E

Semi-conducteurs

AG
et
Électronique Analogique
(Examens Corrigés)

TH
année universitaire 2018-2019
AR

RIHANI Anis

LOUSSAIEF Noura
I-C
EN

[Link]@[Link]

1
TABLE DES MATIÈRES Département Ing. Info.

Table des matières

E
1 Devoir Surveillé 2013-14 2

2 Examen Principal 2013-14 11

AG
3 Examen de Rattrapage 2013-14 18

4 Devoir Surveillé 2014-15 22

5 Examen Principal 2014-15 25

6 Examen de Rattrapage 2014-15 31

9
TH
Devoir Surveillé 2015-16

Examen Principal 2015-16

Examen de Rattrapage 2015-16

36

38

45

10 Devoir Surveillé 2016-17 49

AR
11 Examen Principal 2016-17 53

12 Examen de Rattrapage 2016-17 60

13 Devoir Surveillé 2017-18 65

14 Examen Principal 2017-18 69

I-C

15 Examen de Rattrapage 2017-18 74

EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 1

1 DEVOIR SURVEILLÉ 2013-14 Département Ing. Info.

1 Devoir Surveillé 2013-14

E
Exercice 1
On étudie un cristal de germanium que l’on veut utiliser en tant que cap-
teur résistif de température, c’est-à-dire thermistance. Le germanium est un

AG
élément de la colonne IV du tableau périodique situé en dessous du silicium.
I- Densités des électrons et des trous
La densité des électrons (respectivement des trous) d’un semi-conducteur ho-
mogène à l’équilibre thermodynamique peut être évaluée à partir de la den-
sité d’états Dn (E) (resp. Dv (E)) susceptibles d’être occupés par les électrons
(resp. par les trous), et d’autre part de la probabilité fn (E) (resp. fp (E)) d’oc-
cupation par un électron (resp. un trou). On définit les niveaux suivants : Ec

- fn (E) =
1 2m∗

1 2mp
TH
le niveau bas de la bande de conduction, Ev le niveau haut de la bande de
valence et EF le niveau de Fermi. On rappelle :
- Dn (E) = 2 ( 2n )3/2 (E − Ec )1/2
2π } ∗
- Dp (E) = 2 ( 2 )3/2 (Ev − E)1/2
2π }
1
E−EF
1+exp( KT )
1
- fp (E) =
AR
E −E
1+exp( F )
R ∞ √ KT−x π
On donne 0
xe dx =
2
1/ Exprimer la densité des électrons n dans la bande de conduction en fonc-
tion de la densité d’états et de la probabilité d’occupation.
2/ Montrer que la densité des électrons dans la bande de conduction peut se
mettre sous la forme n = Nc exp(−(Ec − EF )/KT ). Préciser les hypothèses
utilisées et déduire l’expression de Nc .
I-C

3/ Par analogie avec les électrons, montrer que la densité des trous dans la
bande de valence peut se mettre sous la forme p = Nv exp(−(EF − Ev )/KT ).
Déduire l’expression de Nv .
4/ Exprimer le produit des concentrations des électrons et des trous. Déduire
la densité des porteurs intrinsèques à l’équilibre thermodynamique.
5/ Exprimer le niveau de fermi intrinsèque EF i en fonction de Ec , Ev , Nc et
Nv .
EN

II- Étude du matériau en fonction de la température

Dans la suite on négligera les variations de Nc et de Nv en fonction de la
température. Le germanium est dopé avec de l’indium (atome accepteur).
On donne la concentration d’atomes ionisés en fonction de la température :
Na− = Na
1+exp((Ea −EF )/KT )
.

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 2

1 DEVOIR SURVEILLÉ 2013-14 Département Ing. Info.

1/ Expliquer l’expression de Na−

E
2-a/ On se place dans le domaine des températures faibles définit par T<Tmin
−EF
tel que np et exp( EaKT )  1. Écrire l’équation de la neutralité électrique
et déterminer l’expression de la position du niveau de Fermi en fonction de

AG
Ev , Ea , Na , Nv et KT. En remplaçant EF par son expression, réécrire l’ex-
pression de p en fonction de Ev , Ea , Na , Nv et KT.
2-b/ On se place dans le domaine des températures moyennes définit par
Tmin<T<Tmax tels que tous les atomes accepteurs sont ionisés et np.
Écrire l’équation de la neutralité électrique et déterminer l’expression de la
position du niveau de Fermi en fonction de Ev , Na , Nv et KT.
2-c/ On se place dans le domaine des températures élevées définit par T>Tmax
tel que n=p=ni. Déterminer l’expression de la position du niveau de Fermi

TH
en fonction de Ec , Ev , Nc , Nv et KT.
3/ En appliquant la continuité de la concentration des trous avec la température,
déterminer les expressions de Tmin et de Tmax .
4/ Tracer l’allure de ln(p) en fonction de 1/T et définir les trois régimes
trouvés.

Exercice 2 Étude d’une alimentation stabilisée

AR
A/ Étude d’un circuit redresseur
Considérons un circuit comportant un pont de diodes constitué de quatre
diodes identiques supposées idéales et un résistor de résistance R0 . La ten-
sion d’entrée est V1 (t) = V01 sinωt et la tension de sortie V2 (t) est prise aux
bornes de R0 comme indiquer sur la figure suivante :
I-C
EN

On donne V01 = 16.9V et R0 = 200Ω.

a/ Indiquer les diodes passantes et les diodes bloquées pendant les alter-
nances positive et négative
b/ Tracer la courbe représentative de la tension V2 (t)
c/ Calculer la valeur moyenne V2m de la tension V2 (t).

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 3

1 DEVOIR SURVEILLÉ 2013-14 Département Ing. Info.

B/ Circuit stabilisateur

E
Le pont alimente maintenant une branche contenant une diode Zener placée
en série avec R0 comme l’indique la figure ci-dessous. La caractéristique de
la diode Zener en polarisation inverse est assimilée à une droite passant par

AG
les points : (Iz1 = −10mA; Vz1 = −5V ) et (Iz2 = −100mA; Vz2 = −5.9V ).

TH
a/ Représenter l’allure de la caractéristique I-V d’une diode Zener
AR
b/ Déterminer l’équation de la caractéristique de la diode Zener (lien entre
Uz et Iz ) en polarisation inverse et déduire la valeur de la tension Zener.
c/ Déterminer la valeur du courant qui traverse le circuit (on négligera la
résistance dynamique dans le montage équivalent).
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 4

1 DEVOIR SURVEILLÉ 2013-14 Département Ing. Info.

Corrigé du Devoir Surveillé 2013-1014

E
Exercice 1
I- Densités des électrons et des trous
1/ La densité des électrons dont l’énergie est comprise entre E et E+dE dans

AG
la bande de conduction (BC) est égale au nombre de places disponibles par
unités d’énergie et de volume, qui est la densité d’états Dn (E), multiplié par
la probabilité d’occupation d’une place par un électron, multiplié par dE :
dn = Dn (E)fn (E)dE
La densité des électrons s’obtient en intégrant entre le niveau bas de la BC
et l’infini :

TH R∞
n = Ec Dn (E)fn (E)dE
2/ Pour un semi-conducteur non dégénéré avec un niveau de Fermi EF suf-
fisamment loin des extrémités des bandes Ec et Ev (|E − EF | > 3KT ), la
probabilité d’occupation devient :
EF − E
fn (E) = exp( )
KT
AR
L’intégrale devient
R ∞ 1 2m∗n 3/2 EF − E
n= Ec 2
( 2 ) (E − Ec )1/2 exp( )dE
2π } KT
1
On pose x = E − Ec et β = KT
,
1 2m∗n 3/2 EF − Ec R ∞ 1/2
n= ( ) exp( ) 0 x exp(−βx)dx
I-C

2π 2 }2 KT
On pose y = βx,
1 2m∗n 3/2 EF − Ec 3/2 R ∞ √ −y
n= 2
( 2 ) exp( )β 0
ye dy
2π } ∗
KT
2m KT EF − Ec
= 41 ( n 2 )3/2 exp( )
π} KT
Sachant que chaque état peut contenir deux électrons de spins opposés, la
EN

densité des électrons s’écrit finalement

2m∗n KT 3/2 EF − Ec
n = 21 ( ) exp( )
π}2 KT
2m∗n KT 3/2
En posant Nc = 12 ( ) appelée densité effective des électrons dans
π}2
la BC, on obtient

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 5

1 DEVOIR SURVEILLÉ 2013-14 Département Ing. Info.

−Ec
n = Nc exp( EFKT )

E
3/ Par analogie avec le cas des électrons, la densité des trous dans la (BV)
s’écrit

AG
EF − E
dp = Dp (E)fp (E)dE avec fp (E) = exp( )
∗
KT
1 2mp Ev − EF 3/2 R ∞ √ −y
⇒ p = 2 ( 2 )3/2 exp( )β 0
ye dy
2π } ∗
KT
2mp KT 3/2 Ev − Ef
⇒ p = 21 ( ) exp( )
π}2 KT
2m∗p KT 3/2
En posant Nv = 21 ( ) appelée densité effective des trous dans la
π}2
BV, on obtient

np = Nc Nv exp( EFKT
TH
−Ec −EF
)exp( EvKT
−EF
p = Nv exp( EvKT )
4/ Le produit des densités des porteurs de charges s’écrit
−Ec
) = Nc Nv exp( EvKT ) = Nc Nv exp( −E
KT
g
)
avec Eg est l’énergie du gap. Par définition la densité intrinsèque est la quan-
AR
tité
√ √ −Eg
ni = np = Nc Nv exp( 2KT )
5/ Pour un semi-conducteur intrinsèque la densité des électrons dans la BC
est égale à la densité des tous dans la BV, ce qui donne
−Ec −EF
Nc exp( EFKT ) = Nv exp( EvKT )
I-C

d’où la position du niveau de Fermi intrinsèque

Ec +Ev KT
EF i = 2
+ 2
Ln( Nv
Nc
)
II- Etude du matériau en fonction de la température
1/ La présence des atomes accepteurs dans le volume du matériau se traduit
par l’apparition d’un niveau énergétique accepteur Ea dans le gap et proche
de la bande de valence. Lorsque l’atome accepteur accepte un électron de
EN

la bande de valence, il devient un ion négatif. L’électron occupe le niveau

accepteur dans le gap. La probabilité d’avoir un atome ionisé est donc la
probabilité d’occupation d’un niveau d’énergie Ea donnée par
1
fn (Ea ) = Ea −EF
1+exp( KT
)

d’où

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 6

1 DEVOIR SURVEILLÉ 2013-14 Département Ing. Info.

Na− = fn (Ea )Na = Na

E
E −E
1+exp( aKT F )

2-a/ L’équation de la neutralité s’écrit

n + Na− = p

AG
Pour T < Tmin et n  p, on aura : Na− = p.
En remplaçant les deux membres de cette égalité par leurs expressions, on
obtient
−EF −EF
Na
Ea −EF = Nv exp( EvKT ) avec exp( EaKT )1
1+exp( KT
)
v −2EF
soit, exp( Ea +EKT )= Na
Nv
Ea +Ev KT Nv
⇒ EF = + ln N

TH 1/2
2

Ev −Ea
⇒ p = (Na Nv ) exp( 2KT )
2 a

Par la suite en remplaçant EF par son expression dans l’expression de p, on

obtient
Nv −1/2
p = Nv exp[(Ev − EF )/KT ] = Nv exp[Ev /KT ]exp[−(Ev + Ea )/2KT ]( N a
)

2-b/ Pour Tmin < T < Tmax tels que tous les atomes accepteurs sont io-
AR
nisés (Na− = Na ) et n  p, l’équation de la neutralité s’écrit : p = Na . En
remplaçant p par son expression, on aura
−EF
Na = Nv exp( EvKT Nv
) ⇒ EF = Ev + KT ln( N a
)
2-c/ Pour T > Tmax avec n = p = ni , on a
−Ec −EF
Nc exp( EFKT ) = Nv exp( EvKT )
Ec +Ev KT
⇒ EF = 2
+ 2
Ln( Nv
Nc
)
I-C

3/ La continuité de la densité des trous en fonction de T pour T = T min

s’écrit
*) p(T −→ T min− ) = p(T −→ T min+ )
Ev −Ea
⇒ (Na Nv )1/2 exp( 2KT min
) = Na
Ev −Ea Na 1/2 Ev −Ea
⇒ exp( 2KTmin ) = ( Nv ) ⇒ 2KT min
= 12 ln( N
Nv
a
)
Ev −Ea
⇒ KTmin = ln( N a)
EN

Nv

et pour T = T max
*) p(T −→ T max− ) = p(T −→ T max+ )
√ −Eg Eg
√
Nc Nv
⇒ Na = ni = Nc Nv exp( 2KTmax
) ⇒ exp( 2KTmax
)= Na

Eg
⇒ KTmax =
ln( NNc N2 v )
a

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 7

1 DEVOIR SURVEILLÉ 2013-14 Département Ing. Info.

E
AG
TH
4/ on a :
AR
v −Ea
*) ln(p) = E2KT + 12 ln(Na Nv ) pour T < Tmin ⇒ ln(p) = f (1/T ) une droite
Ev −Ea
de pente 2K
*) ln(p) = ln(Na ) pour Tmin < T < Tmax
−Eg
*) ln(p) = 2KT + 21 ln(Nc Nv ) pour T > Tmax ⇒ ln(p) = f (1/T ) une droite
−Eg
de pente 2K

Exercice 2
I-C

A/ Étude d’un circuit redresseur

a/ Pendant l’alternance positive les diodes D1 et D3 sont passantes alors que
les diodes D2 et D4 sont bloquantes. Pendant l’alternance négative les diodes
D1 et D3 sont bloquantes alors que les diodes D2 et D4 sont passantes. Dans
les deux cas la résistance R0 est parcourue par le même courant.
b/ V2(t) =| V1 (t) |
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 8

1 DEVOIR SURVEILLÉ 2013-14 Département Ing. Info.

E
AG
TH
c/ La tension V2 (t) est périodique de période T /2, donc
R T /2
V2moy = T1/2 0 V1 (t)dt (entre 0 et T/2 V1 (t) est positive)
AR
1
R T /2 V01 2V01
⇒ V2moy = T /2 0
V01 sinωtdt = π
[cos 2π t]0
T T /2
= π

B/ Circuit stabilisateur
a/
I-C
EN

b/ En polarisation inverse l’équation de la droite (hachurée sur la figure)

est : Iz = Urzz + Vrzz

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 9

1 DEVOIR SURVEILLÉ 2013-14 Département Ing. Info.

avec rz la résistance dynamique qui est l’inverse de la pente, et Vz est la

E
tension Zener.
On a donc : r1z = ∆U ∆Iz
z
= −100+10
−5,9+5
10−3 = 10−1 Ω −1 ⇒ rz = 10Ω.
La tension zener s’obtient à partir de l’équation de la droite :

AG
Iz1 = Urz1
z
+ Vrzz ⇒ Vz = −Uz1 + rz Iz1 = 5 + 10(−10−2 ) = 4, 9V
c/ Puisque V2 est positive la diode est polarisée en inverse.
*) pour V2 < Vz = 4, 9V , la diode se comporte comme un interrupteur ouvert
et le courant est nul
*) pour V2 > Vz = 4, 9V , la diode se comporte comme une f.e.m Vz et en
négligeant la résistance dynamique de la diode, le montage équivalent devient

