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République Algérienne Démocratique et

Populaire

Ministère de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

Comité Pédagogique National du domaine Sciences et Technologies

HARMONISATION
OFFRE DE FORMATION
MASTER ACADEMIQUE

2016 - 2017

Domaine Filière Spécialité

Sciences
et Electronique Microélectronique
Technologies
 Page |2

République Algérienne Démocratique et

Populaire

Ministère de l'Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

Comité Pédagogique National du domaine Sciences et Technologies

2017-2016

‫التخصص‬ ‫الفرع‬ ‫الميدان‬

‫ميكرو إلكترونيك‬ ‫الكترونيك‬ ‫علوم و تكنولوجيا‬

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I – Fiche d’identité du Master

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Conditions d’accès
(Indiquer les spécialités de licence qui peuvent donner accès au Master)

Classement selon la Coefficient

Licences ouvrant accès
Filière Master harmonisé compatibilité de la affecté à la
au master
licence licence
Electronique 1 1.00
Physique des matériaux
2 0.80
(Domaine SM)
Chimie Matériaux
3 0.70
Electronique Microélectronique (Domaine SM)
Télécommunications 3 0.70
Génie biomédical 3 0.70
Autres licences du domaine ST 5 0.60
Autres licences du domaine ST 5 0.60

II – Fiches d’organisation semestrielles des enseignements

de la spécialité
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Semestre 1
Volume horaire
Matières Volume Travail Mode d’évaluation

Coefficient
hebdomadaire

Crédits
Unité Horaire Complémentaire
d'enseignement Semestriel en Consultation Contrôle
Intitulé Cours TD TP (15 semaines) (15 semaines) Examen
Continu
UE Fondamentale Physique des composants
Code : UEF 1.1.1 6 3 3h00 1h30 67h30 82h30 40% 60%
semiconducteurs 1
Crédits : 10
Coefficients : 5 Couches minces 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60%
UE Fondamentale Procédés d’élaboration des
4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Code : UEF 1.1.2 dispositifs semiconducteurs
Crédits : 8 Conception des circuits intégrés
Coefficients : 4 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60%
analogiques
TP Physique des composants
2 1 1h30 22h30 27h30 100%
semiconducteurs 1
UE Méthodologique TP Conception des CI intégrés
Code : UEM 1.1 2 1 1h30 22h30 27h30 100%
analogiques
Crédits : 9
Coefficients : 5 TP propriétés optiques des SC 2 1 1h30 22h30 27h30 100%
Programmation orienté objet en
3 2 1h30 1h00 37h30 37h30 40% 60%
C++
UE Découverte
Code : UED 1.1 Matière au choix 1 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Crédits : 2
Coefficients : 2 Matière au choix 2 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
UE Transversale
Code : UET 1.1 Anglais technique et
Crédits : 1 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
terminologie
Coefficients : 1
Total semestre 1 30 17 13h30 6h00 5h30 375h00 375h00
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Semestre 2
Volume horaire
Matières Volume Travail Mode d’évaluation

Coefficient
hebdomadaire

Crédits
Unité Horaire Complémentaire
d'enseignement Semestriel en Consultation Contrôle
Intitulé Cours TD TP (15 semaines) (15 semaines) Examen
Continu

UE Fondamentale Physique des composants

6 3 3h00 1h30 67h30 82h30 40% 60%
Code : UEF 1.2.1 semiconducteurs 2
Crédits : 10 Modélisation des composants
Coefficients : 5 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60%
semiconducteurs (SC)
UE Fondamentale Techniques de caractérisation des
4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Code : UEF 1.2.2 dispositifs semiconducteurs
Crédits : 8
Dispositifs photovoltaïques 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Coefficients : 4
TP Physique des composants SC 2 2 1 1h30 22h30 27h30 100%
UE
Méthodologique TP Techniques de caractérisation 2 1 1h30 22h30 27h30 100%
Code : UEM 1.2
Crédits : 9 TP Dispositifs photovoltaïques 2 1 1h30 22h30 27h30 100%
Coefficients : 5
Conception des circuits intégrés
3 2 1h30 1h00 37h30 37h30 40% 60%
analogiques MOS
UE Découverte
Matière au choix 3 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Code : UED 1.2
Crédits : 2
Coefficients : 2 Matière au choix 4 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
UE Transversale
Code : UET 1.2 Ethique, déontologie et propriété
Crédits : 1 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
intellectuelle
Coefficients : 1
Total semestre 2 30 17 13h30 6h00 5h30 375h00 375h00
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Semestre 3
Volume horaire
Matières Volume Travail Mode d’évaluation

