Faculté des Sciences et Techniques A.U.

2016/17
Tanger
Département de physique

Cours pour MIPC

Module P11 :
Circuits électriques et
Electroniques

Réalisé par : Pr. S. BENAOUICHA

1
 CHAPITRE 1
THEOREMES GENERAUX ET ANALYSE DES CIRCUITS

2
Introduction :

Un circuit électrique forme une boucle composée de plusieurs éléments

Conducteurs reliés entre eux. Il est constitué, au moins :

– d’une source d’électricité (une pile, une batterie, une cellule solaire, le
secteur...) pour créer une différence de potentiel mesurée en volts, et pour
fournir un courant soit continu soit alternatif;

– d’un récepteur électrique ou électronique (ampoule, LED, moteur...)

– de fils conducteurs d’électricité reliant ces éléments entre eux, généralement,

un interrupteur permet de fermer le circuit (le courant peut alors passer)ou de
l’ouvrir (ce qui bloque le passage du courant).

Par convention, on considère que le courant circule de la borne positive (+) vers la
borne négative ( − ).

Quelle est la différence entre électricité et électronique ?

L’électricité est un phénomène physique qui permet de transmettre de l’énergie d’un

générateur à un récepteur, pour produire un mouvement (moteur), de la chaleur, de
la lumière... Le générateur transforme une forme d’énergie quelconque (solaire,
chimique, thermique...) en énergie électrique. L’électronique est la science du
traitement des signaux électriques. Elle utilise des composants particuliers (LED,
processeur, transistor...) fonctionnant généralement avec un courant électrique de
faible intensité.

3
 THEOREMES GENERAUX ET ANALYSE DES CIRCUITS

COURANT CONTINU ET THEPREMES GENERAUX

Courant continu :

Par définition, l’intensité du courant à travers une surface S est égale à la

charge électrique qui traverse la section S pendant un instant (Ʈ) :

Q
I=
Ʈ

Où Q représente la quantité de charges ( en coulanb ©) traversant S pendant Ʈ( en

seconde (S)).
I représente le courant continu en ampère (A).

Le courant continu est un courant électrique dont la tension est indépendante

du temps. Il est totalement constant en direction et en amplitude.

Dans le courant continu, les électrons se déplacent toujours dans le même sens.

On peut, aussi, nommé un courant continu comme un courant périodique dont

la composante continue constitue l’essentielle de la puissance, ou plus globalement
un courant électrique qui circule continuellement (ou très majoritairement) dans le
même sens.
On le représente par CC (Courant continu) ou bien DC (Direct current).

Représentation graphique de l'intensité du courant en fonction du temps:

4
Ce symbole se trouve sur de nombreux appareils électroniques qui nécessitent ou produisent du
courant continu.

Les principales sources de courant continu sont :

− certains générateurs comme des piles, des batteries d’accumulateurs, des

panneaux solaires (photo voltaîque).
− Les machines à courant continu ;
− La tension alternative issue du secteur est transformée en courant continu
après redressement et filtrage.
−
Rappels sur les dipôles :

Le dipôle électrique est un composant électrique possédant deux bornes. Par

exemple, les lampes, les interrupteurs, les générateurs, les piles, les diodes, les
résistances et les moteurs sont des dipôles. On distingue en général deux sortes de
dipôles selon l’énergie mise en jeu :

 Les générateurs ou dipôles actifs qui peuvent produire du courant

électrique pour alimenter les circuits.

 Les récepteurs ou les dipôles passifs qui reçoivent le courant électrique et ils
le transforment en une autre forme d’énergie (thermique, mécanique……).

Chaque dipôle est caractérisé par la relation suivante I = f(V) où I représente le

courant qui fournit le générateur ou qui traverse le récepteur et V représente la
d.d.p aux bornes du dipôle.

Rq : on appelle composant linéaire (resp. non linéaire) si sa caractéristique est une

forme linéaire exemple la résistance ( resp. non linéaire) exp. La diode.

Générateur :

Un générateur électrique est un système transformant une énergie quelconque en

énergie électrique.

Sources de tension et de courant

Sources de tension idéales et réelles
Générateur de tension

Symboles d'un générateur de tension dans un circuit

5
Le générateur de tension est un modèle théorique. C'est un dipôle capable d'imposer
une tension constante quelle que soit la charge reliée à ses bornes. Il est également
appelé source de tension.

Un générateur de tension idéal :

Un générateur de tension idéal délivre une tension indépendante du courant débité :

Cette tension représente la force électromotrice (f.e.m.) du générateur de tension.

E effet, lorsque le circuit est ouvert, la tension qui existe à ses bornes lorsqu'il ne
débite aucun courant est la tension à vide. Le générateur de tension est donc un
dipôle virtuel dont la tension à ses bornes est toujours égale à la tension à vide
quelle que soit la valeur du courant débité.

Le générateur de tension est obligatoirement un modèle théorique. En effet, en court-

circuit, il devrait délivrer un courant infini et donc fournir une puissance également
infinie.

Remarques importantes :

Il est impossible de placer en parallèle deux générateurs de tension de valeurs

différentes, c'est pourquoi :

− il est fortement déconseillé de mettre en parallèle une pile usagée et une pile
neuve. Les tensions imposées étant différentes, la pile neuve débitera à
travers la pile usagée jusqu'au moment où les deux piles seront déchargées.
− un conducteur parfait de résistance nulle peut être modélisé par un générateur
de tension nulle. Court-circuiter un dipôle par un conducteur parfait revient à
imposer à ses bornes une tension nulle. C'est pourquoi il ne faut jamais court-
circuiter un générateur de tension : cela revient à imposer simultanément deux
tensions différentes.

Générateur de tension réel :

La résistance interne d'un générateur de tension idéal est nulle, ce qui n'est
généralement pas le cas pour un générateur réel. Un générateur réel est
modélisé par un générateur idéal en série avec sa résistance interne. En
convention générateur, la caractéristique statique tension-courant du générateur
de tension réel devient : u = vA - vB = e - r i. La résistance interne induit une chute
de tension.

6
On a uG = vA - vB = E - r i ,donc, le circuit équivalant d’un générateur de tension réel
est donnépar

On distingue deux types de source de tension. Une source indépendante, ou

autonome, est une source dont la valeur de la f.e.m. est constante et ne dépend pas
du circuit. Une source contrôlée ou liée est une source dont la valeur de la f.e.m.
dépend d'une quantité externe à la source.

Un générateur de tension idéal est un exemple de dipôle polarisé : le signe de la

f.e.m. (ou f.c.e.m.) est indépendant de celui du courant. Selon les cas il fonctionne
comme générateur ou récepteur. En effet, en notation générateur [ p = ( vA - vB) i ]
représente la puissance délivrée au reste du circuit par la source de tension. Ainsi :

si i > 0  p > 0 source = générateur

si i < 0  p < 0 source = récepteur

Générateur de courant

Générateur de courant réel :

E−(v A −v B ) E ( v A−v B)
On a u = vA-vB = E- r’I => I = on pose =I 0 et =I G => I=I0-IG
r' r' r'
représente la loi des nœuds au point A et B, d’où le schéma équivalent du
générateur de courant réel.

7
Donc le générateur de courant est équivalent à une source de courant interne I 0 et
d’une résistance interne r’.

Générateur de courant idéal :

Un générateur de courant idéal délivre un courant I de la tension au borne du générateur, cela

impose une résistance interne de valeur très grande d’où I = I0 ∀ (vA-vB).

Association des générateurs

Association des générateurs de tension en série :

La tension au borne du circuit ci-dessus est égale à :

U = vA - vB = (E1 – r1I) + (E2 – r2I) +(E3 – r3I) = ( E1 + E2 + E3 ) – ( r1 + r2 + r3 ) I

=Eeq+ReqI

Pour une association de dipôles actifs en série, la tension à vide du groupement est
égale à la somme des tensions à vide de chaque dipôle Eeq = E1 + E2 + ……+En.

La résistance interne du groupement est égale à la somme des résistances

internes de chaque dipôle. Req = R1 + R2+………+Rn
Association des générateurs de tension en parallèle :

La tension au borne du circuit ci-dessous est égale à :

U = vA - vB = (E1 – r1I1) = (E2 – r2I2) = (E3 – r3I3) = Eeq - ReqI avec I = I1 + I2 + I3.

D’où I = [E1- (vA - vB)] / r1+ [E2- (vA - vB)] / r2+ [E3-(vA - vB)] / r3.

= (E1/r1 + E2/r2 + E3/r3 ) – (vA - vB)( 1/ r1 + 1/ r2 + 1/ r3 ) =I0eq - (vA - vB)] / Req

8
Avec 1/ Req = 1/ r1 + 1/ r2 + 1/ r3 et I0eq = E1/r1 + E2/r2 + E3/r3. D’où I = I0eq – (vA-vB)/Req

Pour une association de dipôles actifs en parallèle, l’intensité du courant de court-

circuit du groupement est égale à la somme des intensités du courant de court-circuit
de chaque dipôle. Ieq = E1/r1 + E2/r2 + E3/r3………+ En/rn = I01 + I02 + I03 +…… +I0n. La
conductance interne du groupement est égale à la somme des conductances
internes de chaque dipôle. 1/Req = 1/ r1 + 1/ r2 + 1/ r3+……+1/rn.
Théorèmes généraux :

Loi d’ohm généralisée :

Cette loi s’applique sur une portion du circuit électrique sans dérivation, et contenant
des générateurs, des récepteurs, des résistances……etc.

Par hypothèse I circule de A vers B.

- Si (AB) contient une résistance, on vA-vB = RI,

- Si (AB) contient un générateur, on a vA-vB = rI – E,
- Si (AB) contient un récepteur, on a vA-vB = E’ + r’I,
- Si (AB) contient une résistance, un générateur et un récepteur, on a v A-vB = RI
+ rI - E + E’ + r’I = (R + r + r’)I + (E’ – E).

D’une manière générale, on peut déduire que : pour une portion d’un circuit (AB)
contenant des résistances, des générateurs et des récepteurs en série et que le
courant circule de A vers B, alors

V A −V B =I ∑ résistances +∑ f . c . e . m−∑ f . e .m

Cette loi est appelée loi d’ohm généralisée.

Loi de Pouillet :

Cette loi représente la loi d’ohm généralisée pour un circuit fermé contenant des
conducteurs sans dérivation, en effet :

9
 0=I ∑ résistances+ ∑ f . c . e . m−∑ f . e . m →

∑ f . e . m−∑ f . c . e . m
I= représente la loi de Pouillet
∑ résistances
Lois de Kirchhoff

Les lois de Kirchhoff sont des propriétés physiques qui s'appliquent sur les circuits
électriques. Ces lois portent le nom du physicien Kirchhoff qui les a établies.

Les deux lois de Kirchhoff sont :

 La loi des noeuds

 La loi des mailles

L'objectif de ces lois consiste à exprimer mathématiquement la conservation de

l'énergie dans un circuit électrique.

Loi des Nœuds : En régime permanent, il ne peut pas y avoir accumulation des
charges électrique en un point du réseau. Autrement dit, la quantité de charges
électrique qui arrive en ce point doit le quitter, cela signifie que dans un noeud la
somme des intensités électrique entrantes est égale à la somme des intensités
électrique sortantes.

Schéma

Donc i2 + i3 = i1 + i4

i) Loi des mailles : Si on parcourt une maille dans un sens déterminé, il y a des
variations de potentiel entre chaque conducteur, de telle façon que la somme des
tensions le long de cette maille est toujours nulle. En d'autres termes, si on fait le
tour d'une maille et que l'ont additionne toutes les tensions de celle-ci (en faisant
attention au sens), la somme sera égale à zéro.

Schéma

Le schéma ci-dessous représente un circuit électrique fermé. Les différences de

potentiel sont représenté en vert. La boucle a l’intérieur de la maille représente le
sens dans lequel seront listées les tensions (sens de la maille).

10
Schéma illustrant la loi des mailles

En suivant la boucle à l’intérieur de la maille et en faisant attention au sens, les

tensions peuvent être listées comme ceci :

+V1 +( -V2 )+( -V3 )+( -V4 )= 0

L'équation ci-dessous utilise un signe positif lorsque la différence de potentiel est

dans le même sens que celui de la maille. De même, les tensions qui sont dans le
sens opposés à celui de la maille sont ajoutées avec un signe négatif. De ce fait, la
formule peut aussi être présentée comme ceci:

V1 - V 2 - V 3 - V 4 = 0

Pont diviseur :

Pont diviseur de tension : Le pont diviseur de tension est un montage électrique, Il

permet de déterminer une tension proportionnellement à une autre tension. Ce type
de montage est utilisé couramment pour créer une tension de référence dans un
circuit électrique.

La plus simple représentation du diviseur de tension consiste à placer deux

résistances électriques en série. Il est possible de calculer facilement la valeur de V A
dans le montage, à condition de connaitre les valeurs des résistances et la valeur de
la tension Vcc.

11
Schéma

R2
En effet, Vcc = (R1 + R2 ) I et Va = R2I d’où V a = c’est l’équation du pont diviseur de
¿¿
tension.

Pont diviseur de courant :

Un diviseur de courant, c'est un montage électronique qui permet d'obtenir un

courant d'une valeur proportionnelle à un autre courant.

Le principe du diviseur de courant ressemble à celui du diviseur de tension. La plus

simple représentation de diviseur de courant consiste à placer deux résistances en
parallèle, qui sont donc soumises à la même tension, il est possible, donc, de
calculer le courant qui parcours une des deux résistances.

On a Vcc = R1I1 = R2I2 et I = I1 + I2 → I = I1 + ( R1/R2)I1 = I2 + (R2/R1)I2 →

I = [( R1+R2)I1]/R2 = [( R1+R2)I2]/R1 → I1 = (R2/ R1+R2)I et I2 = (R1/ R1+R2)I.

