 = 2 + 2 + 2
∂x ∂y ∂z

Le calcul du champ électromagnétique d'un guide revient donc à résoudre l'équation

d'onde sous certaines conditions limites.

1
Milieux où l'indice de réfraction est une fonction des coordonnées de l'espace n(x , y, z ) .

145
 ANNEXE 2
ur
Onde incidente polarisée dont le vecteur E est normal au plan d'incidence.
ur uur
Les vecteurs E et H de l'onde incidente ont les orientations indiquées à la Figure A-
2.1. Le champ électrique de l'onde incidente (supposé connu) s'écrit de la façon suivante:
ur ur − j rk 0 i ⋅rr
E I = E 0i e (A-2.1)
où
ur r
E 0 i = E0 i a y (A-2.2)

Notre objectif est d'écrire les expressions pour le champ transmis et le champ réfléchi
ur
en fonction des paramètres E 0i , θ i , n1 et n2 qui sont supposés être connus. Si les milieux sont
ur
isotropes, hypothèse que nous avons faite au début de la section, les vecteurs E des ondes
réfléchies et transmises sont aussi perpendiculaires au plan d'incidence, tel qu'il est illustré à
la Figure A-2.1.
On notera le champ réfléchi et le champ transmis:
ur ur r r
E R = E 0 re − jk 0 r ⋅ r (A-2.3)
ur ur r r
E T = E 0t e − j k 0 t ⋅ r (A-2.4)

ur
Figure A-2.1. Plan de l'onde incidente, réfléchie et transmise pour une onde incidente
polarisée de telle façon que le vecteur E est normal au plan d'incidence.

où nous avons pour l'onde incidente,

r r
k 0i = k1 li
r uur uur
li = sin θ i ax − cos θ i az (A-2.5)
k1 = n1k0
pour l'onde réfléchie
r ur
k 0r = k1l r
ur uur uur
lr = sin θ r ax + cos θ r az (A-2.6)

146
et pour l'onde transmise
r r
k 0t = k 2 lt
r uur uur
lt = sin θ t ax − cosθ t az (A-2.7)
k 2 = n2 k 0
ur ur ur
La méthode utilisée pour obtenir E 0r , E 0t , θ r et θ t en fonction de E 0i , θ i , n1 et n2 est
la suivante. Pour commencer, nous développons les expressions (A-2.1), (A-2.3) et (A-2.4)
compte tenu des relations (A-2.5), (A-2.6) et (A-2.7). On obtient alors:
ur ur − jk ( x sinθ − z cosθ )
E I = E 0i e 1 (A-2.8)
ur ur − jk ( x sinθ + z cosθ )
i i

E R = E 0r e 1 (A-2.9)
ur ur − jk ( x sinθ − z cosθ )
r r

ET = E 0 t e 2 t t
(A-2.10)

Les propriétés des ondes TEM entraînent que:

uur r ur
H I = (1/ η 1 ) l i × E I (A-2.11)
uur r ur
H R = (1/ η1 )l r × E R (A-2.12)
uur r ur
H T = (1/ η 2 )l t × E T (A-2.13)
où
η1 = η0 / n1
(A-2.14)
η 2 = η0 / n2
ur ur ur r
Puisque E I , E R et E T sont parallèles à a y , on s'intéresse aux produits vectoriels suivants
r r r r
l i × a y = (cos θ i a x + sin θ i a z )
r r r r
l r × a y = ( − cos θ r a x + sin θ r a z )
r r r r
l t × a y = (cos θ t a x + sin θ t a z )

En introduisant ces résultats dans les équations (A-2.11) à (A-2.13), on obtient les
expressions suivantes pour les champs magnétiques

uur  E0in1 r E n r 
HI =  cos θi a x + 0i 1 sin θ i a z  e− jk1 ( x sinθi − z cosθi ) (A-2.15)
 η0 η0 
uur E n r E n r 
H R =  0r 1 cos θ r a z − 0r 1 sinθ r a x  e − jk1 ( x sinθ r + z cosθr ) (A-2.16)
 η0 η0 
uur E n r E n r 
H T =  0t 2 cos θ t a x + 0t 1 sinθ t a z  e− jk 2 ( x sinθt − z cosθt ) (A-2.17)
 η0 η0 
ur ur
Finalement, pour évaluer les inconnues E R , E T , θ r et θ t , on applique les conditions
ur uur
de continuité (Tableau 1.3) pour les composantes tangentielles de E et H à l'interface située
à z = 0 , c'est-à-dire:

