UE Libre : Laser et Big Bang

Partie II : La lumière LASER et ses applications.

Cours et visite d’installation (laboratoire de recherche).

Note : Ce cours s’adresse à tout étudiant niveau bac, indépendamment de sa sensibilité première (biologiste,
chimiste, géologue, mathématicien, physicien, humaniste) simplement curieux des nouvelles technologies qui
l’entourent et qui désire voir la Physique autrement. Le contrôle sera effectué sous la forme de questions de
cours (un examen terminal écrit).

La lumière laser est omniprésente dans notre vie quotidienne. Elle est utilisée pour souder, découper, percer,
nettoyer ; en chirurgie, en chirurgie dentaire, réparatrice ou esthétique. Elle est présente dans tous les foyers
pour transmettre ou traiter une information (lecteur CD audio, lecteur DVD audio/vidéo,
télécommunications…). Les premiers lasers sont apparus en 1960 (invention technologique européenne). Les
applications les plus répandues dans le grand public appartiennent au secteur de l'optoélectronique (lecteurs
CD, DVD, blue-ray, télécommunications). Dans ce cours, nous commencerons par déterminer et décrire
quelles sont les caractéristiques particulières de la lumière laser. Puis nous verrons quels sont les différents
types de laser. Nous porterons le focus sur le composant de base du laser optoélectronique : le semiconducteur
laser (c’est un sandwich), quelles sont les technologies mises en œuvre dans l’industrie et dans les laboratoires
de recherche pour la fabrication de ce sandwich-laser (une visite d’une installation de fabrication de structures
pour l’optoélectronique sera organisée), quelle place vont occuper la micro/nanoélectronique et
l’optoélectronique dans le monde du XXIe siècle et dans notre vie future, en particulier sur quel type de
nouvelles applications pouvons-nous compter.
Nous aborderons tous les domaines de la physique concernés par la fabrication des lasers (fabrication
matériaux, analyse matériaux), par la physique de la lumière laser si différente de celle du soleil, par la
physique des cristaux. Nous en profiterons pour faire une incursion dans le monde de l’infiniment petit et
verrons quelle est la science qui permet de relier le monde macroscopique accessible à nos sens et le monde
microscopique.

I. LA LUMIERE LASER.
Nous définirons la lumière laser par rapport à la lumière classique (celle du soleil ou d’une ampoule). Les
avantages du faisceau laser par rapport aux faisceaux lumineux classiques sont :
- i) la concentration de sa puissance sur une petite section ;
- ii) sa faible dispersion angulaire ;
- iii) sa cohérence.
Traduction : les rayons d’un faisceau ont tous sensiblement la même direction, ils peuvent transmettre à grande
distance une énergie qui se disperse peu (points i) et ii)). Cette énergie peut être localisée en un petit volume et
y apporter sur un temps très court, une puissance très supérieure à ce qui se fait par ailleurs. Mais attention : les
faisceaux lasers présents dans les films de science fiction, à savoir rayons hyper puissants, destructeurs…
relèvent effectivement de la fiction. Les vrais lasers ne peuvent satisfaire ces exigences, car :
- la puissance moyenne du rayonnement sur une échelle de temps supérieure à la seconde reste modeste.
Seuls les lasers CO2 infrarouge peuvent atteindre une puissance de plusieurs kW en continu. Ils
permettent après focalisation, d’effectuer à courte distance du travail de précision sur différents types de
matériaux. Mais ils sont insuffisants pour des opérations de destruction à longue distance car le faisceau
s’étale au cours de sa propagation et il est absorbé et diffusé par l’atmosphère.
- Le rendement énergétique du système varie entre 1% et 30%, ce qui rend impossible son autonomie
énergétique pour les applications destructives.
De nombreux efforts sont faits pour rejoindre cette fiction, mais les propriétés remarquables des lasers actuels
suffisent à les rendre utiles et indispensables. Ainsi depuis les débuts du laser, on s’est attaché à diversifier les
fréquences émises (au début, rouge et proche infrarouge), d’augmenter les énergies disponibles et leur
concentration dans l’espace et le temps, pour des applications de métrologie dimensionnelle de précision,
d’appréciation de très petits intervalles de temps, de mesures spectroscopiques et bien sûr, pour l’étude des
effets thermiques et biologiques consécutifs à l’utilisation de grandes énergies localisées.

1
Le caractère exceptionnel du faisceau laser réside dans la discipline des photons émis, appelé cohérence du
faisceau. De cette cohérence, sont liées les propriétés utiles du laser : monochromaticité et directivité entre
autres.

I.1 La cohérence de la lumière laser.

Avant de définir ce qu’on entend par cohérence de la lumière, il nous faut d’abord chercher à représenter la
lumière.

I.1.1 Représentations possibles de la lumière.

L’homme a imaginé que la lumière était portée par des particules ou corpuscules appelés photons dotés d’une
vitesse mais ne portant pas de masse. Cette représentation de la lumière permet de décrire et de « comprendre »
beaucoup de phénomènes lumineux mais pas tous. En effet, dans certaines conditions, l’addition de deux rayons
lumineux ne conduit pas à « plus de lumière » mais au contraire à une extinction absolue (du noir). Nous
devons donc rechercher une représentation qui permette de résoudre le paradoxe suivant :

lumière + lumière = obscurité

Cette simple équation représente le phénomène d’interférence (vu en cours d’optique ondulatoire).
En 1665, R. Hooke a une intuition qu’on peut qualifier de géniale. Il fait appel à un aspect ondulatoire de la
lumière en disant que la lumière est une vibration de haute fréquence qui se propage. Cette idée est reprise et
développée par Huygens (1678) et Fresnel (1818). Pour résoudre l’équation des interférences, ces physiciens
ont adopté la description suivante :

LUMIERE NOIR INTERMEDIAIRE

les deux ondes sont exactement les deux ondes sont en opposition les deux ondes sont décalées
superposées exactes

obtenue après rencontre et superposition de deux ondes.

Nous "savons" maintenant que la lumière est effectivement une onde électromagnétique,
!" transversale,!"
!c'est à
dire que les grandeurs vectorielles qui la caractérisent, le champ électrique E et le champ magnétique H , sont
perpendiculaires à la direction de propagation :
z

!"
E

!"
! y
H

2 x
 !" !"
!
Pour toute onde électromagnétique, les champs E et H , créés par des sources, obéissent aux équations locales
de Maxwell (cf. cours d’Electromagnétisme, en L3) et se propagent à la vitesse de 3×108 m/s dans le vide. Cette
vitesse est celle de la lumière, ce qui a permis de conclure (avec d'autres résultats) que la lumière était bien une
onde électromagnétique.

En résumé, nous considèrerons la lumière comme une onde électromagnétique caractérisée par une fréquence
ν (s-1 = Hz) ou une période T = 1/ν (s) :

amplitude

+a

phase

λ m
T s

-a

La période (ou la fréquence) traduit la périodicité temporelle de l'onde. La fréquence d'une radiation lumineuse
est indépendante du milieu de propagation de l'onde. On peut définir une longueur d'onde λ qui traduira la
périodicité spatiale de l'onde par :
λ =vT
si v : vitesse de propagation de l'onde dans le milieu considéré (encore appelée célerité), et
v = c = 3×108 ms-1 dans le vide.

Dans tout autre milieu, v < c. On introduit un paramètre n appelé indice de réfraction du milieu traversé. Il est
égal à :
c
n= et donc n ≥ 1.
v
Il est clair que λ n'est pas indépendante du milieu puisqu'elle dépend de la vitesse de propagation de la
lumière dans ce milieu. On peut former le rapport suivant :
λ = λ0 / n
qui permet de calculer la valeur de λ dans un milieu d'indice n connaissant la longueur d'onde de la radiation
dans le vide λ0 = c T.

Les tableaux suivants donnent les ordres de grandeur des périodes (T) et des longueurs d'onde dans le vide (λ0)
de différents types d'ondes éléctromagnétiques et des différentes radiations visibles :

Domaine hertzien infrarouge visible ultraviolet X γ

T µs ns ps 10 fs 5 fs 1 fs 100 as 0.1 as
λ0 = c T km m mm 3 µm 0.6 µm 0.3 µm 30 nm 30 pm

rappels : µs = 10-6 s ; ns = 10-9 s ; ps = 10-12 s ; fs = 10-15 s ; as = 10-18 s

et pour le spectre visible :

3
 Couleur ultraviolet bleu jaune rouge infrarouge
λ0 (nm) < 400 500 550 630 > 750
ε (J)
ε (eV)
rappel : 1 eV = 1.602×10-19 J ; h = 6.626×10-34 J.s

Maintenant que nous avons défini une représentation possible de la lumière, intéressons-nous à ce qui est à
l’origine de la lumière. Qui produit la lumière ?

I.1.2 Production de la lumière par les atomes.

La lumière est émise par les atomes. En fait, elle est due aux électrons des atomes. Les électrons à l’intérieur de
l’espace que l’on appelle atome, occupent des états d’énergie bien définie selon l’orbite sur laquelle il gravite
par rapport au noyau de l’atome. Dans un atome au repos (par opposition à un atome excité), ce sont les états de
plus faible énergie qui sont occupés. Un atome va être excité i.e., un électron va quitter un état de moindre
énergie pour aller vers un état de plus haute énergie, après un choc avec un autre atome ou absorption d’un
rayonnement. L’émission de lumière par la matière est attribuée à la transition des atomes d'un niveau d'énergie
donné vers un niveau d'énergie plus faible :
ε2
hν = ε2 - ε1
ε1

ε2 − ε1
Le photon émis a pour fréquence : ν = avec h = 6.625 10-34 J.s.
h
Analyse de l’homogénéité de l’équation en dimension :

Lorsqu'un atome excité revient sur son état fondamental, il perd donc de l'énergie en émettant des paquets
d'onde ou trains d'onde durant un intervalle de temps τ très limité. Le train d'onde émis a également une
longueur limitée. Par exemple : la raie D du sodium a pour longueur d'onde λ = 0,589 µm. Le temps d'émission
0

τ est de 1 nanoseconde (10-9 s). Comme :

λ =cT=c/ν
0 si ν fréquence de la radiation,
alors ν = c / λ = 5,1 1014 vibrations par seconde,
0

soit en 1 ns, 5,1 105 vibrations,

et L = 5,1 105 × λ = 0,3 m = longueur du train d'onde.
0

En conséquence en une seconde, un nombre important de trains d'onde sont émis. Pour toute source
lumineuse autre que le laser, à chaque émission, on observe des variations aléatoires de l'orientation du
champ électrique dans le plan d'onde (i .e., de la direction), des variations d'amplitude et des variations
de phase. On dit dans ce cas qu'il n'y a aucune cohérence entre les émissions successives.

