UNIVERSITE D’ANTANANARIVO
------------------------------------
INSTITUT D’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR D’ANTSIRABE-VAKINANKARATRA
------------------------------------
DOMAINE SCIENCES DE L’INGENIEUR
MENTION : ELECTRONIQUE
Exposer : Semi-conducteur de puissance
Présenté par :
000 250-80-19 : ANDRIATAHINA Maminiaina Daniel Toavina
000 381-80-19 ANDRIAMAHENINA Herinavalona Tahina Patrick
000 188-80-19 ANDRIAMANALINA Nantenaina Leonard
000 022-80-19 RAFANOMEZANTSOA Nomenjanahary Joséot
000 063-80-19 NIRINARIVELO Fatimma Roger
273/637/C/18 ANDRIARIMALALA Lantomahafaly Joela Miharivony
SEMI-CONDUCTEUR DE PUSSANCE
1. Introduction
La découverte de semi-conducteur est à révolutionner notre monde quelque sont dans le domaine électronique,
automobile, électronique, industriel jusqu’au montre qu’on a utilisée.
2. Semi-conducteur de puissance
2.1. Définition
Les semi-conducteurs de puissance sont des composant électronique utilisé dans domaine haute tension ou
l’électronique de puissance. Ils sont parfois utilisé comme commutateur.
2.2. Caractéristiques des semi-conducteurs de puissance
Les semi-conducteurs de puissance présentent plusieurs caractéristiques importantes, notamment :
− Tension de claquage : C'est la tension maximale que le dispositif peut supporter sans subir de défaillance
diélectrique.
− Courant de conduction : C'est la capacité du dispositif à transporter un courant électrique sans
dommage.
− Résistance à l'état passant : C'est la résistance du dispositif lorsqu'il est activé et permet le passage du
courant.
− Vitesse de commutation : C'est la vitesse à laquelle le dispositif peut passer de l'état bloqué à l'état
passant et vice versa.
− Efficacité thermique : C'est la capacité du dispositif à dissiper la chaleur générée pendant son
fonctionnement pour éviter la surchauffe.
2.3. Types de semi-conducteurs de puissance :
Il existe plusieurs types de semi-conducteurs de puissance, parmi lesquels les plus courants sont :
− Les diodes de puissance
− Les transistors bipolaires de puissance
− Les thyristors et les triacs
− Les transistors à effet de champ MOS
− Les IGBT
a) Les diodes rapides
Ces dispositifs permettent le passage du courant électrique dans une seule direction. Ils sont utilisés dans les circuits de
redressement et de commutation.
− Constitution d’une diode
Une diode est constituée par deux type de matériau de type P (riche en proton) et de type N (riche en électron), jonction
de type N et de type P (jonction PN).
Figure 1 : Assemblement de élément de type P et N
Au niveau atomique durant le moment du contacte des deux matériaux, comme le matériau de de type P donc il
est chargé positivement et l’autre comporte plus d’électron donc charge négativement. Certain électrons et trous vont se
déplacer pour former une jonction PN stable grâce à l’apparaissant de champ électrique entre eux (ce champ a une
tension environ 0.7V pour le silicium).
Figure 2 : Jonction PN en équilibre
− Polarisation inverse (jonction PN en polarisation inverse inverse)
Dans la polarisation inverse d’une diode, l’Anode (type P) est connectée au pôle positif de générateur et la cathode (type
N) est connecte au pôle négatif du générateur, la diode est bloquée car le pole positif du générateur va tirer les électrons
dans la cathode vers lui et de même pour le pole négatif, il va tirer les trous dans l’anode vers les pole négatif et cela
entraine l’expansion du champ électrique et la diode agit comme isolant.
Figure 3: Polarisation inverse
Le schéma suivra ci-dessous va montrer la caractéristique des quelque diode en polarisation inverse (diode en mode
isolant).
Figure 4 : Caractéristique de Diode en polarisation inverse
Ici on voit que la diode ne peut pas se comporte en isolant que jusqu’à une certaine tension négative ou sinon la diode va
se court-circuité ou grillé ou même explosé, cette tension inverse maximale est notée VRRM (Reverse répétitive Maximum
Voltage) et cette valeur est donner par le constructeur du composant dans la fiche technique du composant.
