LES SEMI CONDUCTEURS

La valence d’un élément est le nombre d’électron sur sa dernière couche.

- Les éléments de valence 1 ; 2 ; 3 sont des métaux : ce sont des
conducteurs d’électricité.
- Les éléments de valence 5 ; 6 ; 7 sont des métalloïdes : ce sont
des isolants.
- Les éléments de valence 4 placés entre les métaux et les
métalloïdes sont des Semi-conducteur.

I- Définition d’semi conducteur :

Un semi-conducteur est un matériau de valence 4, placé entre les métaux
et les métalloïdes, qui conduit l’électricité à température ambiante
aisément moins qu’un conducteur. Aux bases températures, les semi-
conducteurs purs se comportent comme des isolants.
A des températures élevées ou en présence d’impureté ou de lumière, la
conductivité des semi conducteurs s’accroît fortement pouvant même
devenir comparable à celle des métaux.
II- Nature des porteurs de charges dans un semi-
conducteur :
Il existe deux types de porteurs de charges :
Les porteurs de charges négatives qui sont les électrons et les porteurs de
charges positives qui sont des trous.
Le nombre d’électron est noté N et le nombre de trous est noté P.
III- Les semi conducteurs intrinsèques :
Un semi conducteur intrinsèque est un semi conducteur qui ne contient
pas d’impureté. Le nombre d’électrons est égal au nombre de trous N=P.
Exemple : le silicium (Si) ; le germanium (Ge).
IV- Les semi conducteurs extrinsèques :
Un semi conducteur extrinsèque est un semi conducteur qui contient des
impuretés. Le nombre d’électron est différent du nombre de trous (N≠P).
1
MGD
Lorsque les impuretés sont des trous, on dit que le semi-conducteur est de
type P.
Lorsque les impuretés sont électrons, on dit que le semi-conducteur est de
type N.
V- Dopage :
a) Semi-conducteur extrinsèque de type P :
Quand on ajoute des atome de métal (Bore, Al, etc.) à un semi-conducteur
intrinsèque, il y aura excès de trous (P>N), on aura ainsi un semi-
conducteur de type P.
b) Semi-conducteur extrinsèque de type N :
Lorsqu’on ajoute des atomes de métalloïdes (phosphore, azote etc.) à un
semi-conducteur intrinsèque, il y aura excès d’électron (N>P), on obtient
un semi-conducteur extrinsèque de type N.
Lorsqu’on met en contact ces deux semi-conducteurs (type P et type N),
on aura une jonction PN.
VI- Conduction d’un semi-conducteur :
Dans un atome cristallin, les électrons se repartissent autour des atomes
en fonction de leur énergie. Les différentes orbites autour d’un noyau
correspondent chacune à un niveau d’énergie précis, les premiers
électrons arrivés occupant les orbites les plus proches du noyau sont
stables. Pour des raisons de propriétés conductrices on ne s’occupe
qu’aux électrons les plus mobiles, à savoir ceux situés sur l’orbite la plus
loin du noyau : ce sont les électrons périphériques.

Dernière couche

Noyau et électron interne

Electrons périphériques

Atome de Silicium

Deux atomes mettant en commun 2 électrons périphériques (1 chacun)

pour former une liaison de covalence. Ces liaisons assurent la cohésion du
métal. Ces électrons ne sont donc pas libres de transporter le courant
électrique. Ainsi en l’absence d’agitation thermique (-273°C ou 0°K), tous
les électrons sont occupés à former des liaisons : ce monocristal constitue
un semi-conducteur intrinsèque.
A la température ordinaire certaines liaisons covalentes peuvent se
rompre, rendant ainsi mobile certains électrons. Chacun de ces électrons
laisse une place vide appelée trou, de charge positive : le matériau peut
donc conduire l’électricité.
La conductivité étant due au déplacement de 2 types de particules : les
électrons libre et les trous. A 27°C le silicium (Si) est encore 294.10 8
moins conducteur que le cuivre (Cu).
Pour augmenter la conductivité du silicium (Si), on va donc le doper en
l’ajoutant des atomes de métaux ou de métalloïdes (bore, Al, gallium,

2
MGD
indium…) : on forme ainsi un semi-conducteur extrinsèque. A température
élevée, le semi-conducteur devient un bon conducteur comparable même
à certains métaux.

LA DIODE A JONCTION
I- La jonction PN :
Le contact entre un semi conducteur de type P et un semi conducteur de
type N forme une jonction PN; les électrons du type N se déplace pour
combler les trous de P afin créer l’équilibre.
Cette jonction PN ainsi obtenue s’appelle diode.

(Br. +Si) P N (Ph. +Si)

II- Caractéristiques d’une diode :

1-Symbole :
Une diode a deux bornes: l'anode et la cathode; elle est symbolisée par :

A K A K
P N
A : anode
K : cathode

2 –Description :
Sur une diode on peut voir un petit anneau qui est toujours prêt de
l'extrémité appelée cathode.
A K

3-Structure :

3
MGD
Une diode peut être assimilée à une petite résistance en série avec une
petite tension. Cette résistance est appelée résistance dynamique ou
résistance interne ; et la petite tension en série est appelée tension de
seuil de la diode.

A + - K
I

US
rd U D U AK U S  rd I
UD
4-Définition d'une diode :
Une diode à jonction est un composant électronique qui laisse passer le
courant dans un seul sens (anode- cathode). Dans ce cas la diode est
polarisée en direct.
Lorsqu'on fait passer le courant dans le sens contraire (cathode – anode),
le courant ne passe pas: on dit alors que la diode est bloquée. Elle est
polarisée en inverse.

A I K A I K

Diode polarisée en direct Diode polarisée en inverse

III- Fonctionnement :
Le sens de passage du courant dans la diode est appelé sens passant ou
sens direct, et le sens cathode anode est appelé sens inverse.

1- Polarisation directe :
RP
I

+
E
- UD D

Une diode est polarisée en direct lorsqu'elle est traversée par le courant
dans le sens direct.
Quand une diode est polarisée en direct elle n'est pas toujours
conductrice. Il faut que la tension à ses bornes soit supérieure à une
tension limite appelée tension de seuil (Us) pour que la diode commence à
conduire.
Dans la polarisation directe deux cas de figure sont donc à envisager:

et

1er cas:
La diode est bloquée, le courant qui traverse la diode est nul (I=0). Elle
non conductrice.
A I K

4
MGD
2eme cas:
La diode est conductrice, elle est traversée par un courant non nul (I≠0)
dont la valeur peut être déterminé grâce à sa caractéristique.

A I K

* Définition de la tension de seuil d’une diode :

C'est la valeur minimale de la tension appliquée aux bornes d'une diode à
partir de laquelle la diode devient conductrice (commence à conduire). La
tension de seuil est aussi appelée barrière de potentiel de la diode.

*NB:
Une diode polarisée dans le sens direct sous une tension supérieure à la
tension de seuil est conductrice. La valeur de la tension de seuil varie en
fonction de la nature de la diode. Elle est comprise entre 0.2V à 0.3V pour
les diodes au Germanium et 0.6V à 0.7 V pour les diodes au silicium.
2- Polarisation inverse:
RP

-
E
+ UD D

I
Une diode est polarisée en inverse lorsque le potentiel de la cathode est
supérieur au potentiel de l'anode. La diode est bloquée, aucun courant ne
la traverse.
Cependant une augmentation progressive de la tension peut amener a
dépasser une valeur limite de la tension a partir de laquelle la diode peut
être détruite. Cette valeur limite de la tension est appelée tension de
claquage ou tension inverse de la diode ( ). Quand une diode est détruite
par une tension inverse, ce phénomène s'appelle claquage inverse.

* Courant inverse :
C'est un courant très faible qui traverse la diode en inverse, la diode en
inverse peut être considérée comme une résistance très élevée.

3- Caractéristique courant
I (mA) tension de la diode :
: Diode passante Caractéristique de la
: Diode bloquée. diode
Vi : Tension inverse
.
US : Tension de seuil
Vi
US UD (V)
0
Zone de claquage Zone de
Conductio 5
Zone de non MGD n
Conduction UD>US
Vi<UD<US
* Résistance dynamique de la diode :
A l’aide de la caractéristique on peut calculer la résistance dynamique, il
suffit d’avoir deux points M1 (U1, I1) et M2 (U2, I2) sur la caractéristique. La
résistance dynamique se calcule comme suite :

avec et

4- Point de polarisation ou point de repos:

C'est l'intersection entre la droite de la caractéristique et la droite de
charge. On peut chercher mathématiquement les coordonnées de ce
point.
a- Droite de charge:
RP
I
+
E -
UD D

D’après la loi des mailles :

C’est l’équation d’une droite.

Cette droite est appelée droite de charge.
Si I = 0 UD = E on aura un point M1 (E ; 0A) élément de la droite de
charge.
Si UD=0 I= on aura un second point M2 (0V ; ) élément aussi de
cette même droite.
I

● E/RP Droite de charge

E
● UD
0

6
MGD
b- L'équation de la caractéristique :

A I K I
( Caractéristique
m de la diode
I + - A
rd )
US UD (V)
0 US
UD=UAK

U D U AK U S  rd I
est l'équation de la caractéristique de la
diode.
Si I = 0 UD=US, on aura un point N1 (US ; 0) qui est élément de la droite.
Si UD = 0 I= , on aura un second point N2 (0 ; ) élément de la
droite.

Lorsqu'on représente ces deux droites sur un même repère, elles

se coupent en point M0 (U0 ; I0) appelé le point de repos.

