Cours d’Électronique :

Les semi-conducteurs et la diode

A. Arciniegas
F. Boucher
V. Gauthier
N. Wilkie-Chancellier
A. Bouzzit

IUT Cergy-Pontoise, Dep GEII, site de Neuville

cbea

(CYU) Électronique - S1 1 / 22
Plan du cours

1 Physique des semi-conducteurs

2 La théorie de la diode

3 Un premier circuit à diode

4 Quelques diodes particulières

(CYU) Électronique - S1 2 / 22
Physique des semi-conducteurs

Physique des semi-conducteurs

(CYU) Électronique - S1 3 / 22
La matière

Tableau périodique des éléments

Un élément chimique, communément appelé atome, est constitué de 3 types de partic-

ules élémentaires qui lui confèrent ses propriétés :

(CYU) Électronique - S1 4 / 22
La matière

Tableau périodique des éléments

Un élément chimique, communément appelé atome, est constitué de 3 types de partic-

ules élémentaires qui lui confèrent ses propriétés :
physiques, le noyau (protons et neutrons) ≈ 99 % de la masse des atomes

(CYU) Électronique - S1 4 / 22
La matière

Tableau périodique des éléments

Un élément chimique, communément appelé atome, est constitué de 3 types de partic-

ules élémentaires qui lui confèrent ses propriétés :
physiques, le noyau (protons et neutrons) ≈ 99 % de la masse des atomes
chimiques, le nuage électronique ou "orbites d’électrons" ≈ 99 % du volume des
atomes

(CYU) Électronique - S1 4 / 22
La matière

Tableau périodique des éléments

Un élément chimique, communément appelé atome, est constitué de 3 types de partic-

ules élémentaires qui lui confèrent ses propriétés :
physiques, le noyau (protons et neutrons) ≈ 99 % de la masse des atomes
chimiques, le nuage électronique ou "orbites d’électrons" ≈ 99 % du volume des
atomes

Dans le tableau périodique, les éléments sont classés par valeur croissante de nombre de
protons (Z, numéro atomique).
(CYU) Électronique - S1 4 / 22
Les conducteurs

Tableau périodique des éléments chimiques

Le block "d" (bleu), correspond aux métaux de transition ; certains éléments comme l’ar-
gent, le cuivre, ou l’or, ont une répartition du nuage électronique pour laquelle un électron
mobile est en périphérie (bande de valence).

(CYU) Électronique - S1 5 / 22
Les conducteurs

Tableau périodique des éléments chimiques

Le block "d" (bleu), correspond aux métaux de transition ; certains éléments comme l’ar-
gent, le cuivre, ou l’or, ont une répartition du nuage électronique pour laquelle un électron
mobile est en périphérie (bande de valence).

Conducteur : matériau pour lequel une force extérieure due à une différence de potentiel
peut très facilement arracher l’électron mobile en périphérie (électron de valence) lorsque
l’attraction entre celui-ci et le reste de l’atome est très faible. Les meilleurs conducteurs
ont un électron de valence.

(CYU) Électronique - S1 5 / 22
Les semi-conducteurs

Tableau périodique des éléments chimiques

Isolant : matériau pour lequel une force extérieure due à une différence de potentiel peut
très difficilement arracher les électrons de valence (les meilleurs en ont huit).

(CYU) Électronique - S1 6 / 22
Les semi-conducteurs

Tableau périodique des éléments chimiques

Isolant : matériau pour lequel une force extérieure due à une différence de potentiel peut
très difficilement arracher les électrons de valence (les meilleurs en ont huit).

Semi-conducteur : matériau dont les propriétés électriques sont à mi-chemin entre les
conducteurs et les isolants. Les meilleurs semi-conducteurs ont quatre électrons de va-
lence (cas du germanium et du silicium).

(CYU) Électronique - S1 6 / 22
Le cristal de silicium

Représentation de l’atome de silicium selon

le modèle de Bohr (d’après A. Malvino).

Atomes dans un cristal et liaisons covalentes

(d’après A. Malvino).

(CYU) Électronique - S1 7 / 22
Le cristal de silicium

Des électrons et des trous (d’après A. Malvino).

L’agitation thermique entraîne la création des paires électrons libres-trous.

(CYU) Électronique - S1 7 / 22
Le cristal de silicium

Des électrons et des trous (d’après A. Malvino).