TH
AR
Le courant s’écrit
i(t) = V2R−V
0
z
= V01 |sin(ωt)|−V
R0
z
= im sin(ωt) avec im = 16,9−4,9
200
= 0, 06mA
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 10

2 EXAMEN PRINCIPAL 2013-14 Département Ing. Info.

2 Examen Principal 2013-14

E
Exercice 1
On considère un matériau à base de Silicium (Si) dopé avec les densités
NA = 5.1018 cm−3 et ND = 1016 cm−3 . Supposons qu’à la température am-

AG
biante tous les dopants sont ionisés.
Calculer la densité de courant de dérive pour un champ appliqué de l’ordre
de 10V/cm. On donne µn = 1350 cm2 .V −1 .s−1 ; µp = 480 cm2 .V −1 .s−1 .
Exercice 2 Étude d’une jonction PN
1/ diode à l’équilibre thermique
On considère une diode à jonction PN à base de Silicium (Si). Dans le com-
partiment P (x < 0) la densité des accepteurs est : NA = 5.1018 cm−3 . Dans

TH
le compartiment N (x > 0) la densité des donneurs est : ND = 1016 cm−3 . On
note :
- Ef n et Ef p les positions des niveaux de Fermi dans les compartiments dopés
N et P, respectivement. Ef étant la position du niveau de Fermi à l’équilibre
thermodynamique.
- Ec le niveau bas de la bande de conduction et Ev le niveau haut de la bande
de valence.
AR
- ε(x) le champ électrique et Φ(x) le potentiel électrique dans le volume.
- xn la largeur de la zone de déplétion dans la région N et xp la largeur de
la zone de déplétion dans la zone P. W étant la largeur total de la zone de
déplétion.
- Φp0 et Φn0 les potentiels des zones neutres N et P, respectivement, à l’équilibre
thermodynamique.
1.1/ Tracer les digrammes énergétiques dans les deux compartiments au
moment du contact et à l’équilibre thermodynamique. Indiquer dans les dia-
I-C

grammes la zone de charge d’espace (de largeur W) ainsi que la barrière de

potentiel formée à l’interface (qu’on note qVi ) et expliquer brièvement ses
effets.
1.2/ Établir l’expression donnant le potentiel de diffusion ΦD en fonction de
NA , ND et ni . Calculer sa valeur numérique. On donne ni = 1010 cm−3 .
1.3.1/ Établir l’expression du champ électrostatique dans les différentes
régions côté P et côté N. On rappelle que le champ est nul dans les régions
EN

neutres (ou quasi-neutres).

1.3.2/ A quelle position le champ est-il maximal ? Déterminer εmax et déduire
une relation entre NA , ND , xn et xp .
Tracer l’allure du champ en fonction de x.
1.4/ Établir l’expression du potentiel électrostatique en fonction de x et tra-
cer son allure. Déduire l’expression de ΦD en fonction de q, ξ, xn , xp , NA et
ND .

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 11

2 EXAMEN PRINCIPAL 2013-14 Département Ing. Info.

1.5/ Établir l’expression donnant l’épaisseur de la zone de charge d’espace

E
totale W en fonction de q, ξ, NA , ND , et ΦD .
2/ diode polarisée en inverse
On polarise la diode en inverse sous une tension VA négative.

AG
2.1/ Schématiser comment la diode est polarisée par une source de tension.
2.2/ Donner, en la justifiant, la nouvelle expression de l’épaisseur totale de
la zone de charge d’espace.
Exercice 3 Électronique analogique
Soit le montage ci-dessous. Le signal d’entrée eg attaque la base du transistor ;
la sortie du montage se trouve au niveau du collecteur. On rappelle que tous
les condensateurs se comportent comme des courts-circuits à la fréquence
de travail. On donne : VCC = 15V , VBE0 = 0, 7V , β = 100, R1 = 10kΩ,

TH
R2 = 40kΩ, RE = 1kΩ, RC = 2kΩ, Rs = 10kΩ, Rg = 100Ω.
1/ Calculer le point de fonctionnement de coordonnées :(IC0 , VCE0 ).
2/ Donner le schéma équivalent en petits signaux.
AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 12

2 EXAMEN PRINCIPAL 2013-14 Département Ing. Info.

Corrigé de l’examen principal 2013-2014

E
Exercice 1
Le courant de dérive (ou d’entrainement ou drift) est donné par

AG
j = qµn nE + qµp pE
Lorsque tous les atomes accepteurs et donneurs sont ionisés on a : n = ND
et p = NA . Soit
j = qµn ND E + qµp NA E = qE(µn ND + µp NA )
A.N j = 1, 6.10−19 10(1350 × 1016 + 480 × 5.1018 ) = 3861, 6 A/cm−2
Exercice 2

TH
1/ diode à l’équilibre thermique
1.1/
AR
I-C
EN

La barrière de potentiel qui s’établit à l’interface (figure ci-dessus) bloque la

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 13

2 EXAMEN PRINCIPAL 2013-14 Département Ing. Info.

diffusion des électrons de la zone N vers la zone P d’une part, et la diffusion

E
des trous de la zone P vers la zone N d’autre part.
1.2/ Dans la zone N, on a
n −Ec i −Ec −EF i −EF i
n = ND = Nc exp( EFKT ) = ND exp( EFKT )exp( EF nKT ) = ni exp( EF nKT )

AG
ND
⇒ EF n = EF i + KT ln( ni )
Dans la zone P, on a
E −E −EF i E −E E −E
p = NA = Nc exp( vKT F p ) = NA exp( EvKT )exp( F iKT F p ) = ni exp( F iKT F p )
⇒ EF p = EF i − KT ln( NnAi )
Soit : qΦD = EF n − EF p = KT ln( NAnN2 D )
i
18 16
A.N ΦD = 26mV × ln( 5.10102010 ) ≈ 0, 8V
1.3.1/ La distribution des charges dans le volume s’écrit :
0 si x < −xp
ρ(x) = {
TH
−qNA si −xp < x < 0
qND si 0 < x < xn
0 si x > xn
*) pour x < −xp , ρ = 0 ⇒ ε = 0 R
*) pour −xp < x < 0, ε(x) = −qN ξ
A
dx = −qN
ξ
A
∂ε
, et le champ est donné par ∂x = ρξ .

x + c1 avec c1 est une

constante.
La continuité de ε(x) pour x = −xp permet de calculer c1 :
AR
ε(−xp ) = − −qN ξ
A
xp + c1 = 0 ⇒ c1 = − qNξ A xp
⇒ ε(x) = −qN ξ
A
(x + xp )
*) pour x > xn , ρ = 0 ⇒ ε =R 0
*) pour 0 < x < xn , ε(x) = qNξ D dx = qNξ D x + c2 avec c2 est une constante.
La continuité de ε(x) pour x = xn permet de calculer c2 :
ε(xn ) = qNξ D xn + c2 = 0 ⇒ c2 = − qNξ D xn
⇒ ε(x) = qNξ D (x − xn )
I-C

1.3.2/ Le champ est maximal pour x = 0, et sa continuité à cette position

s’écrit :
ε(0) = −εmax = −qN ξ
A
xp = −qN
ξ
D
xn
EN

−−→
1.4/ On a ~ε = −gradΦ ⇒ ε(x) = − ∂Φ
∂x
*) pour x < −xp , ε = 0 ⇒ Φ = Φp

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 14

2 EXAMEN PRINCIPAL 2013-14 Département Ing. Info.

*) pour −xp < x < 0, ε(x) = −qN A

(x + xp )

E
ξ
qNA qNA
R
⇒ Φ(x) = ξ (x + xp )dx = 2ξ (x + xp )2 + c3
La condition au limite pour x = −xp donne : Φ(xp ) = Φp = c3
qNA

AG
⇒ Φ(x) = 2ξ
(x + xp )2 + Φp

*) pour x > xn , ε = 0 ⇒ Φ = Φn
*) pour 0 < x < xn , ε(x) = qNξ D (x − xn )
⇒ Φ(x) = − qNξ D (x − xn )dx = − qN
R
2ξ
D
(x − xn )2 + c4
La condition au limite pour x = xn donne : Φ(xn ) = ΦP = c4

⇒ Φ(x) = − qN
2ξ
D
(x − xn )2 + Φn

TH
AR
La continuité du potentiel en x = 0 s’écrit :

Φ(0) = qN
2ξ
xp + Φp = − qN
A 2
2ξ
D 2
xn + Φn
⇒ ΦD = Φn − Φp = 2ξ xp + qN
qNA 2
2ξ
D 2
xn
−qNA −qND
I-C

1.5/ On a : ξ
xp = ξ
xn
ND
⇒ NA xp = ND xn ⇒ xp = x
NA n

Cette dernière relation injectée dans l’expression de ΦD donne :

ΦD = qN2ξ
D ND
( NA + 1)x2n
r
NA
2ξ ND
⇒ xn = Φ
EN

q NA +ND D

De même pour xp en permuttant entre les indices A et D :

r
ND
2ξ NA
xp = Φ
q NA +ND D

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 15

2 EXAMEN PRINCIPAL 2013-14 Département Ing. Info.

La largeur de la q
zone de déplétion est la somme de xn et xp :

E
W = xn + xp = 2ξq NNAA+NND
D
ΦD
2/ diode polarisée en inverse
2.1/

AG
TH
2.2/ En polarisation inverse le champ appliqué s’ajoute au champ interne et
la barrière de potentiel augmente à l’interface ce qui conduit à l’augmenta-
tion de la largeur de la zone de charge d’espace :
AR
q
2ξ NA +ND
W = q NA ND
(ΦD − VA ), VA < 0

Exercice 3 Électronique analogique

1/ Le montage permettant de calculer le point de fonctionnement est le
suivant
I-C
EN

et qui peut être simplifié par les montages ci-dessous, avec :

Eth = RR11+R
Vcc
2
= 10×15
10+40
= 3V et Rth = R 1 R2
R1 R2
= 10×40
10+40
= 8KΩ.
La loi des mailles donne :
*) Eth = Rth IB0 + VBE0 + RE βIB0 ⇒ IB0 = ERthth−V BE0
+βRE

IC0 = β ERthth−V BE0

+βRE
= 100 × 3−0,7
8+100×1
= 2, 12mA

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 16

2 EXAMEN PRINCIPAL 2013-14 Département Ing. Info.

E
AG
*) V cc = (RC + RE )IC0 + VCE0 ⇒ VCE0 = V cc − (RC + RE )IC0

VCE0 = V cc − (RC + RE )β ERthth−V = 15 − (2 + 1) × 2, 12 = 8, 64V

TH
2/ montage en petits signaux
BE0
+βRE
AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 17

3 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2013-14 Département Ing. Info.

3 Examen de Rattrapage 2013-14

E
Physique des semi-conducteurs
On considère un semi-conducteur de type N dont la densité d’états dans la
bande de conduction est donnée par

AG
gc (E) = Rc (E − Ec )1/2
avec Rc est une constante, E est l’énergie d’un état dans la bande de conduc-
tion et Ec est le niveau bas de la bande de conduction. On désigne par EF
l’énergie du niveau de Fermi et par Ed l’énergie du niveau donneur dans le
gap (Ed > EF ). La densité d’atomes donneurs dans le volume est Nd . On
donne les probabilités d’occupation d’un état d’énergie E de la bande de

TH
conduction, et d’un état d’énergie Ed du niveau donneur :
fn (E) = exp(−(E − EF )/KT )
fD (Ed ) = 1+ 1 exp((E 1−E )/KT )
2 d F

1/ Établir l’expression de la densité des électrons dans la bande de conduc-

tion en l’absence des dopants, n0 . Déduire l’expression de la densité effective
des électrons, R ∞Nc.
AR
√ −x √
On donne : 0 xe dx = 2π
2/ Établir l’expression de la densité des électrons extrinsèques dans la bande
de conduction, ne (ce sont les électrons provenant de l’ionisation des atomes
donneurs).
3/ Montrer que pour les températures faibles ne domine n0 et que pour les
températures élevées n0 domine ne . Qu’appelle-t-on le régime dans chaque
cas.
I-C

4/ Le semi-conducteur étudié est utilisé en tant qu’un résistor dont la valeur

de la résistance dépend de Nd .
4-1/ Parmi les régimes discutés dans la question 3, quel est le régime appro-
prié à ce rôle.
4-2/ Donner l’expression du courant de dérive pour les électrons en fonction
de la conductivité et du champ appliqué E, ~ puis en fonction de la densité
des électrons libres, de la mobilité des électrons et du champ appliqué E. ~
EN

4-3/ Déduire l’expression de la résistivité en fonction de Nd . On rappelle que

la résistivité est l’inverse de la conductivité.
4-4 Calculer la valeur de Nd qui correspond à une résistivité égale à 7, 35.10−2
Ω.cm. On donne : µe = 1500 cm2 .V −1 s−1 .
Électronique analogique
On considère le montage de la figure ci-dessous. Toutes les diodes sont sup-
posées parfaites. La tension d’entrée est sinusoı̈dale de type Ve = VM sin(ωt)

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 18

3 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2013-14 Département Ing. Info.

et les tensions continues E1 et E2 sont inférieures à VM .

E
1/ Déterminer l’expression de Vs pendant l’alternance positive
2/ Déterminer l’expression de Vs pendant l’alternance négative
3/ Représenter en concordance de temps Ve (t) et Vs (t).

AG
4/ déduire l’allure de Vs en fonction de Ve .

TH
AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 19

3 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2013-14 Département Ing. Info.

Corrigé de l’examen de rattrapage 2013-2014

E
Physique des semi-conducteurs
1/

AG
R∞ R∞
n0 = Ec gc (E)fn (E)dE = Rc Ec (E − Ec )1/2 exp(−(E − EF )/KT )dE
R∞
= Rc exp(−(Ec − EF )/KT ) Ec (E − Ec )1/2 exp(−(E − Ec )/KT )dE

On pose y = E − Ec
R∞√
n0 = Rc exp(−(Ec − EF )/KT ) 0
yexp(−y/KT )dy
y
On pose x = kT

TH
n0 = Rc exp(−(E
√
π 3
3 R∞ √
c − EF )/KT )(kT ) 2 0 xe−x dx
= 2 Rc (kT ) 2 exp(−(Ec − EF )/KT )

La densité effective des électrons dans la bande de conduction s’écrit :

Nc =
√
2
π 3
Rc (kT ) 2
AR
2/
Nd
ne = Nd × fD (Ed ) = 1
1+ 2
exp((Ed − EF )/KT )

3/ Le rapport des densités intrinsèque et extrinsèque des électrons s’écrit

√ 3
n0 π 1
= R (kT ) 2 exp(−(E − E )/KT )[1 + exp((Ed − EF )/KT )]
ne 2N c c F 2
√d 3
π
= R (kT ) 2 [exp(−(Ec − EF )/KT ) + 21 exp((Ed − Ec )/KT )]
I-C

2Nd c

Pour T très faible on a :

n0 3
ne
≈ (kT ) 2 e−∞  1 ⇒ n0  ne : c’est le régime d’ionisation extrinsèque
Pour T grande on a :
3 3
−EF d −Ec
n0
ne
≈ (kT ) 2 [1 − EckT + 21 + E2kT ] ≈ (kT ) 2  1 ⇒ n0  ne : c’est le régime
intrinsèque
4-1/ Aux températures faibles la densité des électrons est égale à la densité
EN

d’atomes ionisés et donc dépend de Nd . Aux températures élevés la densité

des électrons ne dépend plus de Nd . On doit travailler dans le régime d’ioni-
sation extrinsèque puisque la résistance est inversement proportionnelle à la
densité des électrons.
4-2/ On considère une complète ionisation.
~ = eµe Nd E
~j = σ E ~

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 20

3 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2013-14 Département Ing. Info.