I
(mA)
●M2

I0 ● M0

M1
●
0 US U0 E UD (V)

5- Influence de la température sur les diodes :

a- Les puissances :

 Puissance moyenne : Pm

 Puissance par effet joule : Pef

7
MGD
  Puissance totale : Pt

b- La résistance thermique : Rt

tj : température de jonction ( en ° C )
ta : température ambiante ( en ° C )
Rt : en (° C/W )

IV- La diode idéale:

a- Définition:
Une diode idéale ou parfaite est une diode dont la valeur de la tension de
seuil est nulle (US= 0).
Elle commence à conduire lorsque la tension à ses bornes est supérieure
à zéro et elle est bloquée quand on la polarise en inverse.

b- Schéma équivalent d’une diode idéale :

- Lorsqu’une diode parfaite est passante (polarisée en directe), elle est
équivalente à un interrupteur fermé.

A K A K
I I

UD Dans ce cas on et
UD=0 a : I>0

- Lorsqu’une diode parfaite est bloquée (polarisée en inverse), elle est

équivalente à un interrupteur ouvert.

A I K A K

UD
Dans ce casUon
D< 0 et I=0
a:

c- Caractéristique courant tension :

I(mA)

-Vi US= 0
0 UD(V)
Zone de claquage Zone Zone de conduction
de
non
conduc
tion
V- Application :
8
MGD
Les diodes à jonction sont utilisées dans le redressement du courant
alternatif en courant continu, dans la protection des branchements etc.

Exercices d’applications :
Exercice N° 1 :
On considère le montage ci-dessous :
Rp
I

E Rp= 100 Ω
UD D
E=3V

La caractéristique de la diode passe par les points Q (0,6 V ; 0mA) et P

(0,9V ; 15mA).
1- Calculer la résistance dynamique de cette diode.
2- Etablir l’équations de la caractéristique de cette diode ainsi que celle
de la droite de charge.
3- Tracer ces deux droites dans le même repère orthonormé.
4- En déduire les coordonnées du point de repos.
5- On fait passer un courant de 30mA dans le circuit et la température de
la jonction PN atteint 140°C tandis que celle de l’aire ambiant est de
25°C. Calculer :
a- La puissance dissipée par effet joule et la puissance moyenne dans la
diode.
b- La résistance thermique de la diode.

Exercice N° 2 :
Soit le montage ci dessous :
M R1
A

D2 D3 On donne :
+ E = 10V
E D1 R3
R1=R2 = 5KΩ
- R2 R4 R3 =R4 = 2KΩ

N B
Les diodes sont idéales.
1- Déterminer les sens et les valeurs des intensités dans toutes les
branches.
2- Calculer les tensions UMA et UAB.
3- On inverse les polarités du générateur E (le + vers N et le – vers M).
Calculer :
a- Les nouvelles valeurs des intensités dans toutes les branches.
b- Les tensions UMA et UAB.

Solution N° 1

1- La résistance dynamique (interne) de cette diode :

Connaissant deux points Q (0,6 V ; 0mA) et P (0,9V ; 15mA) sur la
caractéristique on a :

9
MGD
2- Equations de la caractéristique et de la droite de charge de la diode :
- Equations de la caractéristique :
En remplaçant US et rd par leurs valeurs on aura

- Equations de la droite de charge

En remplaçant RP et E par leurs valeurs on aura

3- Traçons ces deux droites dans le même repère orthonormé.

- Droite de la caractéristique :
Si I = 0 UD=0,6V on aura un point N1 (0,6V ; 0) qui est élément de la
droite.
Si UD = 0 I= , on aura un point N2 (0 ;-0,03A) élément de
la droite.
- Droite de charge :
Si I = 0 UD = 3V on aura un point M1 (3V ; 0A) élément de la droite de
charge.
Si UD=0 I= on aura un second point M2 (0V ; 0,03A) élément
aussi de cette même droite.
I (mA)
Droite de la Caractéristique de la
30 diode

15 Droite de charge
0,6
1 2 3 UD (V)

-30

4- les coordonnées du point de repos.

C’est l’intersection entre les deux droites. On en déduit alors : U0= 1V et
I0=20mA
M0 (1V ; 20mA)
5) a- La puissance dissipée par effet joule dans la diode.

- La puissance moyenne dans la diode.

b- La résistance thermique de la diode.

Avec Pt= Pef +Pm= 0,018+0,018=0,036W

Solution N° 2
10
MGD
1-Sens et valeurs des intensités dans toutes les branches :
M R1 M R1
I1 A I1 I3 A
I ID2 ID3 I
ID1 I3 ID2 I3
+ D2 D3 +
D1 R2
E R3 E R3
- R2 R4 - 1
I2
I2 I4 I I3
N B N B
D1 et D3 sont bloquées d’où ID1 = ID3 = I4 = 0
On voit que : I = I1 et ID2 = I2
- Pour calculer I on cherche la résistance équivalente du montage.
Soit Réq1 la résistance équivalente de R2 et R3 en parallèles :

Le montage devient alors :

M R1 A M
I1 I A
I I
E Réq1 R1 et Réq1 sont en séries E RT

N B N B

RT=6,428KΩ
D’après la loi d’Ohm on :

- Calculons I2 en appliquant la loi des mailles :

Maille 1 :

- Calculons I3 en appliquant la loi des noeuds :

2- Les tensions UMA et UAB :

3- En inversant les polarités de E

11
MGD
 a- Les nouvelles valeurs des intensités dans toutes les branches.

M R1 M ID1
I1 A A
ID1 D3 ID3
D2
- D1 ID2
ID3 -
E R3 E R3 R4
+ R2 R4 + 1
I3
I I2 I3 I4 I I I4
N B N B

D2 est bloquée d’où ID2 =I2= 0 et D1 est passant donc court circuite R1
I1=0

On voit que : I = ID1 et I4= ID2

- Pour calculer I, cherchons la résistance équivalente du montage.

Soit RT la résistance équivalente de R3 et R4 en parallèles :

Le montage devient alors :

M A
D’après la loi d’Ohm on :

E RT
I
N B

- Calculons I3 en appliquant la loi des mailles :

Maille 1 :

- Calculons I4 en appliquant la loi des noeuds :

b- Les tensions UMA et UAB :

12
MGD
 REDRESSEMENT MONOPHASE NON COMMANDÉ :
REDRESSEURS À DIODE
Le redressement est la conversion d’une tension alternative en une
tension continue unidirectionnelle. Il est dit non commandé lorsque la
tension moyenne de la sortie est non réglable (invariable).
Le composant utilisé pour faire le redressement non commandé est la
diode a jonction.

I- REDRESSEMENT MONOPHASÉ SIMPLE ALTERNANCE OU MONO

ALTERNANCE :
1°) Montage et Fonctionnement :
a- Montage :
D
iC
v
v v S D v RC
p
C

v : Tension au primaire du transformateur

p

v : Tension au secondaire du transformateur

S

v : Tension aux bornes de la diode

D

v : Tension aux bornes de la charge ou tension redressée.

C

v est une tension sinusoïdale de la forme v = Sin (ωt) =

S S VSe Sin (θ).
Donc = VSe
: Valeur maximale de la tension v S ou amplitude de v.
S

NB : Dans certains documents Vm est notée aussi par :

VSe : Valeur v v
efficace de la tension S (tension efficace au secondaire du
S (V)
transfo).
+
v
L’allure de S en fonction de θ est :

π θ (rad) 13
0 2π 3π 4π
MGD

-
T
 ; ;
: Pulsation (rad /s)
T : période du réseau en
f : fréquence du réseau en Hertz (Hz)
(s)
b- Fonctionnement du montage ou Analyse de la tension v C :
- Pendant l’alternance positive (de 0 à π), S > 0 et le courant v
passe de l’anode vers la cathode, la diode est donc passante
v
( D=0 et iD>0).
Loi de maille :
v +v - v
C D S =0 v =0)
( D on aura
v -v = 0
C S v =v =
C S Sin (θ) = Sin (ωt) > 0.
- Pendant l’alternance négative (de π à 2π), S < 0 et le courant a v
tendance à passer de la cathode vers l’anode, la diode est donc
bloquée ( D<0 et iD=0). v
Loi d’ohm :
v C = ( = 0) on aura v C =0
L’allure de v en fonction de
C θ est :
v (V) C
L’allure de v C

π θ (rad)
0 2π 3π 4π
T’
T ’ : Période de la tension redressée

2°) Etude des tensions :

a°) La tension inverse de crête :
La T.I.C est la valeur maximale de la tension aux bornes de la diode
quand elle ne conduit pas. Quand la diode est bloquée ( v D <0 et iD=0)
v - v – v =0 v = v – v ;
S C D D S C diode bloquée = 0.
Alors v = C = 0 d’où v = v = D S Sin (θ).
v est maximale si Sin (θ)=1.
D

14
MGD
Donc la valeur maximale de v D appelée T.I.C vaut d’où

b°) La tension moyenne aux bornes de la charge :

Il s’agit de la valeur moyenne de la tension redressée v C

c°) La valeur efficace de la tension aux bornes de la charge :

d°) La tension d’ondulation : Voe

v (V)
L’allure de v C
= - = - C

+
= VOe

π θ (rad)
0 2π 3π 4π
=
T’
e°) Le taux d’ondulation :
Le taux d’ondulation est noté qui est le rapport

= = = 1,21 =1,21

f°) Le facteur de forme :

La valeur du facteur de forme caractérise la tension redressée. Plus cette
valeur est proche de l'unité (1), plus la tension obtenue est voisine d'une
grandeur continue.
Ce coefficient sert à comparer des montages redresseurs différents entre
eux.
Par définition, on nomme facteur de forme le rapport :
=

En simple alternance sa valeur est : = 1,57

3°) Etude des courants :

a°) Le courant moyen dans la charge :

= = =

15
MGD
b°) Le courant moyen dans la diode :

D et RC sont en série donc = =

c°) Le courant efficace dans la charge :

= =

d°) Le courant efficace dans la diode :

= =

4°) Rendement – Facteur d’utilisation :

a°) Rendement :
Le rendement de ce redressement alternatif- continu est le rapport de la
puissance continue (puissance moyenne) dans la charge sur la puissance
alternative (puissance efficace) fournie par le secondaire du transfo à la
charge.