Représente le pont diviseur de courant.

12
Théorème de Thévenin

Objectif :

Le théorème de Thévenin sert à modéliser des circuits électriques complexes et à les

réduire en circuits électriques très simples, dès lors, nous permettant d'appliquer les
lois fondamentales de l'électricité pour atteindre cet objectif.

Tout sous réseau d'un réseau peut être remplacé par un générateur de tension et
une résistance en série avec ce générateur (Eth, Rth).

Comment modéliser le générateur de thevenin ?:

1- Isoler le réseau (c'est à dire retirer tous les éléments qui ne font pas partis du sous
réseau pour lequel on désire connaître le générateur de Thevenin ).

2- Remplacer les sources de tension par des courts circuits et les sources de courant
par des circuits ouverts .

3- Calculer la résistance de thevenin (la résistance équivalente du circuit).

4- Rebrancher les sources (annuler l'étape 2).

5- Calculer la tension de thevenin (tension équivalente entre les deux bornes du

réseau pour lequel on cherche le générateur de Thevenin).

Exemple : modéliser le circuit ci-dessous par un générateur de Thévenin (Eth , Rth).

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 - Calculer Eth :

Eth = VA-VB lorsque le courant qui circule dans le dipôle AB est nul. Donc d’près le
PDT (pont diviseur de tension) on a :

Eth = VA-VB = (R2 + R3) V1 / (R2 + R3 + R4) = 7,5v

- Calculer Rth :

Rth représente la résistance équivalente de toutes les résistances qui se trouvent

entre les bornes AB du dipôle à modéliser lorsque V1 = 0v.

Rth =( ( R2 + R3) // R4 )+ R1 = 2kΩ.

Théorème de Norton

Tout sous réseau d'un réseau peut être remplacé par un générateur de courant et
une résistance en parallèle avec ce générateur (IN,RN).

Comment modéliser le générateur de Norton ? :

1- Pour déterminer la résistance, on annule toutes les sources du réseau 1 et on

détermine la résistance équivalente vu des deux bornes du réseau.

2- Pour calculer le générateur de courant équivalent il suffit de calculer le courant de

court-circuit circulant entre les deux bornes du réseau.

Théorème de thévenin représente la transformation duale de celle de Thévenin. La

source de tension est remplacée par une source de courant .

Figure 20

Si on remplace par un court-circuit, le courant qui circule entre et est :

est la résistance entre et quand les générateurs du réseau sont passivés.

L'équation du circuit équivalent est donc :

14
Remarque :

Un réseau linéaire, vu entre deux bornes et , peut être remplacé par une source
de courant d'intensité et de résistance interne .

- est le courant de court-circuit entre et .

- est la résistance mesurée entre et quand est retiré du circuit et que
tous les générateurs du réseau sont remplacés par leurs résistances internes.

Remarque : Equivalence Norton Thévenin

Dans plusieurs cas, le générateur de Norton est plus complexe à déterminer que le
générateur de Thevenin, c'est pourquoi il est bien souvent préférable de calculer le
générateur de thevenin et de le transposer en générateur de Norton. Pour cela on
applique la méthode de la transposition des sources :

transposition des sources

Si on connaît la résistance de thevenin Rth, on en déduit la résistance de thevenin

Gn par la relation suivante :

Gn = 1/Rth

De même, si on connaît le générateur de thevenin Eth on en déduit le générateur de

Norton In:

In =Eth/Rth

THEOREME DE KENNELY :

Le théorème de Kennely permet de passer d'un schéma en triangle à un schéma en

étoile et inversement , il est souvent utilisé pour simplifier les schémas éléctriques
et électroniques.

15
Cette transformation est faite en tenant compte des relation suivantes :

 Ra = (Rab * Rac)/somme
 Rb = (Rba * Rbc)/somme
 Rc = (Rca * Rcb)/somme

Formule réciproque :

à partir d'un schéma en étoile on peut également trouver le schéma en triangle

correspondant avec les formules suivantes:

 Rac = (Ra * Rb + Ra * Rc + Rb * Rc)/somme.

 Rab = (Ra * Rb + Ra * Rc + Rb * Rc)/somme
 Rbc = (Ra * Rb + Ra * Rc + Rb * Rc)/somme

Rq : Démonstration (Voir TD)

Théorème de superposition

Lorsqu’on a un circuit ne comportant que des dipôles linéaires et plusieurs sources,

la tension entre deux points (respectivement le courant dans une branche) est égal à
la somme algébrique des tensions (respectivement des courants) que l’on obtient en
faisant agir séparément chacune des sources indépendantes du circuit. Les autres
sources indépendantes sont alors annulées.

- une source de tension annulée devient un court-circuit (fil)

- une source de courant annulée devient un circuit ouvert (I0 = 0A).

Exemple sur un circuit simple :

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Soit I1, I2 et I les courants qui circules respectivement dans les résistances R1, R2 et
R3. Calculons le courant I, en utilisant le théorème de superposition.

- Effet de la source de courant I01 sur le circuit, lorsque I02 = 0A :

D’après le pont diviseur de courant on a: I’ = (R2/ R3+R2)I’1 avec I’1 = v1 /( R1+R2//R3)

- Effet de la source de courant I02 sur le circuit, lorsque I01 = 0A :

D’après le pont diviseur de courant on a: I’’ = (R1/ R3+R1)I’’2 avec I’’2 = v2 /(R2+R1//R3)

- Après superposition on aura : I = I’ + I’’ = (R1 v2 + R2 v1) /( R1R2 + RR1 + RR2).

Théorème de Millman

Le théorème de Millman s'applique à un circuit électrique constitué de n branches en

parallèle. Chacune de ces branches comprenant un générateur de tension parfait en
série avec un élément linéaire (résistance par exp.)

D’après Millman ce circuit est remplacé par un seul générateur équivalent

parfait EM en série avec un élément équivalent linéaire ZM.

Avec :

N
Ei
∑ zi 1
E M = i=1
N
, ZM = N

∑ z1 ∑ 1z
i=1 i i=1 i

17
 Si zi = Ri on aura
N
E
∑ Ri 1
E M = i=1
N
i
, RM= N

∑ R1 ∑ R1
i=1 i i=1 i

Courants alternatif et sinusoïdal

Courant alternatif :
Un courant alternatif est un courant électrique périodique qui change de sens 2 fois
par période et qui transporte des quantités d’électricité alternativement égales dans
les 2 sens. Un courant alternatif a, donc, un composant nul.

Un courant alternatif est caractérisé par sa fréquence qui représente le nombre de

changement du sens (alternances) qui effectue le courant électrique en une
seconde.

En effet , l’expression du courant alternatif doit vérifier la relation suivante :

i(t) = f(t) = f(t+T) où le courant correspondant est appelé courant instantané et sa

1
fréquence est donnée par f = (T : période en seconde et f en hertz)
T

Exemple de courant alternatif :

Courant sinusoïdal :
Définition :
Un courant alternatif est sinusoïdale, lorsque son intensité est une fonction
sinusoïdale du temps, c-à-d, c’est un courant qui change régulièrement de sens et de
valeur.

En général i(t) s’écrit sous la forme i(t) = Im sin(wt+φ ) ou i(t) = Im cos(wt+φ ) avec w=2 π
f.

i(t) : valeur instantanée du courant ;

18
Im : valeur maximale du courant ;

φ : la phase ;

W : pulsation ou fréquence angulaire.

La figure ci-dessous représente la courbe du courant i(t) = Im sin(wt).

Intensité efficace : La valeur efficace d’un courant alternatif est définie comme la
racine carrée de la moyenne du carré de l’intensité calculée sur une période. Elle
s’écrit :

√
T

∫ i2 dt
0
I eff =
T

Dans le cas d’un courant alternatif sinusoïdale sa valeur efficace est donnée par :

⇨ i(t) = Ieff √ 2 sin(wt+φ ).

Im
I eff =
√2
Notation complexe du courant et de tension:

Un récepteur est soumis à une tension alternative sinusoïdale de la forme

v(t)=vmcos(wt), déphasé de φ par rapport à la tension, représente les parts réelles
du courant et de la tension pour une représentation complexe.

j (wt +φ)
i (t )=I m cos ( wt +φ )=Re ( I m e )

19
 jwt ¿
v ( t )=V m cos ( wt )=R e (V m e ¿)

c-à-d en représentation complexe :

j (wt +φ) jwt jφ
i (t )=I m e =I m e e

jwt jwt j0
v ( t )=V m e =V m e e

jφ j0
I m e et V m e représentent respectivement les amplitudes complexes du courant et
de la tension.

Représentation de Fresnel

La construction de Fresnel permet de représenter une grandeur sinusoïdale par un

vecteur tournant. A chaque instant la grandeur sera égale à la projection du vecteur
qui la représente sur l'axe de référence.

Exemple

La méthode de Fresnel permet d’effectuer la somme de deux ou plusieurs grandeurs

sinusoïdales de même pulsation w. En effet, considérons 2 vecteurs ⃗ OM 1 et ⃗
OM 2à
l’instant t=0, ils ont , respectivement, des phases φ 1 et φ2 c-à-d
x 1=S1 cos(wt +φ 1¿ )et x 2=S 2 cos (wt + φ2 ¿ )¿ ¿
où x1 et x2 représentent respectivement la projection de des vecteurs ⃗ OM 1 et ⃗OM 2 sur
l’axe des x.
s1 et s2 représentent respectivement les modules des vecteurs ⃗ OM 1 et ⃗
OM 2 .

avec x=x 1 + x 2 où x représente la projection du vecteur ⃗

OM ❑ sur l’axe des x.

20
Règle de Fresnel : le vecteur de Fresnel associé à la somme de plusieurs
vibrations, s’obtient en faisant la somme vectorielle des vecteurs de Fresnel associés
à chacune des vibrations.

Loi d’ohm généralisée en courant alternatif sinusoïdale

Celle loi est représentée par : v=v A −v B=R i pour une résistance R.

di
v=v A −v B=L pour une bobine d’inductance L.
dt

1
v=v A −v B=
C
∫ id (t) pour un condensateur de capacité C.

21
Loi d’ohm pour une bobine :

Une bobine est parcourue par un courant variable et traversée par un flux
magnétique variable. D’après Lenz, il y apparait une f.e.m. s’opposant aux flux :

−d ∅ −di di
e= avec ∅ =Li → e= donc v=v A−v B =L , représente la tension induite aux
dt dt dt
bornes de la bobine.

On représentation complexe on a :

jφ di jwt jφ jwt jφ jwt

i (t )=I m e e → = j wI m e e → v=v A −v B= j LwI m e e = jLwi (t) ,on pose Z = jLw
dt
appelé impédance complexe de la bobine d’où v = Z I, représente la

Loi d’ohm pour un condensateur :

Le condensateur est un réservoir de charge électrique, car il stock une charge Q=CV
dQ
avec i = où v représente la d.d.p aux bornes du condensateur.
dt

Q 1
v=v A −v B= ∨dQ=id ( t ) → Q=∫ id ( t)donc v= ∫ id (t)
C C
jφ jφ
1 Ime I m e jwt 1
¿ i ( t )=I m e e donc v = ∫ I m e e d (t)= ∫
jφ jwt jφ jwt jwt
e d (t)= e = i ( t ),
C C jCw jCw
1
on pose Z= appelé impédance complexe du condensateur , d’où v=ZI représente la loi
jCw
d’ohm pour un condensateur.

Association des impédances :

Association des impédances en séries :

Soit n conducteurs caractérisés par des impédances z1, z2, z3,…….. zn. Ces
conducteurs sont montés en séries selon le schéma ci-dessous :

Cette association peut être remplacer par une seule impédance équivalente Z eq, tel
que Zeq = z1+z2+ z3+…….. +zn.

Dém :

22
v=v A −v B=v 1 +v 2 + v 3 +… ..+ v n=z 1 i+ z 2 i+ z 3 i+… ..+ z n i=( z 1+ z 2 + z3 + …..+ z n ) i=Z eq i→ Z eq =z 1+ z 2 + z 3+ …..+

Exemple :

i- des bobines en séries :

Zeq (jw)= z1(jw) +z2(jw) + z3(jw) +…….. +zn(jw)= jL1w + jL2w+ jL3w+…….+ jLnw
n
jLw = j (L1 + L2+L3+…….+Ln)w d’où L=∑ Li .
i=1

ii- des condensateurs en séries :

Zeq (jw)= z1(jw) +z2(jw) + z3(jw) +…….. +zn(jw)

( )
n
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
= + + +… = + + +… → =∑ .
jCw jC 1 w jC 2 w j C 3 w jC n w jw C 1 C 2 C 3 Cn C i=1 C i

Association des impédances en parallèles :

Soit n conducteurs caractérisés par des impédances z1, z2, z3,…….. zn. Ces
conducteurs sont montés en parallèles selon le schéma ci-dessous :

v v v
v=v A −v B=Zi=Z 1 i 1=Z 2 i 2=…=Z n in → i1= ,i 2= , …i n=
Z1 Z2 Zn

¿ i=i 1+ i2 +i 3 … +i n=v ( Z1 + Z1 + Z1 +…+ Z1 )= Zv →

1 2 3 n

1 1 1 1 1
= + + + …+
Z Z 1 Z2 Z 3 Zn

23
Exemple :

i- des bobines en séries :

1
=
1
+
1
+
1
jwL jwL1 jwL2 jwL3
+…+
1
=
1 1 1 1
+ + +…+
jwLn jw L1 L2 L3
1
Ln
→ ( )
n
1 1
=∑
L i=1 Li

i- des condensateurs en séries :

1 1 1 1
= + +… .+ → jcw= jw ( c 1 +c 2 +…+c n ) →
1 1 1 1
jcw j c1 w j c 2 w j cn w
n
c=∑ c i
i=1

Puissance électrique

La puissance électrique correspond au travail que peut fournir un appareil

électrique à chaque seconde. Plus précisément, la puissance électrique indique la
quantité d'énergie qu'un appareil peut transformer durant une période de temps.