4-3/ La résistivité ρ s’écrit : ρ = eµe1Nd

E
−3
4-4/ Nd = eµ1e ρ = 1,6.10−19 ×1,5.10
1 16
3 ×7,35.10−2 = 5, 7.10 cm

Électronique analogique
1/ Pendant l’alternance positive D2 est bloquante et :

AG
*) D1 est bloquante si Ve < E1 ⇒ Vs = Ve
*) D1 est passante si Ve > E1 ⇒ Vs = E1
2/ Pendant l’alternance négative D1 est bloquante et :
*) D2 est bloquante si Ve > −E2 (ou |Ve | < E2 ) ⇒ Vs = Ve
*) D2 est passante si Ve < −E2 (ou |Ve | > E2 ) ⇒ Vs = −E2
3/

TH
AR

4/
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 21

4 DEVOIR SURVEILLÉ 2014-15 Département Ing. Info.

4 Devoir Surveillé 2014-15

E
Exercice 1
On considère un semi-conducteur dopé P avec la densité Na d’accepteurs, et
dopé N avec la densité Nd de donneurs. Ce semi-conducteur, dont les deux

AG
types de dopages sont présents, est appelé semi-conducteur compensé. Soit
Ea le niveau énergétique des accepteurs introduit dans le gap et Ed le niveau
énergétique des donneurs introduit dans le gap. Pour simplifier on suppose
que les densités des centres ionisés sont donnés par

Na− = Na
1+exp((Ea −EF )/KT )
Nd
Nd+ = 1+exp((EF −Ed )/KT )

TH
I-1/ Représenter le diagramme des bandes du semi-conducteur compensé
I-2/ Écrire l’équation de la neutralité électrique
II- On suppose que tous les centres sont ionisés
II-1/ Réécrire l’équation de la neutralité
II-2/ Déterminer une équation de second degré en n
II-3/ Résoudre cette équation et déterminer n
II-4/ Déduire n et p dans les cas particuliers Na  Nd (SC-P) et N a  Nd
AR
(SC-N)
−EF i
III- Les centres ne sont pas tous ionisés. On posera : x = exp( EFKT ),
Ea −EF i EF i −Ed
α = exp( KT ) et β = exp( KT ). EF i étant le niveau de Fermi in-
trinsèque.
III-1 Déterminer une relation entre x, α, β, ni , Na et Nd
III-2 Déterminer EF pour x = 1 et Na = Nd . Interpréter le résultat.
Exercice 2
I-C

On considère le montage de la figure ci-dessous dans lequel la diode est sup-

posée idéale. La tension d’entrée Ve (t) est sinusoı̈dale d’amplitude Vm = 10V .
E est une source de tension continue avec E = 2, 5V . On donne R = 100Ω.
1/ Déterminer l’expression de la tension de sortie Vs (t)
2/ Tracer en concordance de temps Ve (t) et Vs (t)
3/ Déterminer l’expression du courant i(t) qui traverse la résistance R
4/ Calculer la valeur moyenne du courant
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 22

4 DEVOIR SURVEILLÉ 2014-15 Département Ing. Info.

Corrigé du DS 2014-1015

E
Exercice 1
I-1/

AG
I-2/
TH n + Na− = p + Nd+

II-1/ Si tous les centres sont ionisés : Na− = Na et Nd+ = Nd .

II-2/ La loi d’action de masse s’écrit : np = n2i donc p = n2i /n. En remplaçant
p par son expression dans la relation de neutralité on obtient : n + N a =
AR
n2i /n + N d ⇒ n2 + (N a − N d)n − n2i = 0
II-3/ ∆ = (Na − Nd )2 + 4n2i ⇒ n = − (Na −N d) 1
p
2
+ 2
(Na − Nd )2 + 4n2i
p
II-4 *) Na  Nd : n ' − N2a + 21 Na2 + 4n2i
n2i n2i
et p ' N p ' 2n2
' Na
− 2a + 21 Na2 + 4n2i − N2a + N2a (1 + N 2i )
a
p n2
*) Nd  Na : n ' N2d + 12 Nd2 + 4n2i ' Nd et p ' Nid
III-1/ l’équation de la neutralité électrique s’écrit
I-C

Na Nd
n+ E −E =p+ E −E
1+exp( aKT F ) 1+exp( FKT d )

on a :
−EF i
- n = ni exp( EFKT ) = ni x
EF i −EF
- p = ni exp( KT ) = nxi
−EF −EF i i −EF
- exp( EaKT ) = exp( EaKT )exp( EFKT ) = α/x
Ef −Ed Ef −EF i Ef i −Ed
- exp( KT ) = exp( KT )exp( KT ) = βx.
EN

E −E −EF i E i −Ed
avec x = exp( fKT F i ) ; α = exp( EaKT ) et β = exp( fKT )
l’équation de neutralité devient
Na ni Nd
ni x + 1+α/x
= x
+ 1+βx

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 23

4 DEVOIR SURVEILLÉ 2014-15 Département Ing. Info.

III-2/ pour x = 1 et Na = Nd , on aura α = β

E
⇒ (Ea − EF i ) = (EF i − Ed ) ⇒ EF = EF i = Ea +E 2
d
.
Le semi-conducteur se comporte comme un semi-conducteur intrinsèque avec
un niveau de Fermi fixe situé à égales distances entre les niveaux donneur et

AG
accepteur.
Exercice 2
1/ D est bloquée si Ve (t) > E et elle se comporte comme un interrupteur
ouvert ⇒ Vs (t) = E.
D est passante si Ve (t) < E et elle se comporte comme un interrupteur fermé
⇒ Vs (t) = Ve (t).
2/

TH
AR
3/ Pour t ∈ [0, t1 ] et t ∈ [t2 , T ], D est passante et on a
Ve (t) + Ri(t) − E = 0 ⇒ i(t) = (E − Ve (t))/R
pour t ∈ [t1 , t2 ] D est bloquée et le courant est nul
RT Rt RT
4/ imoy = T1 0 i(t)dt = T1 0 1 i(t)dt + T1 t2 i(t)dt
avec Ve (t1 ) = E ⇒ t1 = (T /2π) arcsin(E/Vm ) et t2 = T /2 − t1
I-C

ce qui donne
Rt R T E Vm
imoy = 1/T 0 1 ( E R
− Vm
R
sinωt)dt + 1/T ( − R sinωt)dt
t2 R
= T R (t1 + T − t2 ) − 2π R ([cosωt]t1 + [cosωt]tT2 )
E T Vm 0

=E ( 1 arcsin( VEm ) + 12 ) + VπR

R π
m
cos(arcsin(E/Vm ))
2,5 10
A.N imoy = 100
(0.25/π + 0, 5) + 100π
cos(0, 25) = 45.5 mA
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 24

5 EXAMEN PRINCIPAL 2014-15 Département Ing. Info.

5 Examen Principal 2014-15

E
Exercice 1 Étude d’une diode à jonction PN
1- Diode à l’équilibre thermodynamique

AG
On considère une jonction abrupte qui sépare deux régions dopées P et N.
Soit Na la densité des atomes accepteurs dans la zone P et Nd la densité des
atomes donneurs dans la zone N. On prendra la position de la jonction pour
origine de l’axe des x.
1-1/ Tracer les diagrammes des bandes en énergie au moment du contact et à
l’équilibre thermodynamique (tracé des bandes de conduction et de valence,
des niveaux de Fermi et du niveau intrinsèque le long de la jonction).
1-2/ Expliquer qualitativement l’établissement de la barrière de potentiel

TH
dans une jonction PN à l’équilibre thermodynamique.
1-3/ Établir l’expression donnant le potentiel de diffusion ΦD en fonction
des densités des dopants Na et Nd et de la densité intrinsèque ni .
1-4/ Établir les expressions du champ électrostatique dans les différentes
régions côté P et côté N. On prendra pour conditions aux limites (−xp ) =
(xn ) = 0 avec xp et xn sont les largeurs de la zone déplétion dans la région
P et la région N, respectivement. Tracer l’allure du champ en fonction de x
AR
et déterminer l’expression donnant sa valeur maximale.
1-5/ Établir l’expression du potentiel de diffusion ΦD en fonction du champ
maximum εmax et de l’épaisseur de la zone de charge d’espace W.
1-6/ Établir l’expression donnant l’épaisseur de la zone de charge d’espace
totale W et celles donnant ses extensions xp et xn (respectivement dans les
régions P et N) en fonction de ΦD .
2- Diode polarisée en inverse
On polarise la diode en inverse sous une tension V négative.
I-C

2-1/ Donner, en le justifiant, la nouvelle expression de l’épaisseur de la zone

de charge d’espace totale.
2-2/ Déterminer la capacité de transition Ct .

Exercice 2
L’étude porte sur la caractérisation du circuit de la figure ci-dessous. Le tran-
sistor est de type 2N 1711 (β = 150). Le composant CG est un condensateur
EN

de liaison.
Étude en régime continu
1/ Calculez la valeur de la résistance RB nécessaire pour que la tension VCE0
soit égale à 10V (VBE0 = 0.6V ).
Étude en régime dynamique (signaux faibles aux fréquences moyennes)
On donne rbe = 750Ω
2/ Dessinez le schéma équivalent.

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 25

5 EXAMEN PRINCIPAL 2014-15 Département Ing. Info.

E
AG
TH
3/ Calculez les gains en tension AV 1 = VS1 /Vg et AV 2 = VS2 /Vg .
AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 26

5 EXAMEN PRINCIPAL 2014-15 Département Ing. Info.

Corrigé de l’examen principal 2014-1015

E
Exercice 1
1-1/

AG
TH
1-2/ La diffusion des électrons vers le compartiment P et des trous vers le
compartiment N conduit à l’apparition d’une charge d’espace à l’interface.
AR
Cette charge créée un champ électrostatique qui s’oppose à la diffusion des
charges. Le potentiel électrostatique qui en résulte forme une barrière de
potentiel qui bloque la diffusion.
1-3/ Dans la zone N, on a
n −Ec i −Ec −EF i −EF i
n = ND = Nc exp( EFKT ) = Nc exp( EFKT )exp( EF nKT ) = ni exp( EF nKT )
ND
⇒ EF n = EF i + KT ln( ni )
Dans la zone P, on a
E −E −EF i E −E E −E
p = NA = Nv exp( vKT F p ) = Nv exp( EvKT )exp( F iKT F p ) = ni exp( F iKT F p )
I-C

⇒ EF p = EF i − KT ln( NnAi )
Soit :
EF n −EF p
ΦD = q
= KT
q
ln( NAnN2 D )
i

1-4/ Le champ est donné par : ∂x ∂ε

= ρξ .
*) pour x < −xp , ρ = 0 ⇒ ε = 0 R
*) pour −xp < x < 0, ε(x) = −qN A
dx = −qN A
x + c1 avec c1 est une
EN

ξ ξ
constante.
La continuité de ε(x) pour x = −xp permet de calculer c1 : ε(−xp ) =
− −qN
ξ
A
xp + c1 = 0 ⇒ c1 = − qNξ A xp
⇒ ε(x) = −qN ξ
A
(x + xp )
*) pour x > xn , ρ = 0 ⇒ ε =R 0
*) pour 0 < x < xn , ε(x) = qNξ D dx = qNξ D x + c2 avec c2 est une constante.

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 27

5 EXAMEN PRINCIPAL 2014-15 Département Ing. Info.

La continuité de ε(x) pour x = xn permet de calculer c2 : ε(xn ) = qNξ D xn +

E
c2 = 0 ⇒ c2 = − qNξ D xn
⇒ ε(x) = qNξ D (x − xn )
Le champ est maximal pour x = 0, et sa continuité à cette position s’écrit :

AG
ε(0) = −εmax = −qN ξ
A
xp = −qN
ξ
D
xn
−−→
1-5/ On a ~ε = −gradΦ ⇒ ε(x) = − ∂Φ ∂x

TH
En remarquant que l’intégrale n’est autre que l’aire de la surface limitée par
la courbe du champ (triangle), on aura
AR
R xn ∂Φ R xn
−xp ∂x
dx = − −xp
ε(x)dx ⇒ Φ(xn ) − Φ(−xp ) = − (xn −(−xp2))(−ε(0))
⇒ ΦD = xn +x2p ε(0)) = W ε2max
1-6/ La continuité du champ pour x = 0 donne
−qNA
ξ
xp = −qN
ξ
D
xn ⇒ NA xp = ND xn
1 2
ΦD = W ε2max = qN
2ξ
A
xp (xn + xp ) = qN
2ξ
D
xn (xn + xp )
2ξΦD NA NA 2ξΦD
(1) ⇒ xp (xn + xp ) = qNA ⇒ xp ( ND xp + xp ) = x2p ( N D
+ 1) = qNA
I-C

q
⇒ xp = 2ξΦ D ND
qNA NA +ND

2ξΦD 2ξΦD
(2) ⇒ xn (xn + xp ) = qND
⇒ xn ( ND
x + xn ) = x2n ( N
NA n
D
NA
+ 1) = qND
q
⇒ xn = 2ξΦ D NA
qND NA +ND

Enfin
EN

q q q q
W = xn + xp = 2ξΦq D ( NNAA+N/ND
D
+ ND /NA
NA +ND
) = 2ξ(NA +ND )
qNA ND
ΦD
2- Diode polarisée en inverse
2-1 Lorsqu’on polarise en inverse une jonction PN le champ appliqué s’ajoute
au champ interne qui s’oppose à la diffusion. La barrière de potentiel aug-
menteqainsi que la largeur de la zone de déplétion
2ξ(NA +ND )
W = qNA ND
(ΦD −V)

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 28

5 EXAMEN PRINCIPAL 2014-15 Département Ing. Info.

2-2/ La capacité de transition correspond à la charge emmagasinée dans la

E
zone déplétion
Ct = | ∂Q
∂V
p
| = | ∂Q
∂V
n ∂
| = | ∂V ∂
(qNA xp S)| = | ∂V (qND xn S)|
avec S est l’aire
qde la surface de séparationq entre les zones N et P à l’interface.