= = = = 0 ,406 =0,406= 40,6%

b°) Le facteur d’utilisation :

C’est rapport de la puissance continue (moyenne) au niveau de la charge
sur la puissance nominale au secondaire du transfo.

= = = =

Exercices d’applications :
La valeur moyenne de la tension à la sortie d’un redresseur simple
alternance est de 10V. La résistance de la charge est R C =50Ω et la diode
est idéale.
1– Faire le schéma du montage.
2– La tension à la sortie du transformateur est de la forme v S = Vm Sin
(100π.t). Calculer :

16
MGD
a- La valeur maximale de la tension v . En déduire la valeur efficace de la
S

v
tension s.
b- Le courant moyen dans la charge.
3– Déterminer la tension efficace et le courant efficace au niveau de la
charge.
4 – Calculer la tension d’ondulation, le taux d’ondulation et le facteur de
forme.
5– Déterminer la puissance moyenne dissipée dans la charge.
6– Déterminer les courants moyen et efficace dans la diode.
v
7– Calculer les fréquences des tensions S et C. v
8– Calculer la puissance alternative au secondaire du transformateur. En
déduire le rendement du montage.
9– Déterminer la puissance nominale au secondaire du transformateur.

Solution
,
1-Le schéma du montage
(Voir cours redresseur simple alternance)
2) a- La valeur maximale de la tension au secondaire du transformateur :

- Valeur efficace de la tension au secondaire du transformateur :

b- Courant moyen dans la charge :

3- Tension efficace et courant efficace au niveau de la charge

et
4 – Tension d’ondulation, taux d’ondulation et facteur de forme
- Tension d’ondulation :

- Taux d’ondulation :

- Facteur de forme :

5– Puissance moyenne dissipée dans la charge :

6– Courants moyen et efficace dans la diode :

et
7– Fréquences des tensions vS et vC :
On sait qu’en simple alternance la période de la tension redressée ( vC )
est égale à la période de la tension réseau (vS) : donc

17
MGD
 : (Fréquence du réseau), : (Fréquence de la tension redressée). On
a:
8–Puissance alternative au secondaire du transformateur :

- Rendement du montage :

9– Puissance nominale au secondaire du transformateur :

II- REDRESSEMENT MONOPHASÉ DOUBLE ALTERNANCE :

En double alternance, il existe deux types de montage :
1°) Montage va et vient (ou à deux diodes) :
a°) Montage et Fonctionnement :

- Montage :
v D1 v D1
iC
iD1
iD1
v v C v iD2
v
S1
v iC
v
S1
P
RC
P RC C

v S2 v S2
iD2

v D2 v D2

et sont en opposition de phase et les diodes et sont

parfaites.
= avec  t 

Les allures des tensions et en fonction du temps t ou de l’angle θ

sont les suivantes :

v S (V) v S1 v S2
+
2
π
0 3π 4π
θ (rad)
π

-
T
- Les deux tensions s’annulent en même temps.
- Lorsque atteint son maximum, au même moment atteint
son minimum.
- Fonctionnement du montage ou Analyse de la tension v C :

18
MGD
 - De 0 à , la tension > 0 et < 0. Le courant quitte de ,
la diode est passante et bloquée : (
)
Loi de maille :
; >0

- De à , la tension < 0 et > 0. Le courant quitte de ,

la diode est bloquée et passante : (
)
Loi de maille :
; >0

L’allure de la tension redressée en fonction de est la suivante :

v C (V)
L’allure de v C

π θ (rad)
0 2π 3π 4π
T’
b°) Etude des tensions :
-Tension inverse de crête :
C’est la tension maximale aux bornes de chaque diode lorsqu’elle est
bloquée.
De 0 à , ( conduit et est bloquée).

La valeur maximale de cette tension est la qui vaut 2 donc

-Tension moyenne aux bornes de la charge :

-Tension efficace aux bornes de la charge :

-Tension d’ondulation :
= +
19
MGD
- Taux d’ondulation :

= 0,482=48,2%

- Facteur de forme :

c°) Etude des courants :

- Courant moyen de la charge :

- Courant efficace dans la charge :

- Courant moyen dans la diode :

Car le courant ne passe dans la diode que pendant une alternance

sur deux.
- Courant efficace dans la diode :

- Rendement :

= = = 0,812 = 0,812= 81,2%

- Facteur d’utilisation :

= = 0,812
2°) Montage parallèle double (PD2) ou pont de Graëtz :
a°) Montage et Fonctionnement :

20
MGD
 et sont des diodes supposées parfaites.
v : Tension au primaire du transformateur
p ; : Résistance de
charge
v : Tension au secondaire du transformateur ;
S : Courant dans la
charge
v : Tension aux bornes de la charge
C ; : Courant au secondaire du
transfo
v S est une tension sinusoïdale de la forme = .
L’allure de v S en fonction de l’angle ou du temps t est :

v S

+ (V)

0 π θ
2π 3π 4π
(rad)
-
T
- Fonctionnement du montage ou Analyse de la tension v C :
- De 0 à : v > 0,
S et conduisent alors que et sont
bloquées :

Loi de maille :

- De à : < 0, et conduisent alors que et sont

bloquées :

21
MGD
 Loi de maille:

L’allure de la tension redressée en fonction de sera :

v C (V) L’allure de v C

0 π θ (rad)
2π 3π 4π
T’

b°) Etude des tensions :

- La tension inverse de crête :

De 0 à : et sont bloquées donc on aura :

.
Donc La sera égale à .

Les autres grandeurs sont identiques à celle du montage

va et vient.

c°) Etude des courants :

Les courants sont aussi les mêmes que ceux du montage
va et vient.

Exercices d’applications :
Exercice N° 1 :
22
MGD
Soit un montage va et vient. Les diodes D1 et D2 sont des diodes idéales la
résistance de charge est R= 100Ω.
v v
On donne : S1 = - S2 = 12 Sin (100π.t).
1 - Faire le schéma du montage
2– Calculer les valeurs : moyenne et efficace de la tension redressée.
3 – Calculer les courants moyen et efficace :
a - Dans la charge,
b -Dans chaque diode.
4 – Calculer la tension d’ondulation et le taux d’ondulation.
5 – Déterminer la tension inverse maximale des diodes.
6 - Calculer la fréquence des tensions v v
S1 et S2 ainsi que celle de v.
C

7- Calculer la valeur efficace de la tension au secondaire du

transformateur.

Exercice N° 2 :
Soit un montage parallèle double (pont de Graetz) utilisé pour alimenter
une charge de 1,5KΩ. La valeur moyenne de la tension redressée vaut
15V, la tension au primaire du transformateur utilisé est de 110V.
1 – Faire le schéma de montage de ce redresseur.
2 - Calculer la valeur efficace de la tension au secondaire du
transformateur.
3 – Déterminer la valeur efficace de la tension aux bornes de la charge.
4 – Calculer les courants moyen et efficace dans la charge et dans une
diode.
5 – Déterminer la tension inverse maximale des diodes.
6 – Calculer le rapport de transformation du transformateur.
7 – Calculer la puissance dissipée par effet joule (puissance moyenne)
dans la charge.

Solution N° 1
R= 100Ω, V
1-Le schéma du montage :
(Voir cours redresseur double alternance va et vient)
2–Valeurs moyenne et efficace de la tension redressée :
et
3- Courants moyen et efficace :
a - Dans la charge

b -Dans chaque diode.

23
MGD
4 –Tension d’ondulation et taux d’ondulation :

5–Tension inverse maximale des diodes :

6- Fréquence des tensions vS1 et vS2 ainsi que celle de vC :

En double alternance vS1 et vS2 ont la même la période et égale à la
période de la tension du réseau : soit f la fréquence du réseau

Et la période de la tension du réseau est égale à 2 fois la période de la

tension redressée :
7-Valeur efficace de la tension au secondaire du transformateur :

Solution N° 2
RC= 1,5KΩ, ,
1-Le schéma du montage :
(Voir cours redresseur double alternance pont de Graetz)
2–Valeurs efficace de la tension au secondaire du transformateur :
Déterminons Vm d’abord :

Donc
3- Valeur efficace de la tension aux bornes de la charge :

4 – Courants moyen et efficace :

a - Dans la charge :

b -Dans une diode :

24
MGD
5–Tension inverse maximale des diodes :
Montage pont de Graetz on a :

6 – Rapport de transformation du transformateur :

7 –Puissance dissipée par effet joule (puissance moyenne) dans la charge :

LE FILTRAGE
I- BUT OU ROLE :
Le filtrage a pour but de réduire ou d’éliminer la composante variable
(ondulation ou tau d’ondulation) de la tension redressée.
Pour filtrer une tension redressée, on utilise soit un condensateur, soit une
inductance ou les deux à la fois.
Le filtrage le plus utilisé est le filtrage capacitif, dans lequel on branche un
condensateur en parallèle avec la charge.

II- REDRESSEMENT SIMPLE ALTERNANCE AVEC FILTRAGE :

1°) Montage et Fonctionnement :

i
v +
iC
v
D
p
v S
-
C
v R
C

D diode idéale
La tension au secondaire du transfo est une tension alternative
sinusoïdale.
De 0 à π :
- Lorsque la diode sera conductrice, un courant traverse la capacité et un
autre dans la charge R. Le condensateur commence donc à se charger.
- La diode va continuer à conduire jusqu’à l’instant où sera égale à (
).
De à :
- A cet instant la diode sera bloquée et le condensateur chargé se
décharge dans la résistance de charge.
Cette décharge va continuer jusqu’à l’instant où .

25
MGD
En ce moment la diode D conduit et la charge du condensateur
recommence, un courant i traverse la charge R. Ce cycle se répète dans
chaque période.