Valeur instantanée de la puissance électrique :

Soit un circuit caractérisé par une impédance Z(jw), parcouru par un courant
i(t)=Imcos(wt+φ ) et alimenté par une tension v(t)= v m cos(wt). La puissance électrique
instantanée fournie à Z est donnée par l’expression suivante :

vmIm v I v I
P ( t ) =v ( t ) . i ( t )=v m cos ( wt ) I m cos ( wt + φ )= ( cos ( 2 wt +φ )+ cos φ ) = m m cosφ+ m m cos (2 wt + φ)
2 2 2

A chaque instant l’impédance Z consomme l’énergie P(t).

P ( t ) =V eff I eff cosφ+V eff I eff cos (2 wt +φ)

La valeur moyenne de la puissance électrique est donnée par :

T T
1 1
P= ∫ P ( t ) dt=¿ V eff I eff cosφ+ ∫ V eff I eff cos ( 2 wt +φ ) dt=¿V eff I eff cosφ → ¿ ¿
T 0 T 0

P ( t ) =V eff I eff cosφ; représente la puissance consommée par Z.

La puissance active :

24
Elle désigne la puissance effective liée à l’énergie électrique qui peut être convertie
par le récepteur sous une autre forme d’énergie (mécanique, thermique,……etc). elle
est définie par :

P= Veff Ieff cosφ . (unité en w)

Exp: dans cas d’une résistance φ=0 → P=V eff I eff car pour une résistance la tension
et le courant sont en phase.

La puissance réactive :

Elle est liée à l’énergie emmagasinée durant 1 /4 de période dans la self et le

condensateur du récepteur, puis entièrement restituée au réseau au cours d’autre
1 /4 de période. C’est une énergie qui n’est donc pas consommée par la charge, elle
est définie par :

Q = Veff Ieff sinφ . (unité en Var : volt ampère réactive)

La puissance apparente :

Elle représente la puissance maximale qui peut atteindre la puissance active, c-à-d
P
Cosφ=1 → S=V eff . I eff → =Cosφ
S

Cosφ représente le facteur de puissance.

Remarque : les trois types de puissances sont reliées par :

P=S Cosφ et Q=S Cosφ avec S=√ P 2+Q 2

Facteur de puissance :

La puissance consommée par une charge en courant alternatif, dépend du facteur de

puissance « Cosφ» introduit par la charge.

En effet, l’énergie électrique produit dans les centrales électriques par un fournisseur
d électricité, est transportée dans une ligne pour être fournie aux clients. Le client ne
paie au fournisseur que l’énergie qui correspond à la puissance P = [Link]φ .

La différence ∆ P qui correspond aux pertes dans la ligne est :

R P2
∆ P=R . I 2eff =
V 2eff cos φ
2

Où R représente le résistance de la ligne.

25
D’après cette relation, on déduit que la puissance perdue par effet Joule est
inversement proportionnel au facteur de puissance.

Puissance complexe

La puissance complexe est un outil mathématique de traitement des puissances

électriques à l'aide de la transformation complexe.

Pc = P + jQ où P :puissance active et Q : puissance réactive

Energie électrique
Définition
L'énergie électrique est l'énergie fournie sous forme de courant électrique à un
système de chauffage, un système électrotechnique, électronique ou un moteur.
L'électricité est directement utilisable pour effectuer un travail : déplacer une charge,
fournir de la lumière, chauffer, etc. En effet, le terme énergie électrique désigne toute
énergie transférée ou stockée grâce à l’électricité. Cette énergie est transférée d'un
système à un autre par un mouvement de charges. Pour stocker de l’énergie fournie
par transfert électrique il faut utiliser un convertisseur capable de stocker l’énergie
reçue, par exemple en énergie chimique, dans les accumulateurs ou la convertir en
énergie mécanique ou en énergie potentielle. L’énergie électrique ne peut pas être
stockée en grande quantité (seule de petites quantités de charges électriques
peuvent être stockées sous forme d’énergie dite électrostatique par exemple dans
les condensateurs).

Les systèmes susceptibles de fournir de l'énergie par transfert électrique sont les
alternateurs ou des systèmes chimiques comme les piles notamment. Les systèmes
susceptibles de transformer l'énergie issue de l'électricité sont par exemple les
résistances électriques qui la transforment en chaleur, les moteurs qui la transfèrent
par un travail mécanique, les lampes qui la transforment en rayonnement et en
chaleur, et d'autres systèmes électrotechnique ou électronique. Le transport
d'énergie électrique se fait au moyen d'un conducteur électrique, par exemple un
métal ou une solution ionique. L'énergie électrique se stocke en petite quantité par
exemple dans les condensateurs.

Relation entre puissance et énergie en régime permanent

L'apport d'énergie électrique est proportionnel à la quantité d'électricité :

L'énergie W en joules, la charge Q en coulombs et la différence de potentiel aux

bornes de l'appareil en volts.

Avec , la quantité d'électricité :

(unité le Joule)

26
CHAPITRE 2

27
 LES QUADRIPOLES

Définition

Un quadripôle est un composant ou un circuit (ensemble de composants) à

deux entrées et deux sorties qui permet le transfert d’énergie entre deux dipôles. Les
signaux électriques en entrée et en sortie peuvent être de nature différente (tension,
courant, puissance)

On distingue deux types de quadripôles : actifs et passifs

- Quadripôle actif : c’est un quadripôle qui peut fournir de l’énergie de façon

permanente.
- Quadripôle passif : c’est un quadripôle qui ne comporte pas de source
d’énergie et il ne contient que des composants passifs.

Rq : quadripôle linéaire : c’est un quadripôle dont les valeurs des éléments qui le
compose sont constantes c-à-d indépendantes des tensions ou des courants qui leur
sont appliqués.

Exemple :

- Convention récepteur : L’énergie est rentrante.

28
 - Convention générateur : L’énergie est sortante.

Rq : On utilise souvent la convention récepteur.

Grandeurs caractéristiques :

Paramètres impédances :

La structure quadripôle est donnée par :

Cette structure peut être mise en équations avec les paramètres impédances par :

V1 = z11 i1 + z12 i2 représente la loi des mailles.

V2 = z21 i1 + z22 i2 représente la loi des mailles.

Ce système d’équations devient sous forme matriciel par :

()(
v1
v2
z z i
= 11 12 1
)( )
z 21 z 22 i 2
où zij représente la matrice impédance.

La forme électrique équivalente aux équations est donnée par :

29
Donc ce schéma montre que le quadripôle est composé de deux dipôles couplés. Ce
couplage se traduit par l’intermédiaire des générateurs.

Z11 = (v1 /i1)i2=0 : impédance d’entrée.

Z22 = (v2 /i2)i1=0 : impédance de sortie.

Z21 = (v2 /i1)i2=0 : impédance de transfert direct.

Z12 = (v1 /i2)i1=0 : impédance de transfert inverse.

Exemple :

Cherchons la matrice d’impédances du circuit ci-dessous.

Avec z1= R et z2 = C.

- Impédance d’entrée du circuit :

z 11=
( )
V1
I1 I 2=0
(
∨V 1 = R+
1
jcw )
V1
I 1 → z 11= =R+
I1
1
jcw

- Impédance de sortie :

z 22=
( )
V2
I2 I 1=0
(
∨V 2= R+
1
jcw )
V2
I 2 → z 22= =R +
I2
1
jcw

- Impédance de transfert inverse :

z 12=
( )
V1
I2 I 1=0
∨V 1=( jcw1 ) I → z = I = jcw1
2 12
V1
2

- Impédance de transfert direct :

z 21=
( )
V2
I1 I 2=0
∨V 2=( ) 1
jcw
V2
I 1 → z 21= =
1
I 1 jcw

Donc la matrice impédances du circuit ci-dessus est donnée par :

30
( )
1 1
R+
jcw jcw
1 1
R+
jcw jcw

Paramètres admittances :

Cette structure peut être mise en équations avec les paramètres admittances
suivants :

i1 = y11 v1 + y12 v2 représente la loi des nœuds.

i2 = y21 v1 + y22 v2 représente la loi des nœuds.

Ce système d’équations devient sous forme matriciel par :

()( i1
i2
y
= 11
y 21 )( )
y 12 v 1
y 22 v 2
où yij représente la matrice admittance.

La forme électrique équivalente aux équations est donnée par :

Où :

y11 = (i1 /v1)v2=0 : admittance d’entrée.

y22 = (i2 /v2)v1=0 : admittance de sortie.

y21 = (i2 /v1)v2=0 : admittance de transfert direct.

y12 = (i1 /v2)v1=0 : admittance de transfert inverse.

Paramètres hybrides :

31
Cette structure peut être mise en équations avec les paramètres hybrides suivants :

V1 = h11 i1 + h12 v2 représente la loi des mailles.

i2 = h21 i1 + h22 v2 représente la loi des nœuds.

Ce système d’équations devient sous forme matriciel par :

()(
v1
i2
h h i
= 11 12 1
)( )
h 21 h22 v 2
où hij représente la matrice hybride.

La forme électrique équivalente aux équations est donnée par :

Où :

h11 = (v1 /i1)v2=0 : impédance d’entrée du Q.

h22 = (i2 /v2)i1=0 : admittance de sortie du Q.

h21 = (i2 /i1)v2=0 : gain en courant du Q.

h12 = (v1 /v2)i1=0 : gain en tension du Q.

Associations des quadripôles :

Association en série :

Les matrices d’impédances sont les mieux adaptées pour déterminer les
caractéristiques du quadripôle équivalent.

32
Le schéma ci-dessus équivalent au quadripôle suivant :

(z’) et (z’’) représentent les deux matrices impédances des quadripôles en série.

( ) ()( ) () ( ) ()
' ''
V1 I1 V I V I
¿ '
= (Z' ) et '1' =( Z' ' ) 1 → 1 =( ( Z ' ) + ( Z ' ' ) ) 1 →
V2 I2 V2 I2 V2 I2

( Z ) = ( Z' ) + ( Z ' ' )

Donc la matrice impédances du quadripôle équivalent est égale à la somme des

matrices impédances.

Association en parallèle :

Les matrices admittances sont les mieux adaptées pour déterminer les
caractéristiques du quadripôle équivalent

33
Le quadripôle équivalent est donné par :

(Y’) et (Y’’) représentent les deux matrices impédances des quadripôles en série.

() ( )() ( )() ( )
' ''
I1 V1 I V I V
¿ '
=( Y ' ) et 1'' =( Y ' ' ) 1 → 1 =( ( Y ' ) + ( Y ' ' ) ) 1 →
I2 V2 I2 V2 I2 V2

( Y )= ( Y ' )+ ( Y ' ' )

Donc la matrice admittances du quadripôle équivalent est égale à la somme des

matrices admittances.

Chapitre 3
Les filtres linaires

34
 LES FILTRES PASSIFS RLC
Définition

En électricité un filtre est un circuit électrique qui ne laisse passer que certains
signaux sinusoïdaux caractérisés par une fréquence f ou (pulsation w).

Exp. Si à l’entrée d’un filtre on applique une tension de fréquence f (ou w), si à la
sortie la tension n’est pas trop atténuée, on dit que le filtre laisse passer le
fréquence f. Mais, si la tension est atténuée alors, on dit que le filtre ne laisse pas
passer la fréquence f. Donc, le filtre est caractérisé par l’ensemble des fréquences
qu’il laisse passer appelé bande passante. On pourra utiliser le filtre pour
sélectionner certaines fréquences comme le cas du radio et du TV…..etc.

- Un filtre passe bas laisse passer les fréquences inférieures à f c (ou wc)
appelée fréquence de coupure).
- Un filtre passe haut laisse passer les fréquences supérieures à fc (ou wc).
- Un filtre passe bande laisse passer les fréquences comprises entre f c et f c
1 2

(ou ( w c et w c )).
1 2

- Un filtre coupe bande laisse passer les fréquences inférieures à f c et 1

supérieures à f c (ou ( w c et w c )).

2 1 2

CIRCUIT RLC

35
Circuit accordé série : On représente le circuit RLC série par le schéma suivant :

L’impédance complexe du circuit est donnée par l’expression suivante :

Z ( jw )=Z ( jw ) R +Z ( jw )c + Z ( jw ) L =R +
1
jcw (
+ JLw=R+ j Lw−) 1
cw
1

√
2 Lw−
1 cw
avec |Z ( jw )|= R2 +(Lw− ) et tg φ=
cw R
φ repr é sente≤d é p h asage entre≤courant et la tension aux bornes du circuit .

Un circuit RLC en série peut être surtout inductif ou surtout capacitif selon le rapport
XL
de grandeur entre la réactance inductive et la réactance capacitive .
Xc

Rq : La réactance d'un circuit électrique est la partie imaginaire de son impédance

induite par la présence d'une inductance ou d'un condensateur dans le circuit. La
réactance est notée X et s'exprime en Ω (Ohm).

 Si X > 0, le dipôle est inductif

 Si X = 0, le dipôle est purement résistif
 Si X < 0, le dipôle est capacitif

La relation entre l'impédance, la résistance et la réactance est donnée par :

avec :

 Z l'impédance, en Ω ;
 R la résistance, en Ω ;
 j l'unité imaginaire des nombres complexes ;
 X la réactance, en Ω.

Parfois, il suffit de connaître le module de l'impédance :

Pour un élément purement inductif ou capacitif, la magnitude de l'impédance est

égale à la valeur absolue de la réactance : Z = |X|.

36
Lorsque la valeur de la réactance inductive est égale à celle de la réactance
capacitive (XL = XC), le circuit n'est ni surtout inductif ni surtout capacitif. Il s'agit là
d'un phénomène tout particulier appelé résonance.

i) Principe de la résonance

Un circuit RLC en série est dit en résonance lorsque les effets des réactances
s'annulent, c'est-à-dire lorsque : XL = XC

L'impédance du circuit est alors à son minimum et est simplement égale à la

résistance du circuit (Z = R).