L’agitation thermique entraîne la création des paires électrons libres-trous.

Les électrons libres et les trous se recombinent.
(CYU) Électronique - S1 7 / 22
Les semi-conducteurs intrinsèques et les porteurs de charge

Semi-conducteur intrinsèque = semi-conducteur pur.

(CYU) Électronique - S1 8 / 22
Les semi-conducteurs intrinsèques et les porteurs de charge

Semi-conducteur intrinsèque = semi-conducteur pur.

Un cristal de silicium (Si) est intrinsèque si tous les atomes qui le composent sont des
atomes de Si.

(CYU) Électronique - S1 8 / 22
Les semi-conducteurs intrinsèques et les porteurs de charge

Semi-conducteur intrinsèque = semi-conducteur pur.

Un cristal de silicium (Si) est intrinsèque si tous les atomes qui le composent sont des
atomes de Si.
À température ambiante, un cristal de Si se comporte comme un isolant car il y a peu
d’électrons libres et de trous créés par l’agitation thermique.

(CYU) Électronique - S1 8 / 22
Les semi-conducteurs intrinsèques et les porteurs de charge

Semi-conducteur intrinsèque = semi-conducteur pur.

Un cristal de silicium (Si) est intrinsèque si tous les atomes qui le composent sont des
atomes de Si.
À température ambiante, un cristal de Si se comporte comme un isolant car il y a peu
d’électrons libres et de trous créés par l’agitation thermique.

Déplacement des électrons libres et des trous

(d’après A. Malvino).

(CYU) Électronique - S1 8 / 22
Les semi-conducteurs intrinsèques et les porteurs de charge

Semi-conducteur intrinsèque = semi-conducteur pur.

Un cristal de silicium (Si) est intrinsèque si tous les atomes qui le composent sont des
atomes de Si.
À température ambiante, un cristal de Si se comporte comme un isolant car il y a peu
d’électrons libres et de trous créés par l’agitation thermique.

Déplacement des électrons libres et des trous Flux de porteurs (d’après A. Malvino).
(d’après A. Malvino).

Par la suite, on conçoit le courant dans un semi-conducteur comme la somme de deux

flux : celui des électrons dans un sens et celui des trous dans l’autre sens.

On appelle souvent porteurs de charge les électrons libres et les trous, car ils transportent
une charge d’un endroit à un autre.

(CYU) Électronique - S1 8 / 22
Semi-conducteurs "dopés"

Dopage : est une méthode permettant

d’augmenter la conductivité d’un semi-
conducteur. Cela consiste à introduire des
impuretés dans un cristal intrinsèque pour
modifier ses propriétés électriques. On parle
de semi-conducteur dopé ou extrinsèque.

(CYU) Électronique - S1 9 / 22
Semi-conducteurs "dopés"

Dopage : est une méthode permettant

d’augmenter la conductivité d’un semi-
conducteur. Cela consiste à introduire des
impuretés dans un cristal intrinsèque pour
modifier ses propriétés électriques. On parle
de semi-conducteur dopé ou extrinsèque.

Pour augmenter,
le nombre d’électrons libres : ajout des
atomes pentavalents (p.e. arsenic ou
phosphore) ;

(CYU) Électronique - S1 9 / 22
Semi-conducteurs "dopés"

Dopage : est une méthode permettant

d’augmenter la conductivité d’un semi-
conducteur. Cela consiste à introduire des
impuretés dans un cristal intrinsèque pour
modifier ses propriétés électriques. On parle
de semi-conducteur dopé ou extrinsèque.

Pour augmenter,
le nombre d’électrons libres : ajout des
atomes pentavalents (p.e. arsenic ou
phosphore) ;
le nombre de trous : ajout des atomes
trivalents (p.e. aluminium ou gallium).

(CYU) Électronique - S1 9 / 22
Semi-conducteurs "dopés"

Dopage : est une méthode permettant

d’augmenter la conductivité d’un semi-
conducteur. Cela consiste à introduire des
impuretés dans un cristal intrinsèque pour
modifier ses propriétés électriques. On parle
de semi-conducteur dopé ou extrinsèque.

Pour augmenter,
le nombre d’électrons libres : ajout des
atomes pentavalents (p.e. arsenic ou
phosphore) ;
le nombre de trous : ajout des atomes Dopage d’un semi-conducteur
trivalents (p.e. aluminium ou gallium). (d’après A. Malvino).