Lorsque deux trains d'onde se rencontrent et se superposent, on peut obtenir (entre autres) les cas de figures
dessinés au § I.1.1. Mais ces rencontres ne durent que le temps d'émission des trains d'onde, soit 1 ns. A
4
l'émission suivante, la situation de rencontre aura changé et ne sera observable que pendant un temps de l'ordre
de la nanoseconde. Comme le temps d'observation nécessaire à notre œil est très supérieur à la nanoseconde,
nous ne percevons qu'une moyenne de toutes les situations de rencontre des trains d'onde (lumière, obscurité,
entre les deux…). En termes plus "physiques", on dit que notre œil perçoit la moyenne du carré de l'amplitude
des différentes vibrations. Cette moyenne est appelée intensité lumineuse, elle est proportionnelle à l'énergie :
I ∝ a2

Les phénomènes optiques que nous percevons sont donc des phénomènes statistiques en raison de
l'incohérence des vibrations qui se superposent si elles sont émises par une source quelconque (soleil,
lampes…). On ne pourra donc observer des figures d'interférence que si l'on dispose de deux sources qui
émettront des trains d'onde présentant :

- un rapport d'amplitude constant : a1/a2 = constante ;

- un déphasage constant : ϕ1/ϕ2 = constante ;
- des vibrations parallèles (le champ électrique ne varie pas en direction).

En effet, si toutes les différences entre les trains d'onde qui se rencontrent sont maintenues constantes entre les
émissions successives, alors l'observation pourra être effectuée sur un nombre infini de rencontres étalées dans
le temps nécessaire à une détection du phénomène par notre œil. En particulier, si tout est maintenu constant,
l'observation pourra être effectuée sur un temps infini, et on observera dans une portion de l'espace où ont lieu
les superpositions des trains d'onde, des figures d'interférence.

Dans une source de lumière ordinaire (soleil, lampe) chaque atome émetteur de lumière vibre
indépendamment des autres. On dit que la lumière émise par les vibrations indépendantes des atomes
n’est pas cohérente. Il existe une source lumineuse qui permet de conserver la cohérence entre tous les
trains d’onde émis : il s’agit de la lumière laser. Ici, tous les atomes vibrent ensemble ( on dit en phase) et
émettent une lumière de même longueur d’onde (de même couleur).

I.2 La lumière LASER : exemple de source cohérente.

LASER = Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation.
Les sources LASER émettent des ondes qui peuvent être considérées comme des ondes monochromatiques
planes de grande amplitude.
Revenons sur l'émission de la lumière par les atomes entre deux niveaux :
ε2
hν = ε2 - ε1
ε1
On doit à L. Boltzmann (1872) la relation suivante :
N2 & ε − ε1 # & hν #
= exp$ − 2 ! = exp$ − !
N1 % k BT " % k BT " (1)

qui donne le rapport des populations d'atomes sur les niveaux ε1 et ε2 à l'équilibre thermique à une
température absolue T (cf. cours de Physique Statistique, M1 en physique ou chimie ou PTR).

Interprétation de la relation :

voir le diaporama

5
Il existe trois types de transition entre deux niveaux atomiques :

tout d'abord, la transition qui permet de faire acquérir de l'énergie à un électron (la "remontée") : c'est
l'absorption.
ε2 ici le photon est absorbé
(il disparaît)
pour que l’électron puisse
photon incident grimper sur le niveau d’énergie
ε1 supérieure
(1) absorption

(1) l'absorption induite (de ε 1 vers ε 2) :

lorsqu'une onde de fréquence ν = (ε 2 − ε 1 ) / h traverse un matériau (milieu) constitué d'atomes présentant
deux niveaux d'énergie ε1 et ε2, elle cède de l'énergie aux atomes qui passent alors du niveau ε1 au niveau ε2 en
absorbant un photon. Elle s'amortit.

Il y a ensuite deux types de transitions inverses :

ε2 ε2

photon émis photon incident

ε1 ε1
(2) émission spontanée (3) émission induite

(2) l'émission spontanée (de ε 2 vers ε 1) :

l'atome cède spontanément l'énergie (ε2 - ε1) en émettant un photon, ou plutôt un train d'ondes. Cette émission
spontanée dite radiative est fortement influencée par les collisions entre atomes et présentent de ce fait un
caractère aléatoire très marqué. On dit que c'est une émission de lumière incohérente.
C'est l'émission prépondérante dans la plupart des sources lumineuses classiques : Soleil, lampes à
incandescence, lampes à décharge ...

(3) l'émission induite (de ε 2 vers ε 1) :

Elle correspond à l'émission d'une onde de fréquence ν stimulée ou induite par une onde incidente. Les ondes
émises sont donc reliées à l'onde incidente : l'émission induite est ainsi cohérente, contrairement à l'émission
spontanée, c'est à dire le photon émis est une photocopie du photon incident : même fréquence, même
direction d'émission, même phase.

Les sources lasers émettent la lumière par ce troisième processus : l'émission stimulée. L'onde lumineuse
incidente induit dans le matériau une nouvelle émission de lumière cohérente avec la première onde. Et le
laser se comporte comme un amplificateur de lumière (cf traduction du mot laser : Light Amplification by
Stimulated Emission) : à un premier photon incident, il en sera restitué un de mêmes caractéristiques (ou
cohérent avec le premier), mais le premier photon est toujours là. Nous avons donc 2 photons cohérents, qui
vont à leur tour stimuler chacun l'émission d'un photon cohérent. Soit : 1, puis 2, puis 4, puis 8 etc ...

Extrait de "D'où vient la lumière LASER ?" aux éditions Les Petites Pommes du Savoir :

La photocopieuse à lumière
A. Einstein émit l'hypothèse que la désexcitation d'un atome par émission d'un train d'onde de lumière
pouvait être commandée par un autre train d'onde passant à proximité. Quand nous pénétrons à
l'intérieur d'une pièce sombre, nous actionnons l'interrupteur pour allumer l'ampoule. Le train d'onde
agit comme un interrupteur, il va déclencher la désexcitation de l'électron et l'émission d'un train
d'onde lumineux. On parle alors d'émission stimulée, par opposition à l'émission spontanée, pour
laquelle aucun ordre particulier n'est donné pour signifier à l'électron qu'il doit se désexciter. Le train
d'onde interrupteur ayant déclenché l'émission d'un autre train d'onde l'accompagnera ensuite dans sa
course.

6
 Pour que ce processus d'émission stimulée puisse avoir lieu, il faut réaliser trois conditions :

1) qu'un électron ait déjà acquis un surplus d'énergie qui l'a propulsé sur un niveau d'énergie
supérieure,
2) qu'un train d'onde passe à proximité de l'atome excité avant que l'électron ne redescende sur son
niveau d'énergie inférieure de manière spontanée,
3) enfin que l'énergie transportée par ce train d'onde interrupteur soit exactement égale à l'énergie
que perd l'électron en redescendant à son niveau fondamental.

Le plus étonnant arrive maintenant : un train d'onde émis à la suite du passage d'un train d'onde
interrupteur est une photocopie exacte de ce dernier. Il part dans la même direction, est émis au
moment du passage du train d'onde interrupteur, à la même phase. Enfin, du fait de la troisième
condition, le train d'onde interrupteur et son homologue ont même énergie, donc même couleur.
Qu'avons-nous au final ? Deux trains d'onde jumeaux se promenant dans la matière, susceptibles de
stimuler à leur tour des émissions de trains d'onde qui seront les photocopies de ces deux premiers
trains d'onde. Et le processus s'enchaîne : plus il y a de trains d'onde interrupteurs, plus il y a dans la
matière de trains d'onde photocopiés qui peuvent à leur tour devenir des interrupteurs. On assiste
alors à un mécanisme d'amplification optique. Nous voyons se constituer une armée de soldats en
parade, portant une même couleur d'uniforme, avançant tous le même pied au même moment, dans un
mouvement de marche parfaitement synchronisé. Cette lumière transportée par des trains d'onde émis
de façon stimulée vibrant en phase est dite cohérente. C'est la lumière Laser.

Les travaux d'A. Einstein publiés en 1917 ont suscité l'admiration de tous. Ils ont aussi soulevé une
interrogation majeure : à quoi peut bien servir de disposer de trains d'onde photocopiés ? L'émission
stimulée est longtemps demeurée célèbre pour n'être qu'une solution attendant son problème. Mais le
plus pénalisant était qu'il ne pouvait y avoir émission stimulée que si les atomes étaient déjà excités. Un
train d'onde ne peut servir d'interrupteur que si des électrons sont prêts à re-descendre. En clair, que
l'on puisse trouver une population d'électrons sur les niveaux d'énergie supérieure conséquente. Or, ce
sont les niveaux d'énergie inférieure qui, à l'équilibre, sont naturellement peuplés. Si des trains d'onde
traversent un milieu à l'équilibre, ils sont simplement absorbés, c'est-à-dire qu'ils servent à faire
remonter les électrons sur les niveaux d'énergie supérieure et disparaissent dans la transaction.
Comment forcer la nature et obtenir un surpeuplement des niveaux d'énergie supérieure ? Alfred
Kastler et Jean Brossel apportèrent la réponse ... trente deux ans plus tard : il suffit de pomper.

Comme il est dit dans le texte ci-dessus, l'effet "laser" ne peut avoir lieu que s'il existe une population
conséquente d'électrons sur les niveaux d'énergie supérieure. Un milieu laser doit donc contenir, pour que
l’opération soit possible, un nombre suffisant d’atomes dans l’état ε2. Or nous avons vu qu’aux températures
usuelles, N2 est, pour les fréquences optiques, toujours très inférieur à N1 et que, par suite, l’émission
stimulée est négligeable en comparaison de l’émission spontanée (cf. analyse de la relation (1)).
Pour permettre le fonctionnement d’un laser, il faut donc rendre, au moins temporairement, N2 supérieur à
N1. On dit alors qu’on a réalisé une inversion de population. Cette opération a été comparée à un pompage
hydraulique où on augmente l’énergie d’une masse d’eau en l’élevant au-dessus de son niveau primitif. Le
mot pompage sera donc utilisé, mais ici, il s’agit d’un pompage optique.
Le principe du pompage optique a été indiqué en 1949 par Alfred Kastler (prix Nobel en 1966). Dans le
premier modèle de laser, dit à trois niveaux, le milieu utile était un cristal de rubis rose (alumine Al2O3
contenant des traces d’ions chrome Cr3+). Sa couleur, lorsqu’il est éclairé en lumière blanche, résulte d’une
absorption de radiations vertes qui fait passer les ions de l’état fondamental ε1 à l’un des états ε2 d’un
ensemble de niveaux excités très voisins :

7
 courte durée de vie
ε2 ε2
spontanée
I23 rapide
ε3 ε 3 longue durée
I12 de vie
I31
ε1 ε1 I’13 I’31
pompage stimulées

La présence de cet ensemble de niveaux excités très serrés, remplaçant un niveau unique, permet
d’augmenter l’énergie emmagasinée. Au lieu de retourner très vite au niveau ε1 par émission spontanée,
cette énergie se trouve en grande partie cédée, du fait de chocs non radiatifs, à un niveau intermédiaire ε3,
dont les possibilités d’absorption directe, mais aussi d’émision spontanée ε3 ! ε1, sont beaucoup plus
faibles que pour ε2 ! ε1. Le stockage ainsi réalisé en ε3 permet une émission stimulée ε3 ! ε1.
Pour réaliser le pompage jusqu’aux niveaux excités, des décharges électriques (ex. : dans les tubes fluorescents)
peuvent être utilisées. La durée de vie des niveaux excités ε2 est faible ce qui explique que les transitions des
niveaux 2 vers le niveau intermédiaire 3 se font très rapidement. La règle de durée de vie est la suivante : plus
grande est l’intensité d’une transition, plus vite l’état se désexcitera. Autrement dit : la durée de vie d’un état est
inversement proportionnelle à l’intensité de la transition associée qui le désexcite. Le niveau 3 compte une
population élevée d’électrons du fait des transitions rapides non radiatives des niveaux 2 vers le niveau 3.