147
 r ur ur r ur
s × ( E I + E R ) = s × ET (A-2.18)
r uur uur r uur
s × (H I + H R ) = s × H T (A-2.19)
r r
où s = a z

En substituant les équations (A-2.8) à (A-2.10) dans l'équation (A-2.18), pour z = 0 ,

on obtient:
( E0ie − j k1x sinθi + E0r e− jk1x sinθr ) = ( E0t e − j k2 xsinθt ) (A-2.20)

De même, en substituant les équations (2.48) à (2.50) dans l'équation de continuité (A-
2.19), pour z = 0 , nous trouvons:

(E ) (
n cos θi e− j k1 x sinθi − E0 r n1 cos θ r e− jk1 x sinθr = E0t n2 cos θ t e− j k2 xsin θt
0i 1 ) (A-2.21)

Afin de satisfaire les équations de continuité pour tous x, nous devons tout d'abord
imposer que la phase des phaseurs soit identique de chaque côté des équations (A-2.20) et (A-
2.21). Cela signifie que:
(A) sin θ i = sinθ r
et
(B) n1 sin θ i = n2 sin θ t
Puisque
k1 = n1k0
et
k 2 = n2 k 0
l'équation (A-2.20) peut se réduire à
E0i + E0r = E0t (A-2.22)
et l'équation (A-2.21) à
E0in1 cos θ i − E0r n1 cos θi = E0t n2 cos θt (A-2.23)

La cond ition (A) conduit à un fait bien connu que l'angle de réflexion est égal à l'angle
d'incidence, tandis que la condition (B) est la loi de Snell- Descartes qui détermine l'angle de
réfraction par rapport à l'angle d'incidence. Finalement, on peut résoudre les équations (A-
2.22) et (A-2.23) pour les inconnues E0 r et E0t en termes du champ incident E0i pour
trouver:

E0 r n1 cos θi − n2 cos θt
ΓN = = > 0 ou < 0 (A-2.24)
E0i n1 cos θi + n2 cos θt
E 2n1 cos θ i
τ N = 0t = > 0 toujours (A-2.25)
E0i n1 cos θ i + n2 cos θt
ur
où N indique que E 0i est normal au plane d'incidence. ur
Ce sont les deux équations de Fresnel dans le cas où la polarisation du champ E est
perpendiculaire au plan d'incidence. Elles nous donnent le rapport de l'amplitude des ondes
transmises et réfléchies par rapport à celle de l'onde incidente. Il est à remarquer que la valeur
de l'équation (A-2.25) est toujours positive. Cela signifie qu'à l'interface, l'onde transmise est

148
toujours en phase avec l'onde incidente. Le rapport ( E0r / E0i )N (équation (A-2.24)), quant à
lui, peut être positif ou négatif selon la valeur du rapport n1 / n2 .

ur
Onde incidente polarisée dont le vecteur E est parallèle au plan d'incidence
ur
Dans ce cas, les vecteurs E des trois ondes à considérer (incidente, réfléchie et
transmise) doivent être dans le plan d'incidence, comme illustré à la Figure A-2.2. On obtient
alors les résultats suivants:

E0r −n2 cos θ i + n1 cos θ t

ΓP = = > 0 ou < 0 (A-2.26)
E0 i n2 cos θ i + n1 cos θ t

E0 t 2n1 cos θ i
τP = = > 0 toujours (A-2.27)
E0i n2 cos θ i + n1 cos θt

Le premier rapport dans l'équation (A-2.26) peut être positif ou négatif. Cela entraîne
ur
que E 0 r peut avoir la direction indiquée dans la Figure A-2.2 (avec le même sens ou avec le
sens opposé).

ur
Figure A-2.2. Plans de l'onde incidente, réfléchie et transmise pour une onde incidente
polarisée d'une telle façon que le vecteur E est parallèle au plan d'incidence.

Le second rapport dans l'équation (A-2.27) est toujours positif, cela veut dire que les
champs électriques incidents et transmis sont toujours en phase à l'interface.

En conclusion, les équations (A-2.24) à (A-2.27) constituent l'ensemble des équations

de Fresnel. Ces équations et la loi de Snell-Descartes nous permettent de déterminer les
relations existant entre l'onde incidente et les ondes réfléchies et transmises, à l'interface entre
deux diélectriques pour tous types de polarisation du champ électrique.

