1
Université Djillali Liabés de Sidi Bel Abbé Année universitaire : 2019-2020
Faculté des Sciences Exactes
Département de MDD
3ièmeAnnée PM
Module : Physique des semi-conducteurs.
TD N°2 et N°3
Exercice n°1 :
On donne le tableau suivant :
Eg(ev) Nc(atomes/cm3) Nv(atomes/cm3)
AlAs 1.52 6.5 1020 5 1019
Ge 0.86 3,5 1019 4,2 1018
S 2.01 4,8 1019 6,04 1019
1. Parmi ces trois semi-conducteurs, quel est celui qui présente la
concentration intrinsèque la plus fort ?
2. Calculer ni pour ce semi-conducteur à 300, 400, et 600K.
On donne :
Boltzmann’s constant, kB = 1.3806485 × 10−23 J/K (joule/kelvin degree) =
8.617×10−5 eV/K
Exercice n°2 :
Dans le cas du Silicium, à T = 300 K, avec ni = 1,5.1010 cm-3, nombre total
d’atomes par cm3= 5.1022.
1. Quel est le rapport du nombre d’atomes ionisés au nombre total
d’atomes ?
2. Quelle est la largueur de la bande interdite en eV ?
Nc=3.1019( ) /
atomes/cm-3 , Nv=1019( ) /
atomes/cm-3
3. Déterminer sans calculs le type de semi-conducteur (n ou p) puis les
concentrations des porteurs à l’équilibre dans les cas suivants :
a) Silicium dopé par 1015 atomes de Ga par cm-3.
b) Silicium dopé par 1012 atomes de Sb par cm-3.
c) Silicium dopé par 3.1010 atomes de In par cm-3
2
Exercice n°3 :
Un semi-conducteur intrinsèque (Germanium) Ge à 300°K, on a : Eg=0,66
eV, me*=mh*=0,5m0 et la masse MGe =72,59g/mol, la masse volumique mv
=5,33 g/cm3 et N=6 .1023 Nombre d’Avogadro
1. Déterminer le niveau de Fermi (EFi) ?
2. La concentration intrinsèque (ni) ?
3. Combien d’atomes de Ge donnent naissance à une paire électron
trou?
Exercice n°4 :
On considère un semi-conducteur intrinsèque dont les densités
équivalentes d'états énergétiques dans la bande de conduction et dans la
bande de valence sont notées respectivement Ne et Nh.
Le semi-conducteur considéré est du silicium de largeur de bande
interdite (ou gap) Eg=1,1eV et pour lequel Ne=2,7.1019cm-3 et
Nh=1,1.1019cm-3.
1. Calculez sa densité intrinsèque et la position du niveau de Fermi à
27°C, 127°C, et 227°C
On rappelle qu'à 300K, kT=0.026eV, on prendra comme référence
énergétique, le haut de la bande de valence (EV=0eV).
2. Le silicium est dopé avec du phosphore (goupe V du tableau de
Mendeleev) de concentration 1018cm-3.
Calculez à 27°C, la densité d'électrons du Si ainsi dopé. En déduire la
densité de trous. Quel est le type de semi-conducteur ainsi obtenu ?
3. Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une
représentation du diagramme de bandes du silicium ainsi dopé.
3
Exercice n°5 :
Dispositif pn à l'équilibre thermodynamique
On considère une jonction PN à base de Si avec comme dopage en
accepteurs NA = 1017 cm-3 et en donneurs ND = 1015 cm-3.
a) Expliquer qualitativement l'établissement de la barrière de potentiel
dans une jonction PN à l'équilibre thermodynamique.
b) Tracer le diagramme de bandes en énergie (tracer et étiqueter les
bandes de conduction et de valence, ainsi que le niveau de Fermi le long
de la jonction). Définir clairement le côté P et le côté N. Prendre en
compte les différences de densité de dopage dans votre schéma.
c) Etablir l'expression donnant le potentiel de diffusion VD.
Application numérique.
d) Existe-il une zone de déplétion/charge d’espace dans ce dispositif ?
Justifiez votre réponse
e) A l’équilibre thermodynamique existe-il dans ce dispositif,
Exercice N° 06:
Une plaquette en Si dopé avec 1017cm-3atomes de As , la longueur de la
plaquette est de 100μm, de largeur 10μm et d’épaisseur de 1μm
– Calculer la résistance de cette plaquette ?
Exercice N° 06 :
Un semi-conducteur au Si de type N de longueur 2 mm et de section de
1mm2. Sa résistance à T=300°K est de 100Ω :
1. Calculer la résistivité du semi-conducteur ?
2. La concentration des porteurs majoritaires et minoritaires ?
3. A quelle température T1, le nombre d’électrons provenant de la
rupture des liaisons de valence est-il égale au nombre d’électrons
4
provenant de l’ionisation des donneurs. Nc et Nv sont supposées
indépendantes de la température
On donne : Eg = 1,12eV, μn = 1,4103cm2V-1s-1, μp = 0,5103cm2V-1s-1, NC =
NV =2,51025m-3 et k = 1,381023JK-1