En résumé :
Les sources lasers émettent la lumière par émission stimulée. L'onde lumineuse incidente induit dans le
matériau une nouvelle émission de lumière. Le laser se comporte donc comme un amplificateur de lumière.
Pour que l'amplification de la lumière puisse se maintenir, il faut que dans le matériau, l'émission stimulée soit
plus forte que l'absorption. Ceci peut être obtenu si les populations atomiques sont inversées. On inverse les
populations par pompage : on amène à l'aide d'une excitation extérieure de type optique ou électrique, des
atomes à un troisième niveau d'énergie supérieure. Ce troisième niveau va nourrir un deuxième niveau
intermédiaire par transition sans rayonnement, ce qui réalise l'inversion de population nécessaire, à savoir
disposer d’une population d’électrons sur le deuxième niveau supérieure à la population d’électrons sur le
niveau de basse énergie.

Dernière étape pour avoir un effet LASER : nécessité de fabriquer une cavité.
Pour obtenir un nombre suffisant de rencontres avec des atomes excités, il faut que le parcours des photons
dans le milieu utile soit assez long. On impose alors aux ondes émises de traverser plusieurs fois le milieu actif
laser. Ces passages successifs sont réalisés dans des cavités optiques constituées de deux surfaces
réfléchissantes en regard. Cela peut être deux miroirs plans parallèles disposés autour de la matière laser. Dans
l’idéal, un de ces miroirs doit être aussi parfaitement réfléchissant que possible, l’autre légèrement transparent,
pour laisser sortir le faisceau qu’on veut utiliser.

8
Dans la réalité, tous les miroirs métalliques absorbent quelques % de lumière à chaque réflexion. Pour pallier
cet inconvénient, on utilise en fait un empilement de couches minces de matériaux de faible (n1) et de grand (n2)
indice de réfraction. Ainsi, la cryolithe (Na3AlF6, n = 1.38) et le ZnS (n = 2.3) sont-ils couramment utilisés en
sandwich de 21 à 25 couches (la première et la dernière couche doivent avoir un grand indice de réfraction, le
nombre de couches est donc impair). La cavité ainsi formée se comporte comme un interféromètre dont le
principe est d'amplifier uniquement certaines ondes monochromatiques parmi celles qui composent le faisceau
initial. La cavité se comporte comme un oscillateur à plusieurs degrés de liberté que l'onde électromagnétique
peut exciter et seules les ondes dont la fréquence coïncide avec la fréquence des modes propres de vibration
sont amplifiées et émergent de la cavité ; les autres sont étouffées par interférence destructive.

II. LES PROPRIETES GENERALES DES LASER.

Il existe plusieurs types de lasers :

- les lasers à gaz : hélium-néon (He-Ne), à argon ionisé (Ar+), à azote et dioxyde de carbone (N2-CO2) ;
- les lasers solides : à rubis (ions Cr3+ dans de l'alumine), à ions néodyme (Nd3+) ;
- les lasers liquides : à base de molécules organiques, les transitions s'effectuent entre des niveaux d'énergie
de vibration ; rouge
- les lasers à semiconducteurs : famille ou filière GaAs (arséniure de gallium), filière InP (phosphure
d'indium) ; filière GaN (nitrure de gallium) ; bleu ou vert
- les lasers à électrons libres : l'excitation électrique est produite par des électrons rapides issus d'un
accélérateur.

Le laser He-Ne est souvent utilisé en TP. Le laser semiconducteur est présent dans tous les foyers. Il faut savoir
que le nombre d’atomes actifs dans un laser à rubis ou à gaz est en général très petit. Dans le laser à rubis, seuls
0.035 % des ions Cr3+ dans la masse d’Al2O3 sont actifs. Dans les lasers à gaz, c’est la densité du gaz qui limite
le nombre d’atomes actifs dans le volume du laser (d’où l’utilité et l’importance des miroirs qui font traverser à
un photon un grand nombre de fois le volume de la matière laser avant d’entrer en interaction avec un atome
actif).

Exemple du laser à gaz He-Ne :

Le milieu est un mélange gazeux d’hélium (85%) et de néon (15%). La transition à 632.8 nm est la transition 3s
" 2p du néon. Une décharge électrique excite l’hélium jusqu’à son niveau 2s : c’est l’opération de pompage.
C’est ce niveau qui nourrit le niveau 3s du néon par collisions avec les atomes Ne. Il en résulte l’inversion de
population qui permet d’entretenir le rayonnement laser.

ε3 hélium
néon
ε2 (N2 > N1)
pompage
ε1 (N1)

9
Tableau des LASER les plus utilisés :

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II.1 La dispersion du faisceau de lumière laser.
En sortant de l’ensemble laser-cavité optique, on obtient des ondes planes. Une onde plane sortant d’un
diaphragme de diamètre d ne subit qu’un léger élargissement. En fait, on peut montrer que jusqu’à une distance
D ≈ d2 / λ , le faisceau ne s’élargit pas et qu’à partir de cette distance, il subit un élargissement angulaire d’un
λ
demi-angle θ ≈ :
d d
2θ

Donc si l’on veut conserver un faisceau fin longtemps, il faut que d ne soit pas trop petit.

II.2 Energie et puissance.

Rappel : un être humain consomme 2 400 kcal par jour, soit 10 millions de Joule.

11
II.3 Eclairement.
puissance
éclairement = e =
surface
Le soleil émet 1 400 W pour 1 m2.
Avec une loupe, on focalise les rayons sur un petit diamètre. Par exemple on obtient un éclairement de
106 W m-2 ou 100 W cm-2, qui suffit à enflammer du papier.
Les laser industriels sont focalisés via des lentilles et des miroirs jusqu'à obtenir des éclairements de
109 W cm-2. Cette valeur extrême permet de fusionner ou de vaporiser des matériaux. On peut ainsi souder de
l'acier de 8 mm d'épaisseur en un seul passage.

II.4 Rendement.
Le rendement lumineux des lasers varie entre 0.01 et 30 %, exceptionnellement il est de 50%. Il est défini
comme l'énergie de sortie laser/l'énergie apportée.

II.5 Chirurgie.
Bistouri : laser à CO2 de puissance de 5 à 50 W. Il est focalisé sur un spot variant de 1 mm2 jusqu'à 10 µm2.
Pour corriger la myopie, un utilise un laser émettant dans l'UV (un laser Ar+fluor) à 0.193 µm en longueur
d'onde. 1 µm de cornée est enlevée pour corriger la myopie de 1 dioptrie.
Attention : l'oeil possède un système de focalisation intrinsèque de tout rayon lumineux le pénétrant (il peut être
en effet schématisé comme une lentille convergente). Ainsi, un stylo laser pointeur de spot de 2 mm de
diamètre émettant dans le rouge à une puissance de 1 mW donne sur la rétine un spot de 10 µm de diamètre.
L'éclairement sur la rétine est alors 167 fois supérieur à celui du soleil !

II.6 Directivité et Télémétrie.

La tour Montparnasse a été érigée en suivant les alignements de 4 laser He-Ne. C'est la propriété de directivité
des faisceaux laser qui est utilisée ici.

La télémétrie consiste à mesurer des distances de manière très précise en envoyant une impulsion laser sur une
cible et en mesurant le temps aller et retour de cette impulsion après réflexion sur la cible.
Ainsi la distance Terre-Lune est elle mesurée : 384 000 km à ± 3 mm (!) par des tirs de laser Nd-YAG, le temps
de vol du faisceau étant de 2.6 secondes.
Le radar (ou cinémomètre) repose sur le même principe. Il fonctionne avec une diode laser infra-rouge à
0.904 µm. Il permet de mesurer la vitesse d'un véhicule à ± 0.1 km/h. on ne le voit pas !!

12
La profilométrie 3D : La mission MOLA (Mars Observer Laser Altimeter) a permis de cartographier la surface
de Mars par un ensemble de 2.6 millions de tirs de laser Nd-YAG.

II.7 Lecture CD et DVD. Repartons au Moyen Age

Enregistrement et échantillonage du son :

Le théorème d'échantillonage de Nyquist établit qu'un signal analogique peut être reconstruit à partir des
échantillons numérisés si la fréquence d'échantillonage est au moins deux fois la bande passante du signal
original. L'oreille humaine est capable de percevoir une gamme de fréquences de 20 Hz à 20 KHz environ,
correspondant à une bande passante de 20 KHz. C'est pourquoi le codage audio dite de haute qualité utilise des
fréquences d'échantillonage supérieures à 40 KHz (44,1 KHz pour le codage CD, et 48 KHz pour le codage
DAT).

La fréquence d'échantillonnage est une donnée essentielle pour la qualité du son numérique. Avec la
quantification des échantillons, elle détermine non seulement la qualité de l'enregistrement, mais encore la
place que le fichier occupera sur le disque dur.
La fréquence d'échantillonnage s'exprime en Hertz et détermine le nombre d'échantillons utilisés par seconde.
Plus la qualité d'enregistrement sera grande et plus le fichier son occupera de l'espace. La différence entre une
quantification sur 8 bits et une sur 16 bits n'est pas facilement perceptible pour une oreille humaine non
exercée. En revanche la fréquence d'échantillonnage a des effets très sensibles.
Ainsi une fréquence de 11 kHz se révèle suffisante pour l'enregistrement de la parole, mais elle ne convient pas
pour la musique car cela revient à écouter une symphonie au téléphone. La haute fidélité réclame au minimum
une fréquence d'au moins 22 kHz, idéalement 44 kHz. Tableau de la taille d'un fichier d'une minute
d'enregistrement :

13
 Fréquence Quantification Taille en mono Taille en stéréo
11 kHz 8 bits 660 ko 1,32 Mo
11 kHz 16 bits 1,32 Mo 2,64 Mo
22 kHz 8 bits 1,32 Mo 2,64 Mo
22 kHz 16 bits 2,64 Mo 5,28 Mo
44 kHz 8 bits 2,64 Mo 5,28 Mo
44 kHz 16 bits 5,28 Mo 10,56 Mo
48 kHz 16 bits 5,8 Mo 11,6 Mo

Ecouter sur le site :

http://www.iict.ch/Tcom/Laboratoires/digivox2000/chap/chap1/echantillonage.htm
des exemples de voix et de musique échantillonés à fréquence variable.