149
 ANNEXE 3

Complément sur le modèle mathématique présenté dans le paragraphe II.1.1

En substituant les formes (1.34) et (1.35) pour les champs électrique et magnétique, les
équations de Maxwell - équations (1.19) et (1.20) - s'écrivent, pour chacune des composants
ur 0 uur 0
scalaires E et H :
k
β H 0y = 0 n 2 Ex0 (A-3.1.a)
η0
dH z0 k
− j β H x0 − = j 0 n 2 Ey0 (A-3.1.b)
dx η0
dH y0 k0 2 0
=j n Ez (A-3.1.c)
dx η0
β Ey0 = −k 0η0 H x0 (A-3.2.a)
0
dE
j β Ex0 + = jk0η0 H y0
z
(A-3.2.b)
dx
dEy0
= − jk 0η0 H z0 (A-3.2.c)
dx

Notez que nous avons encore utilisé k 0 au lieu de la pulsation ω de la source; nous avons
aussi utilisé η0 pour désigner l'impédance du vide au lieu d'utiliser ε 0 et µ0 en vue de se
conformer aux usages de l'optique.
Il est possible d'écrire toutes les composantes transverses des champs ( Ex , Ey H x H y )
en fonction des composantes longitudinales Ez et H z . Par exemple, nous obtenons
l'expression de Ex en fonction de Ez et H z en substituant (A-3.2.b) dans (A-3.1.a). Ainsi, on
montre que:

( 0 ) x
n 2 2
k − β 2
E 0
= − j β
dEz0
dx
(A-3.3)

Il est utile de définir une nouvelle constante γ de façon suivante

γ 2 ≡ n 2k02 − β 2 (A-3.4)

afin d'alléger la notation puisque cette constante, qui est en fait la différence entre le carré de
la constante de propagation d'une onde plane dans le milieu d'indice n ( k = nk0 ) et le carré de
la constante de l'onde guidée β , interviendra tout au long des calculs des modes de structures
planaires. On nommera cette constante, la constante de propagation transverse.
Pour ces combinaisons linéaires entre diverses composantes, on obtient les relations
suivantes:
j dE 0
Ex0 = − 2 β z (A-3.5.a)
γ dx
k
η0 H 0y = n2 0 Ex0 (A-3.5.b)
β

150
c'est-à-dire que les composantes Ex et H y ne dépendent que du champ Ez . De même on
montre que
jk 0η0 dH z0
Ey = + 2
0
(A-3.6.a)
γ dx
β
η0 H x0 = − E y0 (A-3.6.b)
k0

où on note maintenant que les composantes Ey et H x ne sont fonction que du champ H z .

D'autre part, on sait (équation (1.21)) que chacune des composantes des champs obéit
à l'équation d'onde scalaire. Ici, on choisira naturellement d'écrire l'équation d'onde seulement
pour les composantes longitudinales des champs soit:

d 2 Ez0
+ γ 2 Ez0 = 0 (A-3.7.a)
dx 2
d 2 H z0
2
+ γ 2 H z0 = 0 (A-3.7.b)
dx

La solution des modes du guide est maintenant ramenée à la solution de ces équations
d'onde (A-3.7) qui permettront le calcul des composantes transverses (A-3.5) et (A-3.6) dans
les deux régions d'indice n1 et n2 .

151
 ANNEXE 4

L'application des conditions aux limites sur les composantes tangentielles

On peut maintenant appliquer les conditions aux limites sur les composantes
tangentielles des champs aux interfaces x = ± a ; les composantes H z et Ey doivent alors être
continues à l'interface. On a donc:

Re C sin(ua )e j( ω t− β z ) = Ae− wae j(ω t−β z)  (A-4.1.a)

 ηk j (ω t− β z ) ηk t β z) 
− wa j(ω −
Re  j 0 0 C cos(ua) e = j 0 0 Ae e  (A-4.1.b)
 u w 

Ces équations de continuité doivent être respectées en tout temps et en tout points de
l'axe des z . Nous constatons aussi que la fréquence ω dans les deux milieux doit être la
même, comme nous l'avions supposé dès le départ. De même, la constante de propagation β
doit être identique dans les deux milieux, comme nous l'avions anticipé. Les deux équations
de continuité se réduisent donc à:
C sin(ua ) − Ae − wa = 0 (A-4.2.a)
 u  − wa
C cos(ua) −   Ae = 0 (A-4.2.b)
 w

Nous avons donc un système à deux équations homogènes possédant deux inconnues,
les constantes A et C . Pour trouver une solution non-triviale à ce système, nous devons
d'abord exiger que son déterminant soit nul. Cette condition nous amène à l'équation
transcendante
 w
tan(ua ) =   (A-4.3)
u