Figure 5: Coubes du tension en polarisation inverse
− Polarisation directe (jonction PN en polarisation inverse directe)
Contrairement à la polarisation inverse, les électrons dans le générateur vont pousser les électrons dans diode lieu de
d’où le courant peuvent circuler à condition que le générateur à une potentiel plus grand que la tension de seille.
Figure 6: Polarisation directe et flux de déplacement d'électrons dans le jonction PN
La caractéristique de diode dans cette mode présenter par le figure suivant
Figure 7:Fonctionement du Diode en polarisation directe
Ici, on voit que le diode est encore bloquer au lorsque le tension de générateur est au-dessous de tension de seuil ou
𝑉𝑔 < 𝑉𝛼 , mais si 𝑉𝑔 > 𝑉𝛼 le courant de sortie augmente exponentiellement. Généralement la tension de seilles est environ
0,5V pour le Germanium et 0,7V pour le silicium mis il est important de consulter les fiches techniques du fabricant pour
bien utiliser le composant.
A forte niveau de courant, il faut tenir compte la résistance d’interne de diode, donc on peut modéliser la diode avec
cette forme :
Figure 8: Schéma équivalent d'un diode
− Puissance dissiper de la diode
La puissance dissiper d’une diode durant un période est donner par les équations suivant
− Courant efficace
1 𝑇
Le courant efficace d’une diode est donner par la formule suivant : 𝐼𝑒𝑓𝑓 = √(𝑇 ∫0 𝑖 2 (𝑡)𝑑𝑡)
− Température maximale d’un jonction PN (diode)
C’est la température maximum que la diode peut supporter, on l’appel température maximale de jonction et
noter Tj, cette température est spécifiée par le constructeur.
− Remarque
• Le courant de fuite en inverse d’une diode à jonction PN croît très vite avec la température. On l’appel risque
d’emballement thermique.
• En général, le terme E0Imoy est nettement supérieur au terme R0Ieff ². On classe donc les diodes par calibre de
courant moyen maximal : Iavg max
• Le courant maximal admissible est celui qui permet à la température de jonction de ne pas dépasser sa valeur
maximale dans des conditions de refroidissement données.
− Applications
Alimentation à découpage
Redresseurs de puissance
Convertisseurs
Régulateurs de tension
− Exemple de diode de puissance
Figure 9: Diode BYT08P
Une diode BYT08P est utilisée dans un convertisseur flyback. Le courant qui la traverse est triangulaire de valeur crête
20A et de rapport cyclique 0,5.
b) Les transistors bipolaires de puissance
On obtient un transistor de type NPN en réunissant les anodes de deux diodes à jonction pourvu que la zone de type P
commune aux deux anodes soit très mince. En inversant les connexions des deux diodes on obtient un transistor PNP.
Le transistor bipolaire est le plus ancien des composants commandés utilisés dans les convertisseurs de puissance. Il est
aujourd’hui remplacé par le transistor MOSFET ou le transistor IGBT.
− Principe du transistor bipolaire
Contrairement au composant « signal », le transistor de puissance est limité aux types NPN. Sa structure simplifiée est
présentée les figure suivant.
Figure 10: Structure du transistor bipolaire
Figure 11: Symbole transistor NPN
Il reprend le principe de la diode PIN en utilisant 3 couches pour assurer des performances accrues en régime saturé. La
base (P+) et l’émetteur (N+) sont fortement interdigités (comme deux peignes) pour accentuer l’interaction entre la base
et l’émetteur.
− Fonctionnement du transistor réel
Comportement statique
La caractéristique de fonctionnement de transistor fait apparaître trois zones de fonctionnement :
Figure 12 : courbe de comportement du transistor en fonction de Vce
•La zone A correspond au régime linéaire où le transistor se comporte comme une source de courant iC
commandée par le courant iB : ( β est le gain en courant) ; iC =β ⋅iB
• La zone B est transitoire au fonctionnement strictement non linéaire ;
• La zone C est la zone de saturation où le fonctionnement est non linéaire pour une chute de tension VCEsat
minimale (de 1 à 2 V).
