Transistor bipolaire- Polarisation Transistor bipolaire - Polarisation

Polarisation par la résistance de base Polarisation par pont à résistance d’émetteur

(L’une des meilleures polarisations souvent
utilisée)
Les résistances R1 et R2 constituent le pont de
base: polarisation de la base
En appliquant le théorème de Thévenin, le
montage de la figure 1 peut être
transformé à celui de la figure 2: Fig. 1
où Eth et Rth sont données par:
Rth= R1R2/(R1+R2)
Cette méthode n’empêche pas l’emballement thermique: Si T Eth= [R2 /(R1+R2)]VCC
augmente, IC augmente en entraînant une augmentation de IB, qui à
son tour produit une augmentation de IC, et cela jusqu’à la
saturation, ou jusqu’à la destruction du transistor.
21 Fig.222

Transistor bipolaire - Polarisation Transistor bipolaire - Polarisation

Polarisation par contre-réaction au collecteur
Equations des paramètres d’entrée:
Eth = RE IE0 + VBE0 + RthIB0 IB0= (Eth–VBE0)/[RE(ß+1)+Rth] CC
Equations des paramètres de sortie:
VCC = RE IE0 + VCE0+RC IC0 IC0~ (Eth–VBE0)/[RE+(Rth/ß)]
En plus, on a IE0= IB0 + IC0 et IC0= β IB0 ß>>1

Contrairement à la polarisation par une seule résistance de base, le

courant Ic0 dépend d’autant moins de ß et de ses variations que la
résistance RTH << ßRE

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 Montage Darlington
Un montage Darlington est une association de deux ou plusieurs
transistors en cascade qui permet d'avoir une amplification en
courant élevée.

Transistor à effet de champ (MOS)

MOS = Métal-Oxyde Semi-conducteur

Le ß du transistor ainsi réalisé vaut

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Transistor à effet de champ (MOS) Transistor à effet de champ (MOS)

Les « transistors à effet de champ » ont le même S G D
domaine d'application que les transistors bipolaires. Lorsque VGS tend vers Vseuil , l'isolant
Cependant, ils ont un principe de fonctionnement commence à se charger. Les électrons
totalement différent des transistors bipolaires. sont alors attirés vers la grille.
Déplétion

Pour réaliser ce type des transistors, on peut

S G D
par exemple utiliser un semi-conducteur
faiblement dopé P où l'on insère deux zones Lorsque VGS > Vseuil , la concentration S G D
N fortement dopées (la source et le drain du Trous en électrons au voisinage de la grille
transistor). La grille est isolée par est supérieure à la concentration en
l'intermédiaire d'une couche isolante (oxyde trous, on a alors une couche N.
de silicium). Lorsque VGS<< Vseuil, aucun N-MOS (canal n) Inversion électrons
Les deux jonctions disparaissent, le
courant de drain ne passera, car le circuit courant peut passer entre drain et
source-drain est composé de deux jonctions source si on applique une différence de
PN en série. potentiel entre D et S.
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 Transistor à effet de champ (MOS) Transistor à effet de champ (MOS)

La tension appliquée à la capacité de MOS n’est pas la même au

niveau du drain et de la source. Le canal est donc plus large au
niveau de la source qu’au niveau du drain.
C.à.d. au niveau du drain, la tension est plus faible: on est plus
proche d’une disparition du canal.
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Transistor à effet de champ (MOS) Transistor à effet de champ (MOS)

Avantages des transistors à effet de champ:
• Une grande résistance d’entrée (utilisable dans l’étage d’entrée
dans les montages AOs).
• Le faible niveau de bruit lié au fait qu’il n’y a qu’un seul type de
porteurs et donc pas de recombinaisons.
•Plus simple à réaliser.
Inconvénients des transistors à effet du champ:
• Plus lent que le transistor bipolaire ce qui limite les fréquences de
commutation
• Sensible à électricité statique
• Le manque de linéarité

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 Transistor à effet de champ (MOS) Transistor à effet de champ (MOS)
On considère le montage représenté ci-dessous. +VDD ID?

RD
VDD= (RD+RS)ID+VDS
R1
Le transistor est caractérisé par : VDD= 20V, VDS= 8V, ID= (20V-8V)/(2,4 KΩ)= 5 mA
D

RS =400Ω, RD= 2kΩ et R2= 1MΩ et par l'équation G

VGS?
S

ID= K(VGS-VT)2
ID= K(VGS-VT)2, K= 0,75mA/V2 et VT= 1V. R2
RS 5 = 0,75(VGS-1)2
Déterminer ID, VGS et R1? VGS=3,58 V

R1?
On a VGM= VGS+ RSID= 5,58 V et VGM= [R2/(R1+R2)]VDD,

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alors: R1= [(VDD-VGM)/VGM].R2=2,58 MΩ 34

Transistor bipolaire en régime dynamique

Le point de repos correspond aux valeurs des tensions et des
courants lorsqu’on ne considère que le régime statique (ne dépend
pas du temps).
Régime statique Régime dynamique

Amplificateurs à base des transistors bipolaires

En appliquant le théorème de superposition:

= +

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 Transistor bipolaire en régime dynamique Transistor bipolaire en régime dynamique
Régime statique Régime dynamique

Emetteur commun

Ce et Cs sont des condensateurs de liaison. Le condensateur Ce ne

laisse passer que la variation de Ve et non la composante continue.
il évite de modifier la polarisation de la base.
Cs est aussi un condensateur de liaison qui permet à la charge RL
(résistance d’entrée du bloc suivant) de ne pas modifier la
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polarisation du transistor.

Transistor bipolaire en régime dynamique Transistor bipolaire en régime dynamique

Dans le cas où les signaux appliqués au transistor sont variables aux
basses fréquences et de faibles amplitudes autour du point de repos:
v BE =h11 i B +h12 v CE
iC =h21 i B +h 22 v CE
Les paramètres hybrides (h11, h12,h21,h22) sont définis autour du point
de fonctionnement statique {IBo, ICo, IEo, VBEo, VCEo} dû à la
Ces condensateurs arrêtent la composante continue de la tension. Ils polarisation du transistor par l’alimentation continue.
sont des circuits ouverts pour le signal continu et des circuits fermés
pour l’alternatif (se comportent comme des interrupteurs ouverts en
régime statique).

CE est un condensateur de découplage de la résistance d’émetteur

qui permet la suppression de la résistance RE en régime
alternatif pour augmenter le gain. 39 40