Or

Si : XL = XC alors : Z = R

Étant donné que le courant est partout le même dans un circuit en série et comme
les réactances sont égales (XL = XC), les tensions aux bornes des composants L et C
sont égales et s'annulent.

Par conséquent, la tension appliquée au circuit est égale à la tension aux bornes de
la résistance. La figure suivante représente la relation de phase entre les tensions et
le courant dans un circuit RLC en résonance.

Avec VL = UL , VC = UC et VR = UR

Lorsque XL = XC, le courant du circuit est en phase avec la tension appliquée au

circuit. Il peut être calculé par l'une des formules suivantes :

37
Où :

I : courant du circuit en ampères (A)

U : tension appliquée au circuit en volts (V)
Z : impédance du circuit en ohms
R : résistance du circuit en ohms

Puisque l'impédance d'un circuit RLC en résonance est à son minimum, le courant
du circuit est à son maximum.

De ce fait, la tension aux bornes du condensateur et celle aux bornes de la bobine

sont également à leur maximum.

C'est pourquoi lors de la prise des mesures d'un circuit RLC en résonance, il est
nécessaire de prendre toutes les précautions qui s'imposent.

ii) Courbes de résonance

Lors de la résonance:

 l'impédance d'un circuit RLC en série est à son minimum;

 et le courant du circuit à son maximum.

quelles sont les valeurs de l'impédance et du courant à proximité de la résonance ?

La figure représente respectivement le courant et l'impédance d'un circuit RLC en

série en fonction de la fréquence.

On peut voir qu'à la fréquence de résonance, l'impédance est à sa valeur minimale.

On remarque également qu'elle augmente symétriquement par rapport à la
fréquence de résonance (f0) au fur et à mesure que la fréquence du circuit s'éloigne
de sa valeur de résonance (f0).

38
Par contre, à la fréquence de résonance, le courant est à son maximum et sa valeur
diminue graduellement de façon symétrique au voisinage de la fréquence de
résonance.

iii) Cœfficient de surtension

Il est important de dire que la fréquence de résonance d'un circuit RLC en série est
déterminée par le produit de l'inductance et de la capacité (LC) via l'équation :

1
c-à-d w 0=
√ LC
Pour une fréquence de résonance donnée, différentes valeurs de L et de C peuvent
donner le même produit (LC), pour autant que la condition de résonance soit
respectée, c'est-à-dire que XL = XC.

L’expérience montre que lors de la résonance, les réactances peuvent être

différentes malgré une fréquence de résonance identique. C'est pourquoi lors de la
résonance, un circuit RLC en série peut être caractérisé par un facteur de qualité
"Q0" appelé coefficient de qualité du circuit oscillant. Ce facteur est défini par le
rapport entre la réactance inductive ou capacitive et la résistance, comme le
montrent les formules suivantes :

ou

L w0 1
Q 0= ou Q0= Où :
R RC w 0

XL = XC : réactance à la résonance en ohms

R : résistance du circuit en ohms
Q0 : facteur de qualité du circuit (sans unité)

Lors de la résonance d'un circuit RLC en série, la chute de tension aux bornes de la
résistance est toujours égale à celle appliquée au circuit (VR = V). Cependant, la
tension aux bornes de la bobine (VL) est égale à celle aux bornes du
condensateur (VC), et elles ne sont pas nécessairement égales à la tension
appliquée au circuit. En effet, la relation entre ces tensions s'exprime
mathématiquement comme suit : VL = VC = Q0.V

Où :

VL : tension aux bornes de la bobine à la résonance du circuit en volts (V)

VC : tension aux bornes du condensateur à la résonance du circuit en volts (V)
V : tension appliquée au circuit en volts (V)
Q0 : facteur de qualité (sans unité)

39
On appelle également le facteur de qualité "Q 0" cœfficient de surtension, puisque
effectivement il correspond au rapport de la tension maximale, soit du condensateur
ou de la bobine lors de la résonance, et la tension appliquée au circuit.

VL VC
Q 0= ouQ 0=
V V

Circuit résonant parallèle (circuit bouchon) :

Ce circuit est très utilisé en H.F. à cause de ces propriétés de sélectivité, en régime
établit.

Ce circuit bouchon est amorti par une résistance R pour diminuer sa sélectivité.

L’admittance complexe du circuit est donnée par :

2
1 1−LC w + jRCw
Y ( jw )=Y C +Y RL = jCw+ =
R+ jLw R+ jLw

' R+ jLw
d où Z ( jw )= 2 admittance complexe du circuit.
(1−LC w )+ jRCw

Si
R
1−LC w RC
2
=
L
→ w=
√1
LC L2
−
R2

L
donc pour ¿ w 0=
1
−
LC L2
R2
√
, l’impédance du circuit

deviendra réelle et vaut z ( jw )= =R0

RC

Le coefficient de surtension est donné par l’expression suivante :

|v c| Lw 0
Q 0= =R0 C w 0=
|v e| R

( )
2 2 2
21 2R C R 1 2 w0
Pour w = w0 on a w =w = 1−0 ou bien 2 = −w0 = 2
LC L L LC Q

d’où
2
(
w 0 1+
1
Q )
2
=
1
LC
2
→ w 0=
1
LC
.
1
1+ 2
1
Q

40
 2 '2 1
donc pour Q>>1 on a w 0 ≈ w0 =
√ LC
Compte tenu de cette approximation on aura :

√ √ √
'2

2L2 w 1 1 0
L 1 L R0C L C
Q = 2 = 2 . → R0 = =R Q 2 →Q= = =R0
R R C RC R C L C L

R0
→ Q=
L w0

Circuit RLC parallèle :

A l'inverse des circuits série, Les circuits RLC parallèles, sont souvent appelés
circuits bouchons car ils présentent une grande impédance pour la fréquence de
résonance fo et ils empêchent les signaux à cette fréquence d'accéder à une partie
de circuit. En électronique, les circuits bouchons sont utilisés pour "trier" différentes
fréquences dans les chaînes audio (égaliser) ou dans les téléviseurs couleur
(séparation des fréquences son, chrominance et luminance). En électricité, les
circuits bouchons sont utilisés dans les télécommandes centralisées pour éviter une
dispersion des fréquences pilotes sur le réseau.

Montage du circuit :

L’admittance du circuit ci-dessus est donnée par l’expression suivante :

Y ( jw )=Y R ( jw)+Y C ( jw)+Y L ( jw )

1 1 1 1
Y ( jw )= + jCw + = + j(Cw − )
R jLw R Lw

1
Z ( jw )= 1
D’où 1 1 à la résonance w=w0= on aura
R
+ j(Cw −
Lw
) √ LC

1 1 1 1
Z ( jw )= = = =

√ √
1 1 1 C 1 1 C w w0 1 Q w w0
+ j(Cw − ) +j ( √ LC w− ) +j ( − ) +j ( − )
R Lw R L √ LC w R L w0 w R R w0 w

41
 R R
Z ( jw )= =
w w
2 2
w −w0
1+ jQ( − 0 ) 1+ jQ ( )
w0 w w0 w

R R
Z ( jw )= =
Pour w proche de w0 on aura 2∆w ∆w
1+ jQ( ) 1+ j2 Q
w0 w0

Si w = w0 on aura Z(jw) = R → Z(jw) est maximale. On défini la sélectivité

du circuit par :

σ =¿ ¿, Représente le rapport de la tension d’alimentation maximale sur la

tension d’alimentation.

Chapitre 2
Filtres passifs

42
 Filtre passif RLC

Filtre passe bas du premier ordre:

Le circuit d’un tel filtre est représenté par le schéma électrique suivant :

Soit vs = zc ic où zc = 1 /jcw impédance complexe du condensateur.

Si w → 0 ⇨ z c → ∞

Donc le circuit devient ouvert au niveau de la sortie d’ou v s → v e.

Si w → ∞ ⇨ z c → 0 ( court-circuit de la sortie) c-à-d vs = 0v.

43
On déduit que ce filtre laisse passer les signaux de faible fréquence et atténue ceux
de haute fréquence d’où le filtre passe bas.

On pose H(jw) = vs / ve appelée fonction de transfert.

1
zc jcw 1 1 1
D’où H ( jw )= = = on pose w0 = ⇨ H ( jw )=
zR + zc 1 1+ jRcw Rc w
R+ 1+ j
jcw w0

Diagramme de Bode ( fréquence de coupure à -3 dB)

Représentation de la courbe du gain | H(jw)|:

1
|H ( jw)|=

√ ( )
2
Avec w on défini le gain en décibal par G dB = 20 log [ H(jw)| → GdB
1+
w0

( ) w ❑
( )
2
w
= - 10 log ( 1 + ), on représente le gain en dB en fonction de log .
w0 w0

Calcul des asymptotes :

( )
2
w w w w
Si w>> w0 c-à-d ≈
>> 1 on aura GdB - 10 log = -20 log → GdB = -20 log
w0 w0 w0 w0
représente l’équation d’une droite de pente (-20 dB) (voir fig. ci-dessous).

Pour w=w0 on a GdB = 0.

Si w<<w0 → GdB ≈ -10log 1 = 0.(voir fig. ci-dessous).

Donc les deux asymptotes se coupent en zéro, pour w=w0.

1
D’où |H ( jw)|= → GdB = -3dB, la fréquence correspondant à ce gain est appelé
√2
fréquence de coupure (fc) à -3dB.

Donc pour des fréquences f<<fc l’atténuation est inférieur à 3dB et pour des
fréquences f>>fc l’atténuation est supérieur à 3dB.

Remarque:

- Les signaux de fréquence w<wc sont transmis en sortie avec une atténuation
inférieur à 3dB.
- Les signaux de fréquence w>wc sont transmis en sortie avec une atténuation
supérieur à 3dB.
- La bande passante de ce filtre représente l’ensemble des fréquences qu’il
laisse passer, c-à-d [ 0, fc ].

44
Représentation de la courbe de phase:

L’argument de la fonction de transfert H(jw) est appelé la phase, il est représenté

par : φ ( w )=φs −φe =arg(¿ H ( jw ))¿

où φ s représente la phase de la tension de sortie

'
et φ e représente la phase de la tension d entrée .

1 w w w
φ ( w )=arg =arg ( 1 )−arg 1+ j =arctg ( 0 )−arctg =¿−arctg
Avec w w0 w0 w0
1+ j
w0

w
Donc φ ( w ) = - arctg
w0
.

w
On représente la phase, de la même manière que le gain, en fonction de log
w0
.

Etude des asymptotes :

π
Pour w>>w0 on a φ →
2
.

Pour w<<w0 on a φ → 0.

−π
Pour w=w0 on a φ →
4
.

( voir la représentation de phase dans la figure ci-dessous).

Filtre passe Haut :

45
Le circuit d’un tel filtre est représenté par le schéma électrique suivant :

Soit vs = Vout =R ic où zc = 1 /jcw impédance complexe du condensateur.

Si w → 0 ⇨ z c → ∞

Donc le circuit devient ouvert d’où v s → 0 v .

Si w → ∞ ⇨ z c → 0 (le condensateur est équivalent à un interrupteur fermé) c-à-d v s =ve.

On déduit que ce filtre laisse passer les signaux de haute fréquence et atténue ceux
de faible fréquence d’où le filtre passe haut.

On pose H(jw) = vs / ve appelée fonction de transfert.

w
j
zR R jRcw 1 w0
D’où H ( jw )= = = on pose w0 = ⇨ H ( jw )=
zR + zc 1 1+ jRcw Rc w
R+ 1+ j
jcw w0

Diagramme de Bode ( fréquence de coupure à -3 dB)

Représentation de la courbe du gain | H(jw)|:

w
w0
Avec |H ( jw)|= on défini le gain en décibal par G dB = 20 log [ H(jw)| → GdB

√ ( )
2
w
1+
w0

( )
2
w w w
= 20 log( ) - 10 log ( 1 + ), on représente le gain en dB en fonction de log( ).
w0 w0 w0

Calcul des asymptotes :

( )
2
w w w
Si w>> w0 c-à-d >> 1 on aura GdB = 20 log ( )- 10 log = → 0.
w0 w0 w0

Pour w=w0 on a GdB = 0.

w
Si w<<w0 → GdB ≈ 20 log ( ) (voir fig. ci-dessous).
w0

Donc les deux asymptotes se coupent en zéro, pour w=w0=wc c-à-d fc = -3dB.

46
Donc la bande passante de ce filtre est [ fc, ∞ ].

Représentation de la courbe de phase:

On rappelle que l’argument de la fonction de transfert H(jw) est appelé la phase, il

est représenté par : φ ( w )=φs −φe =arg(¿ H ( jw ))¿

où φ s représente la phase de la tension de sortie

'
et φ e représente la phase de la tension d entrée .

w
j
( )
w0 w w π w π w
Avec φ ( w )=arg =arg j −arg(1+ j )= −arctg =¿ −arctg
w w0 w0 2 w0 2 w0
1+ j
w0

π w
Donc φ ( w ) = - arctg
w0
.
2

w
On représente la phase, de la même manière que le gain, en fonction de log
w0
.

Etude des asymptotes :

Pour w>>w0 on a φ → 0 .

π
Pour w<<w0 on a φ → .
2

π
Pour w=w0 on a φ →
4
.

Les courbes ci-dessous représentent respectivement le gain en dB et la phase.