Restitution CD ou DVD : premier laser disque en 1978.

A savoir : 1 = variation de lumière détectée.
0 = pas de variation de lumière détectée.

disque CD lu par un laser à 0.78 µm

14
 CD λ = 0.78 µm DVD λ = 0.635 µm HD-DVD et Blue-Ray λ = 0.405 µm
infrarouge invisible rouge visible bleu visible

D'après le standard EFM (Eight-to-Fourteen Modulation), utilisé pour le stockage d'information sur un
CD, il doit toujours y avoir au minimum deux bits à 0 entre deux bits consécutifs à 1 et il ne peut y
avoir plus de 10 bits consécutifs à zéro entre deux bits à 1 pour éviter les erreurs. C'est pourquoi la
longueur d'une alvéole (ou d'un plat) correspond au minimum à la longueur nécessaire pour stocker la
valeur OO1 (3T, c'est-à-dire 0.833µm) et au maximum à la longueur correspondant à la valeur
00000000001 (11T, soit 3.054µm).

1 CD = 5.2 109 bits ou 650 106 octets.

Cela représente une spirale de 6 km de long, soit 20 000 pistes séparées de 1.2 µm.

La différence entre un CD et un DVD se situe dans la capacité de stockage qui est directement liée à la
longueur d’onde du rayonnement laser utilisé. Le densité est en effet déterminée par la taille du spot lumineux
sur le disque, or cette taille est limitée par les phénomènes de diffraction eux-mêmes conditionnés par la
longueur d’onde du rayonnement. Il en résulte que la densité de stockage varie comme 1/λ2 si λ est la longueur
d’onde du laser. Les lecteurs CD utilisent l’émission infrarouge à λ = 780 nm de lasers AlGaAs (voir § III)
alors que les lecteurs DVD utilisent l’émission rouge λ = 650 nm (visible) de lasers AlGaInP. La toute
nouvelle génération de DVD à haute densité dit HD-DVD (High Density DVD) utilise l’émission bleue
λ = 410 nm (visible) de lasers à GaN.

Comparatif CD et DVD :

Caractéristique CD DVD HD-DVD

pas du sillon gravé en spirale sur le disque 1.6 µm 0.74 µm
largeur minimum du sillon 0.8 µm 0.4 µm 0.24 µm
nombre de faces utiles 1 face 1 ou 2 faces 1 ou 2 faces
capacité de stockage 650 Mo 4.7 Go par face 15 Go par face

Notons que les DVD ont une plus grande vitesse de rotation. Les nouvelles technologies envisagent
d’augmenter la capacité en superposant plusieurs couches actives par face et en stockant des données non
seulement dans le sillon mais aussi dans l’espace entre les sillons.

DVD = Digital Versatil Disc.

Il contient 4.7 109 octets.
Largeur des cuvettes : 0.4 µm, espacées de 0.74 µm.
Elles sont lues par un laser de plus petite longueur d'onde à 0.635 µm (visible rouge), d'une puissance de
0.001 W. En phase d'enregistrement, la puissance du laser est multipliée par 10.
Le Blue-Ray travaille avec un laser bleu à 0.405 µm pour 27 109 octets de capacité.

15
Les CD et DVD enregistrables et ré-inscriptibles :
d’après Henri Mathieu – Physique des semiconducteurs et des composants électroniques - 5e édition, DUNOD.

Le dispositif d’écriture est différent suivant qu’il s’agit d’un CD-R ou d’un CD-RW. Dans les CD-R
(inscriptible une seule fois), une couche de colorant est excitée par le laser d’écriture qui imprime
irréversiblement des zones de faible réflectivité. Sur les CD-RW, la couche active est constituée d’un matériau
qui peut basculer de manière réversible d’un état stable à un autre sous l’action du faisceau laser, les deux états
pouvant être par la suite distingués par ce même faisceau laser. Cette couche active est insérée entre deux
couches diélectriques de quelques dizaines de nanomètres qui jouent un rôle de protection et d’ajustement des
conditions optiques. Deux types de couches mettant à profit des propriétés physiques différentes sont utilisés :
les couches magnéto-optiques et les couches à changement de phase.

Enregistrement magnéto-optique :
Les matériaux utilisés sont des alliages amorphes Terre rare-Métal de transition RE-TM (Rare Earth-Transition
Metal) tels que TbFeCo. Ces matériaux présentent une aimantation perpendiculaire aux couches, que l’on peut
orienter par application d’un champ magnétique à haute température. A température ambiante, le champ
coercitif de ces matériaux est très grand de sorte qu’il conserve indéfiniment leur aimantation. Lorsqu’on élève
la température au voisinage d’une température critique (appelée la température de Curie) le champ coercitif
tend vers zéro et un faible champ magnétique appliqué est alors suffisant pour réorienter les spins électroniques.
Le dispositif d’écriture associe donc un laser (pour élever la température) et une tête magnétique en regard l’un
de l’autre par rapport à la surface du disque. Le laser chauffe la zone à imprimer vers 300°C et la tête
magnétique fixe le sens de l’aimantation par un champ de quelques centaines de Gauss. La lecture s’effectue
par suite avec le même laser que l’écriture à plus faible puissance en exploitant l’effet Kerr magnéto-optique.
La polarisation du faisceau réfléchi est tournée dans un sens ou dans l’autre suivant l’aimantation et un système
différentiel permet de détecter le signe de la rotation.

Enregistrement par changement de phase :

La couche active est constituée d’un matériau à changement de phase à base de tellure comme le GeSbTe ou
l’AgInSbTe. La couche est initialement polycristalline et par suite réfléchissante. Le processus d’écriture
consiste à chauffer la zone à imprimer au-dessus du point de fusion avec le spot laser (à 500-700°C) ce qui
nécessite une puissance de quelques dizaines de mW. Un refroidissement rapide laisse cette zone dans un état
amorphe dont le pouvoir réflecteur est très inférieur à celui des zones cristallines. Cette trempe rapide est
obtenue grâce à une couche métallique qui joue le rôle de puits thermique (la vitesse de refroidissement est de
1°C/ns). Pour la réécriture, le laser chauffe préalablement les zones amorphes vers 200°C pendant un temps
suffisant pour permettre la recristallisation du matériau. La lecture se fait avec le même laser, à plus faible
puissance et exploite les différences de réflectivité des zones cristallines et amorphes.

couche protectrice de couche active polycristalline

polycarbonate
zone amorphisée
couche métallique couches diélectriques

faisceau diffusé
faisceau réfléchi
faisceaux incidents

La technique magnéto-optique est plus performante en terme de débit d’écriture que la technique du
changement de phase (le renversement des spins qui est un processus purement électronique est en effet plus
rapide que le changement structural correspondant au changement de phase). Par contre l’évolution vers
l’utilisation de longueurs d’onde plus courtes (afin d’augmenter les capacités de stockage) nécessitera de passer
par le processus à changement de phase car la technique magnéto-optique devient très vite limitée quand la
16
longueur d’onde diminue (c’est l’angle de rotation des alliages utilisés qui diminue très vite avec la longueur
d’onde, elle est pratiquement indétectable dans le vert et le bleu).

II.8 Le phénomène de diffraction : ou les couleurs de l'arc en ciel sur la surface d'un CD.

Extrait de "D'où vient la lumière LASER ?" aux éditions Les Petites Pommes du Savoir :

On ne saurait terminer sans évoquer un autre ballet, celui de la lumière du jour avec le disque CD. Placé sous la
lumière naturelle, un disque compact se nimbe de couleurs fantasmagoriques. Lorsqu'elle rencontre des objets de
dimension proche de sa longueur d'onde, ce qui est le cas des micro-cuvettes des CD, la lumière est diffractée, ou
éparpillée, par ces petits objets.

Imaginons un bonhomme en caoutchouc vêtu d'un costume sur lequel a été cousue une guirlande électrique. S'il
passe à travers une porte très large sans toucher les bords de la porte, les petites ampoules de la guirlande
restent en place et passent en ligne droite. Si on réduit la taille de la porte de telle sorte qu'elle devienne
légèrement moins large que le bonhomme, celui-ci devra se déformer pour pouvoir passer à travers. Les ampoules de
la guirlande suivront le mouvement, éparpillant la lumière en suivant les contours de la porte. Cela marche de la
même manière quand la lumière passe à travers de petites ouvertures, ou encore si elle est réfléchie non pas sur de
larges miroirs, mais sur des micro-miroirs : une partie de la lumière passe ou est réfléchie normalement comme les
ampoules de la guirlande cousues au centre du costume qui franchissent la porte en ligne droite, et une autre partie
est éparpillée (comme les ampoules qui suivent le contour de la porte). Les cellules photoélectriques de la platine CD
reçoivent la partie du faisceau diffractée selon la direction de réflexion normale. C'est pourquoi nous avons
toujours parlé de faisceaux réfléchis pendant la lecture du disque par le rayon Laser. Par contre, lorsque nous
regardons comment un CD réfléchit la lumière du jour, nous observons également la partie éparpillée de la lumière.
Les lois de la diffraction établissent que chaque fréquence est éparpillée dans des directions différentes. Chaque
fréquence, donc chaque couleur de la lumière du jour est ainsi diffractée selon un angle différent, laissant
apparaître de minis arc en ciel.

La lecture CD n'est pas la seule à jouer avec les combinaisons de phase. L'holographie n'existe que par ce jeu.
Les chercheurs des laboratoires imaginent même de pouvoir stocker par holographie 1 million de million d'octets
dans le volume d'un morceau de sucre …

II.9 L'holographie.

Un hologramme est une photographie en relief.

Comment voyons nous en relief ? deux yeux, donc chaque scène est vue sous deux angles différents.

Cinéma en relief : une scène est filmée en même temps avec deux caméras placées à deux endroits différents,
correspondant respectivement à un oeil droit et un oeil gauche. On projette ensuite sur l'écran les deux images
en même temps. Pour sélectionner celle destinée à l'oeil droit et celle destinée à l'oeil gauche, il existe plusieurs
procédés.

Le plus simple met en oeuvre des filtres de couleur. Une caméra a originellement un filtre vert (correspondant à
l'oeil droit), l'autre un filtre rouge (oeil gauche). Par suite, on place devant l'oeil droit du spectateur un filtre vert
et cet oeil ne verra pas l'image rouge, et devant l'oeil gauche du spectateur un filtre rouge lui permettant de voir
l'image filmée en rouge par la caméra gauche mais lui empêchant de voir l'image verte destinée à l'oeil droit.