Coefficient
hebdomadaire

Crédits
Unité Horaire Complémentaire
d'enseignement Semestriel en Consultation Contrôle
Intitulé Cours TD TP (15 semaines) (15 semaines) Examen
Continu

UE Fondamentale Physique des composants

6 3 3h00 1h30 67h30 82h30 40% 60%
Code : UEF 1.3.1 semiconducteurs 3
Crédits : 10 Conception des CI analogiques
Coefficients : 5 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60%
numériques CMOS
UE Fondamentale Matériaux pour l’électronique 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Code : UEF 1.3.2
Crédits : 8 Optoélectronique 4 2 1h30 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Coefficients : 4
TP Hétérostructures à
2 1 1h30 22h30 27h30 100%
semiconducteurs
UE
Méthodologique TP Conception des CI analogiques
2 1 1h30 22h30 27h30 100%
Code : UEM 1.3 numériques CMOS
Crédits : 9
TP Optoélectronique 2 1 1h30 22h30 27h30 100%
Coefficients : 5
Simulation des composants SC 3 2 1h30 1h00 37h30 37h30 40% 60%
UE Découverte
Code : UED 1.3 Matière au choix 5 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Crédits : 2
Coefficients : 2 Matière au choix 6 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
UE Transversale
Code : UET 1.3 Recherche documentaire et
1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Crédits : 1 conception de mémoire
Coefficients : 1
Total semestre 3 30 17 13h30 6h00 5h30 375h00 375h00
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Orientations générales sur le choix des matières transversales et de découverte :

Six matières (de découverte) dans le Référentiel des Matières du Master ‘’Instrumentation’’
(Tableau ci-dessus) sont laissées au libre choix des établissements qui peuvent choisir
indifféremment leurs matières parmi la liste présentée ci-dessous en fonction de leurs
priorités.
A titre d’exemple, une proposition du CPND pour le choix des matières est fournie ci-dessous
avec les programmes détaillés pour le semestre 1.

Matières proposées par le CPND pour le semestre 1 : (avec programmes détaillés)

 Choix 1 : Technologie du vide et Salle blanche (Découverte)

 Choix 2 : Biomatériaux (Découverte)

Autres matières laissées au libre choix des établissements (programmes ouverts après
validation du CPND)

 Industrie de la microélectronique (Découverte)

 Gestion des déchets électroniques (Découverte)
 Matériaux pour la nanoélectronique et la photonique (Découverte)
 Couches minces et cristaux photoniques (Découverte)
 Introduction aux nanotechnologies (Découverte)
 Capteurs intégrés et MEMS (Découverte)
 …

Semestre 4

Stage en entreprise sanctionné par un mémoire et une soutenance.

VHS Coeff Crédits

Travail Personnel 550 09 18
Stage en entreprise 100 04 06
Séminaires 50 02 03
Autre (Encadrement) 50 02 03
Total Semestre 4 750 17 30
Ce tableau est donné à titre indicatif

Evaluation du Projet de Fin de Cycle de Master

- Valeur scientifique (Appréciation du jury) /6

- Rédaction du Mémoire (Appréciation du jury) /4
- Présentation et réponse aux questions (Appréciation du jury) /4
- Appréciation de l’encadreur /3
- Présentation du rapport de stage (Appréciation du jury) /3
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III - Programme détaillé par matière du semestre S1

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Semestre: 1
Unité d’enseignement: UEF 1.1.1
Matière 1: Physique des composants semiconducteurs 1
VHS: 67h30 (Cours: 3h00, TD: 1h30)
Crédits: 6
Coefficient: 3

Objectifs de l’enseignement:
Connaître les phénomènes physiques se manifestant dans les matériaux semiconducteurs qui sont
utilisés pour réaliser les composants de la microélectronique. Comprendre le principe de
fonctionnement des composants électroniques de base : jonction PN, diode Schottky, JFET.

