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Pr. Lahcen BAHI Saad BAKKALI

Docteur d’Etat en Géophysique Appliquée E.O.P.G.Strasbourg Ingénieur Géophysicien E.O.P.G.Strasbourg
Ecole Mohammadia d’Ingénieurs Faculté des Sciences & Techniques de Tanger
Université Mohammed V Université Abdelmalek Essaâdi

POTENTIEL
D’UNE ELECTRODE PONCTUELLE
DANS UN SOL TABULAIRE : DISPOSITIFS SCHLUMBERGER & WENNER

ALGORITHME DE GOSH :
CALCUL DE LA RESISTIVITE APPARENTE PAR FILTRAGE LINEAIRE

Pr. Lahcen.BAHI. Génie Minéral-E.M.I Saad.BAKKALI. Sciences de la Terre-FSTT

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1 Distribution du potentiel dû à une électrode ponctuelle dans un sol tabulaire

1.1 Recherche d’une solution de l’équation de Laplace

On considère un sol tabulaire constitué constitué de n couches homogènes, isotropes et

élastiques de résistivités ρn et d’épaisseurs hn (n=1,2,…..,N)
On recherche une solution de l’équation de Laplace qui régit le potentiel Vn dans la nième couche.
La symétrie étant de révolution autour de l’axe vertical Oz, nous avons en coordonnées
cylindriques (r,θ, z ) avec r 2 = x 2 + y 2

électrode ponctuelle de surface S

h1 couche 1 ρ1

h2 couche 2 ρ2

hN −1 couche N-1
substratum ρN

Le potentiel V présent dans chacune des couches hormis la 1ère ou se trouve la source
ponctuelle (couche 1) vérifie l’équation suivante :

r
La densité de courant j vérifie l’équation
∂ 2V ∂ V ∂ 2V r
+ + =0 (1.1) div j = 0 dans toutes les couches indicées de 2
∂r 2 r∂r ∂z 2 àN

1.1.1 Cas de la couche 1

r r
Dans la 1ère couche la densité de courant vérfie l’équation div j = c δ(r ) = c δ(x, y, z) ou δ est la
r
distribution de Dirac . Il reste à déterminer la constante c : considérons le flux de j à travers la
surface S qui délimite un volume V défini par une fonction bornée f(x,y,z) . Le courant I délivré
r
par l’électrode ponctuelle et confiné dans la 1ère couche est obtenu par l’équation I= 〈 div j ,f 〉 ou
f est définie par f(x,y,z)=1 si z>0 et (x,y,z) ∈ V , f(x,y,z)=1/2 si z=0 et (x,y,z) ∈ V, f(x,y,z)=0 si
r
z<0 et (x,y,z) ∈ V, et f(x,y,z)=0 ailleurs : Donc I= 〈 div j ,f 〉 =cf(0,0,0)=c/2 d’ou c=2I

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r r
Dans la 1ère couche les équations de la densité de courant j , du champs électrostatique E1 et
du potentiel V1 sont données par
r r
div j = 2Iδ(r )
r r
div E1 = 2ρ1 Iδ(r )

r
∆V1 =− 2ρ1 Iδ(r ) (1.2)

Soit

∂ 2V1 ∂ V1 ∂ V1
2
r
+ + = - 2ρ1 Iδ(r ) pour la couche 1 (1.3)
∂r 2 r∂r ∂z 2

∂ 2Vn ∂ Vn ∂ Vn
2
+ + = 0 pour toutes les autres couches indicées de 2 à N (1.4)
∂r 2 r∂r ∂z 2

1.1.2 Résolution des équations de Laplace pour les couches 1 et n :

Cas de la n-ième couche

On considère que le potentiel Vn (r, z) s’exprime sous la forme d’un produit de 2 fonctions
indépendantes Rn (r) et Z n (z) des variables r et z .