Pour permettre la sélection œil droit - œil gauche, un deuxième procédé utilise la polarisation. Chacune des
deux images est projetée au travers d’un filtre polarisant dont les axes de polarisation sont décalés de 90° l’un
par rapport à l’autre. Le spectateur porte des lunettes équipées de deux verres polarisants dont les axes sont eux
aussi croisés. Chaque verre ne laissera donc passer que l’image polarisée selon le même axe ; ainsi, chaque œil
ne verra que l’image qui lui est destinée. C’est le procédé le plus couramment employé (aujourd'hui), car le plus
17
simple et le plus économique à exploiter. Outre la cabine de projection adaptée à la diffusion des couples
d’images, un écran métallisé spécial (qui conserve l’effet de polarisation) et, bien sûr, un film tourné en
stéréoscopie, cette technique ne nécessite que la distribution aux spectateurs de lunettes peu coûteuses, jetables
ou recyclables.

C'est quoi au fait une lumière polarisée ? pour aller dans une même direction, le champ électrique d'une onde
lumineuse peut osciller dans un plan horizontal ou vertical.

Quand toutes les ondes émises par une source lumineuse ont toutes le même plan d'oscillation, alors la lumière
est dite polarisée. C'est le cas de la lumière laser. La lumière naturelle n'est pas polarisée, les plans d'oscillations
varient à chaque émission de trains d'ondes. Il est facile de laisser passer ou de stopper une lumière polarisée :

ça passe ça passe pas !

Les filtres polarisants jouent le rôle des cartons.

Revenons au cinéma en relief :
un troisième procédé, qui s’est développé au cours des années 1990, consiste à projeter alternativement les
images destinées à chacun des yeux. Des lunettes équipées de verres à cristaux liquides assureront
successivement l’obturation de l’œil auquel l’image projetée n’est pas destinée. Ces lunettes,
technologiquement complexes, sont pourvues d’un système de captation infrarouge pour se synchroniser avec
la projection, d’une batterie pour fournir l’énergie nécessaire au fonctionnement, et de deux verres contenant
des cristaux liquides. Ce procédé est le plus impressionnant.

L'holographie elle repose sur l'enregistrement de la phase de la lumière, ou plus précisément, sur la phase
d'ondes de lumière provenant de l'objet pour lequel on enregistre son hologramme et d'un faisceau laser
superposé à ces ondes. Qui dit superposition ou addition d'ondes lumineuses dit interférences, d'où des
combinaisons de phase qui peuvent être soit constructives (= lumière) soit destructives (= noir).

Principe version "grand public" :

Extrait de "D'où vient la lumière LASER ?" aux éditions Les Petites Pommes du Savoir :

Improvisons nous artiste holographiste, et composons une nature morte avec un vase de fleurs posé en arrière
plan et un verre d'eau posé en avant plan sur une table. Pas très novateur sur le plan artistique je vous l'accorde.
Pour enregistrer l'hologramme de cette scène, nous divisons un faisceau de lumière Laser en deux grâce à une lame
séparatrice, ce qui permet de diriger une partie du faisceau sous un angle déterminé sur la scène, et une partie du
faisceau directement sur le film où sera enregistré l'hologramme. Cette partie du faisceau directement renvoyé
sur le film est appelée le faisceau de référence. Le film d'enregistrement reçoit donc à la fois les ondes réfléchies
18
par les objets de la scène et les ondes du faisceau de lumière de référence. Nous avons bien là superposition
d'ondes lumineuses, et nous savons que cela donne lieu à des combinaisons de phase.

Les ondes réfléchies par le vase arrivent sur le film d'enregistrement en retard par rapport aux ondes
réfléchies par le verre puisqu'elles partent d'un peu plus loin en arrière. Si elles se superposent en opposition de
phase avec les ondes du faisceau référence, ceci conduit à une extinction de lumière sur le film. Les ondes
réfléchies par le verre, parties de moins loin, ont rattrapé les ondes de référence en avance par rapport à celles
provenant du vase. Si elles le font en phase, ceci est enregistré comme un point lumineux. Le relief est ainsi inscrit
sur le film d'enregistrement, à partir des variations de combinaison de phase, lesquelles sont dues aux retards des
ondes lumineuses provenant des points de la scène situés à des distances différentes par rapport au film. Cet
enregistrement constitue l'hologramme. C'est une réplique de la surface d'onde renvoyée par la scène originale
vers le film.

Pour obtenir à partir de cet hologramme une image restituant le relief, il faut recréer les combinaisons de phase
originelles. Comment ? En reproduisant à la lecture de l'hologramme, les conditions de l'enregistrement. Nous
aurons donc besoin au moment de l'exposition, d'éclairer l'hologramme sous l'angle qui convient avec un faisceau
Laser dit de lecture, censé jouer le rôle du faisceau de référence utilisé à l'enregistrement. L'hologramme va alors
diffracter le faisceau de lecture, c'est à dire qu'il rendra les combinaisons de phase enregistrées, lesquelles
formeront une image virtuelle de la scène originale. En bougeant autour de l'image virtuelle, nos yeux peuvent
intercepter une autre partie de la surface d'onde, ce qui permet de voir la scène sous un autre angle, et d'en
reconstituer ainsi son relief.

Les ondes de lecture doivent être identiques à l'onde de référence si l'on veut que l'hologramme soit
parfaitement rendu. Le Laser de lecture est censé être le même que le Laser de référence à l'enregistrement.
Toutefois, nous pouvons nous contenter dans le cadre d'une exposition grand public d'une restitution partielle de
l'hologramme. On peut utiliser des sources de lumière incohérentes, comme des lampes à vapeur de sodium qui
donneront à ce dernier une jolie couleur orangée. Comme ce n'est pas une lumière Laser, on perd une partie des
informations : les recombinaisons de phase ne sont pas toutes restituées à l'identique de l'enregistrement, mais il
reste suffisamment de recombinaisons significatives pour voir apparaître la table, le verre et le vase de fleurs ... en
arrière plan. Reprenez votre carte de crédit et observez l'hologramme sous la lumière naturelle : même si l'effet
de relief n'est pas transcendant, la colombe semble bien prendre son envol.

Principe physique de l'holographie :

L'holographie, méthode d'enregistrement et de reproduction de l'image d'un objet tridimensionnel, fut mise au
point, en 1948, par Dennis Gabor. En photographie classique, seule la luminosité (caractéristique de
l'amplitude) réfléchie par l'objet est enregistrée par la pellicule. Dans un hologramme, non seulement la
distribution d'amplitude mais encore la phase de la lumière réfléchie par l'objet et par une onde de référence
sont enregistrées sur une pellicule photographique sous la forme d'un interférogramme (franges d'interférence
formées par deux faisceaux lumineux). Quand on éclaire l'hologramme avec l'onde de référence, l'image
d'origine est restituée. Contrairement à une photographie ordinaire, un hologramme rend la dimension de
profondeur et peut recréer la parallaxe (changement apparent de perspective qui se produit quand un objet est
vu sous différents angles).

Réalisation d'un hologramme

La réalisation d'un hologramme nécessite une source de lumière cohérente : les ondes lumineuses ont la même
longueur d'onde et sont en phase. L'holographie a donc dû attendre l'invention du laser pour se développer. Pour
faire un hologramme, on divise en deux un rayon laser. L'un des rayons, le rayon de l'objet, éclaire l'objet et est
réfléchi sur la plaque photographique. L'autre rayon, le rayon de référence, est dirigé sur la plaque
photographique. Comme les deux rayons superposés sur la plaque sont cohérents, ils forment un schéma
d'interférence. Dans ce phénomène, deux ondes ou plus sont superposées en chaque point. L'enregistrement de
ces franges d'interférence sur pellicule photographique constitue l'hologramme. Ce dernier, loin de ressembler à
l'objet original, contient toutes les informations requises pour restituer la lumière qui, à l'origine, provenait de
l'objet. Chaque point de l'hologramme a reçu des informations de l'objet en son entier, ce qui a deux
conséquences : tout d'abord, une partie de l'hologramme suffit pour restituer l'image de l'objet en son entier;
19
ensuite, du fait que chaque point de l'hologramme voit l'objet sous un angle différent, l'image restituée est
réellement tridimensionnelle. Quand l'hologramme est éclairé par un rayon lumineux analogue à l'onde de
référence d'origine, sous l'angle qui convient, il diffracte l'onde, recréant ainsi l'onde réfléchie au départ. Cette
forme de photographie sans optique a de nombreuses applications. On produit des hologrammes en série pour
des objets allant des cartes de crédit aux bijoux, en passant par des couvertures de livres et de revues. Les
artistes travaillent de plus en plus avec des hologrammes. Les applications scientifiques et techniques
connaissent un essor comparable. Des «traînées» d'interactions entre particules subatomiques ont été
enregistrées par holographie. Le perfectionnement de l'holographie aux rayons X de cellules biologiques est en
cours. L'interférométrie holographique compare les hologrammes d'un objet pris avant et après des essais de
contrainte (voir autre fiche). L'holographie acoustique avec des ondes sonores à haute fréquence est utilisée
pour l'exploration géophysique et sous-marine. Des hologrammes à micro-ondes fournissent des relevés de
terrain et de sol très précis. L'avenir de l'holographie est particulièrement prometteur dans le domaine des
mémoires d'ordinateur et des matériels informatiques.

L'holographie pour la mesure ou métrologie :

L’holographie interférentielle est utilisée dans le domaine de la mesure de précision. Il s’agit de détecter un
défaut superficiel ou sous-cutané sur des pièces mécaniques en mettant en évidence de très légères irrégularités
dans la déformation de la surface de la pièce lorsque celle-ci est sollicitée de façon non destructive par une
contrainte mécanique, pneumatique ou thermique.
Rappelons que l’holographie est un procédé optique qui consiste à enregistrer sur un support photographique le
champ d’interférences entre, d’une part, la lumière diffusée par l’objet éclairé par la lumière cohérente d’un
laser et, d’autre part, une onde de référence provenant directement du même laser. L’hologramme ainsi obtenu,
placé à nouveau dans l’onde de référence, diffracte la lumière selon une onde lumineuse identique à celle
diffusée préalablement par l’objet lors de la prise de vue ; ainsi, tout se passe pour l’observateur comme si
l’objet était toujours réellement présent de façon tridimensionnelle. Partant de cette technique, on conçoit
qu’une double prise de vues holographiques va permettre de créer des franges d’interférences entre les images
holographiques de l’objet relevées à des instants différents et des conditions de sollicitations différentes.
On aura ainsi réalisé une interférométrie holographique qui pourra mettre en évidence, lors de la restitution de
l’image, des irrégularités particulières dans les réseaux de franges indiquant des irrégularités de déformation de
la surface de l’objet et, par là, la présence de singularités de structure constituant généralement des défauts de
cohésion ou de délamination sous-cutanés. L’interférométrie est souvent réalisée par double exposition d’un
objet éclairé par deux lasers pulsés dont les éclairs peuvent être décalés de 0,1 µs ou plus. L’interférométrie en
temps réel permet de faire interférer l’objet avec sa propre image holographique et permet d’étudier
commodément les modes vibratoires d’une pièce et donc les irrégularités dues à la présence de défauts.
Le contrôle non destructif par holographie est bien adapté au contrôle des objets non métalliques et de
dimensions notables tels qu’on les trouve dans l’aérospatial, qu’il s’agisse des pales d’hélicoptères, des
structures de propulseurs, des structures sandwichs nid-d’abeilles, etc. Les progrès effectués tant sur le plan de
la codification scientifique du procédé que sur celui des matériels utilisés, avec en particulier l’utilisation des
films thermoplastiques à la place des plaques photographiques, permettent d’élargir son champ d’application
industriel : contrôle des pneumatiques en série, abaissement du prix de revient, automatisation du dépouillement
des résultats.