Connaissances préalables recommandées:

Physique et chimie de base

Contenu de la matière:

Chapitre 1. Notions de cristallographie (1 Semaines)

Systèmes cristallins, Mailles élémentaires, Plans réticulaires, Indices de Miller, Système cubique
Chapitre 2. Théorie des bandes d’énergie d’un semiconducteur (3 Semaines)
L’électron dans un cristal
Modèle de Sommerfeld, Bandes d’énergie (approche intuitive), Calcul des bandes
d’énergie, Distinction métal-isolant-Semiconducteur, Notion de trou, Masse effective de
l’électron dans un cristal, Densité d’états dans les bandes permises).
Semiconducteurs intrinsèques
Semiconducteurs extrinsèques
Ionisation des impuretés, Equilibre électrons-trous, Calcul de la position du niveau de
Fermi, Semiconducteurs dégénérés
Alignement des niveaux de Fermi
Chapitre 3. Théorie de la conductivité électrique et équations de transport (3 Semaines)
Dérive des électrons dans un champ électrique
Mobilité
Courant de dérive (Effet Hall)
Courant de diffusion
Equations de dérive-diffusion (Relations d’Einstein)
Equations de transport
Quasi-niveaux de Fermi
Chapitre 4. Phénomène de Génération et de recombinaison (3 Semaines)
Introduction
Transitions directes et indirectes
Centres de génération-recombinaison
Durée de vie des porteurs excédentaires
Recombinaison SRH
Recombinaison en surface
Chapitre 5. La jonction PN (2 Semaines)
Introduction
Jonction PN à l’équilibre
Jonction PN polarisée
Calcul du courant : diode idéale (courant de diffusion), courant de génération / recom-
binaison, Claquage de la jonction)
Capacité de la jonction PN : Capacité de transition, Capacité de diffusion
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Modèle de la jonction PN : Modèle ‘’grands signaux’’ à basse fréquence, Modèle ‘’ petits

signaux’’ à basse fréquence, Modèle ‘’petits signaux’’ à haute fréquence
Chapitre 6. La diode Schottky (2 Semaines)
Diagrammes de bandes
Extension de la zone de déplétion
Variation de la barrière de potentiel avec la tension appliquée
Mécanismes de conduction
Influence des états d’interface
Comparaison avec la diode à jonction PN
Chapitre 7. Le JFET (1 Semaines)

Mode d’évaluation:
Contrôle continu: 40% ; Examen: 60%.

Références bibliographiques:
1. J.P. Collinge Physique des dispositifs semiconducteurs, De Boeck Université, 1998
2. H. Mathieu, Physique des semiconducteurs et des composants électroniques, 6e édition, Cours et
exercices corrigés, Dunod 2009
3. P. Leturcq, Physique des composants actifs à semiconducteurs, Dunod 1978
4. H. Ngô, Introduction à la physique des semiconducteurs. Cours et exercices corrigés, Dunod
5. S.M. Sze, Physics of semiconductor devices, John Wiley
6. A. Vapaille, Physique des dispositifs à semiconducteurs, Masson 1970
7. B. Sapoval, Physique des semiconducteurs, Ellipses.
8. J. Singh, Semiconductors devices: an introduction, Mc Graw Hill, 1994
9. D. A. Neaman, Semiconductor physics and device: basic principle, Mc Graw Hill, 2003
10. A. Vapaille, Dispositifs et circuits intégrés semiconducteurs, Dunod, 1987.
11. M. Mebarki, Physique des semiconducteurs OPU, Alger, 1993.
12. C. Ngô et H. Ngô, Physique des semi-conducteurs, 4e édition, Dunod.
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Semestre: 1
Unité d’enseignement: UEF 1.1.1
Matière 2: Couches minces
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crédits: 4
Coefficient: 2

Objectifs de l’enseignement:
Apprendre à l’étudiant l’essentiel sur la fabrication des couches minces, leurs propriétés ainsi que les
méthodes développées pour leur caractérisation.

Connaissances préalables recommandées:

Notions de physique et de chimie

Contenu de la matière:

Chapitre 1. Notions sur la physique des couches minces (3 Semaine)

Définition d’une couche mince, mode de croissance des couches minces, paramètres contrôlant la
croissance des couches minces, effets influençant la pureté d’une couche mince, …

Chapitre 2. Techniques de dépôts physiques (3 Semaines)

Pulvérisation, évaporation, …

Chapitre 3. Techniques de dépôts chimiques (3 Semaines)

CVD, épitaxie en phase liquide, PECVD, …

Chapitre 4. Caractérisation des couches minces (3 Semaines)

Chapitre 5. Propriétés électriques des couches minces (3 Semaines)

Mode d’évaluation:
Contrôle continu: 40% ; Examen: 60%.