AG
qNA S 2ξ ND 1 qN S 2ξ NA √ 1
⇒ Ct = 2 √
qNA NA +ND ΦD −V
= 2 D
qND NA +ND ΦD −V
Exercice 2
1/ En régime continu le circuit équivalent est

TH
AR
On a pour VCE = VCE0 = 10V :
*) dans la maille contenant le collecteur et l’émetteur (à droite)
Vcc = (RC + RE )IC0 + VCE0 ⇒ IC0 = βIB0 = VRccC−V CE0
+RE
A.N. IC0 = 20−10
1+1
5
= 5mA et IB0 = 150 1
= 30 mA
*) dans la maille contenant la base et l’émetteur (à gauche)
Vcc = RB IB0 + VBE0 + RE IC0 ⇒ RB = Vcc −VBE0 −RE IC0
IB0
I-C

A.N RB = 10−0,6−5
1/30
= 30 × 4.4 = 132KΩ
2/ le circuit en régime dynamique ainsi que le montage de thévenin équivalent
sont donnés par la figure ci-dessous (vg ≡ eg )
EN

3/ Vs1 = −Rc ic et Vs2 = RE iE = RE ic

5.10−2 132
eth = RRbB+regg = 132+5.10
132
−2 eg ≈ eg et Rth =
rg RB
rg +RB
= 5.10−2 +132
≈ 50Ω

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 29

5 EXAMEN PRINCIPAL 2014-15 Département Ing. Info.

La loi des mailles s’écrit

E
eth = (Rth + rbe )ib + RE βib ⇒ ib = Rth +rebeth+βRE
ic = β Rth +rebeth+βRE ⇒ Vs1 = −βRc Rth +rebeth+βRE
⇒ Av1 = −βRc Rth +rbe1 +βRE = −150 × 1000 × 50+750+150×1000
1
≈ −1

AG
eth
Vs2 = βRE Rth +rbe +βRE
⇒ Av2 = βRE Rth +rbe1 +βRE = 150 × 1000 × 50+750+150×1000
1
≈1

TH
AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 30

6 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2014-15 Département Ing. Info.

6 Examen de Rattrapage 2014-15

E
Exercice 1
On considère une jonction abrupte formée par une zone intrinsèque (ZI) et
une zone dopée N (ZN) d’un même semi-conducteur (Si). Soit Nd la densité

AG
des donneurs et soit L la longueur de chaque zone. Soit A l’aire de la surface
de séparation. On modélise en premier lieu la jonction par deux résistances
R et RD qui correspondent à ZI et à ZN, respectivement (figure ci-dessous).
On se propose de calculer R et RD .
I-1 Expliquer qualitativement pourquoi RD < R.
I-2-1 Donner l’expression générale de la conductivité en fonction des densités
des porteurs libres et de leurs mobilités.

par la relation ~j = σ ETH

I-2-2 Une barre de Si de longueur L et de section A est soumise à une d.d.p.
égale à V (figure). On rappelle que la densité de courant est reliée au champ
~ et que le champ dans la barre est uniforme (E=V/L).
Déterminer l’expression de la résistance en fonction de σ, L et A.
I-3 Déduire de I-2-1 les expressions des conductivités σI et σd de ZI et ZN,
respectivement.
I-4 Déduire de I-2-2 et de I-3 les expressions de R et Rd en fonction de L, A,
AR
q, µn , µp , ni et Nd .
I-5 Calculer R et Rd .
On donne : µn = 1350 cm2 .V −1 .s−1 ; µp = 480 cm2 .V −1 .s−1 ; ND = 1016
cm−3 ; A = 10−6 cm2 ; L = 1, 2.10−3 cm ; et ni = 1, 5.1010 cm−3 .
I-C

II- Cette structure peut être modélisée en second lieu par une barrière de
potentiel (qΦb ) à l’interface. On notera EF n le quasi-niveau de fermi dans la
EN

région dopée et EF i le niveau de fermi dans la région non dopée. On suppo-

sera aussi que le transport des charges est unidimensionnel et que l’origine
de l’axe des x est confondu avec la position de la jonction.
II-1 Donner le diagramme des bandes de la jonction au moment du contact.
II-2 Donner le diagramme des bandes de la jonction à l’équilibre en expli-
quant succinctement l’origine de la barrière de potentiel formée et la forma-

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 31

6 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2014-15 Département Ing. Info.

tion d’une zone de déplétion (ZD).

E
II-3 Établir une relation entre qΦb , EF n et EF i .
II-4 Déduire Φb en fonction de q, K, T, Nd et ni .
II-5 Déterminer la densité des charges dans le volume en fonction de x.

AG
II-6 Déterminer le champ électrique puis le potentiel électrostatique en fonc-
tion de x. On notera Ln la largeur de ZD et on supposera un champ nul dans
les régions neutres (ou quasi-neutres), E(Ln ) = 0.
II-7 Déterminer alors la nouvelle expression de Φb et déduire la largeur Ln
de la zone de déplétion.
II-8 Faire un schéma correspondant à une polarisation directe V de la jonc-
tion en indiquant clairement les bornes positive et négative.
II-9 Déduire une nouvelle expression de Ln en fonction de V.
Exercice 2

TH
On considère le circuit de la figure dans lequel la diode est supposée idéale
et la source est une tension sinusoı̈dale de type Ve (t) = Vm sin(ωt).
1/ Indiquer l’état de la diode pendant l’alternance positive et l’alternance
négative.
2/ Tracer Ve (t) et Vs (t).
3/ Déterminer l’expression du courant i(t).
AR
4/ Calculer la valeur moyenne de i(t).
On donne R = 100Ω et Vm = 10V .
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 32

6 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2014-15 Département Ing. Info.

Corrigé de l’examen de rattrapage 2014-2015

E
Exercice 1
I-1 La conductivité est proportionnelle à la densité des charges libres dans le

AG
volume. Donc la conductivité dans ZN est supérieure à la conductivité dans
ZI. Par la suite RD < R.
I-2-1 σ = qµn n + qµp p
~ ⇒ I = σV ⇒ V = R = L
I-2-2 ~j = σ E A L I σA
I-3 σI = qµn ni + qµp pi = q(µn + µp )ni
σd = qµn n = qµn Nd avec n  p
I-4 R = σLI A = q(µn +µ
L
p )ni A

Rd = σdLA = qµnLNd A
A.N R =
A.N
II-1
TH
1,2.10−3
1,6.10−19 ×(1350+480)×1,5.1010 ×10−6
1,2.10−3
Rd = 1,6.10−19 ×1350×10 16 ×10−6 ' 555Ω
' 275M Ω
AR
II-2 Au moment du contact les électrons diffusent de la zone dopée N vers
I-C

la zone intrinsèque à cause du gradient des concentrations. Des ions positifs

sont formés et occupent une zone à l’interface de côté N appelée zone de
déplétion. Ces ions créent un champ électrique qui s’oppose à la diffusion des
EN

électrons et qui se traduit par la formation de la barrière de potentiel Φb .

II-3 (EF n − EF i ) = qΦb
II-4 On a
−EF i
Nd = ni exp( EF nkT ) ⇒ Nd = ni exp( qΦ
kT
b
) ⇒ Φb = kT
q
ln( Nnid )
II-5 ρ(x) = qNd si 0 < x < Ln et ρ(x) = 0 sinon
II-6 ∂E(x)
∂x
= ρξ .

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 33

6 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2014-15 Département Ing. Info.

pour 0 < x < Ln , E(x) = qNξ d dx = qNξ d x + c avec c est une constante.
R

E
La continuité de E(x) pour x = Ln permet de calculer c :
E(Ln ) = qNξ d Ln + c = 0 ⇒ c = − qNξ d Ln
⇒ E(x) = qNξ d (x − Ln )

AG
~ = −−
E
−→
gradΦ ⇒ ε(x) = − ∂Φ ∂x
⇒ Φ(x) = − qN2ξ
d
(x − Ln )2 + c1 avec c1 est une constante.
q
II-7 Φ(Ln ) − Φ(0) = qN2ξ
d
L2
n = Φb ⇒ L n = 2ξ
Φ
qNd b
II-8

TH
q
2ξ
II-9 Ln = (ϕb −V)
AR
qNd

Exercice2
1/ La diode est passante pendant l’alternance positive et bloquante pendant
l’alternance négative.
2/ Vs (t) = Ve (t) si t ∈ [0, T /2] et Vs (t) = 0 si t ∈ [T /2, T ]
I-C
EN

3/
Vs (t) Ve (t) Vm
*) pour t ∈ [0, T /2] : i(t) = R
= R
= R
sinωt

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 34

6 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2014-15 Département Ing. Info.

*) pour t ∈ [T /2, T ] : i(t) = 0

E
RT R T /2 R T /2
4/ imoy = T1 0 i(t)dt = T1 0 VRm sinωtdt = Vm
RT 0
sin 2π
T
tdt
Vm
⇒ imoy = 2πR [cos 2π t]0 = VπR
T T /2
m 1
= 10π A

AG
TH
AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 35

7 DEVOIR SURVEILLÉ 2015-16 Département Ing. Info.

7 Devoir Surveillé 2015-16

E
Exercice 1
Pour le silicium (Si), les densités effectives des électrons dans la bande de
conduction et des trous dans la bande de valence sont données, respective-

AG
ment, par Nc = 3.1019 ( 300 T 3/2
) T 3/2
et Nv = 1019 ( 300 ) en cm−3 , avec T est la
température. On notera :
-ni la densité intrinsèque des charges
-Ec le niveau bas de la bande de conduction (BC)
-Ev le niveau haut de la bande de valence (BV)
-EF i le niveau de Fermi intrinsèque
1/ Donner les expressions des densités des électrons n dans la BC et des

TH
trous p dans la BV en fonction de Nc , Nv , Ec , Ev et EF i .
2/ Déterminer EF i en fonction de Nc , Nv , Ec , Ev et KT.
3/ En remplaçant Nc et Nv par leurs expressions, montrer que EF i est situé
au-dessous du milieu du gap.
4/ Tracer le diagramme des bandes énergétiques en précisant la position de
EF i dans le gap. Quel type de dopage permettant d’avoir une telle position
pour le niveau de Fermi ? Déduire le type du semi-conducteur formé par le
Si.
AR
5/ Pour avoir un niveau de Fermi EF situé au milieu du gap, on dope le Si
par une densité Nd0 de donneurs. On se propose de chercher l’expression de
Nd0 en fonction de ni . On suppose que tous les donneurs sont ionisés.
5-1/ Montrer que EF = EF i + KT Ln( Nnd0i ).
5-2/ Déduire une relation entre Nd0 et ni .
Exercice 2
On considère un matériau à base de Silicium (Si) dopé avec les densités
I-C

NA = 5.1018 cm−3 et ND = 1016 cm−3 . Supposons qu’à la température am-

biante tous les dopants sont ionisés.
1/ Déterminer la conductivité σ du matériau et déduire la résistance R d’une
tige de section A et de longueur L. Calculer σ et R pour A = 10−6 cm2 et
L = 10−3 cm.
2/ Calculer la densité de courant de dérive (ou d’entrainement) pour un
champ appliqué de l’ordre de 10V /cm.
3/ Que devient la valeur de la densité de courant si le champ est multiplié
EN

par 2 ?
On donne µn = 1350 cm2 .V −1 .s−1 ; µp = 480 cm2 .V −1 .s−1 .

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 36

7 DEVOIR SURVEILLÉ 2015-16 Département Ing. Info.

Corrigé du DS 2015-2016

E
Exercice 1
i −Ec
1/ n = Nc exp( EFKT )
Ev −EF i
p = Nv exp( KT )

AG
2/ La neutralité électrique s’écrit n = p, soit
i −Ec −EF i
Nc exp( EFKT ) = Nv exp( EvKT ) ⇒ exp( 2EF i −E
KT
c −Ev
)= Nv
Nc
Ec +Ev KT Nv
⇒ EF i = 2 + 2 Ln( Nc )
T 1/2
Ec +Ev KT 1019 ( 300 )
3/ EF i = 2
+ 2
Ln( 19
3.10 ( 300T 1/2
) )
Ec +Ev KT
⇒ EF i = 2
+ 2
Ln( 3 ) = 2 − KT
1 Ec +Ev
2
Ln3
( Ec +E
2
v
) est la position du milieu du gap, donc EF i est situé en dessous.
4/ Dans les semi-conducteurs dopés par des atomes accepteurs le niveau de

TH
Fermi se situe au dessous du milieu du gap (se rapproche de la bande de
valence). Le Si est donc un semi-conducteur de type P.
AR
5-1/ La densité des électrons dans la BC devient
−Ec
n = Nd0 = Nc exp( EFKT ) = Nc exp( −EFKT
i +EF i −Ec
)exp( EFKT −EF i
) = ni exp( EFKT )

⇒ EF = EF i + KT Ln( Nnd0i )
5-2/ EF est maintenant situé au milieu du gap, donc
I-C

EF = Ec +E
2
v
= EF i + KT Ln( Nnd0i )
en remplaçant EF i par son expression, on aura
Ec +Ev
2
= Ec +E
2
v
− KT
2
Ln3 + KT Ln( Nnd0i )
√
⇒ Nd0 = 3ni
Exercice 2
1/ σ = q(µn n + µp ) = q(µn ND + µp NA )
EN

A.N σ = 1, 6.10−19 × (1350 × 1016 + 480 × 5.1018 ) ≈ 3, 9.102 Ω −1 cm−1

j = σE ⇒ AI = σ VL ⇒ VI = R = σA L
−3
A.N R = 3,9.10102 ×10−6 ≈ 2, 5Ω
2/ j = σE = 3, 9.102 × 10 = 3, 9.103 A/cm2
3/ E 0 = 2E ⇒ j 0 = σE 0 = 2σE = 2j = 7, 8.103 A/cm2

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 37

8 EXAMEN PRINCIPAL 2015-16 Département Ing. Info.

8 Examen Principal 2015-16

E
I- On considère une diode fabriquée par une homo-jonction formée par
une zone dopée P, avec la densité Na d’atomes accepteurs, et une zone dopée
N, avec la densité Nd d’atomes donneurs. Soient Lp la largeur de la zone P, et

AG
Ln la largeur de la zone N. On prendra la position du contact métallurgique
pour origine de l’axe des x comme l’indique la figure ci-dessous. On adoptera
les notations suivantes :
- EF le niveau de Fermi
- Ec(v) le niveau bas (haut) de la bande de conduction (valence)
- E(x) le champ électrique
- n et p sont les densités des électrons et des trous, respectivement

TH
- np0 et pn0 sont les densités des porteurs minoritaires à l’équilibre
- Xn la largeur de la zone de déplétion dans la zone N
- Xp la largeur de la zone de déplétion dans la zone P
1/ Donner les diagrammes énergétiques de la jonction au moment du contact
et à l’équilibre thermodynamique. Indiquer clairement sur les diagrammes :
les niveaux énergétiques, les courbures des bandes, les zones chargées et quasi-
neutres, les porteurs majoritaires et les porteurs minoritaires dans chacune
des zones dopées
AR
2/ Déterminer la densité des charges en fonction de x et tracer son allure
3/ Déterminer le champ électrique et tracer son allure en fonction de x
II- La diode est maintenant polarisée en directe avec la tension Va > 0.
1/ Donner le digramme énergétique de la jonction polarisée
2/ Dans le cas où les longueurs de diffusion des porteurs minoritaires sont
très grandes devant les largeurs des zones dopées, les équations de continuité
se réduisent aux équations différentielles suivantes
I-C

∂n 1 ∂2n
∂t
= q ∂x2
pour les électrons

et,
∂p 1 ∂2p
∂t
= q ∂x2
pour les trous

2-1/ Montrer qu’au régime stationnaire les solutions de ces équations différentielles
dans chaque zone sont données par
EN

np (x) = Ax + B et pn (x) = Cx + D

avec A, B, C et D sont des constantes.