47
Filtre passe bande
Le circuit RLC sert de support pour étudier le filtre passe bande du 1er degré.

La fonction de transfert du circuit est donnée par l’équation suivante :

vs z R ie R R jRcw 1
H ( jw )= = = =¿ = ⇨ H ( jw )= =
v e z ( jw )i e
R+
1
+ jLw
1
R + j(Lw− ) ( 1−Lc w 2
) + jRcw 1 1
1+ j (Lw− ) 1
jcw cw R cw

1
Car w 0= .
√ Lc

Le coefficient de surtension est donnée par Q =

1
R √ L⇨
c

1 1
H ( jw )= =
w w0 f f0
1+ j Q( − ) 1+ jQ ( − )
w0 w f0 f
2
w w0
Donc le gain est donnée par :( − )
w0 w

48
 1
|H ( jw)|=

√
2
w w0
2
1+Q ( − )
w0 w

Le déphasage est donnée par :

w w0
φ ( w )=φs −φe =arg(¿ H ( jw ))¿ = - arctg( − ).
w0 w

Etudes des asymptotes:

a- du gain:
−π
Pour w>>w0 on a φ →
2
.

π
Pour w<<w0 on a φ → .
2

Pour w=w0 on a φ → 0 .

b- du déphasage:
Pour w>>w0,
2
2 w w w
On a: GdB = -10 log ( 1 + Q ( ) ¿ ≈−20 log Q =¿−20 log (Q)−20 log ¿
w0 w0 w0

Pour w<<w0 ,
2
w0
2 w0 w
On a: GdB = -10 log ( 1 + Q ( ) ¿ ≈−20 log Q =¿−20 log (Q)+ 20 log ¿
w w w0

Nous avons, donc, deux asymptotes de pentes respectivement - 20dB et +20dB.

w
Les deux asymptotes se coupent pour w=w 0 c-à-d log =0. d’où le gain est égale
w0
à : GdB = -20 logQ.

Rq :

1/ Si Q>1 la courbe du gain en dB est au dessous des asymptotes,

2/ Si Q<1 la courbe du gain en dB est au dessus des asymptotes,

3/ si Q=1 la courbe du gain en dB passe par le point de concours des asymptotes.

Fréquence de coupure et bande passante à -3dB :

Au fréquence de coupure on a :

49
 2
1 1 1 2 w w0
|H ( jw)|= ⇨ = ⇨ Q ( − ) =1

√
√2 2 w w0
2 √2 w0 w
1+Q ( − )
w0 w

D’où l’existance de deux équations en w :

w w0
11ère équation : w2 + -w 20 =0
Q

w w0
2ème équation : w2 - -w 20 =0
Q

Seules les solutions positives sont acceptables, d’où :

w c 1=
−w 0
Q
+
√( w0 2
Q
2
)+4 w0 = w0
2Q
¿

w c 2=
w0
Q
+
√( Q
2
)
w0 2
+4 w0 = w0
2Q
¿

w0
La bande passante a pour expression : BP = w c 2−w c2= si Q est très élevé la
Q
bande passante est très étroite.

50
 CHAPITRE 4

COMPOSANTS ELECTRONIQUES DE BASE

DIODE A JONCTION PN

51
Introduction aux semi-conducteurs :

L'utilisation des propriétés des semi-conducteurs a révolutionné nos vies, dans les
domaines d’électronique, d’informatique des télécoms….etc. En effet, les nouveaux
processeurs contiennent x millions de transistors". Or un transistor est fabriqué à
base de matériaux semi-conducteurs. Donc sans semi-conducteurs, pas de
transistors, pas de processeur, pas d'ordinateur, pas de téléphone, pas de tablettes,
pas de télévision, et ,donc,tous les circuits actifs actuels (analogiques comme
numériques) sont fabriqués à base de semi-conducteurs. Pae conséquent toute
l'électronique moderne les utilise.

Définition d’un semi-conducteur :

Les semi-conducteurs sont des matériaux qui ne sont pas des bons conducteurs ni
des isolants.

Structure atomique et niveaux énergétiques :

Un atome contient des nucléons (protons et neutrons) et des électrons. Les électrons
gravitent autour d'un noyau de nucléons.

En théorie classique de la physique, ces orbites sont elliptiques (ou circulaire), selon
le modèle de Bohr.

Dans la théorie quantique, les électrons n'occupent pas une place définie, mais ont
une certaine probabilité d'occuper une région de l'espace autour du noyau ; cette
probabilité est appelée orbitale atomique. Ces orbitales sont décrites par 3 nombres
quantiques, qui définissent - avec un quatrième nombre appelé spin - l'état quantique
de l'électron. Pour un état quantique donné, l'électron possède une énergie donnée,
et dans un atome, il ne peut y avoir qu'un seul électron par état quantique. Enfin, les
états quantiques sont remplis par les électrons par énergie croissante.

On peut donc conclure que :

- les électrons possèdent une énergie ;

- au sein d'un atome, deux électrons ne peuvent avoir la même énergie
- les orbitales atomiques sont remplies par les électrons par niveaux d'énergie
croissants.

L'énergie d'un électron

52
Un électron isolé, détaché de tout atome ou de tout matériau peut prendre n'importe
quelle valeur d'énergie.

Dans un atome, il ne peut prendre que des valeurs parfaitement définies, multiples
d'un niveau fondamental.

Dans un solide l'énergie des électrons peut prendre toute valeur à l'intérieur d'un
intervalle dépendant de la structure du matériau, on parle de bandes d'énergie. Il
peut exister plusieurs bandes auxquelles l'énergie des électrons peut appartenir : ce
sont les bandes permises. A l'inverse, il ne peut y avoir d'électrons dont l'énergie
appartient aux bandes interdites.

Chaque bande peut contenir un nombre précis d'électrons, qui sont remplis par des
niveaux d'énergie croissant.

Semi-conducteur

A la température T = 0 °K, la bande de valence est la dernière bande d'énergie

complètement remplie d'électrons. Par contre la bande de conduction est la bande
d'énergie supérieure ou égale à celle de la bande de valence, mais qui n'est pas
remplie. L'énergie qui sépare ces deux bandes est appelée gap, ou band gap.

53
Les électrons appartenant à la bande de valence permettent la cohésion locale d'un
solide ou d'un matériau : ils interagissent avec les atomes voisins pour rendre la
structure [Link] électrons de la bande de conduction sont eux dit délocalisés : ils
peuvent se déplacer au sein du matériau, d'atome en atome, pour participer à la
conduction électrique.

Donc, si la bande de conduction est partiellement remplie, quelque soit la taille du

gap, des électrons au sein du matériau participent à la conduction électrique : le
matériau est conducteur ;

Si la bande de conduction est vide et si le gap est grand (plusieurs électrons-volt,

voir ci-dessous), aucun électron du matériau ne peut participer à la conduction : la
matériau est isolant ;

si le gap est suffisamment petit (de l'ordre de l'électron-volt), le matériau est, au

repos, isolant. Mais la moindre excitation, thermique ou électrique, permet à certains
électrons de la bande de valence de franchir le gap et le matériau devient
conducteur. On parle alors de matériau semi-conducteur.

Notion de trou :

Lorsqu'un électron quitte la bande de valence pour la bande de conduction, on dit

qu'il y a création d'un trou : c'est une lacune en charge négative, assimilable à une
charge positive.

Les éléments semi-conducteurs

Dans le tableau périodique des éléments, les semi-conducteurs se situent dans la

colonne IV, où les atomes de cette colonne comportent 4 électrons sur leur dernière
couche électronique

Tous les éléments de la colonne IV ne sont pas semi-conducteurs ! Cela dépend

toujours de la largeur du gap au sein du cristal.

54
Le Silicium, l'élément semi-conducteur le plus courant, et qui constitue la base de la
très grande majorité des circuits électroniques actuels, de symbole Si, est le
composant de numéro atomique 14. Cela signifie qu'un atome de silicium est entouré
de 14 électrons en tout.

Les atomes semi-conducteurs peuvent s'ordonner en cristaux très compacts, et dans

ces cristaux, les 4 places occupées se situent dans des niveaux d'énergie bas, et les
places vacantes dans des niveaux plus élevés (Plus précisément, de valence et de
conduction respectivement).

Une petite excitation (d'énergie supérieure à celle du gap) et les électrons migrent
vers les niveaux plus élevés et rendent le cristal conducteur !

Remarque :

A l'heure actuelle, le semi-conducteur le plus utilisé est le silicium, pour une raison
simple : son faible coût. Il est en effet présent à près de 25% dans la croûte terrestre,
et est très facile à extraire et à traiter.

Les semi-conducteurs intrinsèques et extrinsèques

Semi-conducteurs intrinsèques

Définition : Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau semi-conducteur pur :

le matériau est parfaitement régulier et ne contient aucune impureté.

Son comportement électrique ne dépend alors que de sa structure et de l'excitation

thermique :

 à 0 K, le matériau est isolant ;

 plus on chauffe, plus le nombre d'électrons arraché à la bande de valence
augmente et plus le matériau est conducteur.

Ce type des semi-conducteurs ne sont pas intéressants car ils présentent une
conductivité très faible, à moins d'être portés à très haute température.

Cette propriété est fondamentale, pour l'industrie microélectronique, il n'est pas

intéressant de chercher à fabriquer de semi-conducteurs intrinsèques, aux propriétés
électroniques déplorables ; il est bien plus intéressant de contrôler le niveau
d'impuretés dans le matériau pour lui donner des caractéristiques exploitables. On
parle alors de dopage.

Dopage des semi-conducteurs intrinsèques :

Le dopage est une technique qui permet aux semi-conducteurs de conduire plus
efficacement, en introduisant des impuretés au sein du solide lors de sa fabrication.

Si les impuretés sont trop nombreuses (plus d'une impureté par atome de semi-
conducteur intrinsèque), le solide est dit dégénéré, et ses propriétés sont
difficilement utilisable.

55
Dans le reste de cette partie, on ne considérera que des semi-conducteurs non
dégénérés.

On ne peut pas utiliser n'importe quel atome pour doper un semi-conducteur !

Les dopants sont choisis pour les niveaux électroniques qu'ils introduisent au sein du
cristal, et aussi pour leur habilité à ne pas déstabiliser la structure cristalline du
matériau et en altérer les propriétés mécaniques. Ainsi, on ne peut pas se permettre
d'utiliser des éléments possédant plus d'un électron en plus ou en moins que le
silicium.

Il existe donc deux types de dopants, donnant au semiconducteur des propriétés

électroniques différentes :

- des dopants appartenant à la colonnes III du tableau périodique, possédant un

électron de moins que le silicium ;
- des dopants appartenant à la colonne V du tableau périodique, possédant un
électron de plus que le silicium.

Dopage de type N

Le dopage de type N consiste à introduire dans le cristal de semi-conducteur des

atomes appartenant à la colonne V, qui possèdent donc 5 électrons sur leur couche
de valence. On appelle ces éléments des dopants N.

Lorsqu'un dopant N et un semi-conducteur comme le silicium entre en contact, ils

cherchent à partager des paires d’électrons. Ils peuvent ainsi partager chacun 2
paires d'électrons, pour posséder chacun 8 électrons sur leur couche externe.

Un électron du dopant reste en plus, il ne peut être partagé, et il ne peut occuper la

bande de valence (elle est remplie). Il quitte donc l'atome et devient un électron libre,
capable de conduire le courant.

Le cristal présente donc un excès d'électrons, chargés négativement. Le semi-

conducteur est donc de type N..

Dopage de type P

Le dopage de type P consiste lui à introduire dans le cristal des atomes appartenant
à la colonne III, qui possèdent 3 électrons sur leur couche de valence.

Dans le cristal, les atomes de silicium et de dopants P présentent alors 7 électrons

sur leur couche externe. Il manque un électron sur cette couche. Cette absence
d'électrons, et donc de charge négative, est considéré comme une charge positive,
ou trou.

Cette nouvelle structure peut également conduire le courant électrique. En effet,

sous l'action d'un échauffement, d'une différence de potentiel..., un atome en
manque d'électron peut en recevoir un d'un autre atome, qui devient alors déficitaire

56
en électron. Il y a eu un mouvement d'électron d'un atome vers un autre (ou un
mouvement de trous dans l'autre sens), par définition, un courant électrique.

Un trou est considéré comme une charge positive, de même masse qu'un électron.

Finalement, le cristal présente donc un excès de trous, chargés positivement. Le

semi-conducteur est donc dit de type P.

La jonction PN

Définition

Une jonction PN représente la mise en contact d'une surface de cristal de semi-

conducteur dopé P avec une surface de cristal de semi-conducteur dopé N. Cette
structure permet de réaliser des composants électroniques non linéaire tq les diodes,
les ransistors …etc.

Phénomène de diffusion

Jonction PN

Nous avons donc :

 à gauche, une zone P, contenant des trous.

 à droite, une zone N, contenant des électrons libres.

Lorsque les deux surfaces sont mises en contact, une partie des trous et des
électrons se diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction :

Diffusion des porteurs

de charges

A la jonction, un peu à gauche et un peu à droite, les porteurs de charges ( les

électrons et les trous) se neutralisent. A l'équilibre, il existe donc une zone sans
charge mobile, appelée zone de déplétion ou (plus souvent) zone de charge

57
d'espace; une différence de potentiel entre la zone N et la zone P, appelée potentiel
de jonction apparaît également à l'équilibre. Pour les diodes à base de Silicium, ce
potentiel est de l'ordre de 0,6V.

Polarisation d'une jonction et application

Il est parfaitement possible de relier la borne positive du générateur à la zone P et la

borne négative à la zone N, tout comme faire l'inverse. Selon le sens du
branchement, on parlera de polarisation directe ou polarisation inverse, et le
comportement de la jonction sera complètement différent.

Polarisation inverse

On dit que la jonction est polarisée en inverse lorsque le pôle positif du générateur
est connecté à la zone N de la jonction et que le pôle négatif est connecté à la zone
P:

Polarisation inverse d'une jonction PN

Au moment où on connecte le générateur, une partie des électrons de la zone N se

détache et est attirée vers la borne + du générateur. Au même moment, des
électrons sont émis par la borne négative du générateur et se combinent avec des
trous de la zone P.