(CYU) Électronique - S1 9 / 22
Semi-conducteurs "dopés"

Dopage : est une méthode permettant

d’augmenter la conductivité d’un semi-
conducteur. Cela consiste à introduire des
impuretés dans un cristal intrinsèque pour
modifier ses propriétés électriques. On parle
de semi-conducteur dopé ou extrinsèque.

Pour augmenter,
le nombre d’électrons libres : ajout des
atomes pentavalents (p.e. arsenic ou
phosphore) ;
le nombre de trous : ajout des atomes Dopage d’un semi-conducteur
trivalents (p.e. aluminium ou gallium). (d’après A. Malvino).

Les deux types de semi-conducteurs

semi-conducteur de type N = Si + atomes pentavalents = excès d’électrons libres
semi-conducteur de type P = Si + atomes trivalents = excès de trous

(CYU) Électronique - S1 9 / 22
La jonction PN (1/3) : diode

Diode = deux électrodes

Deux types de semi-conducteurs

(d’après A. Malvino).

Que se passe-t-il lorsque on fabrique un cristal unique avec un côté P et un côté N ?

(CYU) Électronique - S1 10 / 22
La jonction PN (1/3) : diode

Diode = deux électrodes

Deux types de semi-conducteurs La jonction PN (d’après A. Malvino).

(d’après A. Malvino).

Que se passe-t-il lorsque on fabrique un cristal unique avec un côté P et un côté N ?

On crée une diode à jonction, la jonction étant la frontière où le type P voisine le type N.

(CYU) Électronique - S1 10 / 22
La jonction PN (2/3) : zone de déplétion et barrière de potentiel

Création des ions et la zone de déplétion (d’après A. Malvino).

À cause de leur répulsion les uns envers les autres, les électrons libres du côté N ont tendance à diffuser
(se disperser) dans toutes les directions, y compris autour de la jonction.

(CYU) Électronique - S1 11 / 22
La jonction PN (2/3) : zone de déplétion et barrière de potentiel

Création des ions et la zone de déplétion (d’après A. Malvino).

À cause de leur répulsion les uns envers les autres, les électrons libres du côté N ont tendance à diffuser
(se disperser) dans toutes les directions, y compris autour de la jonction.

Quelques-uns traversent la jonction et entrent dans la région P : ceci entraîne la disparition d’un trou et
un électron libre devient un électron de valence.

(CYU) Électronique - S1 11 / 22
La jonction PN (2/3) : zone de déplétion et barrière de potentiel

Création des ions et la zone de déplétion (d’après A. Malvino).

Chaque fois qu’un électron diffuse à travers la jonction, il crée une paire d’ions ; la neutralité électrique
du cristal disparaît dans cette région de l’espace (zone de déplétion) où les électrons libres commen-
cent à subir une force qui a tendance à s’opposer à leur diffusion (phénomène de jonction).

(CYU) Électronique - S1 11 / 22
La jonction PN (2/3) : zone de déplétion et barrière de potentiel

Création des ions et la zone de déplétion (d’après A. Malvino).

Chaque fois qu’un électron diffuse à travers la jonction, il crée une paire d’ions ; la neutralité électrique
du cristal disparaît dans cette région de l’espace (zone de déplétion) où les électrons libres commen-
cent à subir une force qui a tendance à s’opposer à leur diffusion (phénomène de jonction).

Barrière de potentiel
La diffusion des électrons à travers la jonction s’arrête jusqu’à ce qu’un certain équilibre soit atteint : il en résulte une
différence de potentiel appelée barrière de potentiel.

(CYU) Électronique - S1 11 / 22
La jonction PN (2/3) : zone de déplétion et barrière de potentiel

Création des ions et la zone de déplétion (d’après A. Malvino).

Chaque fois qu’un électron diffuse à travers la jonction, il crée une paire d’ions ; la neutralité électrique
du cristal disparaît dans cette région de l’espace (zone de déplétion) où les électrons libres commen-
cent à subir une force qui a tendance à s’opposer à leur diffusion (phénomène de jonction).

Barrière de potentiel
La diffusion des électrons à travers la jonction s’arrête jusqu’à ce qu’un certain équilibre soit atteint : il en résulte une
différence de potentiel appelée barrière de potentiel.

À 25 °C, elle vaut :

0,3 V pour le germanium,
0,7 V pour le silicium.