Pour assurer une bonne saturation, le courant injecté par la base n’est pas proportionnel au courant de collecteur,
mais bien supérieur iC/ β, limite du fonctionnement linéaire. Ce courant important conduit à un excès de charges dont
l’avantage est, certes, d’assurer une tension VCE faible en conduction (VCEsat) pour garantir des pertes en conduction
(statiques) faibles, mais ceci est obtenu au détriment de pertes en commutation (dynamiques) plus importantes. Un
compromis est donc trouvé pour optimiser globalement les pertes : la zone B privilégie les performances dynamiques,
tandis que la C privilégie la chute de tension en conduction.
Les limites de fonctionnement statiques apparaissent aussi sur la :
la limite 1 (courant maximal admissible, ICM) est liée à la densité de courant admissible ;
la limite 2 est la classique hyperbole de dissipation (puissance dissipée constante) ;
la limite 3 est due au phénomène de second claquage qui accentue localement la densité de courant dans l’émetteur ;
la limite 4 (tension maximale) résulte de l’existence d’une tension d’avalanche VCE0 entre collecteur et émetteur lorsque
le courant de base est nul.
Enfin, la dernière limite ( VCEv) est la caractéristique d’avalanche lorsque la base est polarisée
négativement. Cette limite est parfois utile pour bloquer une tension comprise entre VCE0 et VCEv si le
courant de collecteur est nul.
− Comportement dynamique
Le comportement dynamique est indissociable de la commande ( iB) et du contexte (évolution de iC
contrainte par la charge). On s’intéresse alors aux évolutions idéalisées (Figure 4) du courant de
collecteur iC et de base iB.
Figure 13: Comportement dynamique
La mise en conduction est obtenue avec un retard td (d pour delay, retard) par rapport au début de l’injection du
courant de base. Le courant de collecteur croît ensuite jusqu’à la valeur Is pendant la durée tr (r pour rise, montée). Pour
assurer des durées td et tr minimales, la valeur crête du courant de base est largement supérieure à celle au régime établi
(pour assurer une forte injection de charges et donc une saturation rapide). La courant de base peut ensuite revenir à une
valeur plus faible dès que le composant en conduction. Le blocage consiste à évacuer rapidement les charges qui avaient
été accumulées dans la base lors de la saturation. Cette extraction des charges est caractérisée par la durée ts (s pour
storage, stockage). La diminution de cette valeur est favorisée par une pointe de courant de base négative. Après cette
phase, le courant de collecteur décroît durant tf (f pour fall, descente).
− Tension de saturation collecteur–émetteur Vce (sat)
Il ne faut jamais dépasser la tension Vce maximale du transistor. Ceci est vrai pour tous les transistor bipolaire (de
signal faible puissance, ou de puissance). S la base est reliée à l’émetteur, la tension Vce admissible peut monter jusqu’à
la valeur de Vcb qui et souvent qui est parfois plus élevée néglige la dissipation de la jonction base-émetteur.
Droite de charge est obtenue par l'équation : 𝐸 = 𝑉𝑐𝑒 + 𝑅𝐼𝑐
On cherche Vce minimal
Ib=150mA → Vce=4V
Ib=200mA → Vce=1,4V → point A
Ib=350mA → Vce=0,4V → point B
Ib=450mA → Vce=0,4V → point B
Le transistor est saturé.
On définit Vce (sat) à (Ic sat, Ib sat), le rapport βf =Ic sat/Ib sat est appelé gain forcé : 𝛽𝑓 < 𝛽
− Pertes de conduction
Dans les convertisseurs à transistors, le courant collecteur est souvent trapézoïdal ou triangulaire. En prenant Vce
(sat) à Ic= Ic rête. on peut écrire :
− Puissance maximale dissipable
La puissance maximale dissipable est donner par la formule :
Pmax : puissance dissipée correspondant à
Tj=Tjmax pour Tboitier=25°C
Dans le plan Ic – Vce, Pmax=Vce Ic est l’équation d’une hyperbole appelée hyperbole de dissipation maximale
− Boîtiers de transistors de puissance
On peut voire diffèrent type de forme de bottier pour le transistor bipolaire de puissance
Figure 14: Boitier de transistor de puissance
− Les thyristors
Le thyristor est un élément semi-conducteur assez similaire à la diode à jonction, utilisée pour le redressement du
courant alternatif. Comme la diode, il laisse passer le courant électrique dans un seul sens, de l’anode (A) à la cathode (K).