2-2/ En supposant que loin du contact métallurgique les porteurs minori-
taires sont à l’équilibre thermodynamique, et qu’aux bords de la zone de
qva
déplétion les densités des charges sont données par np (−Xp ) = np0 exp( KT )

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 38

8 EXAMEN PRINCIPAL 2015-16 Département Ing. Info.

qva
et pn (Xn ) = pn0 exp( KT ), déterminer les expressions des constantes A, B, C

E
et D.
2-3/ Montrer que le courant de diffusion total s’écrit
qva
I = Is (exp( KT ) − 1)

AG
dont on déterminera l’expression de Js. Notons que I(s) = AJ(s) où A est l’aire
de la surface qui sépare les deux zones au niveau du contact métallurgique.
III- La diode est maintenant utilisée dans le circuit de la figure ci-dessous qui
comporte trois résistors, et deux générateurs de tensions continues de f.e.m
E1 et E2 . On donne Ri = R (i=1,2,3) et E1 = 4E2 .
1/ Tracer l’allure de courant établi en III-2-3 en fonction de la tension
appliquée (I − Va ) et rappeler les trois approximations utilisées pour le

TH
modéliser. Tracer pour chaque modèle les caractéristiques (I − Va ).
Dans la suite on supposera que la diode est idéale.
2/ Donner le montage de Thévenin équivalent entre A et B. Déterminer :
Eth en fonction de E1 puis de E2 , et Rth en fonction de R.
3/ Déterminer alors l’état de la diode et le courant I qui la traverse en fonc-
tion de E2 et R
On remplace E1 par la tension sinusoı̈dale v(t) = vm sinωt avec vm = 4E2 .
AR
On prendra pour circuit d’étude le montage de Thévenin déterminé en III-2
et on remplacera E1 par v(t) dans l’expression de Eth .
4/ Étudier l’état de la diode
5/ Déterminer le courant i(t) qui traverse la diode en fonction de E2 et R
6/ Déduire la puissance moyenne dissipée par effet de Joule dans R2
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 39

8 EXAMEN PRINCIPAL 2015-16 Département Ing. Info.

Corrigé de l’examen principal 2015-2016

E
I-
1/

AG
des charges ρ = 0.
TH
2/Dans les zones quasi-neutres −Lp < x < −Xp et Xn < x < Ln la densité

ρ = −qNa pour −Xp < x < 0 et ρ = qNd pour 0 < x < Xn .

AR
I-C

3/ ∂E
∂x
= ρξ
Dans les zones neutres (−Lp < x < −Xp et Xn < x < Ln ) ρ = 0, donc
E = 0.
*) −Xp < x < 0 : ∂E∂x
= − qNξ a ⇒ E(x) = − qNξ a x + c1 avec la continuité du
champ pour x = −Xp qui s’écrit E(−Xp ) = 0
⇒ E(−Xp ) = qNξ a Xp + c1 = 0 ⇒ c1 = − qNξ a Xp
EN

⇒ E(x) = − qNξ a (x + Xp )

*) 0 < x < Xn : ∂E∂x

= qNξ d ⇒ E(x) = qNξ d x + c2 avec la continuité du champ
pour x = Xn qui s’écrit E(Xn ) = 0
⇒ E(Xn ) = qNξ d Xn + c2 = 0 ⇒ c2 = − qNξ d Xn
qNa
⇒ E(x) = ξ
(x − Xn )

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 40

8 EXAMEN PRINCIPAL 2015-16 Département Ing. Info.

E
AG
II-
1/

TH
AR
I-C

2-1/ Au régime stationnaire les équation de continuité s’écrivent

∂n 1 ∂2n
∂t
= q ∂x2
=0
∂p 1 ∂2p
∂t
= q ∂x2
=0

l’intégration donne
EN

np (x) = Ax + B et pn (x) = Cx + D

2-2/ Aux extrémités de la jonction les porteurs minoritaires sont à l’équilibre

thermodynamique. On a donc les conditions aux limites suivantes

np (−Lp ) = np0 et pn (Ln ) = pn0

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 41

8 EXAMEN PRINCIPAL 2015-16 Département Ing. Info.

*) pour les électrons

E
qva
np (−Lp ) = −ALp + B = np0 et np (−Xp ) = −AXp + B = np0 exp( KT )
On en déduit
np0 qva Lp np0 qva
A= (exp( KT ) − 1) et B = np0 + ALp = np0 + (exp( KT ) − 1)

AG
Lp −Xp Lp −Xp

*) pour les trous

qva
pn (Ln ) = CLn + D = pn0 et pn (Xn ) = CXn + D = pn0 exp( KT )
On en déduit
pn0 qva Ln pn0 qva
C= Xn −Ln
(exp( KT ) − 1) et D = pn0 − CLn = pn0 + Ln −Xn
(exp( KT ) − 1)

2-3/ le courant total de diffusion est donné par

jD = jDn + jDp = qDn ∂n
∂np
∂x
= A et ∂p
∂x
n
=C

⇒ I = AjD = A( LDpn−X
⇒ js = LDpn−X
np0
p
np0
p
∂x

+ LDnp−X
+
pn0
n
p

TH
− qDp ∂p

⇒ jD = q(Dn A−Dp C) = q(Dn Lpn−X

∂x
n

p0
p
Dp pn0
Ln −Xn
qva
(exp( KT
qva
)(exp( KT
)−1)+Dp Lnp−X
)
n0
n
qva
(exp( KT
qva
− 1) = js (exp( KT
)−1))
) − 1)

III-
1/ l’allure de la caractéristique I-V (dernière relation établie en III-2) est
AR
donnée par la figure ci-dessous
I-C
EN

Pour pouvoir travailler avec la jonction PN en électronique analogique, on la

modélise par un dipôle linéaire. Trois modèles sont souvent utilisés :
*) modèle de la diode idéale : en polarisation inverse le courant est nul et
la diode se comporte comme un interrupteur ouvert (diode bloquante). En

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 42

8 EXAMEN PRINCIPAL 2015-16 Département Ing. Info.

polarisation directe (va > 0) le courant est ”infini” et la diode se comporte

E
comme un interrupteur fermé (diode passante).
*) modèle de la diode parfaite (ou modèle à seuil) : en polarisation inverse et
pour une tension positive appliquée inférieure à la tension seuil vs , le courant

AG
est nul et la diode se comporte comme un interrupteur ouvert (bloquante).
Pour va > vs la diode se comporte comme une force contre-électromotrice
idéale de f.c.e.m vs (passante).
*) modèle de la diode réelle (ou modèle linéarisé) : en polarisation inverse et
pour va < vs la modélisation est la même que pour le modèle à seuil. Pour
va > vs la diode se comporte comme une force contre-électromotrice réelle
de f.c.e.m vs et de résistance interne rd .

TH
AR

R3 E1 4RE2 R3 R1
2/ Eth = R3 +R1
= 2R
= 2E2 et Rth = R3 +R1
= R/2
I-C
EN

Le montage équivalent devient

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 43

8 EXAMEN PRINCIPAL 2015-16 Département Ing. Info.

E
AG
TH
3/ Soit Ud la tension aux bornes de la diode. On a
Ud = Eth − E2 = 2E2 − E2 = E2 > 0 ⇒ la diode est passante et on la
remplace par un interrupteur fermé (diode idéale).
Eth −E2 E2
Le courant qui traverse la branche AB s’écrit I = R th +R2
= R/2+R = 2E2 /3R
AR
4/ la tension aux bornes de la diode devient
vd = Eth − E2 = RR33+R v(t)
1
− E2 = v(t) 2
− E2 = 2E2 sinωt − E2 = E2 (2sinωt − 1)
*) la diode est bloquante et se comporte comme un interrupteur ouvert avec
I = 0 si vd < 0 donc pour (2sinωt − 1) < 0 ⇒ ωt < π/4 et ωt > 3π/4 ⇒ t <
T /8 et t > 3T /8
*) la diode est passante et elle se comporte comme un interrupteur fermé si
vd > 0 donc pour (2sinωt − 1) > 0 ⇒ t ∈ [T /8, 3T /8]
5/ *) I = 0 si t < T /8 et t > 3T /8
I-C

*) I = R Eth −E2
th +R2
= E2 (2sinωt−1)
3R/2
= 2E 3R
2
(2sinωt − 1) si t ∈ [T /8, 3T /8]
1
R T 1
R T
6/ Pm = T 0 P (t)dt = T 0 R2 I(t)2 dt
R 3T /8 1 2E2 2 3T /8
= T1 T /8 R[ 2E 2
R
3R
2
(2sinωt − 1)] dt = TR
( 3
) T /8
(4sin2 ωt − 4sinωt + 1)dt
3T /8 3T /8 R 3T /8
= T1R ( 2E3 2 )2 [2 T /8 (1 − cos2ωt)dt − 4 T /8 sinωtdt + T /8 dt]
R R
R 3T /8 R 3T /8 R 3T /8
= T1R ( 2E3 2 )2 [3 T /8 dt − 2 T /8 cos2ωtdt − 4 T /8 sinωtdt]
√ √
= T1R ( 2E3 2 )2 [3T /4 + T /π − 2√ 2 Tπ ] = R1 ( 2E3 2 )2 [3/4 + 1/π − 2 π 2 ]
EN

⇒ Pm = R1 ( 2E3 2 )2 (3/4 + 1−2π 2 )

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 44

9 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2015-16 Département Ing. Info.

9 Examen de Rattrapage 2015-16

E
Exercice 1
I- On considère un semi-conducteur extrinsèque dont le diagramme énergétique
est donné par la figure ci-dessous. Soit Nx la densité des dopants et Ex le

AG
niveau énergétique introduit dans le gap.
I-1/ De quel type de semi-conducteurs s’agit-il ? Justifier votre réponse.
I-2/ Écrire les expressions des densités des électrons n, et des trous p, dans
les bandes de conduction et de valence, respectivement.
I-3/ Écrire l’équation de la neutralité électrique
I-4/ Montrer que la densité des ions dans le volume du semi-conducteur
s’écrit

f (x) = 1
EF −Ex .
1+exp( KT
)
TH Nx− = Nx
E −E
1+exp( xKT F )

On donne la probabilité d’occupation d’un niveau d’énergie Ex par un trou :

I-5/ En appliquant la neutralité électrique au volume, montrer que

AR
Nc
x
exp( −∆
KT
1
) + Nx
1+x
= Nv exp( −∆
KT
2
)x

dont on déterminera les expressions de x, ∆1 et ∆2 en fonction de EF , Ex ,

Ec et Ev .
I-C
EN

II- On considère une tige, de section A et de longueur L, fabriquée par

le semi-conducteur étudié dans la partie I. On suppose que tous les dopants
sont ionisés et on néglige le courant des porteurs minoritaires. Pour une d.d.p
appliquée à la tige égale à 10V, on mesure un courant de l’ordre de 4mA.
II-1 Qu’appelle-t-on le courant qui traverse la tige ? Donner son expression.
II-2 Calculer la résistance et déduire la valeur de la conductivité

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 45

9 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2015-16 Département Ing. Info.

II-3 Calculer donc Nx

E
On donne : A = 10−6 cm2 ; L = 1mm ; la mobilité µ = 480cm2 .V −1 .s−1
Exercice 2
On considère le circuit de la figure ci-dessous qui comporte une diode (D)

AG
supposée idéale, un générateur de tension sinusoı̈dale v(t), et trois résistors
R1 , R2 et R. On donne R1 = 2R et R2 = R.
1/ Discuter l’état de la diode pendant les alternances positives et négatives
2/ Déterminer le courant iD qui traverse (D) en fonction du temps
3/ Déterminer la tension uD aux bornes de (D) en fonction du temps
4/ Tracer en concordance du temps v(t), uD (t) et uR (t)

TH
AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 46

9 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2015-16 Département Ing. Info.

Corrigé de l’examen de rattrapage 2015-2016

E
Exercice 1
I-1 Il s’agit d’un semi-conducteur de type P puisque le niveau énergétique

AG
introduit dans le gap est proche de la bande de valence
−Ec −EF
I-2 n = Nc exp( EFKT ) et p = Nv exp( EvKT )
−
I-3 n + Nx = p
I-4 La densité des atomes neutres dans le volume, Nx0 est égale à la probabilité
f (x) multipliée par la densité totale des atomes Nx
Nx
Nx0 = f (x)Nx = E −E
1+exp( FKT x )

On en déduit la densité des atomes ionisés (ou la densité des trous créés dans
la bande de valence)
TH
Nx− = Nx − Nx0 = Nx (1 −
1+exp(
1
EF −Ex
KT
)
)=

I-5 en remplaçant n, p et Nx− par leurs expressions dans l’équation de la

neutralité on obtient
Nx
E −E
1+exp( xKT F )

−Ec −EF
Nc exp( EFKT )+ Nx
Ex −EF = Nv exp( EvKT )
1+exp( KT )
AR
EF −Ex −Ec −Ex −EF
⇒ Nc exp( KT )exp( ExKT )+ Nx
E −E = Nv exp( EvKT )exp( ExKT )
1+exp( xKT F )
−EF
On pose x = exp( ExKT ), ∆1 = Ex − Ec et ∆ 2 = Ev − Ex .
⇒ Nc
x
exp( −∆
KT
1
) + Nx
1+x
= Nv exp( −∆
KT
2
)x

II-1 Lorsqu’on applique un champ électrique E ~ à un volume d’un semi-

conducteur, le courant obtenu est un courant d’entraı̂nement (ou de dérive
ou drift) donné par
I-C

j = je + jp = q(µn n + µp p)E
II-2 R = UI = 4.10
10
−3 = 2, 5KΩ

La conductivité est donnée par

−3 ×10−1
j = AI = σE = σ UL ⇒ σ = AU IL
= 4.10
10−6 ×10
= 40Ω−1 .cm−1
II-3 j = AI = qµp pE w qµp Nx UL ⇒ Nx = qµLI p AU
0,1×4.10−3
Nx = 1,6.10−19 ×480×10−6 ×10
≈ 5.1017 cm−3
EN

Exercice 2
1/ La tension uD aux bornes de la diode s’écrit :
uD = R1R+R v(t)
- pendant l’alternance positive v(t) > 0 donc uD > 0 et la diode est passante
- pendant l’alternance négative v(t) < 0 donc uD < 0 et la diode est blo-
quante

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 47

9 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2015-16 Département Ing. Info.

2/

E
- si v(t) > 0 ou t ∈ [0, T /2] :
i(t) = uRR2 avec uR = R1R//R 2
+R//R2
v(t)
RR2
et R//R2 = R+R = R/2

AG
2

⇒ uR = 2R+R/2 v(t) = v(t)

R/2
5
⇒ i(t) = v(t)
5R
- si v(t) < 0 ou t ∈ [T /2, T ] : i(t) = 0
3/
- si v(t) > 0 ou t ∈ [0, T /2] : uD = 0
R v(t)
- si v(t) < 0 ou t ∈ [T /2, T ] : uD = uR = R1 +R
v(t) = 3
4/ on a :

uD (t) = uR (t) = v(t)

3
TH
- pour v(t) > 0 ou t ∈ [0, T /2] :
uD (t) = 0 et uR (t) = v(t)
5
- pour v(t) < 0 ou t ∈ [T /2, T ] :
AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 48

10 DEVOIR SURVEILLÉ 2016-17 Département Ing. Info.

10 Devoir Surveillé 2016-17

E
Partie 1
Soit un cristal de germanium dopé avec de l’indium (atome accepteur). On
négligera les variations de Nc et de Nv en fonction de la température et on

AG
prendra Na = 1016 cm−3 et Nv = 0, 6.1019 cm−3 .
Dans tout l’exercice on néglige la densité des électrons n.
La probabilité d’occupation d’un niveau d’énergie E est :
1
fn (E) = E−E
1+exp KT F

On donne : Ea − Ev = 0, 011eV et à T = 300K : KT = 26meV .