(CYU) Électronique - S1 11 / 22
La jonction PN (3/3) : polarisation directe et inverse

Polarisation directe
Lorsqu’on applique une source de tension continue sur la diode avec la borne négative sur le côté N
et la borne positive sur le côté P.

(CYU) Électronique - S1 12 / 22
La jonction PN (3/3) : polarisation directe et inverse

Polarisation directe
Lorsqu’on applique une source de tension continue sur la diode avec la borne négative sur le côté N
et la borne positive sur le côté P.

Si la tension de la source est supérieure à la barrière de potentiel, les électrons libres ont une énergie
suffisante pour traverser la zone de déplétion et aller se recombiner avec les trous du côté P.

(CYU) Électronique - S1 12 / 22
La jonction PN (3/3) : polarisation directe et inverse

Polarisation directe
Lorsqu’on applique une source de tension continue sur la diode avec la borne négative sur le côté N
et la borne positive sur le côté P.

Si la tension de la source est supérieure à la barrière de potentiel, les électrons libres ont une énergie
suffisante pour traverser la zone de déplétion et aller se recombiner avec les trous du côté P.

Polarisation inverse
Lorsqu’on applique une source de tension continue sur la diode avec la borne négative sur le côté P
et la borne positive sur le côté N.

(CYU) Électronique - S1 12 / 22
La jonction PN (3/3) : polarisation directe et inverse

Polarisation directe
Lorsqu’on applique une source de tension continue sur la diode avec la borne négative sur le côté N
et la borne positive sur le côté P.

Si la tension de la source est supérieure à la barrière de potentiel, les électrons libres ont une énergie
suffisante pour traverser la zone de déplétion et aller se recombiner avec les trous du côté P.

Polarisation inverse
Lorsqu’on applique une source de tension continue sur la diode avec la borne négative sur le côté P
et la borne positive sur le côté N.

Divers phénomènes ont lieu :

Élargissement de la zone de déplétion
Apparition d’un courant de saturation
Apparition d’un courant de fuite superficiel

(CYU) Électronique - S1 12 / 22
La jonction PN (3/3) : polarisation directe et inverse

Polarisation directe
Lorsqu’on applique une source de tension continue sur la diode avec la borne négative sur le côté N
et la borne positive sur le côté P.

Si la tension de la source est supérieure à la barrière de potentiel, les électrons libres ont une énergie
suffisante pour traverser la zone de déplétion et aller se recombiner avec les trous du côté P.

Polarisation inverse
Lorsqu’on applique une source de tension continue sur la diode avec la borne négative sur le côté P
et la borne positive sur le côté N.

Divers phénomènes ont lieu :

Élargissement de la zone de déplétion
Apparition d’un courant de saturation
Apparition d’un courant de fuite superficiel

Tension de claquage
Limite de la tension inverse (souvent > 50 V) qu’une diode peut supporter avant d’être détruite en
raison de l’augmentation disproportionnée de porteurs minoritaires (phénomène d’avalanche).

(CYU) Électronique - S1 12 / 22
La théorie de la diode

La théorie de la diode

(CYU) Électronique - S1 13 / 22
Modèle électrique général de la diode à jonction PN
D
La diode est un composant A iD K
non-linéaire :

Équation de Shockley : uD
   
uD
iD = IS . exp −1
[Link]
iD [A]
IS : Courant de saturation inverse
pA 6 IS 6 nA
Exemple: 1N4148, IS ' 25 nA
pour uD = −20 V

VT : Tension thermique
kT uD [V]
VT = − ' 26 mV à T = 300 K
e 0
n : facteur de qualité, 1 6 n 6 2
Idéalement, n = 1.

(CYU) Électronique - S1 14 / 22
Modèle électrique général de la diode à jonction PN
D
La diode est un composant A iD K
non-linéaire :

Équation de Shockley : uD
   
uD
iD = IS . exp −1
[Link]
iD [A]
IS : Courant de saturation inverse
pA 6 IS 6 nA
Exemple: 1N4148, IS ' 25 nA
pour uD = −20 V

VT : Tension thermique
kT uD [V]
VT = − ' 26 mV à T = 300 K
e 0
n : facteur de qualité, 1 6 n 6 2
Idéalement, n = 1.