Cependant, le thyristor possède une troisième électrode : la gâchette (G, en anglais gate). Le thyristor ne conduira que si
un courant minimum et positif est fourni à la gâchette.
Figure 15: Diode simple
On pourrait résumer en disant que le thyristor est une diode commandée et plus précisément une diode de redressement
commandée. En anglais, il est désigné par l'acronyme SCR, pour Silicon Controlled Rectifier (redresseur commandé au
silicium). Il existe en modèles de faible, moyenne ou forte puissance.
Figure 16: Structure d'un thyristor
− Fonctionnement d’un thyristor
Le thyristor est un semi-conducteur constitué d'un sandwich de quatre couches de silicium, alternativement P et N. Il
existe en modèles de faible, moyenne ou forte puissance.
Le thyristor ne conduit que lorsqu'il est "amorcé". L’amorçage, par le courant de gâchette, peut se faire en courant
continu. Il suffit de fermer l’interrupteur de commande pendant un court instant pour obtenir un courant de gâchette de
faible valeur. A partir de ce moment le thyristor s’amorce (on dit en anglais qu'il est on
State) et reste amorcé, même après ouverture de l’interrupteur. Dans la pratique, l'interrupteur est souvent un
générateur d’impulsions.
On désamorce le thyristor en faisant chuter la tension anode-cathode : dès que le courant descend en dessous du courant
de maintien, le thyristor ne conduit plus (on dit en anglais qu'il est off state).
Figure 17: Caractéristique d'un thyristor
Caractéristique d'un thyristor. Pour le rendre conducteur (on state), on doit d'abord lui injecter un courant de
gâchette suffisant. Ensuite, tant que le courant dans la charge reste supérieur à IL (L pour latch, verrou), et même en
l'absence de courant de gâchette, le thyristor continue de conduire. Pour le bloquer, le courant dans la charge doit
descendre sous une valeur IH (H pour hold, maintien) pendant un temps suffisant.
− Modélisation d’un thyristor
Figure 18: Schéma équivalent du thyristor
D’après cette schéma on a :
Ic1 = β1 Ib1
Ic1 = Ib2
Ic2 = β2 Ib2 = β1 β2 Ib1
Au départ Ib1 = Ig
Si β1 β2 >1 Ic2 > Ig : le thyristor reste amorcé si on annule Ig
Si β1 β2 <1 Ic2 < Ig : le thyristor ne reste pas conducteur si on annule Ig.
− Conditions d’amorçage
Commandé
• Ig > Igt pendant un temps suffisant (tgt)
• Iak > IL pour assurer la condition β1 β2 >1
Spontané
• Tj > Tjmax → Tjmax faible environ 110°C
• dVak/dt élevé → Nécessité d’un réseau RC de protection
− Conditions d’extinction
• Rendre β1 β2 < 1 → Iak < IH
IH courant de maintien environ IL courant d’accrochage
• Ne pas réappliquer de tension Vak>0 pendant un temps tq
− Calibre en courant
• Courant moyen max ITav
• Courant efficace max ITrms
Spécifiés pour un courant sinusoïdal avec angle de conduction de 180°
• Courant de surcharge accidentel ITSM demi sinusoïde 10 ms → protection par fusible → I²t
Exemple de paramètre de courant dans le thyristor BTW69 :
Figure 19: caractéristique d'un thyristor BTW69
− Puissance dissipée
On modélise la caractéristique indiquer suivant :
- Le diac
Le diac (DIode Alternating Current, en anglais) est une diode bidirectionnelle : elle peut être bloquée ou passante dans
les deux sens, selon le sens du courant alternatif. Son rôle essentiel est de servir au
déclenchement d'un triac.