Mais le nombre de trous dans la zone P est limité et il n'existe pas de trous dans la
zone N pouvant migrer dans la zone P pour remplacer ceux qui ont disparu. Les
électrons cessent donc de migrer de la borne - du générateur vers la zone P.
De même, le nombre d'électrons dans la zone N est limité et il n'existe pas
d'électrons dans la zone P pouvant migrer vers la zone N pour remplacer ceux qui
ont disparu. Les électrons cessent donc de migrer de la zone N vers la borne + du
générateur.

Finalement, aucun courant ne circule dans le circuit lorsqu'il est polarisé en inverse.
La jonction est dite bloquée.

En réalité, il existe une infime quantité de trous dans la zone N et une infime quantité
d'électrons dans la zone P, et il existe un courant inverse. Mais celui-ci est
extrêmement faible, de l'ordre du nano-ampère, soit du milliardième d'ampère, et il
est donc souvent négligé.

58
Polarisation directe

On dit que la jonction est polarisée en direct lorsque le pôle positif du générateur
est connecté à la zone P de la jonction et que le pôle négatif est connecté à la zone
N:

Polarisation directe d'une jonction PN

Au moment où on connecte le générateur, les électrons de la zone N et les trous de

la zone P convergent vers la jonction sous l'effet de la force électromotrice du
générateur. A la jonction, les trous et les électrons se combinent et disparaissant.

Néanmoins, les électrons libres de la zone N qui disparaissent sont continuellement

remplacés par d'autres électrons provenant de la borne négative du générateur. De
la même façon, les trous de la zone P qui disparaissent sont remplacés par d'autres
en provenance de la borne + du générateur.

Souvenez-vous que les trous ne sont qu'un modèle. Un courant est physiquement un
flux d'électrons dans un certain sens, et peut être modélisé par un flux de trous dans
le sens inverse. Si vous préférerez ne vous représenter que des électrons, imaginez
que le générateur "aspire" des électrons dans la zone P, et laisse donc des trous.

Il existe finalement un flux continu des charges dans le circuit : un courant continu
s'établit dans un circuit polarisé en direct.

On appelle courant direct Id le courant dans le cristal et tension directe Vd la tension

du générateur à l'origine de l'apparition de Id.

Or en polarisation directe, si on applique une différence de potentiel dans l'autre

sens, et si la tension du générateur est inférieure au potentiel de jonction, que se
passera t-il ?

Tant que Vd est inférieure à 0,6V, la jonction reste bloquée, car le générateur ne
fournit pas assez d'énergie aux porteurs pour générer un courant.

Conclusion

Une jonction PN :

 bloque le courant si elle est polarisée en inverse ;

 permet le passage du courant pour une polarisation directe supérieure au
potentiel de jonction.

59
Caractéristique d'une jonction PN :

Caractéristique d'une jonction PN

simple à base de Silicium

60
 LA DIODE

Définition, symbole et caractéristique :

La juxtaposition de deux semi-conducteurs de type P et N donne naissance à un

nouveau cristal appelé diode à jonction PN ( ou Jonction PN).

Une diode est un dipôle passif non-linéaire linéaire (relation entre le courant est la
tension est donnée par une équation non linéaire). L’intérêt principal de la diode,
comme nous l’avons vu dans les jonctions PN, est de ne laisser passer le courant
que dans un sens, et pas dans l’autre. La représentation symbolique de la diode est
donnée dans la figure ci-dessous.

Représentation symbolique de la diode à jonctionPN :

Diode réelle à jonction PN :

Remarque :
Jusqu'à présent nous n'avons vu que des composants linéaires, c'est-à-dire qui ne
modifiaient que l'amplitude ou la phase d'un signal appliqué à son entrée. Le
comportement de la diode est donc une nouveauté.

La caractéristique courant-tension (I=f(V)) de la diode est donnée par :

V
nVT
I =I s (e −1)

Avec : 𝐼𝑠 : Courant de saturation de la diode

𝑛 : Coefficient d’idéalité de la diode (1≤n≤2)
𝑉𝑇 : Tension thermique, 𝑉𝑇=𝑘𝑇 /𝑞

61
𝑘 : Constante de Boltzmann, 𝑘=1.38×10−23 J.K-1
𝑇 : Température
𝑞 : Charge de l’électron, 𝑞=1.60219×10−19 C
En polarisation inverse (V<0), le courant qui parcours la diode de la cathode vers
l'anode est négligeable (Is≈0).
En polarisation directe (V>0), le courant croît rapidement avec la tension comme il
est montré dans la figure.

La caractéristique d’une diode à jonction PN est donnée par la figure ci-dessous :

la résistance dynamique de la diode. Elle est donnée par: 𝑟𝑑= (𝑑𝐼 /𝑑𝑉) −1. Lorsque
Vseuil est la tension de seuil de la diode. Généralement, elle est inférieur à 1 V. rd est

𝑟𝑑=Δ𝑉/Δ𝐼
V>Vseuil >VT, la résistance dynamique peut être approximée par la formule:

L’analyse d’un circuit électrique comportant des diodes est difficile, parce que le
système d’équations décrivant le circuit est non linéaire.

Résistance dynamique d’une diode :

i- En polarisation directe :

( )
V
On a : r d = dV et I =I s e U −1
T

dI

avec U T =nV T o ùU T repr é sente la tension t h ermodynamique .

V
I +Is U I + I s dV U U
=e → V =U T ln
T
→ = T → r d= T
Is Is dI I + I s I+ Is

62
On remarque que la résistance dynamique rd ,en polarisation directe, est en fonction
du courant qui la traverse.

ii- En polarisation inverse :

En polarisation inverse, le courant I ≈ I s et puisque Is est très faible, donc la

résistance dynamique est très grande.

Capacité de diffusion : schéma équivalent de la diode

La diffusion de porteurs a travers la jonction crée une charge d’espace et la

conduction dans la diode est équivalente à celle qui se produirait dans le circuit
suivant :

UT θI
r D= et C D=
I 2U T

θ est une constante liée à la répartition des impuretés dans le semi-conducteur.

C D est faible de l’ordre de quelque pF.

En B.F. la diode est équivalente au circuit suivant :

En H.F. la diode est équivalente au circuit suivant :

En V.H.F. et U.H.F la diode est équivalente au circuit suivant

63
Capacité inverse de la jonction : influence de la tension de polarisation

Dans le cas de la polarisation inverse, le voisinage de la jonction était vide de ces

porteurs libres. La zone de transition étant alors élargie. Ce phénomène s’accentue
d’autant plus que la tension inverse croit avec la jonction, il existe une zone
pratiquement isolante dans la largeur est modulée par la tension inverse de
polarisation. La diode se comporte donc en inverse comme un condensateur plane
d’épaisseur réglable avec la tension de polarisation, cette épaisseur croit avec v (v
−n 1 1
en inverse) c-à-d C T = A V ,n= , , … selon≤Semi−conducteur
2 3

Remarque :
CT existe aussi pour une diode polarisée dans le sens directe, mais dans ce cas , elle
est négligeable devant la capacité CD. de la même façon en polarisation inverse , il
existe une capacité de diffusion (dû à la diffusion des porteurs minoritaires), mais le
courant inverse étant faible, donc CD sera négligeable devant CT.

Identification de la diode (ou Modèles électriques linéaires de la diode) :

Pour étudier les systèmes comportant des composants non linéaires ( exp. la diode).
Il est pratique d’identifier leurs caractéristiques à des courbes les plus simples
possibles. On remplace donc la diode par des modèles linéaires.

Modèle idéal (rd=0 et Vd=0) (première approximation) : Il s’agit d’un interrupteur

fermé en polarisation directe, Vd=0, et ouvert en polarisation inverse, Vd<0. La figure
ci-dessous montre ce modèle idéal.

Modèle d'une diode idéale

(première approximation)

64
 Modèle diode parfaite (deuxième approximation) : Dans ce modèle, le courant
est nul pour des tensions inférieures à la tension de seuil Vseui (V<Vseuil). A cette
valeur, la diode conduit et la tension à ces bornes reste constante quelque soit le
courant qui la traverse : Vd = Vseuil = V0.

Modèle d’une diode parfaite

(deuxième approximation)

Modèle d’une diode réelle (troisième approximation) : Dans ce modèle, la

résistance dynamique rd est incluse. La diode est équivalente à un interrupteur
ouvert si Vd < Vseuil et elle est équivalente à un récepteur de f.c.e.m. V seuil=V0 et de
résistance rd.

Modèle d’une diode parfaite

(troisième approximation)

Remarque : dans ce cas, on considère que la résistance dynamique est constante,

ce qui n'est vrai que si la variation du signal alternatif est très petite autour du point
de polarisation en continu.

Droite de charge et point de fonctionnement d’une diode :

La droite de charge représente l’équation id = f’(vd) obtenue à partir du circuit. en ce

E −V d
qui concerne le circuit ci-dessous, elle est donnée par I d= 0 .
R
L’intersection entre cette droite est la caractéristique de la diode, dans le plan (I d,Vd),
E
défini le point de fonctionnement de la diode P(V P , 0 ).
R

65
Applications des diodes ou Circuits à diodes

Redressement simple et double alternance:

Le redressement est une application électronique non linéaire qui consiste à
transformer un signal de valeur moyenne nulle en un autre signal de valeur moyenne
non nulle.

L’objectif de cette application est que, la plupart des circuits électroniques ont besoin
d'une tension continue pour fonctionner. Puisque la tension de réseau électrique est
alternative (AC), on la transforme en une tension continue (DC) par un montage
appelé alimentation. Le premier étage de cette alimentation est le redresseur.

Redresseur simple alternance :

Il admet l’alternance positive et annule l’alternance négative. Une simple diode en
série avec la charge suffit à réaliser cette fonction.

Soit le montage suivant :

diode en régime variable

polarisation directe

Le signal appliqué aux bornes de la diode est sinusoïdal (il pourrait être carré,
triangulaire ou quelconque) :

66
Le signal à appliquer au montage

La tension de sortie aux bornes de la résistance est donnée par l’allure suivante :

Le signal appliqué à la diode est avec alternance négative et celui sans alternance
négative est aux bornes de la résistance.

Démonstration :

On suppose que la diode est idéale (1ère approximation : Vseuil =0) :

Si la diode est passante (v¿ ¿ e> 0)¿, elle est équivalente à un interrupteur fermé,
donc

v s (t)=v e (t)

Et Si la diode est bloquée (v¿ ¿ e< 0)¿, elle est équivalente à un interrupteur ouvert,
donc
v s (t )=R i d =0 v

De la même manière si on branche la diode dans l'autre sens, on trouve les résultats
suivants :

La diode en régime variable

polarisation inverse

Pour ce type de polarisation, il se passer exactement la même chose que

précédemment, mais le signal n’aura pas ses alternances positives au bornes de la
résistance : il ne lui reste que les alternances négatives :

67
Le signal appliqué à la diode est avec alternance positive et celui sans alternance
positive est aux bornes de la résistance.

Redressement double alternance (avec 2 diodes) :

Pour procéder au redressement des deux alternances, il faut utiliser un transformateur ayant
deux enroulements secondaires identiques reliés en série et qui délivre deux tensions
opposées: V1 = [Link]t et V2 = – V1. Le point commun aux deux enroulements sert de
référence de potentiel.

Soit le montage suivant :

D1 et D2 deux diodes idéales (1ère approximation )

Si V1 > 0 alors V2 < 0 : la diode D1 conduit et la diode D2 est bloquée. Lors de la demi-
alternance suivante, la situation est inversée. Le courant dans la charge Ru est unidirectionnel.
Dans ce montage, la tension inverse maximum supportée par chaque diode est 2V.

Démonstration :

Si V1>0  Vd1 = 0v et id2 = 0A  Vs = Vr = V1

Si V1<0  Vd2 = 0v et id1 = 0A  Vs = Vr = V2= - V1

 La tension Vs(t) est toujours positive est égale à |V 1| (voir fig. ci-dessous)

68
 Redressement double-alternance

Remarque :

On peut, aussi, avoir le redressement double alternance avec quatre diodes, en

utilisant le circuit suivant (Avec pont de Grætz) :

Redressement avec pont de diodes.

Il existe une autre manière de faire du redressement double alternance, ne

nécessitant pas un transformateur à double enroulement : on utilise 4 diodes
montées en pont. Des ponts tous faits sont disponibles dans le commerce,
permettant de réduire le nombre de composants du montage.

Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, D1 et D4 conduisent,

et quand elle est négative, D2 et D3 conduisent.

Filtrage de la tension redressée

Les montages précédents délivrent des tensions redressées mais non continues. En
effet, la tension obtenue après redressement est unidirectionnelle mais elle n’est pas
continue. Le signal obtenu est périodique ; il contient une composante continue (la
valeur moyenne du signal) et des harmoniques que l’on désire annuler : on fait suivre
la cellule de redressement par un filtre qui supprime les hautes fréquences.

69
Le filtrage le plus simple fait appel à un seul condensateur placé en parallèle sur la
charge et qui se comporte comme un réservoir d’énergie (voir fig. ci-dessous).

Dès que Vd >0 la diode est passante : le condensateur se charge rapidement car la
résistance de la diode est très inférieure à celle de la charge. On peut définir la
constante de temps de charge tc = [Link]. La tension crête atteinte aux bornes du
condensateur est égale à V– Vd : on admet que la résistance de la charge est assez
grande pour pouvoir négliger le courant de décharge dans RU devant le courant de
charge. Dès que Vd <0 , le générateur est isolé de la charge par la diode qui est
bloquée. Le condensateur se décharge dans RU avec une constante de temps
RU.C. La qualité du filtrage est d’autant meilleure que le courant de décharge est
faible : il faut utiliser des condensateurs de capacité élevée pour obtenir une
constante de temps de décharge aussi élevée que possible.