(CYU) Électronique - S1 14 / 22
Modèle électrique général de la diode à jonction PN
D
La diode est un composant A iD K
non-linéaire :

Équation de Shockley : uD
   
uD
iD = IS . exp −1
[Link]
iD [A]
uD < 0 : polarisation inverse

uD [V]
0

Polarisation inverse uD < 0

(CYU) Électronique - S1 14 / 22
Modèle électrique général de la diode à jonction PN
D
La diode est un composant A iD K
non-linéaire :

Équation de Shockley : uD
   
uD
iD = IS . exp −1
[Link]
iD [A]
uD < 0 : polarisation inverse
Diode bloquée
Diode "bloquée"

uD [V]
0

Polarisation inverse uD < 0

(CYU) Électronique - S1 14 / 22
Modèle électrique général de la diode à jonction PN
D
La diode est un composant A iD K
non-linéaire :

Équation de Shockley : uD
   
uD
iD = IS . exp −1
[Link]
iD [A]
uD < 0 : polarisation inverse
Diode bloquée
Diode "bloquée"
iD ' −IS (Courant de fuite,
idéalement → 0) iD ' −IS

uD [V]
0

Polarisation inverse uD < 0

(CYU) Électronique - S1 14 / 22
Modèle électrique général de la diode à jonction PN
D
La diode est un composant A iD K
non-linéaire :

Équation de Shockley : uD
   
uD
iD = IS . exp −1
[Link]
iD [A]
uD < 0 : polarisation inverse
Diode bloquée
Diode "bloquée"
iD ' −IS (Courant de fuite,
idéalement → 0) iD ' −IS
Claquage inverse :
tension inversion maximale VBR VBR
phénomène d’avalanche uD [V]
irréversible
courant inverse très élevé 0
destruction de la diode

Exemple : 1N4148,
Polarisation inverse uD < 0
VBR 6 −100 V

(CYU) Électronique - S1 14 / 22
Modèle électrique général de la diode à jonction PN
D
La diode est un composant A iD K
non-linéaire :

Équation de Shockley : uD
   
uD
iD = IS . exp −1
[Link]
iD [A]
uD > 0 : polarisation directe, iD > 0
Diode bloquée

iD ' −IS iD > 0

VBR uD [V]
0

Polarisation inverse uD < 0 Polarisation directe uD > 0

(CYU) Électronique - S1 14 / 22
Modèle électrique général de la diode à jonction PN
D
La diode est un composant A iD K
non-linéaire :

Équation de Shockley : uD
   
uD
iD = IS . exp −1
[Link]
iD [A]
uD > 0 : polarisation directe, iD > 0
Diode bloquée
uD < VF (seuil) :
diode "bloquée"
(Courant très faible à négligeable) iD ' −IS iD > 0

VBR uD [V]
0

Polarisation inverse uD < 0 Polarisation directe uD > 0

(CYU) Électronique - S1 14 / 22
Modèle électrique général de la diode à jonction PN
D
La diode est un composant A iD K
non-linéaire :

Équation de Shockley : uD
   
uD
iD = IS . exp −1
[Link]
iD [A]
uD > 0 : polarisation directe, iD > 0
Diode bloquée Diode passante
uD < VF (seuil) :
diode "bloquée"
(Courant très faible à négligeable) iD ' −IS iD > 0
uD > VF :
diode "passante" VBR
(Courant iD > 0) uD [V]

Valeurs typiques de seuils: 0 VF

Diodes au silicium :
VF ' 0,7 V
Diodes au germanium : Polarisation inverse uD < 0 Polarisation directe uD > 0
VF ' 0,3 V
(moins utilisée car autres
défauts)

(CYU) Électronique - S1 14 / 22
Modèles électriques simplifiés de la diode à jonction PN (1/2)
D
A iD K

uD

Seuil de diode + résistance: iD [A]

Simplification et linéarisation de
la caractéristique complète
Définition du seuil de diode

uD [V]
0 VF

(CYU) Électronique - S1 15 / 22
Modèles électriques simplifiés de la diode à jonction PN (1/2)
D
A iD K

uD

Seuil de diode + résistance: iD [A]

Simplification et linéarisation de Diode bloquée
la caractéristique complète
Définition du seuil de diode

uD < VF : diode bloquée

ID → 0
uD [V]
Circuit ouvert 0 VF

iD → 0

uD

(CYU) Électronique - S1 15 / 22
Modèles électriques simplifiés de la diode à jonction PN (1/2)
D
A iD K

uD

Seuil de diode + résistance: iD [A]