Figure 20 : Symbole de Diac
Le diac ne conduit pas le courant (à l'exception d'un courant de fuite négligeable) tant que sa tension nominale n'est pas
atteinte. Cette tension (breakover voltage, en anglais) se situe, suivant le modèle, vers 32 ou 40 V. Lorsque cette tension
est atteinte, il se produit un phénomène de conduction en avalanche et la tension de seuil du composant chute aux
alentours de 5 V (valeur typique). Le courant qui traverse le diac est alors suffisant pour déclencher un triac.
Figure 21: caractéristique d'un Diac
Caractéristique d'un diac. Le diac bloque les tensions dans les deux sens, jusqu'à ce que sa tension nominale (breakover
Voltage) V(BO) soit atteinte. La tension de sortie Vo chute alors à une valeur bien moindre.
- Le triac
Le triac (TRIode Alternating Current, en anglais) est un dispositif semi-conducteur à trois électrodes qui autorise la mise
en conduction et le blocage des deux alternances d'une tension alternative, en général celle du secteur 230 V. Le triac
peut passer d'un état bloqué à un régime conducteur dans les deux sens depolarisation, et repasser à l'état bloqué par
inversion de tension (passage par le "zéro secteur", zero crossing en anglais) ou par diminution de la valeur du courant de
maintien.
Par analogie on pourrait dire qu'un triac est constitué de deux thyristors montés "tête-bêche" :
Figure 22: Symbole d'un triiac
Les trois électrodes du triac sont dénommées gâchette (électrode de commande, appelée gate en anglais), et A1
et A2 (pour Anodes 1 et 2) ou, en anglais, MT1 et MT2 (Main Terminals). Ces deux dernières électrodes assurent la
conduction principale.
Le principe de fonctionnement du triac est le suivant: un courant de commande très faible (environ 50 mA)
déclenche le triac, qui reste amorcé jusqu'au passage par zéro de la sinusoïdale secteur. La puissance fournie à la charge
est maximale lorsque le déclenchement a lieu juste après le passage par zéro de la tension alternative, mais en retardant
l'impulsion de déclenchement, on peut faire varier à volonté l'intensité appliquée à la charge.
Figure 23: Caractéristique d'un triac
Le triac est avant tout destiné à piloter des charges raccordées au secteur 230 V, par exemple une ampoule (charge
non inductive) ou un moteur électrique (charge inductive). Il permet de réaliser des gradateurs (variateurs) de lumière,
des variateurs de vitesse pour les moteurs des appareils électro-ménagers ou de bricolage ; il permet aussi, associé à un
capteur (photorésistance...) de commander un dispositif de commutation ou de régulation (chauffage, électrovanne...)
par ouverture ou fermeture du circuit. Les applications, on le voit, sont diverses et nombreuses
− Les transistors à effet de champ MOS
• Structure de MOSFET de puissance
Structure latérale.
Les points de contacts du Drain, de la Grille et de la Source sont placés sur la même face de la pastille de silicium. Une
telle structure est très facilement intégrable mais ne permet pas d'obtenir un transfert de puissance élevé puisque la
distance entre Source et Drain doit être large pour obtenir une bonne tenue en tension inverse alors que la capacité en
courant est inversement proportionnelle à cette longueur.
Structure verticale.
Dans cette structure, le Drain et la Source sont placés sur deux faces opposées. Les surfaces de contacts de ces deux
connexions peuvent ainsi être augmentées et la longueur entre elles réduite. Dans ce cas la capacité en courant est
fortement accrue et la tenue en tension inverse peut être améliorée à l'aide d'une zone N- faiblement dopée (N- epitaxial
layer). De manière très générale, on distingue trois types de structures verticales
• Mode de fonctionnement du MOSFET
En électronique de puissance, le MOSFET est utilisé comme élément de commutation et par
conséquent présente deux états distincts.
− Processus de formation du canal.