1/ Quel est le type de semi-conducteur étudié ?

TH
2/ Montrer que Na− = Na /(1 + exp((Ea − EF )/KT )).
3/ Écrire l’équation de la neutralité électrique (on rappelle que n << p).
4/ En posant x = exp((Ev − EF )/KT ), montrer que l’équation de neutralité
conduit à l’équation au second ordre suivante

x2 + exp((Ev − Ea )/KT )x − Na /Nv exp((Ev − Ea )/KT ) = 0

AR
5/ Résoudre cette équation et écrire la solution physiquement acceptable
6/ On se place au régime des faibles températures telle que exp((Ea −
Ev )/2KT >> 1.
Montrer que EF = (Ev + Ea )/2 + KT /2 ln(Nv /Na )
7/ On se place au régime des températures moyennes telle que exp((Ea −
Ev )/KT << 1.
Montrer que EF = Ev + KT ln(Nv /Na )
8/ Déduire les densités des trous dans le cas des basses températures et dans
I-C

le cas des températures moyennes.

9/ Déterminer la température de transition entre les deux régimes. Faire
l’application numérique.
Partie 2
On considère une barre de germanium étudié dans la première partie (dopé
avec la densité Na = 1016 cm−3 ). Cette barre est sous la forme d’un cylindre
de section A et de longueur L. On se propose de déterminer la conductivité
σ de la barre et le courant total qui la traverse après l’application d’une
EN

différence de potentiels U.
On donne A = 10−6 cm2 , L = 10−3 cm et µp = 1, 9.103 cm2 /V s.
1/ Dans quel régime de température doit-on se placer pour avoir des gran-
deurs physiques stables et reproductibles ?
2/ Établir une relation entre la conductivité, la densité et la mobilité des
trous.

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 49

10 DEVOIR SURVEILLÉ 2016-17 Département Ing. Info.

3/ Déterminer l’expression de la résistance R de la barre.

E
4/ Calculer R et déduire le courant d’entrainement qui traverse la barre pour
U = 10V .

AG
TH
AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 50

10 DEVOIR SURVEILLÉ 2016-17 Département Ing. Info.

Corrigé du DS 2016-2017

E
Partie 1
1/ C’est un semi-conducteur dopé avec des atomes accepteurs ⇒ c’est un

AG
semi-conducteur de type P
2/ Na− = fn (Ea )Na = Na
Ea −EF
1+exp( KT
)
3/ n + Na− = p avec n << p ⇒ p = Na−
4/
−EF
p = Nv exp( EvKT )= Na
E −E = −Ev
Na
E −E
1+exp( aKT F ) 1+exp( EaKT )exp( vKT F )

Na −Ev
⇒ Nv x = −Ev
1+exp( EaKT )x
⇒ Nv x(1 + exp( EaKT )x) = Na
2 Ev −Ea

5/ ∆ = exp( 2(EKTv −Ea )

⇒ x = − 12 exp( EvKT
6/
−Ea
TH Na
⇒ x + exp( KT )x − Nv exp( KT ) = 0
) + 4NN
a
qv
Ev −Ea

−Ea
exp( EvKT
) + 21 exp( 2(EKT
)
v −Ea )

q
) + 4N a
Nv
−Ea
exp( EvKT )

−Ea −Ea −Ev

x = −1/2exp( EvKT ) + 1/2exp( EvKT ) 1 + 4N a
Nv
exp( EaKT )
AR
q
−Ea −Ev
= 1/2exp( EvKT )[−1 + 1 + 4 N a
Nv
exp( EaKT )]
q q
−Ev −Ea Ea −Ev v −Ea
exp( EaKT ) >> 1 ⇒ x ≈ 1/2exp( EvKT )[−1+ 4 Na
Nv
exp( 2KT
)] ≈ Na
Nv
exp( E2KT )
q
−EF v −Ea
⇒ x = exp( EvKT )= N Nv
a
exp( E2KT )
−EF v −Ea
⇒ EvKT = E2KT +(1/2) ln( Na
Nv
)
Ev −Ea
⇒ Ev − EF = 2 + (KT /2) ln( N a
Nv
)
I-C

Ev +Ea Na
⇒ EF = 2 − (KT /2) ln( Nv )
−Ev
7/exp( EaKT ) << 1
q
−Ev −Ev
x = 1/2exp( EaKT )[−1 + 1 + 4Na
Nv
exp( EaKT )]
−Ea −Ev
≈ 1/2exp( EvKT )[−1 + 2 N
Nv
a
exp( EaKT ) + 1] = Na
Nv

−EF −EF
x = exp( EvKT )= N a
Nv
⇒ EvKT = ln( Na
Nv
)
EN

Nv
⇒ EF = Ev + KT ln( Na )
8/
*) Pour les basses
q températures √
v −Ea v −Ea
p = Nv x = Nv N Nv
a
exp( E2KT ) = Na Nv exp( E2KT )
*) Pour les températures moyennes
p = Nv = x = Nv N Nv
a
= Na

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 51

10 DEVOIR SURVEILLÉ 2016-17 Département Ing. Info.

√ v −Ea
q
v −Ea
9/ Na = Na Nv exp( E2KT )⇒ N a
= exp( E2KT )

E
0 Nv 0
Ev −Ea
⇒ 2KT0
= 12 ln( N
Nv
a
) ⇒ KT0 = Eln(v −E
Na
a
)
Nv
0,011
A.N KT0 = 18 = 1, 72.10−3 eV
ln( 6.1016 )

AG
10
−3
KT = 0, 026eV pour T = 300K ⇒ T0 = 1,72.10 2,6.10−2
× 300 ≈ 20K
Partie 2
1/ Pour avoir des grandeurs physiques stables et reproductibles, il faut que la
densité des porteurs de charges soit constante en fonction de la température.
Donc on doit travailler au régime des températures moyennes.
2/ j = eµp pE = σE ⇒ σ = eµp p
3/ R = UI = jA U U
= eµp pAU/L = eµpLpA
U U L
ou R = jA = σEA = σA
4/ A.N R = 1,6.10−19 ×1010
U 10 TH −3
16 ×1,9.103 ×10−6 ≈ 330 Ω

A.N j = RA = 10−6 ×330 ≈ 3.104 A/cm2

AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 52

11 EXAMEN PRINCIPAL 2016-17 Département Ing. Info.

11 Examen Principal 2016-17

E
Exercice 1
On considère une jonction P + N abrupte à la température ambiante.
Données : Na = 1018 cm−3 , Nd = 1015 cm−3 , ni = 1010 cm−3 , kB T = 25meV

AG
I- Jonction P + N non polarisée
Décrire qualitativement la formation d’une zone de charge d’espace ZCE
(ou de déplétion) à l’équilibre thermodynamique, et la création d’un champ
électrique interne en indiquant son effet. Dessiner le diagramme des bandes
de la jonction à l’équilibre en explicitant les différentes énergies significatives.
Déterminer le potentiel de diffusion VD . Faire l’application numérique.
Y a-t-il un courant qui traverse la jonction ? Expliquer.

chaque compartiment. TH
II- Jonction P + N polarisée en direct
1- Donner le montage de polarisation en indiquant clairement la polarité de

2- Dessiner le diagramme des bandes de la jonction polarisée en direct.

3- Expliquer la conduction du courant dans la jonction.
Les équations de continuité des électrons et des trous sont données, respec-
tivement, par :
AR
∂n
∂t
= 1q ∂j
∂x
n
− n−n
τn
0

∂p ∂jp
∂t
= −1
q ∂x
− p−p
τp
0

On appellera :
- xn(p) la largeur de la zone de déplétion dans la zone N (P)
- Ln(p) la largeur de la zone N (P)
On se place dans l’hypothèse d’une jonction longue.
4- Que signifie cette hypothèse ? Écrire l’équation de continuité des trous
I-C

dans la zone neutre N au régime stationnaire.

5- Déduire l’équation différentielle satisfaite par l’excès des trous dans la
zone N. On rappelle que la densité de courant de diffusion pour les trous est
donnée par : jp = −qDp ∂p/∂x.
6- Résoudre l’équation différentielle. On appellera A et B les constantes
d’intégration.
7- Établir les conditions aux limites permettant de déterminer A et B.
EN

8- Déterminer alors l’expression du courant des trous en fonction de x, puis

à la limite de ZCE.
9- Déduire le courant d’électrons dans la zone neutre P .

Exercice 2
On modélise la caractéristique courant-tension d’une diode à jonction PN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 53

11 EXAMEN PRINCIPAL 2016-17 Département Ing. Info.

par la courbe ci-dessous.

E
AG
TH
1- De quel modèle s’agit-il ?
2- Expliquer le fonctionnement de cette diode.
La diode est maintenant placée dans le montage ci-dessous. La source si-
nusoı̈dale, délivrant une tension de la forme Ve (t) = VM sin(ωt), est placée
en série avec une source continue de f.e.m E tel que VM > (E + Vd ).
3- Étudier l’état de la diode.
AR
4- Déterminer l’expression de Vs .
5- Tracer Vs (t) et Ve (t) dans le même graphe.
6- Tracer Vs en fonction de Ve .
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 54

11 EXAMEN PRINCIPAL 2016-17 Département Ing. Info.

Corrigé de l’Examen Principale 2016-2017

E
Exercice 1
I- Au moment du contact des deux compartiments, les trous diffusent de la
zone P + vers la zone N et les électrons diffusent de la zone N vers la zone

AG
P + . Il s’ensuit la formation d’une zone de charge négative dans la zone P +
et une zone d’espace positive dans la zone N . Un champ électrique interne
est créé et s’oppose à la diffusion des charges. A l’équilibre la diffusion des
charges est stoppée.

TH
AR

Dans la zone P + on a :
I-C

E −E
p = Na = ni exp( F iKT F p ) ⇒ EF p = EFi + KT ln( Nnia )
De même, dans la zone N :
−EF i
n = Nd = ni exp( EF nKT ) ⇒ EF n = EFi + KT ln( Nnid )
EF n −EFp
⇒ EF n − EFp = KT ln( Nnd N
2 ) ⇒ VD =
a
q
= KT
q
ln( Nnd N
2 )
a
i i
1018 ×1015
A.N. VD = 0, 025ln( 1020 ) ≈ 0, 75 V
A l’équilibre, le courant de diffusion est équilibré par le courant inverse due
EN

au champ électrique interne.

II-
1-

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 55

11 EXAMEN PRINCIPAL 2016-17 Département Ing. Info.

E
AG
2-

TH
AR

3- En polarisation directe le champ externe appliqué est opposé au champ

interne ce qui favorise la diffusion des charges et la diminution des barrières
I-C

de potentiels à l’interface. Les courants des électrons et des trous sont donc
des courants de diffusion.
4- Dans l’hypothèse d’une jonction longue, les longueurs des diffusions des
électrons et des trous sont très inférieures à Ln et Lp . On peut donc supposer
que Ln(p) ≈ ∞ et qu’aux extrémités de la jonction les densités des charges
ne sont pas influencées par la diffusion (reste à leur état d’équilibre thermo-
dynamique).
EN

Pour les trous :

2
∂pn
∂t
= Dp ∂∂xp2n − pnτ−p
−p
n0

2
Au régime stationnaire : Dp ∂∂xp2n − pn −p
τp
n0
=0
0
5- Soit pn la densité des trous en excès dans la zone N. On a :
2 0 0
p0n = pn − pn0 ⇒ Dp ∂∂xp2n − pτnp = 0
∂ 2 p0n p0n
6- ∂x2
− Dp τp
=0

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 56

11 EXAMEN PRINCIPAL 2016-17 Département Ing. Info.

p
On pose Xp = Dp τp (appelée longueur de diffusion des trous)

E
2 0 0
⇒ ∂∂xp2n − Xpn2 = 0, dont la solution est de la forme :
p

p0n (x) = Aex/Xp + Be−x/Xp

7- *)x = xn :

AG
E −E E −E −VD )
−EF n
pn (xn ) = Nv exp( EvKT ) = Nv exp( vKT F p )exp( F pKT F n ) = pp exp( q(VKT )
n2
= pp exp( −qV
KT
D qV
)exp( KT ) = pp N a N
i
d
qV
exp( KT qV
) = pn0 exp( KT )
qV
⇒ p0n (xn ) = pn0 (exp( KT ) − 1)
*)x = Ln :
pn (Ln ) = pn (∞) = pn0 ⇒ p0n (∞) = 0
8- En utilisant les conditions aux limites, on aura :
qV
p0n (xn ) = Aexn /Xp + Be−xn /Xp = pn0 (exp( KT ) − 1)
0
pn (∞) = Ae ∞/Xp

∂x
n
TH
+ Be −∞/Xp

∂x

jp (x) = qDp XBp e−x/Xp = qDp

n

pn0
= Ae

Xp e−xn /Xp
∂
= −qDp ∂x
∞/Xp

⇒ A = 0 et p0n (xn ) = Be−xn /Xp = pn0 (exp( KT

pn0

jp (x) = −qDp ∂p
qV
⇒ B = e−xn /Xp (exp( KT ) − 1)
= −qDp ∂p
0
Be−x/Xp
qV
=0
qV
) − 1)

(e KT −1)e−x/Xp = qD
Xp
p
(−x+xn )
e Xp pn0 (e KT −1)
qV

Pour x = xn , le courant des trous s’écrit :

qV
jp = qD
AR
p
p (e KT − 1)
Xp n0
9/ On en déduit le courant des électrons à la limite de la ZCE :
qV
jn = qD n
n (e KT − 1)
Xn p0
Exercice 2
1- C’est le modèle d’une diode parfaite ou modèle à seuil.
2- Pour V < Vd le courant est nul et la diode se compoerte comme un inter-
rupteur ouvert (ou diode bloquante).
Pour V > Vd la diode se comporte comme un générateur de force contre
I-C

électromotrice Vd (ou diode passante).

3- En appliquant la loi des mailles, la tension aux bornes de la diode s’écrit :
VD = Ve − E.
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 57

11 EXAMEN PRINCIPAL 2016-17 Département Ing. Info.

- si VD < Vd ⇔ Ve − E < Vd la diode est bloquante.

E
- si VD > Vd ⇔ Ve − E > Vd la diode est passante.
4-
- si Ve − E < Vd le circuit équivalent est

AG
⇒ Vs = 0
TH
- si Ve − E > Vd le circuit équivalent est
AR

⇒ Vs = Ve − E − Vd
5-
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 58

11 EXAMEN PRINCIPAL 2016-17 Département Ing. Info.

E
AG
6-

TH
AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 59

12 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2016-17 Département Ing. Info.

12 Examen de Rattrapage 2016-17

E
Exercice 1
On considère une diode à jonction PN à base de Si avec une densité d’atomes
accepteurs NA et une densité d’atomes donneurs ND . On note Lp et LN

AG
les largeurs des zones N et P, respectivement, dP et dN les largeurs des
zones de déplétion de côtés N et P, respectivement, p0p (n0p ) la densité des
trous (électrons) dans la zone P avant contact, p0n (n0n ) la densité des trous
(électrons) dans la zone N avant contact, et pp (np ) la densité des trous
(électrons) dans la zone P après contact, pn (nn ) la densité des trous (électrons)
dans la zone N après contact.
La position du contact métallurgique est confondue avec l’axe des x.