Simplification et linéarisation de Diode bloquée Diode passante
la caractéristique complète
Définition du seuil de diode

uD < VF : diode bloquée

ID → 0
uD [V]
Circuit ouvert 0 VF

uD > VF : diode passante

RD
ID > 0 iD → 0 iD > 0
Circuit "fermé"
Résistance dynamique
∆u
RD = ∆i D uD VF
D uD >VF

(CYU) Électronique - S1 15 / 22
Modèles électriques simplifiées de la diode à jonction PN (2/2)
Simplifications / linéarisations de la caractéristique complète en polarisation directe
3 caractéristiques simplifiées — dépendent de l’utilisation

(CYU) Électronique - S1 16 / 22
Modèles électriques simplifiées de la diode à jonction PN (2/2)
Simplifications / linéarisations de la caractéristique complète en polarisation directe
3 caractéristiques simplifiées — dépendent de l’utilisation

Seuil de diode +
résistance

iD [A]

Diode bloquée Diode passante

ID = 0 ID > 0

uD [V]
0 VF

uD < 0 :
diode bloquée
ID → 0

uD > VF :
diode passante
ID > 0
Résistance dynamique
∆u
RD = ∆i D
D uD >VF

(CYU) Électronique - S1 16 / 22
Modèles électriques simplifiées de la diode à jonction PN (2/2)
Simplifications / linéarisations de la caractéristique complète en polarisation directe
3 caractéristiques simplifiées — dépendent de l’utilisation

Seuil de diode + Seuil de diode

résistance

iD [A] iD [A]

Diode bloquée Diode passante Diode bloquée Diode passante

ID = 0 ID > 0 ID = 0 ID > 0

uD [V] uD [V]
0 VF 0 VF

uD < 0 : uD < 0 :
diode bloquée diode bloquée
ID → 0

uD > VF : uD = VF :
diode passante diode passante
ID > 0 uD → constante
Résistance dynamique
∆uD
RD = ∆iD
uD >VF

(CYU) Électronique - S1 16 / 22
Modèles électriques simplifiées de la diode à jonction PN (2/2)
Simplifications / linéarisations de la caractéristique complète en polarisation directe
3 caractéristiques simplifiées — dépendent de l’utilisation

Seuil de diode + Seuil de diode Seuil nul

résistance

iD [A] iD [A] iD [A]

Diode bloquée Diode passante Diode bloquée Diode passante Diode bloquée Diode passante
ID = 0 ID > 0 ID = 0 ID > 0 ID = 0 ID > 0

uD [V] uD [V] uD [V]

0 VF 0 VF 0

uD < 0 : uD < 0 : uD < 0 :

diode bloquée diode bloquée diode bloquée
ID → 0

uD > VF : uD = VF : uD = 0 :
diode passante diode passante diode passante
ID > 0 uD → constante uD → constante nulle
Résistance dynamique
∆u
RD = ∆i D
D uD >VF

(CYU) Électronique - S1 16 / 22
Un premier circuit à diode

Un premier circuit à diode

(CYU) Électronique - S1 17 / 22
La droite de charge (1/2)

On s’intéresse tout d’abord à un montage simple réalisé par un circuit diode-résistance.

La tension UE est une tension continue.
UD
A ID K

UE R UR

(CYU) Électronique - S1 18 / 22
La droite de charge (1/2)

On s’intéresse tout d’abord à un montage simple réalisé par un circuit diode-résistance.

La tension UE est une tension continue.
UD
A ID K

UE R UR

Méthode
L’étude des tensions UD et UR ou du courant ID nécessite de remplacer la diode par
un schéma équivalent.

(CYU) Électronique - S1 18 / 22
La droite de charge (1/2)

On s’intéresse tout d’abord à un montage simple réalisé par un circuit diode-résistance.

La tension UE est une tension continue.
UD
A ID K

UE R UR

Méthode
L’étude des tensions UD et UR ou du courant ID nécessite de remplacer la diode par
un schéma équivalent.
Nous remplaçons à priori la diode par son schéma équivalent de diode passante
(source de tension et résistance en série).

(CYU) Électronique - S1 18 / 22
La droite de charge (1/2)

On s’intéresse tout d’abord à un montage simple réalisé par un circuit diode-résistance.