En l'absence de polarisation positive de la grille, le transistor est bloqué. Si on applique une tension Drain-Source VDS
positive le courant de drain est théoriquement nul. Il correspond au très faible courant de fuite de la jonction PN0 N+
polarisée en inverse. Lorsque, VDS étant positif, on polarise positivement la grille on peut rendre le transistor conducteur.
Le champ électrique résultant qui apparaît dans la couche d'oxyde attire vers la surface du silicium les électrons
minoritaires de la zone P et repousse les trous majoritaires.
Lorsque la tension Grille – Source VGS devient supérieure à une valeur appelée tension de seuil VGS(Th) (threshold
voltage) de l'ordre de quelques volts, les électrons deviennent localement assez nombreux pour que la conductivité passe
du type P au type N sur une épaisseur de quelques microns en dessous de la couche d'oxyde : il apparaît des canaux de
type N entre les îlots N+ et la zone N0 . Les électrons peuvent se déplacer dans ces canaux et donner naissance au courant
direct de drain. La longueur des canaux est très faible. Leur largeur totale est très élevée car elle est égale au produit du
périmètre d'une cellule par le nombre total de cellules; elle peut atteindre plusieurs mètres par cm2 de silicium.
Figure 24: Formation du canal
− Fonctionnement linéaire
Dans la zone de fonctionnement linéaire (canal pincé)
Avec Vth tension de seuil
Caractéristiques ID=f(VDS,VGS)
Cette courbe montrer la caractéristique de ID en fonction de tension VDS et VGS, ainsi que la température du composant
Si VDS est très faible : ID = 2K (VGS - Vth) VDS
Le MOSFET se comporte comme une résistance R DS on contrôlable par VGS
− Résistance à l’état passant: R DS on
− Puissance dissipée
Puissance dissipée en conduction : il est donné par la formuler
− Temps de commutation
− Les IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Ces sont des composant de puissance qui associent MOS et transistor bipolaire de puissance. Ils cumulent les aventage
des deux sans totalement en éliminé l’inconvénients .
Un IGBT type NPN possede comme un transistror un colecteur et un émetteur, mais la base est remplacer par une
électronde haute impedance qui est la grille d’un MOS. Il est constitué par un transstor bipolaire de puissance et de faible
gain associer a un MOS canal N qui fournit la courant de base. La structure interne est reprentées par le figure suivant
Figure 25: structure d’un IGBT
Le réseau de caractéristique ressemble à une celui de MOS mais les courbe ne passent pas par origine car la jonction base
émettre du transistor PNP est en série entre collecteur et émetteur, d’où un décalage un peu supérieur à 0.5V.
Dans la zone de pincement le courant obéit à une loi quadratique :
A cause de l’effet Early dans le transistor de puissance, les caractéristiques sont moins horizontales que celles d’un MOS
mais la résistance interne est cependant très supérieure à celle d’un transistor bipolaire au même courant.
Les IGBT à l’origine n’étaient pas des composant rapides, guère meilleurs dans ce domaine que les bipolaires de puissance,
mais surtout leur comportement en communication et dissymétrique, le passage de bloqué à conducteur est assez rapide
alors que le retour au blocage est lent car le transistor de puissance prend du temps pour se déssaturer. La base du
transistor bipolaire n’étaient pas accessible de l’extérieur aucun circuit d’aide à la commutation ne peut être ajouté. De
progrès dans ce domaine ont été accomplis depuis quelques années et temps de commutation annoncés pour le IGBT
récents se rapproche de ceux de MOS.
− Schéma équivalent
Figure 26: Schéma équivalent d'un IGBT
Exemple : IRG4BC20UD : 500V Imax = 13A pour 1,65V de Vce et un temps de commutation 180nS/13nS
3. Conclusion
En conclusion, les semi-conducteurs de puissance jouent un rôle important dans la conversion et la gestion de
l'énergie électrique dans une grande variété d'applications. Leur capacité à offrir des performances élevées, une efficacité
énergétique accrue et une fiabilité accrue en fait des composants indispensables dans les systèmes de puissance
modernes. En constante évolution, ces dispositifs continuent de repousser les limites de l'efficacité énergétique et de
contribuer à la transition vers un avenir énergétique plus durable.