L’allure de la tension filtrée en fonction de est la suivante :

Vm=VCmax
vC
Allure defiltrée

VCmin

π 2π 3π 4π
(rad)
0

En augmentant la valeur de la capacité on trouve la courbe suivante:

En conclusion on retiendra que plus la valeur de la capacité de filtrage est

grande, plus la tension filtrée continue devient constante.

2°) Valeur moyenne de la tension filtrée dans la charge :

ou

Fréquence du réseau

3°) Taux d’ondulation du filtrage :

ou

4°) Valeur du condensateur de filtrage :

III- REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE AVEC FILTRAGE :

V
C (V) v L’allure de C v
1°) Montage et Fonctionnement : filtrée
C max

VC min 26
π
MGD θ (rad)
0 2π 3π 4π
T’
L’allure de la tension filtrée en fonction de est la suivante :

Le principe est le même que pour le montage simple alternance, plus la

valeur de capacité de filtrage est grande, plus la tension filtrée continue
est constante.

2°) Valeur moyenne de tension filtrée dans la charge :

ou

Fréquence du réseau

3°) Tau d’ondulation :

4°) Valeur du condensateur de filtrage :

27
MGD
Exercices d’applications :
Exercice N° 1 :
La valeur maximale de la tension à la sortie d’un redresseur simple
alternance est de 31,4Vet de fréquence 50Hz. La résistance de la charge
est R=50Ω et la diode est idéale.
1– Calculer les tensions moyenne et efficace aux bornes de la charge.
2- Calculer les courants moyen et efficace dans la charge.
3- On branche en parallèle un condensateur avec la charge pour obtenir
un taux d’ondulation de 2%.
a- Calculer la valeur du condensateur de filtrage.
b- Calculer la valeur moyenne de la tension aux bornes de charge.
c- Calculer la valeur minimale de la tension aux bornes de charge.
d- Tracer l’allure de la tension aux bornes de la charge sur deux périodes
(4π).
Exercice N° 2 :
Soit un montage va et vient. Les diodes sont des diodes idéales la
v v
résistance de charge est R= 100Ω. On donne : S1 = - S2 = 12 Sin
(100π.t).
1– Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension aux bornes de la
charge.
2– Calculer les courants moyen et efficace dans la charge.
3- On branche un condensateur de 4mF en parallèle avec la charge.
a- Calculer la valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge.
b -Déterminer les valeurs maximale et minimale de la tension aux bornes
de la charge.
c - Calculer le taux d’ondulation en pourcentage.
d- Tracer l’allure de tension aux bornes de la charge sur deux périodes (4π).

Solution N°1
,
1-Tensions moyenne et efficace aux bornes de la charge :
et
2- Courants moyen et efficace dans la charge :
et

3- filtrage : on donne
a- La valeur du condensateur de filtrage :

b- La valeur moyenne de la tension aux bornes de charge :

Il s’agit de la valeur moyenne après filtrage :

c- La valeur minimale de la tension aux bornes de charge :

28
MGD
d– Allure de la tension aux bornes de la charge (tension filtrée) :

Solution N° 2

R= 100Ω,
1-Valeurs moyenne et efficace de la tension aux bornes de la charge :
et
2- Courants moyen et efficace dans la charge:

3- filtrage : on donne C=4mF

a- La valeur moyenne de la tension aux bornes de charge :
Il s’agit de la valeur moyenne après filtrage :

b- Valeurs maximale et minimale de la tension aux bornes de charge :

c - Taux d’ondulation en pourcentage :

d– Allure de la tension aux bornes de la charge (tension filtrée) :

29
MGD
 LA DIODE ZENER
I- Définition :
Une diode Zener est une diode à jonction spéciale qui peut conduire aussi
dans le sens inverse lorsque la tension inverse à ses bornes atteint la
tension Zener VZ.

II- Symboles :

III- Caractéristiques d’une diode Zener :

1- Polarisation directe :

IZ K
A

UZ E : Source de tension
variable.
R A : Ampèremètre.
IZ V : Voltmètre.
A
IZ UZ : Tension aux bornes de
DZ.
E V UZ DZ

On fait varier E et on relève les valeurs correspondantes de I Z et UZ.

La caractéristique est analogue à celle d’une diode à jonction, la diode
Zener commence à conduire à partir d’une tension de seuil V S.

2- Polarisation inverse :

A IZ K

UZ

R
IZ
A
IZ
E V UZ DZ
30
MGD
 On fait varier E et on relève les valeurs correspondantes de I Z et UZ dans
un tableau. Dès que la tension aux bornes de la diode Zener dépasse la
tension Zener (VZ), la diode commence à conduire et la tension à ses
bornes varie très peu. La tension UZ reste presque constante et est égale
à VZ (tension Zener).

IZ
(mA)
Caractéristique de
la diode Zener

VZ
UZ
0 VS
(V)

∆UZ
● IZM
Remarque :
La diode Zener est généralement utilisée dans le fonctionnement en sens
inverse. Elle est caractérisée par un courant maximal supportable à partir
de laquelle la diode peut être détruite. Ce courant est noté I ZM.

IV- Caractéristiques d’une diode Zener idéale (ou

parfaite) :
Une diode Zener idéale est une diode qui en inverse, a une tension à ses
bornes VZ constante dès que cette valeur est atteinte. Cette tension V Z
reste absolument constante, autrement dit la variation de tension à ses
bornes est nulle (∆UZ =0).

IZ (mA)

Caractéristique de
la diode Zener
idéale
VZ
UZ (V)
0

● IZM

V- Puissance d’une diode Zener :

Une diode Zener est caractérisée par sa tension Zener V Z et son courant
maximal admissible IZM ou par sa puissance maximal admissible PZM et VZ.
31
MGD
PZM = IZM.VZ Au delà de PZM il y a risque de claquage.

Lorsque la valeur limite du courant n’est pas atteint: on a :

PZ = IZ.VZ

VI- Diode Zener comme stabilisateur de tension :

Etudions le principe de la stabilisation lorsque E varie.

a°) Pas de stabilisation :
Si E < Emin : IZ = 0 et UZ =US
Dans ces conditions le circuit devient :
I1 R I2
1

UZ DZ U S R
E
2

(Car US = UZ)

Il n’y a pas encore de stabilisation car si la tension d’entrée E varie, la

tension de sortie varie également.
b°) Début de stabilisation :
Si E = Emin : IZ négligeable (IZ≈0) et UZ =US = VZ.
Dans ces conditions le circuit devient :

C’est le début de stabilisation.

US=UZ=VZ
Calculons la tension minimale (Emin) qu’il faut appliquer à l’entrée pour
avoir un début de stabilisation.

32
MGD
 c°) Fin de stabilisation :
Si E = Emax : IZ = IZM et UZ = US = VZ
Dans ces conditions le circuit devient :
I1 R I2
1
IZM

VZ US R
Emax DZ
2

C’est la limite (fin) de stabilisation car le courant admissible dans la diode

Zener est atteint.
Calculons la valeur maximale de la tension (E max) qu’il faut à l’entrée pour
atteindre la limite de stabilisation (fin de stabilisation).
Loi de maille :
Emax = R1.I1 + VZ avec I1= IZM + I2 (loi des noeuds)

= R1 (IZM + I2) +VZ

=R1.IZM + R1.I2 +VZ avec I2 = (loi d’Ohm)

= R1.IZM + R1. + VZ

d°) La plage de stabilisation: ∆UZ

C’est la différence entre et .

∆UZ = - ou encore

Exercices d’applications :
Le générateur E est variable entre 0 et 120V,
R1 = 300 ; R2 = 500 ;
La diode Zener est caractérisée par sa puissance maximale
PZM = 4,5W et son courant inverse maximale IZM = 100mA.
1- Déterminer la tension Zener de cette diode.
2- Déterminer la valeur minimale de E qui correspond au début de
stabilisation.
3- Déterminer la valeur maximale de E qui correspond à la limite de
stabilisation.
33
MGD
 4- Déterminer les courants I1, I2, IZ pour les valeurs suivantes de E :
a°) E = 65V ; b°) E = 80V ; c°) E = 105V.
Solution
1- La tension Zener de cette diode :

2- La valeur minimale de E (début de stabilisation) :

3- La valeur maximale de E (limite de stabilisation) :

4 - Les courants I1, I2, IZ pour les valeurs suivantes de E :

a°) E=65V < Emin=72V pas de stabilisation IZ = 0 et UZ =US  Vz
Dans ces conditions le circuit devient :
I1 R1 I2 I1

E R2 I1=I2 E RT=R1+R2=300+500=800

Loi d’ohm :

+
b°) E=80V > Emin mais < Emax donc nous somme dans la stabilisation :
UZ =US =Vz et IZ 0 , le circuit devient :
I1 R1 I2 Loi de maille :
E - R1I1 -VZ=0
IZ
E VZ R2

Loi d ohm :

Loi de nœud :

c°) E=105V > Emax il y a risque de claquage :

UZ =US =Vz et IZ > IZM, le circuit devient :

Loi d ohm :

Loi de nœud :
> IZM

TRANSISTORS BIPOLAIRES
34
MGD
I- Définition:
C’est un composant électronique comportant trois bornes :
- L’émetteur (E),
- La base (B),
- Le collecteur (C).
II- Constitution :
Un transistor bipolaire est constitué par un cristal se semi conducteur
(Germanium ou Silicium) portant trois zones dopées différemment de
façon à obtenir :
- Soit 2 zones N séparées par une zone P : C’est le transistor NPN.
- Soit 2 zones P séparées par une zone N : C’est le transistor PNP.