Références bibliographiques:
1. Emmanuel Defaÿ, Intégration des couches minces ferroélectriques et piézoélectriques, Editions
Wiley, 2011
2. Kurt Randerath, Chromatographie sur couches minces
3. A. Richardt, A.M.Durand, Les couches minces, les couches dures, édition In Fine 1994
4. A. Cornet, Physique et ingénierie de surfaces, EDP Sciences 1998
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Semestre: 1
Unité d’enseignement: UEF 1.1.2
Matière 3: Procédés d’élaboration des dispositifs semiconducteurs
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crédits: 4
Coefficient: 2

Objectifs de l’enseignement:
Aborder l'ensemble des étapes technologiques en détaillant pour chacune d'elles les mécanismes
physico-chimiques mis en jeu, les précautions qu'elles nécessitent et les contraintes éventuellement
qu'elles imposent vis-à-vis des autres étapes.

Connaissances préalables recommandées:

Notions générales sur les semiconducteurs.

Contenu de la matière:

- Historique et Généralités sur les semiconducteurs (Couches minces, technologie planaire, caissons
d’isolement ...).
- Du sable à la plaquette de silicium.
- Le tirage et la croissance des semiconducteurs.
- Techniques de nettoyage.
- Oxydation par voie humide et sèche.
- Dépôt de matériau: épitaxie, pulvérisation cathodique, dépôt chimique en phase vapeur.
- Dopage: diffusion, implantation ionique.
- Photolithographie.
- Gravure chimique, gravure physique, polissage mécano-chimique.
- Métallisation, passivation.

Mode d’évaluation:
Contrôle continu: 40% ; Examen: 60%.

Références bibliographiques:
1. R. Levy, Microelectronic Materials and Processes.
2. C. Grovenor, Microelectronic materials.
3. G. Rebeiz, RF MEMS, theory, Design, and Technologies, Wiley.
4. Mohamed Gad-el-Hak, MEMS Introduction and Fundamentals. The MEMS Handbook, 2nd Ed.
5. J. Ramsden, Nanotechnology, an introduction, Elsevier.
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Semestre: 1
Unité d’enseignement: UEF 1.1.2
Matière 4: Conception des circuits intégrés analogiques
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crédits: 4
Coefficient: 2

Objectifs de l’enseignement:
Maîtriser le Design Flow de la conception des circuits intégrés analogiques

Connaissances préalables recommandées:

Electronique fondamentale, Technologie des composants électroniques

Contenu de la matière:

Généralités : Historique, Vue générale

Structure et modélisation des composants intégrés (passifs et actifs) : Caractéristiques, Modèles,
Equations, Fabrication, Layout
Le transistor ; La diode ; Le thyristor ; Le transistor à effet de champ ; Résistance, Condensateur
Circuits de base :
Étages amplificateurs (amplificateur à un étage, étage différentiel)
Miroirs de courant statiques et dynamiques
Amplificateurs opérationnels intégrés (à deux étages de gain et cascode)
Bruit dans les composants

Mode d’évaluation:
Contrôle continu: 40 % ; Examen: 60 %.

Références bibliographiques:
1. D.A. Johns, Analog Integrated Circuit Design, Wiley, 1997
2. T.C. Carusone, Analog Integrated Circuit Design
3. P.R. Gray, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, Wiley, 2001
4. B. Razavi, Design of Analog Integrated Circuits, McGraw Hill, 2001
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Semestre: 1
Unité d’enseignement: UEM 1.1
Matière 1: TP Physique des composants semiconducteurs 1
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crédits: 2
Coefficient: 1

Objectifs de l’enseignement:

Connaissances préalables recommandées:

Contenu de la matière:

En fonction de la disponibilité des équipements pédagogiques matériels (salle blanche, produits

chimiques, …) et des équipements virtuels (logiciels dédiés à la microélectronique), les équipes de
formation sont autorisés à arrêter pour leur propre compte un certain nombre de séances de Travaux
Pratiques (entre 4 et 6 TP) relatives à cette matière.
Toutefois, il est fortement demandé à ces équipes d’envoyer au CPND-ST la liste des TP à réaliser
pour validation.