La tension UE est une tension continue.
UD
A ID K

UE R UR

Méthode
L’étude des tensions UD et UR ou du courant ID nécessite de remplacer la diode par
un schéma équivalent.
Nous remplaçons à priori la diode par son schéma équivalent de diode passante
(source de tension et résistance en série).
Si l’étude montre que le courant circule dans la diode (de l’anode vers la cathode),
donc ID > 0, et le choix fait à priori est conservé.

(CYU) Électronique - S1 18 / 22
La droite de charge (1/2)

On s’intéresse tout d’abord à un montage simple réalisé par un circuit diode-résistance.

La tension UE est une tension continue.
UD
A ID K

UE R UR

Méthode
L’étude des tensions UD et UR ou du courant ID nécessite de remplacer la diode par
un schéma équivalent.
Nous remplaçons à priori la diode par son schéma équivalent de diode passante
(source de tension et résistance en série).
Si l’étude montre que le courant circule dans la diode (de l’anode vers la cathode),
donc ID > 0, et le choix fait à priori est conservé.
Le cas échéant, l’étude du circuit est effectuée en remplaçant la diode par son
schéma équivalent de diode bloquée.

(CYU) Électronique - S1 18 / 22
La droite de charge (1/2)

On s’intéresse tout d’abord à un montage simple réalisé par un circuit diode-résistance.

La tension UE est une tension continue.
VF
RD
A ID K

UE R UR

À partir du pont diviseur de tension,

(UE − VF )
UR = R
RD + R

(CYU) Électronique - S1 18 / 22
La droite de charge (1/2)

On s’intéresse tout d’abord à un montage simple réalisé par un circuit diode-résistance.

La tension UE est une tension continue.
VF
RD
A ID K

UE R UR

À partir du pont diviseur de tension,

(UE − VF )
UR = R
RD + R
d’où la condition pour que la diode soit passante : UE − VF > 0 ou UE > VF .

(CYU) Électronique - S1 18 / 22
La droite de charge (1/2)

On s’intéresse tout d’abord à un montage simple réalisé par un circuit diode-résistance.

La tension UE est une tension continue.
VF
RD
A ID K

UE R UR

À partir du pont diviseur de tension,

(UE − VF )
UR = R
RD + R
d’où la condition pour que la diode soit passante : UE − VF > 0 ou UE > VF . Ainsi on
obtient :
(U −V )
ID = RE +RF
D
( UE − VF )
UD = VF + RD +R RD

(CYU) Électronique - S1 18 / 22
La droite de charge (1/2)

En revanche si on a UE < VF , alors le schéma équivalent devient :

A K

UE R UR

On obtient :
ID = 0
UD = UE
UR = 0

(CYU) Électronique - S1 18 / 22
La droite de charge (2/2)
Cette étude calculatoire nous permet de connaître le point de fonctionnement Q de la
diode, noté (UD0 , ID0 ).

(CYU) Électronique - S1 19 / 22
La droite de charge (2/2)
Cette étude calculatoire nous permet de connaître le point de fonctionnement Q de la
diode, noté (UD0 , ID0 ).

D’après l’étude précédente, l’équation de la droite de charge est obtenue à partir de :

UD = UE − RID , avec UD = UE si ID = 0 (blocage)
UE − UD UE
ID = R , avec ID = R si UD = 0 (saturation)

(CYU) Électronique - S1 19 / 22
La droite de charge (2/2)
Cette étude calculatoire nous permet de connaître le point de fonctionnement Q de la
diode, noté (UD0 , ID0 ).

D’après l’étude précédente, l’équation de la droite de charge est obtenue à partir de :

UD = UE − RID , avec UD = UE si ID = 0 (blocage)
UE − UD UE
ID = R , avec ID = R si UD = 0 (saturation)

Le point Q est ainsi situé sur la caractéristique ID = f (UD ) de la diode :

La droite de charge

(CYU) Électronique - S1 19 / 22
Quelques diodes particulières

Quelques diodes particulières

(CYU) Électronique - S1 20 / 22
La diode Zener

A IZ K

UD

(CYU) Électronique - S1 21 / 22
La diode Zener
ID [A]

VZ UD [V]
A IZ K
0

UD

(CYU) Électronique - S1 21 / 22
La diode Zener
ID [A]

VZ UD [V]
A IZ K
0

UD

Caractéristiques
C’est une diode au silicium que le constructeur a optimisée pour opérer dans la zone de claquage.