Redressement simple alternance

et filtrage.

La diode Zener

Si l’épaisseur de la jonction est faible et si le taux de dopage est important, on obtient

des diodes qui présentent un courant inverse intense au-delà d’une valeur V Z de la
tension inverse qui est la tension de coude ou de Zener. En effet, La diode Zener est
une diode que le constructeur a optimisée pour opérer dans la zone de claquage. La
diode Zener au claquage présente un coude de tension inverse très net, suivi d’une
croissance verticale du courant. La tension est presque constante, c’est la tension
Zener VZ.

70
Symbole :

Il n'existe pas de norme américaine ou européenne pour la diode Zener. Elle a

plusieurs symboles :

Caractéristique

Caractéristique d'une
diode zéner.

L'effet zéner concerne la caractéristique inverse de la diode. En direct, une diode

zéner se comporte comme une mauvaise diode normale.

La caractéristique inverse présente alors l'allure d'un récepteur à faible résistance

interne.

En général, les constructeurs spécifient :

- la tension d'avalanche Vzt pour un courant déterminé Izt. (les valeurs de

tension sont normalisées).
- à ce point de fonctionnement Vzt / Izt, on donne la résistance dynamique de la
diode rzt.
- le courant Izm pour lequel la puissance dissipée dans le composant sera le
maximum admissible.

Schéma équivalent. :

71
Pour simplifier les calculs, on définira un schéma équivalent approchant la réalité de
la diode zener en inverse.

Si on utilise le composant suffisamment loin du coude, le schéma suivant modélise

bien le comportement d'une diode zéner :

Schéma équivalent de la diode zéner

On définit une tension de coude Vzo, et une résistance interne constante Rz. Ce
schéma sera à utiliser avec beaucoup de prudence sur des zéners de faible tension
(< 5V) : leur coude est très arrondi, et la résistance dynamique varie beaucoup avec
le courant. Pour des tensions supérieures à 5V, il n'y aura en général pas de
problèmes.

Stabilisation ou régulation de tension

Il est possible de réaliser un stabilisateur de tension en utilisant une diode Zener. On

suppose que le courant inverse IZ dans la diode est tel que le point de
fonctionnement est situé dans la partie linéaire de la caractéristique. Il est alors
possible de modéliser la diode par l’association d’une source de tension V Z en série
avec une résistance RZ (résistance dynamique inverse de la diode).

Remplaçons le générateur (tension VE et résistance R) et la résistance de charge par

R R . R1
leur équivalent Thévenin : Et h= V E ; R t h=
R + R1 R+ R1

Le point de fonctionnement de la diode est obtenu en cherchant l’intersection de sa

caractéristique Vs = VZ + [Link] avec la droite de charge d’équation Vs = Eth – [Link].
On retrouve graphiquement le fait que le système ne fonctionne que si Eth > VZ.
Rz = 0. Si la charge varie, (stabilisation amont) les courants dans la charge et dans
la diode varient
mais Vs reste constant car la pente de la droite de charge varie. De même si la
tension du générateur

72
varie (stabilisation aval) Vs reste également constant car la droite de charge se
déplace parallèlement à elle-même.

R z ≠ 0 ; Vs varie avec les paramètres extérieurs. Pour la stabilisation aval (variation Ve
= e de Ve), on peut déterminer vs=Vs en recherchant les intersections de la
caractéristique avec les droites de charge qui correspondent aux valeurs extrêmes
de Ve. Il est plus efficace d’étudier le schéma équivalent au montage en régime de
petits signaux. Le générateur est remplacé par un générateur de f.e.m. Ve = e, la
diode par sa résistance RZ puisque VZ est constant.

rz.R
vs= Vs = r.i avec r = Comme rZ est petit, r ≈ r z . On en déduit que :
r z+ R

rz
v s= e
r z+ R 1

La stabilisation est d’autant meilleure que RZ est petite.

Remarque :

La puissance (PZ = [Link]) dissipée dans la diode doit toujours rester inférieure à la
puissance maximale autorisée. VZ varie avec la température et pour certaines
applications, il est nécessaire d’en tenir compte.
Il est possible d’obtenir une stabilisation beaucoup plus efficace en utilisant des
montages à transistors.

TRANSISTOR A JONCTION BIPLAIRE

73
Introduction :

Le transistor est un composant électronique intéressant, car il va permettre

d'amplifier un signal, et de commander des actionneurs requérant de la puissance
(haut parleurs moteurs, etc ) avec des signaux de faible niveau issus de capteurs
(microphone, sonde de température, de pression, ). Le transistor à jonction va
permettre de remplir (entre autres) cette fonction en électronique. Son domaine
d'action est donc particulièrement vaste. A noter qu'avant le transistor, cette fonction
était remplie par des tubes à vide (triodes entre autres).

L’apparition du transistor n'a donc pas apporté la fonction miracle en elle même,
mais une commodité d'utilisation, l'encombrement réduit (les tubes à vide ont besoin
d'un système d'alimentation complexe avec des tension relativement élevée, et
nécessitent une adaptation d'impédance en sortie (transformateur), une grande
surface de réalisation),la fiabilité et le faible coût.

Les différents types de transistors

Structure et effet d’un transistor

La juxtaposition de deux jonctions PN montées en opposition donne naissance à une

autre famille de composants : appelés transistors bipolaires et aussi transistors à
jonctions. Dans ce type de transistor, la conduction se fait par des porteurs
majoritaires qui deviennent minoritaires au voisinage d’une jonction polarisée en
inverse (cette conduction par porteurs de types différents justifie l’appellation de
transistor bipolaire).

Si la jonction PN est polarisée en inverse, les porteurs minoritaires (électrons de la

zone P et trous de la zone N, créés par l'agitation thermique) traversent sans
problèmes la jonction et sont accélérés par le champ extérieur.

74
 Lorsque les porteurs majoritaires d'une zone franchissent la jonction, ils deviennent
minoritaires dans l'autre zone, et qu'ils mettent un certain temps à se recombiner
avec les porteurs opposés.

Partant des deux remarques précédentes, on peut déduire que si on injecte dans la
zone N d'une jonction NP polarisée en inverse beaucoup de trous (qui seront dans
cette zone des porteurs minoritaires) en faisant en sorte qu'ils ne se recombinent pas
avec les électrons de la zone N, ils vont traverser la jonction et créer un courant dans
le circuit extérieur.

Injection de trous dans une zone N.

La figure ci-dessus montre qu’il y aura des recombinaisons (charges + et -

encerclées), mais limitées, et la plupart des trous iront dans la zone P et formeront le
courant I2. A noter que les recombinaisons correspondent au courant I 1-I2. Ce que
nous venons de décrire représente l’effet transistor.

Types et symboles

Il y a plusieurs types de transistor bipolaires, on peut les classer selon différents

critères :

 le type : NPN ou PNP. Ces deux types sont complémentaires, c'est-à-dire que
le sens des courants et tensions pour le PNP est le complément de ceux du
NPN. Dans les deux cas, la zone centrale (base) est très étroite vis à vis de la
longueur de diffusion des porteurs minoritaires issus de la zone adjacente
(l'émetteur).La base possède en outre la caractéristique d'être très faiblement
dopée en comparaison de l'émetteur. Les transistors NPN ayant en général
des caractéristiques meilleures que les PNP, ils sont les plus utilisés.
 la puissance : les transistors pour l'amplification de petits signaux ne dissipent
que quelques dizaines ou centaines de milliwatts. Les transistors moyenne
puissance supportent quelques watts ; les transistors de puissance, utilisés
par exemple dans les amplificateurs audio de puissance ou dans les
alimentations stabilisées peuvent supporter plus de 100 W dans certains
conditions ;
 la gamme de fréquence : transistors pour fréquences basses (fonctionnent
correctement jusqu'à quelques MHz), moyennes (jusqu'à quelques dizaines
de MHz), hautes (jusqu'à quelques GHz), encore plus hautes (fréquences
maximales d'oscillation de plusieurs centaines de GHz).

75
La figure ci-dessus montre le symbole et indique le nom des 3 électrodes des
transistors. On peut donc distinguer 3 différences de potentiel intéressantes : VBE, VCE
et Vcb ; et 3 courants : courant de base IB, d'émetteur IE et de collecteur IC.
Cependant, ces 6 variables ne sont pas indépendantes. En effet, on peut écrire :

et

Différents types de polarisation d’un transistor

Polariser c’est la manière de l’alimenter (opération qui consiste à mettre des sources
de tensions).

La structure du transistor en deux jonctions successives conduit à 4 types de

polarisations :

Prenons le cas d’un transistor à base commun (base commun à l’entrée et à la sortie
du transistor).

1- Jonction émetteur-base en directe et jonction collecteur-base en inverse : le

mode de fonctionnement normale d’un transistor.
2- Jonction émetteur-base en inverse et jonction collecteur-base en directe : le
mode de fonctionnement dit inversé d’un transistor.
3- Jonction émetteur-base et collecteur-base en directes : le mode de
fonctionnement saturé.
4- Jonction émetteur-base et collecteur-base en inverses : le mode de
fonctionnement bloqué.

Exemple d’un transistor NPN à base commun qui fonctionne en mode normal

76
Différents montages d’un transistor

1- Montage à base commune ( la base est commune à l’entrée et à la sortie du

transistor) : dans ce cas le transistor est un quadripôle qui possède des
paramètres d’entrés VEB et IE et de sorties VCB et IC.

Transistor NPN
Montage base commune

2- Montage à émetteur commun ( l’émetteur est commun à l’entrée et à la sortie

du transistor) : dans ce cas le transistor est un quadripôle qui possède des
paramètres d’entrés VBE et IB et de sorties VCE et IC.

Transistor NPN
Montage émetteur commun

77
 3- Montage à collecteur commun ( le collecteur est commun à l’entrée et à la
sortie du transistor) : dans ce cas le transistor est un quadripôle qui possède
des paramètres d’entrés VBC et IB et de sorties VEC et IE.

Transistor NPN
Montage collecteur commun

Courants dans le transistor (Transistor NPN)

Principe de fonctionnement

Dans le cas d’un transistor NPN, l'émetteur, relié à la première zone N, se trouve
polarisé à une tension inférieure à celle de la base, reliée à la zone P. La diode
émetteur/base se trouve donc polarisée en direct, et du courant (injection d'électrons)
circule de l'émetteur vers la base.

En fonctionnement normal, la jonction base-collecteur est polarisée en inverse, ce

qui signifie que le potentiel du collecteur est bien supérieur à celui de la base. Les
électrons, qui ont pour la plupart diffusé jusqu'à la zone de champ de cette jonction,
sont recueillis par le contact collecteur.

Idéalement tout le courant issu de l'émetteur se retrouve dans le collecteur. Ce

courant est une fonction exponentielle de la tension base-émetteur.

Le courant des trous circulant de la base vers l'émetteur ajouté au courant de

recombinaison des électrons neutralisés par un trou dans la base correspond au

78
courant de base IB, grossièrement proportionnel au courant de collecteur I C. Cette
proportionnalité donne l'illusion que le courant de base contrôle le courant de
collecteur. Pour un modèle de transistor donné, les mécanismes de recombinaisons
sont technologiquement difficiles à maîtriser et le gain I C/IB peut seulement être
certifié supérieur à une certaine valeur (par exemple 100 ou 1000).

Lorsque la tension collecteur-base est suffisamment positive, la quasi-totalité des

électrons est collectée, et le courant de collecteur ne dépend pas de cette tension ;
c'est la zone linéaire. Dans le cas contraire, les électrons stationnent dans la base,
se recombinent, et le gain chute ; c'est la zone de saturation.

Remarque sur la technologie de construction d’un transistor à base commune:

Le courant des trous de la base vers l'émetteur doit être négligeable par rapport au
courant d'électrons venus de l'émetteur. Cela peut être obtenu avec un dopage très
élevé de l'émetteur par rapport au dopage de la base.

Les recombinaisons des électrons (minoritaires) dans la base riche en trous doit
rester faible (moins de 1 % pour un gain de 100). Cela impose que la base soit très
fine.

La surface de collecteur est souvent plus grande que la surface de l'émetteur.

a) Montage à base commune

I C =α I E + I CB 0

ICB0 : courant inverse de la jonction Base-Emetteur.

α : représente la gain statique en courant.

On a I E=I B + I C

Si la base est faiblement dopée, alors IB est très faible d’où I C ≈ I E .

b) Montage à émetteur commun

I C =α I E + I CB 0

On a I E=I B + I C

I C =α (I B + I C )+ I CB0

( 1−α ) I C =α I B + I CB 0

α 1
I C= I B+ I
1−α 1−α CB0

79
 α
On pose β = → I C =β I B+(1+ β )I CB0
1−α

(1+ β )I CB0 : représente le courant inverse de la jonction collecteur-émetteur

(ICE0) :

I CE0 =(1+ β )I CB0

donc I C =β I B + I CE0

β : représente le gain en courant d’un transistor à émetteur commun.

ICE0 est un courant négligeable devant β I B donc :

IC≈ β I B

Modèle simple d'un transistor en fonctionnement linéaire.

Remarque : la figure ci-dessous représente les Courants et tensions du transistor à

émetteur commun sur un PNP.

Caractéristiques électriques d’un transistor NPN :

Le cas d’un Montage à émetteur commun :

Caractéristique d'entrée : IB = f(VBE) à VCE=cte

80
La caractéristique d'entrée du transistor est donnée par la relation I B = f (VBE) à
VCE=cte.

En fait, le circuit d'entrée est la jonction base émetteur du transistor, soit une jonction
diode. Cette caractéristique va dépendre très peu de la tension collecteur émetteur :

Caractéristique d'entrée du transistor à VCE=cte

La tension VBE est d'environ 0,7V pour une polarisation normale du transistor
(courant de base inférieur au mA). Cette valeur est donc légèrement supérieure à
celle d'une jonction de diode.