Posons Vn (r, z) = Rn (r) Z n (z) l’équation (1.2) devient alors

d 2 Rn (r) Z n (z) dRn (r) d 2Z n (z)

Z n (z) + + Rn (r ) =0
dr 2 r dr dz 2

2 2
1 d Rn (r) + 1 dRn (r) =− 1 d Z n (z) =−λ2 ou λ est une variable complexe (1.5)
Rn (r) dr 2 rRn (r) dr Z n (z) dz 2

L’équation (1.4) nous amène à considérer le système d’équations différentielles suivantes :

d 2 Rn (r) 1 dRn (r) 2

+ +λ Rn (r)=0 (1.6)
dr 2 r dr

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d 2 Z n (z) 2
−λ Z n (z)=0 (1.7)
dz 2
La résolution de l’équation (1.7) nous amène à l’expression de Z n (z) suivante :

Z n (z) = ( an(λ ) e- λz + bn (λ ) e λz )
an et bn sont 2 fonctions continues de la variable complexe λ

La résolution de l’équation (1.6) nous amène à poser u =λr et l’équation (1.4) devient :

d 2 Rn (u) 1 dRn (u)

+ + Rn (u)=0 (1.8)
du 2 u du

L’équation (1.8) est le cas particulier, λ =0 des équations de Bessel généralisées pour tout λ∈R

d 2 f(u) 1 df(u)  λ2 
+ +1−  f(u)=0
du 2 u du  u 2 

La résolution de l’équation (1.8) nous conduit à l’expression de Rn (u) suivante :

Rn (u) = αJ 0 (u) + βN0 (u)

J 0 (u) et N0 (u) sont respectivement les fonctions de Bessel et de Neumann d’ordre 0

1.1.3 Choix de la solution envisagée

Le choix se fait par les conditions aux limites imposées au potentiel ; à l’ ∞ le potentiel est nul
et au voisinage de 0 il est constant . Nous avons également à considérer les limites suivantes :

Pour u→∞ J 0 (u) ≅

πu
( )
2 cos u −π
4
et N 0 (u) ≅
πu
( )
− 2 sin u −π
4

Les 2 fonctions conviennent donc pour u→∞

Pour u →0 J 0 (u)→1 et N0 (u)→∞

Donc la fonction de Neumann d’ordre 0 N 0 (u) est à écarter

Conclusion

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Du fait qu’il faut tenir compte de toutes les valeurs possibles de λ ,le potentiel présent dans la
nième couche s’exprime par l’équation intégrale suivante :

∞
Vn (r, z) = ∫ J 0 (λr) ( an(λ ) e- λz + bn (λ ) e λz ) dλ (1.9)
0
Cas de la 1ère couche :

Posons d 2 =r 2 + z 2 nous avons alors la nouvelle expression de l’équation (1.1) :

r  ρ I r
∆ 1 = −4πδ(r ) d’ou ∆ 1 1  = −2ρ1 Iδ(r )
d  2π d 
 ρ1 I 
Par conséquent  1 est une solution particulière de l’équation de Laplace
 2π r 2 + z 2 
 
régissant le potentiel V1 (r, z) de la 1ère couche qui renferme les sources. La solution
recherchée de l’équation (1.1) est la superposition de la solution particulière à la solution
générale :

 ρ1 I  ∞
V1 (r, z) =  1  + J 0 (λr) ( a1 (λ ) e- λz + b1 (λ ) e λz ) dλ
 2π r 2 + z 2  ∫0
 

  ∞
 1  = J 0 (λr) e- λz dλ d’ou l’expression du potentiel V1 (r, z)
 ∫0
et
 r2+z2
 

∞
ρ1 I
V1 (r, z) = ∫ J 0 (λr) [( a1 (λ ) )e- λz + b1 (λ ) e λz ] dλ (1.10)
0
2π

Posons les égalités suivantes :

ρ1 I
an(λ ) =
2π
(1+Κ n(λ ))
ρI
bn (λ ) = 1 Φ n(λ )
2π
ρI
a1 (λ ) = 1 Κ1(λ )
2π

Le potentiel Vn (r, z) présent dans les couches indicées de 1 à N , n=1,………N est donné par :

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∞
ρ1 I
Vn (r, z) = ∫ J 0 (λr) [ (1+Κ n(λ )) e- λz + Φ n(λ ) e λz ] dλ
2π 0