20
http://www.tpe-holographie.com/

21
II.10 Les LASER ultra-puissants. http://www-lmj.cea.fr/
Ils sont au CEA.
LIL et Méga-Joule sont deux lignes d'intégration Laser Nd-YAG.

LIL : il comprend 8 faisceaux laser dans un hall de 125 m de long (parcouru 4 fois par les faisceaux laser). LIL
délivre 60 000 J sur quelques 10-9 s, soit une puissance de quelques dizaines de TERA Watts (1 TERA = 1012 -
tera en grec veut dire monstre).

Méga-Joule : 240 faisceaux laser, pour 1.8 106 J sur 10-9 s.

300 tonnes de matériel dans 4 halls de 128 m de long.
Focalisé sur une surface de 10-4 à 10-6 µm2, avec une puissance de 100 TERA W, l'éclairement atteint sera de
300 PETA W (1 PETA = 1000 TERA). Soit l'équivalent de 1000×106×109 ampoules de 100 W sur 1 cm2 !

On compte sur les 1.8 106 J pour porter à 70 millions de degrés Celsius une micro-bille contenant des atomes de
H. L'objectf étant de réaliser la fusion des noyaux d'H en He par fusion thermonucléaire.

II.11 Les LASER ultra-rapides.

Ils travaillent par impulsions ultra-rapides : de l'ordre de la pico seconde ou 10-12 s, voire la femto seconde ou
10-15 s (il y a un laser femto au LASMEA qui sera visité).
Ces impulsions ultra courtes permettent de délivrer une puissance très élevée à énergie initiale moindre :

énergie moindre / temps très court = puissance délivrée très élevée.

Avec une focalisation du faisceau, on peut atteindre des éclairements très importants.
Les laser ultra rapides sont utilisés en chirurgie (correction de la myopie) et pour étudier la structure intime de
la matière. Ils permettent en particulier d'étudier des phénomènes qui ont lieu sur des échelles de temps très
courtes.

III. LES LASER A SEMICONDUCTEURS.

Fonctionnement d’un laser à semiconducteur :

Un semiconducteur est un matériau dans lequel la conduction électrique est assurée par un petit nombre de
porteurs de charge créés par des impuretés. Si l’impureté donne un électron supplémentaire à quelques atomes
du matériau de base, le courant est assuré par le déplacement de ces électrons (on parle alors de semiconducteur
de type n). Si au contraire l’impureté accepte un électron venant du matériau de base, il en manquera un dans
celui-ci et c’est le trou (équivalent de l’électron, mais état de charge positif) qui se déplacera dans le sens du
champ électrique appliqué (semiconducteur de type p). A travers une jonction p-n (voir figure 1 ci-contre), le
courant ne peut passer que dans le sens p vers n ; c’est le principe de fonctionnement d’une diode. Les porteurs
de charge positifs (les trous) et négatifs (les électrons) pénètrent dans la zone de transition de la jonction p-n
polarisée dans le sens direct (tension positive du côté p). Lorsque l’électron rencontre un trou, il l’occupe, les
deux porteurs de charge disparaissent et l’énergie de recombinaison est libérée. Dans la plupart des cas, cette
énergie chauffe la diode (recombinaison non radiative), mais dans certains matériaux tels que le GaAs par
exemple, l’énergie de recombinaison donne naissance à un photon. On obtient alors une diode
électroluminescente (LED : light emitting diode). Dès que la densité des porteurs de charge est suffisamment
importante, la recombinaison radiative devient un phénomène fréquent : la zone active peut être très mince.

L’excitation des porteurs de charge et la recombinaison peuvent être stimulées par le rayonnement lumineux.
Pour qu’il ait un effet laser, il faut que la recombinaison l’emporte. La condition d’inversion des populations
dans ce cas est que la tension directe appliquée à la jonction multipliée par la charge élémentaire soit supérieure
à l’énergie des photons émis lors de la recombinaison. La figure 2 représente la variation de l’intensité
lumineuse d’un laser à semiconducteur en fonction du courant de la diode ; elle montre le seuil de l’effet laser.

22
Les lasers semiconducteurs sont petits (longueur de cavité de 300 µm) et peu chers. Les lasers à
semiconducteurs à faible puissance (de 0.2 mW à 50 mW) sont les plus répandus.

Fig. 1 : A la base du fonctionnement, il y a la jonction p-n. Lorsqu’on

applique aux bornes de la jonction une tension dans le sens direct, on
+ favorise la diffusion initiale, soit la recombinaison des électrons (de
courant BC) et des trous (de BV). Cette recombinaison s’accompagne d’une
électrique émission de lumière dans le visible ou le proche IR. Ces LED (DEL en
p trous français) fonctionnent sous faible tension. Pour faire fonctionner une
zone de transition LED en diode laser (LD, laser diode), il faut augmenter le courant dans
le circuit pour que la population des électrons (é-) soit supérieure à
n électrons celle des trous (t+). C’est l’inversion de population. La recombinaison
des é-/t+ s’accompagne de l’émission de lumière qui est amplifiée par
- réflexions successives sur les faces clivées du semiconducteur. La
longueur d’onde (dans le vide) émise est reliée à l’énergie de la
bande interdite (gap en anglais) par l’équation :
hc 1.24
εg = soit λ (µm) =
λ εg(eV)

Fig. 2 : Passage de la diode

électroluminescente à la diode laser.

Fig. 3 : Le laser à hétérojonction GaAs. L’indice de réfraction augmente avec le contenu d’aluminium,
il faut donc que y > x. Les charges positives sont injectées sur la bande étroite de la couche GaAs (p).
L’électrode négative couvre la surface inférieure GaAs (n). Le faisceau sort devant et derrière : le
faisceau arrière peut être utilisé pour le contrôle du fonctionnement.
23
Les grandes familles (ou filières) de la micro- et de l’optoélectronique :
Dans l’industrie de la micro- et de l’optoélectronique, il existe des grandes familles de matériaux dont les
destinations composants sont différentes :
1 – la filière du silicium Si pour des applications de microélectronique ; microprocesseurs
2 – la filière GaAs (microélectronique et surtout optoélectronique : diodes lasers des lecteurs CD,
émettant autour de λ = 830 nm à la limite du visible et de l’infrarouge) ;
3 - la filière InP (optoélectronique : diodes lasers utilisées dans les applications de télécommunication à
λ = 1.3 et 1.55 µm soit l’infrarouge) ;
4 – les filières IV-VI et II-VI (optoélectronique) ;
5 – les filières GaN (optoélectronique) et SiC (optoélectronique et composants de puissance) :
actuellement en plein développement.

Localisons ces atomes (Si, Ga, In, …) et ces dénominations (IV-VI, II-VI, …) dans la classification périodique
des éléments : voir tableau I.

Tableau I : Extrait de la classification périodique des éléments.

Groupe II Groupe III Groupe IV Groupe V Groupe VI

B bore C carbone N azote O oxygène
5 6 7 8
Al aluminium Si silicium P phosphore S souffre
13 14 15 16
Zn zinc Ga gallium Ge germanium As arsenic Se sélénium
30 31 32 33 34
Cd cadmium In indium Sn étain Sb antimoine Te tellurium
48 49 50 51 52
Hg mercure Pb plomb
80 82

IV
III-V
II-VI

IV-VI

Analysons les principales caractéristiques des matériaux semiconducteurs : voir tableau II.

24
Tableau II : Propriétés des principaux semiconducteurs à 300 K.
(D : diamant ; Z : zinc blende ; W : wurtzite ; R : sel)

type matériau Poids énergie structure paramètre point conductivité mobilité

(g.mol-1) de bande cristalline de maille de thermique des
-1 -1
interdite (Å) fusion (mW.cm .K ) électrons
(gap) (eV) (°C) (cm2.V-1.s-1)
élément diamant 12.01 5.47 D 3.567 3577 30 000 1800
IV
Ge 72.6 0.66 D 5.646 937 600 3900

Si 28.09 1.12 D 5.431 1415 1500 1500

binaires GaAs 144.63 1.43 Z 5.653 1238 460 8500

III-V
InP 145.79 1.35 Z 5.869 1062 700 4600

InAs 189.74 0.36 Z 6.058 943 260 33 000

AlAs 101.90 2.16 Z 5.665 1740 900 1200

GaP 100.69 2.26 Z 5.451 1480 1100 110

GaN 83.73 3.36 W 4.540 1500 656 380

InSb 236.57 0.17 Z 6.479 525 150 80 000

binaires ZnO 81.38 3.35 R 4.580 1975 234 200

II-VI
ZnS 97.44 3.68 Z 5.420 1827 270 165

CdSe 191.37 1.70 Z 6.050 1258 - 800

CdTe 240.01 1.56 Z 6.482 1097 60 1050

binaire SiC 40.1 3.00 W 4.360 1800 5000 400

IV-IV

La filière silicium :
Il n’est pas possible de fabriquer des composants émettant de la lumière à partir du silicium. En revanche, le
silicium est le matériau de base à partir duquel sont fabriqués les microprocesseurs, les microcontrôleurs, les
mémoires des ordinateurs. Le véhicule de l’information est l’électron. Tout est basé sur la mobilité des
électrons. La technologie du silicium représente 95% du marché de la microélectronique.

La filière GaAs :
On met dans cette famille tous les composants fabriqués à partir de Ga, Al et As. La filière GaAs donne des
applications en microélectronique (voir la mobilité des électrons dans GaAs plus élevée que dans le Si) mais on
ne compte que très peu de microprocesseurs GaAs paradoxalement (en fait, ils sont destinés à des applications
très spécifiques). En revanche, la filière GaAs occupe 50% du marché pour les applications optoélectroniques
de type laser. Lorsqu’on fabrique des structures LED ou lasers à partir d’alliages GaAlAs, on obtient une
25
lumière de longueur d’onde à la limite du visible et de l’infrarouge (λ ≈ 0.8 µm) qui est celle utilisée pour les
lectures de disques CD. voir page 15 les longueurs d’onde exactes utilisées dans les platines CD et DVD

La filière InP :
On met dans cette famille tous les composants fabriqués à partir de In, P, Ga et As. Ils sont destinés aux
applications optoélectroniques pour les télécommunications. Lorsqu’on fabrique des structures lasers à partir
d’alliages (In,Ga)-(As,P), on obtient une lumière de longueur d’onde λ ≈ 1.3 µm ou 1.55 µm (en fonction de la
composition de l’alliage) qui est celle utilisée pour les télécommunications par fibre optique, car elles
correspondent au minimum de perte et de dispersion dans les fibres optiques utilisées (verres de silice fluorés).
La filière InP donne également toutes les LED jaunes, orangées et vertes utilisées dans les panneaux
d’affichage ou les feux tricolores.