Mode d’évaluation:
Contrôle continu: 100%

Références bibliographiques
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Semestre: 1
Unité d’enseignement: UEM 1.1
Matière 2: TP Conception des CI intégrés analogiques
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crédits: 2
Coefficient: 1

Objectifs de l’enseignement:

Connaissances préalables recommandées:

Contenu de la matière:

En fonction de la disponibilité des équipements pédagogiques matériels (salle blanche, produits

chimiques, …) et des équipements virtuels (logiciels dédiés à la microélectronique), les équipes de
formation sont autorisés à arrêter pour leur propre compte un certain nombre de séances de Travaux
Pratiques (entre 4 et 6 TP) relatives à cette matière.
Toutefois, il est fortement demandé à ces équipes d’envoyer au CPND-ST la liste des TP à réaliser
pour validation.

Mode d’évaluation:
Contrôle continu: 100 %

Références bibliographiques:
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Semestre: 1
Unité d’enseignement: UEM 1.1
Matière 3: TP propriétés optiques des SC
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crédits: 2
Coefficient: 1

Objectifs de l’enseignement:

Connaissances préalables recommandées:

Contenu de la matière:

En fonction de la disponibilité des équipements pédagogiques matériels (salle blanche, produits

chimiques, …) et des équipements virtuels (logiciels dédiés à la microélectronique), les équipes de
formation sont autorisés à arrêter pour leur propre compte un certain nombre de séances de Travaux
Pratiques (entre 4 et 6 TP) relatives à cette matière.
Toutefois, il est fortement demandé à ces équipes d’envoyer au CPND-ST la liste des TP à réaliser
pour validation.

Mode d’évaluation:
Contrôle continu: 100%

Références bibliographiques:
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Semestre: 1
Unité d’enseignement: UEM 1.1
Matière 4: Programmation orienté objet en C++
VHS: 37h30 (Cours : 1h30, TP: 1h00)
Crédits: 3
Coefficient: 2
Objectifs de l’enseignement :
Apprendre à l’étudiant les fondements de base de la programmation orientée objets ainsi que la
maitrise des techniques de conception des programmes avancés en langage C++.
Connaissances préalables recommandées :
Programmation en langage C.
Contenu de la matière :
Chapitre 1. Introduction à la programmation orientée objets (POO) (2 semaines)
Principe de la POO, Définition et Mise en route de langage C++, Le noyau C du langage C++.
Chapitre 2. Notions de base (2 semaines)
Les structures de contrôle, Les fonctions, Les tableaux, La récursivité, Les fichiers, Pointeurs, Pointeurs
et références, Pointeurs et tableaux, L'allocation dynamique.
Chapitre 3. Classes et objets (3 semaines)
Déclaration de classe, Variables et méthodes d'instance, Définition des méthodes, Droits d'accès et
encapsulation, Séparations prototypes et définitions, Constructeur et destructeur, Les méthodes
constantes, Association des classes entre elles, Classes et pointeurs.
Chapitre 4. Héritage et polymorphisme (3 semaines)
Héritage, Règles d'héritage, Chaînage des constructeurs, Classes de base, Préprocesseur et directives
de compilation, Polymorphisme, Règles à suivre, Méthodes et classes abstraites, Interfaces,
Traitements uniformes, Tableaux dynamiques, Chaînage des méthodes, Implémentation des méthodes
virtuelles, Classes imbriquées.
Chapitre 5. Les conteneurs, itérateurs et foncteurs (3 semaines)
Les séquences et leurs adaptateurs, Les tables associatives, Choix du bon conteneur, Itérateurs : des
pointeurs boostés, La pleine puissance des list et map, Foncteur : la version objet des fonctions, Fusion
des deux concepts.
Chapitre 6. Notions avancées (2 semaines)
La gestion des exceptions, Les exceptions standard, Les assertions, Les fonctions templates, La
spécialisation, Les classes templates.

TP Programmation orientée objet en C++

TP1 : Maitrise d’un compilateur C++
TP2 : Programmation C++
TP3 : Classes et objets
TP4 : Héritage et polymorphisme
TP5 : Gestion mémoire
TP6 : Templates

Mode d’évaluation :
Contrôle continu : 40% ; Examen : 60%.

