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Examen d'Électronique Analogique I

Le document est un examen d'électronique analogique I, comprenant des questions de cours et des exercices pratiques sur les diodes, les semi-conducteurs, et les circuits électriques. Les étudiants doivent analyser des circuits, calculer des valeurs de conductivité et résistivité, et tracer des schémas équivalents. L'examen évalue également la compréhension des concepts de charge/décharge de condensateurs et des caractéristiques des diodes Zener.

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Examen d'Électronique Analogique I

Le document est un examen d'électronique analogique I, comprenant des questions de cours et des exercices pratiques sur les diodes, les semi-conducteurs, et les circuits électriques. Les étudiants doivent analyser des circuits, calculer des valeurs de conductivité et résistivité, et tracer des schémas équivalents. L'examen évalue également la compréhension des concepts de charge/décharge de condensateurs et des caractéristiques des diodes Zener.

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05 / 02 / 2024

EXAMEN D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE I


*************************
(Documents non autorisés - Durée : 2h)

Nom et Prénom : …………………… Groupe : ………

Questions de cours : (3 points)


Soient les circuits représentés ci-dessous. Les diodes D1 et D2 sont considérées identiques avec
Vseuil=E0=0.7V et rd=0 et D3 est une diode Zener parfaite (Vz=7.5V et E0=0.7V). Déterminer
l’état (passant en direct, passant en inverse ou bloqué) des diodes dans les circuits (a), (b) et (c)
(justifier la réponse).

Exercice 1 : (4 points)
Soit un semi-conducteur intrinsèque en germanium à 280°K, pour lequel la concentration en
porteurs intrinsèques est : ni = pi = 4.2×1012 cm-3. La mobilité des électrons à cette température
est 3580 cm2/V.s, celle des trous est 1650 cm2 /V.s. On donne q = 1.602×10-19 C.
1- Calculer la conductivité du semi-conducteur à 280°K. En déduire sa résistivité.
2- Une impureté donneuse a été ajoutée au germanium à la concentration 5.3×1019 cm-3.
Déterminer le type du semi-conducteur dopé et calculer les nouvelles concentrations des
porteurs de charge dans le cristal.
3- Calculer la conductivité du matériau dopé.
4- On élève la température jusqu’à 400°K. Sachant que, pour le germanium, la concentration en
porteurs ni triple tous les vingt degrés, calculer sa nouvelle concentration intrinsèque à
400°K.

Exercice 2 : (4 points)
Considérons le montage ci-dessous :

On donne : E1 = 26 V, R1 = R2 = 70 , E2 = 4 V, Vseuil = E0 = 0.7 V et rd = 30 .

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1- Tracer le schéma équivalent du montage sachant que les deux diodes sont identiques, réelles
et passantes.
2- Déterminer les valeurs des courants I1 et I2.

Exercice 3 : (5 points)
Soit le montage suivant :

On suppose que la diode est idéale et on donne N2/N1 = 1/8 et R = 240 Ω.


1- Déterminer l’expression de Vs (t) lorsque la diode est passante et lorsqu’elle est bloquée.
Tracer dans ce cas Vs (t).
2- Calculer la tension efficace au secondaire du transformateur V2 et en déduire la tension crête
sur la charge.
3- Démontrer que la valeur moyenne de Vs est Vsmax/π.
4- On branche un condensateur en parallèle avec la résistance de charge. Expliquer le principe
de charge/décharge du condensateur et tracer l’allure de Vs (t) dans ce cas.
5- Calculer la tension d’ondulation ∆V sachant que le taux d’ondulation est de 5 %. Si l’on
augmente la valeur de la capacité C, quel sera son effet sur le signal de sortie Vs ? Justifier.

Exercice 4 : (4 points)
On réalise le montage suivant :

On suppose que Ve (t) = 10 sin(t) et que les diodes Zener D1 et D2 sont parfaites (Vz = 6 V, E0
= Vseuil = 0.7 V, Rz = 0 et rd = 0).
1- Donner la caractéristique I=f(V) des diodes Zener et indiquer les intervalles de conduction de
chacune.
2- Etudier le circuit ci-dessus en discutant tous les cas possibles et déterminer l’expression de
Vs.
3- Tracer sur le même graphe Ve et Vs en fonction du temps et représenter Vs = f (Ve).

BONNE CHANCE

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