TH
AR
1- Tracer les diagrammes des bandes énergétiques dans les deux comparti-
ments P et N au moment du contact et à l’équilibre thermodynamique.
2- Établir l’expression donnant le potentiel de diffusion ΦD en fonction de K,
T, q, NA , ND et ni . Avec K est la constante de Boltzmann, T la température,
q la charge élémentaire et ni la densité intrinsèque des charges.
3- Expliquer la distribution de charges dans le volume entier et indiquer les
porteurs minoritaires et les porteurs majoritaires dans chaque zone.
4- On polarise la jonction par une d.d.p égale à va > 0.
I-C

Expliquer la nature du courant qui traverse la jonction et donner son expres-

sion en fonction des densités des charges et des constantes de diffusion Dp et
Dn des trous et des électrons, respectivement.
5- Les densités des porteurs de charges minoritaires dans chaque zone sont
données par :
np (x) = n0p exp(−qφn /kT )exp(qφ(x)/kT )
pn (x) = p0n exp(qφp /kT )exp(−qφ(x)/kT )
EN

Avec φp désigne le potentiel dans la zone neutre P, et φn désigne le potentiel

dans la zone neutre P. Soit (φp − φn ) = va .
Établir les densités de porteurs de charges en excès, p0n (dn ) et n0p (−dp ) en
fonction de va .
6- Donner les équations de continuités (on négligera les termes de recombi-
naison) et déduire leurs expressions au régime stationnaire.
7- Résoudre les équations différentielles obtenues et déduire les densités des

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 60

12 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2016-17 Département Ing. Info.

charges en excès dans chaque zone.

E
On se place au régime des faibles injections et on suppose qu’aux extrémités
de la jonction les densités des charges sont à l’équilibre thermique.
8- Déduire l’expression finale de courant qui traverse la jonction.

AG
Exercice 2
1- Définir et expliquer le fonctionnement d’une diode Zener.
2- Tracer ses caractéristiques coutant-tension.
3- Un réveille-matin est alimenté par une source de tension continue (figure
ci-dessous). Il consomme 10mA au repos et consomme 100mA quand il sonne.
En plus, pour que la diode Zener fonctionne, il faut au moins avoir un cou-
rant de 30mA qui la traverse en tout temps. D’autre part, pour limiter la
chaleur dissipée, il ne faut pas avoir une puissance de plus que 0.5W dans la
diode.

TH
Trouvez un intervalle de valeurs de la tension d’alimentation V qui remplirait
ces conditions. On donne VZ = 3V .
AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 61

12 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2016-17 Département Ing. Info.

Corrigé de l’examen rattrapage 2016-2017

E
Exercice 1
1-

AG
TH
AR
2- Dans la zone P on a :
E −E
p = NA = ni exp( F iKT F p ) ⇒ EF p = EFi + KT Ln( NnAi )
De même, dans la zone N :
−EF i
n = ND = ni exp( EF nKT ) ⇒ EF n = EFi + KT Ln( NnDi )
E −E
⇒ EF n − EFp = KT Ln( NDnN 2
A
) ⇒ ΦD = F n q Fp = KT q
Ln( NDnN
2
A
)
i i
3- Au moment du contact les électrons majoritaires dans la zone N diffusent
vers la zone P dans laquelle ils sont minoritaires. De même les trous majori-
I-C

taires dans la zone P diffusent vers la zone N dans laquelle ils sont minori-
taires. Il s’ensuit l’apparition d’une charge positive à l’interface de côté N due
aux atomes donneurs ionisés suite à la diffusion des électrons. De côté P une
charge d’espace négative apparaı̂t suite à l’ionisation des atomes accepteurs
suite à la diffusion des trous. Un champ électrique qui s’oppose à la diffusion
s’établit dans la zone de charge d’espace et un potentiel électrique est créé ce
qui explique la courbure des bandes. En dehors de la zone de charge d’espace
les régions sont quasi-neutres dans l’approximation des faibles injections.
EN

4/ La polarisation de la jonction par une tension va > 0 favorise la diffusion

des charges (le champ électrique appliqué est opposé au champ interne). Le
courant est donc un courant de diffusion des charges minoritaires donné par :
jp = −qDp ∂pn /∂x et jn = qDn ∂np /∂x
⇒ j = q(Dn ∂np /∂x − Dp ∂pn /∂x)
5- p0n (x) = pn (x) − pn0 = p0n (exp((qφp )/kT )exp(−qφ(x)/kT ) − 1)

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 62

12 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2016-17 Département Ing. Info.

p0n (dn ) = p0n (exp((qφp )/kT )exp(−qφ(dn )/kT ) − 1)

E
= p0n (exp((qφp )/kT )exp(−qφn /kT ) − 1) = p0n (exp(q(φp − φn )/kT ) − 1)
= p0n (exp(qva /kT ) − 1)
n0p (x) = np (x) − n0p = n0p (exp(−qφn /KT )exp(qφ(x)/KT ) − 1)

AG
n0p (−dp ) = np (−dp ) − n0p = n0p (exp(−qφn /KT )exp(qφ(−dp )/KT ) − 1)
= n0p (exp(−qφn /KT )exp(qφp /KT ) − 1)
= n0p (exp(qva /KT ) − 1)
6- En négligeant les termes de recombinaison, les équations de continuité
s’écrivent :
∂np
∂t
= 1q ∂j
∂x
n
= Dn ∂ 2 np /∂x2
∂pn ∂jp
∂t
= −1q ∂x
= Dp ∂ 2 pn /∂x2
Au régime stationnaire ces équations s’écrivent :

TH
Dn ∂ 2 np /∂x2 = Dn ∂ 2 n0p /∂x2 = 0
Dp ∂ 2 pn /∂x2 = Dp ∂ 2 p0n /∂x2 = 0
7- *) pour les électrons la solution est de la forme : n0p (x) = Ax + B
avec les conditions aux limites :
n0 p(−Lp ) = 0 et n0p (−dp ) = n0p (exp(qva /kT ) − 1)
⇒ n0p (−Lp ) = −ALp + B = 0 ⇒ B = ALp
⇒ n0p (−dp ) = −Adp + B = A(Lp − dp ) = n0p (exp(qva /kT ) − 1)
AR
⇒ A = Lpn−d 0p
p
(exp(qva /kT ) − 1) et B = (Lnp0p−d
Lp
p)
(exp(qva /kT ) − 1)
⇒ n0p (x) = A(x + Lp ) = n0p Lx+L p
p −dp
(exp(qva /kT ) − 1)
*) pour les trous la solution est de la forme : p0n (x) = Cx + D
avec les conditions aux limites :
p0n (Ln ) = 0 et p0n (dn ) = p0n (exp(qva /kT ) − 1)
⇒ p0n (Ln ) = CLn + D = 0 ⇒ D = −CLn
⇒ p0n (dn ) = Cdn + D = C(dn − Ln ) = p0n (exp(qva /kT ) − 1)
I-C

⇒ C = dnp−L 0n
n
(exp(qva /kT ) − 1) et D = p0n LnL−d n
n
(exp(qva /kT ) − 1)
0 x−Ln
⇒ pn (x) = C(x − Ln ) = p0n dn −Ln (exp(qva /kT ) − 1)
8- j = q(Dn ∂n0p /∂x − Dp ∂p0n /∂x) = q(Dn A − Dp C)
= q(Dn Lpn−d0p
p
+ Dp Lnp−d
0n
n
)(exp(qva /kT ) − 1)
Exercice 2
1- Une diode Zener possède les caractéristiques d’une diode à jonction PN
en polarisation directe, mais en polarisation inverse elle devient fortement
EN

conductrice si la tension inverse à ses bornes dépasse une valeur seuil appelée
tension Zener (notée Vz ).

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 63

12 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2016-17 Département Ing. Info.

2-

E
AG
3- D’après la loi des mailles, on a : I = V −V R
z
= Iz + IRM
Lorsque le réveille-matin sonne il consomme 100 mA, et le courant qui tra-

Au total :
TH
verse la diode est faible et doit être supérieur à 30 mA pour qu’elle fonctionne.

I = Iz + IRM > 130mA ⇒ V −V

V > 0, 13 × 10 + Vz = 4, 3V
R
z
> 130mA

Lorsque le réveille-matin ne sonne pas il consomme un courant faible 10mA.

Le courant qui traverse la diode est donc très fort et on doit s’assurer qu’il
reste inférieur à Imax = VPz = 0,5
3
= 167mA.
AR
V −Vz
⇒ R < 167 + 10 = 177mA ⇒ V < 0, 177 × 10 + 3 = 4, 77V
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 64

13 DEVOIR SURVEILLÉ 2017-18 Département Ing. Info.

13 Devoir Surveillé 2017-18

E
Exercice 1
On considère un semi-conducteur dopé N avec la densité Nd d’atomes don-
neurs. Soit Ed le niveau énergétique introduit dans le gap suite à la présence

AG
d’atomes donneurs. On désigne par :
-EF le niveau de fermi
-EF i le niveau de fermi intrinsèque
-Nc(v) la densité effective des électrons (trous) dans la bande de conduction
(valence)
-Ec(v) le niveau énergétique bas (haut) de la bande de conduction (valence)
-ni la densité intrinsèque des charges

-T la température
TH
-K la constante de Boltzmann

On donne la probabilité d’occupation d’un niveau d’énergie E par un électron

p(E) = 1
1+exp((E−EF )/KT )

On se propose de déterminer approximativement la position du niveau de

Fermi et les densités des charges au régime intrinsèque (températures très
AR
élevées).
1/ Rappeler les trois régimes de fonctionnement d’un semi-conducteur ex-
trinsèque en fonction de la température.
2/ Écrire les expressions des densités des électrons et des trous en fonction
de Nc , Nv , Ec , Ev , EF et KT puis en fonction de ni , EF , EF i et KT .
3/ Montrer que : Nd+ = 1+exp((EFN−Ed
d )/KT )
.
4/ Écrire l’équation de la neutralité électrique.
Nd
5/ Montrer que : ni x = 1+αx + nxi
I-C

dont on déterminera les expressions de x et α.

6/ Montrer qu’au régime intrinsèque (T très grande) on a : αx << 1.
7/ Montrer qu’un développement au premier ordre conduit à l’équation de
second degré en x suivante :

(ni + αNd )x2 − Nd x − ni = 0

8/ Résoudre cette équation et écrire l’expression de x.

EN

9/ Pour T très grande : ni >> αNd . Montrer qu’une approximation au pre-

mier ordre en Nd /ni (c’est-à-dire ( Nnid )2 << Nd /ni ) conduit à :
9-1/ x ≈ 1 + Nd /(2ni )
9-2/ On considère maintenant que Nd /ni << 1, déduire que
Nd
*) EF ≈ EF i + KT2 ni
*) n ≈ ni + Nd /2

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 65

13 DEVOIR SURVEILLÉ 2017-18 Département Ing. Info.

*) p ≈ ni − Nd /2

E
Exercice 2
Soit un silicium (Si) dopé N ayant une conductivité de 10 Ω−1 .cm−1 .
1/ Expliquer brièvement le principe de base du dopage des semi-conducteurs.

AG
2/ Calculer la résistance d’une barre de Si dopé de longueur L = 10−3 cm et
de section A = 10−7 cm2 .
3/ Calculer les concentrations des électrons et des trous dans le silicium dopé
4/ Déterminer la densité de courant de conduction (ou d’entrainement) pour
un champ appliqué de 10V /cm.
On donne :
Concentration intrinsèque pour le silicium : ni = 1, 5.1010 cm−3
Mobilité des électrons µn = 1425cm2 /V s

TH
Mobilité des trous µp = 450cm2 /V s.
AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 66

13 DEVOIR SURVEILLÉ 2017-18 Département Ing. Info.

Corrigé du DS 2017-2018

E
Exercice 1
1/ Aux températures faibles, on a quelques atomes qui sont ionisés : c’est le
régime d’ionisation. Aux températures moyennes tous les atomes donneurs

AG
sont ionisés : c’est le régime de saturation. Et aux températures élevées le
semi-conducteur se comporte comme un semi-conducteur intrinsèque.
−Ec −EF i i −Ec −EF i
2/ n = Nc exp( EFKT ) = Nc exp( EFKT )exp( EFKT ) = ni exp( EFKT )
Ev −EF EF i −EF Ev −EF i EF i −EF
p = Nv exp( KT ) = Nc exp( KT )exp( KT ) = ni exp( KT )
3/ La densité des atomes neutres Nd0 est égale à la probabilité d’occupation
d’un niveau Ed par un électron multipliée par la densité totale des atomes
donneurs :
Nd
Nd0 = Nd × p(Ed ) =

Nd+ = Nd − Nd0 =
4/ n = p + Nd+
Nd
THEd −EF
1+exp(

EF −Ed
1+exp( KT
KT

)
)
La densité des atomes ionisés s’écrit donc :

5/ En remplaçant chaque terme de l’équation de neutralité par son expres-

sion, on aura :
−EF i i −EF Nd
ni exp( EFKT ) = ni exp( EFKT )+
AR
EF −Ed
1+exp( KT )
−EF i EF i −EF Nd
⇒ ni exp( EFKT )
= ni exp( KT ) + E i −Ed E −E
1+exp( FKT )exp( FKT F i )
EF −EF i EF i −Ed
On pose : x = exp( KT ) et α = exp( KT )
Nd
⇒ ni x = 1+αx + nxi
−Ed
6/ αx = exp( EFKT )
Nd −Ed
+
On a Nd = E −E ≈ Nd pour T très grande ⇒ exp( EFKT ) = αx << 1
1+exp( FKT d )
1
7/ 1+αx ≈ 1 − αx ⇒ ni x ≈ (1 − αx)Nd + nxi
I-C

⇒ (ni + αNd )x2 − Nd x − ni = 0 p

N d + Nd2 + 4(ni + αNd )ni
8/ ∆ = Nd2 + 4(ni + αNd )ni ⇒ x =
p 2(ni p+ αNd )
2 2
Nd + Nd + 4ni + 4αNd ni Nd + ni (Nd /ni )2 + 4 + 4αNd /ni
9-1/ x = =
2ni (1 + α Nnid ) 2ni (1 + αNd /ni )
2
pour (Nd /ni )p << Nd /ni , on obtient : p
Nd + ni 4 + 4αNd /ni Nd + 2ni 1 + αNd /ni
EN

x≈ = , avec αNd /ni << 1

2ni (1 + αNd /ni ) 2ni (1 + αNd /ni )
⇒ x ≈ Nd2n+2ni
i
= 1 + 2nNd
i
9-2/ Nd /ni << 1 :
−EF i
*) x = exp( EFKT ) = 1 + Nd /2ni
Nd
⇒ EF = EF i + KT ln(1 + Nd /2ni ) ≈ EF i + KT 2 ni
*) n = ni x ≈ ni (1 + Nd /2ni ) = ni + Nd /2

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 67

13 DEVOIR SURVEILLÉ 2017-18 Département Ing. Info.

n2
*) p = n2i /n = ni (1+Nid /2ni ) = 1+Nndi/2ni ≈ ni − Nd /2

E
Exercice 2
1/Les semi-conducteurs intrinsèques basés sur les atomes IV (Si et Ge)
possèdent des conductivités faibles car les densités des électrons et des trous