Références bibliographiques:
1. Bjarne Stroustrup (auteur du C++), Le langage C++, Pearson.
2. Claude Delannoy, Programmer en langage C++, 2000.
3. Bjarne Stroustrup, Le Langage C++, Édition (2000) ou Pearson Education France (2007).
4. P.N. Lapointe, Pont entre C et C++ (2ème Édition), Vuibert, Edition 2001
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Semestre : 1
Unité d’enseignement : UED 1.1
Matière : Matière 1 au choix
VHS : 22h30 ( cours : 1h30)
Crédits : 1
Coefficient : 1

Semestre : 1
Unité d’enseignement : UED 1.1
Matière : Matière 2 au choix
VHS : 22h30 ( cours : 1h30)
Crédits : 1
Coefficient : 1
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Semestre : 1
Unité d’enseignement : UET 1.1
Matière : Anglais technique et terminologie
VHS : 22h30 ( cours : 1h30)
Crédits : 1
Coefficient : 1

Objectifs de l’enseignement:
Initier l’étudiant au vocabulaire technique. Renforcer ses connaissances de la langue. L’aider à
comprendre et à synthétiser un document technique. Lui permettre de comprendre une conversation
en anglais tenue dans un cadre scientifique.

Connaissances préalables recommandées:

Vocabulaire et grammaire de base en anglais

Contenu de la matière:

- Compréhension écrite : Lecture et analyse de textes relatifs à la spécialité.

- Compréhension orale : A partir de documents vidéo authentiques de vulgarisation scientifiques,

prise de notes, résumé et présentation du document.

- Expression orale : Exposé d'un sujet scientifique ou technique, élaboration et échange de messages
oraux (idées et données), Communication téléphonique, Expression gestuelle.

- Expression écrite : Extraction des idées d’un document scientifique, Ecriture d’un message
scientifique, Echange d’information par écrit, rédaction de CV, lettres de demandes de stages ou
d'emplois.

Recommandation : Il est vivement recommandé au responsable de la matière de présenter et

expliquer à la fin de chaque séance (au plus) une dizaine de mots techniques de la spécialité
dans les trois langues (si possible) anglais, français et arabe.

Mode d’évaluation:
Examen: 100%.

Références bibliographiques :

- P.T. Danison, Guide pratique pour rédiger en anglais: usages et règles, conseils pratiques, Editions
d'Organisation 2007
- A. Chamberlain, R. Steele, Guide pratique de la communication: anglais, Didier 1992
- R. Ernst, Dictionnaire des techniques et sciences appliquées: français-anglais, Dunod 2002.
- J. Comfort, S. Hick, and A. Savage, Basic Technical English, Oxford University Press, 1980
- E. H. Glendinning and N. Glendinning, Oxford English for Electrical and Mechanical Engineering,
Oxford University Press 1995
- T. N. Huckin, and A. L. Olsen, Technical writing and professional communication for nonnative
speakers of English, Mc Graw-Hill 1991
- J. Orasanu, Reading Comprehension from Research to Practice, Erlbaum Associates 1986
 P a g e | 22

Proposition de quelques matières de découverte

 P a g e | 23

-
Semestre: 1
Unité d’enseignement: UED 1.1
Matière 1: Technologie du vide et Salle blanche
VHS: 22h30 (Cours: 1h30)
Crédits: 1
Coefficient: 1

Objectifs de l’enseignement:
Familiarisation avec les exigences d’une salle blanche : accès, équipements, produits chimiques, …

Connaissances préalables recommandées:

Aucune

Contenu de la matière:

- Techniques du vide : terminologie du vide, pompes à vide, Jauge à vide, enceintes à vide,…
- Généralités sur la conception de salle blanche
- Types de salle blanche et normes internationales
- Filtration de l’air
- Techniques d’ultrapurification des salles blanches
- Production d’eau désionisée
- Règles d’accès à une salle blanche
- Règles d’utilisation des produits chimiques dangereux (Acides, bases, solvants,…)
- Présentation générale des équipements de la salle blanche
- Procédés Technologiques : procédé de nettoyage standard, oxydation, étalement de la résine,
photolithographie, …

Mode d’évaluation:
Examen: 100%.

Références bibliographiques:
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Semestre: 1
Unité d’enseignement: UED 1.1
Matière 2: Biomatériaux
VHS: 22h30 (Cours: 1h30)
Crédits: 1
Coefficient: 1

Objectifs de l’enseignement:
Compréhension des concepts de biocompatibilité et de bio fonctionnalité des matériaux.

Connaissances préalables recommandées:

Cours de base de physique

Contenu de la matière:

Chapitre 1. Classes de matériaux utilisés en médecine

Chapitre 2. Tissus et cellules biologiques

Chapitre 3. Réactions de l’hôte aux biomatériaux et leur évaluation.

Chapitre 4. Essais biologiques des biomatériaux

Mode d’évaluation:
Examen: 100%.

Références bibliographiques: