Université Blida 1 1 جامعة البليدة
Département d’Electronique Electronique Fondamentale 2 قسم اإللكترونيك
L2- S.C Génie Electrique م هندسة كهربائية. ج-2ل
EXAMEN DE MOYENNE DUREE (Variante A) (Mercredi 11 Novembre 2020)
Exercice1 (12 points):
Dans le montage de la figure1, on suppose le gain en courant du
transistor égal à 200, Vcc = 30 V et ve = 3 mVeff
1) a- Tracer les droites de charge statique et dynamique de cet
amplificateur, en utilisant le graphique 1 ?
b- Calculer sa tension maximale de sortie crête à crête ?
2) Calculer la tension de sortie AC de ce montage ?
3) Calculer le rendement pour la tension de sortie précédente ?
Figure 1
Exercice 2 (8 points):
Le FET de la figure 2 possède la courbe de transconductance
représentée sur le graphique 2.
On prend VDD = 24 V et Ve = 5 mVpp
1) Ecrire l’équation de la droite de polarisation en régime
statique du transistor et tracer cette droite sur sur le graphique 2
2) Déduire à partir du graphique obtenu
a- le point de fonctionnement du transistor Q(VGS , IDS)
b- la transconductance gm = gm0.(1 – VGS/VGS(th))
3) Calculer la tension AC de sortie si le gain en tension
Figure 2
Av = rs /(rs + 1/gm)?
Tableau1 Formules de calculs classe A
Montage Grandeur formule commentaire
Courant de saturation statique IC (sat) VCC / (Rc + RE) Cas général
Tension de blocage statique VCE (blocage) VCC
EC-BC Courant de saturation dynamique iC (sat) ICQ + VCEQ / rC rC = RC//RL
Tension de blocage dynamique vCE (blocage) VCEQ + ICQ x rC
Tension crête à crête maximale de sortie MPP 2 [Link] ou 2 VCEQ Prendre le moindre
Courant de saturation statique IC (sat) VCC / RE
Tension de blocage statique VCE (blocage) VCC
CC Courant de saturation dynamique iC (sat) ICQ + VCEQ / re re = RE//RL
Tension de blocage dynamique vCE (blocage) VCEQ+ ICQ x re
Tension crête à crête maximale de sortie MPP 2 [Link] ou 2 VCEQ Prendre le moindre
Puissance en sortie PL V2L / RL VL tension efficace
VPP tension crête à
Puissance en sortie PL V2PP / 8RL
crête
Puissance non déformée maximale PL(max) MPP2 / 8RL
Puissance dissipée maximale par transistor PD = VCEQ. ICQ
IDC = courant
Puissance fournie par l’alimentation PDC = VCC. IDC
d’alimentation
Rendement par étage η % PL x100% / PDC
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Département d’Electronique Electronique Fondamentale 2 قسم اإللكترونيك
L2- S.C Génie Electrique م هندسة كهربائية. ج-2ل
Correction (A)
Exercice 1
1)
a.1 : droite de charge statique (2 pts)
ICQ,sat = VCC/(RC+RE) = 30/0.9 = 33.33 mA , VCEQ,b = VCC = 30 V ( voir tracé sur graphique1)
a.2 : droite de charge dynamique
ic,sat = ICQ + VCEQ/rc ; ICQ = VE/RE ; VE = VB - 0.7 ; VB = (R2 x VCC)/(R1 + R2) ; rc = RC//RL ;
VCEQ = VCC – (RC + RE ) x ICQ
Calcul : (2.5 pts)
VB = 0.47x 30/2.47 = 5.71 V ; VE = 5.71 – 0.7 = 5.01 V ICQ = 5.01 /0.22 = 22.77 mA ;
rc = 0.68 x 2.7/(2.7 + 0.68) = 0.543 kΩ ; VCEQ = 30 – (0.68 + 0.22 ) x 22.77 = 9.51 V ;
- ICQ,sat = 22.77 + 9.51/0.543 = 40.28 mA
- Vce,b = VCEQ + rc x ICQ = 9.51 + 0.543 x 22.77 = 21.87 V ( voir tracé sur graphique1) (2 pts)
b) MPP = min (2xVCEQ , 2xrcxICQ) = min(19.02 V , 24.73 V ) = 19 V (0.5 pt)
2) Vo,eff = Av x Vb,eff ; Av = - rc/r’e ; r’e = 25/ICQ ; Vb,eff = Re,in x Ve,eff/( Re,in + 50)
Re,in = R1//R2// Reb ; Reb = β x r’e
Calcul : (3 pts)
r’e = 25/22.77 = 1.1 Ω ; Av = - 543/1.1 = - 494 ; Reb = 200 x 1.1 = 220 Ω ; Re,in = 0.47//2//0.22
Re,in = 380.57//220 = 139.4 kΩ ; Vb,eff = 139.4 x 3/(139.4 + 50) = 2.2 Veff
Vo,eff = - 494 x 2.2 = 1.087 Veff
3) η% = Po x 100/PDC ;
Po = Vo2,eff/RL = 1.0872/2700 = 0.438 mW ; PDC = 30x(ICQ + Vcc/2.47) = 1.047 W (2 pts)
η% = 0.438 x 100/1047 = 0.042%
Exercice 2
1) Droite de polarisation : VGS = VG - RS x IDS ; VG = VDD/2.4 = 10 V ; VGS = 10 – 2.5 x IDS
Pour VGS = 0 , IDS = 4 mA et pour VGS = - 4V, IDS = 5.6 mA (voir tracé sur graphique 2) (3.5 pts)
2) a) VGS= - 1.5 V IDS = 4.5 mA (voir tracé sur graphique 2) (1.5 pts)
b) gm0 = - 2x IDSS/ VGS(Off) = 6 mS ; gm = 6x ( 1 – 1.5/4) = 3.75 mS (1 pt)
3) Vo,pp = Av x Vpp ; rs = RL//RS = 2.5/3.5 = 0.714 kΩ ; 1/gm = 0.267 kΩ (1 pt)
Av = 0.714/(0.714 + 0.267) = 0.728 ; Vo,pp = 0.728 x 5 = 3.64 mVpp (1 pt)
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Graphique 1
Graphique 2
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Département d’Electronique Electronique Fondamentale 2 قسم اإللكترونيك
L2- S.C Génie Electrique م هندسة كهربائية. ج-2ل
EXAMEN DE MOYENNE DUREE (Variante B) (Mercredi 11 Novembre 2020)
Exercice1 (x points):
Dans le montage de la figure1, on suppose le gain en courant du
transistor égal à 200, Vcc = 12 V et ve = 6 mVpp
1) a- Tracer les droites de charge statique et dynamique, en
utilisant une échelle correcte, de cet Amplificateur ?
b- Calculer sa tension maximale de sortie crête à crête ?
2) Calculer la tension de sortie AC de ce montage ?
3) Calculer le rendement pour la tension de sortie précédente ?
Figure 1
Exercice 2 (x points):
Le FET de la figure 2 possède la courbe de transconductance
représentée sur r le graphique 2
On prend VDD = 30 V et Ve = 5 mVeff
1) Ecrire l’équation de la droite de polarisation en régime
statique du transistor et tracer cette droite sur le graphique 2
2) Déduire à partir du graphique obtenu
a- le point de fonctionnement du transistor Q(VGS , IDS)
b- la transconductance gm = gm0.(1 – VGS/VGS(th))
3) Calculer la tension AC de sortie si le gain en tension
Figure 2
Av = rs /(rs + 1/gm) ?
Tableau1 Formules de calculs classe A
Montage Grandeur formule commentaire
Courant de saturation statique IC (sat) VCC / (Rc + RE) Cas général
Tension de blocage statique VCE (blocage) VCC
EC-BC Courant de saturation dynamique iC (sat) ICQ + VCEQ / rC rC = RC//RL
Tension de blocage dynamique vCE (blocage) VCEQ + ICQ x rC
Tension crête à crête maximale de sortie MPP 2 [Link] ou 2 VCEQ Prendre le moindre
Courant de saturation statique IC (sat) VCC / RE
Tension de blocage statique VCE (blocage) VCC
CC Courant de saturation dynamique iC (sat) ICQ + VCEQ / re re = RE//RL
Tension de blocage dynamique vCE (blocage) VCEQ+ ICQ x re
Tension crête à crête maximale de sortie MPP 2 [Link] ou 2 VCEQ Prendre le moindre
Puissance en sortie PL V2L / RL VL tension efficace
VPP tension crête à
Puissance en sortie PL V2PP / 8RL
crête
Puissance non déformée maximale PL(max) MPP2 / 8RL
Puissance dissipée maximale par transistor PD = VCEQ. ICQ
IDC = courant
Puissance fournie par l’alimentation PDC = VCC. IDC
d’alimentation
Rendement par étage η % PL x100% / PDC
Université Blida 1 1 جامعة البليدة
Département d’Electronique Electronique Fondamentale 2 قسم اإللكترونيك
L2- S.C Génie Electrique م هندسة كهربائية. ج-2ل
Correction (B)
Exercice 1
1)
a.1 : droite de charge statique (2 pts)
ICQ,sat = VCC/(RC+RE) = 12/0.9 = 13.33 mA , VCEQ,b = VCC = 12 V ( voir tracé sur graphique1)
a.2 : droite de charge dynamique
ic,sat = ICQ + VCEQ/rc ; ICQ = VE/RE ; VE = VB - 0.7 ; VB = (R2 x VCC)/(R1 + R2) ; rc = RC//RL ;
VCEQ = VCC – (RC + RE ) x ICQ
Calcul : (2.5 pts)
VB = 0.47x 12/2.47 = 2.28 V ; VE = 2.28 – 0.7 = 1.58 V ICQ = 1.58 /0.22 = 7.2 mA ;
rc = 0.68 x 2.7/(2.7 + 0.68) = 0.543 kΩ ; VCEQ = 12 – (0.68 + 0.22 ) x 7.2 = 5.52 V ;
- ICQ,sat = 7.2 + 5.52/0.543 = 17.37 mA
- Vce,b = VCEQ + rc x ICQ = 5.52 + 0.543 x 7.2 = 9.43 V ( voir tracé sur graphique1) (2 pts)
b) MPP = min (2xVCEQ , 2xrcxICQ) = min(11.04 V , 7.82 V ) = 7.82 V (0.5 pt)
2) Vo,pp = Av x Vb,pp ; Av = - rc/r’e ; r’e = 25/ICQ ; Vb,pp = Re,in x Ve,pp/( Re,in + 50)
Re,in = R1//R2// Reb ; Reb = β x r’e
Calcul : (3 pts)
r’e = 25/7.2 = 3.47 Ω ; Av = - 543/3.47 = - 156 ; Reb = 200 x 3.47 = 694 Ω ; Re,in = 0.47//2//0.694
Re,in = 380.57//694 = 246 Ω ; Vb,pp = 246 x 6/(246 + 50) = 5 mVpp
Vo,pp = - 156 x 5 = - 780 mVpp
3) η% = Po x 100/PDC ;
Po = Vo2,pp/8xRL = 0.782/2700 = 0.028 mW ; PDC = 12x(ICQ + Vcc/2.47) = 144.7 mW (2 pts)
η% = 0.028 x 100/144.7 = 0.02%
Exercice 2
4) Droite de polarisation : VGS = VG - RS x IDS ; VG = VDD/2.5 = 12 V ; VGS = 12 – 4 x IDS
Pour VGS = 0 , IDS = 3 mA et pour VGS = - 4V, IDS = 4 mA (voir tracé sur graphique 2) (3.5 pts)
5) a) VGS= - 1.8 V IDS = 3.5 mA (voir tracé sur graphique 2) (1.5 pts)
b) gm0 = - 2x IDSS/ VGS(Off) = 6 mS ; gm = 6x ( 1 – 1.8/4) = 3.3 mS (1 pt)
6) Vo,eff = Av x Veff ; rs = RL//RS = 4/5 = 0.8 kΩ ; 1/gm = 0.303 kΩ (1 pt)
Av = 0.8/(0.8 + 0.303) = 0.727 ; Vo,pp = 0.727 x 5 = 3.64 mVeff (1 pt)
Université Blida 1 1 جامعة البليدة
Département d’Electronique Electronique Fondamentale 2 قسم اإللكترونيك
L2- S.C Génie Electrique م هندسة كهربائية. ج-2ل
Examen Moyenne Durée Mercredi 12 Novembre 2020
Nom Prénom Groupe Variante
Graphique 1
Graphique 2