III- Symbole:

TRANSISTOR NPN

Collecteur Collecteur
(C) (C)
N

P Base
(B)
N

Emetteur
Emetteur (E)
(E)

TRANSISTOR PNP

Collecteur Collecteur
(C) (C)
P

N Base
(B)
P

NB : Emetteur
Emetteur
Le type de transistor bipolaire le plus utilisé est le (E)
(E) transistor NPN.
Par la suite on étudiera que le NPN.

IV- Fonctionnement:

35
MGD
En faisant varier EB, on note les valeurs correspondantes de IB et IC dans le
tableau ci-dessous.

IB 0 100 200 300 400 500 600 700 800

(µA)

IC(mA 0 1,5 3 4,5 6 7,5 8 8 8

)

On peut distinguer 3 modes de fonctionnement :

a- Transistor Bloqué :
IB = 0 et IC = 0, aucun courant ne traverse le transistor.
b- Transistor Passant :
IC est proportionnel à IB, le coefficient de proportionnalité noté β est
aussi appelé coefficient d’amplification en courant. Ce coefficient β
est une caractéristique du transistor.

Pour le courant de l’émetteur on a :

Le coefficient β est un grand nombre pouvant largement dépasser
100 selon le type du transistor.
-Effet transistor :
On appelle effet transistor cette propriété de commander un
important courant de collecteur IC à partir d’un faible courant de
base IB.
c- Transistor Saturé :
Dans ce mode de fonctionnement, le courant de base ne commande
pas le courant de collecteur IC. C’est à dire quelque soit la valeur de
IB, le courant IC reste constant.

V- Caractéristiques d’un transistor réel :

36
MGD
- Réseau de caractéristiques d’un transistor
Le réseau de caractéristiques est l’ensemble des courbes traduisant les
relations entre les quatre grandeurs : VBE, IB, VCE et IC.

1- Caractéristique d‘entrée :
C’est la courbe VBE=f(IB) lorsque VCE est maintenue constant. Cette
caractéristique est pratiquement celle d’une diode polarisée en
direct.

2- Caractéristique de sortie :
C’est la courbe IC=f(VCE) lorsque IB est maintenu constant.
- Pour un transistor idéal, ces caractéristiques sont des droites
horizontales puisque IC ne dépend que de IB.
- - Pour un transistor réel, ces caractéristiques sont légèrement
inclinées sur l’horizontal.

3- Caractéristique de transfert en courant : C’est la courbe IC=f(IB)

lorsque VCE est maintenue constant. Cette caractéristique une droite
passant par l’origine ce qui traduit la proportionnalité entre I C et IB.

4- Caractéristique d’un transistor idéal :

5- Caractéristique du constructeur :
Les fabricants précisent sur chaque type de transistor les valeurs à ne
pas dépasser :

37
MGD
 VCEmax : tension maximale collecteur- émetteur
ICmax : courant maximal du collecteur
Pmax : puissance maximale dissipée dans le transistor.
La puissance dissipée dans un transistor est : P= VCE ×IC

6- Droite de charge du transistor :

Dans la maille II on a :

Cette relation est l’équation d’une droite appelée droite de charge du

transistor.
Traçons cette droite sur la caractéristique de sortie : il suffit de
chercher les intersections avec les axes.
Si IC = 0 VCE =EC on a un point B (EC , 0)
Si VCE = 0 on a un point S (0 , )

Au point B le transistor est bloqué et au point S , il est saturé.

Le transistor fonctionne dans un domaine linéaire entre ces deux points
(B et S) d’où
Lorsque le courant IC varie, le point de fonctionnement se déplace sur la
droite de charge : au point P1 pour le courant IB2 et au point P2 pour le courant
IB3.

VI- Applications :
Les transistors sont généralement utilisés dans les circuits électroniques
comme amplificateur de signaux, commutateur, interrupteur etc.
POLARISATION DES TRANSISTORS
BIPOLAIRES
I- BUT :

38
MGD
La polarisation consiste à soumettre un transistor à une ou plusieurs
sources de tension continue pour fixer son point de fonctionnement (ou
point de repos).
Le point de fonctionnement est caractérisé par la donnée des quatre
grandeurs : IBE ; VBE ; IC ; VCE

II- DIFFERENTS TYPES DE POLARISATION :

1- Polarisation à deux sources :

IC

4 RC
VBC C
3
IB RB VCE
B 2
EB EC
E
1 VBE
IE
M
Le montage nécessite deux sources de tensions représentées par E B et EC.
On a :
avec
β: coefficient d’amplification du courant ou gain du transistor.

Equations des mailles :

Loi des mailles :

- Maille 1 :

- Maille 2 :

- Maille 3 :

- Maille 4 :

Dans ce montage la valeur de RB et la position du point de

fonctionnement dépendent du gain en courant β.
Ce gain varie beaucoup d’un transistor à l’autre et dépendent de la
température.
Ce montage ne permet donc pas d’obtenir un point de fonctionnement
stable (fixe).

2- Polarisation à une source :

39
MGD
Les courants IB et IC sont fournis par une seule source de tension
représentée par VCC
et
Loi des mailles :
- Maille 1 :

- Maille 2 :

- Maille 3 :

- Maille 4 :

3- Polarisation par une résistance entre base et collecteur :

Ce montage permet une certaine stabilisation du point de fonctionnement.

Une variation de IC entraînant par réaction une variation de IB et un retour
à état initial. On a :
et
Loi des mailles :
- Maille 1 :

- Maille 2 :

40
MGD
 - Maille 3 :

- Maille 4 :

4- Polarisation par pont de base avec résistance d’émetteur:

Ce montage est beaucoup moins sensible à la variation du gain en courant

β que les deux premiers montages.
La polarisation de la base du transistor est assurée par un pont de
résistance R1 et R2.
Pour que le point de fonctionnement soit stable, le courant I 2 circulant
dans le pont doit être beaucoup plus important que le courant de base I B
(de l’ordre d’une dizaine de fois plus grand).
Donc on a :
et
Loi des mailles :
- Maille 1 :

- Maille 2 :

- Maille 3 :

- Maille 4 :

- Maille 5 :

III- APPLICATION DU THEOREME DE THEVENIN AU PONT DE BASE :

1- Générateur de Thévenin (ou Modèle de Thévenin) :

Les paramètres du générateur de Thévenin sont ETH et RTH :
RTH : est la résistance équivalente vue entre la base (B) du transistor et la
masse (M) du montage.

41
MGD
ETH : est la tension appliquée entre la base (B) et la masse (M) lorsque le
transistor est débranché entre B et M.

Schéma équivalent du générateur de Thévenin :

2- Enoncé du théorème :
Pour appliquer le théorème de Thévenin au montage la règle à suivre est
la suivante :
- Calcul de RTH :
On débranche (couper, enlever) le transistor du coté base (B) et du
coté masse (M), on court circuit ensuite toutes les sources de
tension (interrupteur fermé) et on détermine alors la résistance
équivalente vue entre la base (B) et la masse (M). Cette résistance
équivalente est égale à RTH.
- Calcul de ETH :
Le transistor étant toujours débranché, il suffit de replacer les
sources de tension sans court circuit et on détermine alors la
tension appliquée entre la base (B) du transistor et la masse (M).
Cette tension est égale à ETH.

Schéma équivalent du montage avec le générateur de

Thévenin :

Exercices d’applications :
Exercice N°1 :
Soit le montage ci-contre :
Le transistor est caractérisé par β = 150.
On donne : EB=5V ; EC= 12V ; RC=2KΩ ;
VBE= 0,7V ; VCE= 6V.
Déterminer la valeur de RB ?

Exercice N°2 :
Soit le montage ci contre :
On donne : β = 150
VCC=12V; VBE= 0,7V ;
RC=2KΩ; RE=500Ω; I2=10IB.
42
MGD
1- Déterminer R1, IB, I1, IC, IE et R2 de manière
à obtenir VCE=6V.
2- Calculer les paramètres du générateur de Thévenin
et faire le schéma équivalent du montage avec le générateur

Solution N°1

La valeur de RB
Maille 1 :

Déterminons IB : IC = β.IB
Maille 2 :

D’où
R B 215K

Solution N°2
1- Déterminons R1, IB, I1, IC, IE et R2 :
Dans la maille 1 :

Avec et
La maille 3 permet de trouver VBC :

En remplaçons IC, I1 et VBC par leurs expressions dans R1 :

Dans cette expression IB est la seule

inconnue. Déterminons le dans la maille 4 :

D’où

et

43
MGD
Dans la maille 5 on a :

2- Les paramètres du générateur de Thévenin :

- Calcul de RTH :
C’est la résistance équivalente vue entre B et M
Lorsque la source de tension est court circuitée
et le transistor débranché.
Dans ces conditions entre B et M R1 // R2
Donc

- Calcul de ETH :
C’est la tension appliquée entre B et M
Lorsque la source de tension est branchée
et le transistor toujours débranché.
En appliquant la règle du circuit diviseur de courant on a :

- Schéma équivalent du montage avec le générateur de Thévenin :

REDRESSEMENT MONOPHASÉ COMMANDÉ :

REDRESSEUR A THYRISTOR

Le redressement est la conversion d’une tension alternative en une

tension continue. Il est dit commandé lorsque la tension moyenne de la
sortie est réglable.
L’intérêt du redressement commandé est qu’il permet de faire varier la
tension moyenne à la sortie du redresseur et donc de faire varier par
exemple la vitesse de rotation d’un moteur à courant continu.

44
MGD
Le composant le plus utilisé pour le redressement commandé est appelé le
thyristor.

I- LE THYRISTOR :
1- Définition :
Le thyristor est une diode commandée qui possède en plus de l’anode et
la cathode une gâchette.
2- Structure :
Le thyristor est un semi-conducteur de P N P N assimilable à un ensemble
de 3 jonctions.