Les filières IV-VI et II-VI :

On met dans la famille IV-VI tous les composants fabriqués à partir d’alliages (Pb,Sn)-(Te,Se). Ils sont utilisés
pour fabriquer des détecteurs IR (IR lointain) photovoltaïques pour des longueurs d’onde allant de 3 à 5 µm
(avec du Se) et de 8 à 12 µm (avec du Sn) (ex. : lunettes de détection IR utilisées la nuit – le corps humain émet
à 10 µm). On réalise des capteurs photoconducteurs pour cette gamme de longueurs d’onde également avec des
II-VI à base de (Cd,Hg)-Te, mais les conditions de fabrication sont draconiennes à cause du risque d’explosion
lié à l’utilisation du mercure Hg.

Les filières GaN et SiC :

Si on relit les paragraphes précédents, on s’aperçoit qu’il manque les courtes longueurs d’onde (voisines de 0.4
et 0.5 µm, bleues et violettes). Pour obtenir de telles radiations lumineuses, il faudrait utiliser des alliages à base
de (Ga,In)-(N,As) ou encore des II-VI ((Zn,Cd)-(Se,S)) ou encore du SiC. Il existe d’énormes problèmes de
fabrication de lasers à partir des II-VI (on les appelle les lasers allumettes). En fait, l’utilisation des II-VI pour
ce type d’application a été abandonnée. A l’heure actuelle, il existe des LED bleues (voir la place de la Victoire
à Clermont-Ferrand la nuit), et blanches fabriquées à partir de SiC et de GaN. Par contre, on butte toujours sur
la fabrication de lasers bleus à partir de GaN. On verra pourquoi au paragraphe IV. La société Nichia au Japon
est néanmoins prête à commercialiser les premiers lasers bleus. Le matériau GaN est un matériau à part comme
on le verra plus tard. Il permet de fabriquer des LED très lumineuses et presque blanches. On parle très
sérieusement de remplacer nos ampoules classiques par des LED blanches GaN aussi lumineuses et
consommant beaucoup moins d’électricité (c’est en gigawatts que l’on compte l’économie réalisée rien que
pour l’éclairage public urbain pour un pays tel que le Japon) ! Voir le tableau III.

Tableau III : Caractéristiques comparées des ampoules classiques et des LED.

ampoules classiques LED

puissance consommée
rouge 18 Watt
70 Watt jaune 20 Watt
bleu-vert 35 Watt
intervalle de remplacement
6 … 12 mois 5 … 10 ans
mode d’extinction
soudain et total diminution progressive de l’intensité
critères d’utilisation
usage de filtres de couleur, de réflecteurs utilisation directe
de couleur

Au paragraphe suivant, nous allons voir comment on fabrique un laser à semiconducteur.

26
IV. LA FABRICATION DES STRUCTURES LASERS PAR CROISSANCE CRISTALLINE OU
EPITAXIE.

Les structures lasers à semiconducteurs sont des sandwiches constitués d’un empilement de couches
semiconductrices de composition, de dopage et d’épaisseur différents : voir figure 3 du § III pour un laser de la
filière GaAs. Le but est d’emprisonner dans la couche active photons et porteurs de charge. Ce but est atteint
par des hétérojonctions dans lesquelles la couche active est entourée de couches à indice de réfraction plus
faible et des couches qui repoussent les porteurs de charge vers la couche active. D’où la structure en sandwich.
Le volume actif est très petit : son épaisseur est de l’ordre de 0.2 à 2 µm, sa largeur de 5 µm et sa longueur de
250 µm. Les faces avant et arrière servent de miroirs (l’indice de réfraction étant élevé, on peut atteindre 30%
de réflexion) et la lumière sort aux deux extrémités à travers ces faces. Comme la dispersion angulaire du
faisceau est inversement proportionnelle aux dimensions de la fenêtre, le demi-angle d’ouverture devient 20°
dans le sens parallèle aux couches et 35° dans le sens perpendiculaire. Le faisceau sortant a une polarisation
linéaire de l’ordre de 90% : le vecteur électrique, perpendiculaire au faisceau lumineux, est dans le plan de la
couche active.

Ces structures sont fabriquées par croissance cristalline (car les semiconducteurs sont des cristaux, voir §
V) ou épitaxie.

On fabrique ces structures en déposant successivement les couches sur un support appelé substrat. Pour les
filières GaAs et InP, les supports sont respectivement des substrats de GaAs et InP. Ces substrats se présentent
sous la forme de galettes (ou plaquettes) rondes de diamètre variable comptabilisé en pouce (2,3,4,et 6 pouces,
avec 1 pouce = 2.54 cm) et d’épaisseur variant de 350 à 700 µm. Ces tranches sont découpées dans des lingots
monocristallins de GaAs ou d’InP (comme on découpe des tranches de saucisson !). Ces lingots sont obtenus à
partir d’un bain liquide (on dit encore fondu) qu’on solidifie. processus de solidification

IV.1 : Première étape de fabrication : la fabrication de substrats monocristallins par les techniques de
croissance volumique en bain fondu.
On peut distinguer deux types de technologie pour la fabrication de lingots monocristallins.

Les méthodes de type « four » :

Un bain contenant les éléments chimiques Si, Ga ou In par exemple est placé dans une nacelle de quartz. Dans
ce bain, on plonge un germe (ou amorce) monocristallin. La nacelle et une quantité d'éléments V (pour la
fabrication de substrats III-V comme GaAs ou InP) sont placés dans une ampoule de quartz elle-même placée
dans un four multi-zones. En général, il s'agit de deux zones : une zone où est placée une poudre d'As ou de P
qui s'évaporera au sein de l'ampoule et une zone contenant la nacelle de bain liquide. Le cristal est formé
progressivement à partir de l'amorce par abaissement progressif de la température dans cette dernière zone.

four zone 2
T2 T1 four zone 1

As

bain liquide de Ga germe cristallin de GaAs

Les gradients thermiques appliqués ici sont faibles : la solidification a lieu lentement à raison de moins de
1 mm par minute, ce qui a pour conséquence de conduire à des taux de défauts dans les solides ainsi synthétisés
27
peu élevés. En fait la règle de fabrication est la suivante : plus on solidifie vite, plus on introduit de défauts
cristallins.

Les méthodes de tirage :

La technique originellement développée par Czochralski consiste à tirer
progressivement (par rotation) une amorce monocristalline d'un bain fondu germe
contenu dans un creuset de nitrure de bore (PBN) :

B2O3
bain liq.

creuset PBN

On place au-dessus du creuset un bouchon d'oxyde de bore (B2O3) qui forme à haute température une pellicule
visqueuse en surface du bain qui permet d'empêcher l'évaporation des éléments volatiles du bain. La technique
de Czochralski est en conséquence également dite encapsulée (liquid-encapsulated Czochralski (LEC)). Le tout
est effectué sous une atmosphère ambiante contrôlée de gaz inerte permettant de respecter la stoechiométrie des
matériaux. Le gradient thermique appliqué (seul le bain est chauffé, le cristal est progressivement tiré vers une
zone non chauffée) est très fort (quelques 60 à 80°C par cm) ; ceci conduit à des taux de défauts plus élevés que
pour les méthodes « four ». On peut diminuer le taux de défauts en tirant plus vite au début le cristal (ce qui
diminue la section de cristal fabriqué et donc diminue le taux de défauts à transmettre). Après cette zone de
transition qui ne sera donc pas exploitée par la suite (soit non découpée), on peut tirer moins vite le cristal et
fabriquer des lingots de 2, 3 ou 6 pouces de diamètre. Les tirages sont effectués à raison de 1 à 5 mm/min pour
une rotation de la tige de 15 tours/min et une rotation inverse du creuset à 10 tours/min.

Les lingots ainsi obtenus par solidification sont de « bonne » qualité cristallographique, caractérisée par des
taux de défauts (appelés dislocations) variant de 102 à quelques 104 cm-2. La qualité 104 cm-2 est suffisante pour
assurer le support de la future structure de type microprocesseur. Mais il faut la qualité 102 cm-2 pour un
sandwich laser, car la présence d'une trop grande quantité de défauts empêche l'émission laser. Il existe en fait
plusieurs variantes de la méthode de solidification exposée plus haut, chacune d’elles conduisant à des lingots
de plus ou moins grande qualité, et donc plus ou moins chers (une plaquette de 3 pouces de Si coûte 20 $, une
plaquette de 3 pouces de GaAs coûte de 600 à 900 $, une plaquette de 1 pouce de SiC coûte 2500 $).

Note : les substrats de silicium utilisés dans l’industrie sont beaucoup plus grands (9, 12 pouces voire 16 pouces
actuellement à l’essai pour des lingots pesant 400 kg) que ceux utilisés dans l’industrie des III-V.

IV.2 Deuxième étape : l’épitaxie des structures lasers.

Il existe plusieurs techniques d’épitaxie. Nous ne parlerons ici que de deux techniques (qui sont en fait utilisées
dans l’industrie pour fabriquer les LED et les lasers III-V). On les appelle :

Epitaxie en phase vapeur (EPV, ou en anglais VPE pour Vapour Phase Epitaxy)
Et
Epitaxie par jets atomiques ou moléculaires (EJM, ou en anglais MBE pour Molecular Beam Epitaxy).

Comme leur nom l’indique, pour la première, il est question de phase vapeur ou gaz, pour la seconde, il est
question de jets atomiques. En fait, cette dénomination correspond au type de la phase mère à partir de laquelle
on va réaliser l’empilement de couches solides. Dans le premier cas, on va passer d’une phase gazeuse à une
phase solide :
28
 phase vapeur phase solide ou condensée
cela s’appelle une condensation (l’inverse est une sublimation).

Pour le deuxième cas, on passe d’une famille de jets atomiques (ou moléculaires) à la phase solide :
jets atomiques phase solide ou condensée

c’est toujours une condensation, car un jet atomique est aussi un gaz mais particulier : il est obtenu dans des
conditions de ultra haut vide (ultra high vacuum en anglais, UHV) à 10-11 torr. Les différences entre un gaz à
pression atmosphérique et un gaz sous haut vide sont les suivantes. Dans un gaz sous conditions normales de
pression et de température, il y a 2,7 × 1019 particules dans un centimètre cube à pression et température
ambiantes qui sont en mouvement continuel, avec des parcours en «zigzag» uniformément répartis dans
l’espace. Cet état désordonné est appelé chaos moléculaire. Il y a des collisions incessantes entre les molécules.
On peut ordonner ce chaos. Pour ceci, on met un réservoir de gaz en communication directe avec une enceinte à
vide à travers un petit orifice. On produit alors une effusion dite thermique qui correspond à un jet d’atomes ou
de molécules unidirectionnel et sans collision. Cela dépend des dimensions relatives du diamètre D de l’orifice
et du libre parcours moyen  des molécules dans le réservoir, qui est la distance moyenne parcourue entre deux
collisions successives. Si  est plus grand que D (à faible pression dans le réservoir, par exemple 10–2 mbar à
température ambiante, pour D = 1 mm), les molécules s’échappent isolément et sans collisions à travers
l’orifice. Cette ouverture se comporte alors comme une source lumineuse en produisant des rayons
moléculaires. Il suffit de les diaphragmer pour former un faisceau moléculaire thermique dont l’énergie
cinétique demeure inférieure à 0,5 électronvolt (eV), même si le gaz dans le réservoir est à une température de
3 000 K.