Pour des commodités d’écriture nous poserons : Κ n(λ ) = Κ n et Φ n(λ ) = Φ n

∞
ρ1 I
Vn (r, z) = ∫ J 0 (λr) [(1+ Κ n )e- λz + Φ n e λz ] dλ
2π 0

2 Etude des conditions aux limites

2.1 Continuité du potentiel

Vn (r, z) = Vn +1(r, z) quand z =hn d’ou l’équation récurrente sur les fonctions Κ n(λ ) et Φ n(λ )

Κ n e- λhn + Φ n e λhn = Κ n +1 e- λhn + Φ n +1 e λhn (2.1)

r
2.2 Continuité de la composante tangentielle du champs électrostatique E :

 ∂Vn (r, z)   ∂V (r, z) 

-  = -  n +1 
 ∂r  z = hn  ∂r  z =hn

d’ou l’équation récurrente identique à celle obtenue pour la continuité du potentiel

Κ n e- λhn + Φ n e λhn = Κ n +1 e- λhn + Φ n +1 e λhn (2.2)

r
2.3 Continuité de la composante normale de la densité de courant J :
r r r r r
La densité de courant J est reliée au champs E par la relation suivante : E = ρ J = −∇V ou V est
le potentiel et ρ la résistivité

 ∂Vn (r, z)   ∂V (r, z) 

- 1   =- 1  n +1 
ρn  ∂ z  z = hn ρ n+1  ∂z  z = hn

d’ou nous tirons la relation suivante

ρn ρn ρ n - λhn
- Κ n e- λhn + Φ n e λhn + Κ e- λhn - e λhn = (1- )e (2.3)
ρ n +1 n +1 ρ n +1 ρ n +1

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2.4 Condition sur la surface du sol :

J n = 0 pour z =0 et  ∂V1 (r, z)  = 0 d’ou l’égalité Κ1 = Φ1

 
A la surface du sol
 ∂z  z =0

K1 (λ) est le noyau de Stefanesco

1+2 K1 (λ) est le noyau de Sichtler de la 1ère couche
∞
ρ1 I 1 + (2 J (λr) K (λ) )( chλz ) dλ ]
r 2 + z 2 ∫0
V1 (r, z) = [
2π 0 1

∞
ρ1 I
V1 (r,0) = [1+ 2 ∫ J 0 (λr) K1 (λ) dλ ]
2π r 0

∞
ρ1 I
V1 (r,0) = ∫ J 0 (λr) [(1+2 K1 (λ) )] dλ (2.4)
2π 0

2.5 Condition sur le substratum :

Le substratum est défini comme étant la couche N. Dans une couche quelconque, Vn →0 quand on
s’éloigne des sources ( r →∞ ). Dans la dernière couche qui est le substratum, pour que VN →0
quand r →∞ il faut nécessairement que Φ N (λ)=0

En résumé nous avons les équations suivantes :

Κ1 (e- λh1 + e λh1 ) - Κ 2 e- λh1 + Φ 2 e λh1 = 0

ρ1 ρ1 λh1  ρ1  - λh1
Κ1 (e λh1 - e- λh1 ) + Κ 2 e- λh1 - Φ 2 e = 1−  e
ρ2 ρ2  ρ2 

Κ n e- λhn + Φ n e λhn - Κ n +1 e- λhn - Φ n +1 e λhn = 0

ρn ρn ρ n - λhn
- Κ n e- λhn + Φ n e λhn + Κ n +1 e- λhn - e λhn = (1- )e
ρ n +1 ρ n +1 ρ n +1

Κ N −1 e- λhN −1 + Φ N −1 e λhN −1 - Κ N e- λhN −1 = 0

ρ N −1 ρ
- Κ N −1 e- λhN −1 + Φ N −1 e λhN −1 + Κ N e- λhN −1 = (1- N −1 ) e- λhN −1
ρN ρN

Les conditions aux limites fournissent un système de [2(N-3)+4]=2(N-1) équations et

[2(N-2)+2]=2(N-1) données à résoudre par les méthodes classiques pour déterminer les
fonctions Κn et Φn si les résistivités ρn sont données.

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3 Relation de récurrence de Pekeris-Sundee :

A partir des égalités obtenues par les conditions aux limites du potentiel et de la composante
normale de la densité de courant, nous avons les équations suivantes :

(1+ Κ n )e- λhn + Φ n e λhn - (1+ Κ n +1 )e- λhn - Φ n +1 e λhn = 0 (3.1)

1 [(1+ Κ n )e- λhn - Φ n e λhn ] – 1 [(1+ Κ )e- λhn - Φ e λhn ] = 0 (3.2)

n +1 n +1
ρn ρ n +1

On pose :

1+ K n +Φ ne2λhn −1
S(λ) = 2λhn −1
appelé noyau de Sichtler de la n-ème couche
1+ K n −Φ ne

On vérifie alors l’équation suivante dite relation de Pekeris-Sundee :

(1+ Sn )+(Sn −1)e2λtn

ρn = ρn +1 Sn +1 (3.3)
(1+ Sn )−(Sn −1)e2λtn

avec tn = hn +1 - hn épaisseur de la nème couche

On remarquera que pour n=1, h0 =0 et S1 (λ) =1+2 K1 (λ) , et S N (λ)=1

4 Résistivités transformées :

Par définition, la résistivité transformée Tn (λ) est définie comme étant le produit ρ n . Sn (λ)

Tn+1 + ρ nth(λtn ) Tn − ρ nth(λtn )

Tn = et Tn +1 =
T
1+ n+1 th(λtn ) 1− Tn th(λtn )
ρn ρn

Les résistivités transformées vérifient les limites suivantes :

limλ →∞Tn = ρn et limλ →∞T1 = ρ1

limλ →0Tn =limλ →0Tn +1 =.............=limλ →0TN = ρ N

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5 Applications au calcul de la résistivité apparente :

On considère un quadripôle linéaire et symétrique constitué de 2 électrodes A et B d’injection de

courant, et de 2 électrodes de mesures M et N

A M O N B

ON=OM=b et OB=OA=a

2a définit la longueur de ligne AB

2b définit l’écartement des électrodes de mesure MN

La résistivité apparente est telle que :

VM − V N a − b
2 2
ρapp = π
I 2b

Le potentiel de la 1-ère couche mesuré à la surface est :

ρ1 I ∞
S (λ) [ J 0 ((a −b)λ)− J 0 ((a +b)λ) ] dλ
2π ∫0 1
En M : VM =

ρ1 I ∞
S (λ) [ J 0 ((a +b)λ)− J 0 ((a −b)λ) ] dλ
2π ∫0 1
En N : VN =

D’ou

∞
a 2 − b2
ρapp = ρ1 ∫ S (λ) [ J ((a−b)λ)− J ((a+b)λ) ] dλ
1 0 0 (5.1)
2b 0

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5.1 Cas particulier du dispositif de Wenner :

a= 3δ et b= δ
2 2

∞
ρ app = 2δ ∫ [ J 0 (λδ)− J 0 (2λδ) ] T1 (λ) dλ (5.2)
Wenner
0

ou T1 (λ) est la résistivité transformée de la 1ère couche

5.2 Cas particulier du dispositif de Schlumberger :

La résistivité apparente Schlumberger est définie par l’équation limite suivante :

ρ app = limb →0 ρ app

Schlumberger

ρ app
Schlumberger
= π a 2 Ea =π a 2 −2 ∂V
I I


(∂a )
a =0
 avec V =V (a)


1

et

∞
ρ1 I
V1 (a) = [1+ 2 ∫ J 0 (λa) K1 (λ) dλ ]
2π a 0

En calculant la dérivée partielle de V =V1 (a) on aboutit à l’expression de la résistivité apparente

suivante :

∞
 
ρ app = ρ1 1+2a 2 ∫λK1 (λ)J1 (λa)dλ 
Schlumberger
 0 

∞
ρ app = ρ1 + a 2 ∫λ(T1 (λ )− ρ1 )J1 (λa )dλ (5.3)
Schlumberger
0

ou T1 (λ) est la résistivité transformée de la 1ère couche

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6 Expression des résistivités apparentes ρa en coordonnées logarithmiques :

L’échelle logarithmique s’emploie pour tracer les diagrammes de sondages électriques afin de
traduire les variations des profondeurs et des résistivités relatives plutôt qu’absolues.
En échelle logarithmique une multiplication de l’épaisseur d’une couche se traduit par une simple
translation de la courbe sur le diagramme. Si l’on multiplie toutes les dimensions, longueur du
dispositif et épaisseur des couches par un même facteur, la résistivité apparente ne change pas
et les 2 courbes se déduisent l’une de l’autre par une translation parallèle à l’axe des abscisses.

On pose x=lna et y=ln 1 d’ou a=ex et λ =e-y avec dλ =-e-ydy et T la résistivité

λ
transformée de la 1ère couche

6.1 Dispositif de Wenner :

+∞
ρ app ∫T(y)[J (e )− J 0 (2e x − y )].(e x − y)dy
x− y
=2 0
Wenner
−∞

6.2 Dispositif de Schlumberger :

+∞
ρ app = ρ1 + ∫[T(y)− ρ1 ].(J1 (e x − y))(. e2(x− y) )dy
Schlumberger
−∞

+∞
ρ app = ρ1 + ∫[T(y)− ρ1 ].(g(x− y))dy ou g(t)=(J1 (et )).e2t
Schlumberger
−∞

ρ app = ρ1 + (T − ρ1 )∗g ou ∗ est le produit de convolution

Schlumberger

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ALGORITHME DE GOSH

CALCUL DE LA RESISTIVITE APPARENTE PAR FILTRAGE LINEAIRE

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1 Principe du filtrage linéaire appliqué au calcul de la résistivité apparente :

Nous avons vu précédemment que la résistivité apparente, en coordonnées bi-logarithmiques,

pouvait se mettre sous la forme d’un produit de convolution entre une fonction représentant la
résistivité transformée de la 1ère couche, et une fonction de Bessel d’ordre 1 :

+∞
ρ app = ρ1 + ∫[T(y)− ρ1 ].(J1 (e x − y))(. e2(x− y) )dy
Schlumberger
−∞

+∞
ρ app = ρ1 + ∫[T(y)− ρ1 ].(g(x− y))dy ou g(t)=(J1 (et )).e2t
Schlumberger
−∞

ρ app = ρ1 + (T − ρ1 )∗g ou ∗ est le produit de convolution

Schlumberger

ρ app = ρ1 + (T − ρ1 )∗g ou ∗ est le produit de convolution et g(t)=(J1 (et )).e2t

Schlumberger

Nous poserons ρapp = ρ app - ρ1 = (T − ρ1 ) ∗ g

Schlumberger

+∞
ρapp = ρ app
Schlumberger
- ρ1 = ∫[T(y)− ρ ].(g(x− y))dy
−∞
1 ou g(t)=(J1 (et )).e2t

Posons le changement de variables suivant :

Ψ = (T − ρ1 ) la résistivité transformée de la 1ère couche

La résistivité apparente s’exprime alors sous la forme :

+∞
ρ app (x ) = ∫ Ψ ( y ).(g ( x − y ) )dy (1.1)
−∞

ou x sera la demi-longueur de ligne d’un sondage Schlumberger

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2 Expression de l’échantillonnée de Ψ

On considère un pas d’échantillonnage ∆y de la résistivité transformée de la 1ère couche Ψ( y )

La fonction Ψ( y ) interpolée aux points échantillonnés y0 ± m∆y s’exprime alors sous la forme
suivante en utilisant la formule sommatoire de Poisson :

πy
m=∞
sin
∆y
Ψ( y ) =( ∑ Ψ( y
m = −∞
0 − m∆y )δ ( y − y0 + m∆y ) ) ∗ (
πy
)

∆y
πy
sin
∆y y
ou ( ) = sin c est la fonction d’interpolation
πy ∆y
∆y
et

m=∞

∑ Ψ( y
m = −∞
0 − m∆y )δ ( y − y0 + m∆y ) l’échantillonnée de Ψ( y )