3- Symbole schématique :

4- Fonctionnement du thyristor :
Le thyristor est comme une diode avec un sens passant et un sens bloqué.
a – Amorçage du thyristor :
- Sens passant :

Pour amorcer le thyristor afin qu’il conduise, il faut :

- que la tension VT soit positive (VT >0)
- et qu’il ait un courant de gâchette suffisant.
Le thyristor se comporte alors comme un interrupteur fermé après son
amorçage (VT=0).
Le courant de gâchette est un bref courant appliqué sous forme
d’impulsion à la gâchette.
Dès que le thyristor est amorcé par le courant de gâchette, ce courant
peut être supprimé et le thyristor continuera à conduire tant que la
tension VT n’est pas négative.
- Sens bloqué :
Sous tension inverse (VT < 0), le thyristor ne conduit pas ( ). Le
thyristor se comporte alors comme un interrupteur ouvert.

VT
A K
iT
G
b – Blocage du thyristor :
On peut bloquer la conduction d’un thyristor dans un circuit par :
45
MGD
 - Extinction du courant par commutation naturelle,
- Application d’une tension inverse entre l’anode et la cathode.

c – Angle de retard à l’amorçage ou angle d’amorçage ou retard

angulaire :
C’est l’angle correspondant à l’instant t0 d’amorçage du thyristor.
L’instant t0 appelé retard à l’amorçage ou temps d’amorçage est l’instant
où l’on envoie l’impulsion de gâchette par rapport au début de chaque
demi-période (T/2).
Il existe une relation entre et t0 :

L’angle peut être régler, ce qui permet de faire varier la valeur moyenne
de la tension de sortie.
 est réglable de [0 à 
NB : l’angle d’amorçage peut être noté aussi par (Psi).

5 – Caractéristiques courant - tension d’un thyristor :

IT IT

Vi
VT VT
0 VS 0 VS

II- REDRESSEMENT
Caractéristique réelle COMMANDÉ SIMPLE ALTERNANCE OU MONO -
Caractéristique idéale
ALTERNACE :
1- Schéma de montage :
iT T

iC
v v v
v
T
S R
p
C

On amorce le thyristor au début de chaque demi-période.

46
MGD
Le thyristor est passant qu’à partir moment où l’on envoie le signal de
v
gâchette et à la condition que la tension T soit positive.
2- Chronogrammes ou Oscillogrammes (Allures) :

3- Angle de conduction du thyristor :

4- Temps de conduction ou durée de conduction du thyristor :

5- La tension moyenne aux bornes de la charge :

C’est la valeur moyenne de la tension redressée

47
MGD
III- REDRESSEMENT COMMANDÉ DOUBLE ALTERNANCE TOUT
THYRISTOR :

A- EN CONDUCTION DISCONTINUE OU INTERROMPUE :

La conduction est dite discontinue ou interrompue lorsque la charge est
constituée par une résistance pure (charge résistive).
1- Schémas de montage :
a - Montage va et vient :

T1

S1
v
C

p
c
S2

T2

b – Montage pont de Graetz (PD2) ou parallèle double :

2- Chronogrammes ou Oscillogrammes (Allures) :

48
MGD
3- Angle de conduction du thyristor :

4- Temps de conduction ou durée de conduction du thyristor :

5- La tension moyenne aux bornes de la charge :

C’est la valeur moyenne de la tension redressée

B- EN CONDUCTION CONTINUE OU ININTERROMPUE :

La conduction est dite continue ou ininterrompue lorsque la charge est
constituée d’une résistance, d’une bobine (inductance) ou même d’une
f.e.m (moteur).
La bobine permet de prolonger la durée de conduction, celle-ci peut avoir
lieu même durant les phases négatives où est négative.
Lorsque la valeur de l’inductance de la bobine est suffisamment grande, le
courant est pratiquement constant.

1- Schémas de montage :
a - Montage va et vient :

49
MGD
b – Montage pont de Graetz (PD2) ou parallèle double :

2- Chronogrammes ou Oscillogrammes (Allures) :

50
MGD
3- La tension moyenne aux bornes de la charge :
C’est la valeur moyenne de la tension redressée

- Pour : C’est la marche en redresseur ;

- Pour : Aucun courant ne circule dans la charge ;

- Pour : C’est la marche en onduleur.

IV- REDRESSEMENT COMMANDÉ DOUBLE ALTERNANCE PONT

MIXTE :
Le pont mixte est un montage constitué de deux thyristors et deux diodes.
1- Schémas de montage :
En générale dans un montage pont mixte, la conduction est continue
(ininterrompue)

2- Chronogrammes ou Oscillogrammes (Courbes) :

51
MGD
3- La tension moyenne aux bornes de la charge :
C’est la valeur moyenne de la tension redressée

Exercice d’application :
On considère un montage redresseur commandé par pont de graetz tout
thyristor. La tension au secondaire du transformateur est ,
l’angle de retard à l’amorçage vaut 30° (degrés) et la charge est une
résistance 100Ω.
1- Faire le schéma du montage et tracer l’allure de la tension aux bornes
de la charge.
2- Calculer la valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge.
3- Calculer l’instant d’amorçage de chaque thyristor en millisecondes.
4- Calculer le temps (ou durée) de conduction de chaque thyristor en
millisecondes.

52
MGD
5– On remplace les thyristors T4 et T3 par deux diodes D1 et D2. La charge
est remplacée aussi par un moteur constitué d’une f.c.é.m E, d’une
résistance interne de 3Ω, et d’une inductance L=0,1mH.
a- Tracer l’allure de la tension aux bornes de la charge.
b- Calculer la f.c.é.m du moteur sachant qu’un courant de 1,2A le
traverse.
c- Tracer l’allure du courant dans le moteur si le courant est parfaitement
lissé.

Solution
, ,
1- Schéma du montage: (voir cours)
- l’allure de la tension aux bornes de la charge : (Voir cours redressement
S1 S1
commandé pont de graetz tout thyristor en conduction discontinue)

2-La valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge :

C’est la conduction est discontinue.

3-L’instant d’amorçage de chaque thyristor en millisecondes :

4- Le temps (ou durée) de conduction de chaque thyristor en

millisecondes :
avec donc

5– En remplaçant les deux thyristors par deux diodes on aura un montage

pont mixte la charge est un moteur donc la conduction est continue.
a- L’allure de la tension aux bornes de la charge :
(Voir cours pont mixte)
b- La f.c.é.m E du moteur pour ĪC=1,2A :

c- L’allure du courant dans le moteur si le courant est parfaitement lissé :

IC

t
0 T T 3T 2T
2 2

53
MGD
 54
MGD
Diode à jonction :

Exercice N°1:
On considère le montage ci-contre.
La caractéristique de la diode passe par les points
M (0,3V ; 0mA) et N (0,8V ; 15mA). I R R= 80Ω
1- Etablir l’équations de la caractéristique de cette diode E=3V
ainsi que celle de la droite de charge. E UD D
2- Tracer ces deux droites dans le même repère orthonormé.
3- Déterminer les coordonnées du point de repos.

Exercice N°2:
La diode du montage ci-contre à une résistance dynamique
I RP
de 50Ω et la tension appliquée à ses bornes est de 0,725V
avec un courant de 1,5mA. tj= 140°
ta= 25°
E UD D 55
MGD
1- Déterminer la tension de seuil de cette diode. En
déduire sa nature en justifiant votre réponse.
2- Déterminer la résistance de protection pour E=24V.
3- Déterminer la résistance thermique.

Exercice N°3:
Soit le montage ci dessous :
M R1 A
On donne :
D2 E = 12V
R4 D1 R1 = 425Ω
E
R2 R2 = 1KΩ
R3 = 400Ω
R3
R4 = 600Ω
B
Les diodes sont idéales.
1- Déterminer les valeurs des Dintensités
3
dans toutes les branches.
2- On inverse les polarités du générateur E ; calculer encore les nouvelles
valeurs des intensités.
Exercice N°4: D1 D2
M A On donne :
E = 18V
R3 R1 = 1,5KΩ
R1 R2
R2 = 500Ω
E R4 R3 = 1KΩ
D3 R4 = 1,5KΩ
R5 = 900Ω
Les diodes sont idéales. B
R5
1- Déterminer les valeurs des intensités dans toutes les branches.
2- On inverse les polarités du générateur E ; calculer encore les nouvelles
valeurs des intensités.

Redressement monophasé non commandé (par

diode) :
Exercice N°1:
La valeur moyenne de la tension à la sortie d’un redresseur simple
alternance est de 10V. Sachant que la résistance de la charge est R C
=50Ω.
a – Faire le schéma du montage.
b – La tension à la sortie du transformateur est de la forme : v S = Vm Sin
(100πt). Calculer :
- La valeur maximale de la tension v . En déduire la valeur efficace de la
S

v
tension s.
- Le courant moyen dans la charge.
c – Déterminer la tension efficace et le courant efficace au niveau de la
charge.