AG
sont faibles (<∼ 1012 cm−3 ). Pour augmenter leurs conductivités, on introduit
dans le réseau cristallin des atomes V donneurs d’électrons (semi-conducteur
de type N) ou des atomes III accepteurs d’électrons (semi-conducteur de type
P).
2/ on a j = σ VL = VR A ⇒ R = σA L
−3
A.N R = ×1010−7 ×10 = 1 KΩ
3/ c’est un semi-conducteur de type N, donc :
σn
σ ≈ σn = qµn n = qµn Nd ⇒ n = Nd = qµ
10
A.N n = 1,6.10−19 ×1425
10 2
p = n2i /n = (1,5.10
4,4.1016
)
TH≈ 4, 4.10
≈ 5.103 cm−3
4/ j = σE = 10 × 10 = 100 A/cm2
16
cm −3
n
AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 68

14 EXAMEN PRINCIPAL 2017-18 Département Ing. Info.

14 Examen Principal 2017-18

E
Exercice 1
On considère une jonction PN abrupte à la température ambiante, formée
par une zone P de largeur dp et une zone N de largeur dn . On polarise la

AG
jonction par une polarisation directe Va .
1/ Donner le montage de la polarisation
2/ Dessiner le diagramme énergétique en indiquant clairement les zones
neutres, les zones de déplétion et les barrières des potentiels pour les électrons
et les trous. On notera lp la largeur de la zone de déplétion de côté P, et ln
la largeur de la zone de déplétion de côté N.
3/ Quelle est la nature du courant qui traverse la jonction ?

chaque zone :
∂np
∂t
∂pn
∂t
2
2
= Dn ∂∂xn2p − np −n
τn
= Dp ∂∂xp2n − pn −p
τp
TH
4/ On rappelle les équations de continuité des porteurs minoritaires dans

p0

n0
pour les électrons dans la zone P
pour les trous dans la zone N.
Donner la signification physique de chaque terme de ces équations.
5/ La longueur de diffusion des électrons dans la zone P, qu’on note Ln ,
est très grande devant la largeur de cette dernière (Ln  dp ). Réécrire les
AR
équations de continuité au régime stationnaire.
6/ Pour les électrons dans la zone P, on donne :
np (−lp ) = np0 exp((qVa )/KT ) et np (−dp ) = np0
Résoudre l’équation de continuité relative aux électrons au régime station-
naire, et déterminer l’expression de np en fonction de x.
7/ Pour les trous dans la zone N, on donne :
pn (ln ) = pn0 exp((qVa )/KT ) et pn (dn ) = pn0
Résoudre l’équation de continuité relative aux trous au régime stationnaire
I-C

et déterminer l’expression de pn en fonction de x, ainsi que l’expression de la

longueur de diffusion des trous, Lp , en fonction de Dp et τp
8/ Déterminer l’expression de courant total qui traverse la jonction

Exercice 2
On considère le montage de la figure ci-dessous avec D1 et D2 sont supposées
idéales. E est une source continue. e(t) est une source sinusoı̈dale de la forme
EN

e(t) = em sinωt et de période T.

On prendra E < em .
1/ Lorsque e(t) < E
1-a/ Montrer que D1 est bloquante et D2 est passante
1-b/ Déterminer l’expression de la tension aux bornes de la résistance UR (t)
2/ Lorsque e(t) > E

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 69

14 EXAMEN PRINCIPAL 2017-18 Département Ing. Info.

2-a/ Montrer que D2 est bloquante et D1 est passante

E
2-b/ Déterminer l’expression de la tension aux bornes de la résistance UR (t)
3/ Tracer en concordance du temps e(t) et UR (t) et indiquer sur la figure les
instants, t1 et t2 , correspondant au passage de l’état passant à l’état bloquant

AG
des deux diodes. √
4/ Calculer t1 et t2 en fonction de T. On donne em = 2E.
5/ Calculer l’intensité moyenne du courant qui traverse la résistance.

TH
AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 70

14 EXAMEN PRINCIPAL 2017-18 Département Ing. Info.

Corrigé de l’Examen Principal 2017-2018

E
Exercice 1
1/ Montage de la polarisation

AG
TH
2/Diagramme des bandes de la jonction polarisée
AR
I-C

3/ Le courant qui circule à travers une jonction PN est un courant de diffu-

sion des porteurs minoritaires
4/ ( ∂n ∂t
p
) et ( ∂p
∂t
n
) sont les variations au cours du temps des densités des por-
teurs de charges minoritaires
2 2
(Dn ∂∂xn2p ) et (Dp ∂∂xp2n ) sont les termes de diffusion des électrons et des trous
EN

respectivement, avec Dn et Dp sont les constantes de diffusion

( np −n
τn
p0
) et ( pn −p
τp
n0
) sont les termes de recombinaison des électrons et des
trous respectivement, avec τn et τp sont les durées de vie des électrons dans
la zone P et des trous dans la zone N respectivement.
5/ Ln >> dp (Ln est la longueur de diffusion des électrons dans la zone P)
⇒ les électrons quittent la zone P de largeur dp sans se recombiner ⇒ on
néglige le terme de recombinaison pour les électrons :

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 71

14 EXAMEN PRINCIPAL 2017-18 Département Ing. Info.

2
Dn ∂∂xn2p = 0 (au régime stationnaire)

E
6/ la solution de cette dernière équation est de la forme : np (x) = Ax + B
qva
⇒ np (−lp ) = −Alp + B = np0 e KT et np (−dp ) = −Adp + B = np0
qva qva
⇒ A = dpn−l p0
p
(e KT − 1) et B = n
p0 [1 + dp
dp
−l p
(e KT − 1)]

AG
7/ Pour les trous, l’équation de continuité au régime stationnaire s’écrit
2
Dp ∂∂xp2n − pn −p
τp
n0
=0
2
On pose X = pn − pn0 ⇒ Dp ∂∂xX2 − τXp = 0
La solution est de la forme
X(x) = Cexp(− √ x ) + Dexp( √ x )
p Dp τp Dp τp
On pose Lp = Dp τp qui est la longueur de diffusion des trous dans la zone
N.

TH
⇒ pn (x) = pn0 + Cexp(− Lxp ) + Dexp( Lxp )
⇒ pn (ln ) = pn0 + Cexp(− Llnp ) + Dexp( Llnp ) = pn0 e KT
et pn (dn ) = pn0 + Cexp(− Ldnp ) + Dexp( Ldnp ) = pn0
qva
qva

⇒ Cexp(− Llnp ) + Dexp( Llnp ) = pn0 (e KT − 1) et Cexp(− Ldnp ) + Dexp( Ldnp ) = 0

qva
pn0 (e KT − 1)
− 2dn qva
e Lp pn0 (e KT − 1)
⇒ C = −ln /Lp et D = −
e − e(ln −2dn )/Lp e−ln /Lp − e(ln −2dn )/Lp
AR
−x/Lp (x−2dn )/Lp
e −e qva
⇒ pn (x) = pn0 [1 + −ln /Lp (l −2d )/L
(e KT − 1)]
e −e n n p

8/ j = jn + jp = qDn ∂n ∂x
p
− qDp ∂p n
∂x
= qDn A − qDp ∂p n
|
∂x x=ln
−x/Lp (x−2dn )/Lp
∂pn e +e qva
|
∂x x=ln
= − pLn0p −ln /Lp (l −2d )/L
(e KT − 1)|
x=ln
e −e n n p
−ln /Lp (ln −2dn )/Lp
e +e qva
= − pLn0p −ln /Lp (e KT − 1)
e − e(ln −2dn )/Lp
−ln /Lp
Dp pn0 e + e(ln −2dn )/Lp qva
I-C

⇒ j = q[ Ddpn−lnp0
+ Lp
](e KT − 1)
p
e−ln /Lp − e(ln −2dn )/Lp
Exercice2
1/ e(t) < E
1-a/ U2 = E > 0 ⇒ D2 est passante
EN

U1 = e(t) − E < 0 ⇒ D1 est bloquante

1-b/ circuit équivalent

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 72

14 EXAMEN PRINCIPAL 2017-18 Département Ing. Info.

E
⇒ UR (t) = E
2/ e(t) > E

AG
2-a/ U1 = e(t) > 0 ⇒ D1 est passante
U2 = E − e(t) < 0 ⇒ D2 est bloquante
2-b/ circuit équivalent

⇒ UR (t) = e(t)
3/

TH
AR
2πt1
4/ e(t1 ) = E = em sinωt1 ⇒ ωt1 = arcsin( eEm ) ⇒ = π
4
⇒ t1 = T
8
T
et t2 = T2 − t1 = T2 − T8 = 3T 8
5/ i(t) = URR(t) = e(t) si e(t) > E ⇔ t ∈ [t1 , t2 ]
i(t) = E si e(t) < E ⇔ t ∈ [0, t1 ] ∪ [t2 , T ]
I-C

R RT Rt RT Rt
6/ imoy = T1 0 i(t)dt = T1 [ 0 1 E R
dt + t2 E R
dt + t12 eRm sinωtdt]
= T1R [Et1 + E(T − t2 ) + eωm (cosωt1 − cosωt2 )]
= T1R [ ET
8
+ ET (1 − 38 ) + e2π
mT
(cos π4 − cos 3π4
)] = ( 34 + π1 E
R
)
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 73

15 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2017-18 Département Ing. Info.

15 Examen de Rattrapage 2017-18

E
On considère une barre cylindrique formée par un semi-conducteur dopé
avec des atomes accepteurs de densité Na = 1017 cm−3 . La barre est de rayon
r et de longueur L. On applique une d.d.p. aux extrémités de la barre égale

AG
à 10V. Le semi-conducteur utilisé possède un gap de l’ordre de 1, 03eV et
le niveau énergétique Ea introduit dans le gap est tel que δ = EF − Ea de
l’ordre de 0, 4eV .
On donne l’énergie thermique KT = 0, 026eV à T = 300K, L = 10−3 cm,
r = 5.10−4 cm.
I-1/ De quel type de semi-conducteur s’agit-il ?
I-2/ Vérifier qualitativement que tous les atomes accepteurs sont ionisés

TH
I-3/ Calculer les densités des électrons et des trous dans le volume. On donne
la densité des porteurs intrinsèques ni = 1010 cm−3 .
I-4/ Calculer la densité de courant des trous. On donne q = 1, 6.10−19 C et
µp = 480 cm2 .V −1 .s−1 .
I-5/ Calculer la densité de courant des électrons. On donne µn = 1350
cm2 .V −1 .s−1 .
I-6/ Déduire le courant total qui traverse la barre ainsi que sa résistance R.
I-7/ Expliquer qualitativement l’effet de la température sur le courant de
AR
conduction.
II- Le même matériau est utilisé dans une jonction PN symétrique (les com-
partiments N et P sont de même dimension). La barre étudiée en I- forme
le compartiment P. Dans le compartiment N la densité des atomes donneurs
Nd est de l’ordre de 1015 cm−3.
II-1/ Tracer le diagramme énergétique de la jonction à l’équilibre thermo-
dynamique puis à une polarisation directe Vd . Indiquer les zones de déplétion
I-C

et les barrières de potentiels pour les électrons et les trous.

II-2/ En utilisant la neutralité électrique du volume total, montrer que la
zone de déplétion de côté N est de largeur plus grande que celle de côté P.
II-3/ Quelle est la nature de courant qui traverse la jonction. Donner son
expression.
II-4/ Les densités des électrons dans la zone P et des trous dans la zone N
sont données respectivement, par
np (x) = np0 + np0 f (x)(e(qVd )/KT − 1)
EN

pn (x) = pn0 + pn0 g(x)(e(qVd )/KT − 1)

Où f(x) et g(x) sont des fonctions positives qui dépendent linéairement de x.
Déterminer les expressions des courants des électrons et des trous. On notera
f 0 (x) = F et g 0 (x) = G.
II-5/ Déduire le courant total, j, qui traverse la jonction. Tracer l’allure de
j en fonction de Vd .

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 74

15 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2017-18 Département Ing. Info.

III- La barre étudiée en I- et la jonction étudiée en II- sont maintenant

E
utilisées, en tant que résistance R et diode à jonction PN respectivement,
dans le circuit de la figure 1. On suppose que la température reste constante
(300K). E est une source de tension continue de valeur égale à 1V.

AG
III-1/ Etablir l’expression de courant Id en fonction de E, R et Vd (droite
de charge statique).
III-2/ La figure 2 montre les caractéristiques I-V réelles d’une diode à jonc-
tion PN (diode Zener 52Z4). Tracer sur la même figure la droite de charge
statique et déduire le point de fonctionnement de la diode.

TH
AR
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 75

15 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2017-18 Département Ing. Info.

Corrigé de l’examen de rattrapage 2017-2018

E
I-1/ C’est un semi-conducteur extrinsèque de type P
I-2/ Si on prend pour origine des énergies le niveau haut de la B.V, Ev ,

AG
et si on suppose que le niveau de Fermi est situé au milieu du gap, alors
l’intervalle énergétique entre Ev et Ea est de l’ordre de 0,1eV. Cet intervalle
est très faible et facilement franchissable par les électrons de la B.V donc les
atomes accepteurs sont facilement ionisés.
Autrement dit, si l’on considère la probabilité d’ionisation d’un niveau accep-
1 1
teur donnée par Ea −EF
= −0,4 ≈ 1 ⇒ tous les atomes
1 + 2exp( KT ) 1 + 2exp( 0.026 )
accepteurs sont ionisés.
I-3/ p = Na = 1017 cm−3
n2 n2
n = pi = Nia = 10

[Link]−2
20
1017
TH
= 103 cm−3
I-4/ jp = qµp pE = qµp Na VL = 1, 6.10−19 × 480 × 1017 × 1010− 3 = 7, 68.104

I-5/ jn = qµn nE = qµn n VL = 1, 6.10−19 × 1350 × 103 × 1010− 3 = 2, 16 [Link]−2

I-6/jp  jn ⇒ j ≈ jp
⇒ I = πr2 jp = 60 mA
AR
R = VI = 0,0610
≈ 165, 9 Ω
I-7/ Lorsque la température augmente les densités des porteurs libres aug-
mentent et le courant augmente. La mobilité croit aussi sous l’effet de l’agi-
tation thermique.
II-1/
I-C
EN

II-2/ Soit Wp la largeur de la zone de charge d’espace (négative) de côté P

et soit Wn la largeur de la zone d’espace (positive) de côté N. La neutra-
lité électrique du volume s’écrit Na × Wp = Nd × Wn . Puisque Na > Nd ⇒
Wp < Wn .
II-3/ Le courant qui traverse la jonction est un courant de diffusion dont

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 76

15 EXAMEN DE RATTRAPAGE 2017-18 Département Ing. Info.

l’expression est donnée par :

E
j = jn + jp = qDn ∂n
∂x
p
− qDp ∂p n
∂x
qVd qVd
∂np
II-4/ ∂x
= np0 f 0 (x)(e KT − 1) = np0 F (e KT − 1)
qVd
⇒ jn = qDn np0 F (e KT − 1)

AG
qVd qVd
∂pn
∂x
= pn0 g 0 (x)(e KT − 1) = pn0 G(e KT − 1)
qVd
⇒ jp = −qDp pn0 G(e KT − 1)
qVd
II-5 j = jn + jp = (qDn np0 F − qDp pn0 G)(e KT − 1)

TH
III-1 Id = ER
− VRd = 60 − 60Vd en mA.
AR
III-2 Le point de fonctionnement est l’intersection entre la droite de charge
statique et les caractéristiques I − V réelles de la diode : (0, 72V ; 16, 8mA).
I-C
EN

Semi-conducteurs et Électronique Analogique 77