Caractéristique de transfert : IC = f(IB) à VCE=cte

La caractéristique de transfert est définie par la relation IC = f (IB) à VCE = cte.

le courant du collecteur est proportionnel au courant de base (formule précédente).

Caractéristique de transfert en courant du transistor à VCE=cte

La caractéristique de transfert est donc une droite ; le transistor est un générateur de

courant commandé par un courant.

Si on considère le courant de fuite( courant inverse) I CEO, la caractéristique ne passe

pas par l'origine, car IC = ICEO pour IB = 0.

81
 β du transistor va varier en fonction du type de transistor : 5 à 10 pour des
transistors de grosse puissance, 30 à 80 pour des transistors de moyenne
puissance, et de 100 à 500 pour des transistors de signal.

Caractéristique de sortie : I = f(VCE) à IB=cte

La caractéristique de sortie du transistor est définie par la relation I C = f (VCE) à IB=cte.

En pratique, on donne un réseau de caractéristiques pour plusieurs valeurs de IB.

Caractéristiques de sortie du transistor

Sur ces caractéristiques, on distingue deux zones :

une zone importante où le courant I C dépend très peu de VCE à IB donné : cette
caractéristique est celle d'un générateur de courant à résistance interne utilisé en
récepteur. Dans le cas des transistors petits signaux, cette résistance est très
grande : en première approche, on considérera que la sortie de ce montage à
transistor est un générateur de courant parfait.

La zone des faibles tensions V CE (0 à quelques volts en fonction du transistor) est

différente. C'est la zone de saturation. Quand la tension collecteur-émetteur diminue
pour devenir très faible, la jonction collecteur-base cesse d'être polarisée en inverse,
et l'effet transistor décroît alors très rapidement. A la limite, la jonction collecteur-
base devient aussi polarisée en direct : on n'a plus un transistor, mais l'équivalent de
deux diodes en parallèle.

Limites d'utilisation.

Le transistor pourra fonctionner sans casser à l'intérieur d'un domaine d'utilisation

bien déterminé.

Le domaine où le transistor fonctionnera sera limité par trois paramètres :

le courant collecteur maxi ICMax. Le dépassement n'est pas immédiatement destructif,

mais le gain en courant β va chuter fortement, ce qui rend le transistor peu
intéressant dans cette zone.

82
la tension de claquage VCEMax : au delà de cette tension, le courant de collecteur croît
très rapidement s'il n'est pas limité à l'extérieur du transistor.

la puissance maximale que peut supporter le transistor, et qui va être représentée

par une hyperbole sur la figure ci-dessous.

PTmax =V CEmax . I Cmax

Limites d'utilisation du transistor.

Remarque importante:

Un transistor est un amplificateur de courant, il joue le rôle d’un générateur de

courant (fort en sortie) commandé par courant (faible en entrée).

Montages amplificateurs

D'une façon générale, on peut distinguer deux grands types de fonctionnement des
transistors :

Fonctionnement dans la zone linéaire des caractéristiques ; il est utilisé lorsqu'il s'agit
d'amplifier des signaux provenant d'une source ou d'une autre (microphone,
antenne...) ;

Fonctionnement en commutation : le transistor commute entre deux états, l'état

bloqué (c'est-à-dire que Ic est nul) et l'état saturé (Vce faible).

Dans ce chapitre, on s’intéressera que du fonctionnement du transistor comme

amplificateur.

Circuit de polarisation et détermination de point de fonctionnement : Etude

statique

Pour polariser un transistor, il faut l’alimenter autrement dit c’est une opération qui
consiste à mettre des sources de tension. Ceci va imposer une valeur est ne seul

83
pour les paramètres caractérisant le fonctionnement du transistor. Cet ensemble de
valeurs constitue le point de fonctionnement du transistor.

Pour un transistor à émetteur commun le point de fonctionnement est défini par les
paramètres suivants : VBE0, IB0, VCE0 et IC0 qui découlent de l’intersection entre les
droites de charges d’entrée et de sortie et les caractéristiques d’entrée et de sortie
du transistor à émetteur commun.

Du fait des capacités de liaison et de découplage, la relation courant/tension en

sortie des montages à transistor est souvent différente entre les régimes statique et
dynamique. Afin d'étudier le comportement du montage lors du régime statique et du
régime dynamique, on calcule les droites de charge dans ces deux cas.

Droite de charge statique :

Schéma de polarisation simple

d'un transistor bipolaire

La façon la plus simple de polariser un montage de type « émetteur commun » est

représentée sur le schéma ci-dessus.

V CC −V BE
L’équation de la droite de charge d’entrée est donnée par : I B=
R1

Et la résistance de polarisation R1 est donnée par :

V CC −V BE 0
R 1=
I B0

V CC−V CE
L’équation de la droite de charge de sortie est donnée par : I C =
R2

Et la résistance de polarisation R2 est donnée par :

V CC −V CE 0
R 2=
IC0

qui peut être ré-écrite de la façon suivante :

84
 V CC −V CE 0
R 2=
βI B 0

Ce schéma simple souffre toutefois d'un grand défaut : les résistances calculées
dépendent fortement du gain en courant β du transistor. Or, ce gain en courant
change d'un transistor à l'autre (et cela même si les transistors possèdent les mêmes
références) et varie fortement en fonction de la température. Avec un tel montage, le
point de polarisation du transistor n'est pas maitrisé. On lui préfère donc des
montages plus complexes mais dont le point de polarisation dépend moins du gain
en courant β du transistor.

On vous propose le schéma ci-dessus, afin d’éviter ce problème, Les résistances R1

et R2 forment un diviseur de tension.

Schéma pratique de polarisation

Le réseau d’entrée peut être remplacé par un générateur de thévenin :

R2 .V CC R 1 R2
Eth = et R th =R b=
R1 + R2 R1 + R2
V CC =Rth I B +V BE + R4 (1+ β)I B

L’équation de la droite de charge d’entrée est donnée par

V CC−V BE
I B=
Rth + R4 (1+ β)
V CC −V BE
Si Rth ≪ R4 (1+ β) on aura donc I B= puisque β ≫ 1
R4
Au point de polarisation on aura :

V CC −V BE 0
I B0 ≈
R4

Le courant de polarisation est alors indépendant du gain en courant β du transistor et

est stable en fonction de la température. Cette approximation revient aussi à choisir

85
R1 et R2 de façon que le courant qui les traverse soit grand devant I B0. Ainsi, la
tension appliquée à la base du transistor dépend peu du courant de base IB0.

L’équation de la droite de charge de sortie est donnée par :

1
V CC =R3 I C +V CE + R4 (1+ ) I C
β
( CE CC )
V −V
I C=
( )
R 3+ R4 1+
1
β
( V CE 0−V CC )
I C 0=
( )
R 3+ R 4 1+
1
β

( V CE 0−V CC )
I C 0≈ car β ≫ 1 donc le courant IC est indépendant du gain.
R3 + R4

L’intersection des droites de charges I B = f(VBE) et IC = f(VCE) avec respectivement les

caractéristiques d’entrée et de sortie du transistor défini le point de fonctionnement
(IB0, VBE0, IC0, VCE0).

Réseau de caractéristiques d’un transistor à émetteur commun :

Comportement en B.F. du transistor bipolaire : Etude dynamique

L’étude du régime dynamique consiste à étudier une petite variation du point de

fonctionnement : c’est le cas des faibles signaux. On se placera très loin de la zone
de blocage et de saturation.

86
Introduction à la mise en œuvre du transistor.

Le transistor en statique est un amplificateur de courant : on va donc l'utiliser pour

amplifier des signaux issus de sources diverses, pour cela il faut mettre en œuvre
tout un montage autour du transistor pour plusieurs raisons :

Le transistor, tout en étant classifié dans les composants actifs, ne fournit pas
d'énergie : il faudra donc que cette énergie vienne de quelque part ! C'est le rôle de
l'alimentation qui va servir à apporter les tensions de polarisation et l'énergie que le
montage sera susceptible de fournir en sortie.

Le transistor ne laisse passer le courant que dans un seul sens : il va donc falloir le
polariser pour pouvoir y faire passer du courant alternatif, c'est à dire superposer au
courant alternatif un courant continu suffisamment grand pour que le courant total
(continu + alternatif) circule toujours dans le même sens.

Il faudra en plus que la composante alternative du courant soit suffisamment petite

devant la composante continue pour que la linéarisation faite dans le cadre de
l'hypothèse des petits signaux soit justifiée.

Le transistor est un générateur de courant. Comme il est plus commode de

manipuler des tensions, il va falloir convertir ces courants en tensions : on va le faire
simplement en mettant des résistances dans des endroits judicieusement choisis du
montage.

Une fois le transistor polarisé, il va falloir prévoir le branchement de la source

alternative d'entrée sur le montage. En règle générale, ceci se fera par l'intermédiaire
d'un condensateur de liaison placé entre la source et le point d'entrée du montage à
transistor (base pour montages émetteur ([Link]-dessous) et collecteur commun,
émetteur pour montage base commune).

De la même manière, pour éviter que la charge du montage à transistor (le dispositif
situé en aval et qui va utiliser le signal amplifié) ne perturbe pas sa polarisation, on
va aussi l'isoler par un condensateur de liaison.

Ces condensateurs vont aussi éviter qu'un courant continu ne circule dans la source
et dans la charge, ce qui peut leur être dommageable.

Exemple : montage Emetteur commun

Transistor polarisé Amplificateur à transistor

87
La polarisation est calculée dans un premier temps ; on fait alors un schéma
équivalent du montage pour le continu. Le calcul se fait simplement avec la loi d'Ohm
et les principaux théorèmes de l'électricité (voir TD).

Pour la partie petits signaux alternatifs, on a vu qu'on va devoir linéariser les

caractéristiques du transistor au point de fonctionnement défini par la polarisation. Il
faut donc définir les paramètres à linéariser et en déduire un schéma équivalent du
transistor.

Schéma équivalent alternatif petits signaux du transistor : Paramètres hybrides

Le transistor Emetteur commun possède 2 signaux d’entrés (courant de la base et

tension base émetteur) et 2 signaux de sortis (courant du collecteur et tension
collecteur émetteur) qui se décomposent en deux parties : les tensions et courants
continus de polarisation notés IBo, VBEo, ICo, et VCEo, et les petites variations
alternatives autour du point de fonctionnement (repos) qui sont respectivement i b, vbe,
ic, et [Link] sont liés par les équations suivantes :

I B=I B 0+ i b

V BE=V BE 0 + v be

I C =I C 0+ ic

V CE =V CE 0 +v ce

Ce sont les petites variations qui vont nous intéresser pour le schéma équivalent
alternatif, pour cela les 4 paramètres du transistor sont liés par la matrice hybride
suivante:

( )(
v be
ic
h h
= 11 12 b
i
h21 h 22 v ce )( )
v be=h 11 i b + h12 v ce
→{
i c =h21 i b + h22 v ce

d’où le schéma équivalent :

88
Schéma équivalent d’un transistor NPN

Remarque: Le schéma ci-dessus correspond à un transistor NPN (courant rentrant

dans le collecteur). Pour un transistor PNP, il faudra inverser les sens de i b, ic, et du
générateur commandé h21e ib. Les tension vbe et vce seront alors négatives.

h11 = vbe/ib avec vce = 0. h11 représente l’impédance d’entrée du transistor.

h12 = vbe/vce avec ib = 0. h12 représente le gain inverse en tension en fonctionnement

dynamique. Ce paramètre est en fait la réaction de la sortie sur l'entrée dans la
théorie des quadripôles. Lors de l'étude du principe du transistor, cette réaction était
négligeable.

h21 = ic/ib avec vce = 0. h21 représente le gain en courant en fonctionnement

dynamique du transistor.

h22 = ic/vce avec ib = 0 . représente l’admittance de sortie du transistor c-à-d l'inverse

de la résistance du générateur de courant de sortie du transistor. En pratique, sa
valeur est faible.

Schéma équivalent d’un amplificateur à transistor aux bases fréquences :

La valeur des condensateurs de couplage C1 et C2 est choisie de façon que ceux-ci aient une
impédance suffisamment faible dans toute la gamme des fréquences des signaux à amplifier.
Le schéma équivalent est représenté par :

Schéma équivalent petits signaux d'un montage

89
 émetteur commun en basses fréquences

Remarque : Le transistor est conçu pour être commandé par la jonction base
émetteur :
Si le courant de la base est nul, la jonction base émetteur est bloquée et on dit que le
transistor est bloqué.
S’il y a un courant de base, le transistor est dit passant, donc le courant de base est
un courant de commande.

Transistor bloqué :

i b=i c =i e =0 A , et v be <0.6 v
Transistor passant :

i b >0 , i c > 0 ,i e >0 et v be =0.6 v

Fonctionnement en régime linéaire :

i c =β i b , i c >i b , β ≫ 1 →i c ≈ i e

Fonctionnement en régime de saturation :

i csat
i c =i csat et i bsat =
β

Schéma équivalent du transistor NPN aux Hautes fréquences (H.F.) : Schéma

de Giacoletto)

Montage Emetteur commun

Autre type de transistor : Transistor en commutation

Montage Emetteur commun :

90
 fonctionnement en commutation
d’un transistor émetteur commun

On appelle fonctionnement en tout-ou-rien, un mode de fonctionnement du transistor

où ce dernier est soit bloqué, soit parcouru par un courant suffisamment important
pour qu'il soit saturé (c'est-à-dire. réduite à moins d'1 V). Dans la figure ci-contre,
lorsque l'interrupteur Int est ouvert, est nul, donc est nul et . Par
contre, lorsque l'on ferme Int, un courant circule dans la base. Le
transistor va donc essayer d'absorber un courant collecteur égal à .
Cependant, la charge RL est choisie pour que soit limité à une valeur inférieure à
, typiquement . Le transistor est alors saturé.

91