Ceci est l'équation caractéristique du mode TE pair. Cette équation permet de

calculer la constante (en fait, les constantes) de propagation β en termes des paramètres de la
structure guidante (n1 , n2 et a ) et de la fréquence de la sour ce ( k 0 ). Notez aussi que la
continuité à x = −a conduit à la même équation caractéristique.
Afin de compléter la solution du système à deux équations, on exprime ensuite la
constante A en fonction de l'autre constante, C . Cette dernière constante fixe l'amplitude
maximale de la composante Ey au centre de la structure (c'est-à-dire à x = 0 ). Cependant, il
est plus souvent utile de déterminer la constante C en spécifiant la puissance totale
transportée par la structure.
La puissance transportée est donnée par l'intégrale du vecteur Poynting sur la surface
du guide. Le vecteur de Poynting moyen est:

ur uur ∗
Re  E × H 
1
S = (A-4.4)
2  
Il sera donné pour le mode TE par:

1r 1r
S = a x Re  Ey H z∗  − a z Re  E y H x∗ 
2 2

152
 On considère ici que le mode se propage c'est-à-dire que la constante de propagation
∗
β est réelle. On montre alors que le terme E y H z est un imaginaire pur, la partie réelle de ce
terme étant nulle, on conclut que le vecteur Poynting moyen est uniquement selon la direction
z . Il est donné par:
1 β 2
S z= Ey (A-4.5)
2 η0k 0

La puissance transportée P sera égale à

1 β
∫ dy ∫ E y dx
2
P=
2 η0k 0

Puisque la distribution du champ Ey ne dépend que de la variable x , l'intégrale sur la

direction y sera évaluée de −b à + a ( 2b est la largeur du guide), d'où nous trouvons:

1 β
∫E
2
P= dx (A-4.6)
2 η0k 0
y

La puissance est donc transportée par le guide selon la direction + z tel que nous
l'avions exigé au départ de notre analyse. Le fait que la puissance moyenne selon x soit nulle
indique la présence d'une onde stationnaire qui entraîne que la puissance se dirige selon + x
sur la moitié du cycle et selon − x sur l'autre moitié.

Le calcul de la puissance transportée dans le cœur (n = n1 ) du guide planaire nous

donne:
2
C  1 
P1 = βη0 k0b 3  ua + sin(2ua)  (A-4.7)
u  2 

et celui de la puissance transportée dans le milieu 2 (dans la région x > a et x < −a ):

2
A
P2 = βη0 k0b 3 e −2wa
w

En utilisant la relation de continuité (A-4.2.a) qui relie les constantes A et C , on écrit

cette dernière équation sous forme:
βη0 k0b 2
P2 =
2
3
sin (ua ) C (A-4.8)
w

On peut aussi calculer la puissance totale PT = P1 + P2 transportée dans la structure et

obtenir, en utilisant l'équation caractéristique (A-4.3) que

2
βη0 k0b C
PT = [ (ua) + cot( ua) ] (A-4.9)
u3

153
On note que l'amplitude maximale du champ EM est donnée (voir Tableau 1.8) par la relation
η k
EM = 0 0 C ce qui nous permet d'écrire que:
u
β ( ab) 2  cot(ua ) 
PT = EM 1 +
( ua) 
(A-4.10)
η0k0 

Il est aussi très utile de calculer le rapport de la puissance contenue dans le cœur à la
puissance totale transportée:
P1
Γ=
P1 + P2
Pour le mode TE pair, ce rapport devient:

 ( ua) + sin(ua )cos( ua) 

Γ =  (A-4.11)
 (ua) + cot(ua) 

Pour terminer cette section, nous allons écrire les équations des modes TE pair en
termes de l'amplitude maximale du cha mp électrique en définissant:

η0 k0
EM = jC (A-4.12)
u

Les diverses composantes des champs s'écrivent pour le cœur et la gaine du guide
comme nous les présentons dans le Tableau A-4.1 et le Tableau A-4.2:

Dans le cœur TE pair

u  π
Hz = EM sin( ux)cos  ωt − β z − 
Ez ≡ 0 k0η0  2
Ex = 0 β
Hx = E M cos( ux)cos(ωt − β z − π )
E y = E M cos( ux)cos(ω t − β z ) k0η0
Hy = 0

où u 2 = n12 k02 − β 2

Tableau A-4.1. Diverses composantes des champs dans le cœur du guide pour le mode TE pair