56
MGD
d – Calculer la tension d’ondulation, le taux d’ondulation et le facteur de
forme.
e – Déterminer la puissance moyenne dissipée par la charge.
f – Déterminer les courants moyen et efficace dans la diode.
v
g – Calculer les fréquences des tensions S et C. v
h – Calculer la puissance alternative au secondaire du transformateur. En
déduire le rendement du montage.
i – Déterminer la puissance nominale au secondaire du transformateur.
NB : Prendre = 1,41 et π = 3,14

Exercice N°2 :
La tension maximale au secondaire du transformateur est de 16 volts.
On donne RC= 1,50KΩ
Calculer :
a – La tension moyenne aux bornes de la charge.
b – Le courant moyen dans la charge.
c – La tension efficace aux bornes de la charge.
d – Le courant efficace dans la charge.
e – La puissance moyenne dissipée dans la charge.
NB : Prendre = 1,41 et π = 3,14

Exercice N°3 : Soit le montage redresseur ci-dessous :

D iC

120
V v v v vC RC=200Ω
D
60H p S
z
On donne : le rapport de transformation du transfo m =

v
1 - Calculer la valeur efficace de la tension S .
2 - Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension redressée.
3 – En déduire les valeurs moyenne et efficace du courant dans la charge.
4 – Calculer la T.I.C de la diode.
NB : Prendre = 1,41 et π = 3,14
Exercice N°4 :
Un transformateur ayant 3860 spires au primaire et 386 spires au
secondaire alimente un redresseur mono alternance. La charge est une
résistance de 1,2KΩ. Ce transfo est alimenté par un réseau de 220V ;
50Hz.
a – Faire le schéma du montage.
b – Déterminer la tension efficace au secondaire du transfo.
c – Déterminer la valeur de la tension inverse maximale de la diode.
d– Déterminer la tension maximale aux bornes de la charge.
e – Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension aux bornes de la
charge.
NB : Prendre = 1,41 et π = 3,14

Exercice N°5 :
Dans un montage redresseur simple alternance, la diode utilisée est
supposée parfaite.
57
MGD
La résistance de charge vaut 1KΩ. L’équation de la tension au secondaire
du transfo est
v =24 Sin (100π.t).
S

a – Faire le schéma du montage.

b – Déterminer la valeur maximale de la tension S. v
c – Calculer les valeurs moyenne et efficace :
- De la tension aux bornes de la charge,
- Du courant dans la charge.
d – Calculer la tension d’ondulation et le taux d’ondulation.
e – Calculer la T.I.C de la diode.
NB : Prendre = 1,41 et π = 3,14

Exercice N°6 :
D v 1

i2 +10 (V)

v v v v 2 R=10Ω 0 T 3T
t (s)
D T 2T
1
-10 2 2
1 – Expliquer le fonctionnement du montage ci-dessus et tracer les allures
des tensions v D et v 2 séparément et sur deux périodes.
2 - Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension de sortie v.
2

3 – Calculer les valeurs moyenne et efficace du courant i 2.

4 – Calculer la puissance moyenne dissipée dans la charge.
NB : Prendre = 1,41 et π = 3,14

Exercice N°7 :
Dans un montage redresseur simple alternance, la tension au secondaire
v
du transfo est de la forme : 1 =16,97 Sin (100π.t). La résistance de
charge vaut 2KΩ et la diode est parfaite.
1– Faire le schéma du montage.
2– Expliquer le fonctionnement du montage.
3– Tracer la courbe de la tension v 1 au secondaire du transfo sur deux
périodes.
v
4– Tracer la courbe de la tension 2 aux bornes de la charge sur deux
périodes.
5– Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension aux bornes de la
charge.
6– Calculer les valeurs moyenne et efficace du courant dans la charge.
7– Tracer l’allure (courbe) de la tension v D aux bornes de la diode sur
deux périodes.

58
MGD
NB : Prendre = 1,41 et π = 3,14

Exercice N°8 :
Un transformateur à point milieu alimente un montage redresseur non
commandé va et vient. La résistance de la charge vaut 4,70KΩ et les
diodes sont idéales. Les allures des tensions v S1 et v S2 au secondaire du
v
transformateur sont :
S
v v S2
+30 (V)
S1
2π

0 4π
θ (rad)
π 3π
-30
T=0,02
s
1 – Faire le schéma de montage de ce redresseur.
2 - Expliquer le fonctionnement du montage et tracer l’allure de la tension
aux bornes de la charge sur deux périodes.
3 – Calculer la fréquence des tensions v v S1, S2 et celle de la tension
v
redressée ( C).
4 - Calculer la valeur efficace de la tension au secondaire du
transformateur.
5 - Calculer les valeurs : moyenne et efficace de la tension redressée.
6 – Calculer les valeurs: moyenne et efficace des courants dans la charge
et dans une diode.
v v
7– Tracer les allures des tensions D1 et D2 aux bornes des diodes D1 et D2
dans un même repère sur deux périodes.
8 - Calculer la valeur de la tension inverse maximale aux bornes d’une
diode bloquée.
NB : Prendre = 1,41 et π = 3,14

Exercice N°9 :
Soit un montage va et vient. Les diodes D1 et D2 sont idéales, la
résistance de charge est R= 100Ω.
v
On donne : S1 = -v
S2 = 12 Sin (100π.t).
1 - Calculer les valeurs : moyenne et efficace de la tension redressée.
2 – Calculer les courants, moyen et efficace :
a - Dans la charge,
b -Dans chaque diode.
3 – Calculer la tension d’ondulation et le taux d’ondulation.
4 – Déterminer la tension inverse maximale des diodes.
5 – Calculer la fréquence des tensions v S1 et v S2 ainsi que celle de v. C

59
MGD
6 - Calculer la valeur efficace de la tension au secondaire du
transformateur.
NB : Prendre = 1,41 et π = 3,14

Exercice N°10 :
Soit un montage parallèle double (pont de Graetz) utilisé pour alimenter
une charge de 1,5KΩ. La valeur moyenne de la tension redressée vaut
15V, la tension au primaire du transformateur utilisé est de 110V.
1– Faire le schéma de montage de ce redresseur.
2- Calculer la valeur efficace de la tension au secondaire du
transformateur.
3– Déterminer la valeur efficace de la tension aux bornes de la charge.
4– Calculer les courants moyen et efficace dans la charge et dans une
diode.
5– Déterminer la tension inverse maximale des diodes.
6– Calculer le rapport de transformation du transformateur.
7– Calculer la puissance dissipée par effet joule et la puissance alternative
dans la charge.
8– En déduire le rendement du montage.

NB : Prendre = 1,41 et π = 3,14

Exercice N°11 :
La valeur efficace d’une tension alternative sinusoïdale de fréquence 50Hz
est 48V. Cette tension alimente au secondaire d’un transformateur un
pont de Graëtz de charge résistive R= 2K.
1- Faire le schéma du montage.
2- Expliquer le fonctionnement du montage et tracer l’allure de la
tension aux bornes de la charge.
3- Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension aux bornes de
la charge.
4- Calculer les valeurs moyenne et efficace du courant dans la charge.
5- Calculer les valeurs moyenne et efficace du courant dans une diode.
6- Calculer la tension inverse de crête et la fréquence de la tension
redressée.
7- Tracer les allures des tensions VD1 et VD2 aux bornes des diodes D1 et
D2 dans un même repère et deux périodes.
8- On met un condensateur de 125μF en parallèle avec la charge pour
filtrer la tension redressée.
a- Calculer la valeur moyenne de la tension aux bornes de la
charge.
b- Déterminer les valeurs maximale et minimale de la tension
aux bornes de la charge.
c- Déterminer le taux d’ondulation en pourcentage.
d- Tracer l’allure de tension redressée filtrée.
NB : Prendre = 1,41 et π = 3,14

Exercice N°12:

60
MGD
Dans un montage redresseur non commandé simple alternance, la diode
utilisée est supposée parfaite. La résistance de charge vaut 6,8KΩ.la
v
tension au secondaire du transfo est de la forme S =24 Sin (100π.t).
1– Déterminer la valeur maximale de la tension et tracer l’allure de la
tension aux bornes de la charge.
2– Calculer les valeurs moyenne et efficace :
- De la tension aux bornes de la charge,
- Du courant dans la charge.
3– Calculer la tension inverse maximale de la diode.
4 - On met un condensateur en parallèle avec la charge pour obtenir un
taux d’ondulation de 2,16%.
a- Calculer la valeur du condensateur de filtrage.
b- Calculer la valeur moyenne de la tension aux bornes de charge.
c- Calculer les valeurs maximale et minimale de la tension aux bornes de
charge.
d- Tracer l’allure de la tension aux bornes de la charge sur deux périodes
(4π).

Exercice N°13:
La valeur efficace d’une tension alternative sinusoïdale de fréquence 50Hz
au secondaire d’un transformateur est 30V. Cette tension alimente un
redresseur non commandé parallèle double de charge résistive 4K.
1- Faire le schéma du montage et tracer l’allure de la tension aux bornes
de la charge.
2- Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension aux bornes de la
charge.
3- Calculer les valeurs moyenne et efficace du courant dans la charge.
4- Calculer les valeurs moyenne et efficace du courant dans une diode.
5- Calculer la tension inverse de crête.
6- On branche un condensateur de 4mF en parallèle avec la charge.
a- Calculer la valeur moyenne de la tension aux bornes de la charge.
b- Déterminer les valeurs maximale et minimale de la tension aux
bornes de la charge.
c- Calculer le taux d’ondulation en pourcentage.
d- Tracer l’allure de tension aux bornes de la charge sur deux périodes (4π).
NB : Prendre = 1,41 et π = 3,14

Exercice N°14:
Un transformateur à point milieu alimente un montage redresseur non
commandé va et vient. La résistance de la charge vaut 3KΩ et les diodes

vS v v
sont idéales. Les allures des tensions
S S2
v S1 et v S2 au secondaire du transformateur
sont :
+45 (V) 1
2π

0 4π θ (rad)
π 3π 61
MGD
-45
T=0,02s
1 – Faire le schéma de montage de ce redresseur.
2 - Expliquer le fonctionnement du montage et tracer l’allure de la tension
aux bornes de la charge sur deux périodes.
3 - Calculer la valeur efficace de la tension au secondaire du
transformateur.
4 - Calculer les valeurs moyenne et efficace de la tension aux bornes de la
charge.
5– Calculer les valeurs moyenne et efficace des courants en mA dans la
charge et dans
une diode.
v v
6 – Tracer les allures des tensions D1 et D2 aux bornes des diodes D1 et
D2 dans un même repère sur deux périodes.
7 - On met un condensateur de 68μF en parallèle avec la charge pour
filtrer la tension redressée.
a- Calculer le taux d’ondulation en pourcentage
b- Calculer la valeur moyenne de la tension aux bornes de charge.
c - Calculer les valeurs maximale et minimale de la tension aux
bornes de charge.
d- Tracer l’allure de la tension aux bornes de la charge sur deux
périodes.
NB : = 1,41 et π = 3,14

Diode Zener (stabilisateur) :

Exercice N°1:
Le générateur E est variable entre 0 et 100V,
I1 R 1 I2
R1 = 250 ; R2 = 800
La diode Zener est caractérisée par sa tension Zener IZ
VZ= 48V et son courant inverse maximale IZM =100mA. E R2
UZ
1-Déterminer la puissance maximale de cette diode.
2-Déterminer la valeur minimale de E.
3-Déterminer la valeur maximale de E.
4-Déterminer en mA les courants I1, I2, IZ pour les valeurs suivantes de E
et préciser l’état de conduction de la diode :
a°) E = 55V ; b°) E=63V; c°) E=70V; d°) E=80V; e°) E=88V; f°)
E=90V
5- On fixe E = 85V, R1 = 250 et on fait varier la résistance de charge R 2
et on trouve Iz = 50mA.
a- Déterminer la valeur de R2.
b- Déterminer dans ces conditions la puissance de la diode.

