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Sujet 2

Le document présente un examen pour l'admission à un programme de troisième cycle en sciences, comprenant des exercices sur la cristallographie et la physique des semi-conducteurs. Les questions portent sur des calculs de matrices de passage, de paramètres cristallographiques, de volumes de mailles, ainsi que sur des propriétés électriques d'un semi-conducteur. Les étudiants doivent démontrer leur compréhension des concepts théoriques et pratiques liés à ces sujets.

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Sujet 2

Le document présente un examen pour l'admission à un programme de troisième cycle en sciences, comprenant des exercices sur la cristallographie et la physique des semi-conducteurs. Les questions portent sur des calculs de matrices de passage, de paramètres cristallographiques, de volumes de mailles, ainsi que sur des propriétés électriques d'un semi-conducteur. Les étudiants doivent démontrer leur compréhension des concepts théoriques et pratiques liés à ces sujets.

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‫الجوهىريت الجسائريت الذيوقراطيت الشعبيت‬

‫وزارة الخعلين العالي و البحث العلوي‬


‫جاهعت الوذيت‬
‫كليت العلىم‬
2022-2021 ‫لجنت حنظين هسابقت االلخحاق بالخكىيي في الطىر الثالث‬

2022-2021 ‫إمتحان مسابقة االلتحاق بالتكويه في الطور الثالث‬


‫ فيسياء الوىاد‬:‫الخخصص‬ ‫ فيسياء‬:‫الشعبت‬ ‫ علىم الوادة‬:‫الويذاى‬
2022 ‫ فيفري‬24 :‫اليىم‬ 01:30 :‫ الوذة‬15:00 :‫الخىقيج‬ ‫ فيسياء الجسن الصلب و علن‬:‫الوادة‬
‫البلّىراث‬
‫الموضوع الثاوي‬
Exercice 1 (13Pts):
Une maille hexagonale multiple est décrite par les vecteurs de base 𝑎1 , 𝑏1 et 𝑐1 . Une deuxième
maille primitive (𝑎2 , 𝑏2 , 𝑐2 ) est définie à partir de 𝑎1 , 𝑏1 et 𝑐1 selon les relations suivantes:
2 1 1
𝑎2 = 𝑎1 + 𝑏1 + 𝑐1
3 3 3
−1 1 1
𝑏2 = 𝑎1 + 𝑏1 + 𝑐1
3 3 3
−1 2 1
𝑐2 = 𝑎 − 𝑏 + 𝑐
3 1 3 1 3 1
On donne: 𝑎1 = 5.736 Å et 𝑐1 = 11.238 Å
Les deux bases, de même origine, sont reliées par la matrice de passage A (matrice de
changement de base), comme suit:
 
 a2   a1 
  
 b2   A  b1 
 c   c 
  2  1
1) Trouver la matrice de passage A.
2) Calculer les valeurs des paramètres cristallographiques, a2, b2, c2, α2, β2 et γ2 de la maille 2.
Puis, déterminer son système cristallin.
3) Calculer les volumes (V1 et V2) des deux mailles. En déduire la multiplicité de la maille
hexagonale.
4) Trouver la matrice B reliant les coordonnées x2, y2, z2 aux coordonnées x1, y1, z1.
5) Calculer la distance AB entre deux points situés en A (2/3, 1/3, 1/3) et B (1/3, 2/3, 2/3) dans la
maille (𝑎1 , 𝑏1 , 𝑐1 ).
6) Quelle est l'équation cartésienne, relativement à la base (𝑎2 , 𝑏2 , 𝑐2 ), du premier plan
appartenant à la famille des plans réticulaires (321).

2/1 ‫الصفحت‬
7) Que devient l'équation du plan de la question 6 dans la base (𝑎1 , 𝑏1 , 𝑐1 ). En déduire les valeurs
des indices de Miller ℎ1 , 𝑘1 et ℓ1 de ce plan relativement à la base (𝑎1 , 𝑏1 , 𝑐1 ).

Exercice 2 (7Pts):
On considère un semi-conducteur d’arséniure de gallium à la température 300 K. Un composant à
effet Hall est fabriqué aux dimensions suivantes: d=0.01 cm, w=0.05 cm et L=0.5 cm (Figure. 1).
Sous l’action d’une tension Vx=2 V appliquée suivant la longueur L, le composant est parcouru
par un courant Ix=2.5 mA. L’application d’un champ magnétique perpendiculaire, Bz=2.5 10-2
Tesla, entraine une tension de Hall transversale VH= - 4 mV.
1) Trouver le type de conductivité et la densité du courant traversant l’échantillon.

2) Montrer sur la figure.1 la distribution des charges électriques et la tension VH résultante.

3) Calculer la concentration des porteurs majoritaires et leur mobilité.

4) Calculer la résistivité du matériau.

Figure.1

2/2 ‫الصفحت‬

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