D’ou en utilisant les propriétés de la distribution de Dirac δ

π ( y − y0 + m∆y )
m = +∞
sin
∆y
Ψ( y ) = ∑ Ψ( y
m = −∞
0 − m∆y )
π ( y − y0 + m∆y )
(2.1)

∆y

3 Expression de la résistivité apparente

Nous pouvons donc écrire tenant compte des équations (1.1) et (2.1) que :

π ( y − y0 + m∆y )
m = +∞ +∞ sin
∆y
ρ app (x ) = ∑ Ψ( y
m = −∞
0 − m∆y ) ∫
π ( y − y0 + m∆y )
g ( x − y )dy (3.1)
−∞
∆y

π ( x − y − y0 + m∆y )
m = +∞ +∞ sin
∆y
ρ app (x ) = ∑ Ψ( y
m = −∞
0 − m∆y ) ∫
π ( x − y − y0 + m∆y )
g ( y )dy (3.2)
−∞
∆y

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Posons donc x = x0 + k∆y ( cela revient à échantillonner la demi-longueur de ligne du dispositif)

L’équation (3.2) devient alors :

π ( x0 − y0 + ( k + m)∆y − y )
m = +∞ +∞ sin
∆y
ρ app ( x0 + k∆y ) = ∑ Ψ( y
m = −∞
0 − m∆y ) ∫
π ( x0 − y0 + ( k + m)∆y − y )
g ( y )dy (3.3)
−∞
∆y

C’est l’expression de la résistivité apparente Schlumberger échantillonnée au pas k∆y . L’équation

(3.3) exprime la résistivité apparente Schlumberger comme étant un filtrage linéaire opéré sur la
résistivité transformée de la 1ère couche. Les coefficients f k + m de ce filtre linéaire , appelés
également coefficients d’interpolation, s’expriment analytiquement par l’équation intégrale
suivante :

π ( x0 − y0 + ( k + m)∆y − y )
+∞ sin
∆y
fk +m = ∫
−∞
π ( x0 − y0 + ( k + m)∆y − y )
g ( y )dy (3.4)

∆y

et nous avons également l’équation suivante :

y
f k + m = sin c ∗ g ( y ) calculé aux points x0 − y0 + ( k + m)∆y
∆y

D’ou l’expression de la résistivité apparente Schlumberger filtrée :

m = +∞
ρ app ( x0 + k∆y ) = ∑f
m = −∞
k +m ( x0 − y0 )Ψ ( y0 − m∆y ) (3.5)

4 Expression des coefficients d’ un filtre à n points par décades

Si x0 et y0 sont astucieusement choisis, la convergence des coefficients du filtre est très

rapide. On considère un décalage du filtre donné x0 − y0 = ε . On appelle un filtre à n points par
ln 10
décades un filtre dont le pas d ‘échantillonnage ∆y est donné par ∆y = ou n = 3, 4, 6, …
n

Nous posons :

ln 10
k + m = l , ∆y = = 0.5757 (filtre à 4 points par décades)
4

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Dans ce cas les coefficients du filtre et la résistivité apparente deviennent :

lmax
ρ app ( x0 + k∆y ) = ∑ f l Ψ ( x0 − (ε + l∆y ) + k∆y )
π (ε + l∆y − y ) lmin
+∞ sin
∆y
fl = ∫ π (ε + l∆y − y )
g ( y )dy et lmax
−∞
∆y ρ app
k
= ∑ f l Ψk −l
lmin

Dans le tableau ci-dessous les valeurs numériques des coefficients du filtre à 4 points par
décades calculées pour un décalage ε = −0.1950

l ε + l∆y fl l ε + l∆y fl
-5 -3.0732 -0.0038 4 2.1076 1.0219
-4 -2.4976 0.0093 5 2.6832 -0.3162
-3 -1.9219 -0.0106 6 3.2589 0.1184
-2 -1.3463 0.0200 7 3.8345 -0.0574
-1 -0.7706 0.0079 8 4.4102 0.0330
0 -0.1950 0.1739 9 4.9858 -0.0211
1 0.3806 0.6487 10 5.5615 0.0144
2 0.9563 1.8192 11 6.1371 -0.0103
3 1.5319 -2.4514 12 6.7128 0.0042

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