Dans la gaine TE pair

u  π
Hz = EM sin(ua )e − w ( x− a) cos  ω t − β z − 
Ez ≡ 0 k0η0  2
Ex = 0 β − w ( x −a )
Hx = E M cos( ua) e cos(ωt − β z − π )
E y = EM cos(ua )e − w ( x− a) cos(ωt − β z ) k 0η0
Hy = 0
où w2 = β 2 − n22k 02

Tableau A-4.2. Diverses composantes des champs dans la partie gaine du guide pour le mode TE pair

154
 Cette forme de la solution modale indique clairement la continuité des champs Ey et
H z ainsi que les différences de phases des champs. Les Figures A-4.1 et A-4.2 nous montrent
la distribution transverse du champ électrique pour les deux premiers modes TE0 et TE1 .
Notez la continuité de ces solutions à l'interface ainsi que la continuité des dérivés de ces
fonctions.

Figure A-4.1. Champ Ey du mode TE0 dans un guide à trois couches.

Figure A-4.2. Champ Ey du mode TE1 dans un guide à trois couches.

Finalement, rappelons que la constante de propagation β des divers modes est

calculée en trouvant toutes les solutions possibles de l'équation caractéristique (A-4.3); on
peut réécrire cette dernière équation en fonction de β , des paramètres du milieu et de la
source de la façon suivante:
1

(
tan a n12 k02 − β 2 )  β 2 − n2 k2 2
=  2 2 2 02 
 n1 k 0 − β 
(E.C.)

155
 Le calcul des modes TE impaires ainsi que celui des modes TM pairs et impairs
s'effectue de façon identique et conduit aux équations caractéristiques suivantes Tableau A-
4.3:

w
tan(ua ) = TE pair
u
u
tan(ua ) = − TE impair
w
2
n  w
tan( ua) =  1  TM pair
 n2  u
2
n  u
tan(ua ) = −  2  TM impair
 n1  w

Tableau A-4.3. Equations caractéristiques pour les modes TE et TM (pairs et impairs)

Notez que le mode TM pair ou impair correspond à la parité de l'unique champ

magnétique non-nul ( H y )

156
 ANNEXE 5.

Matériaux anisotropes - notion de biréfringence

Rappelons que dans un milieu anisotrope, les indices de réfraction dépendent de la

direction de propagation des ondes et de leurs états de polarisation. Pour décrire cette
dépendance nous reprenons les équations générales de propagation et en tenant compte du
faite que dans la relation
ur ur
D=εE (A-5.1)
ε est un tenseur, on montre la relation

2 2 2
1 p  q  r
=   +   +  (A-5.2)
n2  n1   n2   n3 

où n représente l'indice du milieu, p , r , q les cosinus directeurs de la direction de

propagation de la vibration et n1 , n2 , n3 les indices principaux. A une direction donnée de la
vibration correspond donc un indice n parfaitement déterminé. Pour représenter
géométriquement la relation (A-5.2) ci-dessus, on porte, en partant d'une origine arbitraire et
sur une droite parallèle à la direction ( p, q, r ) une longueur égale à n . Le point ainsi défini a
pour coordonnées:
x = np
y = nq
r = nr
et il décrit une surface d'équation
2 2 2
x  y   z 
  +   +   =1 (A-5.3)
 n1   n2   n3 

C'est un ellipsoïde appelé ellipsoïde des indices et présenté dans la Figure A-5.1.

Figure A-5.1. Ellipsoïde des indices.

Un milieux anisotrope est dit uniaxe quand deux des trois indices principaux sont
égaux (soit par exemple n1 et n2 ). Un tel milieu présent, du point de vue optique, la symétrie

157
de révolution autour de l'axe Oz . La direction Oz s'appelle la direction de l'axe optique
principale.
L'ellipsoïde des indices coupe le plan Oxy suivant une circonférence. On voit alors qu'une
ur
onde dont le plan de vibration du vecteur E est perpendiculaire à l'axe optique principale d'un
milieu uniaxe s'y propage de même façon que dans un milieu isotrope. L'indice de réfraction
correspondant est appelé indice ordinaire no . L'indice correspondant aux vibrations parallèles
à l'axe optique principale est appelé indice extraordinaire ne . L'équation des indices sera ici:

x2 + y2 z2
+ =1
no ne

On appelle biréfringence le terme ne − no et un milieux uniaxe est dit positif si

ne − no > 0 . Dans ce cas, l'ellipsoïde des indices a son grand axe suivant Oz . Un milieu pour
lequel ne − no < 0 est dit uniaxe négatif. L'ellipsoïde des indices a son grand axe suivant Oy .

158
BIBLIOGRAPHIE
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