(CYU) Électronique - S1 21 / 22
La diode Zener
ID [A]

VZ UD [V]
A IZ K
0

UD

Caractéristiques
C’est une diode au silicium que le constructeur a optimisée pour opérer dans la zone de claquage.

Dans cette zone :

Elle présente un coude de tension inverse très net, suivi d’une croissance presque verticale
du courant.

(CYU) Électronique - S1 21 / 22
La diode Zener
ID [A]

VZ UD [V]
A IZ K
0

UD

Caractéristiques
C’est une diode au silicium que le constructeur a optimisée pour opérer dans la zone de claquage.

Dans cette zone :

Elle présente un coude de tension inverse très net, suivi d’une croissance presque verticale
du courant.
La tension est presque constante, approximativement égale à VZ .

(CYU) Électronique - S1 21 / 22
La diode Zener
ID [A]

VZ UD [V]
A IZ K
0

UD

Caractéristiques
C’est une diode au silicium que le constructeur a optimisée pour opérer dans la zone de claquage.

Dans cette zone :

Elle présente un coude de tension inverse très net, suivi d’une croissance presque verticale
du courant.
La tension est presque constante, approximativement égale à VZ .

Utilisation
Régulation de tension connectée en dérivation (régulateur shunt) car elle permet d’obtenir une tension
continue fixe inférieure à celle donnée par une alimentation.

(CYU) Électronique - S1 21 / 22
La diode Zener
ID [A]

VZ UD [V]
A IZ K
0

UD

Caractéristiques
C’est une diode au silicium que le constructeur a optimisée pour opérer dans la zone de claquage.

Dans cette zone :

Elle présente un coude de tension inverse très net, suivi d’une croissance presque verticale
du courant.
La tension est presque constante, approximativement égale à VZ .

Utilisation
Régulation de tension connectée en dérivation (régulateur shunt) car elle permet d’obtenir une tension
continue fixe inférieure à celle donnée par une alimentation.

Application : alimentation stabilisée et protection contre les surtensions.

(CYU) Électronique - S1 21 / 22
Les diodes électroluminescentes (LED)

A ID K

UD

Caractéristiques
Comme une diode ordinaire, mais lorsqu’elle est passante, l’énergie est rayonnée sous forme de lu-
mière (l’effet est appelé électroluminescence).

(CYU) Électronique - S1 22 / 22
Les diodes électroluminescentes (LED)

A ID K

UD

Caractéristiques
Comme une diode ordinaire, mais lorsqu’elle est passante, l’énergie est rayonnée sous forme de lu-
mière (l’effet est appelé électroluminescence).
La couleur rayonnée dépend des matériaux semi-conducteurs utilisés dans la fabrication.
Pour les LED faible puissance les valeurs typiques : UD ≈ 2 V et ID ≈ 20 mA.

(CYU) Électronique - S1 22 / 22
Les diodes électroluminescentes (LED)

A ID K

UD

Caractéristiques
Comme une diode ordinaire, mais lorsqu’elle est passante, l’énergie est rayonnée sous forme de lu-
mière (l’effet est appelé électroluminescence).
La couleur rayonnée dépend des matériaux semi-conducteurs utilisés dans la fabrication.
Pour les LED faible puissance les valeurs typiques : UD ≈ 2 V et ID ≈ 20 mA.

Utilisation
Principalement le remplacement de lampes incandescentes car elles ont :
une consommation énergétique plus basse
une plus petite taille
une plus longue durée de vie

(CYU) Électronique - S1 22 / 22
Les diodes électroluminescentes (LED)

A ID K

UD

Caractéristiques
Comme une diode ordinaire, mais lorsqu’elle est passante, l’énergie est rayonnée sous forme de lu-
mière (l’effet est appelé électroluminescence).
La couleur rayonnée dépend des matériaux semi-conducteurs utilisés dans la fabrication.
Pour les LED faible puissance les valeurs typiques : UD ≈ 2 V et ID ≈ 20 mA.

Utilisation
Principalement le remplacement de lampes incandescentes car elles ont :
une consommation énergétique plus basse
une plus petite taille
une plus longue durée de vie
Applications : éclairage (ampoules), affichage électronique (écrans TV et autre), source de lumière
quasi-monochromatique (fibres optiques, télécommandes, instrumentation scientifique et industrielle)...
(CYU) Électronique - S1 22 / 22