Dans la partie qui suit, nous allons traiter uniquement de la technique d’épitaxie en phase vapeur. Les principes
exposés ici sont de toute façon applicables pour la technique EJM.

Supposons que l’on veuille déposer du GaAs : on veut fabriquer une couche de GaAs de 10 µm d’épaisseur sur
un substrat de GaAs à partir d’une phase gazeuse. Comment procéder ? Ce sera vu en cours ensemble. Nous
allons mettre en oeuvre une démarche scientifique (ayant pour but ici la fabrication d’un produit solide) depuis
le départ. Il faudra être attentif à toutes les étapes :
1 – observation du phénomène physique ou identification du produit,
2- recherche et identification des paramètres (qu’est ce qu’un paramètre ?),
3- identification des paramètres influants (ceux dont les variations engendrent des conséquences visibles,
notables) donc élimination dans un premier temps des paramètres identifiés comme négligeables,
4- détermination des variations corrélées des paramètres,
5- traduction en langage mathématique (on pose les équations pertinentes en fonction des variations observées
et reliant les paramètres significatifs dégagés),
6- résolution (si c’est possible) de manière analytique exacte ou numérique approchée les systèmes d’équations
écrits,
7- et enfin utilisation du phénomène ou process défini ici pour la fabrication d’un produit solide.

Dans l’exemple du process d’épitaxie, nous allons en fait pouvoir faire de la physique mais aussi résoudre des
problèmes techniques.

Résumons les problématiques dégagées :

- la nature nous impose des gaz existants à une pression et à une température données. A partir de ces
gaz, nous écrivons une réaction chimique équilibrée. Pour déterminer dans quel sens la réaction
s’effectue, on doit mener des calculs thermodynamiques (calcul de la variation d’enthalpie libre à
pression constante (cf. cours de chimie) et de la constante d’équilibre) en fonction de la température.
On doit également vérifier si la réaction est exothermique ou endothermique.
- On peut alors construire la machine de croissance appelée plutôt un bâti ou un réacteur d’épitaxie.
Nous disposerons des bouteilles de gaz contenant les gaz actifs, les gaz neutres éventuellement et
nous devrons amener les gaz jusqu’au réacteur dans des canalisations qui ne se dégradent pas (en
inox). Nous devrons contrôler les concentrations des gaz injectés grâce à des débitmètres qui
donneront des volumes injectés par unité de temps (par exemple : le cm3.min-1 très usité et

29
 abusivement dénommé cc ou sccm (standard centimeter cube per minute)). Le réacteur doit pouvoir
supporter d’être chauffé à très haute température (la thermodynamique nous indique que la réaction
de dépôt de GaAs à partir des gaz que nous avons choisis a lieu pour des températures de quelques
700°C) sans se décomposer et sans se dilater car des tubes d’amenée des gaz sont connectés sur le
réacteur et il faut que les connexions demeurent étanches. Il faudra prévoir un système d’évacuation
des gaz qui ne se seront pas condensés et bien sûr un système de chauffage.

Dispositif expérimental :

Epitaxie en phase vapeur aux Hydrures ou HVPE (Hydride Vapour Phase Epitaxy) : ici, on envoie des
gaz qui contiennent les éléments atomiques de la couche solide à réaliser sur le substrat. On peut le faire à
pression atmosphérique, ou sous un vide léger (Patm/10 000). Travailler à pression totale plus faible permet
d'améliorer le transfert de masse dans la phase gazeuse, c'est à dire que les molécules gazeuses diffusent
mieux au sein de la phase gazeuse. Comme il est difficile de trouver un gaz monoatomique à pression
atmosphérique et aux températures de réaction nécessaires (750°C pour GaAs par exemple), on part toujours
de gaz complexes appelés précurseurs de croissance : AsH3g pour amener l'élément As, GaClg pour amener
l'élément Ga. C'est au niveau des processus microscopiques atomiques d'échanges entre les gaz et la surface
du substrat que l'on comprendra comment on se débarrasse des H et des Cl étrangers. Les gaz actifs, c'est à
dire ceux qui transportent les éléments atomiques désirés dans la couche : Ga, In, As et P et les dopants Si et
Zn, sont poussés par un gaz neutre dit vecteur (ici de l'H2) à un débit de 3 ℓ/min. Ce procédé permet un large
choix de vitesses de croissance de 5 µm/h à 100 µm/h. On comprendra pourquoi à la partie thermodynamique
et microscopique du cours. La vitesse de dépôt standard est de 30 µm/h.

L'analyse physique (thermodynamique et cinétique) de la croissance par épitaxie HVPE sera effectuée au
paragraphe VI. Intéressons nous d'abord à ce qui se passe au niveau microscopique.

30
 V. LE PROCESSUS DE CROISSANCE CRISTALLINE A L’ECHELLE ATOMIQUE.
Descendons à l’échelle de l’atome, pour donner une description de ce qui se passe à l’interface entre la phase
vapeur et la phase solide qui est fabriquée par croissance.

Schéma de principe général :

désorption
adsorption

décomposition

diffusion

Comment les atomes s’accrochent-ils ?

Comme on peut le voir sur la figure suivante, un semiconducteur apparaît comme une structure très ordonnée.
On parle alors de structure cristalline : un cristal par opposition à un verre, est un solide ordonné à longue
distance. Tous les atomes sont liés entre eux par quatre liaisons toujours situées deux à deux dans deux plans
perpendiculaires. Lorsqu’on va casser le solide semiconducteur cristallin, on va au niveau microscopique casser
des liaisons. Si on applique une contrainte en deux points sur une plaquette de cristal, la cassure sera droite car
toutes les liaisons atomiques brisées seront orientées dans la même direction.

31
 z

Si

VI. ANALYSE PHYSIQUE DE LA CROISSANCE.

VI.1 Analyse thermodynamique de la réaction de formation de GaAs :

La nature fait toujours aller

GaClg + As4g + 1/2 H2g # GaAs + HClg
dans le sens :
du plus énergétique vers le moins
deltaG(T) = ΔG(T) = G(F) - G(I)
énergétique.
Tant que ΔG(T) < 0, alors il se forme du GaAs.

& ΔG(T ) # ∏ a F PHCl

K (T ) = exp$$ − !! = = tant que ΔG(T) < 0, alors K(T) > 1 et F > I
% k BT " ∏ a I PGaCl PAs1 /44 PH1 /22

32
 deltaG(T)
sens énergie du solide - énergie des gaz
8000

6000
à haute T, on favorise la
sublimation du solide
4000
delta G Cal/mol

2000

0 deltaG(T)
800 850 900 950 1000 1050 1100 1150 1200
-2000

-4000

-6000
à basse T, on favorise la
formation du solide (logique !)
-8000
Température (K)

K (F/I)

70
60
50
K équilibre

40
K (F/I)
30
20
10
0
800 850 900 950 1000 1050 1100 1150 1200
T (K)

VI.2 Analyse cinétique de la réaction de formation de GaAs :

Décomposition de la réaction globale de dépôt en quatre étapes :

GaClg + 1/4 As4g + 1/2 H2g $ GaAs + HClg

As4g $ 2 As2g (R1)

2V + As2g $ 2 As ou 4V + As4g $ 4 As (R2)

As + GaClg $ AsGaCl (R3)

1
AsGaCl + H2g $
H 2g AsGa + HClg +
(R4)
2
(V est un site vacant de la surface ; les espèces gazeuses sont indicées g et les espèces adsorbées sur la surface
n’ont pas d’indice).

33
 Cl
H
H H
Cl Cl
Ga Ga Ga Ga

V V V As As As As As As As

Analyse des variations de la vitesse de croissance en fonction de la température :

(001) GaAs : LASMEA

627°C 750°C 800°C

50
d’accord avec la thermodynamique
40 macroscopique. Car en fait, celle ci
ne tient compte que du phénomène
R ( µm/h )

30 microscopique d’adsorption/désorption,
pas d’accord avec et ne modélise pas la décomposition et
la thermodynamique la diffusion !
20
macroscopique
10

0
900 920 940 960 980 1000 1020 1040 1060 1080

T (K)
Commentaires :
L’adsorption est favorisée à basse température ; la désorption, la décomposition et la diffusion sont au contraire
faibles à basse température et favorisées quand la température augmente.
D’où :

A basse température (entre 900 et 980 K), la thermodynamique nous dit qu’à l’équilibre la réaction est fortement
translatée vers le dépôt solide (ΔG(T)<0). Mais il faut tenir compte de la cinétique des réactions (= vitesse
d’établissement des réactions) mises en jeu au niveau microscopique. Pour évaluer cette cinétique, il faut déterminer
les flux d’adsorption, de désorption etc… A basse température beaucoup de molécules sont adsorbées sur la surface,
MAIS elles se décomposent très lentement (rappel : un As4 doit libérer quatre atomes indépendants d’As, et un GaCl
adsorbé doit perdre son Cl) et ne peuvent être désorbées. D’où : on observe une vitesse de dépôt faible (inférieure à
10 µm/h) due à une quantité de matière première adsorbée non décomposée trop importante. La présence de ces
complexes non décomposés bloque la surface (on peut ajouter le fait qu’à basse température, les ad-molécules ou
ad-atomes ne diffusent que très lentement vers les sites d’accrochage, mais cette limitation par diffusion est en fait
négligeable par rapport à la limite citée précédemment, à savoir la limite due à la décomposition des ad-espèces).

Au fur et à mesure que la température s’élève, la vitesse de croissance augmente car la cinétique de décomposition
des ad-espèces sur la surface augmente à son tour ainsi que la désorption des produits de décomposition. D’où : la
surface n’est plus bloquée (chaque GaCl adsorbé perd très facilement son Cl qui se désorbe très facilement avec de
l’H). La diffusion étant elle aussi favorisée, les ad-atomes diffusent loin sur la surface pour trouver un site
d’accrochage. On peut observer alors des vitesses de croissance de l’ordre de 50 µm/h.

Peu après 1020 K, la vitesse de croissance chute. Les calculs thermodynamiques l’avaient prédit (voir limite
thermodynamique sur le graphe) car alors ΔG(T)>0. Ceci est traduit au niveau microscopique par le fait que : très peu
de molécules gazeuses s’adsorbent à haute température, et le cas échéant, elles se désorbent très vite (parfois même
avant d’avoir pu être décomposées). Même si les processus de décomposition et de désorption (des produits de
décomposition) sont eux très largement favorisés, il manque tout simplement de la matière première sur la
surface. La vitesse de croissance chutera donc très vite vers zéro.
34