62
MGD
6-Pour une charge infinie (R2 = ), on fixe E = 76V et on fait varier R1,
déterminer la valeur minimale de R1 afin d’éviter le claquage inverse de la
diode.

Exercice N°2:
Soit le montage ci-dessous :

I1 R1 I2

IZ R1 = 2KΩ
E R2
UZ
R2 = 4KΩ

La tension Zener de cette diode est de 30V et son courant maximal est de
10mA.
1- Déterminer la plage de stabilisation de ce montage.
2- Déterminer la puissance maximale que peut dissiper cette diode.
3- Remplir les cases du tableau ci-dessous.

E (V) 35
I1 (mA) 25
I2 (mA) 10
IZ (mA) 8
PZ (mW) 150

4- On fixe E = 45V, la résistance de protection étant 2KΩ, déterminer

la résistance de charge R2 à la limite de stabilisation.

Exercice N°3:
Soit le montage ci-contre :
La puissance maximale de cette diode est 0,96W et son
Courant maximal admissible est IZM=40mA. I1 R 1 I2
La plage de stabilisation de ce montage est 5V
IZ
et la tension d’alimentation en début R2 =200
E UZ
de stabilisation est 39V.
1- Calculer la tension Zener de cette diode.
2- Calculer la valeur de la résistance de protection R 1.
3- Calculer la tension d’alimentation en fin de stabilisation.
4- Remplir les cases vides du tableau ci-dessous.

E (V) 30
I1 (mA) 158,5
I2 (mA) 120
IZ (mA) 30
PZ (mW) 500

Exercice N°4:
Soit le montage ci-dessous
I1 R:1 I2

IZ
63
E UZ MGD R2
Le générateur E est variable, R1 =2K ; R2 = 10K, VZ = 10V et IZM = 2mA.
1- Calculer les valeurs de E en début et en fin de stabilisation.
2- Calculer les courants I1, I2 et IZ pour les valeurs suivantes de E:
a- E = 7V ;
b- E = 15V ;
c- E = 18V.
3- Calculer la valeur de E pour les valeurs des courants suivants:
a- IZ= 0mA et I1= 0,5mA ;
b- IZ= 1,6mA

Transistor bipolaire (polarisation) :

Exercice N°1: IC
Soit le montage ci contre :
Le transistor est caractérisé par β = 150. RC
On donne : EB=5V ; EC= 12V ;
RC=2KΩ; VBE= 0,7V; VCE= 6V IB RB C
B
Déterminer la valeur de RB ? EC
EB E
VBE IE
M
A
Exercice N°2:
Soit le montage ci contre : IC
I
On donne : β = 150 R1 RC
VCC=12V; VBE= 0,7V I1 C
IB VCC
RC=2KΩ; RE=500Ω B
I2=10IB. I2 E
Déterminer IB, IC, IE, I2, I1, R1 et R2 de VBE
R2
RE
manière à obtenir VCE=6V.
IE
M

+ VCC
Exercice N°3: I
RC
Soit le montage ci-contre : I1
1- Calculer les paramètres du générateur de THEVENIN qui alimente C la
base du transistor. R 1 I C

2- Calculer les courants IB, IC, IE., I1 et I2. I1 IB

B 8V
I2 E 64
MGD VBE
R2 RE
IE
M
3- Déterminer le coefficient tel que IC= IE.
4- Etablir une relation entre et β.
5 - Calculer les tensions VCE, VCC, VBM et VCB.

On donne :

VBE = 0,5V, β = 50
R1 = 33KΩ, R2 = 18KΩ
RE = 0, 5KΩ, RC = 2,7KΩ

Exercice N°4: IC
Soit le montage ci contre :
Le transistor est caractérisé par β = 120. R2
On donne : E1=1,5V ; E2= 6V ; R2=75Ω.
Dans les condition de fonctionnement IB C
B
choisie, l’intensité du courant de base vaut E2
0,4mA et VBE= 0,7V. E1 E
R VBE IE
1- Quelle valeur doit-on donner à R1 ? 1

2- Calculer la valeur de IC et IE ainsi que la tension VCE. M

Exercice N°5:
Un transistor au germanium est monté comme I
R2
l’indique la figure ci contre. Le générateur E=9V R1
β = 140, VBE= 0,15V, I=6,5mA; R2 = 750Ω. C
Calculer la valeur de R1, IB, IC et VCE. IC
E
IB B
E
IE
M

Exercice N°6:
Soit le montage ci dessous.
Calculer :
1- Les courants IC, IB et IE
2- Les tensions VEM, VCE, VBM, VCB
3- Le courant I1 et la résistance R1
4- Déterminer les paramètres ETH et RTH du générateur de THEVENIN qui
alimente
la base du transistor.
65
MGD
5- Faire le schéma du montage avec le générateur de THEVENIN.
6- Déterminer l’état du transistor lorsqu’on l’alimente par :
- un courant de base nul.
- un courant de base maximal.
A
IC On donne :
R1 RC
I
C VBE = 0,7V
I1
IB VCM = 4V
B VCC VCC = 12V
I2 E β = 100
R2 RC = 2,2KΩ
RE
R2 = 4KΩ
IE
RE = 400Ω
Exercice N°7: M
Soit le générateur de courant représenté par la figure ci- contre. I
La diode DZ est parfaite VZ = 6,6V ; VBE = 0,6V
I1 IC
RE = 1K ; R1 = 540 ;  = 100.
1- Déterminer la valeur du courant I1 en mA. RC
R1
2-Déterminer les courants d’émetteur, de collecteur et
de base du transistor. C
3-Déterminer la valeur du courant IZ en mA. IB VCC = 12V
4-Déterminer la puissance PZ de la diode DZ en mW. B
5-Déterminer la valeur de la tension VCE pour IZ
E
une valeur nulle de RC. DZ IE
VZ
RE

A
Exercice N°8: IC
Soit le montage ci dessous. On donne :
1- Calculer les courants
R1 IB, IC et IE RC
2- Déterminer la valeur de la résistance RE I VCC = 24V
3-Calculer les courants I1, I2 et I C VCM = 12V
I1
4- Déterminer la valeurIBde la résistance R1 VBE = 0,6V
5- Les tensions VB CB, VEM, VAC, VBM, VAB VCC VCE = 3,8V
6- Calculer les paramètres du générateur de THEVENIN βqui
= 40alimente
I2 E
la base du transistor. R C = 1,5KΩ

R2 R2 = 40KΩ
RE
66
IMGD
E

M
Redressement monophasé commandé (par
thyristor) :
Exercice N°1 :
Une charge composée d’une résistance R=10 et une inductance
L=0,1mH est branchée à la sortie d’un redresseur commandé tout
thyristor va et vient. Les tensions sont des tensions
alternatives sinusoïdales, la fréquence du réseau est 50Hz et la tension
maximale à l’une des sorties du transformateur est V m =15V, l’angle
d’amorçage des thyristors est .
1- Schématiser le montage de ce redresseur.
2- Expliquer le fonctionnement du montage.
3- Tracer l’allure de la tension aux bornes de la charge.
4- Tracer l’allure du courant dans la charge puis dans le thyristor T 1.
5- Calculer la tension moyenne aux bornes de la charge.
6- Calculer en millisecondes (ms) la durée de conduction de chaque
thyristor.

Exercice N°2 :
Un pont redresseur tout thyristor alimente un moteur à courant continu,
l’angle d’amorçage des thyristors est . La tension moyenne aux
bornes du moteur est 169V, le courant parfaitement lissé vaut 25A, la
résistance interne du moteur est de 1,2.
1- Schématiser le montage de ce redresseur.
2- Calculer la valeur efficace de la tension du réseau alternatif sachant que
la fréquence est de 50Hz.
67
MGD
3- Tracer l’allure de la tension aux bornes du moteur.
4- Calculer le temps d’amorçage des thyristors.
5- Calculer le temps de conduction des thyristors.

Exercice N° 3 :
Un pont de Graetz mixte (thyristors/diodes) alimente un moteur à courant
continu dont la résistance interne est de 2,5. La fréquence du réseau est
de 50Hz, l’instant d’amorçage des thyristors est égal au huitième de la
période du réseau. La tension moyenne aux bornes du moteur est 200V, le
courant parfaitement lissé vaut 10A.
1- Schématiser le montage de ce redresseur.
2-Tracer l’allure de la tension aux bornes du moteur.
3- Calculer :
a- L’instant d’amorçage puis l’angle d’amorçage des thyristors.
b-La valeur efficace de la tension du réseau alternatif.
c- La f.c.e.m E du moteur.
4- On pose E=KΦN avec Φ=100mWb (le flux magnétique du moteur) et
K= 0,001 (la constante du moteur).
Calculer la vitesse de rotation N du moteur en tours/min.

68
MGD